JPS6327864B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6327864B2 JPS6327864B2 JP53097069A JP9706978A JPS6327864B2 JP S6327864 B2 JPS6327864 B2 JP S6327864B2 JP 53097069 A JP53097069 A JP 53097069A JP 9706978 A JP9706978 A JP 9706978A JP S6327864 B2 JPS6327864 B2 JP S6327864B2
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- JP
- Japan
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- molybdenum
- gate
- film
- tungsten
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/66—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絶縁ゲート型電界効果トランジスタも
しくは半導体装置中の絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタ部の構造に関するものである。
しくは半導体装置中の絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタ部の構造に関するものである。
高周波用等の絶縁ゲート型電界効果トランジス
タの高性能化あるいは、絶縁ゲート型電界効果ト
ランジスタを用いた集積回路の高性能化及び高集
積化を達成するため、絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタの微小化が行われつつある。
タの高性能化あるいは、絶縁ゲート型電界効果ト
ランジスタを用いた集積回路の高性能化及び高集
積化を達成するため、絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタの微小化が行われつつある。
しかし、多結晶シリコンをゲート材料に用いた
従来のシリコンゲート構造の高周波用トランジス
タや集積回路においては、ケート電極・配線部で
の抵抗による信号の応答あるいは伝播遅延が無視
できないレベルになつている。この問題を解決す
るため、多結晶シリコンの代りにモリブデンやタ
ングステンをゲート材料として用いることが検討
されている（他の高融点金属であるチタン、ジル
コニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ及び
タンタルは、洗浄や酸化シリコン膜のエツチング
に使用するフツ酸で容易にエツチングされてしま
うとか、高温熱処理時にゲート酸化膜と反応し易
いとかの問題があるためゲート電極材料として適
当ではない）。モリブデンやタングステン薄膜の
比抵抗は、容易に１×10-5Ω・cm程度と高濃度に
ドープした多結晶シリコン膜の比抵抗の100分の
１程度の低い値が得られる。また、二酸化シリコ
ン上に形成されたモリブデンやタングステン膜は
膜厚方向に軸を有する柱状結晶になるためホトエ
ツチング法等により微細パターンを形成する際に
もアンダーカツトが小さいという優れた特徴を有
している。
従来のシリコンゲート構造の高周波用トランジス
タや集積回路においては、ケート電極・配線部で
の抵抗による信号の応答あるいは伝播遅延が無視
できないレベルになつている。この問題を解決す
るため、多結晶シリコンの代りにモリブデンやタ
ングステンをゲート材料として用いることが検討
されている（他の高融点金属であるチタン、ジル
コニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ及び
タンタルは、洗浄や酸化シリコン膜のエツチング
に使用するフツ酸で容易にエツチングされてしま
うとか、高温熱処理時にゲート酸化膜と反応し易
いとかの問題があるためゲート電極材料として適
当ではない）。モリブデンやタングステン薄膜の
比抵抗は、容易に１×10-5Ω・cm程度と高濃度に
ドープした多結晶シリコン膜の比抵抗の100分の
１程度の低い値が得られる。また、二酸化シリコ
ン上に形成されたモリブデンやタングステン膜は
膜厚方向に軸を有する柱状結晶になるためホトエ
ツチング法等により微細パターンを形成する際に
もアンダーカツトが小さいという優れた特徴を有
している。
しかし、モリブデンゲートあるいはタングステ
