JPH07235755A - プリント配線基板の製法 - Google Patents
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- JPH07235755A JPH07235755A JP6027796A JP2779694A JPH07235755A JP H07235755 A JPH07235755 A JP H07235755A JP 6027796 A JP6027796 A JP 6027796A JP 2779694 A JP2779694 A JP 2779694A JP H07235755 A JPH07235755 A JP H07235755A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】めっき液に対し低汚染性で、レジストの変質及
びレジストと金属との界面の接着性、配線の信頼性が優
れたプリント配線基板の提供にある。 【構成】銅貼り積層板を基板としその表面に感光性樹脂
組成物層を形成する工程、露光及び現像により前記感光
性樹脂組成物層のネガティブパターンを形成する工程、
前記感光性樹脂組成物層のネガティブパターンをめっき
レジストとして化学銅めっきにより配線パターンを形成
する工程を含むプリント配線基板の製法において、前記
感光性樹脂組成物が、一般式（１）で表わされるビニル
重合型高分子重合体を含み、かつ、孤立電子対を持つ窒
素及び硫黄原子を少なくとも一つ含む有機化合物を含む
ことを特徴とするプリント配線基板の製法（但し式中、
Ｒ1は炭素数０〜９、Ｒ2は炭素数０〜８の有機残基を示
す）。 【化９】
びレジストと金属との界面の接着性、配線の信頼性が優
れたプリント配線基板の提供にある。 【構成】銅貼り積層板を基板としその表面に感光性樹脂
組成物層を形成する工程、露光及び現像により前記感光
性樹脂組成物層のネガティブパターンを形成する工程、
前記感光性樹脂組成物層のネガティブパターンをめっき
レジストとして化学銅めっきにより配線パターンを形成
する工程を含むプリント配線基板の製法において、前記
感光性樹脂組成物が、一般式（１）で表わされるビニル
重合型高分子重合体を含み、かつ、孤立電子対を持つ窒
素及び硫黄原子を少なくとも一つ含む有機化合物を含む
ことを特徴とするプリント配線基板の製法（但し式中、
Ｒ1は炭素数０〜９、Ｒ2は炭素数０〜８の有機残基を示
す）。 【化９】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アディティブ法化学銅
めっきによるプリント配線基板の製法に関する。
めっきによるプリント配線基板の製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子装置の小型化、高速化に伴い
計算機用プリント配線基板も高密度化の一途をたどって
いる。銅配線もアスペクト比が１に近くなっており、サ
ブトラクティブ法では配線形成が難しく、アディティブ
法が主流になってきている。
計算機用プリント配線基板も高密度化の一途をたどって
いる。銅配線もアスペクト比が１に近くなっており、サ
ブトラクティブ法では配線形成が難しく、アディティブ
法が主流になってきている。
【０００３】アスペクト比が高い銅配線を形成するに
は、めっきによる方法が優れており、特に、１ｄｍ2以
上の面積を有する基板では、均一な膜厚形成が可能な化
学めっき法が優れている。更にまた、高密度化に伴い配
線の膜厚も７０μｍ以上要求される場合がある。こうし
たものではめっき時間も３０時間を超える場合がしばし
ばある。しかし、化学銅めっきはｐＨ１２以上のアルカ
リ溶液を用いているので、上記のような長時間のめっき
は、めっきレジストがめっき液に侵されて変質したり、
或いはレジストと金属との界面にめっき液が浸透し、界
面の接着性に問題を生じる。
は、めっきによる方法が優れており、特に、１ｄｍ2以
上の面積を有する基板では、均一な膜厚形成が可能な化
学めっき法が優れている。更にまた、高密度化に伴い配
線の膜厚も７０μｍ以上要求される場合がある。こうし
たものではめっき時間も３０時間を超える場合がしばし
ばある。しかし、化学銅めっきはｐＨ１２以上のアルカ
リ溶液を用いているので、上記のような長時間のめっき
は、めっきレジストがめっき液に侵されて変質したり、
或いはレジストと金属との界面にめっき液が浸透し、界
面の接着性に問題を生じる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、金属
