JPS60202525A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気記録媒体に関する。

背景技術とその問題点 近年、磁気記録の高密度化の目的で磁性薄膜型の磁気記
録媒体即ち非磁性基体上に真空蒸着、スパッタリング等
の方法によりＣｏ、　Ｐａ、　Ｎｌ或いはこれらの合金
による強磁性薄膜を形成させた磁気記録媒体についての
研究が盛んである。

このような磁性＊ｉｉ＋型の磁気記録媒体において、面
内方向に高い抗磁力Ｈｃを得るには、強磁性金属材を非
磁性基体に対して斜め蒸着して（所謂斜め蒸着法で）磁
性層を形成する方法、或いは非磁性基体上にＣｏを下地
として基体温度を３００℃以上でＣｏを蒸着して磁性層
を形成する方法等が提案されている。

しかし乍ら、前者の斜め蒸着法の場合には蒸着効率が数
％と低く生産性に問題があった。また後者の方法の場合
には基体温度を高くする必要があるため、非磁性基体と
してポリエチレンテレフタレートの如き耐熱性に劣る轟
分子フィルムが使用できないという欠点があった。

発明の目的 本発明は、上述の点に鑑み、磁気特性に優れると共に、
作製条件が改善される磁気記録媒体を提供するものであ
る。

発明の概要 本発明は、非磁性基体上にＩｎ層と金属磁性層を連続し
て蒸着、スパッタリング等の気相メッキにより形成して
成る磁気記録媒体である。

この発明の磁気記録媒体では、高い抗磁力及び角形比が
得られ、且つ低い基体温度での磁性層の形成が可能とな
り、磁気記録媒体の作製条件が改善される。

実施例 以下、本発明の詳細な説明する。

本発明においては、非磁性基体上に蒸着、スパッタリン
グ等の所謂気相メッキによってＩｎ層と金属磁性層とを
連続して形成して磁気記録媒体を得る。

非磁性基体としては、例えばポリエチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等の高
分子フィルムを用い得る。

下地のＩｎ層は非磁性基体上に蒸着或いはスパッタリン
グ等の気相メッキによって被着するもので、その厚さは
５０人〜５００人に選定される。

金属磁性層はＩｎ層上に蒸着或いはスパッタリング等の
気相メッキによってＣｏ、　Ｐｇ、　Ｎｉのいずれか、
或いはその合金を１００人〜１０００人の厚さに被着す
ることによって形成し得る。

また、Ｉｎ層及び金属磁性層の気相メッキ時の非磁性基
体の基体温度は室温〜１００℃程度に選び得る。

第１図は本発明に連用される蒸着装置である。

この蒸着装置ｉｌｌは真空チャンバー（２）内に金属キ
ャン（３）が設けられ、これを繞って例えば非磁性基体
（４）が供給リール（５）及び巻取リール（６）間に走
行するようになされる。一方、金属キャン（３）に対向
してＩｎ蒸着源（７）と金属磁性層の蒸着源例えばＣｏ
の蒸着源（８）が配置される。（９）は蒸着源（７）及
び（８）よりの各金属蒸気流を相互に遮蔽する遮蔽板で
、両蒸着源（７）及び（８）間から金属キャン（３）の
前方に渡って設けられる。　０１は各蒸着源（７）及び
（８）と金属キャン（３）との間に配置されたシャッタ
ーである。なお、蒸着源（７）及び（８）は例えば図示
しないが電子、銃からの電子ビームの衝撃によって蒸着
材が蒸発するようになされる。この装置では、非磁性基
体（４）の走行途上において先ずＩｎ蒸着源（７）から
Ｉｎの蒸着をなして基体（４）上にＩｎ蒸着膜を形成し
、引き続いてこれの上に例えばＣｏ蒸着源（８）からの
Ｃｏを蒸着して金属磁性層を被着形成するようになす。

実施例１ 上記蒸着装置（１１を使用し、ポリイミドフィルムより
なる非磁性基体（４）上にＩｎを蒸着し、引続きその上
にＧｏを３００人の厚さに蒸着してｉｎ下地層上にｃｏ
磁性層を被着した。そして、このときＩｎの厚みを種々
変えて蒸着し、各磁気記録媒体を作製した。

基体温度を室温にして蒸着して得た各磁気記録媒体を思
料＾−１，＾−２，Ａ−３及び八−４とし、基体温度を
１１０℃にして蒸着して得た各磁気記録媒体を試料Ｂ−
１，Ｂ−２，Ｂ−３及びＢ−４とした。各試料の作製条
件を表１に示す。

表　１ 上記各試料について抗磁力Ｈｃを測定した結果を第２図
に、角形非Ｒ３を測定した結果を第３図に夫々示す、同
図において曲線（１）、（１）は試料へ−１〜Ａ−４の
もの、曲線（ＩＩ）　、（Ｉｔ／）は試料Ｂ−１〜Ｂ−
４のものである。

第２図及び第３図より明らかなようにＩｎ下地層は抗磁
力託の向上に効果、があり、また角形比Ｒｓも８０％以
上と高い、基体温度による差はあまりなく、むしろ低い
温度の方が角形比Ｒ３の減少がゆるやかで、磁気特性と
して良好である０本例ではＩｎ層及びＣｏ層がほぼ垂直
蒸着で形成されるので、抗磁力Ｈｃ及び角形比Ｒｓは膜
面内で異方性はなく等友釣であった。

そして、基体温度としてはポリエチレンテレフタレート
のガラス転移温度即ち約８０℃以下で膜作製ができる。

このため非磁性基体としては耐熱性に劣るポリエチレン
テレフタレートフィルムなどの使用が可能となる。

尚、金属磁性層は一層に限られるものではなく、上述の
Ｉｎ下地層を介在させた多層構造とすることもできる。

また、上側ではＩｎ層及び金属磁性層を蒸着で形成した
が、その他スパッタリング等にても形成できる。

発明の効果 上述した本発明によれば、非磁性基体上にＩｎ層を介し
て金属磁性層を形成することにより、高い抗磁力Ｈｅを
得、また高い角形比Ｒｓを得ることができる。そして、
下地のＩｎ層が低融点金属であり、例えば約８０℃以下
の低い基体温度での膜作製ができるので、非磁性基体と
して耐熱性に劣る高分子フィルム特にポリエチレンテレ
フタレートフィルムの使用が可能となる。

また、垂直方向の気相メッキで金属磁性層が形成される
ので、金属磁性層のバンキングが密になり磁束密度が高
くなる。また斜め蒸着法に比して垂直蒸着であるので蒸
着効率が高く生産性が向上する。さらに磁気的に面内等
方性の磁性層であるためテープ、ディスク等応用範囲が
極めて広い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に適用される蒸着装置の例を示す構成図
、第２図は本発明の実施例のＩｎ層の厚に対する抗磁力
の関係を示す特性図、第３図は同様のＩｎ層の厚さに対
する角形比の関係を示す特性図である。 （２）は真空チャンバー、（３）は金属キャン、（４）
は非磁性基体、１５１１６）はリール、（７）はＩｎ蒸
着源、（８）は金属磁性材の蒸着源である。 第２図 第３図 １ｎ４ａＪｌ？（λ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性基体上に１１層と金属磁性層が連続して気相メッ
   キにより形成されて成る磁気記録媒体。