JP3054205B2 - 電子放出素子集積基板 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
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- H01J1/304—Field-emissive cathodes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子放出素子集積基板
に関し、特に画像表示面が平坦な表示デバイスに適用し
て効果的な電子放出素子集積基板に関する。
に関し、特に画像表示面が平坦な表示デバイスに適用し
て効果的な電子放出素子集積基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、平坦な画像表示面を有する表示デ
バイス（フラットＣＲＴ）を構成するのに好適な素子と
して、冷陰極型の電子放出素子が知られている。
バイス（フラットＣＲＴ）を構成するのに好適な素子と
して、冷陰極型の電子放出素子が知られている。
【０００３】この種の電子放出素子としては、例えば特
開平１−３１１５３４号公報に記載されたものがあり、
この電子放出素子では、一対の電極とこれら電極間に形
成された高抵抗の電子放出部とを有する表面伝導型電子
放出素子において、その電子放出部の電子放出範囲の不
必要な広がりを抑えるため、所定の微粒子からなる電子
放出部が電極間の局所部分にのみ設けられている。
開平１−３１１５３４号公報に記載されたものがあり、
この電子放出素子では、一対の電極とこれら電極間に形
成された高抵抗の電子放出部とを有する表面伝導型電子
放出素子において、その電子放出部の電子放出範囲の不
必要な広がりを抑えるため、所定の微粒子からなる電子
放出部が電極間の局所部分にのみ設けられている。
【０００４】ところで、このような電子放出素子を用い
たフラットＣＲＴは、まだ市場に広く受け入れられてい
ないが、市場に受け入れられるためには、その表示性能
の向上が要求されるとともに、それ以上にコストの低減
が要求される。したがって、特にフラットＣＲＴの１画
素を多数のカソード（陰極）で構成する（高密度化す
る）ことにより個々の電子放出素子の放出電流を各画素
中で平均化し、フラットＣＲＴ全体の輝度の均一化を図
ることが必要であり、さらに、この電子放出素子を作成
する際の歩留りを向上させて電子放出素子集積基板のコ
ストを低減させる必要がある。
たフラットＣＲＴは、まだ市場に広く受け入れられてい
ないが、市場に受け入れられるためには、その表示性能
の向上が要求されるとともに、それ以上にコストの低減
が要求される。したがって、特にフラットＣＲＴの１画
素を多数のカソード（陰極）で構成する（高密度化す
る）ことにより個々の電子放出素子の放出電流を各画素
中で平均化し、フラットＣＲＴ全体の輝度の均一化を図
ることが必要であり、さらに、この電子放出素子を作成
する際の歩留りを向上させて電子放出素子集積基板のコ
ストを低減させる必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の電子放出素子にあっては、電子放出部を形
成する工程が、その電子放出部に対応する部分以外にレ
ジストを塗布してマスクを形成した後、基板全体にパラ
ジウム化合物を含む有機溶剤をスピンコートし、その後
所定条件で焼成を行ってパラジウム微粒子からなる島
（アイランド）構造を有する不連続状態膜を形成し、最
後にレジストを除去するという大変複雑な工程であった
ため、コストの高いものになっていた。また、電極間の
局所部分に電子放出部を形成（フォーミング）するとは
いっても、基板面上に２次元的なフォーミングを行うも
のであるから、配線の関係もあって、電子放出部をより
高密度に集積するには限界があった。このため、電子放
出素子を用いた高画質で低コストな表示デバイスを提供
することができなかった。
ような従来の電子放出素子にあっては、電子放出部を形
成する工程が、その電子放出部に対応する部分以外にレ
ジストを塗布してマスクを形成した後、基板全体にパラ
ジウム化合物を含む有機溶剤をスピンコートし、その後
所定条件で焼成を行ってパラジウム微粒子からなる島
（アイランド）構造を有する不連続状態膜を形成し、最
後にレジストを除去するという大変複雑な工程であった
ため、コストの高いものになっていた。また、電極間の
局所部分に電子放出部を形成（フォーミング）するとは
いっても、基板面上に２次元的なフォーミングを行うも
のであるから、配線の関係もあって、電子放出部をより
高密度に集積するには限界があった。このため、電子放
出素子を用いた高画質で低コストな表示デバイスを提供
することができなかった。
【０００６】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであり、微細な複数の孔を有する基板に電
子放出素子を高密度に集積するとともにその電子放出向
率を向上させ、高画質で低コストの表示デバイスを提供
することを目的とする。
なされたものであり、微細な複数の孔を有する基板に電
子放出素子を高密度に集積するとともにその電子放出向
率を向上させ、高画質で低コストの表示デバイスを提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、請
求項１記載の発明は、板厚方向に延在する複数の微細孔
を有する基板を備え、該基板の微細孔の孔壁上に電子放
出電極及び電子引出し電極を有する電子放出素子を形成
し、少なくとも前記電子放出電極及び前記電子引出し電
極の一方が前記基板の微細孔の孔壁上に膜状に形成され
たことを特徴とするものであり、
求項１記載の発明は、板厚方向に延在する複数の微細孔
を有する基板を備え、該基板の微細孔の孔壁上に電子放
出電極及び電子引出し電極を有する電子放出素子を形成
し、少なくとも前記電子放出電極及び前記電子引出し電
極の一方が前記基板の微細孔の孔壁上に膜状に形成され
たことを特徴とするものであり、
【０００８】請求項２記載の発明は、前記基板が、陽極
酸化処理によって複数の微細孔が形成された膜体からな
ることを特徴とするものである。
酸化処理によって複数の微細孔が形成された膜体からな
ることを特徴とするものである。
【０００９】また、請求項３記載の発明は、前記電子放
出素子が、メタル・インシュレータ・メタル型のもので
あることを特徴とするものであり、
出素子が、メタル・インシュレータ・メタル型のもので
あることを特徴とするものであり、
【００１０】請求項４記載の発明は、前記電子放出素子
が、平面的な電子放出電極と引出し電極とを有すること
を特徴とするものであり、
が、平面的な電子放出電極と引出し電極とを有すること
を特徴とするものであり、
【００１１】請求項５記載の発明は、前記電子放出素子
が、表面伝導型のものであることを特徴とするものであ
り、
が、表面伝導型のものであることを特徴とするものであ
り、
【００１２】請求項６記載の発明は、前記基板の微細孔
の孔壁に、電子放出電極がパターン状に形成されたこと
を特徴とするものである。
の孔壁に、電子放出電極がパターン状に形成されたこと
を特徴とするものである。
【００１３】
【作用】請求項１記載の発明では、基板の微細孔の孔壁
上に電子放出素子が形成されるから、基板面のほとんど
を配線に使用することができ、高集積化が可能になる。
上に電子放出素子が形成されるから、基板面のほとんど
を配線に使用することができ、高集積化が可能になる。
【００１４】請求項２記載の発明では、前記基板が陽極
酸化膜で構成されるから、その微細孔の孔径およびピッ
チが非常に小さくなって高集積化が可能になるととも