とレジストとの界面の接着性を向上させるため、レジス
ト中に防錆剤を添加する方法（特公昭５０−９１７７号
公報）があるが、これはめっき液を汚染したり、めっき
膜劣化の原因となる。
とレジストとの界面の接着性を向上させるため、レジス
ト中に防錆剤を添加する方法（特公昭５０−９１７７号
公報）があるが、これはめっき液を汚染したり、めっき
膜劣化の原因となる。
【０００５】これに対し、後加熱処理により余分の防錆
剤を昇華除去する方法（特開平１ー２６１８８８号公
報）があるが、これはめっき液の汚染性は低減するもの
ゝ、製造工程数が増えると云う問題がある。
剤を昇華除去する方法（特開平１ー２６１８８８号公
報）があるが、これはめっき液の汚染性は低減するもの
ゝ、製造工程数が増えると云う問題がある。
【０００６】また、防錆剤には上記昇華除去が難しいも
のもあり、更には、昇華温度で分解したり、または重合
等により後の工程でのレジスト剥離が難しくなるものも
ある。また、密着付与剤を添加したレジストは、化学銅
めっき時に密着付与剤が溶出してめっき液を汚染し、め
っき膜質を劣化させる。
のもあり、更には、昇華温度で分解したり、または重合
等により後の工程でのレジスト剥離が難しくなるものも
ある。また、密着付与剤を添加したレジストは、化学銅
めっき時に密着付与剤が溶出してめっき液を汚染し、め
っき膜質を劣化させる。
【０００７】本発明の目的は、上記課題を解決した化学
めっきによるアディティブ法のプリント配線基板の製法
を提供することにある。
めっきによるアディティブ法のプリント配線基板の製法
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の要旨は次のとおりである。
明の要旨は次のとおりである。
【０００９】（１） 銅貼り積層板を基板としその表面
に感光性樹脂組成物層を形成する工程、露光及び現像に
より前記感光性樹脂組成物層のネガティブパターンを形
成する工程、前記感光性樹脂組成物層のネガティブパタ
ーンをめっきレジストとして化学銅めっきにより配線パ
ターンを形成する工程を含むプリント配線基板の製法に
おいて、前記感光性樹脂組成物が、一般式（１）で表わ
されるビニル重合型高分子重合体を含み、かつ、孤立電
子対を持つ窒素及び硫黄原子を少なくとも一つ含む有機
化合物を含むプリント配線基板の製法。
に感光性樹脂組成物層を形成する工程、露光及び現像に
より前記感光性樹脂組成物層のネガティブパターンを形
成する工程、前記感光性樹脂組成物層のネガティブパタ
ーンをめっきレジストとして化学銅めっきにより配線パ
ターンを形成する工程を含むプリント配線基板の製法に
おいて、前記感光性樹脂組成物が、一般式（１）で表わ
されるビニル重合型高分子重合体を含み、かつ、孤立電
子対を持つ窒素及び硫黄原子を少なくとも一つ含む有機
化合物を含むプリント配線基板の製法。
【００１０】
【化５】
【００１１】（但し式中、Ｒ1は炭素数０〜９、Ｒ2は炭
素数０〜８の有機残基を示す。） （２） 銅貼り積層板を基板としその表面にＮｉ、Ｃ
ｒ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｎの少なくとも一種を析出させ感光
性樹脂組成物層を形成する工程、露光及び現像により前
記感光性樹脂組成物層のネガティブパターンを形成する
工程、前記感光性樹脂組成物層のネガティブパターンを
めっきレジストとして化学銅めっきにより配線パターン
を形成する工程を含むプリント配線基板の製法におい
て、前記感光性樹脂組成物が、前記一般式（１）で表わ
されるビニル重合型高分子重合体を含み、かつ、孤立電
子対を持つ窒素及び硫黄原子を少なくとも一つ含む有機
化合物を含むプリント配線基板の製法。
素数０〜８の有機残基を示す。） （２） 銅貼り積層板を基板としその表面にＮｉ、Ｃ
ｒ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｎの少なくとも一種を析出させ感光
性樹脂組成物層を形成する工程、露光及び現像により前
記感光性樹脂組成物層のネガティブパターンを形成する
工程、前記感光性樹脂組成物層のネガティブパターンを
めっきレジストとして化学銅めっきにより配線パターン
を形成する工程を含むプリント配線基板の製法におい
て、前記感光性樹脂組成物が、前記一般式（１）で表わ
されるビニル重合型高分子重合体を含み、かつ、孤立電
子対を持つ窒素及び硫黄原子を少なくとも一つ含む有機
