JPS5845624A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS5845624A JPS5845624A JP56142824A JP14282481A JPS5845624A JP S5845624 A JPS5845624 A JP S5845624A JP 56142824 A JP56142824 A JP 56142824A JP 14282481 A JP14282481 A JP 14282481A JP S5845624 A JPS5845624 A JP S5845624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- recording medium
- magnetic recording
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体、特に金属磁性薄膜摸より成る磁
性層を有する磁気記録媒体に関する。
性層を有する磁気記録媒体に関する。
このように金属薄膜磁性層による磁気記録媒体は磁性層
にバインダーが混入されないことから充填密度の向上を
はかることができ、高密度記録媒体として丁ぐれ脚光を
浴びるに至っている。
にバインダーが混入されないことから充填密度の向上を
はかることができ、高密度記録媒体として丁ぐれ脚光を
浴びるに至っている。
そしてこの種の磁気記録媒体の磁性材料としてコバルト
ＣＯは結晶磁気異方性が大きく、高抗磁力が得られ、ま
たかなり化学的に安定である、等の特徴を持ち、すぐれ
た磁気記録媒体になり得る可能性を持っている。しかし
、このコバル） Ｃｏを非磁性支持体に単に蒸着しても
その抗磁力は１０００ｅ以下であり、磁気記録媒体とし
ては不適蟲である。
ＣＯは結晶磁気異方性が大きく、高抗磁力が得られ、ま
たかなり化学的に安定である、等の特徴を持ち、すぐれ
た磁気記録媒体になり得る可能性を持っている。しかし
、このコバル） Ｃｏを非磁性支持体に単に蒸着しても
その抗磁力は１０００ｅ以下であり、磁気記録媒体とし
ては不適蟲である。
これを解決する方法としてこのコバルトＣｏ化非磁性支
持体に対して斜め蒸着すると高い抗磁力が得られること
が知られているが、この場合その蒸着方向を被蒸着面に
対し４０°〜８０°に傾むける必要があることから蒸着
効率が低く生産性に問題がある。また、コバルトｃｏの
蒸着においてクロムＣｒの下地層を用いる方法即ち、コ
バルトＣｏ／クロムＣｒの２層構造とした薄膜磁気記録
媒体も知られているが、この金層磁性薄膜２層構造の場
合、金属磁性薄膜の蒸着において非磁性支持体の温度が
重要な因子となり例えば４ （１（ｌｏｅ以上の抗磁力
Ｈｅを得るには、コバルト６０層の膜厚な４００λとし
たとき、基板温度Ｔｓを３００１？以上としなければな
らず、このため抗磁力Ｈｃを４０００ｅ以上得るには、
ポリエチレンテレフタレー）（ＰＥＴ）の如き耐熱性に
乏しい高分子フィルムを非磁性支持体の材料として用い
ることは困難であった。
持体に対して斜め蒸着すると高い抗磁力が得られること
が知られているが、この場合その蒸着方向を被蒸着面に
対し４０°〜８０°に傾むける必要があることから蒸着
効率が低く生産性に問題がある。また、コバルトｃｏの
蒸着においてクロムＣｒの下地層を用いる方法即ち、コ
バルトＣｏ／クロムＣｒの２層構造とした薄膜磁気記録
媒体も知られているが、この金層磁性薄膜２層構造の場
合、金属磁性薄膜の蒸着において非磁性支持体の温度が
重要な因子となり例えば４ （１（ｌｏｅ以上の抗磁力
Ｈｅを得るには、コバルト６０層の膜厚な４００λとし
たとき、基板温度Ｔｓを３００１？以上としなければな
らず、このため抗磁力Ｈｃを４０００ｅ以上得るには、
ポリエチレンテレフタレー）（ＰＥＴ）の如き耐熱性に
乏しい高分子フィルムを非磁性支持体の材料として用い
ることは困難であった。
本発明は、上述の点に鑑み磁気的に等方性で且つ高抗磁
力を有し、しかも耐熱性に乏しい非磁性支持体の使用を
