JPS6379954A - 磁気構造を製作する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、磁気膜、特に磁気記録に用いられるコバル
ト−ニッケル膜のようなものを析出するための下層また
はサブストレートに関するものであり、より特定的には
、そのような下層としてバナジウム材料を析出する方法
に関するものである。

背景、新規性の特徴 磁気記録技術に従事する作業者は、薄膜媒体（たとえば
微粒子媒体に対立するものとして）を用いて、たとえば
高い線形記録密度を達成することの利点に気付いている
。たとえば、Ｃｏ　　Ｎ　ｉ膜は、優れた長手記録媒体
となる。

これは、磁気薄膜、特に高度の磁気記録のために用いら
れるようなＣｏ−Ｎｉ膜を析出するための下層としてバ
ナジウム材料を用いることと関係がある。

したがって、この発明の目的は、述べた結果を実現し、
かつ列挙した問題を少なくとも一部分軽減し、かつ特定
的には、ｃｏ−Ｎ＋磁気薄膜を析出するためのバナジウ
ム下層構造の析出を教示することである。

この発明のこれらおよび他の特徴および利点は、作業者
によって、添付の図面に関連して考えられるべきこの好
ましい実施例の次の詳細な説明を参照することによって
よりよく理解されるようになるにつれて認識され、ここ
で同じ参照記号は同じエレメントを表わす。

好ましい実施例の説明 一般的な説明、背景 第１図は、この発明の原理に従って構成されるバナジウ
ム下層３を概略的に図解する。ここで議論されるこの、
ならびに他の膜および材料は、−般に、別な方法で特定
化される場合を除いて、当該技術分野において現在公知
であるように構成されかつ動作するものと理解されにう
。また、別な方法で特定化されるときを除いて、ここで
のすべての材料、方法および装置は、現在の妥当な慣例
に従って公知の手段によって実現されるものと理解され
よう。

一〇− −　・なＣｏ−Ｎｉ膜 本願発明の最初の例（下記）は、Ｃｏ−Ｎ１膜について
のものである。スパッタリングされたＣｏ−Ｎｉ薄膜は
、高度な長手磁気媒体としての優れた候補と考えられる
［たとえばアール・ディー・フィッシャー（Ｒ，Ｄ、　
Ｆｌｓｈｅｒ　）によるイタリアのフエラーラでのＭＲ
Ｒ１９８，３年磁気記録媒体に関する国際会議（ＭＲＲ
’８３　　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　　Ｃｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ　ｏｎ　　Ｍａ（］ｎｅｔｉＣＲｅｃｏｒｄ
ｔｎＧ　　Ｍｅｄｉａ）　、　１９８３年９月、エル・
エフ・フェルト（Ｌ、　Ｆ、　１−（ｅｒｔｅ）　オヨ
Ｕニー・う＞’ｊ　・ジュニア（Ａ、　Ｌａｎ１１１．
　　Ｊｒ、）によるジャーナル・バキューム・サイエン
ス・デクノロジーＬｌ。

Ｖａｃ、　Ｓｅｔ、　Ｔｅｃｈ、）　、　１８．第２巻
、１９８１年、１５３−１５５頁、アール・ディー・フ
ィッシャー、エル・フェルト、ニー・ラングによるＩＥ
ＥＥ　トランザクシミン・マグネディズム（ＩＥＥＥ　
　Ｔｒａｎｓ、　Ｍａｇ、　）　、第ＭＡＧ−１７巻。

第６号、１９８１年、３１９０−３１９２頁、およびエ
イチ・マエダ（Ｈ，Ｍａｅｄａ）によるジャーナル・ア
プリケーション・フィジイクス（Ｊ、　Ａｐｐｌ、Ｐｈ
ｙｓ、）、５３　（１０）、１９８２年、６９４１−６
９４５頁を参照されたい］。

比較的薄いＣｏ−Ｎｉ膜の磁気特性は、膜の好ましい配
向に大いに依存しており、かっＣｏ−Ｎｉ合金膜の高い
保磁力は、Ｃ軸が膜の面に平行なこれらの膜の強く好ま
しい配向のためであり得るように思われる。ゴ：た、膜
組織の変化は、ｃｏ−Ｎ１合金膜の磁気特性に影響を及
ぼすように思われる。しかしながら、Ｃｏ−Ｎｉ薄膜の
結晶組織と磁気特性との相関は、十分に確立されていな
い。

