JP5711726B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 - Google Patents
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 122
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 89
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 47
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 438
- 239000000463 material Substances 0.000 description 62
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 58
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 description 45
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 41
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 35
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 35
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 35
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 31
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 31
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 20
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 20
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 17
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 14
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 12
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 12
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 4
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 150000004325 8-hydroxyquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N borane Chemical class [10BH3] UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002258 gallium Chemical class 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B1/00—Dyes with anthracene nucleus not condensed with any other ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B3/00—Dyes with an anthracene nucleus condensed with one or more carbocyclic rings
- C09B3/02—Benzathrones
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B3/00—Dyes with an anthracene nucleus condensed with one or more carbocyclic rings
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
- C09B57/008—Triarylamine dyes containing no other chromophores
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description
有機エレクトロルミネッセンス素子においては、自発光型素子としての利点を活かし、発光効率、画質、消費電力、さらには薄型のデザイン性に優れた発光素子として期待されている。
しかしながら、光学干渉距離の調整だけでは素子内部に閉じ込められた光を取り出すことはできない。そこで、素子内部に閉じ込められた光を効率良く取り出し、飛躍的に発光効率を向上させるための構造を備えた素子が提案されている。
(i)透光体と空気との界面での全反射により、透光体内に閉じ込められる光のモード(基板モード)
(ii)透明電極と透光体との界面での全反射により、透明電極及び有機層内に閉じ込められる光のモード(薄膜モード)
(iii)金属電極に表面プラズモンとして吸収される光のモード(表面プラズモンモード)
これらの損失モードは、有機発光層中における全発光エネルギー量に対して、発光分子の存在する状態によって数10%から100%近くに及ぶ。ゆえに、これらの損失モードをどの様にして外部へ取り出すかが、高効率で発光する有機エレクトロルミネッセンス素子の開発に必要となる。
上記基板モード、薄膜モード及び表面プラズモンモードに起因する光の閉じ込めは、いずれも発光層において放射された光がエバネッセント光として素子内部に閉じ込められることによるものである。
素子内部にエバネッセント光として閉じ込められた光を取り出す具体的な手法として、種々の方法が報告されている。
例えば、特許文献2においては、電極、エレクトロルミネッセンス層、高屈折率透明電極層及び透光体がこの順に配置され、さらに、高屈折率透明電極層及び透光体のそれぞれ光取出し面側に、浸み出し光拡散層が設けられている。浸み出し光拡散層は、低屈折材料からなるマトリックス中に光を散乱させる粒子を含有させた層であって、エバネッセント光を散乱させる機能を持ち、薄膜モードの光取り出しを行う。ここで、光散乱機能とは、発光光線をMie散乱によって多重散乱させることであり、有機薄膜層内部を進む導波光を光取出し方向に散乱させる、とされている。なお、特許文献2で用いられている手法では、特に、光取り出し層と透明電極との界面の平坦性が悪く透明電極を成膜する際に問題となることから、より信頼性が高く光取り出し効率の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を作成するための手法が求められている。
また、特許文献3では、マイクロレンズなどの凹凸構造を透光性電極及び透光性基板の間に設けることにより光の全反射を抑制する手法が提案されている。
中でも、特許文献1に記載されている手法では、透明電極及び有機層中に閉じ込められている薄膜モードや表面プラズモンモードの光を効果的に取り出すことができなかった。
さらに、特許文献4や特許文献5に記載された技術は、サブミクロン程度の周期性を有する回折格子によって白色光が分光されてしまい、特に、照明装置の光源として用いる発光素子に適さないという問題もあった。
また、本発明の目的は、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた照明装置を提供することである。
本発明の構成では、結合効率の高くなった薄膜モードから光を取り出すために、高屈折率材料及び低屈折率材料により構成される凹凸構造を備えることで光取り出し効率が効果的に改善される。すなわち、透明電極側から順に高屈折率層及び低屈折率層が積層される光取出し層が透明電極に隣接して設けられ、上記凹凸部ユニットが高屈折率層と低屈折率層との界面に設けられているので、薄膜モードの光のうち、臨界角以上の角度で高屈折率層に入射する光が当該界面で全反射せずに、低屈折率層まで透過し、最終的に透光性基板を経て、外部へと光が取り出される。
よって、有機発光層で生じた放射光の取出し効率を向上させることができる。
また、凸部の高さd2、幅d3、及び凸部同士の間隔d4が、可視光領域における波長よりも十分に大きいので、サブミクロン程度の周期性及び突出高さを有する回折格子のように白色光が分光され難い。そのため、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、回折性の小さい良好な白色発光を得ることができ、照明装置の光源に適している。従来技術では、サブミクロン程度の凹凸構造を採用したため、光取り出しと同時に回折される。さらに従来技術を利用して白色発光を取り出そうとすると、白色光のうち一部波長の光のみ光取り出し効率が上がるうえ、放射角度によって光取り出し効率が変化するため、色合いが発光素子を見る角度で変化するなど、問題となる。前記したように本発明は、白色のように様々な発光波長を含む放射光に対しても、前記した問題が顕著になることなく、光取り出し効率が向上するものである。
