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KR100343205B1 - 카본나노튜브를 이용한 삼극 전계 방출 어레이 및 그 제작방법 - Google Patents

카본나노튜브를 이용한 삼극 전계 방출 어레이 및 그 제작방법 Download PDF

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KR100343205B1
KR100343205B1 KR1020000022164A KR20000022164A KR100343205B1 KR 100343205 B1 KR100343205 B1 KR 100343205B1 KR 1020000022164 A KR1020000022164 A KR 1020000022164A KR 20000022164 A KR20000022164 A KR 20000022164A KR 100343205 B1 KR100343205 B1 KR 100343205B1
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KR
South Korea
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holes
carbon nanotubes
gates
anodes
stripe
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최원봉
윤민재
진용완
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김순택
삼성에스디아이 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 기존의 마이크로팁 대신에 전자 방출원으로 카본나노튜브를 이용한 삼극 전계 방출 어레이 및 그 제작 방법(Field emission array using carbon nanotube and Fabricating method thereof)을 기재한다. 본 발명에 따른 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이 및 그 제조 방법은, 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 음극들과 카본나노튜브들을 포함하는 배면 기판 구조체를 형성하고, 전면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 양극들 및 형광체들을 순차로 형성하고, 부도체 판에 홀들을 형성하고 이 홀들에 대응하는 개구부를 갖는 스트라이프 상의 게이트들을 형성하여 이 게이트들이 형성된 부도체판과 배면 기판 사이에 일정한 간격을 유지하도록 스페이서로서 지지하는 전면기판 구조체를 형성한 다음, 카본나노튜브들이 홀들 내에 들어가 게이트들과 카본나노튜브들이 일정한 간격을 갖도록 배면기판 구조체 및 전면 기판 구조체를 결합시키는 단계를 포함한다.

Description

카본나노튜브를 이용한 삼극 전계 방출 어레이 및 그 제작 방법{Field emission array using carbon nanotube and fabricating method thereof}
본 발명은 기존의 마이크로팁 대신에 전자 방출원으로 카본나노튜브를 이용한 삼극 전계 방출 어레이 및 그 제작 방법(Field emission array using carbon nanotube and Fabricating method thereof)에 관한 것이다.
최근 금속 마이크로팁 대신에 일함수가 작고, 내구성이 뛰어나며 열적 안정성이 우수한 카본 나노 튜브를 전자 방출원으로 채용한 전계 전계 방출 소자들이 많이 제안되고 있다.
그러나 제안된 3극 구조의 전계 방출 소자들은 그 제작 공정 특히 박막 공정에 있어서 어려움이 많았으며, 소자를 패키징하여 동작시 outgassing 이 발생하는 등 많았다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창안한 것으로, 게이트 전극들이 형성된 부도체 기판을 전면 기판과 일체형으로 제작하고, 카본나노튜브들이 어레이 형태로 증착된 음극들이 형성된 배면 기판을 상기 전면 기판 구조와 별도로제작하여 결합시키는 방법으로 박막 공정을 용이하게 하고 동작시 아웃 개싱이 발생하지 않는 카본나노튜브를 이용한 전계 방출 어레이 및 그 제작 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1 내지 도 3은 각각 본 발명에 따른 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이의 제1실시예, 제2실시예 및 제3실시예의 개략적 구조를 나타내는 수직 단면도들이고,
도 4는 본 발명에 따른 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이의 제작 방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면이며,
도 5 및 도 6은 도 4에서 부도체 판에 게이트 전극들을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면들이며,
도 8은 실제로 제작된 제1실시예의 전계 방출 어레이에서 인가된 게이트 전압 변화에 따른 휘도를 측정한 그래프를 나타내며,
도 9는 이 때 발광하는 전계 방출 어레이를 찍은 사진이며,
그리고 도 10은 게이트를 경사 증착한 제3실시예의 전계 방출 소자에서 인가된 게이트 전압 변화에 따라 흐르는 애노드 전류를 측정한 그래프이다.