化合物を含むプリント配線基板の製法。
【００１２】（３） 前記一般式（１）で表わされるビ
ニル重合型高分子重合体含有量が１〜１０重量部である
前記のプリント配線基板の製法。
ニル重合型高分子重合体含有量が１〜１０重量部である
前記のプリント配線基板の製法。
【００１３】（４） 前記孤立電子対を持つ窒素及び硫
黄原子の少なくとも一つを含む有機化合物含有量が０．
０１〜１重量部である前記のプリント配線基板の製法。
黄原子の少なくとも一つを含む有機化合物含有量が０．
０１〜１重量部である前記のプリント配線基板の製法。
【００１４】（５） 前記一般式（１）で表わされるビ
ニル重合型高分子重合体が前記孤立電子対を持つ窒素及
び硫黄原子の少なくとも一つを含む有機化合物の少なく
とも１０重量倍含む前記のプリント配線基板の製法。
ニル重合型高分子重合体が前記孤立電子対を持つ窒素及
び硫黄原子の少なくとも一つを含む有機化合物の少なく
とも１０重量倍含む前記のプリント配線基板の製法。
【００１５】（６） 前記孤立電子対を持つ窒素及び硫
黄原子の少なくとも一つを含む有機化合物が、式（２）
〜（２９）である前記のプリント配線基板の製法。
黄原子の少なくとも一つを含む有機化合物が、式（２）
〜（２９）である前記のプリント配線基板の製法。
【００１６】
【化６】
【００１７】
【化７】
【００１８】
【化８】
【００１９】上記により、化学銅めっき時におけるレジ
ストからの密着付与剤の溶出を妨げる効果が得られる。
配線が高密度で膜厚の大きい銅めっきを行う場合はに優
れた効果を発揮する。
ストからの密着付与剤の溶出を妨げる効果が得られる。
配線が高密度で膜厚の大きい銅めっきを行う場合はに優
れた効果を発揮する。
【００２０】
【作用】感光性樹脂組成物中の高分子重合体の側鎖にカ
ルボキシル基を導入することにより、例えば、窒素原子
を含有する有機化合物からなる密着付与剤（正に帯電）
とカルボキシル基との相互作用により、密着付与剤がレ
ジスト中に留まるためである。この反応機構は次のよう
にして起こる。
ルボキシル基を導入することにより、例えば、窒素原子
を含有する有機化合物からなる密着付与剤（正に帯電）
とカルボキシル基との相互作用により、密着付与剤がレ
ジスト中に留まるためである。この反応機構は次のよう
にして起こる。
【００２１】密着付与剤中の孤立電子対を持つ窒素原子
は、水素イオンを取り込み易く、正に帯電する。また、
高分子重合体中のカルボキシル基は水素イオンを放出し
易く、負に帯電する。正に帯電した密着付与剤と負に帯
電した高分子重合体中のカルボキシル基が静電的相互作
用を持つため、密着付与剤が高分子重合体中に取り込ま
れる。また、硫黄原子を含有する有機化合物からなる密
着付与剤の場合は、ＳＨ基の水素が正に帯電するため、
負に帯電したカルボキシル基とが静電的相互作用を持つ
ため、やはり密着付与剤が高分子中に取り込まれる。い
ずれれも、めっき液中への密着付与剤の溶解を抑制する
ため、めっき膜の劣化が起こらない。
は、水素イオンを取り込み易く、正に帯電する。また、
高分子重合体中のカルボキシル基は水素イオンを放出し
易く、負に帯電する。正に帯電した密着付与剤と負に帯
電した高分子重合体中のカルボキシル基が静電的相互作
用を持つため、密着付与剤が高分子重合体中に取り込ま
れる。また、硫黄原子を含有する有機化合物からなる密
着付与剤の場合は、ＳＨ基の水素が正に帯電するため、
負に帯電したカルボキシル基とが静電的相互作用を持つ
ため、やはり密着付与剤が高分子中に取り込まれる。い
ずれれも、めっき液中への密着付与剤の溶解を抑制する
ため、めっき膜の劣化が起こらない。
【００２２】
〔実施例１〕図１は、本発明のセミアディティブ法によ
るプリント配線基板の製法のフローチャートを示す。ま
た、それに対応するプリント基板の断面を図２に示す。
るプリント配線基板の製法のフローチャートを示す。ま
た、それに対応するプリント基板の断面を図２に示す。
【００２３】銅貼り積層板（銅箔）上にレジストをラミ
ネートする（図１−ａ）。レジストの組成は、密着付与
剤としてヘキサアルキルベンゾトリアゾール〔式
（２）〕を０.０５重量部または０.１重量部及びメタク
リル酸を０〜１０重量部を含有する感光性樹脂組成物で
あり、レジスト膜厚は７５μｍである。
ネートする（図１−ａ）。レジストの組成は、密着付与
剤としてヘキサアルキルベンゾトリアゾール〔式
（２）〕を０.０５重量部または０.１重量部及びメタク
リル酸を０〜１０重量部を含有する感光性樹脂組成物で