に、基板の製造コストも安価になる。
酸化膜で構成されるから、その微細孔の孔径およびピッ
チが非常に小さくなって高集積化が可能になるととも
に、基板の製造コストも安価になる。
【００１５】請求項３記載の発明では、微細孔の孔壁に
沿って形成される前記電子放出素子がメタル・インシュ
レータ・メタル型のものであるから、その電子放出素子
の作成にフォトプロセスを必要としない。
沿って形成される前記電子放出素子がメタル・インシュ
レータ・メタル型のものであるから、その電子放出素子
の作成にフォトプロセスを必要としない。
【００１６】請求項４記載の発明では、前記電子放出素
子が平面的な電子放出電極と引出し電極とを有するか
ら、その構成がきわめて簡単なものになるとともに、製
造コストも安価になる。
子が平面的な電子放出電極と引出し電極とを有するか
ら、その構成がきわめて簡単なものになるとともに、製
造コストも安価になる。
【００１７】請求項５記載の発明では、微細孔の孔壁に
沿って形成される電子放出素子の前記電子放出素子が表
面伝導型のものであるから、微細孔の孔壁にその電子放
出素子を容易に形成することができる。
沿って形成される電子放出素子の前記電子放出素子が表
面伝導型のものであるから、微細孔の孔壁にその電子放
出素子を容易に形成することができる。
【００１８】請求項６記載の発明では、前記基板の微細
孔の孔壁に沿って電子放出電極がパターン状に形成され
るから、その電極の構成がきわめて簡単なものになると
ともに、製造コストも安価になる。
孔の孔壁に沿って電子放出電極がパターン状に形成され
るから、その電極の構成がきわめて簡単なものになると
ともに、製造コストも安価になる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【００２０】図１〜図６は請求項１〜３に係る本発明の
第１実施例を示す図である。
第１実施例を示す図である。
【００２１】第１実施例の電子放出素子集積基板は、図
１〜図３に示すように、絶縁材、例えば酸化アルミニウ
ム（Ａｌ２Ｏ３）からなる陽極酸化膜としての基板11
と、この基板11の上下面に設けられた配線層12、13とを
有している。配線層12は、例えば金（Ａｕ）から形成さ
れ、互いに平行に離間する複数の引出し電極共通ライン
15によって構成されている。配線層13は、例えばアルミ
ニウム（Ａｌ）から形成され、配線12と直交し互いに平
行に離間する複数の電子放出電極共通ライン16によって
構成されている。また、図３に示すように、配線層12、
13の各共通ライン15、16が互いに一定幅を持って直交す
ることにより、両共通ライン15、16は所定の面積で基板
11を挟んで重合しており、共通ライン15、16の重合する
部分及びその間の基板11には、その基板11の板厚方向に
延在するよう複数の微細孔17が形成されている。そし
て、複数の微細孔17のそれぞれの孔壁の一部又は全部
に、電子を放出する電子放出素子（後述する）が形成さ
れている。
１〜図３に示すように、絶縁材、例えば酸化アルミニウ
ム（Ａｌ２Ｏ３）からなる陽極酸化膜としての基板11
と、この基板11の上下面に設けられた配線層12、13とを
有している。配線層12は、例えば金（Ａｕ）から形成さ
れ、互いに平行に離間する複数の引出し電極共通ライン
15によって構成されている。配線層13は、例えばアルミ
ニウム（Ａｌ）から形成され、配線12と直交し互いに平
行に離間する複数の電子放出電極共通ライン16によって
構成されている。また、図３に示すように、配線層12、
13の各共通ライン15、16が互いに一定幅を持って直交す
ることにより、両共通ライン15、16は所定の面積で基板
11を挟んで重合しており、共通ライン15、16の重合する
部分及びその間の基板11には、その基板11の板厚方向に
延在するよう複数の微細孔17が形成されている。そし
て、複数の微細孔17のそれぞれの孔壁の一部又は全部
に、電子を放出する電子放出素子（後述する）が形成さ
れている。
【００２２】図４、図５に示すように、微細孔17に設け
られた個々の電子放出素子20は、基板11の貫通孔11ａに
沿って電子放出電極共通ライン16から引出し電極共通ラ
イン15側に向かって突出した例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）よりなる電子放出電極21と、電子放出電極21を覆う
ように基板11の図中下面側に形成された例えばアルミナ
（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層22と、基板11の貫通孔11
ａに沿って引出し電極共通ライン15から電子放出電極共
通ライン16側に突出した例えば金（Ａｕ）よりなる電子
引出し電極23とを有しており、電子放出電極21と電子引
出し電極23との間に薄い（例えば厚さ１０ｎｍ以下の）
絶縁層22を介在させた電子放出部25が、電気的に高抵抗
な状態となり、電子を放出するようになっている。な
お、各図中において、基板11、電極21、23及び絶縁層22
等の境界部分やコーナー部分がシャープに図示されてい
るが、実際はそれぞれがなだらかに変化するものとな
る。また、各電極21、23および絶縁層22は、微細孔17の
孔壁の周方向の一部に形成されてもよい。
られた個々の電子放出素子20は、基板11の貫通孔11ａに
沿って電子放出電極共通ライン16から引出し電極共通ラ
イン15側に向かって突出した例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）よりなる電子放出電極21と、電子放出電極21を覆う
ように基板11の図中下面側に形成された例えばアルミナ
（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層22と、基板11の貫通孔11
ａに沿って引出し電極共通ライン15から電子放出電極共
通ライン16側に突出した例えば金（Ａｕ）よりなる電子
引出し電極23とを有しており、電子放出電極21と電子引
出し電極23との間に薄い（例えば厚さ１０ｎｍ以下の）
絶縁層22を介在させた電子放出部25が、電気的に高抵抗
な状態となり、電子を放出するようになっている。な
お、各図中において、基板11、電極21、23及び絶縁層22
等の境界部分やコーナー部分がシャープに図示されてい
るが、実際はそれぞれがなだらかに変化するものとな
る。また、各電極21、23および絶縁層22は、微細孔17の
孔壁の周方向の一部に形成されてもよい。
【００２３】次に、その製造方法を説明する。
【００２４】まず、基板11を作成する場合、詳細は図示
しないが、アルミニウム板を陽極とする酸性溶液中の電
気分解でそのアルミニウム板を陽極酸化し、所定膜厚
（膜厚は１〜３００μｍの範囲で制御可能）の陽極酸化
膜を形成する。この陽極酸化処理の一例としては、例え
ば０．４Ｍ（モル）のりん酸溶液を使用し、温度２０℃
で１６０Ｖの印加電圧を加える処理があげられ、他の例
として、例えば１０％の硫酸溶液を使用し、温度２０℃
で２０Ｖの印加電圧を加える処理があげられる。
しないが、アルミニウム板を陽極とする酸性溶液中の電
気分解でそのアルミニウム板を陽極酸化し、所定膜厚
（膜厚は１〜３００μｍの範囲で制御可能）の陽極酸化
膜を形成する。この陽極酸化処理の一例としては、例え
ば０．４Ｍ（モル）のりん酸溶液を使用し、温度２０℃
で１６０Ｖの印加電圧を加える処理があげられ、他の例
として、例えば１０％の硫酸溶液を使用し、温度２０℃
で２０Ｖの印加電圧を加える処理があげられる。
【００２５】次いで、電流回復法により所謂バリヤー層
を薄くした後、前記電気分解の極性を反転して電圧を徐
々に上げると、このとき発生する水素ガスの圧力により