本願発明者は、比較的薄い［六方最密充填−１（ＨＣＰ
）Ｃｏ−Ｎｉ膜の結晶組織の磁気特性への影響を調べた
。様々な厚さの膜は、ＣＯ−Ｎｉ膜の成長の機構を研究
するために、様々な型のサブストレート上にスパッタで
析出された。面内保磁力、矩形比およびＭ−Ｈヒステリ
シスループはまた、異なる膜の厚さならびにその結晶組
織の関数として研究された。

狛！し１葦− 第１図は、サブストレート１（可撓性または剛性）を含
み、その上に下層３が置かれ、薄い磁気膜５（たとえば
ディジタル記録用）が下層３上に重ねられる薄膜長手磁
気記録構造を（ただ断片的に、断面で、かつ理想化して
）描くものとして理解されよう。そのような磁気膜５は
、約０．０５−０．５ｕｍ　　（すなわち５００−５，
０００Δ）の深さに析出されろくたとえばスパッタリン
グされる）と理解されてもよい。下層３は、磁気特性を
高めるよう意図されているものとされ、厚さ約５００−
１０．○Ｏ，ＯＡ　（０，０５−１μＩｌｌ　）であろ
う。・ 本願発明者は、下層のないスパッタリングされたＣ０−
Ｎｉ膜（０，０５−１μｍ　）　は、比較的低い保磁力
、たとえば約３０００ｅ（これは高密度ディジタル磁気
記録、たとえば２０．０００ｆｃ／　ｉ以上にとって望
ましくないほど低く、またエイチ・ジエイ・リ−（Ｈ，
Ｊ、Ｌｅｅ）およびディー・バラル（Ｄ、　Ｂａｒａｌ
）による記事、ＩＥＥＥ　トランザクシヨン、ＭＡＧ−
２１（５）、１９８５年９月、１４７７頁を参照された
い）を有することを発見した。

同じ目的のためにクロムのスパッタリングされた下層〈
エル・エフ・フェルトおよびニー・ラングによるジャー
ナル・バキューム・サイエンス・テクノロジー、第１８
巻、第２号、１９８１年。

１５３頁を参照されたい）、または高い保磁力〈すなわ
ち５００　０ｅ以上）を達成するためにモリブデンのス
パッタリングされた下層（ケー・ワイ・アーン（Ｋ、Ｙ
、Ａｈｎ）およびケー・エフ・チ：ｙ−（Ｋ、Ｎ、Ｔｕ
　＞によるＩＢＭ　　ＴＤＢ。

第２１巻、第１０号、１９７９年、４２３２頁）が提案
されている。

本願発明者は、そのようなスパッタリングされた膜５と
して、所望の再現できる磁気特性を保証するために、（
含まれる材料に従って）予め定められた最小厚さの下層
３を特定化すべきであると考える。たとえば、Ｃｒの厚
さに対するＣｏ　−Ｎｉの保磁力の相対感度のため、Ｃ
ｒ下層の有効な最小厚さは約４．０ＯＯＡであることを
発見した。

さて、下層の厚さの減少は、経済的に（たとえば操業時
間の短縮および生産中の材料消費の減少）魅力があるだ
ろう。また、クロムは、非常に酸化を受けやすく、かつ
それゆえに、析出中により高い真空を必要とする。また
、保磁力は、クロム下層の厚さくＭｏについても同様）
で過度に変化することがある。

むしろ思いがけなく、本願発明者は、下層としてバナジ
ウムを用いることは、すべての上述の点優れていること
、すなわち必要とされる厚さが少ないこと、はとんど酸
化を受けにくいこと、および（与えられた成る最小Ｖ厚
さの）上塗りのＨＣがほとんど変化しないことで優れて
いるということを発見した。

したがって、この特徴として、本願発明者は、特にスパ
ッタリングされたＣ０−Ｎ＋のためのそのような下層と
して、かつ特に保磁力および矩形比を高めるためにバナ
ジウムを用いることを提案する。クロム下層と比較して
、バナジウムは、はるかに薄くなることができ、はるか
に酸化を受【プにくく、かつ下層の厚さでＨＣをそれほ
ど変化させないことがわかっている。

