JP2677108B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばガラス基板など
の非磁性鏡面基板からなる磁気記録媒体に係り、特に非
磁性鏡面基板を用いた媒体に固有なモジュレーションノ
イズを低減した磁気記録媒体を提供するものである。
の非磁性鏡面基板からなる磁気記録媒体に係り、特に非
磁性鏡面基板を用いた媒体に固有なモジュレーションノ
イズを低減した磁気記録媒体を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に示すように、非磁性基板１０上に
予備層１１を設け、この予備層１１上に下地層１２及び
磁性層１３を順次積層して、特性を向上させた磁気記録
媒体として、特開昭６１−１８８７３２号公報記載の磁
気記録媒体や特開昭６１−２２２０２１号公報記載の磁
気記録媒体がある。前者は、予備層１１として、アルマ
イト膜からなる非磁性硬化層を設けたものであり、磁気
特性（結晶配向性）を改良して、機械的信頼性を向上さ
せたものである。また、後者は、予備層１１としてＺｒ
Ｏ2 （酸化ジルコニウム），Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 を成
膜して、保磁力や残留磁束密度などを向上させたもので
ある。
予備層１１を設け、この予備層１１上に下地層１２及び
磁性層１３を順次積層して、特性を向上させた磁気記録
媒体として、特開昭６１−１８８７３２号公報記載の磁
気記録媒体や特開昭６１−２２２０２１号公報記載の磁
気記録媒体がある。前者は、予備層１１として、アルマ
イト膜からなる非磁性硬化層を設けたものであり、磁気
特性（結晶配向性）を改良して、機械的信頼性を向上さ
せたものである。また、後者は、予備層１１としてＺｒ
Ｏ2 （酸化ジルコニウム），Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 を成
膜して、保磁力や残留磁束密度などを向上させたもので
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近では、
より高密度な磁気記録媒体の開発が盛んである。高密度
化するには、ヘッドを安定的に低浮上でき、かつ、高Ｓ
／Ｎ（信号とノイズとの比）を有する記録媒体が必要で
ある。そこで、媒体表面に突起や異物がない鏡面状の基
板（テクスチャー処理がない表面粗さの小さい基板）、
例えばガラス基板などの非磁性鏡面基板からなる磁気記
録媒体が有望視され使用されつつある。しかし、このガ
ラス基板などの非磁性鏡面基板を用いた場合にはノイ
ズ、特にモジュレーションノイズが上昇する傾向があ
り、Ｓ／Ｎの劣化を引き起こし、高密度記録の妨げとな
っていた。例えば、同一のスパッタ条件で従来のような
テクスチャー処理した基板を用いた媒体と鏡面処理した
基板を用いた媒体とでは、鏡面処理した基板を用いた媒
体の方が−７ｄＢ程度、Ｓ／Ｎが劣化してしまう。そこ
で、本発明はガラス基板などの非磁性鏡面基板を用いた
磁気記録媒体を改良して、非磁性鏡面基板に固有なモジ
ュレーションノイズを低減させ、高Ｓ／Ｎな磁気記録媒
体を提供するものである。
より高密度な磁気記録媒体の開発が盛んである。高密度
化するには、ヘッドを安定的に低浮上でき、かつ、高Ｓ
／Ｎ（信号とノイズとの比）を有する記録媒体が必要で
ある。そこで、媒体表面に突起や異物がない鏡面状の基
板（テクスチャー処理がない表面粗さの小さい基板）、
例えばガラス基板などの非磁性鏡面基板からなる磁気記
録媒体が有望視され使用されつつある。しかし、このガ
ラス基板などの非磁性鏡面基板を用いた場合にはノイ
ズ、特にモジュレーションノイズが上昇する傾向があ
り、Ｓ／Ｎの劣化を引き起こし、高密度記録の妨げとな
っていた。例えば、同一のスパッタ条件で従来のような
テクスチャー処理した基板を用いた媒体と鏡面処理した
基板を用いた媒体とでは、鏡面処理した基板を用いた媒
体の方が−７ｄＢ程度、Ｓ／Ｎが劣化してしまう。そこ
で、本発明はガラス基板などの非磁性鏡面基板を用いた
磁気記録媒体を改良して、非磁性鏡面基板に固有なモジ
ュレーションノイズを低減させ、高Ｓ／Ｎな磁気記録媒
体を提供するものである。
【０００４】本発明は上記課題を解決するために、下記
の構成を有する磁気記録媒体を提供する。非磁性鏡面基
板上に、少なくとも、プリコート層、下地層、磁性層を
順次積層してなる磁気記録媒体であって、前記プリコー
ト層は、Ｖ（バナジウム），Ｍｏ（モリブデン）のいず
れかを用いた層であり、前記下地層は、Ｃｒ（クロ
ム），Ｃｒの面間隔に近い立方晶系のいずれかを用いた
層であり、前記磁性層は、Ｃｏ（コバルト）合金層であ
