JPH0473142B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、改善された電子写真特性を与える電
子写真感光体に関するものである。 従来、電子写真感光体で用いる光導電材料とし
て、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無
機光導電性材料が知られている。これらの光導電
性材料は、数多くの利点、例えば暗所で適当な電
位に帯電できること、暗所で電荷の逸散が少ない
ことあるいは光照射によつて速かに電荷を逸散で
きるなどの利点をもつている反面、各種の欠点を
有している。例えば、セレン系感光体では、温
度、湿度、ごみ、圧力などの要因で容易に結晶化
が進み、特に雰囲気温度が40℃を越えると結晶化
が著しくなり、帯電性の低下や画像に白い斑点が
発生するといつた欠点がある。硫化カドミウム系
感光体は、多湿の環境下で安定した感度が得られ
ない点や酸化亜鉛系感光体ではローズベンガスに
代表される増感色素による増感硬化を必要として
いるが、この様な増感色素がコロナ帯電による帯
電劣化や露光光による光退色を生じるため長期に
亘つて安定した画像を与えることができない欠点
を有している。 一方、ポリビニルカルバゾールをはじめとする
各種の有機光導電性ポリマーが提案されて来た
が、これらのポリマーは、前述の無機系光導電材
料に較べ成膜性、軽量性などの点で優れているに
もかかわらず、今日までその実用化が困難であつ
たのは、未だ十分な成膜性が得られておらず、ま
た感度、耐久性および環境変化による安定性の点
で無機系光導電材料に較べ劣つているためであつ
た。また、米国特許第4150987号公報などに開示
のヒドラゾン化合物、米国特許第3837851号公報
などに記載のトリアリールピラゾリン化合物、特
開昭51−94828号公報、特開昭51−94829号公報な
どに記載の9−スチリルアントラセン化合物など
の低分子量の有機光導電体が提案されている。こ
の様な低分子量の有機光導電体は、使用するバイ
ンダーを適当に選択することによつて、有機光導
電性ポリマーの分野で問題となつていた成膜性の
欠点を解消できる様になつたが、感度の点で十分
なものとは言えない。 このようなことから、近年感光層を電荷発生層
と電荷輸送層に機能分離させた積層構造体が提案
された。この積層構造を感光層とした電子写真感
光体は、可視光に対する感度、電荷保持力、表面
強度などの点で改善できる様になつた。この様な
電子写真感光体は、例えば米国特許第3837851号、
同第3871882号公報などに開示されている。 しかし、従来の有機光導電体を電荷輸送層に用
いた電子写真感光体では、未だに十分な感度が得
られておらず、また繰り返し帯電および露光を行
なつた際には明部電位と暗部電位の変動が大き
く、改善すべき点がある。 本発明は前述の欠点又は不利を解消した電子写
真感光体を提供することにある。 本発明のかかる目的は、電荷輸送物質を含む電
荷輸送層に対し、次の一般式(1)で示される化合物
を添加した電子写真感光体によつて達成される。 一般式 式中Aは置換されていてもよい芳香族基または
置換されていてもよい複素環基を表わす。 芳香族基としては、フエニル、ナフチル、アン
スリル等の基があげられる。複素環基としては、
ピリジル、フリル、チエニル、カルバゾリル、フ
エノキサジル、フエノチアジル等の基があげられ
る。 芳香族基または複素環基の置換基としては、メ
チル、エチル、プロピル、ブチル等のアルキル
基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ
等のアルコキシ基、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素
等のハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシ
カルボニル等のアルコキシカルボニル基があげら
れる。 Rは、シアノ基、メトキシカルボニル、エトキ
シカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシ
カルボニル等のアルコキシカルボニル基、置換さ
れていてもよいフエノキシカルボニル、ナフトキ
シカルボニル等のアリールオキシカルボニル基、
アセチル、プロピオニル、ベンゾイル等のアシル
基、フエニル、ナフチル等のアリール基またはカ
ルバモイル基を表わし、アリールオキシカルボニ
ル基、アシル基、アリール基の置換基としては、
ニトロ、シアノ等の電子吸引性基が好ましい。カ
ルバモイル基の置換基としては、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル等のアルキル基、フエニ
ル、ナフチル等のアリール基があげられる。 次に前示一般式(1)で示される化合物の主な具体
例を列記する。 一般式(1)で示される化合物の電荷輸送物質に対
する添加率は、電荷輸送物質100重量部に対して
0.01〜100重量部、好ましくは0.05〜30重量部で
ある。 一般に電荷輸送層中の電子供与性物質に対し電
子吸引性物質を添加すると電荷移動錯体形成によ
り電荷輸送層の吸収が長波長へシフトしてフイル
ター効果により減感作用を示したり、トラツプの
増加により減感する場合が殆んどであるが、一般
式(1)で示される化合物を添加した場合は特異的に
光減衰カーブのすその切れがよくなり、感光体を
繰り返し帯電、露光した後の残留電位の立ち上り
も極めて小さく、実用的に極めて有用な電子写真
感光体となる。 本発明の感光層を電荷発生層と電荷輸送層に機
能分離した電子写真感光体の電荷輸送物質には、
ヒドラゾン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキ
サジアゾール系化合物、スチリル系化合物、トリ
フエニルメチン系化合物、ポリ−N−ビニルカル
バゾール等種々の電荷輸送物質が用いられるが、
特に好ましい材料は、次の一般式(2)で示されるヒ
ドラゾン系化合物や一般式(3)で示されるピラゾリ
ン系化合物である。 一般式 式中Bは置換されていてもよいフエニル、ナフ
チル、アンスリル、ピレニル等のアリール基、フ
リル、チエニル、ピリジル、カルバゾリル、フエ
ノキサジル、フエノチアジル等の複素環基を表わ
し、その置換基としては、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素等のハロゲン原子、メチル、エチル、プロ
ピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ等のアルコキシ基、ジ
メチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミ
ノ、ジブチルアミノ、ジフエニルアミノ、ジベン
ジルアミノ、メチルフエニルアミノ、エチルフエ
ニルアミノ、エチルベンジルアミノ、モルホリ
ノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミノ基な
いしは環状アミノ基があげられる。R1およびR2
は置換されていてもよいメチル、エチル、プロピ
ル、ブチル等のアルキル基、ベンジル、フエネチ
ル等のアラルキル基、フエニル、ナフチル、アン
スリル、ピレニル等のアリール基を表わし、その
置換基としては前記Bにおける置換基と同じ置換
基があげられる。 一般式 式中Dはフエニル、ナフチル、アンスリル等の
アリール基、R3,R4,R5およびR6はメチル、エ
チル、プロピル、ブチル等のアルキル基、ベンジ
ル、フエネチル等のアラルキル基、フエニル、ナ
フチル等のアリール基を示す。 次に用いられる電荷輸送物質の具体例をあげ
る。 ピレン、N−エチルカルバゾール、N−イソプ
ロピルカルバゾール、N−メチル−N−フエニル
ヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチルカルバ
ゾール、N,N−ジフエニルヒドラジノ−3−メ
チリデン−9−エチルカルバゾール、N,N−ジ
フエニルヒドラジノ−3−メチリデン−10−エチ
ルフエノチアジン、N,N−ジフエニルヒドラジ
ノ−3−メチリデン−10−エチルフエノキサジ
ン、P−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N,
N−ジフエニルヒドラゾン、P−ジエチルアミノ
ベンズアルデヒド−N−α−ナフチル−N−フエ
ニルヒドラゾン、P−ピロリジノベンズアルデヒ
ド−N,N−ジフエニルヒドラゾン、1,3,3
−トリメチルインドレニン−ω−アルデヒド−
N,N−ジフエニルヒドラゾン、P−ジエチルベ
ンズアルデヒド−3−メチルベンズチアゾリノン