陽極酸化膜がアルミニウム板の下層部（素地）から浮き
上がり、陽極酸化膜をその下層部から分離することが可
能になる。そして、この分離によって各微細孔がその底
部の脱落した孔11ａとなり、複数の微細孔11ａを有する
膜体としての基板11が得られる。次いで、上述のよう
に、基板11をりん酸に浸して微細孔11ａの孔径を０．３
μｍ程度に広げる。
を薄くした後、前記電気分解の極性を反転して電圧を徐
々に上げると、このとき発生する水素ガスの圧力により
陽極酸化膜がアルミニウム板の下層部（素地）から浮き
上がり、陽極酸化膜をその下層部から分離することが可
能になる。そして、この分離によって各微細孔がその底
部の脱落した孔11ａとなり、複数の微細孔11ａを有する
膜体としての基板11が得られる。次いで、上述のよう
に、基板11をりん酸に浸して微細孔11ａの孔径を０．３
μｍ程度に広げる。
【００２６】次いで、この基板11を図６に示すように角
度θだけ傾けた状態で回転させ、基板11の一面側にアル
ミニウム膜である引出し電極共通ライン15を成膜すると
ともに、微細孔11ａの孔壁の全周に、膜厚０．０５μｍ
程度のアルミニウムの膜を蒸着によって形成し、電子放
出電極21を形成する。次いで、基板11をホウ酸中に浸し
て１０Ｖ以下で陽極酸化を行い、絶縁層22を形成する。
次いで、基板11を図６に示すように傾けた状態で回転さ
せ（上述のアルミニ膜形成時とは上下面を逆にする）、
基板11の他面側において微細孔11ａの孔壁全周に、膜厚
８〜３０ｎｍ程度のＡｕの膜を蒸着によって形成し、電
子引出し電極23を形成する。なお、前記それぞれの蒸着
工程において、所定角度θだけ傾けた基板11を回転させ
ないようにすれば、微細孔17の孔壁の周方向の一部に電
子放出電極21又は電子引出し電極23を形成することがで
きる。また、任意の絶縁材からなる絶縁基板に通常のフ
ォトプロセスを行って微細孔17を穿孔し、上述の態様と
は異なる基板11を作成することもできる。
度θだけ傾けた状態で回転させ、基板11の一面側にアル
ミニウム膜である引出し電極共通ライン15を成膜すると
ともに、微細孔11ａの孔壁の全周に、膜厚０．０５μｍ
程度のアルミニウムの膜を蒸着によって形成し、電子放
出電極21を形成する。次いで、基板11をホウ酸中に浸し
て１０Ｖ以下で陽極酸化を行い、絶縁層22を形成する。
次いで、基板11を図６に示すように傾けた状態で回転さ
せ（上述のアルミニ膜形成時とは上下面を逆にする）、
基板11の他面側において微細孔11ａの孔壁全周に、膜厚
８〜３０ｎｍ程度のＡｕの膜を蒸着によって形成し、電
子引出し電極23を形成する。なお、前記それぞれの蒸着
工程において、所定角度θだけ傾けた基板11を回転させ
ないようにすれば、微細孔17の孔壁の周方向の一部に電
子放出電極21又は電子引出し電極23を形成することがで
きる。また、任意の絶縁材からなる絶縁基板に通常のフ
ォトプロセスを行って微細孔17を穿孔し、上述の態様と
は異なる基板11を作成することもできる。
【００２７】このように本実施例においては、基板11に
形成された複数の微細孔17の孔壁に沿って電子放出素子
20が形成されるから、基板面のほとんどを配線に使用す
ることができ、高集積化が可能になる。また、基板11が
陽極酸化膜で構成されるから、その微細孔17の孔径およ
びピッチが非常に小さくなって高集積化が可能になると
ともに、その製造コストも安価になる。さらに、本実施
例では、電子放出素子20の構造が、アルミニウム、酸化
アルミニウムおよび金からなるＭＩＭ型（メタル・イン
シュレータ・メタル型）のものであるから、従来のよう
な電子放出部を作成するためのフォトプロセス（例え
ば、電子放出部以外にレジストを塗布してマスクキング
するようなフォトプロセス）を必要とせず、製造コスト
を低減させることができる。
形成された複数の微細孔17の孔壁に沿って電子放出素子
20が形成されるから、基板面のほとんどを配線に使用す
ることができ、高集積化が可能になる。また、基板11が
陽極酸化膜で構成されるから、その微細孔17の孔径およ
びピッチが非常に小さくなって高集積化が可能になると
ともに、その製造コストも安価になる。さらに、本実施
例では、電子放出素子20の構造が、アルミニウム、酸化
アルミニウムおよび金からなるＭＩＭ型（メタル・イン
シュレータ・メタル型）のものであるから、従来のよう
な電子放出部を作成するためのフォトプロセス（例え
ば、電子放出部以外にレジストを塗布してマスクキング
するようなフォトプロセス）を必要とせず、製造コスト
を低減させることができる。
【００２８】図７〜図17は請求項１、２、４に係る本発
明の第２実施例を示す図である。
明の第２実施例を示す図である。
【００２９】なお、上述例の部材と同一構成又はそれに
相当する構成の部材については同一符号を付してその構
成の具体的説明を省略する。
相当する構成の部材については同一符号を付してその構
成の具体的説明を省略する。
【００３０】第２実施例の電子放出素子集積基板は、図
７、図８に示すように、基板11とその両面側に設けられ
た２つの配線層32、33（全体を図示しないが、配線層1
2、13と同様な形状のもの）を有している。前記２つの
うち一方の配線層32は、例えば金（Ａｕ）又はアルミニ
ウム（Ａｌ）から形成され、互いに平行に離間する複数
の引出し電極共通ライン35によって構成されている。ま
た、前記２つのうち他方の配線層33は、例えばタングス
テンから形成され、引出し電極共通ライン35と直交し互
いに平行に離間する複数の電子放出電極共通ライン36に
よって構成されている。さらに、両配線層の電極共通ラ
イン35、36が互いに一定幅を持って直交することによ
り、両電極共通ライン35、36は所定の面積で基板11を挟
んで重合しており、共通ライン35、36の重合する部分及
びその間の基板11には、その基板11の板厚方向に延在す
るよう複数の微細孔37が形成されている。そして、複数
の微細孔37のそれぞれの孔壁の一部に、平面的に形成さ
れ電子を放出する電子放出素子（後述する）が形成され
ている。
７、図８に示すように、基板11とその両面側に設けられ
た２つの配線層32、33（全体を図示しないが、配線層1
2、13と同様な形状のもの）を有している。前記２つの
うち一方の配線層32は、例えば金（Ａｕ）又はアルミニ
ウム（Ａｌ）から形成され、互いに平行に離間する複数
の引出し電極共通ライン35によって構成されている。ま
た、前記２つのうち他方の配線層33は、例えばタングス
テンから形成され、引出し電極共通ライン35と直交し互
いに平行に離間する複数の電子放出電極共通ライン36に
よって構成されている。さらに、両配線層の電極共通ラ
イン35、36が互いに一定幅を持って直交することによ
り、両電極共通ライン35、36は所定の面積で基板11を挟
んで重合しており、共通ライン35、36の重合する部分及
びその間の基板11には、その基板11の板厚方向に延在す
るよう複数の微細孔37が形成されている。そして、複数
の微細孔37のそれぞれの孔壁の一部に、平面的に形成さ
れ電子を放出する電子放出素子（後述する）が形成され
ている。
【００３１】図９、図10に示すように、微細孔37の孔壁
に沿って設けられた個々の電子放出素子40は、基板11の
貫通孔11ａに沿って電子放出電極共通ライン36から引出
し電極共通ライン35側に向かって突出した突出部41ａを
有する例えばタングステンよりなる電子放出電極41と、
基板11の貫通孔11ａに沿って引出し電極共通ライン35か
ら電子放出電極共通ライン36側に突出して部分的に電子
放出口43ａを形成する例えば金（Ａｕ）又はアルミニウ
ム（Ａｌ）よりなる電子引出し電極43と、電子放出電極