素子内部に光取り出し機能を有する層が挿入されると,素子が本来有する光学モードに変化が生じるため、光学モードの変化を考慮せずに最適な光学素子の設計をすることはできない。そこで、双極子放射がどの様にして薄膜モードや表面プラズモンモードに結合するのかを解析し、本発明では、表面プラズモンモードへの結合効率を低下させる上記光取り出し構造を備えることで外部量子効率の向上が可能となる。
また、表面プラズモンモードへの結合が抑制されることで、主に薄膜モードへの結合効率が向上することから、薄膜モードからの光取り出し効率を向上させる上記光取り出し構造を備えることで外部量子効率の向上が可能となる。
さらに、非回折性の周期構造で構築された上記光取り出し構造を備えることで、照明装置において有機発光層で生じた放射光が分光されることなく外部に取り出すことが可能となる。
なお、本発明において、光学可干渉距離は、(光学可干渉距離)=λ2/{nH(△λ)}で規定される。ここで、λは有機発光層で生じた放射光の発光スペクトルのピーク波長であり、△λは発光スペクトルの半値幅である。また、nHは高屈折率層の屈折率である。
また、非回折性の周期構造を有する本発明における凸部の高さd2、幅d3、及び凸部同士の間隔d4は、可視光領域における波長よりも十分に大きい必要があるため、通常1μm以上を必要とする。好ましくは、5μm以上、さらに好ましくは、20μm以上である。なお、薄膜モードからの光取出しを効率的に行う意味では、凸部の高さd2、幅d3、及び凸部同士の間隔d4は1mm以下であることが好ましい。
ここで、双極子放射がどの様にして薄膜モードや表面プラズモンモードに結合するのかを、Photonic mode densityの解析結果に基づいて説明する。双極子放射理論の詳細は参考文献(Adv. Chem. Phys. 37 (1973) pp.1-65) に記載されている。
(素子構成A1)
図1に、素子構成A1として、典型的なボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子100の構成を示す。有機エレクトロルミネッセンス素子100は、ガラスからなる透光性基板110、ITO(Indium Tin Oxide)からなる透光性電極120、有機層130、Ag(銀)からなる対向電極140を順に備えた素子構成となっている。なお、有機層130は、透光性電極120側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を順に備えた構成となっている(有機層130の層構成は図示せず)。図1の有機層130には、正孔及び電子が再結合する再結合領域S1を一点鎖線で示し、有機層130内の発光層で生じた放射光の再結合領域S1からの光路を矢印で示した。また、透光性電極120の厚みLc1は、光学可干渉距離未満である。
この有機エレクトロルミネッセンス素子100において、有機層130内の発光分子を電気双極子モーメントとした場合の双極子放射エネルギーの波数展開形式を計算し、その結果に基づいて、発光分子がランダムに配向している場合における各モードへの結合効率を見積もった。結合効率を表1に示す。
図2に、素子構成A2として、膜厚の大きい高屈折率層を有するボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子200の構成を示す。有機エレクトロルミネッセンス素子200は、有機エレクトロルミネッセンス素子100の透光性基板110と透光性電極120との間に光学可干渉距離よりも十分に厚い膜厚の高屈折率層210を備えた構成となっており、その他は、有機エレクトロルミネッセンス素子100と共通である。図2の有機層130には、正孔及び電子が再結合する再結合領域S2を一点鎖線で示し、有機層130内の発光層で生じた放射光の再結合領域S2からの光路を矢印で示した。また、透光性電極120及び高屈折率層210の合計厚みLc2は、光学可干渉距離以上である。
ここで、高屈折率層210の屈折率は、透光性基板110の屈折率よりも大きく、有機層130の屈折率以下である。有機エレクトロルミネッセンス素子200は、光学的に十分に厚く、可干渉距離以上の膜厚の高屈折率層210を備えることで、電気双極子モーメントの振動は、透光性基板110と高屈折率層210との界面から受ける電場及び磁場の反射の影響が低下する。すなわち、素子構成A2のような光学配置を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子200では、反射光による摂動の影響が小さい。一方、素子構成A1の光学配置では,電気双極子モーメントの振動は反射光による摂動を受ける。ゆえに、素子構成A2の光学配置は、発光層、透光性電極及び高屈折率層をまとめた半無限領域S3として、図3の様に近似することができる。図3において、矢印は、再結合領域S2における双極子放射の水平方向及び垂直方向を表す。
図3に示す光学配置について、有機エレクトロルミネッセンス素子100の場合と同様に、発光層130中の発光分子を電気双極子モーメントとした場合の双極子放射エネルギーの波数展開形式を計算した。そして、この計算結果に基づいて、発光分子がランダムに配向している場合において各モードへの結合効率を見積もった。結合効率を表1に示す。
このように透光性基板110と透光性電極120との間に高屈折率層210を備えた素子構成A2とすることで、表面プラズモンモードへの結合が低下し、薄膜モードへの結合効率が高まる。さらに、本発明のように、高屈折率層と透光性基板との間に低屈折率層を設け、高屈折率層と低屈折率層との界面に凸部及び凹部で構成される複数の凹凸部ユニットを設けることで、結合効率が高まった当該薄膜モードの光を効率的に取り出すことができ、結果として、外部量子効率が向上する。
|n1−nH|<0.2 (1)
|n2−nL|<0.2 (2)
nH>nL (3)
前記透明電極及び前記高屈折率層の屈折率は、同程度であることが好ましく、同様に前記透光性基板及び前記低屈折率層の屈折率は、同程度であることが好ましい。これらの差が0.2を超えると、界面で反射率が高くなり損失モードが著しく増加する要因となる。
したがって、上記関係式(1)〜(3)を満たすことにより有機発光層で生じた放射光の取出し効率をさらに高くすることができる。
加えて、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記高屈折率層の凸部上縁は、前記有機発光層から発生した光の取り出し方向に直交する方向に沿った形状を有することが好ましい。
前記凸部の高さd2、前記凸部の幅d3、及び前記凸部と前記凹部を介して隣接する他の凸部との間隔d4が5μm以上であることが好ましい。
d2が光学可干渉距離以下の場合、d3、及びd4が光学可干渉距離以上であることが望ましい。
以下、本発明の第一実施形態を図面に基づいて説明する。
〔有機エレクトロルミネッセンス素子〕
図4は、第一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子という。)の厚み方向の断面図であり、その断面の一部を拡大して示している。
有機EL素子1は、透光性基板2と、光取出し層3と、透明電極4と、有機発光層5と、対向電極6と、をこの順に積層されて構成される。
透光性基板2は、光取出し層3と、透明電極4と、有機発光層5と、対向電極6とを支持するための平滑な板状の部材である。有機EL素子1は、有機発光層5で生じた放射光の光取出し方向が、透光性基板2側となる、いわゆるボトムエミッション型の素子である。そのため、透光性基板2は、透光性の部材が用いられ、400nmから700nmまでの可視領域の光の透過率が50%以上であることが好ましい。具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテルサルファイド系樹脂、ポリサルフォン系樹脂等を原料として用いてなるものを挙げることができる。透光性基板2の屈折率n2は、1.4以上1.6以下とするのが好ましい。
光取出し層3は、有機発光層5で生じた放射光を効率的に取り出すために、透光性基板2及び透明電極4の間に設けられる。
光取出し層3は、透明電極4側から順に高屈折率層31及び低屈折率層32が積層されて構成され、低屈折率層32が透光性基板2に隣接する。高屈折率層31は、低屈折率層32よりも高い屈折率を有する。
また、図4に示すように、高屈折率層31は、低屈折率層32との界面に、凸部311及び凹部312で構成される複数の凹凸部ユニット31Aを有している。凸部311は、透明電極4側から透光性基板2側へ向かって略円柱状に突出し、図4に示すように、略矩形の断面形状を有している。