−2−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、2,5−ビ
ス(P−ジエチルアミノフエニル)−1,3,4
−オキサジアゾール、1−フエニル−3−(P−
ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエチルア
ミノフエニル)ピラゾリン、1−〔キノリル(2)〕−
3−(P−ジエチルアミノスチリル)−5−(P−
ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、1−〔ピ
リジル(2)〕−3−(P−ジエチルアミノスチリル)
−5−(P−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリ
ン、1−〔6−メトキシ−ピリジル(2)〕−3−(P
−ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエチル
アミノフエニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(3)〕
−3−(P−ジエチルアミノスチリル)−5−(P
−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、1−
〔レピジル(2)〕−3−(P−ジエチルアミノスチリ
ル)−5−(P−ジエチルアミンフエニル)ピラゾ
リン、1−〔ピリジル(2)〕−3−(P−ジエチルア
ミノスチリル)−4−メチル−5−(P−ジエチル
アミノフエニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(2)〕
−3−(α−メチル−P−ジエチルアミンスチリ
ル)−5−(P−ジエチルアミノフエニル)ピラゾ
リン、1−フエニル−3−(P−ジエチルアミノ
スチリル)−4−メチル−5−(P−ジエチルアミ
ノフエニル)ピラゾリン、1−フエニル−3−
(α−ベンジル−P−ジエチルアミノスチリル)−
5−(P−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、
スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、2−(P
−ジエチルアミノスチリル)−6−ジエチルアミ
ノベンズオキサゾール、2−(P−ジエチルアミ
ノフエニル)−4−(P−ジメチルアミノフエニ
ル)−5−(2−クロロフエニル)オキサゾール等
のオキサゾール系化合物、2−(P−ジエチルア
ミノスチリル)−6−ジエチルアミノベンゾチア
ゾール等のチアゾール系化合物、ビス(4−ジエ
チルアミノ−2−メチルフエニル)−フエニルメ
タン等のトリアリールメタン系化合物、1,1−
ビス(4−N,N−ジエチルアミノ−2−メチル
フエニル)ヘプタン、1,1,2,2−テトラキ
ス(4−N,N−ジメチルアミノ−2−メチルフ
エニル)エタン等のポリアリールアルカン類、ト
リフエニルアミン、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセ
ン、ポリビニルアクリジン、ポリ−9−ビニルフ
エニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド
樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂
等がある。 本発明による電荷輸送層は前述の電荷輸送物質
と一般式(1)で示される化合物と結着剤とを適当な
溶剤に溶解せしめた溶液を塗布し、乾燥せしめる
ことにより形成させることが好ましい。ここに用
いる結着剤としては、例えばポリアリレート樹
脂、ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、アクリ
ル樹脂、アクリロニトリル樹脂、メタクリル樹
脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フエノー
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キド樹脂、ポリカーボネート、ポリウレタンある
いはこれらの樹脂の繰り返し単位のうち2つ以上
を含む共重合体樹脂例えばスチレン−ブタジエン
コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリ
マー、スチレン−マレイン酸コポリマーなどを挙
げることができる。また、この様な絶縁性ポリマ
ーの他に、ポリビニルカルバゾール、ポリビニル
アントラセンやポリビニルピレンなどの有機光導
電性ポリマーも使用できる。 この結着剤と電荷輸送物質との配合割合は、結
着剤100重量部当り電荷輸送物質を10〜500重量部
とすることが好ましい。 電荷輸送層は、下述の電荷発生層と電気的に接
続されており、電界の存在下で電荷発生層から注
入された電荷キヤリアを受け取るとともに、これ
らの電荷キヤリアを表面まで輸送できる機能を有
している。この際、この電荷輸送層は、電荷発生
層の上に積層されていてもよく、またその下に積
層されていてもよい。しかし、電荷輸送層は、電
荷発生層の上に積層されていることが望ましい。
この電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限
界があるので、必要以上に膜厚を厚くすることが
できない。一般的には、5ミクロン〜30ミクロン
であるが、好ましい範囲は8ミクロン〜20ミクロ
ンである。 この様な電荷輸送層を形成する際に用いる有機
溶剤は、使用する結着剤の種類によつて異なり、
又は電荷発生層や下述の下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機溶剤
としては、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどのアルコール類、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホ
キシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチル
エーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチ
レン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あ
るいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイ
ン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなど
の芳香族類などを用いることができる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。乾燥は、室温に
おける指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好まし
い。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で5分〜2
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なう
ことができる。 本発明の電荷輸送層には、種々の添加剤を含有
させることができる。かかる添加剤としては、ジ
フエニル、塩化ジフエニル、O−ターフエニル、
P−ターフエニル、ジブチルフタレート、ジメチ
ルグリコールフタレート、ジオクチルフタレー
ト、トリフエニル燐酸、メチルナフタリン、ベン
ゾフエノン、塩素化パラフイン、ジラウリルチオ
プロピオネート、3,5−ジニトロサリチル酸、
各種フルオロカーボン類などを挙げることができ
る。 本発明で用いる電荷発生層は、セレン、セレン
−テルル、ピリリウム、チオピリリウム系染料、
フタロシアニン系顔料、アントアントロン顔料、
ジベンズピレンキノン顔料、ピラントロン顔料、
トリスアゾ顔料、ジスアゾ顔料、アゾ顔料、イン
ジゴ顔料、キナクリドン系顔料、非対称キノシア
ニン、キノシアニンあるいは特開昭54−143645号
公報に記載のアモルフアスシリコンなどの電荷発
生物質から選ばれた別個の蒸着層あるいは樹脂分
散層を用いることができる。 本発明の電子写真感光体に用いる電荷発生物質
は、例えば下記に示す無機化合物あるいは有機化
合物を挙げることができる。 電荷発生物質 (1) アモルフアスシリコン (2) セレン−テルル (3) セレン−ヒ素 (4) 硫化カドミウム (58) スクエアリツク酸メチン染料 (59) インジゴ染料(C.I.No.78000) (60) チオインジゴ染料(C.I.No.78800) (61) β−型銅フタロシアニン 電荷発生層は、前述の電荷発生物質を適当な結