41および電子引出し電極43を保持する例えばアルミナ
（Ａｌ２Ｏ３）からなる膜状の絶縁層42と、を有してお
り、この絶縁層42は基板11の孔壁そのものの一部として
形成されている。すなわち、この電子放出素子40は、図
11に示すような公知の平面的電子放出構造を有する電子
放出素子を、図10に示すように丸めた構造になってお
り、電子放出電極41及び電子引出し電極43が平面的なこ
の電子放出素子40においては、基板11に対して垂直に電
子が放出される。なお、電子放出素子40の電子放出電極
41と電子引出し電極43とを、図12、13に示すようなパタ
ーン形状にすることもできる。
に沿って設けられた個々の電子放出素子40は、基板11の
貫通孔11ａに沿って電子放出電極共通ライン36から引出
し電極共通ライン35側に向かって突出した突出部41ａを
有する例えばタングステンよりなる電子放出電極41と、
基板11の貫通孔11ａに沿って引出し電極共通ライン35か
ら電子放出電極共通ライン36側に突出して部分的に電子
放出口43ａを形成する例えば金（Ａｕ）又はアルミニウ
ム（Ａｌ）よりなる電子引出し電極43と、電子放出電極
41および電子引出し電極43を保持する例えばアルミナ
（Ａｌ２Ｏ３）からなる膜状の絶縁層42と、を有してお
り、この絶縁層42は基板11の孔壁そのものの一部として
形成されている。すなわち、この電子放出素子40は、図
11に示すような公知の平面的電子放出構造を有する電子
放出素子を、図10に示すように丸めた構造になってお
り、電子放出電極41及び電子引出し電極43が平面的なこ
の電子放出素子40においては、基板11に対して垂直に電
子が放出される。なお、電子放出素子40の電子放出電極
41と電子引出し電極43とを、図12、13に示すようなパタ
ーン形状にすることもできる。
【００３２】次に、その製造方法を説明する。
【００３３】まず、上述例と同様にして基板11を作成
し、基板11の微細孔11ａの孔径を例えば０．３μｍ程度
に広げる。次いで、この基板11を、図14に示すように角
度θ１だけ傾け、その状態で仕事関数の低い金属（例え
ば、タングステン）を基板11の一面側から所定のパター
ンに蒸着して基板11の一面側に電子放出電極共通ライン
35を形成するとともに、各貫通孔11ａの一部に電子放出
電極41を形成する。次いで、基板11を反転させ、図15に
示すように、基板11を角度θ２ だけ傾けた状態で基板
11を所定角度範囲（電子放出口43ａの部分を残す範囲）
で回動させ、この状態で基板11の他面側から金又はアル
ミニウムを蒸着し、基板11の他面側に電子放出電極共通
ライン36を形成するとともに、貫通孔11ａの他の一部に
電子引出し電極43を形成する。 ここで他の一部とは、
貫通孔11ａの一部に既に成膜している電子放出電極41上
に電子引出し電極43の蒸着金属が接触しないように（シ
ョートが発生しないように）するため、前記一部とは異
なる一部であることを意味しており、その所望位置に電
子引出し電極43を形成するために、蒸着工程において前
記角度θ１ 、θ２ や基板11の回転方向の位置を注意
深く設定する必要がある。図15においては、角度θ２
は図14の角度θ１ より大きくなっており（θ２ ＞θ
１ ）、この場合、図９に示すように電子引出し電極43
の突出量（微細孔37内における長さ）は電子放出電極41
の突出量より小さくなる。また、図16、図17に示すよう
に、蒸着工程における傾き角度θ１、θ２ の関係をθ
１＞θ２ とし、両電極41、43の突出量の関係を前記と
は反対にすることもでき、このとき基板11を回転させな
いで蒸着を行えば例えば図12、図13に示す電極パターン
となる。
し、基板11の微細孔11ａの孔径を例えば０．３μｍ程度
に広げる。次いで、この基板11を、図14に示すように角
度θ１だけ傾け、その状態で仕事関数の低い金属（例え
ば、タングステン）を基板11の一面側から所定のパター
ンに蒸着して基板11の一面側に電子放出電極共通ライン
35を形成するとともに、各貫通孔11ａの一部に電子放出
電極41を形成する。次いで、基板11を反転させ、図15に
示すように、基板11を角度θ２ だけ傾けた状態で基板
11を所定角度範囲（電子放出口43ａの部分を残す範囲）
で回動させ、この状態で基板11の他面側から金又はアル
ミニウムを蒸着し、基板11の他面側に電子放出電極共通
ライン36を形成するとともに、貫通孔11ａの他の一部に
電子引出し電極43を形成する。 ここで他の一部とは、
貫通孔11ａの一部に既に成膜している電子放出電極41上
に電子引出し電極43の蒸着金属が接触しないように（シ
ョートが発生しないように）するため、前記一部とは異
なる一部であることを意味しており、その所望位置に電
子引出し電極43を形成するために、蒸着工程において前
記角度θ１ 、θ２ や基板11の回転方向の位置を注意
深く設定する必要がある。図15においては、角度θ２
は図14の角度θ１ より大きくなっており（θ２ ＞θ
１ ）、この場合、図９に示すように電子引出し電極43
の突出量（微細孔37内における長さ）は電子放出電極41
の突出量より小さくなる。また、図16、図17に示すよう
に、蒸着工程における傾き角度θ１、θ２ の関係をθ
１＞θ２ とし、両電極41、43の突出量の関係を前記と
は反対にすることもでき、このとき基板11を回転させな
いで蒸着を行えば例えば図12、図13に示す電極パターン
となる。
【００３４】このように本実施例においては、基板11に
形成された複数の微細孔17の孔壁に沿って電子放出素子
40が形成され、基板11が陽極酸化膜で構成されるから、
第１実施例と同様な効果を得ることができる。さらに、
電子放出素子40が、平面的な電子放出電極41及び電子引
出し電極43を丸めたような構造を有するものであるか
ら、その構成がきわめて簡単なものになるとともに、電
子放出電極41と電子引出し電極43を蒸着により形成する
ことで、電子放出素子作成時に従来のようなフォトプロ
セスを無くすこともできるので、製造コストも安価にな
る。
形成された複数の微細孔17の孔壁に沿って電子放出素子
40が形成され、基板11が陽極酸化膜で構成されるから、
第１実施例と同様な効果を得ることができる。さらに、
電子放出素子40が、平面的な電子放出電極41及び電子引
出し電極43を丸めたような構造を有するものであるか
ら、その構成がきわめて簡単なものになるとともに、電
子放出電極41と電子引出し電極43を蒸着により形成する
ことで、電子放出素子作成時に従来のようなフォトプロ
セスを無くすこともできるので、製造コストも安価にな
る。
【００３５】図18〜図20は請求項１、５に係る本発明の
第３実施例を示す図である。
第３実施例を示す図である。
【００３６】なお、上述例の部材と同一構成又はそれに
相当する構成の部材については同一符号を付してその構
成の具体的説明を省略する。
相当する構成の部材については同一符号を付してその構
成の具体的説明を省略する。
【００３７】第３実施例の電子放出素子集積基板は、図
18、図19に示すように、絶縁材、例えばセラミックスか
らなる基板51と、この基板51の上下面に設けられた２つ
の配線層52、53（全体を図示しないが第１実施例の配線
層12、13と同様な形状のもの）とを有している。前記２
つのうち一方の配線層52は、例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）から形成され、互いに平行に離間する複数の引出し
電極共通ライン55によって構成されている。また、前記
２つのうち他方の配線層53は、例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）から形成され、引出し電極共通ライン55と直交し互