ンゲート構造を採用した場合には、これらの金属
ゲートが外部からのナトリウム等のアルカリイオ
ンの侵入に対して障壁として働く効果が小さいこ
と、あるいは、これらの金属膜が柱状構造の多結
晶であるため、ソース・ドレイン形成用のイオン
注入の際にイオンの一部がゲート電極中をチヤネ
リングし、トランジスタのチヤネル領域にまで貫
通し、トランジスタの閾電圧等の特性の変動を引
起こすこと、さらには、高温熱処理時における再
結晶化に伴い結晶粒界に捕獲されていたアルカリ
イオンがゲート絶縁膜中に放出されたり、ゲート
電極とゲート絶縁膜との界面に応力が発生したり
する、等々の好ましくない現象がある。従つてモ
リブデン等の金属ゲート構造を用いた電界効果ト
ランジスタの安定性、信頼性はシリコンゲート構
造よりも劣ることとなり、高融点金属ゲート構造
の実用化への障碍になつている。
ンゲート構造を採用した場合には、これらの金属
ゲートが外部からのナトリウム等のアルカリイオ
ンの侵入に対して障壁として働く効果が小さいこ
と、あるいは、これらの金属膜が柱状構造の多結
晶であるため、ソース・ドレイン形成用のイオン
注入の際にイオンの一部がゲート電極中をチヤネ
リングし、トランジスタのチヤネル領域にまで貫
通し、トランジスタの閾電圧等の特性の変動を引
起こすこと、さらには、高温熱処理時における再
結晶化に伴い結晶粒界に捕獲されていたアルカリ
イオンがゲート絶縁膜中に放出されたり、ゲート
電極とゲート絶縁膜との界面に応力が発生したり
する、等々の好ましくない現象がある。従つてモ
リブデン等の金属ゲート構造を用いた電界効果ト
ランジスタの安定性、信頼性はシリコンゲート構
造よりも劣ることとなり、高融点金属ゲート構造
の実用化への障碍になつている。
本発明は、従来のシリコンゲート構造あるいは
モリブデンやタングステンゲート構造の電界効果
トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用い
た半導体装置の問題点を著しく減少せしめた新規
な金属系ゲート構造を用いた絶縁ゲート型電界効
果トランジスタを提供するものである。
モリブデンやタングステンゲート構造の電界効果
トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用い
た半導体装置の問題点を著しく減少せしめた新規
な金属系ゲート構造を用いた絶縁ゲート型電界効
果トランジスタを提供するものである。
本発明による絶縁ゲート型電界効果トランジス
タは、ゲート電極がモリブデンまたはタングステ
ンの窒化膜あるいは両者の合金の窒化膜を用いて
構成されているか、もしくはそれらの窒化物層を
含む複合膜により構成されていることを特徴とす
るものである。モリブデンおよびタングステンの
窒化物あるいは両者の合金の窒化物は通常導体で
ある（ここで窒化物という言葉は、一般的に化学
式MxNyで表わされ化学量論的組成比からずれた
窒素との化合物をも広い意味で窒化物と総称す
る。ここにＭはモリブデンまたはタングステンあ
るいは両者の合金を、Ｎは窒素元素を、ｘ，ｙは
整数を表わす。また、窒化物層という語も窒化物
と非窒化物とが混在し一つの層を成す場合にも適
用するものとする）。たとえば、モリブデンの窒
化物の一種であるMo2Nの薄膜の比抵抗は約２×
10-4Ω−cm程度であり、モリブデン薄膜のそれに
比して10〜20倍大きいが、高濃度にヒ素やリンを
ドープした多結晶シリコン膜と比較すると約５分
の１程度も小さい。従つて、上記Mo2Nなるモリ
ブデンの窒化膜をそのままゲート電極構造あるい
はまた集積回路の内部配線として用いることがで
き、従来の多結晶シリコンゲート構造に比してゲ
ート及び内部配線の抵抗は５分の１程度に減少せ
しめ得る。
タは、ゲート電極がモリブデンまたはタングステ
ンの窒化膜あるいは両者の合金の窒化膜を用いて
構成されているか、もしくはそれらの窒化物層を
含む複合膜により構成されていることを特徴とす
るものである。モリブデンおよびタングステンの
窒化物あるいは両者の合金の窒化物は通常導体で
ある（ここで窒化物という言葉は、一般的に化学
式MxNyで表わされ化学量論的組成比からずれた
窒素との化合物をも広い意味で窒化物と総称す
る。ここにＭはモリブデンまたはタングステンあ
るいは両者の合金を、Ｎは窒素元素を、ｘ，ｙは
整数を表わす。また、窒化物層という語も窒化物
と非窒化物とが混在し一つの層を成す場合にも適
用するものとする）。たとえば、モリブデンの窒
化物の一種であるMo2Nの薄膜の比抵抗は約２×
10-4Ω−cm程度であり、モリブデン薄膜のそれに
比して10〜20倍大きいが、高濃度にヒ素やリンを
ドープした多結晶シリコン膜と比較すると約５分