着剤に分散させ、これを基体の上に塗工すること
によつて形成でき、また真空蒸着装置により蒸着
膜を形成することによつて得ることができる。電
荷発生層を塗工によつて形成する際に用いうる結
着剤としては広範な絶縁性樹脂から選択でき、ま
たポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルア
ントラセンやポリビニルピレンなどの有機光導電
性ポリマーから選択できる。好ましくは、ポリビ
ニルブチラール、ポリアリレート(ビスフエノー
ルAとフタル酸の縮重合体など)、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、フエノキシ樹脂、ポリ酢酸
ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹
脂、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロー
ス系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。電荷
発生層中に含有する樹脂は、80重量%以下、好ま
しくは40重量%以下が適している。塗工の際に用
いる有機溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどのアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンな
どのケトン類、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、
ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン
化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシ
レン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロ
ルベンゼンなどの芳香族類などを用いることがで
きる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。 電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、で
きる限り多くの前記有機光導電体を含有し、且つ
発生した電荷キヤリアの飛程を短かくするため
に、薄膜層、例えば5ミクロン以下、好ましくは
0.01ミクロン〜1ミクロンの膜厚をもつ薄膜層と
することが好ましい。このことは、入射光量の大
部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キヤ
リアを生成すること、さらに発生した電荷キヤリ
アを再結合や補獲(トラツプ)により失活するこ
となく電荷輸送層に注入する必要があることに帰
因している。 この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造か
らなる感光層は、導電層を有する基体の上に設け
られる。導電層を有する基体としては、基体自体
が導電性をもつもの、例えばアルミニウム、アル
ミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、イ
ンジウム、金や白金などを用いることができ、そ
の他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金
などを真空蒸着法によつて被膜形成された層を有
するプラスチツク(例えば、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレ
フタレート、アクリル樹脂、ポリフツ化エチレン
など)導電性粒子(例えば、カーボングラツク、
銀粒子など)を適当なバインダーとともにプラス
チツクの上に被覆した基体、導電性粒子をプラス
チツクや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有
するプラスチツクなどを用いることができる。 導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着
機能をもつ下引層を設けることもできる。下引層
は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポ
リアミド(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン
610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど)、ポリウレタン、ゼラチン、酸化アル
ミニウムなどによつて形成できる。 下引層の膜厚は、0.1ミクロン〜5ミクロン、
好ましくは0.5ミクロン〜3ミクロンが適当であ
る。 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層し
た感光体を使用する場合において、化合物は正孔
輸送性であるので、電荷輸送層表面を負に帯電す
る必要があり、帯電後露光すると露光部では電荷
発生層において生成した正孔が電荷輸送層に注入
され、その後表面に達して負電荷を中和し、表面
電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。現像時には電子輸送物質を用いた
場合とは逆に正電荷性トナーを用いる必要があ
る。 本発明の別の具体例では、前述のジスアゾ顔料
あるいは、米国特許第3554745号、同第3567438
号、同第3586500号公報などに開示のピリリウム
染料、チアピリリウム染料、セレナピリリウム染
料、ベンゾピリリウム染料、ベンゾチアピリリウ
ム染料、ナフトピリリウム染料、ナフトチアピリ
リウム染料などの光導電性を有する顔料や染料を
増感剤としても用いることができる。 また、別の具体例では、米国特許第3684502号
公報などに開示のピリリウム染料とアルキリデン
ジアリーレン部分を有する電気絶縁重合体との共
晶錯体を増感剤として用いることもできる。この
共晶錯体は、例えば4−〔4−ビス−(2−クロロ
エチル)アミノフエニル〕−2,6−ジフエニル
チアピリリウムパークロレートとポリ(4,4′−
イソプロピリデンジフエニレンカーボネート)を
ハロゲン化炭化水素系溶剤(例えば、ジクロルメ
タン、クロロホルム、四塩化炭素、1,1−ジク
ロルエタン、1,2−ジクロルエタン、1,1,
2−トリクロルエタン、クロルベンゼン、ブロモ
ベンゼン、1,2−ジクロルベンゼン)に溶解し
た後、これに非極性溶剤(例えば、ヘキサン、オ
クタン、デカン、2,2,4−トリメチルベンゼ
ン、リグロインを加えることによつて粒子状共晶
錯体として得られる。この具体例における電子写
真感光体には、スチレン−ブタジエンコポリマ
ー、シリコン樹脂、ビニル樹脂、塩化ビニリデン
−アクリロニトリルコポリマー、スチレン−アク
リロニトリルコポリマー、ビニルアセテート−塩
化ビニルコポリマー、ポリビニルブチラール、ポ
リメチルメタクリレート、ポリ−N−ブチルメタ
クリレート、ポリエステル類、セルロースエステ
ル類などを結着剤として含有することができる。 本発明の電子写真感光体は、電子写真複写機に
利用するのみならず、レーザープリンター、
CRTプリンター、電子写真式製版システムなど
の電子写真応用分野にも広く用いることができ
る。 本発明によれば、高感度の電子写真感光体を与
えることができ、また繰り返し帯電および露光を
行なつた時の明部電位と暗部電位の変動が小さ
い。 以下、本発明を実施例に従つて説明する。 実施例 1 東洋インキ製造(株)製のs型銅フタロシアニン7
g;デユポン社製の「商品名:ポリエステルアド
ヒーシブ49000(固形分20%)」14g;トルエン35
g;ジオキサン35gを混合し、ボールミルで6時
間分散することによつて塗工液を調製した。この
塗工液をアルミニウムシート上に乾燥膜厚が0.5
ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布して電荷
発生層を作成した。 次に、電荷輸送化合物としてP−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド−N,N−ジフエニルヒドラ
ゾン7gとP−ニトロベンザルマロノニトリル
0.07gとポリカーボネート樹脂(帝人化成(株)製の
商品名「パンライトK−1300」7gとをテトラヒ
ドロフラン35gとクロロベンゼン35gの混合溶媒
中に攪拌溶解させて得た溶液を先の電荷発生層の
上に、マイヤーバーで乾燥膜厚が11ミクロンとな
る様に塗工して、2層構造からなる感光層をもつ
電子写真感光体を作成した。(試料1) 次に比較のために電荷輸送層にP−ニトロベン