たとえば、例■では、本願発明者は、下層材料として新
たにスパッタリングされたバナジウム＜０．０５ないし
１．０μｍ）を用いて、スパッタリングされたＣｏ　−
Ｎｉ　　＜０．０５ないし０゜５μｍ）の薄い磁気膜で
適度に高い保磁力および妥当な矩形比を得ることを提案
する。

Ｉ：０．０５ないし１μｍのＶ上のＣ０−２Ｎｉ ［］’８００Ａｆ７）Ｇｏ−２０Ｎｔは、様々な厚さく
０．０５ないし１μｍ）のバナジウム下層上にスパッタ
リングされる。、Ｒ，Ｆ、ダイオードスパッタリングを
用いて１０ｍトルのアルゴン（圧）で（その他の点では
標準の処理をとる、たとえば室温で）析出が行なわれる
。面内磁気特性は、振動サンプル磁力計によって測定さ
れる。

様々な厚さのバナジウムについて８００Ａのｃｏ　−２
０Ｎｉ膜の保磁力（Ｈｃ　）およびりむ形化（Ｓ）の変
化は、第２図に示される。

約１．０００Ａ（１ｏｋＡまで）のＶ厚さについて、保
磁力は、常に約５００　０ｅである（ここで５００−６
００　０ｅが最小の満足な保磁力であるとする）。Ｈａ
の小さい最大値は、約３゜０００ＡのＶ厚さで認められ
る。

ここで、かつ例■において、本願発明者は、得られるＧ
ｏ−Ｎｉ膜は、安定な「六方最密充填」（ＨＣＰ）構造
であるとする。

例ＴＩ：Ｃｏ−２０Ｎｌの厚さを変える例工は繰返され
るが、■を一定に保ってＧｏ　−Ｎｉの厚さを変えるよ
うに変更される。したがって、０．０５−０．５μｍの
厚さの範囲でのＣ０−２０Ｎｉ膜は、０．３ｕｍ　Ｖ　
（３，０ＯＯＡ）の下層上にスパッタリングされる。Ｃ
ｏ−Ｎｉ膜の磁気特性（ＨＣ，Ｓ）は、第３図にプロッ
トされる。

枯」し 驚くべきことだが、そのようなＧｏ−Ｎｉ膜の保磁力は
、ｃｏ−Ｎｉ膜の厚さにかかわらず、（おそらく所望の
）６００±１００　０８の範囲にあることが認められる
。これは、明らかに、Ｃ「下層について受けた本願発明
者の経験と異なる。

これらの膜のＸ線解析は、バナジウムおよびｃｏ−Ｎｉ
についてのいかなる好ましい配向も示さない。そのよう
な膜の典型的な「破断面」は、第４図に示され、［柱状
Ｊ（Ｃｏ−ＮｉおよびＶ）構造の存在を示す。

本願発明者は、上で説明した技術を用いてそのようなＧ
ｏ−Ｎ１合金膜で得られる高い保磁力は、バナジウム上
に析出されるようなＣｏ−Ｎｉ膜の特定の超小形構造と
関連すると考える。より高い保磁力は、おそらく、Ｘ線
回折計で検出されることができない［１０１１］または
［１０１０］組織を有するＣｏ　−２０Ｎｔの小さい（
＞２０ＯＡ）クリスタライトによる。おそらく、バナジ
ウムは、Ｘ線で測定されることができない、上述の配向
でのＣｏ　−２０Ｎｉ成長に役立った［１１０］配尚の
、小さい（＜２００Ａ）クリスタライトを有する。それ
ゆえに、■の結晶構造は、ＣＯ−Ｎ１膜の有利な結晶構
造を引き出すものである＝１７− と考えられる。

そのような構造はまた、伯の準備方法、たとえば電気め
っき法、直流マグネトロンスパッタリング法、電子ビー
ム蒸着法、および気相成長法（ｃｆ：Ｖ、、（：、ｏ−
Ｎｉの、かつ好ましくは両方の）を用いて作られること
ができる。

例１．１１の変形 そのようなＶ下層は、すべての同様な磁気薄膜、特定的
にＧｏないしＧＯ−４０Ｎｉのすべてについて、かつ厚
さ５００から５．０ＯＯＡの範囲にわたって、ならびに
５００−７００　０ｅの保磁力および約０．６−０．９
の矩形比を考慮すると好ましい。

下に置かれるバナジウムは、比較的純粋で（たとえば約
９０％、他の金属、酸化物などはわずか１０％）、厚さ
約１μｍより薄くなければならない。■下層はまた、Ｃ
ＯだけならびにＧＯの合金およびｃｏ−Ｎｉの合金［た
とえばＣｏ　−Ｃｒ　。