可能にした磁気記録媒体を提供するものである。
力を有し、しかも耐熱性に乏しい非磁性支持体の使用を
可能にした磁気記録媒体を提供するものである。
本発明による磁気記録媒体は、タリウムＴＱの下地層及
びその上の金属磁性薄膜例えばコバルトＣＯ層から成る
２層構造膜を基本とした磁性薄膜を有して成ることを特
徴とする。即ち、本発明は第１図の拡大断面図で示すよ
うに、非磁性支持体（１）の主面上にタリウムＴＲ下地
層（２）を蒸着し、その上にコバル） Ｃｏ層（３）を
蒸着して磁気記録媒体（４）を構成する。
びその上の金属磁性薄膜例えばコバルトＣＯ層から成る
２層構造膜を基本とした磁性薄膜を有して成ることを特
徴とする。即ち、本発明は第１図の拡大断面図で示すよ
うに、非磁性支持体（１）の主面上にタリウムＴＲ下地
層（２）を蒸着し、その上にコバル） Ｃｏ層（３）を
蒸着して磁気記録媒体（４）を構成する。
非磁性支持体（１）としては高分子フィルム（ポリイミ
ド、ポリエチレンテレフタレート等）、ガラス板、セラ
ミック板或いは表面を酸化した金属板等を使用できる。
ド、ポリエチレンテレフタレート等）、ガラス板、セラ
ミック板或いは表面を酸化した金属板等を使用できる。
蒸着時の支持体（１）の温度は７０℃〜１５０Ｃに選び
、またタリウムＴＱ下地層（２）の膜厚は５０ｆ以上と
し、さらにコバル） Ｃｏ層（３）の膜厚は２００Ｘ〜
５５０Ｘとするのが好ましい。なお、コバ及８００層（
３）の膜厚は磁化量から算出したものである。
、またタリウムＴＱ下地層（２）の膜厚は５０ｆ以上と
し、さらにコバル） Ｃｏ層（３）の膜厚は２００Ｘ〜
５５０Ｘとするのが好ましい。なお、コバ及８００層（
３）の膜厚は磁化量から算出したものである。
第２図は本発明に適用される蒸着装置の概略な示すもの
である。同図において、■）は真空ポンプにょろり磁気
（１２＋によって例えば真空度略５ＸＩＯ’Ｔｏｒｒと
なした真空容器を示し、この容器θυ内に蒸発源（ＩＪ
と、被蒸着体の非磁性支持体（１）が配される。
である。同図において、■）は真空ポンプにょろり磁気
（１２＋によって例えば真空度略５ＸＩＯ’Ｔｏｒｒと
なした真空容器を示し、この容器θυ内に蒸発源（ＩＪ
と、被蒸着体の非磁性支持体（１）が配される。
この非磁性支持体（１）は基板ボルダ−０最によって支
持され、且つ基板ホルダー０５）に供給される熱媒体（
１６）によって所定の基板温度に保持される。蒸発源（
■３）は例えば電子ビームの衝撃により加熱蒸発される
。なお、蒸発源（１３）の蒸発は抵抗加熱法、高周波誘
導加熱法によることもでき、又非磁性支持体（１，）と
蒸発源（１３）との間にはシャッター０７）が配される
。
持され、且つ基板ホルダー０５）に供給される熱媒体（
１６）によって所定の基板温度に保持される。蒸発源（
■３）は例えば電子ビームの衝撃により加熱蒸発される
。なお、蒸発源（１３）の蒸発は抵抗加熱法、高周波誘
導加熱法によることもでき、又非磁性支持体（１，）と
蒸発源（１３）との間にはシャッター０７）が配される
。
尚、各膜厚は水晶振動子モニタで制御し得る。
次に本発明による実施例を説明する。
実施例１
第２図に示す蒸着装置を用いて、ポリエチレンテレフタ
レートフィルムより成る非磁性支持体（１）を１００Ｃ
に加熱し、これの上にタリウムのＴｇ蒸着膜（２）を３
００Ｘの膜厚に蒸着し、さらにこれの上にコバル） Ｃ
ｏ層（３）を４００Ｘの厚さに蒸着して磁気記録媒体を
得た。
レートフィルムより成る非磁性支持体（１）を１００Ｃ
に加熱し、これの上にタリウムのＴｇ蒸着膜（２）を３
００Ｘの膜厚に蒸着し、さらにこれの上にコバル） Ｃ
ｏ層（３）を４００Ｘの厚さに蒸着して磁気記録媒体を
得た。
この実施例による磁気記録媒体は抗磁力ＴＩｃが４１０
０ｅで角型比＆が０７４であった。
０ｅで角型比＆が０７４であった。
実施例２
上側と同様に第２図に示す蒸着装置を用いて、非磁性支
持体ｔｌ）を１２０Ｃに加熱し、タリウムＴｅ蒸着膜（
２）を３００ Ｘの膜厚に蒸着し、これの上にコバル）
Ｃｏ層（３）を４００Åり厚さに蒸着して磁気記録媒