ザルマロノニトリルを添加しない点を除いては試
料1と全く同様にして電子写真感光体を作成し
た。(比較試料) この様にして作成した電子写真感光体を川口電
機(株)製静電複写紙試験装置Model SP−428を用
いてスタチツク方式で−5KVでコロナ帯電し、
暗所で10秒間保持した後、照度5luxで露光し帯電
特性を調べた。 帯電特性としては表面電位(V0)と1秒間暗
減衰させた時の電位(V1)を1/2に減衰するに必
要な露光量(E1/2)を測定した。この結果を第
1表に示す。 さらに、繰り返し使用した時の明部電位と暗部
電位の変動を測定するために、本実施例で作成し
た感光体を−5.6KVのコロナ帯電器、露光量
12lux.secの露光光学系、現像器、転写帯電器、
除電露光光学系およびクリーナーを備えた電子写
真複写機のシリンダーに貼り付けた。この複写機
は、シリンダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が
得られる構成になつている。この複写機を用い
て、初期の明部電位(VL)と暗部電位(VD)お
よび5000回使用した後の明部電位(VL)と暗部
電位(VD)を測定した。この結果を第2表に示
す。
子写真感光体に関するものである。 従来、電子写真感光体で用いる光導電材料とし
て、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無
機光導電性材料が知られている。これらの光導電
性材料は、数多くの利点、例えば暗所で適当な電
位に帯電できること、暗所で電荷の逸散が少ない
ことあるいは光照射によつて速かに電荷を逸散で
きるなどの利点をもつている反面、各種の欠点を
有している。例えば、セレン系感光体では、温
度、湿度、ごみ、圧力などの要因で容易に結晶化
が進み、特に雰囲気温度が40℃を越えると結晶化
が著しくなり、帯電性の低下や画像に白い斑点が
発生するといつた欠点がある。硫化カドミウム系
感光体は、多湿の環境下で安定した感度が得られ
ない点や酸化亜鉛系感光体ではローズベンガスに
代表される増感色素による増感硬化を必要として
いるが、この様な増感色素がコロナ帯電による帯
電劣化や露光光による光退色を生じるため長期に
亘つて安定した画像を与えることができない欠点
を有している。 一方、ポリビニルカルバゾールをはじめとする
各種の有機光導電性ポリマーが提案されて来た
が、これらのポリマーは、前述の無機系光導電材
料に較べ成膜性、軽量性などの点で優れているに
もかかわらず、今日までその実用化が困難であつ
たのは、未だ十分な成膜性が得られておらず、ま
た感度、耐久性および環境変化による安定性の点
で無機系光導電材料に較べ劣つているためであつ
た。また、米国特許第4150987号公報などに開示
のヒドラゾン化合物、米国特許第3837851号公報
などに記載のトリアリールピラゾリン化合物、特
開昭51−94828号公報、特開昭51−94829号公報な
どに記載の9−スチリルアントラセン化合物など
の低分子量の有機光導電体が提案されている。こ
の様な低分子量の有機光導電体は、使用するバイ
ンダーを適当に選択することによつて、有機光導
電性ポリマーの分野で問題となつていた成膜性の
欠点を解消できる様になつたが、感度の点で十分
なものとは言えない。 このようなことから、近年感光層を電荷発生層
と電荷輸送層に機能分離させた積層構造体が提案
された。この積層構造を感光層とした電子写真感
光体は、可視光に対する感度、電荷保持力、表面
強度などの点で改善できる様になつた。この様な
電子写真感光体は、例えば米国特許第3837851号、
同第3871882号公報などに開示されている。 しかし、従来の有機光導電体を電荷輸送層に用
いた電子写真感光体では、未だに十分な感度が得
られておらず、また繰り返し帯電および露光を行
なつた際には明部電位と暗部電位の変動が大き
く、改善すべき点がある。 本発明は前述の欠点又は不利を解消した電子写
真感光体を提供することにある。 本発明のかかる目的は、電荷輸送物質を含む電
荷輸送層に対し、次の一般式(1)で示される化合物
を添加した電子写真感光体によつて達成される。 一般式 式中Aは置換されていてもよい芳香族基または
置換されていてもよい複素環基を表わす。 芳香族基としては、フエニル、ナフチル、アン
スリル等の基があげられる。複素環基としては、
ピリジル、フリル、チエニル、カルバゾリル、フ
エノキサジル、フエノチアジル等の基があげられ
る。 芳香族基または複素環基の置換基としては、メ
チル、エチル、プロピル、ブチル等のアルキル
基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ
等のアルコキシ基、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素
等のハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシ
カルボニル等のアルコキシカルボニル基があげら
れる。 Rは、シアノ基、メトキシカルボニル、エトキ
シカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシ
カルボニル等のアルコキシカルボニル基、置換さ
れていてもよいフエノキシカルボニル、ナフトキ
シカルボニル等のアリールオキシカルボニル基、
アセチル、プロピオニル、ベンゾイル等のアシル
基、フエニル、ナフチル等のアリール基またはカ
ルバモイル基を表わし、アリールオキシカルボニ
ル基、アシル基、アリール基の置換基としては、
ニトロ、シアノ等の電子吸引性基が好ましい。カ
ルバモイル基の置換基としては、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル等のアルキル基、フエニ
ル、ナフチル等のアリール基があげられる。 次に前示一般式(1)で示される化合物の主な具体
例を列記する。 一般式(1)で示される化合物の電荷輸送物質に対
する添加率は、電荷輸送物質100重量部に対して
0.01〜100重量部、好ましくは0.05〜30重量部で
ある。 一般に電荷輸送層中の電子供与性物質に対し電
子吸引性物質を添加すると電荷移動錯体形成によ
り電荷輸送層の吸収が長波長へシフトしてフイル
ター効果により減感作用を示したり、トラツプの
増加により減感する場合が殆んどであるが、一般
式(1)で示される化合物を添加した場合は特異的に
光減衰カーブのすその切れがよくなり、感光体を
繰り返し帯電、露光した後の残留電位の立ち上り
も極めて小さく、実用的に極めて有用な電子写真
感光体となる。 本発明の感光層を電荷発生層と電荷輸送層に機
能分離した電子写真感光体の電荷輸送物質には、
ヒドラゾン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキ
サジアゾール系化合物、スチリル系化合物、トリ
フエニルメチン系化合物、ポリ−N−ビニルカル
バゾール等種々の電荷輸送物質が用いられるが、
特に好ましい材料は、次の一般式(2)で示されるヒ
ドラゾン系化合物や一般式(3)で示されるピラゾリ
ン系化合物である。 一般式 式中Bは置換されていてもよいフエニル、ナフ
チル、アンスリル、ピレニル等のアリール基、フ
リル、チエニル、ピリジル、カルバゾリル、フエ
ノキサジル、フエノチアジル等の複素環基を表わ
し、その置換基としては、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素等のハロゲン原子、メチル、エチル、プロ
ピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ等のアルコキシ基、ジ
メチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミ
ノ、ジブチルアミノ、ジフエニルアミノ、ジベン
ジルアミノ、メチルフエニルアミノ、エチルフエ
ニルアミノ、エチルベンジルアミノ、モルホリ
ノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミノ基な
いしは環状アミノ基があげられる。R1およびR2
は置換されていてもよいメチル、エチル、プロピ
ル、ブチル等のアルキル基、ベンジル、フエネチ
ル等のアラルキル基、フエニル、ナフチル、アン
スリル、ピレニル等のアリール基を表わし、その
置換基としては前記Bにおける置換基と同じ置換
基があげられる。 一般式 式中Dはフエニル、ナフチル、アンスリル等の
アリール基、R3,R4,R5およびR6はメチル、エ
チル、プロピル、ブチル等のアルキル基、ベンジ
ル、フエネチル等のアラルキル基、フエニル、ナ
フチル等のアリール基を示す。 次に用いられる電荷輸送物質の具体例をあげ