いに平行に離間する複数の電子放出電極共通ライン56に
よって構成されている。さらに、両配線層の電極共通ラ
イン55、56が互いに一定幅を持って直交することによ
り、両電極共通ライン55、56は所定の面積で基板51を挟
んで重合しており、この範囲において基板51と電子放出
電極共通ライン56との間にカーボン層58が形成され、電
極共通ライン55、56の重合する部分及びその間の基板51
及びカーボン層58には、その基板51の板厚方向に延在す
るよう複数の微細孔57が形成されている。そして、複数
の微細孔57のそれぞれの孔壁の一部又は全部に、電子を
放出する電子放出素子60が形成されている。
18、図19に示すように、絶縁材、例えばセラミックスか
らなる基板51と、この基板51の上下面に設けられた２つ
の配線層52、53（全体を図示しないが第１実施例の配線
層12、13と同様な形状のもの）とを有している。前記２
つのうち一方の配線層52は、例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）から形成され、互いに平行に離間する複数の引出し
電極共通ライン55によって構成されている。また、前記
２つのうち他方の配線層53は、例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）から形成され、引出し電極共通ライン55と直交し互
いに平行に離間する複数の電子放出電極共通ライン56に
よって構成されている。さらに、両配線層の電極共通ラ
イン55、56が互いに一定幅を持って直交することによ
り、両電極共通ライン55、56は所定の面積で基板51を挟
んで重合しており、この範囲において基板51と電子放出
電極共通ライン56との間にカーボン層58が形成され、電
極共通ライン55、56の重合する部分及びその間の基板51
及びカーボン層58には、その基板51の板厚方向に延在す
るよう複数の微細孔57が形成されている。そして、複数
の微細孔57のそれぞれの孔壁の一部又は全部に、電子を
放出する電子放出素子60が形成されている。
【００３８】微細孔57の孔壁に沿って設けられた個々の
電子放出素子60は、基板51の貫通孔51ａに沿って電子放
出電極共通ライン56から引出し電極共通ライン55側に向
かって突出した例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる電
子放出電極61と、基板51の貫通孔11ａに沿って引出し電
極共通ライン55から電子放出電極共通ライン56側に突出
した例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる電子引出し電
極63と、カーボン層58から電子放出電極61よりも引出し
電極共通ライン55側に突出してフォーミング（加熱処
理）され、電子引出し電極63の突出端部の下層部に入り
込んだ伝導層62と、を有している。すなわち、この電子
放出素子40は、図20に示すような公知の表面伝導型電子
放出素子と同様な構造を有しており、この電子放出素子
40においては、伝導層62上で両電極61、63が近接した電
子放出部65において電子が放出される。
電子放出素子60は、基板51の貫通孔51ａに沿って電子放
出電極共通ライン56から引出し電極共通ライン55側に向
かって突出した例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる電
子放出電極61と、基板51の貫通孔11ａに沿って引出し電
極共通ライン55から電子放出電極共通ライン56側に突出
した例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる電子引出し電
極63と、カーボン層58から電子放出電極61よりも引出し
電極共通ライン55側に突出してフォーミング（加熱処
理）され、電子引出し電極63の突出端部の下層部に入り
込んだ伝導層62と、を有している。すなわち、この電子
放出素子40は、図20に示すような公知の表面伝導型電子
放出素子と同様な構造を有しており、この電子放出素子
40においては、伝導層62上で両電極61、63が近接した電
子放出部65において電子が放出される。
【００３９】次に、その製造方法を説明する。
【００４０】まず、セラミックスからなる基板51を作成
する場合、所定寸法に成形されたセラミックスの板を準
備し、この板にレーザー加工により所定ピッチ毎に所定
孔径の微細な孔51ａを穿孔加工する。次いで、この基板
51を、上述例と同様に所定角度だけ傾け、その状態で基
板51の一面側からカーボンを蒸着あるいはスパッタリン
グして、基板51の一面側にカーボン層58及び伝導層62に
対応するカーボン層を形成する。次いで、基板51の傾き
角度を大きくし、カーボン層58の上にアルミニウム（Ａ
ｌ）を蒸着（或はスパッタ）して電子放出電極共通ライ
ン56を形成するとともに、孔51ａの一部に電子放出電極
61を形成する。次いで、基板51の上下面を反転させ、基
板51を傾けた状態で基板51の他面側からアルミニウム
（Ａｌ）を蒸着し、基板51の他面側に引出し電極共通ラ
イン55を形成するとともに、孔51ａの他の一部に電子引
出し電極63を形成する。ここで他の一部とは、貫通孔51
ａの一部に既に成膜している電子放出電極61上に電子引
出し電極63の蒸着金属が接触しないように（ショートが
発生しないように）するため、前記一部とは異なる一部
であることを意味しており、その所望位置に電子引出し
電極63を形成するために、蒸着工程において前記傾き角
度や基板51の回転方向の位置を注意深く設定する必要が
ある。次いで、フォーミング（加熱処理）を行ない伝導
層62を形成すると、電子放出部65ができあがる。
する場合、所定寸法に成形されたセラミックスの板を準
備し、この板にレーザー加工により所定ピッチ毎に所定
孔径の微細な孔51ａを穿孔加工する。次いで、この基板
51を、上述例と同様に所定角度だけ傾け、その状態で基
板51の一面側からカーボンを蒸着あるいはスパッタリン
グして、基板51の一面側にカーボン層58及び伝導層62に
対応するカーボン層を形成する。次いで、基板51の傾き
角度を大きくし、カーボン層58の上にアルミニウム（Ａ
ｌ）を蒸着（或はスパッタ）して電子放出電極共通ライ
ン56を形成するとともに、孔51ａの一部に電子放出電極
61を形成する。次いで、基板51の上下面を反転させ、基
板51を傾けた状態で基板51の他面側からアルミニウム
（Ａｌ）を蒸着し、基板51の他面側に引出し電極共通ラ
イン55を形成するとともに、孔51ａの他の一部に電子引
出し電極63を形成する。ここで他の一部とは、貫通孔51
ａの一部に既に成膜している電子放出電極61上に電子引
出し電極63の蒸着金属が接触しないように（ショートが
発生しないように）するため、前記一部とは異なる一部
であることを意味しており、その所望位置に電子引出し
電極63を形成するために、蒸着工程において前記傾き角
度や基板51の回転方向の位置を注意深く設定する必要が
ある。次いで、フォーミング（加熱処理）を行ない伝導
層62を形成すると、電子放出部65ができあがる。
【００４１】このように本実施例においては、基板51に
形成された複数の微細孔57の孔壁に沿って電子放出素子
60が形成され、基板面のほとんどを配線に使用すること
ができ、電子放出素子集積基板の高集積化が可能にな
る。また、微細孔57の孔壁に沿って形成される電子放出
素子60が表面伝導型のものであるから、上述のような簡
単な成膜工程だけで微細孔57の孔壁に沿ってその電子放
出素子60を容易に形成することができ、製造コストも安