体を得た。
持体ｔｌ）を１２０Ｃに加熱し、タリウムＴｅ蒸着膜（
２）を３００ Ｘの膜厚に蒸着し、これの上にコバル）
Ｃｏ層（３）を４００Åり厚さに蒸着して磁気記録媒
体を得た。
この実施例による磁気記録媒体は抗磁力ｆ（ｃが４２０
０ｅで角型比Ｒｓが０．７８テあツタ。
０ｅで角型比Ｒｓが０．７８テあツタ。
上記実施例の他に非磁性支持体の加熱温度を１２０Ｃ一
定、タリウムＴＱ下地層の膜厚をａｏｏＸ一定とし、コ
バル） Ｃｏ層の膜厚を変えた実施例のコバ及８００層
の膜厚に対する抗磁力Ｈｃの特性を第３図に示す。
定、タリウムＴＱ下地層の膜厚をａｏｏＸ一定とし、コ
バル） Ｃｏ層の膜厚を変えた実施例のコバ及８００層
の膜厚に対する抗磁力Ｈｃの特性を第３図に示す。
第４図はコバル） Ｃｏ層の膜厚を４００ Ｘ一定とし
、タリウムＴＱ下地層の膜厚及び非磁性支持体の加熱温
度を変えた実施例における非磁性支持体の加熱温度に対
する抗磁力Ｈｃの特性を示す。但し、・印、×印及び○
印は夫々タリウムＴ２下地層の膜厚２００Ｘ 、 ３０
０Ｘ及び５００Ｘの場合である。
、タリウムＴＱ下地層の膜厚及び非磁性支持体の加熱温
度を変えた実施例における非磁性支持体の加熱温度に対
する抗磁力Ｈｃの特性を示す。但し、・印、×印及び○
印は夫々タリウムＴ２下地層の膜厚２００Ｘ 、 ３０
０Ｘ及び５００Ｘの場合である。
以上の結果から明らかなように本発明による磁気記録媒
体は非磁性支持体の温度が７０Ｃ〜１５０Ｃ。
体は非磁性支持体の温度が７０Ｃ〜１５０Ｃ。
タリウム貴下地層の膜厚が５０Ｘ・〜５００Ｘ及びコバ
及８００層の膜厚が２００ｘ〜５５０Ｘにおいて抗磁力
Ｈｃ ＝ ２８００ｅ 〜４２００ｅを得ることができ
る。
及８００層の膜厚が２００ｘ〜５５０Ｘにおいて抗磁力
Ｈｃ ＝ ２８００ｅ 〜４２００ｅを得ることができ
る。
そして、特に非磁性支持体の温度が１２ｆ） Ｃ，タリ
ウム貴下地層の膜厚３００Ｘ及びコバル）−Ｃｏ層の膜
厚４００Ｘのとき高抗磁力Ｈｅが得られることから、例
えばポリエチレンテレフタレートの如き比較的耐熱性に
乏しい高分子フィルムも非磁性支持体の材料として使用
することが出来、支持体材料の選択の自由度が増大する
。
ウム貴下地層の膜厚３００Ｘ及びコバル）−Ｃｏ層の膜
厚４００Ｘのとき高抗磁力Ｈｅが得られることから、例
えばポリエチレンテレフタレートの如き比較的耐熱性に
乏しい高分子フィルムも非磁性支持体の材料として使用
することが出来、支持体材料の選択の自由度が増大する
。
また、非磁性支持体として高分子フィルムを用いた場合
、その高分子フィルム上に先ず下地層として低沸点（１
４５７Ｃ）のタリウムＴＱ層を蒸着するため、タリウム
ＴＲ層蒸着に際しての蒸発の加熱パワーは少くて済み、
高分子フィルムの熱輻射は小さい。次いで上層のコバ及
８００層は高沸点（３１８５ｔｌ’）であるために蒸着
に要する加熱パワーは犬きぐ、熱輻射は大きいがタリウ
ムＴＱ層が付着されているので高分子フィルム上へは直
接の熱輻射は小さく熱変形が少くなる。
、その高分子フィルム上に先ず下地層として低沸点（１
４５７Ｃ）のタリウムＴＱ層を蒸着するため、タリウム
ＴＲ層蒸着に際しての蒸発の加熱パワーは少くて済み、
高分子フィルムの熱輻射は小さい。次いで上層のコバ及
８００層は高沸点（３１８５ｔｌ’）であるために蒸着
に要する加熱パワーは犬きぐ、熱輻射は大きいがタリウ
ムＴＱ層が付着されているので高分子フィルム上へは直
接の熱輻射は小さく熱変形が少くなる。
なお、上側では非磁性支持体上にタリウム實下地層とコ
バル） Ｃｏ層の２層構造の磁性薄膜を蒸着して構成し
た場合であるが、その他必要な磁束をとるためにタリウ
ムＴＱ下地層とコバルト００層の２層構造を基本とした
磁性薄膜を多層化することも可能である。また、上側で
は金属磁性薄膜としてコバルト単体を用いたが、その他
の金属磁性薄膜例えばＣｏ−Ｎｉ合金等を用いることも
できる。
バル） Ｃｏ層の２層構造の磁性薄膜を蒸着して構成し
た場合であるが、その他必要な磁束をとるためにタリウ