る。 ピレン、N−エチルカルバゾール、N−イソプ
ロピルカルバゾール、N−メチル−N−フエニル
ヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチルカルバ
ゾール、N,N−ジフエニルヒドラジノ−3−メ
チリデン−9−エチルカルバゾール、N,N−ジ
フエニルヒドラジノ−3−メチリデン−10−エチ
ルフエノチアジン、N,N−ジフエニルヒドラジ
ノ−3−メチリデン−10−エチルフエノキサジ
ン、P−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N,
N−ジフエニルヒドラゾン、P−ジエチルアミノ
ベンズアルデヒド−N−α−ナフチル−N−フエ
ニルヒドラゾン、P−ピロリジノベンズアルデヒ
ド−N,N−ジフエニルヒドラゾン、1,3,3
−トリメチルインドレニン−ω−アルデヒド−
N,N−ジフエニルヒドラゾン、P−ジエチルベ
ンズアルデヒド−3−メチルベンズチアゾリノン
−2−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、2,5−ビ
ス(P−ジエチルアミノフエニル)−1,3,4
−オキサジアゾール、1−フエニル−3−(P−
ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエチルア
ミノフエニル)ピラゾリン、1−〔キノリル(2)〕−
3−(P−ジエチルアミノスチリル)−5−(P−
ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、1−〔ピ
リジル(2)〕−3−(P−ジエチルアミノスチリル)
−5−(P−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリ
ン、1−〔6−メトキシ−ピリジル(2)〕−3−(P
−ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエチル
アミノフエニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(3)〕
−3−(P−ジエチルアミノスチリル)−5−(P
−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、1−
〔レピジル(2)〕−3−(P−ジエチルアミノスチリ
ル)−5−(P−ジエチルアミンフエニル)ピラゾ
リン、1−〔ピリジル(2)〕−3−(P−ジエチルア
ミノスチリル)−4−メチル−5−(P−ジエチル
アミノフエニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(2)〕
−3−(α−メチル−P−ジエチルアミンスチリ
ル)−5−(P−ジエチルアミノフエニル)ピラゾ
リン、1−フエニル−3−(P−ジエチルアミノ
スチリル)−4−メチル−5−(P−ジエチルアミ
ノフエニル)ピラゾリン、1−フエニル−3−
(α−ベンジル−P−ジエチルアミノスチリル)−
5−(P−ジエチルアミノフエニル)ピラゾリン、
スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、2−(P
−ジエチルアミノスチリル)−6−ジエチルアミ
ノベンズオキサゾール、2−(P−ジエチルアミ
ノフエニル)−4−(P−ジメチルアミノフエニ
ル)−5−(2−クロロフエニル)オキサゾール等
のオキサゾール系化合物、2−(P−ジエチルア
ミノスチリル)−6−ジエチルアミノベンゾチア
ゾール等のチアゾール系化合物、ビス(4−ジエ
チルアミノ−2−メチルフエニル)−フエニルメ
タン等のトリアリールメタン系化合物、1,1−
ビス(4−N,N−ジエチルアミノ−2−メチル
フエニル)ヘプタン、1,1,2,2−テトラキ
ス(4−N,N−ジメチルアミノ−2−メチルフ
エニル)エタン等のポリアリールアルカン類、ト
リフエニルアミン、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセ
ン、ポリビニルアクリジン、ポリ−9−ビニルフ
エニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド
樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂
等がある。 本発明による電荷輸送層は前述の電荷輸送物質
と一般式(1)で示される化合物と結着剤とを適当な
溶剤に溶解せしめた溶液を塗布し、乾燥せしめる
ことにより形成させることが好ましい。ここに用
いる結着剤としては、例えばポリアリレート樹
脂、ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、アクリ
ル樹脂、アクリロニトリル樹脂、メタクリル樹
脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フエノー
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、アル
キド樹脂、ポリカーボネート、ポリウレタンある
いはこれらの樹脂の繰り返し単位のうち2つ以上
を含む共重合体樹脂例えばスチレン−ブタジエン
コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリ
マー、スチレン−マレイン酸コポリマーなどを挙
げることができる。また、この様な絶縁性ポリマ
ーの他に、ポリビニルカルバゾール、ポリビニル
アントラセンやポリビニルピレンなどの有機光導
電性ポリマーも使用できる。 この結着剤と電荷輸送物質との配合割合は、結
着剤100重量部当り電荷輸送物質を10〜500重量部
とすることが好ましい。 電荷輸送層は、下述の電荷発生層と電気的に接
続されており、電界の存在下で電荷発生層から注
入された電荷キヤリアを受け取るとともに、これ
らの電荷キヤリアを表面まで輸送できる機能を有
している。この際、この電荷輸送層は、電荷発生
層の上に積層されていてもよく、またその下に積
層されていてもよい。しかし、電荷輸送層は、電
荷発生層の上に積層されていることが望ましい。
この電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限
界があるので、必要以上に膜厚を厚くすることが
できない。一般的には、5ミクロン〜30ミクロン
であるが、好ましい範囲は8ミクロン〜20ミクロ
ンである。 この様な電荷輸送層を形成する際に用いる有機
溶剤は、使用する結着剤の種類によつて異なり、
又は電荷発生層や下述の下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機溶剤
としては、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどのアルコール類、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホ
キシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチル
エーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチ
レン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あ
るいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイ
ン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなど
の芳香族類などを用いることができる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。乾燥は、室温に
おける指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好まし
い。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で5分〜2
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なう
ことができる。 本発明の電荷輸送層には、種々の添加剤を含有
させることができる。かかる添加剤としては、ジ
フエニル、塩化ジフエニル、O−ターフエニル、
P−ターフエニル、ジブチルフタレート、ジメチ
ルグリコールフタレート、ジオクチルフタレー
ト、トリフエニル燐酸、メチルナフタリン、ベン
ゾフエノン、塩素化パラフイン、ジラウリルチオ
プロピオネート、3,5−ジニトロサリチル酸、
各種フルオロカーボン類などを挙げることができ
る。 本発明で用いる電荷発生層は、セレン、セレン