ることを特徴とする磁気記録媒体。
の構成を有する磁気記録媒体を提供する。非磁性鏡面基
板上に、少なくとも、プリコート層、下地層、磁性層を
順次積層してなる磁気記録媒体であって、前記プリコー
ト層は、Ｖ（バナジウム），Ｍｏ（モリブデン）のいず
れかを用いた層であり、前記下地層は、Ｃｒ（クロ
ム），Ｃｒの面間隔に近い立方晶系のいずれかを用いた
層であり、前記磁性層は、Ｃｏ（コバルト）合金層であ
ることを特徴とする磁気記録媒体。
【０００５】
【実施例】本発明になる磁気記録媒体の一実施例を図面
とともに詳細に説明する。図１は本発明になる磁気記録
媒体の断面図である。 ＜実施例１＞非磁性鏡面基板１として３．５インチのガ
ラス基板を用いた。非磁性鏡面基板１をＤＣマグネトロ
ンスパッタ装置内で２００℃に加熱する。装置内の到達
真空度は３×１０-7Torrである。この非磁性鏡面基板１
上にＡｒ（アルゴン）ガス圧２×１０-3Torrでプリコー
ト層２としてＶ（バナジウム）を３０〜１６０００オン
グストローム成膜した（図２のプロット参照）。この
後、Ａｒガス圧０．４５×１０-3Torrで下地層３として
Ｃｒ下地層を５００オングストローム、磁性層４として
ＣｏＣｒ10.5Ｔａ5.5 Ｐｔ2.0 （コバルト・クロム・タ
ンタル・白金）層を５００オングストローム成膜した。
電磁変換特性を測定するためにはＡｒガス圧１０ｍTo
rrでＣ（カーボン層５）を３００オングストローム成膜
し、その後、潤滑層６を２０オングストローム塗布して
ディスク（磁気記録媒体）とした。
とともに詳細に説明する。図１は本発明になる磁気記録
媒体の断面図である。 ＜実施例１＞非磁性鏡面基板１として３．５インチのガ
ラス基板を用いた。非磁性鏡面基板１をＤＣマグネトロ
ンスパッタ装置内で２００℃に加熱する。装置内の到達
真空度は３×１０-7Torrである。この非磁性鏡面基板１
上にＡｒ（アルゴン）ガス圧２×１０-3Torrでプリコー
ト層２としてＶ（バナジウム）を３０〜１６０００オン
グストローム成膜した（図２のプロット参照）。この
後、Ａｒガス圧０．４５×１０-3Torrで下地層３として
Ｃｒ下地層を５００オングストローム、磁性層４として
ＣｏＣｒ10.5Ｔａ5.5 Ｐｔ2.0 （コバルト・クロム・タ
ンタル・白金）層を５００オングストローム成膜した。
電磁変換特性を測定するためにはＡｒガス圧１０ｍTo
rrでＣ（カーボン層５）を３００オングストローム成膜
し、その後、潤滑層６を２０オングストローム塗布して
ディスク（磁気記録媒体）とした。
【０００６】＜実施例２＞前記実施例１においてプリコ
ート層２としてＶの代わりにＭｏ（モリブデン）とする
以外は実施例１と同様にして媒体を得る。なお、プリコ
ート層２の厚さは６０オングストロームである。
ート層２としてＶの代わりにＭｏ（モリブデン）とする
以外は実施例１と同様にして媒体を得る。なお、プリコ
ート層２の厚さは６０オングストロームである。
【０００７】＜実施例３＞前記実施例１においてプリコ
ート層２としてＶの代わりにＴｉ（チタン）とする以外
は実施例１と同様にして媒体を得る。なお、プリコート
層２の厚さは６０オングストロームである。
ート層２としてＶの代わりにＴｉ（チタン）とする以外
は実施例１と同様にして媒体を得る。なお、プリコート
層２の厚さは６０オングストロームである。
【０００８】＜実施例４＞前記実施例１においてプリコ
ート層２としてＶの代わりにＮｉＰ（ニッケル・リン）
とする以外は実施例１と同様にして媒体を得る。なお、
プリコート層２の厚さは６０オングストロームである。
ート層２としてＶの代わりにＮｉＰ（ニッケル・リン）
とする以外は実施例１と同様にして媒体を得る。なお、
プリコート層２の厚さは６０オングストロームである。
【０００９】＜実施例５＞前記実施例１においてプリコ
ート層２としてＶの代わりにＣ（カーボン）とする以外
は実施例１と同様にして媒体を得る。なお、プリコート
層２の厚さは６０オングストロームである。
ート層２としてＶの代わりにＣ（カーボン）とする以外
は実施例１と同様にして媒体を得る。なお、プリコート
層２の厚さは６０オングストロームである。
【００１０】＜実施例６＞前記実施例１においてプリコ
ート層２としてＶの代わりにＡｌ（アルミニウム）とす
る以外は実施例１と同様にして媒体を得る。なお、プリ
コート層２の厚さは６０オングストロームである。
ート層２としてＶの代わりにＡｌ（アルミニウム）とす
る以外は実施例１と同様にして媒体を得る。なお、プリ
コート層２の厚さは６０オングストロームである。
【００１１】＜比較例１＞上記実施例１においてプリコ
ート層２の成膜をせずに下地層３としてＣｒを、磁性層
４としてＣｏＣｒ10.5Ｔａ5.5 Ｐｔ2.0 をそれぞれ成膜