あり、レジスト膜厚は７５μｍである。
【００２４】次にフォトマスクを用いて露光（図１−
ｂ）後、現像を行いネガティブパターンを形成する（図
１−ｃ）。現像液にはジエチレングリコールモノブチル
エーテル２００ｍｌ／ｌ、ホウ砂８ｇ／ｌの混合水溶液
を用いた。
ｂ）後、現像を行いネガティブパターンを形成する（図
１−ｃ）。現像液にはジエチレングリコールモノブチル
エーテル２００ｍｌ／ｌ、ホウ砂８ｇ／ｌの混合水溶液
を用いた。
【００２５】次に、ネガティブパターンを形成した銅貼
り積層板に化学銅めっき（図１−ｄ）を施す。化学銅め
っきは以下の手順で行なった。パターン形成後の銅貼り
積層板を１００℃の熱水で親水化処理を施し、希塩酸溶
液に浸漬後、触媒液（日立化成工業製、ＨＳ１０１Ｂ）
中に浸漬処理し、水洗後、シュウ酸−塩酸混合溶液を用
いて活性化処理した。水洗後、７２℃、３２〜３５時間
の条件で銅めっきを行なった。
り積層板に化学銅めっき（図１−ｄ）を施す。化学銅め
っきは以下の手順で行なった。パターン形成後の銅貼り
積層板を１００℃の熱水で親水化処理を施し、希塩酸溶
液に浸漬後、触媒液（日立化成工業製、ＨＳ１０１Ｂ）
中に浸漬処理し、水洗後、シュウ酸−塩酸混合溶液を用
いて活性化処理した。水洗後、７２℃、３２〜３５時間
の条件で銅めっきを行なった。
【００２６】なお、めっき液組成は、硫酸銅１０ｇ／
ｌ、ＥＤＴＡ２Ｎａ・２Ｈ2Ｏを３０ｇ／ｌ、水酸化ナ
トリウム（ｐＨ１２.６になる量）、ホルマリン３ｍｌ
／ｌ、ポリエチレングリコール１０ｇ／ｌ、２，２’−
ビピリジル３０ｍｇ／ｌの混合溶液である。
ｌ、ＥＤＴＡ２Ｎａ・２Ｈ2Ｏを３０ｇ／ｌ、水酸化ナ
トリウム（ｐＨ１２.６になる量）、ホルマリン３ｍｌ
／ｌ、ポリエチレングリコール１０ｇ／ｌ、２，２’−
ビピリジル３０ｍｇ／ｌの混合溶液である。
【００２７】また、めっき液中に浸漬するレジスト面積
はめっき液１リットル当り２平方ｄｍである。銅めっき
後のレジストの膨れ及び剥離はなかった。
はめっき液１リットル当り２平方ｄｍである。銅めっき
後のレジストの膨れ及び剥離はなかった。
【００２８】次に、銅めっき上に半田めっきを１Ａ／平
方ｄｍ、１５分間行なった。半田めっき組成は、Ｓｎ
（II）イオン１５ｇ／ｌ、Ｐｂ（II）イオン１０ｇ／
ｌ、ホウ酸４０ｇ／ｌ、ホウフッ酸３００ｇ／ｌである
（図１−ｄ）。
方ｄｍ、１５分間行なった。半田めっき組成は、Ｓｎ
（II）イオン１５ｇ／ｌ、Ｐｂ（II）イオン１０ｇ／
ｌ、ホウ酸４０ｇ／ｌ、ホウフッ酸３００ｇ／ｌである
（図１−ｄ）。
【００２９】次に、塩化メチレンに浸漬してめっきレジ
ストを除去（図１−ｅ）後、銅アンモニウム塩性のアル
カリエッチング液により回路形成部以外の銅層をエッチ
ング除去した（図１−ｆ）。最後に硝酸を含むエッチン
グ液で半田めっき部分を除去した（図１−ｆ）。
ストを除去（図１−ｅ）後、銅アンモニウム塩性のアル
カリエッチング液により回路形成部以外の銅層をエッチ
ング除去した（図１−ｆ）。最後に硝酸を含むエッチン
グ液で半田めっき部分を除去した（図１−ｆ）。
【００３０】本実施例では、めっき液に対する汚染性の
指標として、めっき膜の伸び率を用いた。化学めっき後
の銅配線のメタクリル酸量に対する伸び率を図３に示
す。
指標として、めっき膜の伸び率を用いた。化学めっき後
の銅配線のメタクリル酸量に対する伸び率を図３に示
す。
【００３１】密着付与剤のヘキサアルキルベンゾトリア
ゾール〔式（２）〕の含有量が多くなると、めっき液の
汚染は大きくなるが、メタクリル酸が１重量部以上で
は、伸び率がブランク値（レジストの無い条件）に比較
して７０％以上の値であった（ヘキサアルキルベンゾト
リアゾールの含有量０.１部の時）。
ゾール〔式（２）〕の含有量が多くなると、めっき液の
汚染は大きくなるが、メタクリル酸が１重量部以上で
は、伸び率がブランク値（レジストの無い条件）に比較
して７０％以上の値であった（ヘキサアルキルベンゾト
リアゾールの含有量０.１部の時）。
【００３２】これからカルボキシル基がレジスト中に含
まれると密着付与剤のめっき液に対する汚染性が低減で
きることが分かる。
まれると密着付与剤のめっき液に対する汚染性が低減で
きることが分かる。
【００３３】〔実施例２〕レジストには密着付与剤とし
てベンゾトリアゾール〔式（３）〕を０.０５重量部ま
たは０.１重量部及びα−エチルアクリル酸を０〜１０
重量部を含有する膜厚７５μｍの感光性樹脂組成物を用
い、実施例１と同様にしてサンプルを作成して、銅配線