の１程度も小さい。従つて、上記Mo2Nなるモリ
ブデンの窒化膜をそのままゲート電極構造あるい
はまた集積回路の内部配線として用いることがで
き、従来の多結晶シリコンゲート構造に比してゲ
ート及び内部配線の抵抗は５分の１程度に減少せ
しめ得る。
又、窒素ガスを含む雰囲気中での活性スパツタ
リングによつてモリブデンまたはタングステンあ
るいは両者の合金の窒化膜MxNyを形成する場
合、窒素ガス濃度を変えることにより実効的な窒
化度（ｘとｙとの比、又は非窒化物と窒化物とが
混在している場合はその混在比）、従つて比抵抗、
を任意に制御し得ることが知られている。例え
ば、モリブデン窒化膜MoxNyの形成においても
ｘとｙとの比を２以上に上げることにより上記
Mo2Nなるモリブデン窒化膜の場合より更に比抵
抗を下げるような制御も可能である。タングステ
ンの窒化膜MxNyあるいはモリブデンとタングス
テンとの合金の窒化膜の形成に関しても上記モリ
ブデン窒化膜の場合と同様の性質を示しその比抵
抗もほぼ同程度の値にすることができるので、前
記モリブデン窒化膜MoxNyをゲートに用いた場
合と同等の効果が得られる。
リングによつてモリブデンまたはタングステンあ
るいは両者の合金の窒化膜MxNyを形成する場
合、窒素ガス濃度を変えることにより実効的な窒
化度（ｘとｙとの比、又は非窒化物と窒化物とが
混在している場合はその混在比）、従つて比抵抗、
を任意に制御し得ることが知られている。例え
ば、モリブデン窒化膜MoxNyの形成においても
ｘとｙとの比を２以上に上げることにより上記
Mo2Nなるモリブデン窒化膜の場合より更に比抵
抗を下げるような制御も可能である。タングステ
ンの窒化膜MxNyあるいはモリブデンとタングス
テンとの合金の窒化膜の形成に関しても上記モリ
ブデン窒化膜の場合と同様の性質を示しその比抵
抗もほぼ同程度の値にすることができるので、前
記モリブデン窒化膜MoxNyをゲートに用いた場
合と同等の効果が得られる。
また、モリブデンやタングステンの窒化膜は、
洗浄や酸化シリコン膜のエツチングに用いるフツ
酸に侵されないが、他の高融点金属（チタン、ジ
ルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ及
びタンタル）の窒化膜はフツ酸に容易に侵される
のでゲート電極として適当ではない。
洗浄や酸化シリコン膜のエツチングに用いるフツ
酸に侵されないが、他の高融点金属（チタン、ジ
ルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ及
びタンタル）の窒化膜はフツ酸に容易に侵される
のでゲート電極として適当ではない。
本発明は、従来のモリブデンあるいはタングス
テンゲート構造と比較しても次の様な利点を有す
る。モリブデンまたはタングステン、あるいは両
者の合金の窒化物MxNyはモリブデンまたはタン
グステン、あるいは両者の合金を単独に用いたと
きよりもアルカリイオン等の不純物の拡散に対し
てより強い障壁となるので、従来問題とされてい
た金属ゲート構造のアルカリイオン等の不純物に
よる不安定性が改善され、信頼性が向上する。
テンゲート構造と比較しても次の様な利点を有す
る。モリブデンまたはタングステン、あるいは両
者の合金の窒化物MxNyはモリブデンまたはタン
グステン、あるいは両者の合金を単独に用いたと
きよりもアルカリイオン等の不純物の拡散に対し
てより強い障壁となるので、従来問題とされてい
た金属ゲート構造のアルカリイオン等の不純物に
よる不安定性が改善され、信頼性が向上する。
又、モリブデンやタングステン及び両者の合金
は極めて酸化され易いため、電界効果トランジス
タの製造におけるイオン注入層のアニールや不純
物の熱拡散等の高温熱処理工程において、熱処理
雰囲気中の微量の酸素や水分により酸化されて絶
縁物になつたり昇華して無くなつてしまつたりす
るという欠点があるが、モリブデンまたはタング
ステンあるいは両者の合金の窒化物MxNyは純粋
のモリブデンまたはタングステンあるいは両者の
合金よりも耐酸化性においても勝つているので上
記問題点が軽減される。
は極めて酸化され易いため、電界効果トランジス
タの製造におけるイオン注入層のアニールや不純
物の熱拡散等の高温熱処理工程において、熱処理
雰囲気中の微量の酸素や水分により酸化されて絶
縁物になつたり昇華して無くなつてしまつたりす
るという欠点があるが、モリブデンまたはタング
ステンあるいは両者の合金の窒化物MxNyは純粋
のモリブデンまたはタングステンあるいは両者の
合金よりも耐酸化性においても勝つているので上
記問題点が軽減される。
更に、真空蒸着法等によつて形成した薄膜は、
