JP6218511B2 - 切断装置及び切断方法 - Google Patents
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Description
2 プレステージ
3 封止済基板(被切断物、第1の被切断物、第2の被切断物)
3a ボール面
3b 基板面
4A、4B 切断用テーブル
5A、5B 切断用ステージ(ステージ、第1のステージ、第2のステージ)
6 基板載置部
7 基板切断部
8 基板洗浄部
9 アライメント用のカメラ(第1の撮像手段)
10A、10B スピンドルユニット(切断機構)
11A、11B 回転刃
12A、12B 切削水用ノズル(噴射手段)
13 カーフチェック用のカメラ(第2の撮像手段)
14 複数の電子部品Pからなる集合体
15 洗浄機構
16 洗浄ローラ
17 検査用ステージ
18 検査用のカメラ
19 インデックステーブル
20 移送機構
21 良品用トレイ
22 基板部
23 封止樹脂部
24 アラメントマーク
25、25S、25L 切断線
26 領域
27 封止樹脂部
A 受け入れユニット
B 切断ユニット
C 洗浄ユニット
D 検査ユニット
E 収容ユニット
P 電子部品
CTL 制御部
LD ロード(Load)
PA プリアライメント(Pre Alignment)
CT 切断(Cut)
WD 洗浄&乾燥(Wash&Dry)
UL アンロード(Unload)
WT 待ち(Wait)
AA 追加アライメント(Additional Alignment)
S 工程(Steps)
Claims (12)
- 複数のアライメントマークを有する被切断物を複数の切断線に沿って切断する切断機構と、前記被切断物が載置されるステージと、前記ステージを基板載置位置と基板切断位置との間において移動させる移動機構と、前記基板載置位置と前記基板切断位置との間における移動と前記切断機構による切断とを少なくとも制御する制御部とを備え、前記基板切断位置に置かれた前記被切断物を前記切断機構を使用して切断する切断装置であって、
前記基板切断位置において、前記被切断物が切断される被加工点に向かって切削水を噴射する噴射手段と、
前記基板載置位置において前記被切断物を撮像する第1の撮像手段と、
前記基板切断位置において、前記噴出手段から噴出された切削水の影響により冷却された前記被切断物を撮像する第2の撮像手段とを備え、
前記第1の撮像手段によって撮像された前記複数のアライメントマークのうち少なくとも一部を利用して、前記制御部が前記切断線の位置を設定し、
前記第2の撮像手段によって撮像された前記複数のアライメントマークのうち少なくとも一部を利用して、前記制御部が前記切断線の位置を補正し、
補正された前記切断線に沿って前記切断機構が前記被切断物を切断することを特徴とする切断装置。 - 請求項1に記載された切断装置において、
前記ステージは2個設けられ、
2個の前記ステージはそれぞれ前記基板載置位置と前記基板切断位置との間を移動することができ、
2個の前記ステージのうち第1のステージが前記基板切断位置に位置した状態において前記被切断物が切断される間に、2個の前記ステージのうち第2のステージが前記基板載置位置に位置した状態において前記切断線の位置が設定されることを特徴とする切断装置。 - 請求項2に記載された切断装置において、
前記切断機構は回転刃を有し、
前記第2の撮像手段は前記回転刃が切断する前記切断線を撮像するように配置され、
前記第2の撮像手段はカーフチェック用カメラを兼ねることを特徴とする切断装置。 - 請求項3に記載された切断装置において、
前記切断機構と前記第2の撮像手段とは一体的に構成され、
前記切断機構が移動することによって前記第2の撮像手段が移動することを特徴とする切断装置。 - 請求項4に記載された切断装置において、
前記被切断物は封止済基板であることを特徴とする切断装置。 - 請求項4に記載された切断装置において、
前記被切断物は半導体ウェーハであることを特徴とする切断装置。 - 複数のアライメントマークを有する被切断物をステージに載置する工程と、前記ステージを基板載置位置と基板切断位置との間において移動させる工程と、前記基板切断位置に置かれた前記被切断物を複数の切断線に沿って切断機構を使用して切断する工程とを備えた切断方法であって、
前記基板載置位置において、第1の撮像手段を使用して前記複数のアライメントマークのうち少なくとも一部を撮像する第1の工程と、
前記第1の工程において撮像された前記アライメントマークを利用して前記切断線の位置を設定する工程と、
前記基板切断位置において、第2の撮像手段を使用して前記複数のアライメントマークのうち少なくとも一部を撮像する第2の工程と、
前記第2の工程において撮像された前記アライメントマークを利用して前記切断線の位置を補正する工程と、
前記基板切断位置において、前記被切断物が切断される被加工点に向かって切削水を噴射する工程と、
補正された前記切断線に沿って前記被切断物を切断する工程とを備え、
前記第2の工程では、前記切削水を噴出する工程による影響により冷却された前記被切断物の前記複数のアライメントマークのうち少なくとも一部を撮像することを特徴とする切断方法。 - 請求項7に記載された切断方法において、
前記ステージは2個設けられ、
2個の前記ステージのうち第1のステージに第1の被切断物を載置する工程と、
前記第1のステージを前記基板載置位置と前記基板切断位置との間において移動させる工程と、
2個の前記ステージのうち第2のステージに第2の被切断物を載置する工程と、
前記第2のステージを前記基板載置位置と前記基板切断位置との間において移動させる工程と、
前記第1のステージを前記基板切断位置に位置させて前記第1の被切断物を切断する工程と、
前記第1のステージを移動させる工程と前記第1の被切断物を切断する工程との少なくとも一部において、前記第2のステージを前記基板載置位置に位置させて前記第2の被切断物において前記切断線の位置を設定する工程を実行することを特徴とする切断方法。 - 請求項8に記載された切断方法において、
前記切断機構は回転刃を有し、
前記回転刃が切断する前記切断線を前記第2の撮像手段によって撮像する工程と、
前記切断線における切断溝に関する検査を行う工程とを備えることを特徴とする切断方法。 - 請求項9に記載された切断方法において、
前記切断機構と前記第2の撮像手段とは一体的に構成され、
前記切断機構を移動させることによって前記第2の撮像手段を移動させる工程を備えることを特徴とする切断方法。 - 請求項10に記載された切断方法において、
前記被切断物は封止済基板であることを特徴とする切断方法。 - 請求項10に記載された切断方法において、
前記被切断物は半導体ウェーハであることを特徴とする切断方法。
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