JP2000030896A

JP2000030896A - プラズマ閉込め装置

Info

Publication number: JP2000030896A
Application number: JP10211993A
Authority: JP
Inventors: Wikuramanayaka Snil; ウィクラマナヤカスニル
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1998-07-10
Filing date: 1998-07-10
Publication date: 2000-01-28

Abstract

(57)【要約】【解決手段】プラズマ閉込め装置はプラズマを閉込め
るために使用されるプラズマ集中リング１１を有し、プ
ラズマ集中リングは、平行に配置される複数のドーナツ
形状の水平な板１１ａによって構成され、任意の２つの
隣合う水平な板の間には水平な狭い間隔２５が設けら
れ、当該狭い間隔は、集中リングの内側から外側へ横方
向に処理ガスが流れる通路を作る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプラズマ閉込め装置に関
し、特に、容量的、誘導的、あるいはウェーブ加熱機構
のいずれかによって生成されたプラズマを高度に閉込め
る能力を有し、かつ生成されたプラズマの中へのパーテ
ィクル汚染を減少したプラズマ集中リングを有する、プ
ラズマ支援ウェハ処理装置に用いられるプラズマ閉込め
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】化学気相成長、スパッタリング、エッチ
ングのごときプラズマ支援ウェハ処理工程は半導体デバ
イス製造における本質的な工程である。特別な応用はど
れも、容量的結合（ＣＣＰ）、誘導的結合（ＩＣＰ）、
ウェーブ加熱、ＤＣプラズマ源のごとき異なる種々のプ
ラズマ源が使用されつつある。同じ種類のプラズマ源で
あっても、その応用に依存して異なるハードウェアの構
成を有する。例えばＣＣＰ源は、種々のウェハ処理のた
め種々の構成を有して広く用いられている。

【０００３】これらのどのようなプラズマ源にとって
も、主要な問題は、いったんプラズマが発生させられる
と、当該プラズマはプラズマ発生反応器の内部空間で拡
散するということである。プラズマが広がることは、い
くつかの問題、例えばウェハの表面でのプラズマ密度の
低下、反応容器の内側壁面での好ましくない膜の堆積、
そしてもしプラズマがＣＣＰ型である場合にはｒｆ電極
のＶdcの増大という問題が起きる。プラズマの拡大を防
止するために、いくつかのプラズマ源は集中リングを備
えている。従来の集中リングは、ウェハの表面に渡って
プラズマを閉込めるのを支援する。しかしながら、プラ
ズマのパラメータのいくつかを制御することに困難が生
じる。従来の集中リングに関する問題は図８と図９に従
って説明される。これらの図では、ＣＣＰプラズマ源が
用いられている。

【０００４】図８は、集中リング５１を備えるＣＣＰプ
ラズマ源５９を装備したＣＣＰプラズマ反応容器５０を
簡略的に示した図である。このＣＣＰプラズマ反応容器
５０は、本質的に、トッププレート６０ａとボトムプレ
ート６０ｂと円筒形側壁６０ｃを有する反応容器６０に
よって構成される。さらに反応容器６０は、上部電極５
５と下部電極５２を備えている。処理されるウェハ５３
は、下部電極５２の上に搭載される。ｒｆ電源６７は整
合回路６６を介して上部電極５５に接続されている。上
下のｒｆ電極（５５，５２）は、反応容器６０の残りの
部分から電気的に絶縁されており、一方、トッププレー
ト６０ａ、ボトムプレート６０ｂ、円筒形側壁６０ｃは
電気的に接地されている。下部電極５２に対して、プラ
ズマ処理のタイプに依存してｒｆ電力を与えてもよい
し、与えなくてもよい。図８では、整合回路５８を介し
て下部電極５２に接続されるｒｆ電源５７の構造が示さ
れている。処理ガスは、上部電極５５上に形成されたガ
ス入口ポート６３を通して反応容器６０内へ導入され
る。前述の構成によれば、ｒｆ電力が上部電極５５に与
えられるとき、上部電極５５の下側の容量結合型メカニ
ズムによってプラズマが生成される。

