JPS6311678A - 無電解銅めつき法 - Google Patents
無電解銅めつき法Info
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- JPS6311678A JPS6311678A JP15341186A JP15341186A JPS6311678A JP S6311678 A JPS6311678 A JP S6311678A JP 15341186 A JP15341186 A JP 15341186A JP 15341186 A JP15341186 A JP 15341186A JP S6311678 A JPS6311678 A JP S6311678A
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- JP
- Japan
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- plating
- electroless copper
- copper plating
- plating solution
- resist
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は無電解銅めっき法に関する。
（従来の技術）
無電解銅めっき液を用いてプリント配線板を製造する方
法として、無電解銅めっき反応の触媒を含有する接着剤
層付き絶縁板を用い、４体配線となる部分以外にめっき
レジスト形成し、導体配線と接着剤層付き＃！！縁板と
の接着力を付与するために接着剤層表面を粗化した後、
無電解銅めっきで導体配線を形成する方法がある。
法として、無電解銅めっき反応の触媒を含有する接着剤
層付き絶縁板を用い、４体配線となる部分以外にめっき
レジスト形成し、導体配線と接着剤層付き＃！！縁板と
の接着力を付与するために接着剤層表面を粗化した後、
無電解銅めっきで導体配線を形成する方法がある。
（発明が解決しようとする問題点）
この方法は、めっきレジストの溝部分にめっきで導体を
形成するのでめっきレジストの解像度まで導体寸法精度
をあげられること、無電解銅めっきは電気めっきに比べ
てめっきのつきまわり性が優れているので小径スルーホ
ール壁ににも均一なめっぎ膜厚が得らｎること、この２
の特長のためめっきレジストを形成した後無電解銅めっ
きによって導体を形成する方法はプリント配線板の配線
の高密度化に適している。
形成するのでめっきレジストの解像度まで導体寸法精度
をあげられること、無電解銅めっきは電気めっきに比べ
てめっきのつきまわり性が優れているので小径スルーホ
ール壁ににも均一なめっぎ膜厚が得らｎること、この２
の特長のためめっきレジストを形成した後無電解銅めっ
きによって導体を形成する方法はプリント配線板の配線
の高密度化に適している。
しかし、無電解銅めっきは非配線部分（レジスト上）Ｋ
もめりきが析出する場合があり、この不良発生が？ｉ６
密度配線めっきをする上での問題でありた。
もめりきが析出する場合があり、この不良発生が？ｉ６
密度配線めっきをする上での問題でありた。
本発明は非配線部分（レジスト上ノヘ鋼析出不良が発生
しない無電Ｍ銅めっき法を提供するものである。
しない無電Ｍ銅めっき法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は絶碌性基板表面の導体配線となる部分以外にめ
っきレジストを形成した後、無電解銅めっきて導体配ｌ
！Ａｔ−形成する方法に於て、使用する無電解銅めっき
液が銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤、田調整剤、
水、αα′−ジピリジルおよび一般式Ｒｓ Ｏ＋ ＣＨ
２ＣＨｓ Ｏ＋ｎ Ｒｘ （Ｒ１−Ｒ２は水素原子、炭
素素１〜１８のアルキル基、アルケニル基である。但し
Ｒ１，Ｔｏの両方が水素原子の場合は含まない。）で表
わされるポリオキシエチレンエーテルを含有する無電解
銅めっき液であること、＃を解鋼めっき工程を２工程に
分けること、第１工程の無電解銅めっき液の銅イオン、
田調整剤および還元剤の日歩くとも還元剤１度を第２工
程の無電解銅めっき液の濃度よりも低！Ｉ度にすること
によってめっき活性を下げること、第１工程の無電解銅
めっき液への浸漬時間が５時間以下であることを特徴と
する無電解銅めっき法である。
っきレジストを形成した後、無電解銅めっきて導体配ｌ
！Ａｔ−形成する方法に於て、使用する無電解銅めっき