一般に下地基板との間に応力を生じ、その値や方
向（引張り方向か圧縮方向か）は薄膜の形成条件
に依存する。たとえば、高周波スパツタ法によつ
て形成した体心立方格子構造の純度の良いモリブ
デン薄膜は基板との間に大きな応力が生じクラツ
クが発生したりするのに対し、面心立方格子構造
のモリブデンの窒化膜MxNyはほとんどの基板に
良い密着性を示しかつ応力の値も小さいことが報
告されている（アール・エス・ノウイツク（R.S.
Nowick）他著によるジヤーナル・オブ・バキユ
ウム・サイエンス・アンド・テクノロジー
（Journal of Vacuum Science and
Technology）誌1974年発行第11巻４号675乃至
679頁所載論文）。従つて適切な窒化度を選ぶこと
により、絶縁ゲートとして用いた場合に極めて応
力の低い状態を実現することができ、半導体製造
工程において発生する応力に起因する基板のたわ
み等による良品率の低減あるいは半導体特性の低
下等々の欠点を従来に比して大幅に低減すること
ができる。
一般に下地基板との間に応力を生じ、その値や方
向（引張り方向か圧縮方向か）は薄膜の形成条件
に依存する。たとえば、高周波スパツタ法によつ
て形成した体心立方格子構造の純度の良いモリブ
デン薄膜は基板との間に大きな応力が生じクラツ
クが発生したりするのに対し、面心立方格子構造
のモリブデンの窒化膜MxNyはほとんどの基板に
良い密着性を示しかつ応力の値も小さいことが報
告されている（アール・エス・ノウイツク（R.S.
Nowick）他著によるジヤーナル・オブ・バキユ
ウム・サイエンス・アンド・テクノロジー
（Journal of Vacuum Science and
Technology）誌1974年発行第11巻４号675乃至
679頁所載論文）。従つて適切な窒化度を選ぶこと
により、絶縁ゲートとして用いた場合に極めて応
力の低い状態を実現することができ、半導体製造
工程において発生する応力に起因する基板のたわ
み等による良品率の低減あるいは半導体特性の低
下等々の欠点を従来に比して大幅に低減すること
ができる。
また、モリブデンゲートあるいはタングステン
ゲート構造では、トランジスタの閾電圧のウエハ
内、ウエハ間およびロツト間のバラツキが大き
い、すなわち、閾電圧の制御性が悪いという問題
がある。これは、これらの金属ゲートをマスクと
してイオン注入法によつてソース・ドレインを形
成すると、これらの金属膜が一般に柱状構造を有
する多結晶であるため、イオンの一部がこれらの
金属ゲート中をチヤネリングしチヤネル領域にま
で貫通するためである。モリブデンまたはタング
ステンあるいはそれらの合金の窒化膜を用いる
と、これらの窒化膜はモリブデンまたはタングス
テンあるいは両者の合金膜より非晶質的であるの
でチヤネリングを防止でき、閾電圧の制御性を改
善できる。
ゲート構造では、トランジスタの閾電圧のウエハ
内、ウエハ間およびロツト間のバラツキが大き
い、すなわち、閾電圧の制御性が悪いという問題
がある。これは、これらの金属ゲートをマスクと
してイオン注入法によつてソース・ドレインを形
成すると、これらの金属膜が一般に柱状構造を有
する多結晶であるため、イオンの一部がこれらの
金属ゲート中をチヤネリングしチヤネル領域にま
で貫通するためである。モリブデンまたはタング
ステンあるいはそれらの合金の窒化膜を用いる
と、これらの窒化膜はモリブデンまたはタングス
テンあるいは両者の合金膜より非晶質的であるの
でチヤネリングを防止でき、閾電圧の制御性を改
善できる。
以上述べてきたことにより、本発明を実施した
半導体装置においては、従来のシリコンゲート構
造やモリブデンあるいはタングステンゲート構造
における欠点を著しく減少せしめ得ることが明ら
かにされたが、次に本発明の典型的な実施例につ
いて図を用いて具体的に説明する。
半導体装置においては、従来のシリコンゲート構
造やモリブデンあるいはタングステンゲート構造
における欠点を著しく減少せしめ得ることが明ら
かにされたが、次に本発明の典型的な実施例につ
いて図を用いて具体的に説明する。
第１図は、ゲート電極を単一のモリブデン窒化
物MoxNy（ｘ２，ｙ１）層で構成した絶縁ゲ
ート型電界効果トランジスタ部の断面概略図であ
る。１０はシリコン単結晶基板を、１１はモリブ
デン窒化物よりなるゲート電極を、１２及び１３
はソース及びドレインの高濃度ドーピング領域
を、１４はゲート絶縁膜としての二酸化シリコン
膜を、それぞれ示す。１５及び１６は、ソース１
２及びドレイン１３へのオーム接触と内部配線を
兼ねた金属薄膜パターンである。
物MoxNy（ｘ２，ｙ１）層で構成した絶縁ゲ
ート型電界効果トランジスタ部の断面概略図であ