【０００５】加えて、集中リング５１はトッププレート
６０ａに固定されている。集中リング５１の半径方向に
おける幅（ｗ）は通常およそ５０ｍｍである。代表的な
処理環境において、集中リング５１の下側表面とウェハ
ステージ５６の表面との間の間隔（ｘ）はおよそ２〜３
ｍｍに保持されている。しかしながらこの間隔（ｘ）
は、プラズマ処理圧力と集中リング５１の幅（ｗ）に依
存して僅かばかり変化させることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図８によって示された
構成に関連する問題が図９を参照して説明される。集中
リング５１とウェハステージ５６の表面との間の狭いギ
ャップ（ｘ）を通してプラズマがリークすることを防ぐ
ために、狭いギャップはおよそ３ｍｍの値に低減されな
ければない。上部電極５５を通して導入される処理ガス
は、狭いギャップを通してのみ導入され、それ故に上部
電極５５とウェハステージ５６の表面と集中リング５１
とによって閉込められた容積部分の内部圧力は、集中リ
ング５１の外部の圧力に比較してかなり高くなる。一般
的に、ＣＣＰプラズマは、与えられたｒｆ電力および圧
力で、例えば誘導結合型プラズマに比較し、低いプラズ
マ密度を有する。それ故にＣＣＰプラズマを伴うプラズ
マ処理はより高い圧力（＞５０mTorr ）で実行される。
しかしながら、より高い圧力では、微細なパターンのウ
ェハのプラズマ処理は、通常いくつかの欠点のため実行
されないない。例えば０．３μｍあるいはそれより小さ
いコンタクトホールのエッチングは、より高いポリマの
堆積速度や反応イオンのエッチング遅れが理由で、より
高い圧力で実行されない。

【０００７】より高い圧力では、プラズマの中心部のガ
ス圧がプラズマの周縁部のガス圧に比較してより高い圧
力となることによって、プラズマの半径方向の密度分布
は不均一となる。この不均一性は、ウェハの直径が大き
くなるに伴って増大する。このことは、ウェハ表面上に
おける不均一な処理速度の原因となり、これが、その応
用の多くに制限を与える。

【０００８】他の問題は、主に集中リング５１の内側の
垂直表面における膜堆積と、それによるプラズマへのパ
ーティクル汚染である。このことはＳｉＯ₂のエッチン
グ環境を用いて説明される。ＳｉＯ₂のエッチングに関
しては、フルオロカーボンガスあるいは混合ガス（例え
ばＣＦ₄，ＣＨＦ₃，Ｃ₄Ｆ₈）が通常使用される。こ
れらのガスは、有効にＳｉＯ₂をエッチングするが、プ
ラズマが接触する集中リング５１の内側垂直表面の上に
ポリマ膜６４（例えば（ＣＨ）_n，（ＣＨＦ）_n，（Ｃ
Ｆ）_nなど）が堆積する。従ってポリマ膜６４は内側垂
直表面の上に堆積し、そして集中リング５１の下側の水
平表面に堆積する。ポリマ膜６４の厚みは時間の経過に
伴って増大する。一旦、当該厚みが十分に大きくなる
と、膜は薄片として内側垂直表面から剥がれ、プラズマ
を汚染する。このことは、図９において概略的に示され
ている。集中リング５１の内側垂直表面の近傍における
ガスの流れ６１の方向は垂直と考えることができる。当
該薄片が集中リングの内側垂直表面から除去され移動す
るとき、それらはすべてのガスが流れる集中リング５１
とウェハステージ５６の間の狭い空間にたどり着くた
め、数十ミリ移動しなければならない。この移動の間に
小さいパーティクル６５のいくつかはプラズマ中に拡散
してプラズマを汚染する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ閉込め
装置は、プラズマ源で、プラズマを閉込めるためのプラ
ズマ集中リングを有し、さらに当該プラズマ集中リング
は複数の通路を含み、当該通路を通してプロセスガスが
内側から外側へ横方向に流れる。

【００１０】上記プラズマ閉込め装置において、プラズ
マ集中リングは、好ましくは複数のドーナツ形状の水平
板によって構成され、これらの水平板は、任意の２つの
隣り合う水平板の間に水平な狭い間隔を備えて平行に配
列され、当該狭い間隔が上記通路を作る。

【００１１】上記プラズマ閉込め装置において、上記プ
ラズマ集中リングは、好ましくは複数の垂直板によって
構成され、これらの垂直板は、任意の２つの隣り合う垂
直板の間に垂直な狭い間隔を備えたドーナツ形状のリン
グを作るように配置され、当該狭い間隔が上記通路を作
る。