液が銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤、田調整剤、
水、αα′−ジピリジルおよび一般式Ｒｓ Ｏ＋ ＣＨ
２ＣＨｓ Ｏ＋ｎ Ｒｘ （Ｒ１−Ｒ２は水素原子、炭
素素１〜１８のアルキル基、アルケニル基である。但し
Ｒ１，Ｔｏの両方が水素原子の場合は含まない。）で表
わされるポリオキシエチレンエーテルを含有する無電解
銅めっき液であること、＃を解鋼めっき工程を２工程に
分けること、第１工程の無電解銅めっき液の銅イオン、
田調整剤および還元剤の日歩くとも還元剤１度を第２工
程の無電解銅めっき液の濃度よりも低！Ｉ度にすること
によってめっき活性を下げること、第１工程の無電解銅
めっき液への浸漬時間が５時間以下であることを特徴と
する無電解銅めっき法である。
本発明で用いるプリント配線基板は、例えはめつぎ皮膜
との接着力が付与でさる接着剤ノｄ付絶縁板であり、そ
の接着剤層にはＰｄなどの無電解銅めっき反応を開始さ
せるめっき触媒を含有させたものが好ましい。めっきレ
ジストは紫外線硬化型のドライフィルム、紫外線硬化型
インク、熱硬化型インクなどが用いらｎる。
との接着力が付与でさる接着剤ノｄ付絶縁板であり、そ
の接着剤層にはＰｄなどの無電解銅めっき反応を開始さ
せるめっき触媒を含有させたものが好ましい。めっきレ
ジストは紫外線硬化型のドライフィルム、紫外線硬化型
インク、熱硬化型インクなどが用いらｎる。
無電解銅めっき液は銅イオン、鋼イオンの錯化剤、還元
剤、■調整剤、水、αα′−ジピリジルおよび一般式Ｒ
１０（−ＣＨｚＣＨｚＯ＋ｎＲｚ （Ｒ１、Ｒ２）工水
素原子、炭素累１〜１８のアルキル基、アルケニル基で
ある。但しＲ，、Ｒ２の両方が水素原子の場合は含まな
い。）で表わされるポリオキシエチレンエーテルを含有
する無電解銅めっき液であり、一般のプリント配線板の
導体厚さである３０μｍ以上までめっきが可能であり、
またプリント配線板の導体としての信頼性を有するもの
である。
剤、■調整剤、水、αα′−ジピリジルおよび一般式Ｒ
１０（−ＣＨｚＣＨｚＯ＋ｎＲｚ （Ｒ１、Ｒ２）工水
素原子、炭素累１〜１８のアルキル基、アルケニル基で
ある。但しＲ，、Ｒ２の両方が水素原子の場合は含まな
い。）で表わされるポリオキシエチレンエーテルを含有
する無電解銅めっき液であり、一般のプリント配線板の
導体厚さである３０μｍ以上までめっきが可能であり、
またプリント配線板の導体としての信頼性を有するもの
である。
従来、無電解銅めっきし一工程でおこなツ”Ｃいたが、
本発明では２工程に分ける。第２工程のめっき液組成は
、従来おこなっているめっき液組成と同じであり、第１
工程、第２工程のめっぎで得らｎるめっき膜厚の７割以
上をこの工程でめっきする。
本発明では２工程に分ける。第２工程のめっき液組成は
、従来おこなっているめっき液組成と同じであり、第１
工程、第２工程のめっぎで得らｎるめっき膜厚の７割以
上をこの工程でめっきする。
第１工程のめりき液組成は、銅イオン、…調整剤お工び
還元剤８度の８少くとも還元剤を第２工程の無電解銅め
っき液の＃度よりも低濃度にすることによってめっき活
性を下げる。そのａ度は第２めっき工程のめつき析出速
度の７割以下に第１めっき工程のめっぎ析出速度が下る
工うにする。第１工程のめっき時間は５時間以下である
。５時間を越えると、めっきの不析出個所が発生したり
めっき皮膜の％性が低下したりする。また短いと非配線
部分へのめっき析出の抑制効果が低下する。したがって
、６０分から５時間の間て選ばれる。
還元剤８度の８少くとも還元剤を第２工程の無電解銅め
っき液の＃度よりも低濃度にすることによってめっき活
性を下げる。そのａ度は第２めっき工程のめつき析出速
度の７割以下に第１めっき工程のめっぎ析出速度が下る
工うにする。第１工程のめっき時間は５時間以下である
。５時間を越えると、めっきの不析出個所が発生したり
めっき皮膜の％性が低下したりする。また短いと非配線
部分へのめっき析出の抑制効果が低下する。したがって
、６０分から５時間の間て選ばれる。
（作用）
レジスト上へのめっぎ析１１：ｌは捕々の検討の結果、
接着剤層付絶縁板にめっきレジストを形成した後、めっ
き導体と基板との接着力を付与するためにおこなった接
Ｍ剤１−の粗化工程でＰｄなどのめっき触媒を含有して
いる粗化脆弱層が作らｎこの脆弱層からはが八た粒子が
レジスト上に付着し、この粒子に含ま八るめっき触媒を
もとにしてめっきが析出するものと推定さｎた。
