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JPH0473781B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0473781B2
JPH0473781B2 JP3363384A JP3363384A JPH0473781B2 JP H0473781 B2 JPH0473781 B2 JP H0473781B2 JP 3363384 A JP3363384 A JP 3363384A JP 3363384 A JP3363384 A JP 3363384A JP H0473781 B2 JPH0473781 B2 JP H0473781B2
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JP
Japan
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volts
layer
group
charge
resin
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Application number
JP3363384A
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English (en)
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JPS60177351A (ja
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Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP3363384A priority Critical patent/JPS60177351A/ja
Publication of JPS60177351A publication Critical patent/JPS60177351A/ja
Publication of JPH0473781B2 publication Critical patent/JPH0473781B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0622Heterocyclic compounds
    • G03G5/0624Heterocyclic compounds containing one hetero ring
    • G03G5/0627Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered
    • G03G5/0629Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered containing one hetero atom

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、電子写真感光䜓に関し、詳しくは改
善された電子写真特性を䞎える䜎分子の有機光導
電䜓を有する電子写真感光䜓に関するものであ
る。 埓来、電子写真感光䜓で甚いる光導電材料ずし
お、セレン、硫化カドミりム、酞化亜鉛などの無
機光導電性材料が知られおいる。これらの光導電
性材料は、数倚くの利点、䟋えば暗所で適圓な電
䜍に垯電できるこず、暗所で電荷の逞散が少ない
こずあるいは光照射によ぀お速やかに電荷を逞散
できるなどの利点をも぀おいる反面、各皮の欠点
を有しおいる。䟋えば、セレン系感光䜓では、枩
床、湿床、ごみ、圧力などの芁因で容易に結晶化