ムＴＱ下地層とコバルト００層の２層構造を基本とした
磁性薄膜を多層化することも可能である。また、上側で
は金属磁性薄膜としてコバルト単体を用いたが、その他
の金属磁性薄膜例えばＣｏ−Ｎｉ合金等を用いることも
できる。
上述したように本発明によれば、磁気記録媒体は金属磁
性材の斜め蒸着によらずして高抗磁力の磁性層を得るこ
とができるので、蒸着効率を高めることができると共に
タリウムＴＱの下地層は通常の蒸着法で形成できるので
生産性の向上をはかることができてコストの低減が可能
となり、また非磁性支持体は百数十度の温度に加熱する
たけで良いので支持体として′１−ぐれた性能を有する
ポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フィル
ムを使用でき、各種使用態様、目的に応じた磁気記録媒
体を構成できる等の効果を有する。
性材の斜め蒸着によらずして高抗磁力の磁性層を得るこ
とができるので、蒸着効率を高めることができると共に
タリウムＴＱの下地層は通常の蒸着法で形成できるので
生産性の向上をはかることができてコストの低減が可能
となり、また非磁性支持体は百数十度の温度に加熱する
たけで良いので支持体として′１−ぐれた性能を有する
ポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フィル
ムを使用でき、各種使用態様、目的に応じた磁気記録媒
体を構成できる等の効果を有する。
第１図は本発明の磁気記録媒体の一例を示す拡大断面図
、第２図は本発明に適用される蒸着装置の概略図、第３
図及びｍ４図は夫々本発明の磁気記録媒体の特性図であ
る。 図中（］）は非磁性支持体、（２）はタリウム實下地層
、（３）はコバルト００層である。 第１図 第２図
、第２図は本発明に適用される蒸着装置の概略図、第３
図及びｍ４図は夫々本発明の磁気記録媒体の特性図であ
る。 図中（］）は非磁性支持体、（２）はタリウム實下地層
、（３）はコバルト００層である。 第１図 第２図
Claims (1)
- 非磁性支持体と、タリウムより成る下地層と、該下地層
上に形成された厚さ２００Ｘ乃至５５０Ｘの金Ｒａ性薄
膜より成る磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142824A JPS5845624A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142824A JPS5845624A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5845624A true JPS5845624A (ja) | 1983-03-16 |
Family
ID=15324471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56142824A Pending JPS5845624A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5845624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61117962U (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-25 |
-
1981
- 1981-09-10 JP JP56142824A patent/JPS5845624A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61117962U (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-25 | ||
| JPH026303Y2 (ja) * | 1985-01-09 | 1990-02-15 |
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