Ｇｏ　−Ｎｉ−Ｃｒならびにｃｏ−ｐｔおよびＧ。

−Ｎｉ　−Ｐｔ　］の超ココ−ィングのためにＰｇ慮さ
れよう。いくつかの場合には、多くのＶ下層が可能とな
ろう。

本願発明者は、多くのサブストレート（Ｖ下層のための
）は、満足であり、特に周知のアルミニウムディスクと
同様の金属（たとえば時には硬化するためにＮ１−リン
で超めっきされる研磨された平面）が満足であるように
思われることを発見した。いくつかの場合には、ガラス
または耐熱性プラスチックで十分である。

下層としてモのようにバナジウムを用いることのさらに
他の利点を次に挙げる： １、　バナジウムのより薄い最小の厚さは、類似の磁気
特性（たとえばＶの１．０ＯＯＡ対Ｃｒの４，０ＯＯＡ
＞を得るために必要である。

１Ａ、　　超コーティングされたＣｏ−Ｎｔで〜６００
＋Ｏｅの保磁力を達成するのに必要なバナジウムの厚さ
は、下層としてクロムを用いて必要とされる厚さの〜１
／４　（４分の１）である。

２、　バナジウムの厚さの不感応度（たとえば磁気特性
と対比して、第２図を参照されたい）は、それが析出プ
ロセス制御パラメータを緩和することができることを示
し、このことは、スパッタ析出に対する固有の厚さの不
均一性に鑑み重要であり）ｑる。

２Ａ、　　下層としてバナジウムを用いることは、プロ
セス制御をより容易にする。というのは約１゜０ＯＯＡ
以上のバナジウムの厚さの変化は、ｃ。

−Ｎｉの保磁力を感知できるほど変化させないからであ
る。

３、　バナジウムは、クロムと比較して軽い（〜１７％
）材料である。また、「高い保磁力」（たとえばＧｏ−
Ｎｉの）のために必要なバナジウムの厚さは、クロムの
厚さの４分の１である。

これは、バナジウムが下層として用いられるとき、スパ
ッタリングされた複合層のより大きいくビット１０ｍ＞
記録密度に役立つ。

４、　バナジウム膜は、たとえばクロムと比較して、析
出中酸化にそれほど敏感でない。

５、　新たな下層の材料を教示する、すなわちバナジウ
ムは、たとえばＣｏ−Ｎｉまたは同様の膜で高い保磁力
を達成するために、「下層」材料としてまだ用いられた
ことがない。

６、　この［Ｖ上のＣｏ−Ｎｉ　Ｊ構造は、薄膜記録媒
体を生じさせることができ、その磁気特性は、もっと予
測でき、たとえばＣｏ−Ｎ１の厚さの変化〈第３図）お
よび／またはバナジウムの厚さの変化（第２図）の影響
をそれほど受けず、−方「Ｃｒ下層上のＣｏ　−ＮｉＪ
構造は、Ｃ０−ＮｉおよびＯｒの厚さの変化に比較的敏
感である。

九ＩＩＩ因」飢 例Ｉ、Ｈの特定のｃｏ−Ｎｉ膜は、バナジウム下層を用
いることの利点（の少なくともいくつか）をなお引き出
しつつ当該技術分野に公知のものとして変更されまたは
補足されることができることを作業者は理解しよう。

たとえば、所望の磁気特性は、変更されることができ、
かつ／または析出パラメータ〈たとえば析出速度）の制
御によっ−Ｃ１合金成分を加えることによって、他の大
気（たとえばＡｒＮ２気体混合物）を用いることによっ
て、または析出−リ″ブストレートの表面温度を変化さ
せることによって得られることができる（制御されるこ
とができる）以下の例ｍ　−ｖｒは、スパッタリング法
、アルゴン圧、サブストレート温度、および析出速度に
関して例工を変更する。

例ＩＩＩ：Ａｒ圧を変化させることを除いて■と口原− 例Ｔは、アルゴン圧が約３０ｍトルまで上げられること
を除いて繰返される。

その結果は、析出されたバナジウムがよりはっきりと規
定される形態〈表面組織）で柱状であることを除いて、
例工に匹敵する。これは、最適なＣｏ−Ｎｉ特性にとっ
てそれほど望ましくない（たとえば保磁力は悪影響を及
ぼされる）。