する。他の条件は実施例１と同様である。
ート層２の成膜をせずに下地層３としてＣｒを、磁性層
４としてＣｏＣｒ10.5Ｔａ5.5 Ｐｔ2.0 をそれぞれ成膜
する。他の条件は実施例１と同様である。
【００１２】以上のようにして得られた媒体を、線速度
７．６ｍ／ｓ，浮上量０．０５μm、トラック幅８μm
，ギャップ長０．３μm の薄膜ヘッドを用いて電磁変
換特性の測定を行った。Ｓ／Ｎの測定は記録周波数５MH
z である。
７．６ｍ／ｓ，浮上量０．０５μm、トラック幅８μm
，ギャップ長０．３μm の薄膜ヘッドを用いて電磁変
換特性の測定を行った。Ｓ／Ｎの測定は記録周波数５MH
z である。
【００１３】表１は、各材料のプリコート層による媒体
のＳ／Ｎを、プリコート層がない場合と比較して示した
ものである。
のＳ／Ｎを、プリコート層がない場合と比較して示した
ものである。
【００１４】
【表１】
【００１５】また、図２は、比較例１を０ｄＢとした場
合のＶ（バナジウム）プリコート層がある媒体のノイズ
レベルとプリコート層の厚さとの関係を示すものであ
る。同図から明らかなように、３０〜１４０００オング
ストローム厚のプリコート層を形成することににより、
Ｓ／Ｎの良い媒体が得られる。
合のＶ（バナジウム）プリコート層がある媒体のノイズ
レベルとプリコート層の厚さとの関係を示すものであ
る。同図から明らかなように、３０〜１４０００オング
ストローム厚のプリコート層を形成することににより、
Ｓ／Ｎの良い媒体が得られる。
【００１６】さらに、図３（Ａ）に、Ｖ（バナジウム）
プリコート層がある場合のノイズスペクトラムを示し、
図３（Ｂ）にＶ（バナジウム）プリコート層がない場合
のノイズスペクトラムを示す。これを見てもわかるよう
にＶプリコート層のあるものは機器ノイズに対するモジ
ュレーションノイズの増加が小で、ノイズレベルが大幅
に低下している。これらのモジュレーションノイズの低
減は、プリコ−ト層を形成することで面内に磁気配向し
ていた成分に膜厚方向（面内に対して垂直方向）に磁気
配向する成分が加わり、面内の磁気異方性の強度を弱め
その結果ノイズレベルが低下したものと考えられる。
プリコート層がある場合のノイズスペクトラムを示し、
図３（Ｂ）にＶ（バナジウム）プリコート層がない場合
のノイズスペクトラムを示す。これを見てもわかるよう
にＶプリコート層のあるものは機器ノイズに対するモジ
ュレーションノイズの増加が小で、ノイズレベルが大幅
に低下している。これらのモジュレーションノイズの低
減は、プリコ−ト層を形成することで面内に磁気配向し
ていた成分に膜厚方向（面内に対して垂直方向）に磁気
配向する成分が加わり、面内の磁気異方性の強度を弱め
その結果ノイズレベルが低下したものと考えられる。
【００１７】＜実施例７＞上記非磁性鏡面基板１として
アモルファスカ−ボンを用い、プリコ−ト層２としてＭ
ｏ（モリブデン）を用いた。なお、プリコート層２の厚
さは６０オングストロームである。他の条件は実施例１
と同様である。
アモルファスカ−ボンを用い、プリコ−ト層２としてＭ
ｏ（モリブデン）を用いた。なお、プリコート層２の厚
さは６０オングストロームである。他の条件は実施例１
と同様である。
【００１８】＜比較例２＞実施例７において、プリコ−
ト層２としてＭｏ（モリブデン）を形成しない以外は上
記実施例７の条件と同様である。
ト層２としてＭｏ（モリブデン）を形成しない以外は上
記実施例７の条件と同様である。
【００１９】以上のようにして得られた媒体を、線速度
７．６ｍ／ｓ，浮上量０．１５μｍ，トラック幅８μ
ｍ，ギャップ長０．３μｍの薄膜ヘッドを用いて電磁変
換特性の測定を行った。Ｓ／Ｎの測定は記録周波数6.67
MHz である。その結果、比較例２の媒体ノイズレベルを
０ｄＢとすると、実施例７の媒体では＋２．３５ｄＢの
Ｓ／Ｎが得られた。
７．６ｍ／ｓ，浮上量０．１５μｍ，トラック幅８μ
ｍ，ギャップ長０．３μｍの薄膜ヘッドを用いて電磁変
換特性の測定を行った。Ｓ／Ｎの測定は記録周波数6.67
MHz である。その結果、比較例２の媒体ノイズレベルを
０ｄＢとすると、実施例７の媒体では＋２．３５ｄＢの
Ｓ／Ｎが得られた。
【００２０】＜実施例８＞非磁性鏡面基板１であるガラ
ス基板上に、基板加熱温度２００℃，スパッタガス圧５
ｍＴｏｒｒで前処理層としてＺｒを６０オングストロー
ム成膜する。続いて、５ｍＴｏｒｒでプリコート層２と
してＶを６０オングストローム成膜し、これを基板とす
る。さらに、基板加熱温度２００℃，スパッタガス圧0.
45ｍＴｏｒｒで下地層３としてＣｒを５００オングスト
ローム、続いて磁性層４としてＣｏＣｒ10 5Ｔａ5.5 Ｐ
ｔ2.0 を５００オングストローム成膜する。電磁変換特