の伸び率を測定した。化学めっき後の銅配線のα−エチ
ルアクリル酸量に対する伸び率を図４に示す。なお、銅
めっき後のレジストの膨れ及び剥離はなかった。
てベンゾトリアゾール〔式（３）〕を０.０５重量部ま
たは０.１重量部及びα−エチルアクリル酸を０〜１０
重量部を含有する膜厚７５μｍの感光性樹脂組成物を用
い、実施例１と同様にしてサンプルを作成して、銅配線
の伸び率を測定した。化学めっき後の銅配線のα−エチ
ルアクリル酸量に対する伸び率を図４に示す。なお、銅
めっき後のレジストの膨れ及び剥離はなかった。
【００３４】ベンゾトリアゾールの含有量が多くなると
めっき液への汚染は大きくなるが、α−エチルアクリル
酸２重量部以上では、伸び率がブランク値（レジストの
無い条件）に比較して７０％以上の値であった（ベンゾ
トリアゾールの含有量０.１部の時）。
めっき液への汚染は大きくなるが、α−エチルアクリル
酸２重量部以上では、伸び率がブランク値（レジストの
無い条件）に比較して７０％以上の値であった（ベンゾ
トリアゾールの含有量０.１部の時）。
【００３５】これからカルボキシル基がレジスト中に含
まれると密着付与剤のめっき液に対する汚染性が低減で
きることが分かる。
まれると密着付与剤のめっき液に対する汚染性が低減で
きることが分かる。
【００３６】〔実施例３〕密着付与剤としてメルカプト
ベンゾチアゾール〔式（４）〕を０.０５重量部または
０.１重量部及びアクリル酸を０〜１０重量部を含有す
る膜厚７５μｍの感光性樹脂組成物を用い、実施例１と
同様にしてサンプルを作成して、銅配線の伸び率を測定
した。その結果を図５に示す。なお、銅めっき後のレジ
ストの膨れ及び剥離はなかった。
ベンゾチアゾール〔式（４）〕を０.０５重量部または
０.１重量部及びアクリル酸を０〜１０重量部を含有す
る膜厚７５μｍの感光性樹脂組成物を用い、実施例１と
同様にしてサンプルを作成して、銅配線の伸び率を測定
した。その結果を図５に示す。なお、銅めっき後のレジ
ストの膨れ及び剥離はなかった。
【００３７】メルカプトベンゾチアゾールの含有量が多
くなるとめっき液への汚染は大きくなるが、アクリル酸
２重量部以上では、伸び率がブランク値に比較して７０
％以上の値であった（メルカプトベンゾチアゾールの含
有量０.１部の時）。
くなるとめっき液への汚染は大きくなるが、アクリル酸
２重量部以上では、伸び率がブランク値に比較して７０
％以上の値であった（メルカプトベンゾチアゾールの含
有量０.１部の時）。
【００３８】〔実施例４〕図６に本発明のセミアディテ
ィブ法によるプリント配線基板の製法のフローチャート
を示す。また、それに対応するプリント基板の断面部分
を図７に示した。
ィブ法によるプリント配線基板の製法のフローチャート
を示す。また、それに対応するプリント基板の断面部分
を図７に示した。
【００３９】銅貼り積層板（銅箔）をコンディショナを
用いて親水化処理を施し、過硫酸アンモニウム２００ｇ
／ｌ、硫酸５ｍｌ／ｌ混合溶液に１分間浸漬して、表面
層を軽くエッチングし、水洗した。その後、基板表面に
０.１Ａ／平方ｄｍ、６分の条件で電解Ｎｉめっきを施
した。なお、Ｎｉめっき液の組成は硫酸ニッケル２００
ｇ／ｌ、ホウ酸１５ｇ／ｌ、過塩化酸ナトリウム１５ｇ
／ｌである。次いで、前記基板上にレジストをラミネー
トする（図６−ａ）。レジストの組成は密着付与剤とし
てアミノベンゾチアゾール〔式（５）〕を０.０５重量
部または０.１重量部及び３−メチル−クロトン酸を０
〜１０重量部を含有する感光性樹脂組成物であり、レジ
スト膜厚は７５μｍである。
用いて親水化処理を施し、過硫酸アンモニウム２００ｇ
／ｌ、硫酸５ｍｌ／ｌ混合溶液に１分間浸漬して、表面
層を軽くエッチングし、水洗した。その後、基板表面に
０.１Ａ／平方ｄｍ、６分の条件で電解Ｎｉめっきを施
した。なお、Ｎｉめっき液の組成は硫酸ニッケル２００
ｇ／ｌ、ホウ酸１５ｇ／ｌ、過塩化酸ナトリウム１５ｇ
／ｌである。次いで、前記基板上にレジストをラミネー
トする（図６−ａ）。レジストの組成は密着付与剤とし
てアミノベンゾチアゾール〔式（５）〕を０.０５重量
部または０.１重量部及び３−メチル−クロトン酸を０
〜１０重量部を含有する感光性樹脂組成物であり、レジ
スト膜厚は７５μｍである。
【００４０】次に、フォトマスクを用いて露光（図６−
ｂ），現像を行いネガティブパターンを形成する（図６
−ｃ）。現像液にはジエチレングリコールモノブチルエ
ーテル２００ｍｌ／ｌ、ホウ砂８ｇ／ｌの混合水溶液を