価になる。
形成された複数の微細孔57の孔壁に沿って電子放出素子
60が形成され、基板面のほとんどを配線に使用すること
ができ、電子放出素子集積基板の高集積化が可能にな
る。また、微細孔57の孔壁に沿って形成される電子放出
素子60が表面伝導型のものであるから、上述のような簡
単な成膜工程だけで微細孔57の孔壁に沿ってその電子放
出素子60を容易に形成することができ、製造コストも安
価になる。
【００４２】図21、図22は請求項１、２、６に係る本発
明の第４実施例を示す図である。
明の第４実施例を示す図である。
【００４３】なお、上述例の部材と同一構成又はそれに
相当する構成の部材については同一符号を付してその構
成の具体的説明を省略する。
相当する構成の部材については同一符号を付してその構
成の具体的説明を省略する。
【００４４】第４実施例の電子放出素子集積基板は、図
21、図22に示すように、基板11とその両面側に設けられ
た２つの配線層112、113（全体を図示しないが、第１実
施例の配線層12、13と同様な形状のもの）を有してい
る。配線層112 は、例えば金（Ａｕ）又はアルミニウム
（Ａｌ）から形成され、互いに平行に離間する複数の引
出し電極共通ライン115 によって構成されている。ま
た、配線層113 は、例えばタングステンから形成され、
引出し電極共通ライン115 と直交し互いに平行に離間す
る複数の電子放出電極共通ライン116 によって構成され
ている。さらに、両配線層の電極共通ライン115 、116
が互いに一定幅を持って直交することにより、両電極共
通ライン115 、116 は所定の面積で基板11を挟んで重合
しており、電極共通ライン115 、116 の重合する部分及
びその間の基板11には、その基板11の板厚方向に延在す
るよう複数の微細孔117 が形成されている。そして、複
数の微細孔117 のそれぞれの孔壁の一部に、平面的に形
成され電子を放出する電子放出素子120 が形成されて
いる。
21、図22に示すように、基板11とその両面側に設けられ
た２つの配線層112、113（全体を図示しないが、第１実
施例の配線層12、13と同様な形状のもの）を有してい
る。配線層112 は、例えば金（Ａｕ）又はアルミニウム
（Ａｌ）から形成され、互いに平行に離間する複数の引
出し電極共通ライン115 によって構成されている。ま
た、配線層113 は、例えばタングステンから形成され、
引出し電極共通ライン115 と直交し互いに平行に離間す
る複数の電子放出電極共通ライン116 によって構成され
ている。さらに、両配線層の電極共通ライン115 、116
が互いに一定幅を持って直交することにより、両電極共
通ライン115 、116 は所定の面積で基板11を挟んで重合
しており、電極共通ライン115 、116 の重合する部分及
びその間の基板11には、その基板11の板厚方向に延在す
るよう複数の微細孔117 が形成されている。そして、複
数の微細孔117 のそれぞれの孔壁の一部に、平面的に形
成され電子を放出する電子放出素子120 が形成されて
いる。
【００４５】微細孔117の孔壁に沿って設けられた個々
の電子放出素子120は、基板11の貫通孔11ａに沿って電
子放出電極共通ライン116から引出し電極共通ライン115
側に向かって突出するパターン状に形成された例えばタ
ングステンよりなる電子放出電極121と、基板11の微細
孔117の孔壁を形成する引出し電極共通ライン115 の一
部としての電子引出し電極123と、を有している。
の電子放出素子120は、基板11の貫通孔11ａに沿って電
子放出電極共通ライン116から引出し電極共通ライン115
側に向かって突出するパターン状に形成された例えばタ
ングステンよりなる電子放出電極121と、基板11の微細
孔117の孔壁を形成する引出し電極共通ライン115 の一
部としての電子引出し電極123と、を有している。
【００４６】次に、その製造方法を説明する。
【００４７】まず、上述例と同様にして基板11を作成
し、基板11の微細孔11ａの孔径を例えば０．３μｍ程度
に広げる。次いで、この基板11を、図14に示すように角
度θ1だけ傾け、その状態で仕事関数の低い金属（例え
ば、タングステン）を基板11の一面側から蒸着して基板
11の一面側に電子放出電極共通ライン116を形成すると
ともに、各貫通孔11ａの一部に電子放出電極121を形成
する。次いで、基板11を反転させ、基板11を傾けないで
基板11の他面側からアルミニウム等の金属をスパッタリ
ングし、引出し電極共通ライン115を形成した後、その
電極面をドライフィルムレジスト又はマスキングテープ
等で覆い、貫通孔11ａの孔壁端部に対応する不要アルミ
ニウムを除去して電子引出し電極123を形成する。
し、基板11の微細孔11ａの孔径を例えば０．３μｍ程度
に広げる。次いで、この基板11を、図14に示すように角
度θ1だけ傾け、その状態で仕事関数の低い金属（例え
ば、タングステン）を基板11の一面側から蒸着して基板
11の一面側に電子放出電極共通ライン116を形成すると
ともに、各貫通孔11ａの一部に電子放出電極121を形成
する。次いで、基板11を反転させ、基板11を傾けないで
基板11の他面側からアルミニウム等の金属をスパッタリ
ングし、引出し電極共通ライン115を形成した後、その
電極面をドライフィルムレジスト又はマスキングテープ
等で覆い、貫通孔11ａの孔壁端部に対応する不要アルミ
ニウムを除去して電子引出し電極123を形成する。
【００４８】このように本実施例においては、基板11に
形成された複数の微細孔117の孔壁に沿って電子放出素
子120が形成され、基板11が陽極酸化膜で構成されるか
ら、上述例と同様な効果を得ることができる。さらに、
電子放出素子120は、基板11の微細孔117の孔壁に沿って
電子放出電極121がパターン状（所定形状の膜状）に形
成されるから、電極121、123の構成がきわめて簡単なも
のになり、製造コストも安価になる。
形成された複数の微細孔117の孔壁に沿って電子放出素
子120が形成され、基板11が陽極酸化膜で構成されるか
ら、上述例と同様な効果を得ることができる。さらに、
電子放出素子120は、基板11の微細孔117の孔壁に沿って
電子放出電極121がパターン状（所定形状の膜状）に形
成されるから、電極121、123の構成がきわめて簡単なも
のになり、製造コストも安価になる。
【００４９】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、基板の微
細孔の孔壁上に電子放出素子が形成されるので、基板面
のほとんどを配線に使用することができ、電子放出素子
集積基板の高集積化を実現することができる。
細孔の孔壁上に電子放出素子が形成されるので、基板面
のほとんどを配線に使用することができ、電子放出素子
集積基板の高集積化を実現することができる。
【００５０】請求項２記載の発明によれば、基板が陽極
酸化膜で構成されるので、その微細孔の孔径およびピッ
チが非常に小さくなって大幅な高集積化を達成すること
ができるとともに、その基板製造コストを低減させるこ
とができる。
酸化膜で構成されるので、その微細孔の孔径およびピッ
チが非常に小さくなって大幅な高集積化を達成すること
ができるとともに、その基板製造コストを低減させるこ
とができる。
【００５１】請求項３記載の発明によれば、微細孔の孔
壁に沿って形成される前記電子放出素子がＭ・Ｉ・Ｍ型
のものであるので、その電子放出素子の作成にフォトプ
ロセスを必要とせず、その製造コストを低減させること
ができる。
壁に沿って形成される前記電子放出素子がＭ・Ｉ・Ｍ型
のものであるので、その電子放出素子の作成にフォトプ