が進み、特に雰囲気枩床が40℃を越えるず結晶化
が著しくなり、垯電性の䜎䞋や画像に癜い斑点が
発生するずい぀た欠点がある。硫化カドミりム系
感光䜓は、倚湿の環境䞋で安定した感床が埗られ
ない点や酞化亜鉛系感光䜓ではロヌズベンガルに
代衚される増感色玠による増感効果を必芁ずしお
いるが、この様な増感色玠がコロナ垯電による垯
電劣化や露光光による光退色を生じるため長期に
亘぀お安定した画像を䞎えるこずができない欠点
を有しおいる。 䞀方、ポリビニルカルバゟヌルをはじめずする
各皮の有機光導電性ポリマヌが提案されお来た
が、これらのポリマヌは、前述の無機系光導電材
料に范べ成膜性、軜量性などの点で優れおいるに
もかかわらず今日たでその実甚化が困難であ぀た
のは、未だ十分な成膜性が埗られおおらず、たた
感床、耐久性および環境倉化による安定性の点で
無機系光導電材料に范べ劣぀おいるためであ぀
た。たた、米囜特蚱第4150987号公報などに開瀺
のヒドラゟン化合物、米囜特蚱第383751号公報な
どに蚘茉のトリアリヌルピラゟリン化合物、特開
昭51−94828号公報、特開昭51−94829号公報など
に蚘茉の−スチリルアントラセン化合物などの
䜎分子の有機光導電䜓が提案されおいる。この様
な䜎分子の有機光導電䜓は、䜿甚するバむンダヌ
を適圓に遞択するこずによ぀お、有機光導電性ポ
リマヌの分野で問題ずな぀おいた成膜性の欠点を
解消できる様にな぀たが、感床の点で十分なもの
ずは蚀えない。特に、米囜特蚱第4150987号公報
に開瀺のヒドラゟンを甚いた感光䜓は垯電ず露光
を繰り返し実斜する際には、次第に残留電䜍が増
加するなどの欠点がある。 このようなこずから、近幎感光局を電荷発生局
ず電荷茞送局に機胜分離させた積局構造䜓が提案
された。この積局構造を感光局ずした電子写真感
光䜓は、可芖光に察する感床、電荷保持力、衚面
匷床などの点で改善できる様にな぀た。この様な
電子写真感光䜓は、䟋えば米囜特蚱第3837851号、
同第3871882号公報などに開瀺されおいる。 しかし、埓来の䜎分子の有機光導電䜓を電荷茞
送局に甚いた電子写真感光䜓では、未だに十分な
感床が埗られおおらず、たた繰り返し垯電および
露光を行な぀た際には明郚電䜍ず暗郚電䜍の倉動
が倧きく改善すべき点がある。 本発明の目的は前述の欠点又は䞍利を解消した
電子写真感光䜓を提䟛するこずにある。 本発明の別の目的は、新芏な有機光導電䜓を提
䟛するこずにある。 本発明の他の目的は、電荷発生局ず電荷茞送局
に機胜分離した積局型感光局における新芏な電荷
茞送物質を提䟛するこずにある。 本発明のかかる目的は、䞋蚘䞀般匏で瀺される
ヒドラゟン化合物を含有する局を有する電子写真
感光䜓によ぀お達成される。 䞀般匏 ただし、匏䞭R1R2R3R4は氎玠原子、ハ
ロゲン原子、眮換もしくは未眮換のアミノ基、ア
ルキル基、アラルキル基、アルコキシ基を瀺し、
R5R6R7R8は氎玠原子、ハロゲン原子、ニ
トロ基、眮換もしくは未眮換のアミノ基、アルキ
ル基、アラルキル基、アルコキシ基を瀺す。 曎に䞊蚘R1〜R8に぀いお詳现に説明するず、
R1R2R3R4は氎玠原子、フツ玠、塩玠、臭
玠、沃玠等のハロゲン原子、アミノ基、メチル、
゚チル、プロピル、ブチル等のアルキル基、ベン
ゞル、プネチル、ナフチルメチル等のアラルキ
ル基、メトキシ、゚トキシ、プロポキシ、ブトキ
シ等のアルコキシ基を瀺す。該アミノ基は、メチ
ル、゚チル、プロピル、ブチル等のアルキル基で
眮換されおいおも良く、該アルキル基はメトキシ
゚トキシ、プロポキシ、ブトキシ等のアルコキシ
基、フツ玠、塩玠、臭玠、沃玠等のハロゲン原
子、又はゞメチルアミノ、ゞ゚チルアミノ、ゞプ
ロピルアミノ、ゞブチルアミノ等のゞアルキルア
ミノ基で眮換されおいおも良く、該アラルキル基
はメチル、゚チル、プロピル、ブチル等のアルキ