接着剤層付絶縁板にめっきレジストを形成した後、めっ
き導体と基板との接着力を付与するためにおこなった接
Ｍ剤１−の粗化工程でＰｄなどのめっき触媒を含有して
いる粗化脆弱層が作らｎこの脆弱層からはが八た粒子が
レジスト上に付着し、この粒子に含ま八るめっき触媒を
もとにしてめっきが析出するものと推定さｎた。
本発明で第１工程のめっぎ治性全下げることに工つてレ
ジスト上へのめっぎ析出が無くなった。
ジスト上へのめっぎ析出が無くなった。
第１工程の低活性めっき液でを工脆弱層からできた粒子
に含まｎるめりき触媒ではめっきが析出しないこと、第
１工程のめっき液への浸漬時間中にレジスト上に付着し
た脆弱層からできた程子が脱落するものと思わｎる。次
に第２工程のめりき液に浸漬し、所望のめっき厚さまで
めっきをおこなう。この方法に工ってめっきレジスト上
にめっき析出のないプリント配線板の製造が可能となる
。
に含まｎるめりき触媒ではめっきが析出しないこと、第
１工程のめっき液への浸漬時間中にレジスト上に付着し
た脆弱層からできた程子が脱落するものと思わｎる。次
に第２工程のめりき液に浸漬し、所望のめっき厚さまで
めっきをおこなう。この方法に工ってめっきレジスト上
にめっき析出のないプリント配線板の製造が可能となる
。
実施例
接着剤層付絶縁板（日立化成製、商品名ＡＣＬ−Ｅ−１
６８）に紫外線硬化型ドライフィルム（日立化成製、商
品名５Ｒ−５０００）を用いてめっきレジストを形成し
た。次にクロム酸、硫酸を含む化学粗化液に浸漬しめり
ぎレジストで櫟われていない接着剤層の表面を粗化した
。
６８）に紫外線硬化型ドライフィルム（日立化成製、商
品名５Ｒ−５０００）を用いてめっきレジストを形成し
た。次にクロム酸、硫酸を含む化学粗化液に浸漬しめり
ぎレジストで櫟われていない接着剤層の表面を粗化した
。
次に温度が７０±２０である組成（５）の第１工程のめ
りき液Ｔ／Ｃ３時間浸漬した。次に温度が７０±２℃で
ある組成ｔＢＪの第２工程のめっき液に１２時間浸漬し
た。めっきレジスト上への銅析出不良発生を工見られな
かった。
りき液Ｔ／Ｃ３時間浸漬した。次に温度が７０±２℃で
ある組成ｔＢＪの第２工程のめっき液に１２時間浸漬し
た。めっきレジスト上への銅析出不良発生を工見られな
かった。
組Ｍ、四 組成（８１
ＣｕＳＯｎ・５ＨｚＯ（ｇ／ｌ ） １０
１０ＥＤＴＡ−２Ｎａ（ｇ／ｌ） ４０
４０ＦＩ′ｌ（ＮａＯＨｋ用いて調整）
１２．１ １２．４３７％ｃＨ２（１１元剤
）ＣｒｌＪｌ／Ｉ） ２．１） ３．５α
α′−ジピリジルＣａ１７１ ） ３０
３０ポリオキシエチレンモノメチルエーテル＜ｇ
／Ａ） ５ ５純 水
総量で１１になる童 同左めっき析出速度（
ａｍ／ｈ ） １．６ ２．５比較例 実施例と同様の材料、工程で粗化までおこない次に実施
例の組成（ＢＪの条件のめっき液に１４時間浸漬してめ
っきをおこなった。
１０ＥＤＴＡ−２Ｎａ（ｇ／ｌ） ４０
４０ＦＩ′ｌ（ＮａＯＨｋ用いて調整）
１２．１ １２．４３７％ｃＨ２（１１元剤
）ＣｒｌＪｌ／Ｉ） ２．１） ３．５α
α′−ジピリジルＣａ１７１ ） ３０
３０ポリオキシエチレンモノメチルエーテル＜ｇ
／Ａ） ５ ５純 水
総量で１１になる童 同左めっき析出速度（
ａｍ／ｈ ） １．６ ２．５比較例 実施例と同様の材料、工程で粗化までおこない次に実施
例の組成（ＢＪの条件のめっき液に１４時間浸漬してめ
っきをおこなった。
めっきレジスト上への銅析出不良発生率は３０％であっ
た。（発生′４はプリント配線板５０枚製造し析出不良
が発生したものの百分率である） （発明の効果）
た。（発生′４はプリント配線板５０枚製造し析出不良
が発生したものの百分率である） （発明の効果）
Claims (1)
- １、絶縁性基板表面の導体配線となる部分以外にめっき
レジストを形成した後、無電解銅めっきで導体配線を形
成する無電解銅めっき法に於て使用する無電解銅めっき
液が銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤
、水、αα′−ジピリジルおよび一般式Ｒ＿１Ｏ■ＣＨ
＿２ＣＨ＿２Ｏ■＿ｎＲ＿２（Ｒ＿１、Ｒ＿２は水素原
子、炭素素１〜１８のアルキル基、アルケニル基である
。但しＲ＿１、Ｒ＿２の両方が水素原子の場合は含まな
い。）で表わされるポリオキシエチレンエーテルを含有
する無電解銅めっき液であること、無電解銅めっき工程
を２工程に分けること、第１工程の無電解銅めっき液の
銅イオン、ｐＨ調整剤および還元剤の内少くとも還元剤
濃度を第２工程の無電解銅めっき液の濃度よりも低濃度