したがって、本願発明者は、アルゴン圧を「適度に」、
たとえば約２０ｍ　トル以下に、好ましくは約５−１５
ｍトル間に保つほうを好む。（他の気体、たとえばＡｒ
−Ｎ２が用いられても、本願発明者は、なおｒ２，０ｍ
トル以下」であるほうを好む）。

例ＩＶ　：　Ｉと同じであるが、直流マグネトロンを用
いる 例■は、直流マグネ１−ロンスパッタリングがＲＥダイ
オードの代わりに用いられることを除いて繰返される。

プロセスパラメータ、たとえばポンプダウンベース圧、
アルゴン圧、またはシステムの幾同学的配置のいかなる
調節も必要ではない。

髭１：より優れた厚さの均一性および直流マグネトロン
スパッタリングのためそれほどサブストレートを加熱し
ないことを除いて、例■に匹敵する。

例ｖ：工と同じであるが、サブストレートを１０熱する 例■は、繰返されるが、サブストレートは、約４００℃
まで加熱される。

結果：サブストレートは媒体、たとえばＮｉ　−Ｐでめ
っきされたサブストレートの磁気特性を劣化することを
除いて例■と同じである。したがって、本願発明者は、
サブストレー１〜の温度を約３ＯＯ℃以下に保つほうを
好む。興味深いことだが、これは、金属サブストレート
上にそのようにスパッタリングされたすべての金属にあ
てはまらない。

ここで、かつすべての例について、バナジウム下層は、
適当な平面度、接着特性および他の特性のサブストレー
ト上に析出されなければならないくたとえば金属サブス
トレート、たとえば高度に研磨されたアルミニウムは、
通常、含まれる高温に耐えるために好ましい）というこ
とを作業者は理解しよう。ここで、最大の粗さは、約１
マイクロインチのオーダ（中間レベルの表面からの変化
）であろう。時々、そのような金属サブストレートは、
最後の研磨の前に、平滑層、たとえばＮ１−ＰまたはＮ
１−Ｐ−Ｃｕで予めコーティングされてもよい。サブス
トレートの研磨などは、そのようなサブストレートのた
めに特に必要であるだろう。というのは析出（Ｖ、次い
でＣ０−Ｎｉ＞は、非常に薄いので、サブストレートの
表面構成にぴったりと「一致する」からである。さらに
、Ｎ１−Ｐの平滑層に関しては、サブストレートの加熱
（たとえば例Ｖど同じくＶをスパッタリングしている間
）は、磁気特性が劣化されないように、約３００℃＜Ｎ
１−Ｐ−Ｃｕにライては３５０−３８０’Ｃ）以下に保
たれなければならない。

ｖＩ：４゛　　を上げることを除いてＴと同じ例■は繰
返されるが、■は毎分８，０００−１０．０ＯＯＡでス
パッタリングされる。

１１：媒体の超小形構造が所望されないようなアモルフ
ァス相に変化することを除いて、例工と同様である。し
たがって、本願発明者は、「適度な速度」、たとえば毎
分的１０ないし６，０ＯＯＡ間で、好ましくはＲＦダイ
オード装置では毎分１０ないし５００△（直流マグネト
ロンでは毎分１００ないし６．○０ＯＡ）でそのように
スパッタリングするほうを好む。

一般に バナジウムは、特に上で説明したように、特に「より高
いＪＨＣ＜たとえば６００＋１００　０ｅ以ヒ）および
かなり「良好な」矩形比（たとえば０．７±０．１）を
達成するために、厚さの範囲、ｔ　ナワチ約１，０００
ないり、１０，０ＯＯＡで、強磁性膜（Ｃｏ　−２０Ｎ
ｉと同様）のための下層として好ましい。

ここで説明した好ましい実施例は、単に例であり、かつ
この発明は発明の範囲を逸脱することなく、構成、配置
および使用の多くの修正および変更が可能であることが
理解されよう。たとえば、ここで開示した手段および方
法はまた、垂直記録システムなど、ならびにあるＳ膜ヘ
ッドに適用できる。また、この発明は、記録および／ま
たは回生システムの池の形で、下層および磁気膜コーテ
ィングを設置プるために適用できる。