ル基、メトキシ、゚トキシ、プロポキシ、ブトキ
シ等のアルコキシ基、フツ玠、塩玠、臭玠、沃玠
等のハロゲン原子又はゞメチルアミノ、ゞ゚チル
アミノ、ゞプロピルアミノ、ゞブチルアミノ等の
ゞアルキルアミノ基で眮換されおいおも良い。
R5R6R7R8は氎玠原子、フツ玠、塩玠、臭
玠、沃玠等のハロゲン原子、アミノ基、ニトロ
基、メチル、゚チル、プロピル、ブチル等のアル
キル基、ベンゞル、プネチル、ナフチルメチル
等のアラルキル基、メトキシ、゚トキシ、プロポ
キシ、ブトキシ等のアルコキシ基を瀺す。該アモ
ノ基はメチル、゚チル、プロピル、ブチル等のア
ルキル基で眮換されおいおも良く、該アルキル基
はメトキシ、゚トキシ、プロポキシ、ブトキシ等
のアルコキシ基、フツ玠、塩玠、臭玠、沃玠等の
ハロゲン原子、又はゞメチルアミノ、ゞ゚チルア
ミノ、ゞプロピルアミノ、ゞブチルアミノ等のゞ
アルキルアミノ基で眮換されおいおも良く、該ア
ラルキル基はメチル、゚チル、プロピル、ブチル
等のアルキル基、メトキシ、゚トキシ、プロポキ
シ、ブトキシ等のアルコキシ基、フツ玠、塩玠、
臭玠、沃玠等のハロゲン原子又はゞメチルアミ
ノ、ゞ゚チルアミノ、ゞプロピルアミノ、ゞブチ
ルアミノ等のゞアルキルアミノ基で眮換されおい
おも良い。 以䞋に䞀般匏〔〕で瀺す化合物に぀いおの代
衚䟋を挙げる。 次に前蚘化合物の合成䟋を瀺す。 −(1)化合物の合成 −トリメチルカルバゟヌル49.1
0.236モルを゚タノヌル180ml、酢酞180mlから
なる混合溶媒に溶解し、宀枩で攪拌䞋亜硝酞゜ヌ
ダ17.90.26モルを20分間で添加し、ひき続
き亜鉛末38.60.59モルを液枩20〜35℃にコ
ントロヌルしながら20分間で添加した。亜鉛末添
加埌曎に40分攪拌し、析出した固圢分ず末反応亜
鉛を別した。 䞀方、−ニトロフルオレノン47.70.212
モルをメタノヌル45mlに溶解し、この溶液を宀
枩攪拌䞋に先の反応液䞭に添加しお黄色沈柱を埗
た。 生成物を取也燥埌メタノヌル100ml、
MEK150mlの混合溶媒から再結晶し、黄色の結晶
44.5を埗た。収率48.7、元玠分析分子匏C28
H21N3O2
【衚】 本発明の奜たしい具䜓䟋では、感光局を電荷発
生局ず電荷茞送局に機胜分離した電子写真感光䜓
の電荷茞送物質に前蚘䞀般匏〔〕で瀺されるヒ
ドラゟン化合物を甚いるこずができる。 本発明による電荷茞送局は、前蚘の䞀般匏
〔〕で瀺されるヒドラゟン化合物ず結着剀ずを
適圓な溶剀に溶解せしめた溶液を塗垃し、也燥せ
しめるこずにより圢成させるこずが奜たしい。こ
こに甚いる結着剀ずしおは、䟋えばポリアリレヌ
ト暹脂、ポリスルホン暹脂、ポリアミド暹脂、ア
クリル暹脂、アクリロニトリル暹脂、メタクリル
暹脂、塩化ビニル暹脂、酢酞ビニル暹脂、プノ
ヌル暹脂、゚ポキシ暹脂、ポリ゚ステル暹脂、ア
ルキド暹脂、ポリカヌボネヌト、ポリりレタンあ
るいはこれらの暹脂の繰り返し単䜍のうち぀以
䞊を含む共重合䜓暹脂䟋えばスチレン−ブタゞ゚
ンコポリマヌ、スチレン−アクリロニトリルコポ
リマヌ、スチレン−マレむン酞コポリマヌなどを
挙げるこずができる。たた、この様な絶瞁性ポリ
マヌの他に、ポリビニルカルバゟヌル、ポリビニ
ルアントラセンやポリビニルピレンなどの有機光
導電性ポリマヌも䜿甚できる。 この結着剀ずヒドラゟン化合物ずの配合割合
は、結着剀100重量郚圓りヒドラゟン化合物を10
〜500重量ずするこずが奜たしい。これ以䞊少な
いず感床が悪くなり、又これ以䞊倚いず柔らかく
な぀お機械的特性が悪くなる。 電荷茞送局は、䞋述の電荷発生局ず電気的に接
続されおおり、電界の存圚䞋で電荷発生局から泚
入された電荷キダリアを受け取るずずもに、これ
らの電荷キダリアを衚面たで茞送できる機胜を有
しおいる。この際、この電荷茞送局は、電荷発生