【００１２】上記プラズマ閉込め装置において、上記の
水平または垂直の板は、好ましくは内側に向かって減少
した厚みを有する。

【００１３】上記プラズマ閉込め装置において、水平ま
たは垂直の板は、好ましくは荒い表面を有する。

【００１４】上記プラズマ閉込め装置において、プラズ
マ集中リングは、ドーナツ形状をしたいくつかの波形の
薄板を共に組み合わせることによって構成することもで
き、そこにおいて各々の隣り合う２つの板はその波形状
から１８０度シフトされており、それによって四角形、
楕円形、あるいは薄板の波形形状に依存して他のいかな
る形状を有する多くの孔が作られ、それにより集中リン
グの内側から外側に延びる通路を通しての多くの孔が存
在する。

【００１５】上記プラズマ閉込め装置において、プラズ
マ集中リングは、ドーナツ形状の厚板において半径方向
に通路として多くの孔をドリルで形成することによって
構成することもできる。

【００１６】上記プラズマ閉込め装置によれば、プラズ
マ源でプラズマを閉込めるため集中リングは、処理ガス
のコンダクタンス（導通性）を増大するため、かつプラ
ズマのパーティクル汚染を減少させるために、処理ガス
が内側から外側に向かって横方向に流れる通路、すなわ
ち隣り合う２つの板の間の間隔を形成するように、例え
ば、互いに平行に配置されたいくつかの水平な薄いドー
ナツ形状の板を用いて構成される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明によるプラズマ閉
込め装置の好ましい実施形態が添付された図面に従って
説明される。実施形態の説明を通して、本発明の詳細が
明らかにされる。

【００１８】本発明の第１の実施形態は図１〜３に従っ
て説明される。図１は、トッププレート１３ａに取り付
けられたプラズマ閉込め集中リング１１を備えるＣＣＰ
プラズマ源を有したプラズマ支援ウェーハ処理装置の断
面図を示す。ＣＣＰプラズマ反応容器は、本質的にトッ
ププレート１３ａ、ボトムプレート１３ｂ、そして円筒
形状の側壁１３ｃを有する反応容器１３から構成され
る。さらに、反応容器１３は、その内部に上部電極１４
と、ウェハステージ１６上に配置された下部電極１５を
備えている。上部電極１４と下部電極１５は前述のＣＣ
Ｐプラズマ源を形成する。処理されるべきウェハ１７は
下部電極１５の上に搭載される。ｒｆ電源１８は整合回
路１９を介して上部電極１４に接続されている。上部と
下部のｒｆ電極（１４，１５）は反応容器１３の残りの
部分から電気的に絶縁されており、一方、トッププレー
ト１３ａ、ボトムプレート１３ｂ、円筒形状の側壁１３
ｃは電気的に接地されている。下部電極１５はプラズマ
処理のタイプに応じてｒｆ電力を与えられてもよいし、
与えられなくてもよい。この実施形態において、下部電
極１５は整合回路２１を通してｒｆ電源２０に接続され
ている。処理ガスは上部電極１４に形成されたガス入口
ポート２２を通して反応容器１３の中に導入される。前
述の構成に従えば、プラズマはｒｆ電力が上部電極１４
に与えられるとき、上部電極１４の下側にて容量結合メ
カニズムによって発生させられる。

【００１９】加えて、前述のＣＣＰプラズマ源はプラズ
マを閉込めるための集中リング１１を備えている。この
集中リング１１は本質的に水平に配置されたドーナツ形
状のいくつかの薄板１１ａからなっている。集中リング
１１はトッププレート１３ａに固定されている。薄板１
１ａの各々の内径は、通常、上部電極１４の直径に等し
い。薄板１１ａの寸法は重要な事項ではなく、処理され
るべきウェハ１７の大きさ、そして圧力やｒｆ電源など
のごとき他のプロセスパラメータに従って変わり得る。
当該内径は、通常、ウェハステージ１６上に配置された
ウェハの直径より１〜３ｃｍより大きいものが選択され
る。薄板１１ａの外径は、その内径よりも４〜１０ｃｍ
より大きい。薄板の厚みは、通常、０．５〜５ｍｍの範
囲に存在する。