−テルル、ピリリウム、チオピリリウム系染料、
フタロシアニン系顔料、アントアントロン顔料、
ジベンズピレンキノン顔料、ピラントロン顔料、
トリスアゾ顔料、ジスアゾ顔料、アゾ顔料、イン
ジゴ顔料、キナクリドン系顔料、非対称キノシア
ニン、キノシアニンあるいは特開昭54−143645号
公報に記載のアモルフアスシリコンなどの電荷発
生物質から選ばれた別個の蒸着層あるいは樹脂分
散層を用いることができる。 本発明の電子写真感光体に用いる電荷発生物質
は、例えば下記に示す無機化合物あるいは有機化
合物を挙げることができる。 電荷発生物質 (1) アモルフアスシリコン (2) セレン−テルル (3) セレン−ヒ素 (4) 硫化カドミウム (58) スクエアリツク酸メチン染料 (59) インジゴ染料(C.I.No.78000) (60) チオインジゴ染料(C.I.No.78800) (61) β−型銅フタロシアニン 電荷発生層は、前述の電荷発生物質を適当な結
着剤に分散させ、これを基体の上に塗工すること
によつて形成でき、また真空蒸着装置により蒸着
膜を形成することによつて得ることができる。電
荷発生層を塗工によつて形成する際に用いうる結
着剤としては広範な絶縁性樹脂から選択でき、ま
たポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルア
ントラセンやポリビニルピレンなどの有機光導電
性ポリマーから選択できる。好ましくは、ポリビ
ニルブチラール、ポリアリレート(ビスフエノー
ルAとフタル酸の縮重合体など)、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、フエノキシ樹脂、ポリ酢酸
ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹
脂、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロー
ス系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。電荷
発生層中に含有する樹脂は、80重量%以下、好ま
しくは40重量%以下が適している。塗工の際に用
いる有機溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどのアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンな
どのケトン類、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、
ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン
化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシ
レン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロ
ルベンゼンなどの芳香族類などを用いることがで
きる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。 電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、で
きる限り多くの前記有機光導電体を含有し、且つ
発生した電荷キヤリアの飛程を短かくするため
に、薄膜層、例えば5ミクロン以下、好ましくは
0.01ミクロン〜1ミクロンの膜厚をもつ薄膜層と
することが好ましい。このことは、入射光量の大
部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キヤ
リアを生成すること、さらに発生した電荷キヤリ
アを再結合や補獲(トラツプ)により失活するこ
となく電荷輸送層に注入する必要があることに帰
因している。 この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造か
らなる感光層は、導電層を有する基体の上に設け
られる。導電層を有する基体としては、基体自体
が導電性をもつもの、例えばアルミニウム、アル
ミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、イ
ンジウム、金や白金などを用いることができ、そ
の他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金
などを真空蒸着法によつて被膜形成された層を有
するプラスチツク(例えば、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレ
フタレート、アクリル樹脂、ポリフツ化エチレン
など)導電性粒子(例えば、カーボングラツク、
銀粒子など)を適当なバインダーとともにプラス
チツクの上に被覆した基体、導電性粒子をプラス
チツクや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有
するプラスチツクなどを用いることができる。 導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着
機能をもつ下引層を設けることもできる。下引層
は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポ
リアミド(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン
610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど)、ポリウレタン、ゼラチン、酸化アル
ミニウムなどによつて形成できる。 下引層の膜厚は、0.1ミクロン〜5ミクロン、
好ましくは0.5ミクロン〜3ミクロンが適当であ
る。 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層し
た感光体を使用する場合において、化合物は正孔
輸送性であるので、電荷輸送層表面を負に帯電す
る必要があり、帯電後露光すると露光部では電荷
発生層において生成した正孔が電荷輸送層に注入
され、その後表面に達して負電荷を中和し、表面
電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。現像時には電子輸送物質を用いた
場合とは逆に正電荷性トナーを用いる必要があ
る。 本発明の別の具体例では、前述のジスアゾ顔料
あるいは、米国特許第3554745号、同第3567438
号、同第3586500号公報などに開示のピリリウム
染料、チアピリリウム染料、セレナピリリウム染
料、ベンゾピリリウム染料、ベンゾチアピリリウ
ム染料、ナフトピリリウム染料、ナフトチアピリ
リウム染料などの光導電性を有する顔料や染料を
増感剤としても用いることができる。 また、別の具体例では、米国特許第3684502号
公報などに開示のピリリウム染料とアルキリデン
ジアリーレン部分を有する電気絶縁重合体との共
晶錯体を増感剤として用いることもできる。この
共晶錯体は、例えば4−〔4−ビス−(2−クロロ
エチル)アミノフエニル〕−2,6−ジフエニル
チアピリリウムパークロレートとポリ(4,4′−
イソプロピリデンジフエニレンカーボネート)を
ハロゲン化炭化水素系溶剤(例えば、ジクロルメ
タン、クロロホルム、四塩化炭素、1,1−ジク
ロルエタン、1,2−ジクロルエタン、1,1,
2−トリクロルエタン、クロルベンゼン、ブロモ
ベンゼン、1,2−ジクロルベンゼン)に溶解し
た後、これに非極性溶剤(例えば、ヘキサン、オ
クタン、デカン、2,2,4−トリメチルベンゼ
ン、リグロインを加えることによつて粒子状共晶
錯体として得られる。この具体例における電子写
真感光体には、スチレン−ブタジエンコポリマ
ー、シリコン樹脂、ビニル樹脂、塩化ビニリデン
−アクリロニトリルコポリマー、スチレン−アク
リロニトリルコポリマー、ビニルアセテート−塩
化ビニルコポリマー、ポリビニルブチラール、ポ
リメチルメタクリレート、ポリ−N−ブチルメタ
クリレート、ポリエステル類、セルロースエステ
ル類などを結着剤として含有することができる。 本発明の電子写真感光体は、電子写真複写機に
利用するのみならず、レーザープリンター、
CRTプリンター、電子写真式製版システムなど
の電子写真応用分野にも広く用いることができ
る。 本発明によれば、高感度の電子写真感光体を与
えることができ、また繰り返し帯電および露光を
行なつた時の明部電位と暗部電位の変動が小さ
い。 以下、本発明を実施例に従つて説明する。 実施例 1 東洋インキ製造(株)製のs型銅フタロシアニン7
g;デユポン社製の「商品名:ポリエステルアド
ヒーシブ49000(固形分20%)」14g;トルエン35