第一実施形態では、図5Bの配置パターンで高屈折率層31が設けられている。なお、図4は、図5BにおけるIV−IV線で断面を切り出した場合であって、矢印方向に沿って見た断面図を示すものである。
本発明において、凸部311の高さ方向に沿った側縁(凸部側縁)311Aが有機EL素子1の光取出し方向(有機発光層5から透光性基板2へ向かう方向であって、透光性基板2の面に対して鉛直方向)に対して傾斜する角度θは、35度以下であることが好ましい。凸部側縁311Aの当該傾斜角度θを35度以下にすることで、高屈折率層31と低屈折率層32との界面に臨界角θc以上の角度で入射する光Rcを、低屈折率層32内へと効率的に導くことができる。
本実施形態では、傾斜角度θが略0度である。そのため、凸部311側縁は、光取出し方向に沿った形状となっている。また、凸部311の幅方向に沿った上縁(凸部上縁)311Bは、光取出し方向と直交する方向に沿った形状となっている。さらに、凹凸部ユニット31Aの凹部312の下縁312A(換言すれば、低屈折率層32側から見て、低屈折率層32の凸部の上縁)も、光取出し方向と直交する方向に沿った形状となっている。
また、凸部311の高さd2、幅d3、及び一つの凹凸部ユニット31Aを構成する凸部311と他の凹凸部ユニット31Aを構成する凸部311との間隔d4の寸法は、1μm以上である。好ましくは、5μm以上、さらに好ましくは、20μm以上である。なお、薄膜モードからの光取出しを効率的に行う意味では、凸部311の高さd2、及び幅d3、及び凸部311同士の間隔d4は1mm以下であることが好ましい。高さd2は、図4のように有機EL素子1を断面視したときに、凸部311の上縁を通り透光性基板2の面に沿う方向の直線と凹部312の下縁を通り透光性基板2の面に沿う方向の直線との距離を示す。また、幅d3は、図4のように有機EL素子1を断面視したときに、凸部311の左右の凸部側縁311A間の透光性基板2の面に沿う方向の距離を示す。さらに、間隔d4は、図4のように有機EL素子1を断面視したときに、凸部311の左右どちらかの凸部側縁311Aと、凹部312を介して当該左右どちらかの凸部側縁311Aと対向する他の凸部側縁311Aとの透光性基板2の面に沿う方向の距離を示す。
なお、凸部311の高さd2及び幅d3とは、2.0>d2/d3>0.2の関係を満たすのが好ましく、本実施形態ではこの関係を満たす。より好ましくは、1.0>d2/d3>0.5の関係を満たすことが好ましい。このような関係を満たすことで、高屈折率層31と低屈折率層32との界面にある凹凸部ユニット31Aまで透過した光をさらに効率的に低屈折率層32まで透過させることができるので、光取出し効率をさらに高くすることができる。d2/d3が2.0より大きくなりアスペクト比が大きくなると、凸部側縁311Aで屈折した光が隣接する凸部311に再び入射する割合が高くなって、多重反射などが起こり、光取り出し効率の低下を招くおそれがある。
また、後述するように、有機発光層5は、それぞれ発光可能な有機発光層が積層されて構成される場合もある。この場合は、複数の有機発光層で生じた放射光のピーク波長のうち、最も大きいものを基準として光学可干渉距離を規定するものとする。例えば、赤色、緑色、及び青色で発光する有機発光層5を積層させて、これらの発光色を合成して有機EL素子から白色光を出射させる場合には、赤色光のピーク波長が最も大きいので、赤色光のピーク波長に基づいて光学可干渉距離が規定される。
ここで本発明の光学可干渉距離を求めるための半値幅を測定するに当っては、赤色発光分子の発光スペクトルによって規定されるものとする。たとえばピーク波長610nmで半値幅10nmの時には、光学可干渉距離は、約20μmとなる。さらに、演色性に優れた照明装置を得るためには、発光ピークの半値幅が大きい発光分子を用いることが望ましく、たとえば発光ピークの半値幅が60nmのときは、光学可干渉距離は、3.5μm程度となる。したがって、本発明の高屈折率層31の距離d1として好ましい範囲は、3μm以上である。また、実際に用いられる照明パネルの基板の厚さが1mm程度であることから、高屈折率層の膜厚は1mm以下が好ましい。
高屈折率層31の屈折率nHは、1.8以上2.2以下とするのが好ましい。なお、高屈折率層31の凸部311を構成する材料を、他の部分を構成する材料と異なるものとしてもよい。この場合、両者の屈折率を等しくするか、凸部311の方を低い屈折率で構成するのが好ましい。
低屈折率層32を構成する材料としては、ガラス材料、ポリマー材料等が挙げられる。ガラス材料としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー材料としては、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテルサルファイド系樹脂、ポリサルフォン系樹脂、シクロオレフィン系樹脂等を原料として用いてなるものを挙げることができる。低屈折率層32の屈折率nLは、1.4以上1.6以下とするのが好ましい。なお、低屈折率層32の凸部321を構成する材料を、他の部分を構成する材料と異なるものとしてもよい。この場合、両者の屈折率を等しくするか、凸部321の方を凸部321以外の部分よりも高い屈折率で構成するのが好ましい。
透明電極4は、光取出し層3の高屈折率層31に隣接して設けられる。本実施形態では、透明電極4が陽極となり、対向電極6が陰極となる。なお、透明電極4を陰極とし、対向電極6を陽極としてもよい。
透明電極4には、公知の電極材料が用いられ、例えば、ITO(インジウム錫酸化物)や、IZO(登録商標)(酸化インジウム亜鉛)、ZnO(酸化亜鉛)等の透明電極材料が用いられる。透明電極4の屈折率n1は、1.8以上2.2以下とするのが好ましい。
有機発光層5は、透明電極4及び対向電極6の間に設けられる。
有機発光層5は、一層で構成してもよいし、複数層で構成してもよい。また、透明電極4及び対向電極6と有機発光層5との間に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、電荷障壁層などを介在させてもよい。
有機発光層5にはAlq3等の公知の発光材料が用いられ、赤色、緑色、青色、黄色等の単色光を示す構成のものや、それらの組み合わせによる発光色、例えば、白色発光を示す構成のもの等が用いられる。また、発光層を形成するにあたっては、ホストに、ドーパントとして発光材料をドーピングするドーピング法が知られている。ドーピング法で形成した発光層では、ホストに注入された電荷から効率よく励起子を生成することができる。そして、生成された励起子の励起子エネルギーをドーパントに移動させ、ドーパントから高効率の発光を得ることができる。
本発明の有機EL素子の有機発光層5において、上述の例示した化合物以外に、従来の有機EL素子において使用される公知のものの中から任意の化合物を選択して用いることができる。
対向電極6は、有機発光層5に隣接して設けられ、公知の電極材料が用いられる。
対向電極6は、好ましくは、光を反射させる材料で構成され、例えば、Al、Cu、Ag、Au等の金属や合金等で構成される。
対向電極6は、一層で構成してもよいし、複数層で構成してもよい。光を反射させる材料で構成される層同士を積層させてもよいし、透明な導電性部材で構成される層と光を反射させる材料で構成される層とを積層させてもよい。
有機EL素子1において、透光性基板2の屈折率n2、高屈折率層31の屈折率nH、低屈折率層32の屈折率nL及び透明電極4の屈折率n1が、上記数式(1)〜(3)の関係を満たすことが好ましい。なお、屈折率n1、nL、nH、及びn2は、波長550nmのときの値を示す。
・低屈折率層の作成
透光性基板2上に低屈折率層32を構成する低屈折率材料を均一に塗布する。ここでは、低屈折材料として熱可塑性樹脂材料を用いる。次に、第一実施形態に係る凹凸部ユニット31Aが複数配置されたパターンに対応した凹凸形状を有するモールドを加熱し、当該加熱されたモールドを低屈折材料に押し当てて軟化させ、当該凹凸形状を転写する(熱インプリント)。その後、モールド及び低屈折材料を室温程度まで冷却し、モールドを脱型すると低屈折率層32が透光性基板2上に形成される。
透光性基板2上の低屈折率層32に対して、高屈折率層31を構成する高屈折材料を均一に塗布する。ここでは、金属酸化物微粒子を樹脂バインダー中に均一に分散させたインク組成物をスピンコーティング法により塗布する。塗布回数を調整することによって、低屈折率層32の凹凸形状の凹部内に高屈折材料を充填するとともに、高屈折率層31の厚さ寸法(上記距離d1に相当)を光学可干渉距離以上にする。その後、インク組成物を乾燥固化させることで、高屈折率層31が形成される。こうして、光取出し層3が形成される。
低屈折率層32にモールド形成された凹凸形状に対して当該インク組成物が塗布されて、高屈折率層31が形成されるので、当該高屈折率層31は、凹凸部ユニット31Aに対応した形状を有することになる。