【００２０】これらの水平な薄板１１ａは、一端がトッ
ププレート１３ａに結合された、４本またはそれ以上の
ロッド２３（またはネジ）によって支持されている。任
意の２つの隣り合う薄板１１ａの間の間隔は、例えば
０．５ｍｍから４ｍｍの範囲に存在するように保持され
ている。薄板の間の適切なる間隔は、プロセスパラメー
タ、特に圧力や印加されたｒｆ電力に依存する。通常２
ｍｍの間隔が、より広い圧力領域にわたってプラズマが
集中リング１１の外側領域へ漏れ出すことを防ぐために
十分である。当該間隔は、以下に説明するように、導入
された処理ガスが集中リングの内側から外側へ横方向に
流れる通路として用いられる。

【００２１】集中リング１１の薄板１１ａは金属または
誘電体物質によって作られる。仮に薄板１１ａが金属で
作られる場合、それらは電気的に接地されている。接地
との電気的接続は、金属を用いて、集中リング１１の薄
板１１ａを支持する上記ロッド２３（またはネジ）を作
ることによって達成される。加えて、金属で作られるこ
れらのロッド２３の数は、電気的接続を改善するため
に、増加させることができる。一方、薄板１１ａが誘電
体物質で作られる場合、ソーダガラスのごとき安価な材
質を使用することができる。それ故、これらの薄板１１
ａが非常に多くの量のポリマ膜を蓄積すると、これらの
薄板は廃棄され、一方、新しい薄板１１ａが取り付けら
れる。このことは、ウェットクリーニング処理の要求を
省略でき、相当な時間を節約することができる。

【００２２】前述の集中リング１１の構成は、図８にお
いて説明された従来の構成に比較してより大きなプラズ
マに晒される表面領域を作り出す。それ故に、望ましく
ない膜堆積に関し、より大きな表面領域が存在し、すな
わち、より大量の望ましくない膜が、ウェットクリーニ
ング処理または薄板の置き換えが要求される前の段階で
堆積される。このことは、反応容器１３における２つの
ウェットクリーニング処理の間の時間間隔を増大する。

【００２３】薄板１１ａの表面は滑らかであってもよい
し、あるいは粗くてもよい。粗い表面を用いる目的は、
より多くの量のポリマ膜を堆積するため、プラズマに晒
される表面面積をさらに増大させることである。さらに
粗い表面の使用は、薄片の剥がれが開始のに必要とされ
るポリマ膜の厚みを増大させる。仮に粗い表面が用いら
れた場合、当該表面の粗さは数百μｍほどの高さにな
る。

【００２４】集中リング１１の前述の構成によれば、狭
い水平のスペース（間隔）２５の全体の表面面積は、図
８で説明された従来の集中リングのそれよりも大きくな
る。処理ガスは集中リング１１の内側空間から狭い水平
なスペース２５を通して外部へ流れ出すので、本実施形
態の構成は、より高いガスコンダクタンスを生じ、その
結果、集中リング１１の内側と外側の間でより低い圧力
勾配をもたらす。

【００２５】さらに集中リング１１の前述の構成は、プ
ラズマに晒されるより小さい垂直な表面面積を生じる。
集中リング１１の内側の垂直壁の表面上では、この表面
領域は集中リング１１の内部空間内で発生した強いプラ
ズマに直接に接触するので、緻密なポリマ膜が堆積す
る。反対に、水平な壁の表面の上では、当該プラズマは
集中リング１１の外側の縁に向かって枯渇されていくの
で、より薄いポリマ膜が堆積される。内側の垂直な壁の
表面面積は小さいので、薄片の剥がれによるプラズマの
パーティクル汚染は減じられる。加えて、この構成に伴
うガスの流れのパターンは、プラズマに対するパーティ
クル汚染を減少する。このことは、図３を用いて説明さ
れる。処理ガス２４は集中リング１１の近傍で水平に流
れ、２つの薄板１１ａの間の狭いスペース２５で水平に
流れる。ポリマ膜は薄板１１ａの水平表面の上に堆積
し、薄片が水平表面から放出されるけれども、より高い
水平なガス２４が集中リング１１の内側から外側へ流
れ、処理ガスの水平な流れがプラズマに向かうパーティ
クルの動きを抑え、阻止する。このことは、プラズマに
対するパーティクル汚染の可能性を減少させる。

【００２６】集中リング１１に関する前述の構成におい
て、その各薄板１１ａの厚みは本質的に均一でなくても
よい。例えば、薄板１１ａの内側の縁１１ａ−１におけ
る厚みは、図４に示されるように小さくすることもでき
る。薄板１１ａの内側における厚みの減少は、薄板１１
ａのより小さな垂直表面領域をもたらし、それによって
ガスの流れのパターンの方向の変化をもたらす。このこ
とは、プラズマに対するパーティクル汚染の減少を支援
する。すなわち、集中リング１１を形成する薄板１１ａ
の内側縁１１ａ−１を鋭くすることによって、水平方向
に沿うガスの流れのパターンがさらに改善される。この
ことは、プラズマヘ流れるパーティクルの減少をもたら
す。

