DE19602595A1 - Verfahren zur Herstellung von Feldemissionsspitzen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von FeldemissionsspitzenInfo
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Description
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung
von Feldemissionsspitzen nach der Gattung des unabhängigen
Patentanspruchs.
Aus dem Lehrbuch: Mikromechanik,
Herausgeber Anton Heuberger, Springer-Verlag 1989, Seite 426
ff, sind bereits Verfahren zur Herstellung von
Feldemissionsspitzen bekannt. Diese Feldemissionsspitzen
werden durch Ätzen von Silicium oder durch Aufdampfen von
Metall gebildet. Aus dem Zeitschriftenartikel "Nano
Materials: A membrane based synthetic approach" von Charles
Martin, Science volume 266 23.12.1994, Seite 1961 ff, sind
Verfahren zur Herstellung sogenannter Nanomaterialien
bekannt. Dabei werden Membranen mit einer Vielzahl von
kleinen Löchern versehen und es werden durch
elektrochemische oder chemische Abscheidungen Metalle in den
Löchern abgeschieden. Die so bearbeiteten Membranen weisen
besondere optische Eigenschaften auf.
Das erfindungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden
Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs hat demgegenüber
den Vorteil, daß durch ein einfaches Verfahren eine Vielzahl
von Feldemissionsspitzen parallel gefertigt werden können.
Da in isolierenden Materialien Löcher mit besonders geringem
Durchmesser erzeugt werden können, weisen die so gebildeten
Feldemissionsspitzen einen geringen Durchmesser auf und
zeigen daher bereits bei geringen anliegenden elektrischen
Feldern eine erhebliche Feldemission. Weiterhin wird durch
die Einbettung in dem isolierenden Material ein mechanisch
und thermisch besonders robuster Aufbau der
Feldemissionsspitzen gewährleistet.
Durch die in den abhängigen Patentansprüchen angegebenen
Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und
Verbesserungen des Verfahrens nach dem unabhängigen
Patentanspruch möglich. Besonders einfach erfolgt das
Auffullen der Löcher durch elektrochemische oder chemische
Abscheidung. Das Einbringen der Löcher in dem isolierenden
Material kann entweder durch den Beschuß des Materials
mittels eines Teilchenstroms und anschließendes Ätzen oder
durch elektrochemische Oxidation von Aluminium erfolgen.
Durch die Anordnung auf einer Trägerplatte werden
Feldemissionsspitzen geschaffen, die sich problemlos
handhaben lassen. Wenn dabei die Trägerplatte gegen einander
isolierende Bereiche aufweist, so können einzelne
Feldemissionsspitzen oder Gruppen von Feldemissionsspitzen
separat angesteuert werden. Durch das Anbringen einer
Metallschicht auf der Oberfläche des isolierenden Materials
wird eine Steuerelektrode geschaffen, mit dem der aus den
Feldemissionsspitzen fließende Feldemissionsstrom beeinflußt
werden kann.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Es zeigen die Fig. 1 ein erstes
Ausführungsbeispiel der Feldemissionsspitzen, die Fig. 2
ein zweites Ausführungsbeispiel mit einer Steuerelektrode
und Fig. 3 ein drittes Ausführungsbeispiel mit einzeln
ansteuerbaren Feldemissionsspitzen.
In der Fig. 1 wird eine Platte 1 aus isolierendem Material
gezeigt, in der eine Vielzahl von Löchern 2 eingebracht
sind. Die Löcher 2 sind mit einem Metall derart aufgefüllt,
daß sich lange, hohe Metallkörper 3 bilden. Die Platte 1 aus
isolierendem Material und die Metallkörper 3 sind auf einer
gemeinsamen Trägerplatte 4 angeordnet. In der Fig. 1 werden
die Größenverhältnisse stark verzerrt dargestellt.