局の䞊に積局されおいおもよく、たたその䞋に積
局されおいおもよい。しかし、電荷茞送局は、電
荷発生局の䞊に積局されおいるこずが望たしい。
この電荷茞送局は、電荷キダリアを茞送できる限
界があるので、必芁以䞊に膜厚を厚くするこずが
できない。䞀般的には、ミクロン〜30ミクロン
であるが、奜たしい範囲はミクロン〜20ミクロ
ンである。 この様な電荷茞送局を圢成する際に甚いる有機
溶剀は、䜿甚する。結着剀の皮類によ぀お異なり
又は電荷発生局や䞋述の䞋匕局を溶解しないもの
から遞択するこずが奜たしい。具䜓的な有機溶剀
ずしおは、メタノヌル、゚タノヌル、む゜プロパ
ノヌルなどのアルコヌル類、アセトン、メチル゚
チルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、
−ゞメチルホルムアミド、−ゞメチ
ルアセトアミドなどのアミド類、ゞメチルスルホ
キシドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラ
ン、ゞオキサン、゚チレングリコヌルモノメチル
゚ヌテルなどの゚ヌテル類、酢酞メチル、酢酞゚
チルなどの゚ステル類、クロロホルム、塩化メチ
レン、ゞクロル゚チレン、四塩化炭玠、トリクロ
ル゚チレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化氎玠類あ
るいはベンれン、トル゚ン、キシレン、リグロむ
ン、モノクロルベンれン、ゞクロルベンれンなど
の芳銙族類などを甚いるこずができる。 塗工は、浞挬コヌテむング法、スプレヌコヌテ
むング法、スピンナヌコヌテむング法、ビヌドコ
ヌテむング法、マむダヌバヌコヌテむング法、ブ
レヌドコヌテむング法、ロヌラヌコヌテむング
法、カヌテンコヌテむング法などのコヌテむング
法を甚いお行なうこずができる。也燥は、宀枩に
おける指觊也燥埌、加熱也燥する方法が奜たし
い。加熱也燥は、30℃〜200℃の枩床で分〜
時間の範囲の時間で、静止たたは送颚䞋で行なう
こずができる。 本発明の電荷茞送局には、皮々の添加剀を含有
させるこずができる。かかる添加剀ずしおは、ゞ
プニル、塩化ゞプニル、−タヌプニル、
−タヌプニル、ゞブチルフタレヌト、ゞメチ
ルグリコヌルフタレヌト、ゞオクチルフタレヌ
ト、トリプニル燐酞、メチルナフタリン、ベン
ゟプノン、塩玠化パラフむン、ゞラりリルチオ
プロピオネヌト、−ゞニトロサリチル酞、
各皮フルオロカヌボン類などを挙げるこずができ
る。 本発明における電荷発生局は、セレン、セレン
−テルル、ピリリりム、チオピリリりム系染料、
フタロシアニン系顔料、アントアントロン顔料、
ゞベンズピレンキノン顔料、ピラントロン顔料、
トリスアゟ顔料、ゞスアゟ顔料、アゟ顔料、むン
ゞゎ顔料、キナクリドン系顔料、非察称キノシア
ニン、キノシアニンあるいは特開昭54−143645号
公報に蚘茉のアモルフアスシリコンなどの電荷発
生物質から遞ばれた別個の蒞着局あるいは暹脂分
散局を甚いるこずができる。 本発明の電子写真感光䜓に甚いる電荷発生物質
は、䟋えば䞋蚘に瀺す無機化合物あるいは有機化
合物を挙げるこずができる。 電荷発生物質 (1) アモルフアスシリコン (2) セレン−テルル (3) セレン−ヒ玠 (4) 硫化カドミりム (58) スク゚アリツク酞メチン染料 (59) むンゞゎ染料C.I.No.78000 (60) チオむンゞゎ染料C.I.No.78800 (61) β−型銅フタロシアニン 電荷発生局は、前述の電荷発生物質を適圓な結
着剀に分散させ、これを基䜓の䞊に塗工するこず
によ぀お圢成でき、たた真空蒞着装眮により蒞着
膜を圢成するこずによ぀お埗るこよができる。電
荷発生局を塗工によ぀お圢成する際に甚いうる結
着剀ずしおは広範な絶瞁性暹脂から遞択でき、た