光取出し層3を形成した後、高屈折率層31上に、透明電極4、有機発光層5及び対向電極6を順次積層形成する。透明電極4や対向電極6の形成は、真空蒸着やスパッタリング等の公知の方法を採用することができる。また有機発光層5の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング、インクジェット等の湿式成膜法等の公知の方法を採用することができる。
このようにして、複数の凹凸部ユニット31Aを有する光取出し層3を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子1を得ることができる。
透明電極4と高屈折率層31との界面から、高屈折率層31と低屈折率層32との界面までの距離d1が、有機発光層5で生じた放射光の光学可干渉距離以上あるので、当該放射光が、対向電極6が反射電極である場合は該反射電極表層の表面プラズモンモードに結合する割合が減少し、薄膜モードへの結合効率が高まる。
そして、光取出し層3が透明電極4に隣接して設けられ、凹凸部ユニット31Aが高屈折率層31と低屈折率層32との界面に設けられているので、薄膜モードの光のうち、臨界角以上の角度で高屈折率層31に入射する光が当該界面で全反射せずに、低屈折率層32まで透過し、最終的に透光性基板2を経て、有機EL素子1の外部へと光が取り出される。
よって、有機発光層5で生じた放射光の取出し効率を高くすることができる。
次に、本発明の第二実施形態を図面に基づいて説明する。
〔有機エレクトロルミネッセンス素子〕
図7は、第二実施形態に係る有機EL素子40の厚み方向の断面図であり、その断面の一部を拡大して示している。
第二実施形態に係る有機EL素子40は、第一実施形態に係る有機EL素子1における有機発光層5と対向電極6との間に、電子輸送帯域41が設けられ、有機発光層5と透明電極4との間に、正孔輸送帯域42が設けられる以外は、有機EL素子1と同様の構成を有する。すなわち、有機EL素子40は、透光性基板2と、光取出し層3と、透明電極4と、正孔輸送帯域42と、有機発光層5と、電子輸送帯域41と、対向電極6と、をこの順に積層されて構成される。有機EL素子40は、有機発光層5で生じた放射光の光取出し方向が、透光性基板2側となる、いわゆるボトムエミッション型の素子である。
なお、第二実施形態の説明において第一実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第二実施形態では、第一実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
電子輸送帯域41は、有機発光層5への電子の注入を助け、発光領域まで電子を輸送する帯域であって、電子移動度が大きい。
電子輸送帯域41は、電子注入層、及び電子輸送層のいずれか一方によって構成されるものであって、いずれか単独で構成されてもよいし、電子注入層、及び電子輸送層の積層構造で構成されてもよい。言い換えると、電子輸送帯域とは陰極と発光層の間に存在する有機層体であって、陰極から発光層へ電子を輸送する機能を有する有機層体を示す。
電子輸送帯域41の膜厚を70nm以上にすることで、第一実施形態で説明した光取出し層3との相乗効果によって、外部量子効率をさらに高めることができる。
外部量子効率が高まる理由は、素子構成A3を用いて次のように考えられる。
素子構成A3は、上記素子構成A1において、対向電極をアルミニウム(Al)とし、対向電極と電子輸送帯域としての電子輸送層との間に電子注入層を備えた以外は素子構成A1と同様であり、発光層は、赤色に発光する層とする。
そして、素子構成A3において、発光層に含まれる発光分子を電気双極子モーメントとした場合の配向方向を、垂直方向(Vertical)、及び水平方向(Parallel)に分けて考える。
この素子構成A3について電子輸送層の膜厚を変化させ、素子構成A1の場合と同じようにして、水平方向に配向した発光分子の双極子放射、及び垂直方向に配向した発光分子の双極子放射についてPhotonic mode densityの解析を行う。
この解析結果より、電子輸送層の膜厚が70nmになると、SPPs結合効率が15%程度まで低下し、薄膜モードへの結合効率が15%程度まで向上するので、電子輸送帯域の膜厚としては、70nm以上が好ましい。
なお、通常の有機EL素子では、電子輸送帯域として設けられる電子輸送層の膜厚が30nm程度なので、SPPs結合効率が60%程度と高く、薄膜モードへの結合効率が5%程度と低い。
電子注入層、及び電子輸送層に用いられる材料として、例えば、特開2009-199738号公報や特開2008-166629号公報に記載された、8−ヒドロキシキノリン、8−ヒドロキシキノリンの誘導体の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、含窒素複素環誘導体、シラシクロペンタジエン誘導体、ボラン誘導体、ガリウム錯体が挙げられる。ただし、電子注入層、及び電子輸送層には、電子輸送帯域としての性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において電子の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機EL素子の電子注入層や電子輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
また、この電子注入層を構成する半導体としては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb、及びZnの少なくとも1つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の1種単独、又は2種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶、又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物、及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
正孔輸送帯域42は、有機発光層5への正孔の注入を助ける領域であり、正孔移動度が大きい。この正孔輸送帯域42は、正孔注入層、及び正孔輸送層のいずれか1層により形成される構成でもよく、正孔注入性および正孔輸送性を有する単層でもよい。また、正孔輸送帯域42は、有機発光層5に隣接する障壁層を含んでいても良い。
正孔輸送帯域42を構成する材料は、例えば、特開2009-199738号公報に記載された正孔注入層、及び正孔輸送層に用いられる材料の他、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機EL素子の正孔注入や正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
次に、本発明の第三実施形態を図面に基づいて説明する。
〔有機EL素子〕
図10は、第三実施形態に係る有機EL素子50の厚み方向の断面図であり、その断面の一部を拡大して示している。
第三実施形態に係る有機EL素子50は、第二実施形態に係る有機EL素子40において、電子輸送帯域41と透明電極4との間に、中間ユニット5Aを有し、この中間ユニット5Aを挟んで複数の有機発光層51,55,56を有する以外は、有機EL素子40と同様の構成を有する。すなわち、有機EL素子50は、透光性基板2と、光取出し層3と、透明電極4と、正孔輸送帯域42と、第一有機発光層51と、中間ユニット5Aと、第二有機発光層55と、第三有機発光層56と、電子輸送帯域41と、対向電極6と、をこの順に積層されて構成される。この有機EL素子50のように、中間ユニットを介して複数の有機発光層51,55,56を積層し、直列に接続した素子構成は、タンデム型とも呼ばれる。有機EL素子50は、有機発光層51,55,56で生じた放射光の光取出し方向が、透光性基板2側となる、いわゆるボトムエミッション型の素子である。
なお、第三実施形態の説明において第一実施形態、及び第二実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第三実施形態では、第一実施形態、及び第二実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
有機発光層51,55,56には、第一実施形態で説明した有機発光層の材料を用いることができる。
ここで、第一有機発光層51と、第二有機発光層55と、第三有機発光層56とが互いに同じ材料で構成されていても、異なる材料で構成されていてもよい。そして、第一有機発光層51と、第二有機発光層55と、第三有機発光層56の発光色が、互いに同じでなくてもよく、例えば、それぞれ青、緑、赤色で発光するように構成されていてもよい。