<도면의 부호에 대한 간단한 설명>
10. 배면 기판 11. 음극
11'. 카본나노튜브 20. 전면 기판
21. 양극 22. 형광체
23. 부도체판 24. 게이트
25. 스페이서 100. 배면 기판 구조체
200. 전면 기판 구조체
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 카본나노튜브를 이용한 전계 방출 어레이는, 배면 기판; 상기 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 음극들; 및 상기 음극들 상에 일정한 간격을 두고 부착된 카본나노튜브들;을 포함한 배면 기판 구조체; 및 전면 기판; 상기 전면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 양극들; 및 상기 양극들 상에 도포된 형광체들; 상기 양극들에 대응하는 방향의 일정한 간격으로 홀들이 형성된 부도체판; 상기 부도체판 상에 상기 홀들에 대응하는 개구부를 갖도록 상기 양극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 형성된 게이트들; 및 상기 게이트들이 형성된 부도체판과 상기 배면 기판 사이에 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 스페이서를 포함한 전면기판 구조체;를 구비하며, 상기 카본나노튜브들은 상기 홀들 내로 들어가 상기 게이트들과 상기 카본나노튜브들이 일정한 간격을 갖도록 상기 배면기판 구조체 및 상기 전면 기판 구조체를 결합한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 다른 카본나노튜브를 이용한 전계 방출 어레이는, 배면 기판; 상기 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 음극들; 및 상기 음극들 상에 일정한 간격을 두고 부착된 카본나노튜브들;을 포함한 배면 기판 구조체; 및 전면 기판; 상기 전면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 양극들; 및 상기 양극들 상에 도포된 형광체들; 상기 양극들에 대응하는 방향의 일정한 간격으로 홀들이 형성된 부도체판들; 상기 카본나노튜브들과 원하는 만큼의 짧은 간격을 유지할 수 있도록 상기 부도체판들 사이에 형성되며 상기 홀들에 대응하는 개구부를 갖도록 상기 양극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 형성된 게이트들; 및 상기 게이트들이 형성된 부도체판들과 상기 배면 기판 사이에 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 스페이서를 포함한 전면기판 구조체;를 구비하며, 상기 카본나노튜브들은 상기 홀들 내로 들어가 상기 게이트들과 상기 카본나노튜브들이 일정한 간격을 갖도록 상기 배면기판 구조체 및 전면 기판 구조체를 결합한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 다른 카본나노튜브를 이용한 전계 방출 어레이는, 배면 기판; 상기 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 음극들; 및 상기 음극들 상에 일정한 간격을 두고 부착된 카본나노튜브들;을 포함한 배면 기판 구조체; 및 전면 기판; 상기 전면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 양극들; 및 상기 양극들 상에 도포된 형광체들; 상기 양극들에 대응하는 방향의 일정한 간격으로 홀들이 형성된 부도체판; 상기 홀들에 대응하는 개구부를 가지며 상기 부도체판 상면 및 상기 홀들의 측면 상부에 증착되고 패터닝되어 상기 양극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 형성된 게이트들; 및 상기 게이트들이 형성된 부도체판과 상기 배면 기판 사이에 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 스페이서를 포함한 전면기판 구조체;를 구비하며, 상기 카본나노튜브들은 상기 홀들 내로 들어가 상기 게이트들과 상기 카본나노튜브들이 일정한 간격을 갖도록 상기 배면기판 구조체 및 상기 전면 기판 구조체를 결합한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 카본나노튜브를 이용한 전계 방출 어레이의 제작 방법은, 배면 기판; 상기 