【００２７】次に、図５と図６を用いて第２の実施形態
が説明され、これらの図では各々集中リング１１の外観
図と平面図が示されている。集中リング１１の構成を除
いて、すべての他のハードウェアの構成は、図１に示さ
れた第１実施形態と同じである。それ故、図５と図６で
は集中リング１１の構成のみが示される。

【００２８】集中リング１１は、本質的に、狭い垂直の
スペース２７を保って分離された複数の垂直板１１ｂか
らなっている。これらの垂直板１１ｂは、ドーナツ形状
の厚板(slab)を薄く切ることによって作られ、あるい
は、集中リング１１は当該垂直板１１ｂをネジを用いて
ドーナツ形状の板２６に固定することによって作られ
る。隣り合う２つの板１１ｂの間の間隔（スペース）２
７は、通常、均一に保持され、その結果、垂直板１１ｂ
の厚みは、図６に示されるように、外側の縁に向かって
増大する。しかしながら、均一な厚みを有した垂直板を
用いることも可能である。この場合に、隣り合う２つの
板の間の間隔は外側の縁に向かうに従って増大する。間
隔２７は通路として用いられ、この通路を通って処理ガ
スが集中リング１１から外側へ流れ出す。

【００２９】垂直板１１ｂと上部のドーナツ形状のリン
グ２６は金属で作ってもよいし、あるいは絶縁材料で作
ってもよい。仮に金属が用いられる場合には、集中リン
グは電気的に接地される。

【００３０】集中リング１１の内側において隣り合う２
つの板１１ｂの間の間隔は、通常、０．５〜３ｍｍの範
囲に含まれるように保持される。

【００３１】さらに、垂直板１１ｂの内側の縁は、先に
述べた同じ効果をもたらすように、第１の実施形態で説
明したように鋭くすることができる。加えて、プレート
１１ｂの表面を粗くすることは、第１実施形態で説明さ
れた同じ結果を生じる。

【００３２】さらに本発明の第３の実施形態が、図７
（ａ）と図７（ｂ）を用いて説明される。図７の（ａ）
と（ｂ）は、それぞれ、１つの薄板の外観図と、この実
施形態による組み立てられた集中リングの断面図を示し
ている。集中リングを除いて、ハードウェアの構成のす
べては図１に示されたものと同じであるので、図７では
集中リングのみが示されている。

【００３３】第３の実施形態による集中リング１１は、
ドーナツ形状を有する波形の薄板３１を組み合わせるこ
とによって、多数の孔３２を形成するように作られてい
る。薄板３１の波形は、正弦波形状、三角波形状、ある
いは四角波形状であってもよい。これらの薄板を組み合
わせる間、隣り合う２つの板の各々はその波の形状に関
し位相的に１８０度シフトされ、その結果、多数の孔３
２が作られる。孔３２の断面形状は、波の形状に依存し
ている。波形状の薄板３１は好ましくは金属で作られて
いる。しかしながら、薄板３１を絶縁物質、例えばセラ
ミックを用いて作ることもできる。仮に薄板３１が金属
で作られている場合、それらは電気的に接地されてい
る。集中リング１１を作るように用いられた薄板３１の
厚みは重要なことではなく、０．１ｍｍから４ｍｍの範
囲で変わり得る。孔３２の断面形状は同様にまた重要で
ない。仮に当該断面形状が四角である場合には、その寸
法は１ｍｍ×１ｍｍから４ｍｍ×４ｍｍで変わり得る。
仮に断面形状が他の形状であるならば、前述に相当する
寸法が採用される。しかしながら、これらの寸法は重要
なことではなく、プラズマ処理に用いられる圧力やｒｆ
電源に依存して変わり得るものであることに注意しても
らいたい。

【００３４】第３実施形態の集中リング１１は、同様に
また、ドーナツ形状の構造を作るように、波を持つ薄板
を垂直方向に組み合わせることによって作ることができ
る。パターンを組み合わせること、および波の形状を有
する薄板は、前述で説明されたものと同じである。