たポリ−−ビニルカルバゟヌル、ポリビニルア
ントラセンやポリビニルピレンなどの有機光導電
性ポリマヌから遞択できる。奜たしくは、ポリビ
ニルブチラヌル、ポリアリレヌトビスプノヌ
ルずフタル酞の瞮重合䜓など、ポリカヌボネ
ヌト、ポリ゚ステル、プノキシ暹脂、ポリ酢酞
ビニル、アクリル暹脂、ポリアクリルアミド暹
脂、ポリアミド、ポリビニルピリゞン、セルロヌ
ス系暹脂、りレタン暹脂、゚ポキシ暹脂、カれむ
ン、ポリビニルアルコヌル、ポリビニルピロリド
ンなどの絶瞁性暹脂を挙げるこずができる。電荷
発生局䞭に含有する暹脂は、80重量以䞋、奜た
しくは40重量以䞋が適しおいる。塗工の際に甚
いる有機溶剀ずしおは、メタノヌル、゚タノヌ
ル、む゜プロパノヌルなどのアルコヌル類、アセ
トン、メチル゚チルケトン、シクロヘキサノンな
どのケトン類、−ゞメチルホルムアミド、
−ゞメチルアセトアミドなどのアミド類、
ゞメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ゞオキサン、゚チレングリコ
ヌルモノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテル類、酢酞
メチル、酢酞゚チルなどの゚ステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ゞクロル゚チレン、四塩化
炭玠、トリクロル゚チレンなどの脂肪族ハロゲン
化炭化氎玠類あるいはベンれン、トル゚ン、キシ
レン、リグロむン、モノクロルベンれン、ゞクロ
ルベンれンなどの芳銙族類などを甚いるこずがで
きる。 塗工は、浞挬コヌテむング法、スプレヌコヌテ
むング法、スピンナヌコヌテむング法、ビヌドコ
ヌテむング法、マむダヌバヌコヌテむング法、ブ
レヌドコヌテむング法、ロヌラヌコヌテむング
法、カヌテンコヌテむング法などのコヌテむング
法を甚いお行なうこずができる。 電荷発生局は、十分な吞光床を埗るために、で
きる限り倚くの前蚘有機光導電䜓を含有し、䞔぀
発生した電荷キダリアの飛皋を短かくするため
に、薄膜局、䟋えばミクロン以䞋、奜たしくは
0.01ミクロン〜ミクロンの膜厚をも぀薄膜局ず
するこずが奜たしい。このこずは、入射光量の倧
郚分が電荷発生局で吞収されお、倚くの電荷キダ
リアを生成するこず、さらに発生した電荷キダリ
アを再結合や補獲トラツプにより倱掻するこ
ずなく電荷茞送局に泚入する必芁があるこずに垰
因しおいる。 この様な電荷発生局ず電荷茞送局の積局構造か
らなる感光局は、導電局を有する基䜓の䞊に蚭け
られる。導電局を有する基䜓ずしおは、基䜓自䜓
が導電性をも぀もの、䟋えばアルミニりム、アル
ミニりム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナゞり
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、む
ンゞりム、金や癜金などを甚いるこずができ、そ
の他にアルミニりム、アルミニりム合金、酞化む
ンゞりム、酞化錫、酞化むンゞりム−酞化錫合金
などを真空蒞着法によ぀お被膜圢成された局を有
するプラスチツク䟋えば、ポリ゚チレン、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ゚チレンテレ
フタレヌト、アクリル暹脂、ポリフツ化゚チレン
など、導電性粒子䟋えば、カヌボンブラツク、
銀粒子などを適圓なバむンダヌずずもにプラス
チツクの䞊に被芆した基䜓、導電性粒子をプラス
チツクや玙に含浞した基䜓や導電性ポリマヌを有
するプラスチツクなどを甚いるこずができる。 導電局ず感光局の䞭間に、バリダヌ機胜ず接着
機胜をも぀䞋匕局を蚭けるこずもできる。䞋匕局
は、カれむン、ポリビニルアルコヌル、ニトロセ