用いた。
ｂ），現像を行いネガティブパターンを形成する（図６
−ｃ）。現像液にはジエチレングリコールモノブチルエ
ーテル２００ｍｌ／ｌ、ホウ砂８ｇ／ｌの混合水溶液を
用いた。
【００４１】次に、ネガティブパターンを形成した基板
を１００℃の熱水で親水化処理後、Ｎｉエッチングを９
０秒間行なった。エッチング液成分は過酸化水素水５０
ｍｌ／ｌ、Ｎ−９５０Ａ（メルテックス社）５００ｍｌ
／ｌ、Ｎ−９５０Ｂ（メルテックス社）１００ｍｌ／ｌ
である（図６−ｄ）。
を１００℃の熱水で親水化処理後、Ｎｉエッチングを９
０秒間行なった。エッチング液成分は過酸化水素水５０
ｍｌ／ｌ、Ｎ−９５０Ａ（メルテックス社）５００ｍｌ
／ｌ、Ｎ−９５０Ｂ（メルテックス社）１００ｍｌ／ｌ
である（図６−ｄ）。
【００４２】次に、銅めっき（図６−ｅ）を施す。Ｎｉ
エッチング後の前記基板を希塩酸溶液に浸漬後、触媒液
（日立化成工業製、ＨＳ１０１Ｂ）浸漬処理し、水洗
後、シュウ酸／塩酸混合水溶液を用いて活性化処理し、
水洗後、７２℃、３２〜３５時間の条件で銅めっきを行
なった。なお、めっき液組成は硫酸銅１０ｇ／ｌ、ＥＤ
ＴＡ２Ｎａ・２Ｈ2Ｏ３０ｇ／ｌ、水酸化ナトリウム
（ｐＨ１２.６になる量）、ホルマリン３ｍｌ／ｌ、ポ
リエチレングリコール１０ｇ／ｌ、２，２’−ビピリジ
ル３０ｍｇ／ｌの混合溶液である。また、めっき液中に
浸漬するレジスト面積はめっき液１リットル当り２平方
ｄｍである。銅めっき後のレジストの膨れ及び剥離はな
かった。
エッチング後の前記基板を希塩酸溶液に浸漬後、触媒液
（日立化成工業製、ＨＳ１０１Ｂ）浸漬処理し、水洗
後、シュウ酸／塩酸混合水溶液を用いて活性化処理し、
水洗後、７２℃、３２〜３５時間の条件で銅めっきを行
なった。なお、めっき液組成は硫酸銅１０ｇ／ｌ、ＥＤ
ＴＡ２Ｎａ・２Ｈ2Ｏ３０ｇ／ｌ、水酸化ナトリウム
（ｐＨ１２.６になる量）、ホルマリン３ｍｌ／ｌ、ポ
リエチレングリコール１０ｇ／ｌ、２，２’−ビピリジ
ル３０ｍｇ／ｌの混合溶液である。また、めっき液中に
浸漬するレジスト面積はめっき液１リットル当り２平方
ｄｍである。銅めっき後のレジストの膨れ及び剥離はな
かった。
【００４３】次に、銅めっき上に半田めっきを１Ａ／平
方ｄｍ、１５分間行なった。半田めっき液組成は、Ｓｎ
（II）イオン１５ｇ／ｌ、Ｐｂ（II）イオン１０ｇ／
ｌ、ホウ酸４０ｇ／ｌ、ホウフッ酸３００ｇ／ｌの混合
溶液である。銅めっき後のレジストの膨れ及び剥離はな
かった。
方ｄｍ、１５分間行なった。半田めっき液組成は、Ｓｎ
（II）イオン１５ｇ／ｌ、Ｐｂ（II）イオン１０ｇ／
ｌ、ホウ酸４０ｇ／ｌ、ホウフッ酸３００ｇ／ｌの混合
溶液である。銅めっき後のレジストの膨れ及び剥離はな
かった。
【００４４】次に、塩化メチレンに浸漬してめっきレジ
ストを除去した（図１−ｆ）。その後、１００℃熱水で
親水化処理後、Ｎｉエッチングを９０秒間行なった。エ
ッチング液成分は過酸化水素水５０ｍｌ／ｌ、Ｎ−９５
０Ａ（メルテックス社）５００ｍｌ／ｌ、Ｎ−９５０Ｂ
（メルテックス社）１００ｍｌ／ｌである（図６−
ｇ）。
ストを除去した（図１−ｆ）。その後、１００℃熱水で
親水化処理後、Ｎｉエッチングを９０秒間行なった。エ
ッチング液成分は過酸化水素水５０ｍｌ／ｌ、Ｎ−９５
０Ａ（メルテックス社）５００ｍｌ／ｌ、Ｎ−９５０Ｂ
（メルテックス社）１００ｍｌ／ｌである（図６−
ｇ）。
【００４５】次いで、銅アンモニウム塩性のアルカリエ
ッチング液により回路形成部以外の銅層をエッチング除
去した（図６−ｇ）。最後に硝酸を含むエッチング液で
半田めっき部分を除去した。
ッチング液により回路形成部以外の銅層をエッチング除
去した（図６−ｇ）。最後に硝酸を含むエッチング液で
半田めっき部分を除去した。
【００４６】化学めっき後の銅配線の３−メチル−クロ
トン酸量に対する伸び率を図７に示す。アミノベンゾチ
アゾールの含有量が多くなるとめっき液への汚染は大き
くなるが、３−メチル−クロトン酸２重量部以上では、
伸び率がブランク値に比較して７０％以上の値であった
（アミノベンゾチアゾールの含有量０.１部の時）。
トン酸量に対する伸び率を図７に示す。アミノベンゾチ
アゾールの含有量が多くなるとめっき液への汚染は大き
くなるが、３−メチル−クロトン酸２重量部以上では、
伸び率がブランク値に比較して７０％以上の値であった
（アミノベンゾチアゾールの含有量０.１部の時）。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、めっきレジストのめっ