Wesentlich ist an der Erfindung, daß der Durchmesser der
Löcher 2 und somit auch der Durchmesser der länglichen
metallischen Körper 3 in der Größenordnung von einigen
Nanometern bis einigen zehn Nanometern liegt. Die
metallischen Körper 3 bilden so sehr feine Spitzen, so daß
beim Anliegen einer elektrischen Spannung an der Spitze der
metallischen Körper 3 hohe Feldstärken auftreten. Wenn dabei
die Feldstärken ausreichend groß werden, so treten durch
einen Tunneleffekt Elektronen aus dem Metall aus. Dieser,
als Feldemission bekannter Vorgang, erfolgt in Abhängigkeit
vom Durchmesser der metallischen Körper 3. Je geringer der
Durchmesser ist, umso geringere Spannungen werden benötigt,
um Elektronen durch Feldemission zu erhalten. Es ist daher
wünschenswert, daß die metallischen Körper 3, die die
Feldemissionsspitzen bilden, einen möglichst geringen
Durchmesser aufweisen, vorzugsweise geringer als zehn
Nanometer. Die geometrischen Abmessungen der Platte 1 aus
isolierendem Material oder des Trägers 4 sind für die
Feldemission ohne Bedeutung.
Die Herstellung der metallischen Körper 3, die die
Feldemissionsspitzen bilden, erfolgt zunächst im
isolierenden Material der Platte 1, in dem Löcher 2 mit
entsprechend geringem Durchmesser erzeugt werden. Dazu kann
ein polymeres Material mit einem Teilchenstrom bestrahlt
werden. Der Teilchenstrom erzeugt im Kunststoffmaterial (in
der Regel Polycarbonat) Schädigungen entlang der Flugbahn
des Teilchens im isolierenden Material. Entlang der
Flugbahnen können dann durch Ätzprozesse feine, porenartige
Löcher in das Kunststoffmaterial eingebracht werden. Eine
weitere Methode besteht darin, Aluminium durch anodische
Oxydation in Aluminiumoxyd (Al₂O₃) umzuwandeln. Bei diesem
Umwandlungsprozeß bildet sich eine Aluminiumoxydschicht mit
feinen, schlanken Poren, deren Durchmesser durch die
Anodisierungsbedingungen und die Konzentration des
Elektrolysten beeinflußt werden kann. Auch so lassen sich
porenartige Löcher mit einem Durchmesser von einigen
Nanometern erzeugen. Um nun diese Löcher mit einem Metall
aufzufüllen, wird ein elektrochemischer oder chemischer
Abscheidungsprozeß verwendet.
Für die chemische oder elektrochemische Abscheidung sind
beispielsweise Gold, Silber, Platin, Nickel oder andere
Metalle geeignet.
Sofern ein galvanischer (d. h. elektrochemischer) Prozeß
verwendet wird, sollten die Löcher 2 auf der einen Seite
durch ein Material verschlossen werden, auf dem eine
galvanische Abscheidung erfolgen kann. Dies wird
beispielsweise durch Aufbringen einer Metallschicht auf
einer Seite der Platte 1 oder durch Anordnung der Platte 1
auf einem leitfähigen Träger 4 sichergestellt. Ausgehend von
der anderen Seite der Platte 1 kann dann eine galvanische
Abscheidung in den Löchern 2 erfolgen. Bei der chemischen
Abscheidung (auch stromloses Abscheiden genannt) kann
gegebenenfalls auch eine Startschicht verwendet werden. In der
Fig. 1 wird eine Trägerplatte 4 aus Metall gezeigt.
Gegebenenfalls kann die Trägerplatte 4 auch aus isolierendem
Material bestehen, auf dessen Oberfläche leitfähige
Schichten aufgebracht sind.
In der Fig. 2 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel der
Erfindung gezeigt. Auf einer metallischen Trägerplatte 4 ist
eine Platte 1 aus isolierendem Material aufgebracht. Wie bei
Fig. 1 weist die Platte 1 aus isolierendem Material eine
Vielzahl von Löchern 2 auf, die mit einem Metall aufgefüllt
sind, welches metallische Körper 3 bildet. Im Unterschied
zur Fig. 1 sind jedoch die metallischen Körper 3 derart
ausgebildet, daß sie sich ausgehend von der metallischen
Trägerplatte 4 nur bis deutlich unterhalb der Oberseite der
Platte 1 erstrecken. Auf der Oberseite der metallischen
Platte 1 ist noch eine weitere Metallschicht 5 aufgebracht,
die eine Steuerelektrode bildet. Weiterhin ist zur
Verdeutlichung noch eine Gegenelektrode 6 gezeigt, die
gegenüber den Feldemissionsspitzen 3 angeordnet ist.