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 음극들; 및 상기 음극들 상에 일정한 간격을 두고 부착된 카본나노튜브들;을 포함하는 배면 기판 구조체를 형성하는 단계; 전면 기판; 상기 전면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 양극들; 및 상기 양극들 상에 도포된 형광체들; 상기 양극들에 대응하는 방향의 일정한 간격으로 홀들이 형성된 부도체판; 상기 홀들에 대응하는 개구부를 가지며 상기 부도체판 상면에 상기 양극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 형성된 게이트들; 및 상기 게이트들이 형성된 부도체판과 상기 배면 기판 사이에 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 스페이서;를 포함하는 전면기판 구조체를 형성하는 단계; 및 상기 카본나노튜브들이 상기 홀들 내에 들어가 상기 게이트들과 카본나노튜브들이 일정한 간격을 갖도록 상기 배면기판 구조체 및 전면 기판 구조체를 결합시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 전면 기판 구조체를 형성하는 단계는, 상기 전면 기판 상에 금속을 도포하고 패터닝하여 스트라이프 상의 양극들을 형성하는 서브 단계; 상기 양극들 위에 형광체를 도포하는 서브단계; 상기 부도체판 상에 스트라이프 상의 게이트들을 형성하는 서브 단계; 및 상기 게이트들이 형성된 부도체판을 상기 양극 및 형광체가 형성된 전면 기판에 스페이서로서 일정한 간격을 유지하도록 형성하는 서브 단계;를 포함하되, 상기 부도체판 상에 스트라이프 상의 게이트들을 형성하는 서브 단계는, 상기 부도체 판에 일정한 간격으로 홀들을 형성하는서브 단계; 및 상기 홀들이 형성된 부도체판 상에 금속을 증착한 다음 패터닝하여 상기 홀들에 대응하는 개구부를 갖도록 스트라이프 상으로 게이트를 형성하는 서브 단계;를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 부도체판 상에 스트라이프 상의 게이트들을 형성하는 서브 단계는, 상기 하부 부도체 판에 일정한 간격으로 홀들을 형성하는 서브 단계; 상기 홀들이 형성된 부도체판 상에 금속을 증착한 다음 패터닝하여 상기 홀들에 대응하는 개구부를 갖도록 스트라이프 상으로 게이트를 형성하는 서브 단계; 및 상기 게이트 개구부에 대응하는 홀들을 갖도록 상기 게이트를 덮는 상부 부도체판을 형성하는 서브 단계;를 포함하거나, 혹은 상기 부도체 판에 일정한 간격으로 홀들을 형성하는 서브 단계; 및 스핀트법으로 상기 홀들이 형성된 부도체판의 상면과 상기 홀들의 상부 측면에 금속을 증착한 다음 패터닝하여 상기 홀들에 대응하는 개구부를 갖는 스트라이프 상의 게이트를 형성하는 서브 단계;를 포함하는 것도 바람직하다.
이하 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 카본나노튜브를 이용한 전계 방출 어레이 및 그 제작 방법을 상세하게 설명한다.
도 1 내지 도 3은 각각 본 발명에 따른 카본나노튜브를 이용한 전계 방출 어레이의 각 실시예를 나타내는 수직 단면도들이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 카본나노튜브를 이용한 전계 방출 어레이는, 배면 기판(10) 상에 스트라이프 상의 음극(11)들이 형성되고 이 음극(11)들 상에 카본나노튜브(11')들이 증착된 배면 기판 구조체(100) 및 전면 기판(20) 상에 스트라이프 상의 양극(21)들 및형광체(22)가 순차적으로 형성되고 이들에 스트라이프 상의 게이트(24)들이 형성된 부도체판(23)이 스페이서(25)에 의해 지지되어 일체형으로 형성된 전면기판 구조체(200)을 결합한 구조를 갖는다.
도 1은 부도체판(23) 상에 스트라이프상의 게이트(24)들이 형성된 제1실시예이고, 도 2는 제1실시예에서 보다 얇은 부도체판(23) 상에 스트라이프상의 게이트(24)들이 형성된 다음 그 위에 다시 부도체판(23')이 형성된 제2실시예이며, 도 3은 제1실시예와 같은 부도체판(23)에 스트라이프상의 게이트(24)들이 형성된 것으로 제1실시예와 유사하나 부도체판(23)의 상부측면에도 게이트(24a)들이 형성된 제3실시예이다. 제2실시예와 제3실시예는 부도체판(23)의 두께가 두꺼울 경우 카본나노튜브(11')와 게이트(24) 간의 간격을 더욱 좁힐 수 있도록 한 구조이다.