る。１０はシリコン単結晶基板を、１１はモリブ
デン窒化物よりなるゲート電極を、１２及び１３
はソース及びドレインの高濃度ドーピング領域
を、１４はゲート絶縁膜としての二酸化シリコン
膜を、それぞれ示す。１５及び１６は、ソース１
２及びドレイン１３へのオーム接触と内部配線を
兼ねた金属薄膜パターンである。
第２図は、ゲート電極が二層薄膜により構成さ
れている実施例で２１ａはモリブデン窒化膜Mox
Nyを、２１ｂはモリブデン膜を、それぞれ示す。
この実施例では、第１図の実施例に比べてゲート
電極及びゲート電極構成を用いた集積回路の内部
配線の抵抗値が数分の１以下に減少する。
れている実施例で２１ａはモリブデン窒化膜Mox
Nyを、２１ｂはモリブデン膜を、それぞれ示す。
この実施例では、第１図の実施例に比べてゲート
電極及びゲート電極構成を用いた集積回路の内部
配線の抵抗値が数分の１以下に減少する。
本実施例においては0.1μmのMo2Nと0.2μmの
Moの二層構造を用いたが、この場合の層抵抗は
約0.4Ω／□とMo2Nのみを用いた場合より約１
桁減少せしめ得た。又、Mo2Nの替りにW2Nを
30％含むMoとＷ合金の窒化膜を用いた場合にも
良好な結果が得られた。
Moの二層構造を用いたが、この場合の層抵抗は
約0.4Ω／□とMo2Nのみを用いた場合より約１
桁減少せしめ得た。又、Mo2Nの替りにW2Nを
30％含むMoとＷ合金の窒化膜を用いた場合にも
良好な結果が得られた。
なお、いずれの実施例においても、モリブデン
窒化膜の形成は窒素ガスを含むアルゴン雰囲気中
でモリブデンターゲツトを用いた反応性スパツタ
リングにより形成し、モリブデン膜もやはりスパ
ツタリングによつて形成したが、これはスパツタ
リング法による必然性があるわけでなく、例えば
電子ビーム蒸着法によつてそれらの膜を形成する
ことも可能である。また、モリブデンもモリブデ
ンの窒化膜も四塩化炭素と酸素との混合ガスを用
いた反応性イオンエツチングによりパターン化し
た。タングステンとタングステン窒化膜も、同じ
方法でパターン化可能である。
窒化膜の形成は窒素ガスを含むアルゴン雰囲気中
でモリブデンターゲツトを用いた反応性スパツタ
リングにより形成し、モリブデン膜もやはりスパ
ツタリングによつて形成したが、これはスパツタ
リング法による必然性があるわけでなく、例えば
電子ビーム蒸着法によつてそれらの膜を形成する
ことも可能である。また、モリブデンもモリブデ
ンの窒化膜も四塩化炭素と酸素との混合ガスを用
いた反応性イオンエツチングによりパターン化し
た。タングステンとタングステン窒化膜も、同じ
方法でパターン化可能である。
本実施例では、モリブデンまたはタングステン
あるいは両者の合金の窒化膜がゲート絶縁膜と接
する構造（金属膜／金属窒化膜／ゲート絶縁膜構
造）について示したが、前述の様に、モリブデン
やタングステン窒化膜がモリブデンやタングステ
ンより耐酸化性によ勝ることを活かして、モリブ
デンやタングステンあるいは両者の合金がゲート
絶縁膜に接する構造（金属窒化膜／金属膜／ゲー
ト絶縁膜構造）とすることもできる。
あるいは両者の合金の窒化膜がゲート絶縁膜と接
する構造（金属膜／金属窒化膜／ゲート絶縁膜構
造）について示したが、前述の様に、モリブデン
やタングステン窒化膜がモリブデンやタングステ
ンより耐酸化性によ勝ることを活かして、モリブ
デンやタングステンあるいは両者の合金がゲート
絶縁膜に接する構造（金属窒化膜／金属膜／ゲー
ト絶縁膜構造）とすることもできる。
第１図及び第２図は、本発明を実施した絶縁ゲ
ート型トランジスタ部の構成を説明するための断
面概略図である。 １０……シリコン単結晶基板、１１……窒化モ
リブデンゲート電極、１２……ソース高濃度ドー
ピング領域、１３……ドレイン高濃度ドーピング
領域、１４……二酸化シリコンゲート絶縁膜、１
５……ソース電極、１６……ドレイン電極、２１
ａ……窒化モリブデンゲート電極層、２１ｂ……
モリブデンゲート電極層。
ート型トランジスタ部の構成を説明するための断
面概略図である。 １０……シリコン単結晶基板、１１……窒化モ
リブデンゲート電極、１２……ソース高濃度ドー
ピング領域、１３……ドレイン高濃度ドーピング
領域、１４……二酸化シリコンゲート絶縁膜、１
５……ソース電極、１６……ドレイン電極、２１
ａ……窒化モリブデンゲート電極層、２１ｂ……
モリブデンゲート電極層。
Claims (1)
- １ ゲート電極が、モリブデンまたはタングステ
ンあるいは両者の合金、の窒化膜を用いて構成さ
れているか、もしくは、該金属の窒化膜と前記金
属膜との複合膜により構成されていることを特徴
とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9706978A JPS5524454A (en) | 1978-08-08 | 1978-08-08 | Insulating gate type field effect transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9706978A JPS5524454A (en) | 1978-08-08 | 1978-08-08 | Insulating gate type field effect transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5524454A JPS5524454A (en) | 1980-02-21 |
| JPS6327864B2 true JPS6327864B2 (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=14182345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9706978A Granted JPS5524454A (en) | 1978-08-08 | 1978-08-08 | Insulating gate type field effect transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5524454A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877257A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-10 | Hitachi Ltd | 超高信頼性電極 |
| US4605947A (en) * | 1983-03-07 | 1986-08-12 | Motorola Inc. | Titanium nitride MOS device gate electrode and method of producing |
| US4570328A (en) * | 1983-03-07 | 1986-02-18 | Motorola, Inc. | Method of producing titanium nitride MOS device gate electrode |
| JPS6254960A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Nec Corp | Ｍｉｓ形電界効果トランジスタ |
| JPS63174371A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-18 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
| US7245018B1 (en) | 1999-06-22 | 2007-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring material, semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof |
| US6661096B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring material semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507430A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-25 | ||
| JPS5365088A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1978
- 1978-08-08 JP JP9706978A patent/JPS5524454A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507430A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-25 | ||
| JPS5365088A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5524454A (en) | 1980-02-21 |
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