Zur Herstellung des Aufbaus nach der Fig. 2 wird das
Auffullen der Löcher 2 nach einer vorgegebenen Zeit
unterbrochen, so daß die Löcher 2 nicht vollständig
aufgefüllt werden. Auf der Oberseite der Platte 1 wird dann
durch Aufdampfen oder Aufsputtern die Metallschicht 5
abgeschieden.
Zur Erzeugung eines Feldemissionsstromes aus den
Feldemissionsspitzen 3 wird zwischen der metallischen
Trägerplatte 4, durch die die Feldemissionsspitzen 3
kontaktiert sind und der Gegenelektrode 6 eine Spannung
angelegt. Wenn das elektrische Feld an den
Feldemissionsspitzen 3 groß genug wird, so wird ein
Feldemissionsstrom von den Feldemissionsspitzen 3 hin zur
Gegenelektrode 6 fließen. Durch Anlegen einer elektrischen
Spannung an der Metallschicht 5 kann der Feldemissionsstrom
beeinflußt werden. Die Metallschicht 5 wirkt somit wie das
Steuergitter einer Triode.
In der Fig. 3 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel der
Erfindung gezeigt, wobei die Platte 1 mit den Löchern 2 und
den darin erzeugten Feldemissionsspitzen 3 dem
Ausführungsbeispiel nach der Fig. 1 entsprechen. Als Träger
ist hier jedoch eine isolierende Platte 7 vorgesehen, die
oberflächliche, leitfähige Schichten 8 aufweist.
Exemplarisch werden in der Fig. 3 zwei leitfähige Schichten
8 gezeigt, die gegeneinander isoliert sind. Durch die
leitfähigen Schichten 8 können einzelne Feldemissionsspitzen
3 oder Gruppen von Feldemissionsspitzen 3 mit
unterschiedlichen Spannungen beaufschlagt werden. Es ist so
möglich, einzelne Gruppen von Feldemissionsspitzen
unabhängig voneinander anzusteuern. Eine derartige
Ansteuerung einzelner Feldemissionsspitzen sind ebenso wie
die Anordnung nach Fig. 2 insbesondere für die Herstellung
von dünnen Flachbildschirmen geeignet.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung von Feldemissionsspitzen, bei
dem eine Vielzahl von Feldemissionsspitzen parallel erzeugt
werden, dadurch gekennzeichnet, daß in einem isolierenden
Material (1) eine Vielzahl von Löchern (2) eingebracht
werden und daß durch Auffüllen der Löcher (2) mit einem
Metall metallische Körper (3) gebildet werden, die die
Feldemissionsspitzen bilden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Auffüllen der Löcher (2) durch elektrochemische oder
chemische Abscheidung erfolgt.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Einbringen der Löcher (2)
durch Beschuß mit einem Teilchenstrom und anschließendem
Ätzen des isolierenden Materials (1) entlang von
Teilchenbahnen erfolgt.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß für das isolierende Material (1) Aluminiumoxyd (Al₂O₃)
verwendet wird, welches durch anodische Oxydation von
Aluminium gebildet wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende Material (1) als
Platte auf einer Trägerplatte (4, 7) ausgebildet ist, das
mindestens Teile der Oberfläche der Trägerplatte (4, 7) aus
Metall besteht Löcher derart in die isolierende Platte
eingebracht sind, daß sie von einer Oberseite der
isolierenden Platte bis zur Trägerplatte reichen.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die Trägerplatte (7) mindestens zwei leitende Bereiche (8)
aufweist, die gegeneinander isoliert sind.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher (2) nicht vollständig
mit Metall aufgefüllt werden und daß die Oberfläche des
isolierenden Materials mit einer Metallschicht versehen
wird.
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