여기서, 카본나노튜브(11')는 일함수가 낮고, 내구성이 크며, 열적 안정성이 높아 전자 방출원으로서의 역할을 원활하게 수행한다. 또한, 게이트(24)들은 감광성 글래스, 세라믹 기판 등으로 형성된 부도체 기판(23) 위에 금속을 도포하여 패터닝함으로써 형성된다. 따라서, 배면 기판 구조체(100)와 전면 기판 구조체(200)를 결합할 때, 카본나노튜브(11')와 게이트(24) 간의 간격이 적절하게 유지되도록 하여 삼극관 구조가 형성된다. 이와 같이 함으로써, 카본나노튜브(11')와 게이트(24) 간에 별도의 스페이서를 사용하지 않아도 되며, 게이트 분리형으로 박막 공정 단순화 및 박막 공정 중 열처리에 의한 카본나노튜브의 손상을 방지할 수 있는 장점이 있다.
이와 같은 구조의 카본나노튜브를 이용한 전자 방출 어레이의 제작 방법은,도 4에 도시된 바와 같이, 배면 기판 구조체(100)와 전면 기판 구조체(200)를 별도로 제작하여 결합하는 방법으로 진행된다.
먼저, 배면 기판 구조체(100)를 형성함에 있어서는 배면 기판(10) 상에 박막 공정으로 금속을 도포하고 패터닝하여 스트라이프 상의 음극(11)들을 형성한 다음, 이 음극(11)들 상에 일정한 간격으로 카본나노튜브(11')를 도포한다.
다음에, 전면 기판 구조체(200)를 형성한다. 전면 기판 구조체(200)는 전면 기판(20) 상에 금속을 도포하고 패터닝하여 스트라이프 상의 양극(21)들을 형성하고, 이 양극(24)들 위에 형광체(22)를 도포한 구조에, 게이트(24)들이 형성된 부도체판(23)을 스페이서(25)로서 일정한 간격을 유지하도록 형성한다. 여기서, 부도체판(23)에는, 도 5에 도시된 바와 같이, 일정한 간격으로 홀(23')들을 형성한 다음, 그 위에 도 6에 도시된 바와 같이 스트라이프 상의 게이트(24)들을 형성한다. 이 게이트(24)들은 부도체판(24) 상에 금속을 증착한 다음 패터닝하여 형성하며, 이 때 부도체판(24)의 홀(24a)들에 대응하는 개구부(24')를 갖도록 한다.
이 방법은 제1실시예를 제작하는 방법을 기준으로 설명하였으며, 여기서 배면 기판 구조체(100)와 전면 기판 구조체(200)의 제작 순서는 어느 쪽을 먼저 제작하여도 무방하다.
제2실시예를 제작하는 방법은, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1실시예를 제작하는 방법에서 부도체판(23)의 구조를 형성하는 방법이 다를 뿐이다. 즉, 제1실시예에서 사용되는 부도체판 보다 얇은 부도체판(23) 상에 스트라이프 상의 게이트(24)를 형성하고 그 위에 재차 부도체판(23')를 형성한다는 점에서 다르다.
제3실시예를 제작하는 방법은, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1실시예를 제작하는 방법에서 부도체판(23)에 형성되는 게이트(24) 구조를 형성하는 방법이 다를 뿐이다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이 홀들이 형성된 부도체판(23)(제1실시예에서 사용되는 것과 같은 부도체판(23)) 상에 스트라이프 상의 게이트(24)를 형성함에 있어서, 도 7에 도시된 바와 같은 스핀트법으로 게이트용 금속을 증착함으로써 홀(23')들의 상부 측면에도 게이트용 금속이 증착되도록 한 다음 스트라이프 상으로 패터닝함으로써 도 3에 도시된 바와 같이 측면부(24a)를 갖는 게이트(24)를 형성한다는 점에서 다르다. 이러한 게이트의 측면부(24a)는 게이트와 카본나노튜브 간의 간격을 줄여준다.