中間ユニット5Aは、有機発光層51,55,56へ、正孔、もしくは電子の注入をする。
有機EL素子50における中間ユニット5Aは、図10に示したように、第一有機発光層51側から、中間ユニット内の電子注入層52、中間層53、中間ユニット内の正孔注入層54を順に備える。
中間ユニット5Aの各層52,53,54を構成する材料は、タンデム型有機EL素子の中間ユニットを構成する材料として使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、特開平11−329748号公報、特開2006−66380号公報、特開2006−173550号公報、特開2010−92741号公報、特開2004−281371号公報に記載された構成、及び材料が挙げられる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
第一実施形態では、凹凸部ユニット31Aの凸部311は、透明電極4側から透光性基板2側へ向かって円柱状に突出し、図4に示すように、略矩形の断面形状を有しているが、その他の形状であってもよい。
図11A、図11B、及び図11Cは、図5と同様に、高屈折率層31の一部を透光性基板2側から平面視した図である。図11Aや図11Bに示すように、平面視して四角形状となるように突出する四角柱状の凸部311であってもよい。そして、図11Aに示すように、格子状に配置されたり、図11Bに示すように、稠密構造となるように配置されたりしてもよいし、凸部311が千鳥格子状に配置(図示せず)されていてもよい。また、図11Cに示すように、平面視して三角形状となるように突出する三角柱状の凸部311であってもよい。
そして、凸部311同士の間隔、幅、及び高さが全ての凹凸部ユニット31Aにおいて同じでなくてもよい。さらに、凸部311が規則的に配置されていなくとも、ランダムに配置されていてもよい。
さらに、凹凸部ユニット31Aを規定する上記高さd2、上記幅d3、及び上記間隔d4の寸法関係は、必ずしも全ての凹凸部ユニット31Aが満たしている必要は無く、少なくとも一つの凹凸部ユニット31Aが満たしていれば良い。
また、第一実施形態で説明した有機EL素子1において、図5BのIV−IV線で切り出した断面でなく、図5BのV−V線で切り出した断面で、上記した光学可干渉距離によって規定される光取出し層3及び凹凸部ユニット31Aの寸法関係を満たしていれば良い。
高屈折率層31は、図12に示すように透明電極4側から透光性基板2側へ向かうにしたがって幅が狭くなる凸部331と、これとは反対に幅が広くなる凹部332とで構成される複数の凹凸部ユニット33Aを有する。低屈折率層32は、高屈折率層31と積層されているため、凹凸部ユニット33Aの凸部331に対応する凹部342、及び凹部332に対応する凸部341を有する。
凹凸部ユニット33Aにおける凸部側縁331Aの傾斜角度θは、有機EL素子20の光取出し方向(有機発光層5から透光性基板2へ向かう方向であって、透光性基板2の面に対して鉛直方向)と直交する方向に対して約30度である。また、本実施形態では、凸部上縁331Bは、光取出し方向と直交する方向に沿った形状となっている。
凸部331の高さd2、幅d3、及び一つの凹凸部ユニット33Aを構成する凸部331と他の凹凸部ユニット33Aを構成する凸部331との間隔d4の寸法は、1μm以上である。好ましくは、5μm以上、さらに好ましくは、20μm以上である。なお、薄膜モードからの光取出しを効率的に行う意味では、凸部331の高さd2、及び幅d3、及び凸部331同士の間隔d4は1mm以下であることが好ましい。
ここで、図12のように凸部側縁331Aが傾斜している場合には、凸部側縁331Aのいずれかの位置で幅d3の寸法及び間隔d4の寸法を第一実施形態と同様にして規定した際に、上記規定したd2〜d4の値となっていればよい。
また、本変形例でも、凸部331の高さd2及び幅d3とは、2.0>d2/d3>0.2の関係を満たすのが好ましく、より好ましくは、1.0>d2/d3>0.5の関係を満たすことが好ましい。
図13は、本発明の変形例に係る有機EL素子30の基板厚み方向の一部縦断面図である。なお、有機EL素子30の説明において上記実施形態と同一の構成要素は同一符号を付して説明を省略もしくは簡略にする。
有機EL素子30のように、凸部351及び凹部352で構成される凹凸部ユニット35Aにおける凸部上縁351Bの両端が湾曲していてもよい。このような形状となっていても、凹凸部ユニット35Aにおける寸法関係d2〜d4が上記実施形態で説明した可視光領域における波長程度以上となっていれば、光の取出し効率を高くすることができる。そして、有機EL素子30も、照明装置の光源に適している。
例えば、高屈折率層31を構成する材料からなり、厚みが上記距離d1と上記高さd2の合計寸法以上のフィルムに対して、複数の凹凸部ユニット31Aの形状に対応するパターンを転写して凹凸を形成する。その後、当該凹凸が形成された高屈折率層31の面に対して、低屈折率層32を構成する材料からなる溶液を塗布して低屈折率層32を形成することで、光取出し層3が形成される。なお、これとは逆に、低屈折率層32を構成する材料からなるフィルムに凹凸を形成しておいて、高屈折率層31を構成する材料からなる溶液を塗布して高屈折率層31を形成する方法でもよい。
他の形成方法としては、例えば、高屈折率層31を構成する材料からなり、厚みが上記距離d1の寸法以上の基材フィルム上に、チタニアやジルコニアの微粒子が分散した樹脂バインダーを塗布して複数の凹凸部ユニット31Aの形状に対応する凹凸を形成する。そして、当該凹凸が形成された面に対して、低屈折率層32を構成する材料からなる溶液を塗布して低屈折率層32を形成することで、光取出し層3が形成される。なお、ここでも高屈折率層31と低屈折率層32とを逆にして形成する方法でもよい。そして、当該分散される微粒子の屈折率npは、nH≦npの関係を満たす。
このように形成した光取出し層3と透光性基板2とは、例えば、低屈折率層32を構成する材料と屈折率が略同等の接着剤等で両者を貼り合わせることで積層される。
さらに、複数の中間ユニットを備えた素子構成としてもよい。
また、各有機発光層の発光色を同じ色としてもよいし、異なる色としてもよい。このとき、赤(R)、緑(G)、及び青(B)で発光する発光層を設けて、各色を混色して白色発光素子としてもよい。
本実施例では、有機EL素子を作成し、駆動試験を行い、光取出し効率を測定した。
<1>有機EL素子の作製
〔実施例1〕
(1)低屈折率層の形成
ポリメチルメタクリレート(PMMA,polymethyl methacrylate:和光純薬製(平均分子量:10万))を固形分濃度15質量%となるようにキシレンに溶解させ、低屈折率層形成用の塗布液を調製した(粘度:30cP)。次に、この塗布液を、25mm×25mm×0.7mm厚(日本板硝子製、NA35)、屈折率:1.50(波長=550nm)のガラス基板上にスピンコーティング法により塗布した。塗布条件は、1500rpmで60秒間、回転を保持した。
その後、150℃のホットプレート上で30分間保持し、塗布液の乾燥を行なってPMMA膜を形成した。PMMA膜の膜厚を測定したところ、2.2μmであった。同じ操作(塗布及び乾燥)を多数回繰り返し、膜厚20μmとした。
屈折率の測定は、ジェーエー・ウーラム社製エリプソメーターを用いて測定した。屈折率測定値は1.50(波長=550nm)であった。以下の屈折率の測定も同様にして行った。
次に、熱インプリント法によって、光取出しパターンを上記PMMA膜に転写した。20mm×20mm×0.7mm厚のシリコン基板にフォトリソグラフィー法により形成した光取出しパターンを有する金型(モールド)を用いた。
上記PMMA膜を成膜したガラス基板と上記金型とを予め重ね合わせ、熱インプリント装置のステージに置いた。上記PMMA膜に対して圧力2MPaで対向板を押し当て、上記PMMA膜の温度が140℃となるように、加熱温度を設定した。上記PMMA膜を軟化させるために1分間、この状態を保持し、その後、ステージおよび対向板の加熱を停止し、冷却水を流し冷却した。上記金型と上記PMMA膜との温度が室温に戻ったところで圧力を開放し、上記PMMA成膜基板と上記金型を取り出した。両者を離してガラス基板上に光取り出しパターンが転写された低屈折率層であるPMMA膜を得た。上記PMMA膜を走査型電子顕微鏡で観察したところ、深さ20μm、直径20μmの円柱が20μm間隔で形成されていた。
高屈折率材料として、酸化チタン微粒子と樹脂の混合材料を用いた。酸化チタン微粒子スラリーとして、テイカ社製の高透明性微粒子酸化チタンスラリー(酸化チタン微粒子径:15〜25nm、溶剤:プロピレングリコールモノメチルエーテル)を、また、樹脂として、DIC社製ベッコーライト(M-6401-50)、スーパーベッカミン(J-820-60)を用いた。3者の固形分質量比として7.00:0.85:0.15、総固形分濃度33質量%となるように高屈折率層形成用のインクを調整した。このインクの粘度は、42cPであった。