ロセスを必要とせず、その製造コストを低減させること
ができる。
【００５２】請求項４記載の発明によれば、電子放出素
子が平面的な電子放出電極と引出し電極とを有するの
で、その構成をきわめて簡単なものにするとともに、製
造コストもより低減させることができる。
子が平面的な電子放出電極と引出し電極とを有するの
で、その構成をきわめて簡単なものにするとともに、製
造コストもより低減させることができる。
【００５３】請求項５記載の発明によれば、微細孔の孔
壁に沿って形成される電子放出素子が表面伝導型である
ので、微細孔の孔壁にその電子放出素子を容易に形成す
ることができる。
壁に沿って形成される電子放出素子が表面伝導型である
ので、微細孔の孔壁にその電子放出素子を容易に形成す
ることができる。
【００５４】請求項６記載の発明によれば、前記基板の
微細孔の孔壁に沿って電子放出電極をパターン状に形成
しているので、その電極の構成をきわめて簡単なものに
して製造コストを低減させることができる。
微細孔の孔壁に沿って電子放出電極をパターン状に形成
しているので、その電極の構成をきわめて簡単なものに
して製造コストを低減させることができる。
【図１】本発明の電子放出素子集積基板の第１実施例の
概略構成を示す斜視図である。
概略構成を示す斜視図である。
【図２】第１実施例の電極共通ラインを示す斜視図であ
る。
る。
【図３】第１実施例の部分拡大斜視図である。
【図４】第１実施例の部分拡大断面図である。
【図５】第１実施例の電子放出素子を示す拡大斜視図で
ある。
ある。
【図６】第１実施例の電子放出素子の電極を形成する工
程の説明図である。
程の説明図である。
【図７】本発明の電子放出素子集積基板の第２実施例を
示す図であり、その電子放出電極側を上面とする要部拡
大斜視図である。
示す図であり、その電子放出電極側を上面とする要部拡
大斜視図である。
【図８】その電子引出し電極側を上面とする第２実施例
の要部拡大斜視図である。
の要部拡大斜視図である。
【図９】第２実施例の微細孔の孔内透視図である。
【図１０】第２実施例の孔壁に設けられる平面的な電子
放出素子の一態様を示す斜視図である。
放出素子の一態様を示す斜視図である。
【図１１】その平面的な電子放出素子の動作原理図であ
る。
る。
【図１２】第２実施例の孔壁に設けられる平面的な電子
放出素子の他の態様を示すその微細孔の孔壁の概略斜視
図である。
放出素子の他の態様を示すその微細孔の孔壁の概略斜視
図である。
【図１３】その孔壁に設けられる平面的な電子放出素子
の電極形状を示す図である。
の電極形状を示す図である。
【図１４】図１０に示す電子放出素子の電子放出電極を
形成する工程の説明図である。
形成する工程の説明図である。
【図１５】図１０に示す電子放出素子の電子引出し電極
を形成する工程の説明図である。
を形成する工程の説明図である。
【図１６】図１２、図１３に示す電子放出素子の電子放
出電極を形成する工程の説明図である。
出電極を形成する工程の説明図である。
【図１７】図１２、図１３に示す電子放出素子の電子引
出し電極を形成する工程の説明図である。
出し電極を形成する工程の説明図である。
【図１８】本発明の電子放出素子集積基板の第３実施例
の要部拡大斜視図である。
の要部拡大斜視図である。
【図１９】第３実施例の電子放出素子の拡大断面図であ
る。
る。
【図２０】その電子放出素子の動作原理図である。
【図２１】本発明の電子放出素子集積基板の第４実施例
の要部拡大断面図である。
の要部拡大断面図である。
【図２２】第４実施例の電子放出素子集積基板の要部拡
大斜視図である。
大斜視図である。
11、51 基板 17、37、57、117 微細孔 20、40、60、100、120 電子放出素子21 電 子放出電極（メタル層）22 絶 縁層（絶縁層）23 電 子引出し電極（メタル層） 41 平面的な電子放出電極 43 平面的な電子引出し電極 121 パターン状に形成された電子放出電極
Claims (6)
- 【請求項１】板厚方向に延在する複数の微細孔を有する
基板を備え、該基板の微細孔の孔壁上に電子放出電極及
び電子引出し電極を有する電子放出素子を形成し、少な
くとも前記電子放出電極及び前記電子引出し電極の一方
が前記基板の微細孔の孔壁上に膜状に形成されたことを
特徴とする電子放出素子集積基板。 - 【請求項２】前記基板が、陽極酸化処理によって複数の
微細孔が形成された膜体からなることを特徴とする請求
項１記載の電子放出素子集積基板。 - 【請求項３】前記電子放出素子が、メタル・インシュレ
ータ・メタル型のものであることを特徴とする請求項１
又は２記載の電子放出素子集積基板。 - 【請求項４】前記電子放出素子が、平面的な電子放出電
極と引出し電極とを有することを特徴とする請求項１又
は２記載の電子放出素子集積基板。 - 【請求項５】前記電子放出素子が表面伝導型のものであ
ることを特徴とする請求項１又は２記載の電子放出素子
集積基板。 - 【請求項６】前記基板の微細孔の孔壁に、電子放出電極
がパターン状に形成されたことを特徴とする請求項１又
は２記載の電子放出素子集積基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2604291A JP3054205B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 電子放出素子集積基板 |
| US07/837,635 US5315206A (en) | 1991-02-20 | 1992-02-13 | Electron emission elements integrated substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2604291A JP3054205B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 電子放出素子集積基板 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04264337A JPH04264337A (ja) | 1992-09-21 |
| JP3054205B2 true JP3054205B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=12182645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2604291A Expired - Fee Related JP3054205B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 電子放出素子集積基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3054205B2 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH07111868B2 (ja) * | 1993-04-13 | 1995-11-29 | 日本電気株式会社 | 電界放出冷陰極素子 |
| US5545946A (en) * | 1993-12-17 | 1996-08-13 | Motorola | Field emission display with getter in vacuum chamber |
| JP2766174B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1998-06-18 | 日本電気株式会社 | 電界放出冷陰極とこれを用いた電子管 |