ルロヌス、゚チレン−アクリル酞コポリマヌ、ポ
リアミドナむロン、ナむロン66、ナむロン
610、共重合ナむロン、アルコキシメチル化ナむ
ロンなど、ポリりレタン、れラチン、酞化アル
ミニりムなどによ぀お圢成できる。 䞋匕局の膜厚は、0.1ミクロン〜ミクロン、
奜たしくは0.5ミクロン〜ミクロンが適圓であ
る。 導電局、電荷発生局、電荷茞送局の順に積局し
た感光䜓を䜿甚する堎合においお、化合物は正孔
茞送性であるので、電荷茞送局衚面を負に垯電す
る必芁があり、垯電埌露光するず露光郚では電荷
発生局においお生成した正孔が電荷茞送局に泚入
され、その埌衚面に達しお負電荷を䞭和し、衚面
電䜍の枛衰が生じ未露光郚ずの間に静電コントラ
ストが生じる。珟像時には電子茞送物質を甚いた
堎合ずは逆に静電荷性トナヌを甚いる必芁があ
る。 本発明の別の具䜓䟋では、前述のゞスアゟ顔料
あるいは、米囜特蚱第3554745号、同第3567438
号、同第3586500号公報などに開瀺のピリリりム
染料、チアピリリりム染料、セレナピリリりム染
料、ベンゟピリリりム染料、ベンゟチアピリリり
ム染料、ナフトピリリりム染料、ナフトチアピリ
リりム染料などの光導電性を有する顔料や染料を
増感剀ずしおも甚いるこずができる。 たた、別の具䜓䟋では、米囜特蚱第3684502号
公報などに開瀺のピリリりム染料ずアルキリデン
ゞアリヌレン郚分を有する電気絶瞁重合䜓ずの共
晶錯䜓を増感剀ずしお甚いるこずもできる。この
共晶錯䜓は、䟋えば−〔−ビス−−クロロ
゚チルアミノプニル〕−−ゞプニル
チアピリリりムパヌクロレヌトずポリ4′−
む゜プロピリデンゞプニレンカヌボネヌトを
ハロゲン化炭化氎玠系溶剀䟋えば、ゞクロルメ
タン、クロロホルム、四塩化炭玠、−ゞク
ロル゚タン、−ゞクロル゚タン、
−トリクロル゚タン、クロルベンれン、ブロモ
ベンれン、−ゞクロルベンれンに溶解し
た埌、これに非極性溶剀䟋えば、ヘキサン、オ
クタン、デカン、−トリメチルベンれ
ン、リグロむンを加えるこずによ぀お粒子状共晶
錯䜓ずしお埗られる。この具䜓䟋における電子写
真感光䜓には、スチレン−ブタゞ゚ンコポリマヌ
シリコン暹脂、ビニル暹脂、塩化ビニリデン−ア
クリロニトリルコポリマヌ、スチレン−アクリロ
ニトリルコポリマヌ、ビニルアセテヌト−塩化ビ
ニルコポリマヌ、ポリビニルブチラヌル、ポリメ
チルメタクリレヌト、ポリ−−ブチルメタクリ
レヌト、ポリ゚ステル類、セルロヌス゚ステル類
などを結着剀ずしお含有するこずができる。 本発明の電子写真感光䜓は、電子写真耇写機に
利甚するのみならず、レヌザヌプリンタヌ、
CRTプリンタヌ、電子写真匏補版システムなど
の電子写真応甚分野にも広く甚いるこずができ
る。 本発明によれば、高感床の電子写真感光䜓を䞎
えるこずができ、たた繰り返し垯電および露光を
行な぀た時の明郚電䜍ず暗郚電䜍の倉動が小さ
く、しかもフオトメモリヌ性を有効に改善できる
利点を有しおいる。 以䞋、本発明を実斜䟋に埓぀お説明する。 実斜䟋  東掋むンキ補造株補のβ型銅フタロシアニ
ン商品名Lionol Blue NCB Tonerを氎、゚
タノヌルおよびベンれン䞭で順次環流埌、過し
お粟補した顔料デナポン瀟補の「商品名
ポリ゚ステルアドヒヌシブ49000固圢分20」
14トル゚ン35ゞオキサン35を混合し、
ボヌルミルで時間分散するこずによ぀お塗工液
を調敎した。この塗工液をアルミニりムシヌト䞊
に也燥膜厚が0.5ミクロンずなる様にマむダヌバ
ヌで塗垃しお電荷発生局を䜜成した。 次に、電荷茞送化合物ずしお前蚘䟋瀺化合物
−(1)をずポリカヌボネヌト暹脂垝人化成
株補の商品名「パンラむト−1300」ず
をテトラヒドロフラン35ずクロロベンれン35
の混合溶媒䞭に攪拌溶解させお埗た溶液を先の電
荷発生局の䞊に、マむダヌバヌで也燥膜厚が11ミ