高屈折材料膜の屈折率を測定するために上記インクを別のガラス基板上にスピンコーティング法により塗布した。その後、上記インクの乾燥を100℃で行なって高屈折材料膜を形成した。高屈折材料膜の膜厚を測定したところ、3.3μmであった。また、高屈折材料膜の屈折率を測定したところ、1.83(波長=550nm)であった。
上記熱インプリントにて作製した基板上の光取出しパターンを有するPMMA膜(高屈折率層)の上に、上記インクをスピンコーティング法により塗布した。塗布条件は、1500rpmで60秒間、回転を保持した。その後、100℃のホットプレート上で60分間保持し、上記インクの乾燥を行なって高屈折材料膜を形成した。同じ操作(塗布及び乾燥)を12回繰り返した。
ガラス基板を基板厚み方向に沿って切断し、その断面を走査型電子顕微鏡により観察したところ、ガラス基板側より、上記PMMA膜(低屈折率層)と上記高屈折率材料膜(高屈折率層)とが積層して光取出し層及び凹凸部ユニットが形成されていた。そして、上記第一実施形態で説明した光取出し層及び凹凸部ユニットの各寸法は、距離d1=20μm、高さd2=20μm、幅d3=20μm、及び間隔d4=20μmとなっていた。
ガラス基板上の高屈折率層に対して、有機EL層を真空蒸着法で積層形成した。有機EL層の構成は次の通りとした。第1発光層は、赤色発光層とし、第2発光層は、青色発光層とし、第3発光層は、緑色発光層とした。
透明電極 :ITO(厚さ:130nm、
屈折率:1.85(波長=550nm))
正孔注入層 :化合物HI(厚さ:60nm)
正孔輸送層 :化合物HT(厚さ:15nm)
有機発光層(第1発光層)
:化合物RH及び化合物RD
(厚さ:5nm、RD濃度:0.5質量%)
電荷障壁層 :化合物HT及び化合物GD
(厚さ:5nm、GD濃度:5質量%)
有機発光層(第2発光層)
:化合物BH及び化合物BD
(厚さ15nm、BD濃度:7.5質量%)
有機発光層(第3発光層)
:化合物BH及び化合物GD
(厚さ25nm、GD濃度:10質量%)
電子輸送層 :トリス(8−キノリノール)アルミニウム膜
(Alq3)(厚さ:20nm)
電子注入層 :LiF(厚さ:1.6nm)
対向電極 :Al(厚さ:150nm)
光取出しパターンを、直径50μm、高さ50μmの円柱を六方最密充填構造状(図5A参照)に配置し、最も隣接する円柱と円柱との間隔を50μmとした以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。上記第一実施形態で説明した光取出し層及び凹凸部ユニットの各寸法は、距離d1=20μm、高さd2=50μm、幅d3=50μm、及び間隔d4=50μmとなっていた。
実施例1において、光取出し層(低屈折率層及び高屈折率層)を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
金型の光取出しパターンを変更し、直径20μm、高さ20μmの円柱を六方最密充填構造状に配置し、最も隣接する円柱と円柱との間隔を、20μmとし、高屈折材料膜の形成操作(塗布及び乾燥)回数を減らして、距離d1が光学可干渉距離未満(0.5μm)となるようにした以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。光取出し層及び凹凸部ユニットの各寸法は、距離d1=0.5μm、高さd2=20μm、幅d3=20μm、及び間隔d4=20μmとなっていた。
有機EL素子の駆動試験条件としては、電流密度が10mA/cm2となるように有機EL素子に電圧を印加し、そのときのEL発光スペクトルを分光放射輝度計(CS−1000:コミカミノルタ社製)にて計測した。
図14A、及び図14Bは、有機EL素子の構造の評価方法を説明する概略図である。
全光束で放射強度を測定するために、図14Aに示すように、有機EL素子1の透光性基板2(ガラス基板)に、シリンドリカルレンズ8を取り付けて、発光スペクトルの角度依存性を計測した。なお、シリンドリカルレンズ8の屈折率は、ガラス基板2と同等の屈折率(1.5)とした。また,シリンドリカルレンズ8と,ガラス基板2との間にはエアギャップを埋めるために,屈折率が1.5程度のオイルを充填した。放射角θを0度から70度まで5度おきに変化させて、分光放射輝度計9にてEL発光スペクトルを計測した。
有機EL素子1としては、実施例1、2、及び比較例1、2で作製したものを用いた。
得られた角度依存性の分光放射輝度スペクトルから、全光束の発光エネルギーを求めて光取り出し効率を計算した。比較例1の外部量子効率によって規格化したものを表2に示す。なお、図14Bでは、有機EL素子1の構造として、光取出し層を設けていない場合(比較例1に相当)を示しているが、光取出し層を設ける場合は、透光性基板2及び透明電極4の間に設けられるものとする。
次に、光取出し層の構造を評価した。
図15A、及び図15Bは、光取出し層の構造の評価方法を説明する概略図である。高屈折率層31及び低屈折率層32が積層された光取出し層3(図15B参照)の低屈折率層32側に、シリンドリカルレンズ9(上記<2>と同じもの)を取り付けた。そして、図15Aに示す矢印の方向に白色光を入射させ、その散乱回折スペクトルを分光放射輝度計9(CS−1000)にて測定した。また,シリンドリカルレンズ8と,低屈折率層32との間にはエアギャップを埋めるために,屈折率が1.5程度のオイルを充填した。放射角θを0度から70度まで5度おきに変化させて、分光放射輝度計9にてEL発光スペクトルを計測した。
光取出し層3としては、実施例1、実施例2、比較例2で作製したものを用いた。
得られた分光放射輝度スペクトルの角度依存性の測定結果から、光取出し層の回折性を評価した。
さらに、高さd2、幅d3、及び間隔d4が有機発光層で発光した光の波長よりも十分に大きいので、発光スペクトルの角度依存性が小さく、すなわち回折性が低く、白色光が放射角に依存して顕著に分光されることなく、取り出されたためである。
一方、表2に示すように、比較例1では、光取出し層を有していないので、外部量子効率は低いものとなった。また、比較例2では、光取出し層を有し、高さd2、幅d3、及び間隔d4が有機発光層で発光した光の波長よりも十分に大きいので、白色光が放射角に依存して顕著に分光されることなく、取り出されるものの、距離d1が有機発光層で発光した光に対して光学可干渉距離(8.8μm)未満の寸法となっているので、外部量子効率としては実施例1、及び実施例2に比べると、劣る結果となった。
高屈折率ガラス基板上に電子輸送帯域の厚さが異なる3種類の青色蛍光有機EL素子を作成し、表面プラズモンの抑制効果の検証を行った。
この有機EL素子は、上述の実施例1と同様にガラス基板上の高屈折率層に対して、有機EL層を真空蒸着法で積層形成した。有機EL層の構成は、次の通りとした。
透明電極 :ITO(厚さ:130nm)、
正孔注入層 :化合物HI-2(厚さ:50nm)
正孔輸送層 :化合物HT-2(厚さ:45nm)
有機発光層 :化合物BH及び化合物BD
(厚さ:20nm、BD濃度:5質量%)
電子輸送層1 :化合物ET-1(厚さ:5nm)
電子輸送層2 :化合物ET-2及びLi
(厚さ:(X−5)nm、Li濃度:5質量%)
電子注入層 :LiF(厚さ:0.5nm)
対向電極 :Al(厚さ:100nm)
理論計算上、表面プラズモンモードの抑制効果はX=70nm程度の膜厚で表れるが、青色発光波長における光学干渉距離の最適化を行うため上記の膜厚とした。なお、X=30nm、X=160nmおよびX=165nmは、光学干渉における1次モードと2次モードの極大値に対応する膜厚である。
電子輸送帯域の厚みを増加させることでSPPsモードの抑制が起き、結果として外部量子効率が向上した。
ガラス基板上に、直径10μm、高さ1μmの円柱が六方最密充填構造状に配置され、最も隣接する円柱と円柱との間隔が10μmとなる光取り出し構造を作成し、この光取り出し構造の上に以下の構成で第1発光層と第2発光層とを備えた有機EL層を作成し、実施例3に係る有機EL素子とした。なお、第1発光層は、青色発光層とし、第2発光層は、緑色発光層とした。化合物は、既に示したものと同じものを用いた。
表面プラズモンによる消光を抑制するために第二発光層と陰極との距離が計90nm保たれている。各有機層の膜厚は、タンデム素子を設計する上でキャリアバランスと光路長の調整を考慮し決定した。
透明電極 :IZO(厚さ:130nm)
正孔注入層1 :化合物HI-2(厚さ:70nm)
正孔輸送層1 :化合物HT-2(厚さ:50nm)
有機発光層1(第1発光層)
:化合物BH及び化合物BD
(厚さ:20nm、BD濃度:5質量%)
電子輸送層1 :化合物ET-1(厚さ:5nm)
電子輸送層2 :化合物ET-2及びLi(厚さ:5nm、Li濃度:5質量%)
電荷発生層 :化合物HI-3(厚さ:5nm)
正孔注入層2 :化合物HI-2(厚さ:10nm)