도 8은 실제로 제작된 제1실시예의 전계 방출 어레이에서 인가된 게이트 전압 변화에 따른 휘도를 측정한 그래프를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 애노드 전압 및 게이트 전압이 증가함에 따라 휘도가 점차로 증가하게 되며, 최고 2000cd/m2(게이트 200V - 애노드 900V)의 밝기를 나타냄을 알 수 있다. 도 9는 이 때 발광하는 전계 방출 어레이를 찍은 사진이다.
그리고 도 10은 게이트를 경사 증착한 제3실시예의 전계 방출 소자에서 인가된 게이트 전압 변화에 따라 흐르는 애노드 전류를 측정한 그래프이다. 도시된 바와 같이, 게이트 전압이 증가함에 따라 애노드 전류가 증가하며, 게이트 전압 50V~200V 범위 내에서 애노드 전류가 조절될 수 있음을 보여준다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출어레이 및 그 제조 방법은, 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 음극들과 카본나노튜브들을 포함하는 배면 기판 구조체를 형성하고, 전면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 양극들 및 형광체들을 순차로 형성하고, 부도체 판에 홀들을 형성하고 이 홀들에 대응하는 개구부를 갖는 스트라이프 상의 게이트들을 형성하여 이 게이트들이 형성된 부도체판과 배면 기판 사이에 일정한 간격을 유지하도록 스페이서로서 지지하는 전면기판 구조체를 형성한 다음, 카본나노튜브들이 홀들 내에 들어가 게이트들과 카본나노튜브들이 일정한 간격을 갖도록 배면기판 구조체 및 전면 기판 구조체를 결합시키는 단계를 포함한다. 이와 같이 함으로써, 카본나노튜브를 도포하는 박막 공정을 용이하게 하고 어레이 동작시 아웃 개싱이 발생하지 않게 되는 장점이 있다.

Claims (9)

  1. 배면 기판; 상기 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 음극들; 및 상기 음극들 상에 일정한 간격을 두고 부착된 카본나노튜브들;을 포함한 배면 기판 구조체; 및
    전면 기판; 상기 전면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 양극들; 및 상기 양극들 상에 도포된 형광체들; 상기 양극들에 대응하는 방향의 일정한 간격으로 홀들이 형성된 부도체판; 상기 부도체판 상에 상기 홀들에 대응하는 개구부를 갖도록 상기 양극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 형성된 게이트들; 및 상기 게이트들이 형성된 부도체판과 상기 배면 기판 사이에 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 스페이서를 포함한 전면기판 구조체;를 구비하며,
    상기 카본나노튜브들은 상기 홀들 내로 들어가 상기 게이트들과 상기 카본나노튜브들이 일정한 간격을 갖도록 상기 배면기판 구조체 및 상기 전면 기판 구조체를 결합한 것을 특징으로 하는 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이.
  2. 배면 기판; 상기 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 음극들; 및 상기 음극들 상에 일정한 간격을 두고 부착된 카본나노튜브들;을 포함한 배면 기판 구조체; 및
    전면 기판; 상기 전면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 양극들; 및 상기 양극들 상에 도포된 형광체들; 상기 양극들에 대응하는 방향의 일정한 간격으로 홀들이 형성된 부도체판들; 상기 카본나노튜브들과 원하는 만큼의 짧은 간격을 유지할 수 있도록 상기 부도체판들 사이에 형성되며 상기 홀들에 대응하는 개구부를 갖도록 상기 양극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 형성된 게이트들; 및 상기 게이트들이 형성된 부도체판들과 상기 배면 기판 사이에 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 스페이서를 포함한 전면기판 구조체;를 구비하며,
    상기 카본나노튜브들은 상기 홀들 내로 들어가 상기 게이트들과 상기 카본나노튜브들이 일정한 간격을 갖도록 상기 배면기판 구조체 및 상기 전면 기판 구조체를 결합한 것을 특징으로 하는 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이.