g;ジオキサン35gを混合し、ボールミルで6時
間分散することによつて塗工液を調製した。この
塗工液をアルミニウムシート上に乾燥膜厚が0.5
ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布して電荷
発生層を作成した。 次に、電荷輸送化合物としてP−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド−N,N−ジフエニルヒドラ
ゾン7gとP−ニトロベンザルマロノニトリル
0.07gとポリカーボネート樹脂(帝人化成(株)製の
商品名「パンライトK−1300」7gとをテトラヒ
ドロフラン35gとクロロベンゼン35gの混合溶媒
中に攪拌溶解させて得た溶液を先の電荷発生層の
上に、マイヤーバーで乾燥膜厚が11ミクロンとな
る様に塗工して、2層構造からなる感光層をもつ
電子写真感光体を作成した。(試料1) 次に比較のために電荷輸送層にP−ニトロベン
ザルマロノニトリルを添加しない点を除いては試
料1と全く同様にして電子写真感光体を作成し
た。(比較試料) この様にして作成した電子写真感光体を川口電
機(株)製静電複写紙試験装置Model SP−428を用
いてスタチツク方式で−5KVでコロナ帯電し、
暗所で10秒間保持した後、照度5luxで露光し帯電
特性を調べた。 帯電特性としては表面電位(V0)と1秒間暗
減衰させた時の電位(V1)を1/2に減衰するに必
要な露光量(E1/2)を測定した。この結果を第
1表に示す。 さらに、繰り返し使用した時の明部電位と暗部
電位の変動を測定するために、本実施例で作成し
た感光体を−5.6KVのコロナ帯電器、露光量
12lux.secの露光光学系、現像器、転写帯電器、
除電露光光学系およびクリーナーを備えた電子写
真複写機のシリンダーに貼り付けた。この複写機
は、シリンダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が
得られる構成になつている。この複写機を用い
て、初期の明部電位(VL)と暗部電位(VD)お
よび5000回使用した後の明部電位(VL)と暗部
電位(VD)を測定した。この結果を第2表に示
す。
【表】
【表】
上記の結果から、電荷輸送層にP−ニトロベン
ザルマロノニトリルを添加した試料1は比較試料
1と比べ感度および耐久後のVD,VLの安定性性
において極めて良好な特性を示した。 実施例 2〜7 この各実施例においては、実施例1で用いたP
−ニトロベンザルマロノニトリルの代りに一般式
(1)の例示化合物(3),(5),(7),(12),(14),(15)を用
いた他は実施例1と同様の方法によつて電子写真
感光体を作成した。 各感光体の電子写真特性を実施例1と同様の方
法によつて測定した。その結果を次に示す。
ザルマロノニトリルを添加した試料1は比較試料
1と比べ感度および耐久後のVD,VLの安定性性
において極めて良好な特性を示した。 実施例 2〜7 この各実施例においては、実施例1で用いたP
−ニトロベンザルマロノニトリルの代りに一般式
(1)の例示化合物(3),(5),(7),(12),(14),(15)を用
いた他は実施例1と同様の方法によつて電子写真
感光体を作成した。 各感光体の電子写真特性を実施例1と同様の方
法によつて測定した。その結果を次に示す。
【表】
実施例 8
アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カ
ゼイン11.2g、28%アンモニア水1g、水222ml)
をマイヤーバーで塗布乾燥し、膜厚が1ミクロン
の接着層を形成した。次に下記構造を有するジス
アゾ顔料5gと ブチラール樹脂(ブチラール化度63モル%)2g
をエタノール95mlに溶かした液と共に分散した
後、接着層上に塗工し乾燥後の膜厚が0.4ミクロ
ンとなる電荷発生層を形成した。 次に1−フエニル−3−P−ジエチルアミノス
チリル−5−P−ジエチルアミノフエニルピラゾ
リン5gとP−ニトロベンザルマロノニトリル
0.1gとポリ−4,4′−ジオキサシジフエニル−
2,2−プロパンカーボネート(粘度平均分子量
30000)5gをジクロルメタン150mlに溶かした液
を電荷発生層上に塗布、乾燥し、膜厚が11ミクロ
ンの電荷輸送層を形成することによつて電子写真
感光体を作成しこれを試料8とした。比較のため
にP−ニトロ−ベンザルマロノニトリル非添加の
試料を同様にして作成し比較試料2とした。 このようにして作成した電子写真感光体の電子
写真特性を実施例1と同様の方法で測定した。そ
の結果を次に示す。
ゼイン11.2g、28%アンモニア水1g、水222ml)
をマイヤーバーで塗布乾燥し、膜厚が1ミクロン
の接着層を形成した。次に下記構造を有するジス
アゾ顔料5gと ブチラール樹脂(ブチラール化度63モル%)2g
をエタノール95mlに溶かした液と共に分散した
後、接着層上に塗工し乾燥後の膜厚が0.4ミクロ
ンとなる電荷発生層を形成した。 次に1−フエニル−3−P−ジエチルアミノス
チリル−5−P−ジエチルアミノフエニルピラゾ
リン5gとP−ニトロベンザルマロノニトリル
0.1gとポリ−4,4′−ジオキサシジフエニル−
2,2−プロパンカーボネート(粘度平均分子量
30000)5gをジクロルメタン150mlに溶かした液
を電荷発生層上に塗布、乾燥し、膜厚が11ミクロ
ンの電荷輸送層を形成することによつて電子写真
感光体を作成しこれを試料8とした。比較のため
にP−ニトロ−ベンザルマロノニトリル非添加の
試料を同様にして作成し比較試料2とした。 このようにして作成した電子写真感光体の電子
写真特性を実施例1と同様の方法で測定した。そ
の結果を次に示す。
【表】
【表】
実施例 9
表面が清浄にされた0.2mm厚のモリブデン板
(基板)をグロー放電蒸着槽内の所定位置に固定
した。次に槽内を排気し、約5×10-6torrの真空
度にした。その後ヒーターの入力電圧を上昇させ
モリブデン基板温度を150℃に安定させた。その
後水素ガスとシランガス(水素ガスに対し15容量
%)を槽内へ導入しガス流量と蒸着槽メインバル
ブを調整して0.5torrに安定させた。次に誘導コ
イルに5MHzの高周波電力を投入し槽内のコイル
内部にグロー放電を発生させ30Wの入力電力とし
た。上記条件で基板上にアモルフアスシリコン膜
を生長させ膜厚が2μとなるまで同条件を保つた
後グロー放電を中止した。その後加熱ヒーター、
高周波電源をオフ状態とし、基板温度が100℃に
なるのを待つてから水素ガス、シランガスの流出
バルブを閉じ、一旦槽内を10-5torr以下にした後
大気圧にもどし基板を取り出した。次いでこのア
モルフアスシリコン層の上に実施例1と全く同様
にして電荷輸送層を形成した。 こうして得られた感光体を帯電露光実験装置に
設置し6KVでコロナ帯電し直ちに光像を照射
した。光像はタングステンランプ光源を用い透過
型のテストチヤートを通して照射された。その後
直ちに荷電性の現像剤(トナーとキヤリヤーを
含む)を感光体表面にカスケードすることによつ
て感光体表面に良好なトナー画像を得た。 実施例 10 4−(4−ジメチルアミノフエニル)−2,6−
ジフエニルチアピリリウムパークロレート3gと
ポリ(4,4′−イソプロピリデンジフエニレンカ
ーボネート)3gをジクロルメタン200mlに十分
に溶解した後、トルエン100mlを加え、共晶錯体
を沈澱させた。この沈澱物を別した後、ジクロ
ルメタンを加えて再溶解し、次いでこの溶液にn
−ヘキサン100mlを加えて共晶錯体の沈澱物を得
た。 この共晶錯体5gをポリビニルブチラール2g
を含有するメタノール溶液95mlに加え、6時間ボ
ールミルで分散した。この分散液をカゼイン層を
有するアルミ板の上に乾燥後の膜厚が0.4ミクロ
ンとなる様にマイヤーバーで塗布して電荷発生層
を形成した。 次いで、この電荷発生層の上に実施例1で用い
た電荷輸送層と同様の被覆層を形成した。 こうして作成した感光体の電子写真特性を実施
例1と同様の方法によつて測定した。この結果を
次に示す。 V0: 630(−V) E1/2: 3.6(lux.sec) 初期 VD:595(−V) VD:580(−V) VL:30(−V) VL:40(−V)
(基板)をグロー放電蒸着槽内の所定位置に固定
した。次に槽内を排気し、約5×10-6torrの真空
度にした。その後ヒーターの入力電圧を上昇させ
モリブデン基板温度を150℃に安定させた。その
後水素ガスとシランガス(水素ガスに対し15容量
%)を槽内へ導入しガス流量と蒸着槽メインバル
ブを調整して0.5torrに安定させた。次に誘導コ
イルに5MHzの高周波電力を投入し槽内のコイル
内部にグロー放電を発生させ30Wの入力電力とし
た。上記条件で基板上にアモルフアスシリコン膜
を生長させ膜厚が2μとなるまで同条件を保つた