| US5731228A (en) * | 1994-03-11 | 1998-03-24 | Fujitsu Limited | Method for making micro electron beam source |
| JP3387617B2 (ja) * | 1994-03-29 | 2003-03-17 | キヤノン株式会社 | 電子源 |
| US5831387A (en) | 1994-05-20 | 1998-11-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus and a method for manufacturing the same |
| JP3267464B2 (ja) * | 1994-05-20 | 2002-03-18 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
| GB9416754D0 (en) * | 1994-08-18 | 1994-10-12 | Isis Innovation | Field emitter structures |
| DE19602595A1 (de) * | 1996-01-25 | 1997-07-31 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von Feldemissionsspitzen |
| DE69621017T2 (de) | 1996-10-04 | 2002-10-31 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Herstellungsverfahren einer flachen Feldemissionsanzeige und nach diesem Verfahren hergestellte Anzeige |
| JP3631015B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2005-03-23 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子及びその製造方法 |
| KR100316780B1 (ko) * | 2000-02-15 | 2001-12-12 | 김순택 | 격벽 리브를 이용한 3극관 탄소나노튜브 전계 방출 소자및 그 제작 방법 |
| JP2001266737A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-09-28 | Toshiba Corp | 電子源装置、その製造方法、および電子源装置を備えた平面表示装置 |
| GB2406435B (en) * | 2000-03-24 | 2005-05-11 | Toshiba Kk | Electron source device, method of manufacturing the same, and flat display apparatus comprising an electron source device |
| KR100343205B1 (ko) * | 2000-04-26 | 2002-07-10 | 김순택 | 카본나노튜브를 이용한 삼극 전계 방출 어레이 및 그 제작방법 |
| JP4830217B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2011-12-07 | 日本電気株式会社 | 電界放出型冷陰極およびその製造方法 |
| KR100908712B1 (ko) * | 2003-01-14 | 2009-07-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 특성을 향상시킬 수 있는 에미터 배열 구조를갖는 전계 방출 표시 장치 |
| WO2004070712A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Fujitsu Limited | 磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録媒体に用いられる磁気媒体基板、並びに磁気記憶装置 |
| US7364769B2 (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-29 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus and method for formation of a wiring pattern on a substrate, and electronic devices and producing methods thereof |
| JP4191567B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2008-12-03 | 株式会社リコー | 導電性接着剤による接続構造体及びその製造方法 |
| JP5434432B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2014-03-05 | 凸版印刷株式会社 | ナノ炭素材料複合基板および電子放出素子 |
| JP5347938B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2013-11-20 | 凸版印刷株式会社 | 発光装置 |
| DE102019123248A1 (de) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg | Elektronenquelle zum Erzeugen eines Elektronenstrahls |
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| US4253221A (en) * | 1979-06-14 | 1981-03-03 | Georgia Tech Research Institute | Method of producing low voltage field emission cathode structure |
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| JP3007654B2 (ja) * | 1990-05-31 | 2000-02-07 | 株式会社リコー | 電子放出素子の製造方法 |
| FR2663462B1 (fr) * | 1990-06-13 | 1992-09-11 | Commissariat Energie Atomique | Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes. |
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- 1991-02-20 JP JP2604291A patent/JP3054205B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1992
- 1992-02-13 US US07/837,635 patent/US5315206A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| US5315206A (en) | 1994-05-24 |
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