性を測定するためには実施例１と同じようにカ−ボン膜
５の成膜と、潤滑膜６の塗布を行う。
ス基板上に、基板加熱温度２００℃，スパッタガス圧５
ｍＴｏｒｒで前処理層としてＺｒを６０オングストロー
ム成膜する。続いて、５ｍＴｏｒｒでプリコート層２と
してＶを６０オングストローム成膜し、これを基板とす
る。さらに、基板加熱温度２００℃，スパッタガス圧0.
45ｍＴｏｒｒで下地層３としてＣｒを５００オングスト
ローム、続いて磁性層４としてＣｏＣｒ10 5Ｔａ5.5 Ｐ
ｔ2.0 を５００オングストローム成膜する。電磁変換特
性を測定するためには実施例１と同じようにカ−ボン膜
５の成膜と、潤滑膜６の塗布を行う。
【００２１】＜実施例９＞上記実施例８において、ガラ
ス基板上に前処理層としてＺｒを６０オングストローム
形成し、プリコート層としてＶを形成せず、下地層３と
してＣｒ、磁性層４としてＣｏＣｒＴａＰｔを形成す
る。他の条件は実施例８に同じである。以上のようにし
て得られた媒体を、記録周波数を６．６７ＭＨｚとして
実施例１と同じ条件でＳ／Ｎを測定した。
ス基板上に前処理層としてＺｒを６０オングストローム
形成し、プリコート層としてＶを形成せず、下地層３と
してＣｒ、磁性層４としてＣｏＣｒＴａＰｔを形成す
る。他の条件は実施例８に同じである。以上のようにし
て得られた媒体を、記録周波数を６．６７ＭＨｚとして
実施例１と同じ条件でＳ／Ｎを測定した。
【００２２】比較例１の媒体ノイズレベルを０ｄＢとす
ると、実施例８の媒体では＋６．０ｄＢの高いＳ／Ｎが
得られ、実施例９の媒体では＋０．４ｄＢのＳ／Ｎが得
られた。このように、プリコ−ト層２は下地層３の下に
形成すれば、非磁性鏡面基板１に直接形成しても、ある
いは非磁性鏡面基板１に前処理層を形成した上でも良
く、また、実質的にプリコート層が２層（複数層）とな
っても良い。
ると、実施例８の媒体では＋６．０ｄＢの高いＳ／Ｎが
得られ、実施例９の媒体では＋０．４ｄＢのＳ／Ｎが得
られた。このように、プリコ−ト層２は下地層３の下に
形成すれば、非磁性鏡面基板１に直接形成しても、ある
いは非磁性鏡面基板１に前処理層を形成した上でも良
く、また、実質的にプリコート層が２層（複数層）とな
っても良い。
【００２３】なお、プリコート層２はＶ（バナジウ
ム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、ＮｉＰ
（ニッケル・リン）、Ｃ（カーボン）、Ｚｒ（ジルコニ
ウム）、Ａｌ（アルミニウム）以外でも、磁性層４の面
内異方性成分を弱めるように作用するものであれば良
い。下地層３はＣｒに限定されず、Ｃｒの面間隔に近い
Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）のようなｂｃｃ
構造（立方晶系）を持つものであれば良い。磁性層４も
ＣｏＣｒＴａＰｔに限定されずＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣ
ｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＰｔＣｒ等Ｃｏのｈｃｐ造
（六方晶系）を維持している合金ならば良い。
ム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、ＮｉＰ
（ニッケル・リン）、Ｃ（カーボン）、Ｚｒ（ジルコニ
ウム）、Ａｌ（アルミニウム）以外でも、磁性層４の面
内異方性成分を弱めるように作用するものであれば良
い。下地層３はＣｒに限定されず、Ｃｒの面間隔に近い
Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）のようなｂｃｃ
構造（立方晶系）を持つものであれば良い。磁性層４も
ＣｏＣｒＴａＰｔに限定されずＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣ
ｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＰｔＣｒ等Ｃｏのｈｃｐ造
（六方晶系）を維持している合金ならば良い。
【００２４】
【発明の効果】上述した構成を有する本発明になる磁気
記録媒体は、面内に磁気配向していた成分に膜厚方向
（面内に対して垂直方向）に磁気配向する成分が加わる
から、面内の磁気異方性の強度が弱められることにな
り、この結果、非磁性鏡面基板を用いた媒体に固有なモ
ジュレーションノイズを低減することができるので、高
Ｓ／Ｎな磁気記録媒体を得ることができるという効果が
ある。
記録媒体は、面内に磁気配向していた成分に膜厚方向
（面内に対して垂直方向）に磁気配向する成分が加わる