  3. 배면 기판; 상기 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 음극들; 및 상기 음극들 상에 일정한 간격을 두고 부착된 카본나노튜브들;을 포함한 배면 기판 구조체; 및
    전면 기판; 상기 전면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 양극들; 및 상기 양극들 상에 도포된 형광체들; 상기 양극들에 대응하는 방향의 일정한 간격으로 홀들이 형성된 부도체판; 상기 홀들에 대응하는 개구부를 가지며 상기 부도체판 상면 및 상기 홀들의 측면 상부에 증착되고 패터닝되어 상기 양극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 형성된 게이트들; 및 상기 게이트들이 형성된 부도체판과 상기 배면 기판 사이에 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 스페이서를 포함한 전면기판 구조체;를 구비하며,
    상기 카본나노튜브들은 상기 홀들 내로 들어가 상기 게이트들과 상기 카본나노튜브들이 일정한 간격을 갖도록 상기 배면기판 구조체 및 상기 전면 기판 구조체를 결합한 것을 특징으로 하는 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이.
  4. 배면 기판; 상기 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 음극들; 및 상기 음극들 상에 일정한 간격을 두고 부착된 카본나노튜브들;을 포함하는 배면 기판 구조체를 형성하는 단계;
    전면 기판; 상기 전면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 양극들; 및 상기 양극들 상에 도포된 형광체들; 상기 양극들에 대응하는 방향의 일정한 간격으로 홀들이 형성된 부도체판; 상기 홀들에 대응하는 개구부를 가지며 상기 부도체판 상면에 상기 양극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 형성된 게이트들; 및 상기게이트들이 형성된 부도체판과 상기 배면 기판 사이에 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 스페이서;를 포함하는 전면기판 구조체를 형성하는 단계; 및
    상기 카본나노튜브들이 상기 홀들 내에 들어가 상기 게이트들과 카본나노튜브들이 일정한 간격을 갖도록 상기 배면기판 구조체 및 전면 기판 구조체를 결합시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이의 제작 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 배면 기판 구조체를 형성하는 단계는,
    상기 배면 기판 상에 박막 공정으로 금속을 도포하고 패터닝하여 스트라이프 상의 음극들을 형성하는 서브 단계; 및
    상기 음극들 상에 일정한 간격으로 카본나노튜브를 도포하는 서브 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이의 제작 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 전면 기판 구조체를 형성하는 단계는,
    상기 전면 기판 상에 금속을 도포하고 패터닝하여 스트라이프 상의 양극들을 형성하는 서브 단계;
    상기 양극들 위에 형광체를 도포하는 서브단계;
    상기 부도체판 상에 스트라이프 상의 게이트들을 형성하는 서브 단계; 및
    상기 게이트들이 형성된 부도체판을 상기 양극 및 형광체가 형성된 전면 기판에 스페이서로서 일정한 간격을 유지하도록 형성하는 서브 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이의 제작 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 부도체판 상에 스트라이프 상의 게이트들을 형성하는 서브 단계는,
    상기 부도체 판에 일정한 간격으로 홀들을 형성하는 서브 단계; 및
    상기 홀들이 형성된 부도체판 상에 금속을 증착한 다음 패터닝하여 상기 홀들에 대응하는 개구부를 갖도록 스트라이프 상으로 게이트를 형성하는 서브 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이의 제작 방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 부도체판 상에 스트라이프 상의 게이트들을 형성하는 서브 단계는,
    상기 하부 부도체 판에 일정한 간격으로 홀들을 형성하는 서브 단계;
    상기 홀들이 형성된 부도체판 상에 금속을 증착한 다음 패터닝하여 상기 홀들에 대응하는 개구부를 갖도록 스트라이프 상으로 게이트를 형성하는 서브 단계;및
    상기 게이트 개구부에 대응하는 홀들을 갖도록 상기 게이트를 덮는 상부 부도체판을 형성하는 서브 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이의 제작 방법.
  9. 제4항에 있어서, 상기 부도체판 상에 스트라이프 상의 게이트들을 형성하는 서브 단계는,
    상기 부도체 판에 일정한 간격으로 홀들을 형성하는 서브 단계; 및
    스핀트법으로 상기 홀들이 형성된 부도체판의 상면과 상기 홀들의 상부 측면에 금속을 증착한 다음 패터닝하여 상기 홀들에 대응하는 개구부를 갖는 스트라이프 상의 게이트를 형성하는 서브 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이의 제작 방법.
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