正孔輸送層2 :化合物HT-2(厚さ:30nm)
有機発光層2(第2発光層)
:化合物BH及び化合物GD
(厚さ:20nm、GD濃度:5質量%)
電子輸送層3 :化合物ET-1(厚さ:45nm)
電子輸送層4 :化合物ET-2及びLi(厚さ:45nm、Li濃度:5質量%)
電子注入層 :LiF(厚さ:0.5nm)
陰極 :Al(厚さ:80nm)
光取り出し構造を備えていない以外は、実施例3に記載したものと同じ有機EL素子を作成した。
上述の駆動試験と同じ条件で、実施例3、及び比較例3の有機EL素子の発光スペクトルの角度依存性を計測し外部量子効率を算出した。比較例3の外部量子効率によって規格化したものを表4に示す。
実施例3および比較例3の分光放射輝度スペクトルの角度依存性測定より配光分布を求めた結果、光取り出し構造を備えた有機EL素子は、その放射の形状がランバーシアン放射と比べて大幅に広がるため、外部量子効率の大幅な向上が得られた。
実施例3および比較例3の有機EL素子の放射形状を測定し、正面の外部量子効率で規格化した図を示す。図16Aは、実施例3の有機EL素子の規格化後の放射形状であり、図16Bは、比較例3の有機EL素子の規格化後の放射形状である。
2 透光性基板
3 光取出し層
31 高屈折率層
31A,33A,35A 凹凸部ユニット
32 低屈折率層
311,331,351 凸部
311A 凸部側縁
311B 凸部上縁
312,332,352 凹部
4 透明電極
5 有機発光層
6 対向電極
41 電子輸送帯域
Claims (10)
- 透明電極と、対向電極と、これら透明電極及び対向電極の間に設けられる有機発光層と、透光性基板とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記透明電極には、前記有機発光層と対向する面とは反対の面に光取出し層が隣接して設けられ、
この光取出し層は、前記透明電極側から順に積層される高屈折率層及び低屈折率層を備え、
前記透光性基板は、前記低屈折率層に隣接して設けられ、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の厚み方向断面を前記対向電極に対して前記光取出し層を上にして見たときに、
前記高屈折率層は、当該高屈折率層と前記低屈折率層との界面に、凸部及び凹部で構成される複数の凹凸部ユニットを有し、
前記複数の凹凸部ユニットのうち少なくとも一つの凹凸部ユニットにおける前記高屈折率層と前記低屈折率層との界面から前記透明電極と前記高屈折率層との界面までの距離d1が3μm以上で、かつ、前記凸部の高さd2、前記凸部の幅d3、及び前記凸部と前記凹部を介して隣接する他の凸部との間隔d4が1μm以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記透明電極の屈折率n1、前記低屈折率層の屈折率nL、前記高屈折率層の屈折率nH、及び前記透光性基板の屈折率n2が次の関係式(1)、(2)、(3)を満たすことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。なお、前記屈折率n1、nL、nH、及びn2は、波長550nmのときの値を示す。
[数1]
|n1−nH|<0.2 (1)
|n2−nL|<0.2 (2)
nH>nL (3) - 請求項1または請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記凸部の高さd2と、前記凸部の幅d3とは、2.0>d2/d3>0.2の関係を満たすことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記凸部の高さ方向に沿った側縁は、前記有機発光層から発生した光の取り出し方向に対して35度以下で傾斜していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記高屈折率層の凸部の側縁は、前記有機発光層から発生した光の取り出し方向に沿った形状を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記高屈折率層の凸部の上縁は、前記有機発光層から発生した光の取り出し方向に直交する方向に沿った形状を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記距離d 1 が3.5μm以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記凸部の高さd2、前記凸部の幅d3、及び前記凸部と前記凹部を介して隣接する他の凸部との間隔d4が5μm以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記対向電極と前記有機発光層との間には、膜厚が70nm以上の電子輸送帯域が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1から請求項9までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える照明装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012511716A JP5711726B2 (ja) | 2010-04-22 | 2011-04-22 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010099292 | 2010-04-22 | ||
JP2010099292 | 2010-04-22 | ||
JP2012511716A JP5711726B2 (ja) | 2010-04-22 | 2011-04-22 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
PCT/JP2011/059935 WO2011132773A1 (ja) | 2010-04-22 | 2011-04-22 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011132773A1 JPWO2011132773A1 (ja) | 2013-07-18 |
JP5711726B2 true JP5711726B2 (ja) | 2015-05-07 |
Family
ID=44834287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012511716A Active JP5711726B2 (ja) | 2010-04-22 | 2011-04-22 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9184414B2 (ja) |
EP (1) | EP2563093A4 (ja) |
JP (1) | JP5711726B2 (ja) |
KR (1) | KR101874649B1 (ja) |
CN (1) | CN102742352B (ja) |
WO (1) | WO2011132773A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11476446B2 (en) | 2019-02-07 | 2022-10-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101874649B1 (ko) * | 2010-04-22 | 2018-07-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로 루미네선스 소자 및 조명 장치 |
JP2012204103A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子、表示装置および照明装置 |
WO2013011833A1 (ja) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | 株式会社日立製作所 | 有機発光素子、光源装置および有機発光素子の製造方法 |
JP5659095B2 (ja) * | 2011-07-19 | 2015-01-28 | 株式会社日立製作所 | 有機発光素子、光源装置および有機発光素子の製造方法 |
JP6223341B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2017-11-01 | オーエルイーディーワークス ゲーエムベーハーOLEDWorks GmbH | 出射結合デバイスおよび光源 |
WO2013065170A1 (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JPWO2013065177A1 (ja) * | 2011-11-04 | 2015-04-02 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