から、面内の磁気異方性の強度が弱められることにな
り、この結果、非磁性鏡面基板を用いた媒体に固有なモ
ジュレーションノイズを低減することができるので、高
Ｓ／Ｎな磁気記録媒体を得ることができるという効果が
ある。
【図１】本発明になる磁気記録媒体の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明になる磁気記録媒体におけるノイズレベ
ルとプリコート層の厚さとの関係を示す図である。
ルとプリコート層の厚さとの関係を示す図である。
【図３】（Ａ）はプリコート層を設けた本発明になる磁
気記録媒体のノイズスペクトラムを示す図、（Ｂ）はプ
リコート層がない従来の磁気記録媒体のノイズスペクト
ラムを示す図である。
気記録媒体のノイズスペクトラムを示す図、（Ｂ）はプ
リコート層がない従来の磁気記録媒体のノイズスペクト
ラムを示す図である。
【図４】従来の磁気記録媒体を示す断面図である。
１ 非磁性鏡面基板 ２ プリコート層 ３ 下地層 ４ 磁性層 ５ カーボン層 ６ 潤滑層
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性鏡面基板上に、少なくとも、プリコ
ート層、下地層、磁性層を順次積層してなる磁気記録媒
体であって、 前記プリコート層は、Ｖ（バナジウム），Ｍｏ（モリブ
デン）のいずれかを用いた層であり、 前記下地層は、Ｃｒ（クロム），Ｃｒの面間隔に近い立
方晶系のいずれかを用いた層であり、 前記磁性層は、Ｃｏ（コバルト）合金層であることを特
徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4078471A JP2677108B2 (ja) | 1991-04-26 | 1992-02-28 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12539791 | 1991-04-26 | ||
| JP3-125397 | 1991-04-26 | ||
| JP4078471A JP2677108B2 (ja) | 1991-04-26 | 1992-02-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0581638A JPH0581638A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2677108B2 true JP2677108B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=26419534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4078471A Expired - Lifetime JP2677108B2 (ja) | 1991-04-26 | 1992-02-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2677108B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002190108A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-07-05 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2561655B2 (ja) * | 1987-01-29 | 1996-12-11 | 株式会社日立製作所 | 面内磁気記録媒体 |
| JPS63217520A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS6479919A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-24 | Hitachi Maxell | Magnetic disk and its production |
| JPH0291810A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気記録坦体 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4078471A patent/JP2677108B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0581638A (ja) | 1993-04-02 |
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