この発明の可能な変更の上述の例は、単に実例である。

したがって、この発明は、前掲の特許請求の範囲によっ
て規定されるこの発明の範囲に入るすべての可能な修正
および変更を含むものとして考えられなければならない
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、下層および上に重なる磁気膜を示す非常に概
略的な断面図である。 第２図および第３図は、「■下層」およびＣｏ−Ｎｉ膜
について保磁力および矩形比の変化をそれぞれプロット
する。 第４Ａ図および第４Ｂ図は、ＳＥＭ光学顕微鏡写真を表
わし、０，０８μｍのＣｏ−Ｎｉおよび０．５０μｍの
Ｃｏ−Ｎ１（共に０．３μｍのＶ上）の断面をそれぞれ
示す。 図において、１はサブストレート、３はバナジウム下層
、５は磁気膜である。 −ｆψ・ｌ ｑ−棗 ”ｌ−Ｔ嬉贅

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁気構造を製作する方法であつて、 数１００Å以上のほとんど純粋なバナジウムを適度な析
   出速度で、適当な平らなサブストレート上にスパッタで
   析出することを含み、このサブストレートは、約３００
   ℃以下の適度な温度に保たれ、スパッタ媒体は「適度な
   」圧力に保たれ、数１００Å以上の磁気コバルト膜をバ
   ナジウム上に析出することをさらに含み、この膜は、Ｃ
   ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ
   −ＰｔまたはＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔを含み、バナジウムの厚
   さは、コバルト膜の磁気特性を高めるのに十分である、
   方法。
2. （２）コバルト膜は、期間が１５，０００−２５，００
   ０ｆｃ／ｉのオーダで高密度磁気記録に適したＨＣＰ型
   であり、かつコバルト膜の保磁力および矩形比を最適化
   するのに十分なバナジウムは、そのように析出され、バ
   ナジウムは、毎分約６，０００Å以下でスパッタリング
   される、特許請求の範囲第１項記載の方法。
3. （３）バナジウムは、少なくとも約９０％純粋であり、
   かつ約５００−６００Ｏｅ以上の膜の保磁力および約０
   ．６−０．７以上の膜の矩形比を生じるのに十分析出さ
   れ、バナジウムは、約２０ｍトル以下の圧力のアルゴン
   でスパッタリングされる、特許請求の範囲第２項記載の
   方法。
4. （４）約１μｍまでのＣｏ−Ｎｉ膜が析出され、かつ約
   １０００Å以上のバナジウムが、ＲＦダイオードまたは
   直流マグネトロン装置を用いて、その粗さが約１マイク
   ロインチを越えないサブストレート上にそのようにスパ
   ッタリングされる、特許請求の範囲第３項記載の方法。
5. （５）膜はＣｏ−Ｎｉである、特許請求の範囲第４項記
   載の方法。
6. （６）膜は、約５００−５０００Åのスパッタで析出さ
   れたＣｏ−２０Ｎｉである、特許請求の範囲第５項記載
   の方法。
7. （７）バナジウムおよびＣｏ−２０Ｎｉは、ＲＦダイオ
   ード装置を用いてスパッタで析出される、特許請求の範
   囲第６項記載の方法。
8. （８）ＶおよびＣｏ−２０Ｎｉは、直流マグネトロン装
   置を用いてスパッタで析出される、特許請求の範囲第６
   項記載の方法。
9. （９）強磁性構造を製作する方法であって、バナジウム
   層およびそれから約数１００Å以上の厚さを有するコバ
   ルト膜をスパッタリングすることを含み、 バナジウム下層は、コバルト膜の磁気特性を高めるのに
   十分均一な厚さであり、かつ「適度な」圧力のスパッタ
   媒体を用いて、「適度な」温度に保たれる予め定められ
   た非常に平滑なサブストレート上に「適度な」速度でス
   パッタリングされる、方法。
10. （１０）バナジウムは、少なくとも約９０％純粋であり
    、かつ約３００℃以下に保たれかつ約１マイクロインチ
    より粗くないサブストレート上に１，０００Å以上にそ
    のようにスパッタリングされたバナジウムである特許請
    求の範囲第９項記載の方法。
11. （１１）膜は、高密度記録のために十分な良好な矩形比
    および比較的高い保磁力を有する磁気記録コバルト膜で
    あり、かつ膜およびＶは、約２０ｍトル以下の媒体圧で
    毎分約６，０００Å以下でスパッタリングしつつ、ＲＦ