後グロー放電を中止した。その後加熱ヒーター、
高周波電源をオフ状態とし、基板温度が100℃に
なるのを待つてから水素ガス、シランガスの流出
バルブを閉じ、一旦槽内を10-5torr以下にした後
大気圧にもどし基板を取り出した。次いでこのア
モルフアスシリコン層の上に実施例1と全く同様
にして電荷輸送層を形成した。 こうして得られた感光体を帯電露光実験装置に
設置し6KVでコロナ帯電し直ちに光像を照射
した。光像はタングステンランプ光源を用い透過
型のテストチヤートを通して照射された。その後
直ちに荷電性の現像剤(トナーとキヤリヤーを
含む)を感光体表面にカスケードすることによつ
て感光体表面に良好なトナー画像を得た。 実施例 10 4−(4−ジメチルアミノフエニル)−2,6−
ジフエニルチアピリリウムパークロレート3gと
ポリ(4,4′−イソプロピリデンジフエニレンカ
ーボネート)3gをジクロルメタン200mlに十分
に溶解した後、トルエン100mlを加え、共晶錯体
を沈澱させた。この沈澱物を別した後、ジクロ
ルメタンを加えて再溶解し、次いでこの溶液にn
−ヘキサン100mlを加えて共晶錯体の沈澱物を得
た。 この共晶錯体5gをポリビニルブチラール2g
を含有するメタノール溶液95mlに加え、6時間ボ
ールミルで分散した。この分散液をカゼイン層を
有するアルミ板の上に乾燥後の膜厚が0.4ミクロ
ンとなる様にマイヤーバーで塗布して電荷発生層
を形成した。 次いで、この電荷発生層の上に実施例1で用い
た電荷輸送層と同様の被覆層を形成した。 こうして作成した感光体の電子写真特性を実施
例1と同様の方法によつて測定した。この結果を
次に示す。 V0: 630(−V) E1/2: 3.6(lux.sec) 初期 VD:595(−V) VD:580(−V) VL:30(−V) VL:40(−V)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電荷発生層、電荷輸送層の少くとも2層を有
する積層型電子写真感光体の電荷輸送層が下記一
般式(1) (式中Aは置換されていてもよい芳香族基また
は置換されていてもよい複素環基を表わし、Rは
シアノ基、アルコキシカルボニル基、置換されて
いてもよいアリールオキシカルボニル基、置換さ
れていてもよいアシル基、置換されていてもよい
アリール基または置換されていてもよいカルバモ
イル基を表わす) で示される化合物を含有することを特徴とする電
子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11615782A JPS597956A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11615782A JPS597956A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS597956A JPS597956A (ja) | 1984-01-17 |
JPH0473142B2 true JPH0473142B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14680179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11615782A Granted JPS597956A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS597956A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62156628A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-07-11 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機非線型光学材料 |
US5085960A (en) * | 1988-05-16 | 1992-02-04 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photosensitive member and image forming process |
JPH05148214A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-06-15 | Ricoh Co Ltd | α−シアノスチルベン化合物、及びそれを含有する電子写真感光体 |
US5350653A (en) * | 1992-03-02 | 1994-09-27 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor |
WO1997049653A2 (en) * | 1996-06-24 | 1997-12-31 | Irori | Solid phase tyrphostin library linked to matrices with memories |
US6756642B2 (en) * | 2002-11-07 | 2004-06-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Integrated circuit having improved ESD protection |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50131941A (ja) * | 1974-03-25 | 1975-10-18 | ||
JPS50135070A (ja) * | 1974-03-25 | 1975-10-25 | ||
JPS50135078A (ja) * | 1974-03-25 | 1975-10-25 | ||
JPS50137543A (ja) * | 1974-04-18 | 1975-10-31 | ||
JPS5410738A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-26 | Ricoh Co Ltd | Laminated type zerographic photosensitive material |
JPS587643A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 電子写真感光体 |
JPS5854346A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-03-31 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1982
- 1982-07-06 JP JP11615782A patent/JPS597956A/ja active Granted
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50131941A (ja) * | 1974-03-25 | 1975-10-18 | ||
JPS50135070A (ja) * | 1974-03-25 | 1975-10-25 | ||
JPS50135078A (ja) * | 1974-03-25 | 1975-10-25 | ||
JPS50137543A (ja) * | 1974-04-18 | 1975-10-31 | ||
JPS5410738A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-26 | Ricoh Co Ltd | Laminated type zerographic photosensitive material |
JPS587643A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 電子写真感光体 |
JPS5854346A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-03-31 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 電子写真用感光体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS597956A (ja) | 1984-01-17 |
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JPS63293550A (ja) | 電子写真感光体 | |
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