き液への汚染を大幅に低減することが可能となった。こ
れにより配線の信頼性の優れたプリント配線基板を提供
することができる。
き液への汚染を大幅に低減することが可能となった。こ
れにより配線の信頼性の優れたプリント配線基板を提供
することができる。
【図１】実施例１の配線形成工程のフローチャートであ
る。
る。
【図２】実施例１の配線基板の形成工程における断面図
である。
である。
【図３】密着付与剤入りレジストを用いて行なった化学
銅めっきのメタクリル酸量に対する伸び率を示すグラフ
である。
銅めっきのメタクリル酸量に対する伸び率を示すグラフ
である。
【図４】密着付与剤入りレジストを用いて行なった化学
銅めっきのα−エチルアクリル酸量に対する伸び率を示
すグラフである。
銅めっきのα−エチルアクリル酸量に対する伸び率を示
すグラフである。
【図５】密着付与剤入りレジストを用いて行なった化学
銅めっきのアクリル酸量に対する伸び率を示すグラフで
ある。
銅めっきのアクリル酸量に対する伸び率を示すグラフで
ある。
【図６】実施例４の配線形成工程のフローチャートであ
る。
る。
【図７】実施例４の配線基板の形成工程における断面図
である。
である。
【図８】密着付与剤入りレジストを用いて行なった化学
銅めっきの３−メチル−クロトン酸量に対する伸び率を
示すグラフである。
銅めっきの３−メチル−クロトン酸量に対する伸び率を
示すグラフである。
１…絶縁層、２…銅薄膜、２’…Ｎｉ薄膜、３…感光性
樹脂組成物（未露光）、３’…感光性樹脂組成物（露光
後）、４…マスク、５…活性光、６…現像液、７…めっ
き銅、８…半田。
樹脂組成物（未露光）、３’…感光性樹脂組成物（露光
後）、４…マスク、５…活性光、６…現像液、７…めっ
き銅、８…半田。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川本 峰雄 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 高橋 昭雄 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 宮崎 政志 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 石丸 敏明 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 銅貼り積層板を基板としその表面に感光
性樹脂組成物層を形成する工程、露光及び現像により前
記感光性樹脂組成物層のネガティブパターンを形成する
工程、前記感光性樹脂組成物層のネガティブパターンを
めっきレジストとして化学銅めっきにより配線パターン
を形成する工程を含むプリント配線基板の製法におい
て、 前記感光性樹脂組成物が、一般式（１）で表わされるビ
ニル重合型高分子重合体を含み、かつ、孤立電子対を持
つ窒素及び硫黄原子を少なくとも一つ含む有機化合物を
含むことを特徴とするプリント配線基板の製法。 【化１】 （但し式中、Ｒ1は炭素数０〜９、Ｒ2は炭素数０〜８の
有機残基を示す。） - 【請求項２】 銅貼り積層板を基板としその表面にＮ
ｉ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｎの少なくとも一種を析出さ
せ感光性樹脂組成物層を形成する工程、露光及び現像に
より前記感光性樹脂組成物層のネガティブパターンを形
成する工程、前記感光性樹脂組成物層のネガティブパタ
ーンをめっきレジストとして化学銅めっきにより配線パ
ターンを形成する工程を含むプリント配線基板の製法に
おいて、 前記感光性樹脂組成物が、前記一般式（１）で表わされ
るビニル重合型高分子重合体を含み、かつ、孤立電子対
を持つ窒素及び硫黄原子を少なくとも一つ含む有機化合
物を含むことを特徴とするプリント配線基板の製法。 - 【請求項３】 前記一般式（１）で表わされるビニル重
合型高分子重合体含有量が１〜１０重量部である請求項
１または２に記載のプリント配線基板の製法。 - 【請求項４】 前記孤立電子対を持つ窒素及び硫黄原子
の少なくとも一つを含む有機化合物含有量が０．０１〜
１重量部である請求項１，２または３に記載のプリント
配線基板の製法。 - 【請求項５】 前記一般式（１）で表わされるビニル重
合型高分子重合体が前記孤立電子対を持つ窒素及び硫黄
原子の少なくとも一つを含む有機化合物の少なくとも１
０重量倍含む請求項１〜４のいずれかに記載のプリント