【００３５】第３の実施形態で解説された集中リング１
１を作るための他の方法は、ドーナツ形状をした厚板に
おいて半径方向に多数の孔を開けることである。孔の断
面の寸法は、前述したごとく変わり得る。このドーナツ
形状の厚板は金属で作ってもよいし、あるいは絶縁物質
で作ってもよい。もし金属が用いられるならば、集中リ
ング１１は電気的に接地される。

【００３６】図７に示された集中リング１１の寸法
（ｈ，ｗ，ｒ）は重要な事項ではなく、第１実施形態で
述べたように、変えることができる。薄板の表面の質
は、第１実施形態で述べたごとく、上記で述べられた同
じ効果を持つように変えることができる。

【００３７】

【発明の効果】本発明の集中リングを備えたプラズマ閉
込め装置は、より良いプラズマ閉込めを作り出すことが
でき、より高いガスコンダクタタンス性を持ち、プラズ
マ源のウェットクリーニングの時間間隔を増大し、そし
てプラズマに対するパーティクル汚染を減じることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この図は、第１実施形態によるプラズマ閉込め
装置を備えたプラズマ支援ウェハ処理装置の縦断面図で
ある。

【図２】この図は、第１実施形態のプラズマ集中リング
の外観図である。

【図３】この図は、ガスの流れのパターンと集中リング
の内側壁の近傍におけるパーティクルの流れの方向を示
すプラズマ集中リング板の部分的断面図である。

【図４】この図は、異なる内側縁形状を有するプラズマ
集中リング板の部分的断面図である。

【図５】この図は、第２実施形態の集中リングの外観図
である。

【図６】この図は、第２実施形態の集中リングの底面図
である。

【図７】この図は、第３実施形態の集中リングの断面図
である。

【図８】この図は、集中リングを有する従来のＣＣＰプ
ラズマ源の断面図である。

【図９】この図は、従来の集中リングの内側表面の近傍
におけるガスの流れのパターンとパーティクルの流れの
方向を示す。

【図面における符号の説明】

１１集中リング１１ａ水平な薄板１１ｂ垂直板１３反応容器１４上部電極１５下部電極１６ウェハステージ１７ウェハ２５狭い水平なスペース（間隔）２７狭い垂直なスペース（間隔）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/3065 21/302 ＢＦターム(参考） 4K029 BD01 DA06 DC28 DC35 4K030 EA05 FA03 FA04 KA15 KA17 5F004 AA13 BA04 BB13 BB18 BC08 BD04 BD05 DA01 DA16 DB03 EB01 5F045 AA08 BB14 DP03 EF02 EH05 EH06 EH14 5F103 AA08 BB25

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマ源でプラズマを閉込めるために
使用されるプラズマ集中リングを備えるプラズマ閉込め
装置であり、前記プラズマ集中リングは、内側から外側
へ横方向でプロセスガスが流れる複数の通路を有するプ
ラズマ閉込め装置。
【請求項２】前記プラズマ集中リングは複数のドーナ
ツ形状の水平板によって構成され、これらの水平板は、
任意の２つの隣り合う水平板の間に水平の狭い間隔を有
して水平に配置され、前記狭い間隔が前記通路を作る請
求項１に記載のプラズマ閉込め装置。
【請求項３】前記プラズマ集中リングは、複数の垂直
板によって構成され、これらの垂直板は任意の２つの隣
り合う垂直板の間に垂直な狭い間隔を有するドーナツ形
状のリングを作るように配置され、前記狭い間隔は前記
通路を作る請求項１記載のプラズマ閉込め装置。
【請求項４】前記板は内側に向かって減少する厚みを
有する請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマ閉
込め装置。
【請求項５】前記板は粗い表面を有する請求項１〜４
のいずれか１項に記載のプラズマ閉込め装置。
【請求項６】前記プラズマ集中リングは、複数の波形
のドーナツ形状の波形の薄板を組み合わせることによっ
て構成され、各々の隣り合う２つの薄板はその波形から
位相を１８０度ずらし、これにより多数の四角形、楕円
形、あるいは前記薄板の波形状の形に依存する任意の他
の形状を持つ孔を作り、それにより前記集中リングの内
側から外側へ延びる前記通路としての多数の孔が存在す
る請求項１記載のプラズマ閉込め装置。
【請求項７】前記プラズマ集中リングはドーナツ形状
の厚板に半径方向に前記通路としての多数の孔を形成す
ることによって構成される請求項１記載のプラズマ閉込
め装置。