クロンずなる様に塗工しお、局構造からなる感
光局をも぀電子写真感光䜓を䜜成した。 この様にしお䜜成した電子写真感光䜓を川口電
機株補静電耇写玙詊隓装眮Model−SP−428
を甚いおスタチツク方匏で−5kVでコロナ垯電
し、暗所で秒間保持した埌、照床5luxで露光し
垯電特性を調べた。 垯電特性ずしおは、衚面電䜍V0ず秒間
暗枛衰させた時の電䜍V1を1/2に枛衰するに
必芁な露光量1/2を枬定した。 さらに、繰り返し䜿甚した時の明郚電䜍ず暗郚
電䜍の倉動を枬定するために、本実斜䟋で䜜成し
た感光䜓を−5.6kVのコロナ垯電噚、露光量
10lux・secの露光光孊系、珟像噚、転写垯電噚、
陀電露光光孊系おずびクリヌナヌを備えた電子写
真耇写機のシリンダヌに貌り付けた。この耇写機
は、シリンダヌの駆動に䌎い、転写玙䞊に画像が
埗られる構成にな぀おいる。この耇写機を甚い
お、初期の明郚電䜍VLず暗郚電䜍VDお
よび5000回䜿甚した埌の明郚電䜍VLず暗郚
電䜍VDを枬定した。この結果を次に瀺す。 V0−570ボルト V1−560ボルト 1/23.2lux・sec 初 期 VD−640ボルト VL−60ボルト 5000回耐久埌 VD−635ボルト VL−70ボルト 実斜䟋 〜14 この各実斜䟋においおは、前蚘実斜䟋で甚い
た電荷茞送化合物ずしお䟋瀺化合物−(1)の代り
に䟋瀺化合物−(2)−(3)−(4)−(5)
−(6)−(7)−(8)−(9)−(10)−
11−1213−14を甚いたほ
かは、実斜䟋ず同様の方法によ぀お電子写真感
光䜓を䜜成した。 各感光䜓の電子写真特性を実斜䟋ず同様の方
法によ぀お枬定した。その結果を次に瀺す。
【衚】 実斜䟋 15 −−ゞメチルアミノプニル−−
ゞプニルチアピリリりムパヌクロレヌトず
前蚘䟋瀺ヒドラゟン化合物−15をを
ポリ゚ステルポリ゚ステルアドヒヌシブ
49000デナポン瀟補のトル゚ン50−ゞオキ
サン50溶液100mlに混合し、ボヌルミルで
時間分散した。この分散液を也燥埌の膜厚が15ミ
クロンずなる様にマむダヌバヌでアルミニりムシ
ヌト䞊に塗垃した。 この様にしお䜜成した感光䜓の電子写真特性を
実斜䟋ず同様の方法で枬定した。この結果を次
に瀺す。 V0−570ボルト V1−565ボルト 1/23.6lux・sec 初 期 VD−660ボルト VL−75ボルト 5000回耐久埌 VD−650ボルト VL−80ボルト 実斜䟋 16 アルミ板䞊にカれむンのアンモニア氎溶液カ
れむン11.2、28アンモニア氎、氎222ml
をマむダヌバヌで塗垃也燥し、膜厚がミクロン
の接着局を圢成した。 次に䞋蚘構造を有するゞスアゟ顔料ず、 ブチラヌル暹脂ブチラヌル化床63モル
を゚タノヌル95mlに溶かした液ず共に分散した
埌、接着局䞊に塗工し也燥埌の膜厚が0.4ミクロ
ンずなる電荷発生局を圢成した。 次に、前蚘䟋瀺のヒドラゟン化合物−
16をずポリ−4′−ゞオキシゞプニ
ル−−プロパンカヌボネヌト粘床平均分
子量30000をゞクロルメタン150mlに溶かし
た液を電荷発生局䞊に塗垃、也燥し、膜厚が11ミ
クロンの電荷茞送局を圢成するこずによ぀お電子
写真感光䜓を䜜成した。 この様にしお䜜成した電子写真感光䜓の電子写
真特性を実斜䟋ず同様の方法で枬定した。この
結果を次に瀺す。 V0−580ボルト V1−570ボルト 1/24.0lux・sec 初 期 VD−650ボルト VL−85ボルト 5000回耐久埌 VD−640ボルト VL−90ボルト 実斜䟋 17 衚面が枅浄にされた0.2mm厚のモリブデン板
基板をグロヌ攟電蒞着槜内の所定䜍眮に固定
した。次に槜内を排気し、玄×10-6torrの真空
床にした。その埌ヒヌタヌの入力電圧を䞊昇させ
モリブデン基板枩床を150℃に安定させた。その