にすることによってめっき活性を下げること、第１工程
の無電解銅めっき液への浸漬時間が５時間以下であるこ
とを特徴とする無電解銅めっき法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15341186A JPS6311678A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 無電解銅めつき法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15341186A JPS6311678A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 無電解銅めつき法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6311678A true JPS6311678A (ja) | 1988-01-19 |
| JPH0434625B2 JPH0434625B2 (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=15561902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15341186A Granted JPS6311678A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 無電解銅めつき法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6311678A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6147059A (en) * | 1992-02-20 | 2000-11-14 | Hyal Pharmaceutical Corporation | Formulations containing hyaluronic acid |
| US6194392B1 (en) | 1989-09-21 | 2001-02-27 | Hyal Pharmaceutical Corporation | Treatment of conditions and disease |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5178744A (ja) * | 1974-12-30 | 1976-07-08 | Hitachi Ltd | Mudenkaidometsukieki |
| JPS58133365A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解銅めつき液 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP15341186A patent/JPS6311678A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5178744A (ja) * | 1974-12-30 | 1976-07-08 | Hitachi Ltd | Mudenkaidometsukieki |
| JPS58133365A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解銅めつき液 |
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|---|---|---|---|---|
| US6194392B1 (en) | 1989-09-21 | 2001-02-27 | Hyal Pharmaceutical Corporation | Treatment of conditions and disease |
| US6147059A (en) * | 1992-02-20 | 2000-11-14 | Hyal Pharmaceutical Corporation | Formulations containing hyaluronic acid |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0434625B2 (ja) | 1992-06-08 |
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