    ダイオードまたは直流マグネトロン装置を用いてスパッ
    タリングされる特許請求の範囲第１０項記載の方法。
12. （１２）膜は、約５００−６００Ｏｅ以上 の保磁力および約０．６−０．７以上の矩形比を有する
    ＨＣＰ型であり、膜は、Ｃｏのみを含むかあるいはＮｉ
    、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、またはＮｉ−Ｐｔを
    混ぜて合金にされている、特許請求の範囲第１１項記載
    の方法。
13. （１３）膜は、ＨｃおよびＳを最適化するのに十分な約
    １μｍまでのＣｏ−ＮｉでありかつＶは１，０００Å以
    上であり、Ｃｏ−ＮｉおよびＶは、約１５ｍトル以下の
    アルゴンまたはアルゴン−窒素で、そのようにスパッタ
    リングされる、特許請求の範囲第１２項記載の方法。
14. （１４）膜は、少なくとも５００Ｏｅの保磁力を有する
    約５００−５，０００ÅのＣｏ−２０Ｎｉであり、かつ
    ＶおよびＣｏ−２０Ｎｉは共に、ＲＦダイオード装置を
    用いて、毎分約１０−５００Åでスパッタリングされる
    、特許請求の範囲第１３項記載の方法。
15. （１５）膜は、少なくとも５００Ｏｅの保磁力を有する
    約５００−５，０００ÅのＣｏ−２０Ｎｉであり、かつ
    ＶおよびＣｏ−２０Ｎｉは共に、直流マグネトロン装置
    を用いて、毎分約１００−６，０００Åでスパッタリン
    グされる、特許請求の範囲第１３項記載の方法。
16. （１６）磁気構造を製作する方法であつて、数１００Å
    以上の比較的純粋なバナジウムを、適当な、「適度に冷
    えた」高平面度のサブストレート上にスパッタリングし
    、次にコバルト強磁性膜をバナジウム上にスパッタリン
    グすることを含み、この膜は、少なくとも数１００Åの
    Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ
    ｔ、Ｃｏ−ＣｒまたはＣｏ−Ｐｔを含み、どちらのスパ
    ッタリングも、「適度な」圧力および「適度な」析出速
    度の気体を用いて行なわれる、方法。
17. （１７）コバルト膜は、ＨＣＰ型であり、少なくとも約
    １５，０００−２５，０００ｆｃ／ｉのオーダで高密度
    磁気記録に適し、かつ膜の保磁力および矩形比を最適化
    するのに十分なバナジウムが選択されかつ析出され、約
    １５ｍトル以下のアルゴン、窒素またはこれらの混合物
    中で、毎分約１０−６，０００Åでスパッタリングされ
    、サブストレートの粗さは、約１マイクロインチより大
    きくない、特許請求の範囲第１６項記載の方法。
18. （１８）磁気構造を製作する方法であつて、数１００Å
    以上のほとんど純粋なバナジウムを、適当な「適度に冷
    えた」平らなサブストレート上にスパッタリングし、さ
    らに 数１００Å以上の磁気コバルト膜をバナジウム上に同様
    にスパッタリングすることを含み、この膜は、Ｃｏ、Ｃ
    ｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｔ
    またはＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔを含み、バナジウムの厚さは、
    コバルト膜の磁気特性を高めるのに十分であり、スパッ
    タリングは、「適度な」圧力に保たれる媒体を用いて、
    ＲＦダイオードまたは直流マグネトロン装置で行なわれ
    る、方法。
19. （１９）バナジウムは９０＋％純粋であり、ここでコバ
    ルト強磁性膜は、高密度磁気記録に適し、約５００−６
    ００Ｏｅの最小保磁力および約０．６−０．７の最小矩
    形比を有し、サブストレートは、約３００℃以下にかつ
    約５−１５ｍトルのアルゴン、窒素またはその混合物中
    に保たれ、かつ約１マイクロインチより粗くない、特許
    請求の範囲第１８項記載の方法。
20. （２０）約数１００Å以上の厚さを有するコバルト膜、
    およびコバルト膜の磁気特性を高めるのに十分均一な厚
    さのバナジウム下層を含む、強磁性構造。
21. （２１）膜は、高密度記録のために十分良好な矩形比お
    よび比較的高い保磁力を有する磁気記録コバルト膜であ
    る、特許請求の範囲第２０項記載の構造。