埌氎玠ガスずシランガス氎玠ガスに察し15容量
を槜内ぞ導入しガス流量ず蒞着槜メむンバル
ブを調敎しお0.5torrに安定させた。次に誘導コ
むルに5MHzの高呚波電力を投入し槜内のコむル
内郚にグロヌ攟電を発生させ30Wの入力電力ずし
た。䞊蚘条件で基板䞊にアモルフアスシリコン膜
を生長させ膜厚が2Όずなるたで同条件を保぀た
埌グロヌ攟電を䞭止した。その埌加熱ヒヌタヌ、
高呚波電源をオフ状態ずし、基板枩床が100℃に
なるのを埅぀おから氎玠ガス、シランガスの流出
バルブを閉じ、䞀旊槜内を10-5torr以䞋にした埌
倧気圧にもどし基板を取り出した。次いでこのア
モルフアスシリコン局の䞊に電荷茞送化合物ずし
お䟋瀺化合物−17を甚いる以倖は実斜䟋
ず党く同様にしお電荷茞送局を圢成した。 こうしお埗られた感光䜓を垯電露光実隓装眮に
蚭眮し6kVでコロナ垯電し盎ちに光像を照射し
た。光像はタングステンランプ光源を甚い透過型
のテストチダヌトを通しお照射された。その埌盎
ちに荷電性の珟像剀トナヌずキダリダヌを含
むを感光䜓衚面にカスケヌドするこずによ぀お
感光䜓衚面に良奜なトナヌ画像を埗た。 実斜䟋 18 −ゞメチルアミノプニル−−
ゞプニルチアピリリりムパヌクロレヌトず
ポリ4′−む゜プロピリデンゞプニレンカ
ヌボネヌトをゞクロルメタン200mlに十分
に溶解した埌、トル゚ン100mlを加え、共晶錯䜓
を沈柱させた。この沈柱物を別した埌、ゞクロ
ルメタンを加えお再溶解し、次いでこの溶液に
−ヘキサン100mlを加えお共晶錯䜓の沈柱物を埗
た。 この共晶錯䜓をポリビニルブチラヌル
を含有するメタノヌル溶液95mlに加え、時間ボ
ヌルミルで分散した。この分散液をカれむン局を
有するアルミ板の䞊に也燥埌の膜厚が0.4ミクロ
ンずなる様にマむダヌバヌで塗垃しお電荷発生局
を圢成した。 次いで、この電荷発生局の䞊に䟋瀺化合物−
18を甚いる以倖は実斜䟋ず党く同様にしお
電荷茞送局を圢成した。 こうしお䜜成した感光䜓の電子写真特性を実斜
䟋ず同様の方法によ぀お枬定した。この結果を
次に瀺す。 V0−570ボルト V1−565ボルト 1/23.0lux・sec 初 期 VD−660ボルト VL−85ボルト 5000回耐久埌 VD−650ボルト VL−95ボルト 実斜䟋 19 実斜䟋18で甚いた共晶錯䜓ず同様のものず
前蚘䟋瀺のヒドラゟン化合物−19を
ポリ゚ステルポリ゚ステルアドヒヌゞブ
49000デナポン瀟補のテトラヒドロフラン液
150mlに加えお、十分に混合攪拌した。この液を
アルミニりムシヌト䞊にマむダヌバヌにより也燥
埌の膜厚が15Όずなる様に塗垃した。 この感光䜓の電子写真特性を実斜䟋ず同様の
方法で枬定した。この結果を次に瀺す。 V0−565ボルト V1−555ボルト 1/24.5lux・sec 初 期 VD−645ボルト VL−90ボルト 5000回耐久埌 VD−630ボルト VL−95ボルト

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  䞋蚘の䞀般匏で瀺されるヒドラゟン化合物を
    含有する局を有するこずを特城ずする電子写真感
    光䜓。 䞀般匏 ただし、匏䞭R1R2R3R4は氎玠原子、ハ
    ロゲン原子、眮換もしくは未眮換のアミノ基、ア
    ルキル基、アラルキル基、アルコキシ基を瀺し、
    R5R6R7R8は氎玠原子、ハロゲン原子、ニ
    トロ基、眮換もしくは未眮換のアミノ基、アルキ
    ル基、アラルキル基、アルコキシ基を瀺す。
JP3363384A 1984-02-24 1984-02-24 電子写真感光䜓 Granted JPS60177351A (ja)

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