配線基板の製法。 - 【請求項６】 前記孤立電子対を持つ窒素及び硫黄原子
の少なくとも一つを含む有機化合物が、式（２）〜（２
９）である請求項１〜５のいずれかに記載のプリント配
線基板の製法。 【化２】 【化３】 【化４】
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6027796A JPH07235755A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | プリント配線基板の製法 |
| EP95301193A EP0669793A3 (en) | 1994-02-25 | 1995-02-23 | Process for the production of a printed circuit board. |
| KR1019950003635A KR950033682A (ko) | 1994-02-25 | 1995-02-24 | 프린트 배선 기판의 제조 방법 |
| US08/801,421 US5712080A (en) | 1994-02-25 | 1997-02-18 | Method for manufacturing printed circuit board |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6027796A JPH07235755A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | プリント配線基板の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235755A true JPH07235755A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12230945
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP6027796A Pending JPH07235755A (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | プリント配線基板の製法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0669793A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07235755A (ja) |
| KR (1) | KR950033682A (ja) |
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| US4539286A (en) * | 1983-06-06 | 1985-09-03 | Dynachem Corporation | Flexible, fast processing, photopolymerizable composition |
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1994
- 1994-02-25 JP JP6027796A patent/JPH07235755A/ja active Pending
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- 1995-02-24 KR KR1019950003635A patent/KR950033682A/ko not_active Application Discontinuation
-
1997
- 1997-02-18 US US08/801,421 patent/US5712080A/en not_active Expired - Fee Related
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| US7879525B2 (en) | 2004-12-03 | 2011-02-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified photoresist composition, laminated product, and connection element |
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