WO2013065172A1 (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | パイオニア株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
WO2013065178A1 (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
WO2013065177A1 (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
DE102011086255A1 (de) * | 2011-11-14 | 2013-05-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches licht emittierendes bauelement |
DE102011086277B4 (de) * | 2011-11-14 | 2017-09-14 | Osram Oled Gmbh | Organisches Licht-emittierendes Bauelement |
JP5919821B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-05-18 | 大日本印刷株式会社 | 光学基板及びその製造方法並びに発光表示装置 |
DE102012200084B4 (de) * | 2012-01-04 | 2021-05-12 | Pictiva Displays International Limited | Strahlungsemittierendes organisches bauteil |
KR101289844B1 (ko) * | 2012-01-18 | 2013-07-26 | 한국전자통신연구원 | 유기 발광 소자 |
DE102012203583B4 (de) * | 2012-03-07 | 2021-03-18 | Pictiva Displays International Limited | Organisches Licht emittierendes Bauelement |
JP2013191314A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR20140138886A (ko) * | 2012-04-13 | 2014-12-04 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자용 광추출체 및 발광 소자 |
WO2013179339A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | 株式会社 日立製作所 | 有機発光素子、光源装置およびそれらの製造方法 |
AU2013275607B2 (en) * | 2012-06-11 | 2015-08-27 | Jx Nippon Oil & Energy Corporation | Organic EL element and method for manufacturing same |
US20150228929A1 (en) * | 2012-08-22 | 2015-08-13 | 3M Innovative Properties Company | Microcavity oled light extraction |
WO2014045219A1 (en) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Koninklijke Philips N.V. | Light source |
US9620740B2 (en) | 2012-10-11 | 2017-04-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and lighting device |
WO2014065084A1 (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | コニカミノルタ株式会社 | 電界発光素子およびその電界発光素子を用いた照明装置 |
US9209230B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-12-08 | Samsung Electronics Co., Ltd | Optical films for reducing color shift and organic light-emitting display apparatuses employing the same |
KR101784849B1 (ko) | 2013-01-04 | 2017-10-13 | 삼성전자주식회사 | 다층 투명 전극을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
US9379359B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-06-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and lighting device using same |
CN104078611A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 白光有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078578A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078571A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 白光有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078572A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 白光有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078605A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078577A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 白光有机电致发光器件及其制备方法 |
US9595648B2 (en) | 2013-04-12 | 2017-03-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP6471907B2 (ja) | 2013-05-21 | 2019-02-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
JP6264950B2 (ja) * | 2013-05-22 | 2018-01-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機el照明の光取り出し基板 |
KR101616918B1 (ko) | 2013-05-31 | 2016-04-29 | 제일모직주식회사 | 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치 |
KR102070410B1 (ko) | 2013-06-04 | 2020-01-28 | 삼성전자주식회사 | 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치 |
CN103346269B (zh) * | 2013-07-15 | 2016-03-09 | 广州新视界光电科技有限公司 | 一种半透明电极及具有该半透明电极的有机电致发光器件 |
KR102090276B1 (ko) * | 2013-08-08 | 2020-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 광학 필름 |
KR102107563B1 (ko) * | 2013-08-08 | 2020-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광학 필름, 이를 포함하는 표시 장치 및 광학 필름의 제조 방법 |
KR102120808B1 (ko) * | 2013-10-15 | 2020-06-09 | 삼성전자주식회사 | 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치 |
KR102099781B1 (ko) * | 2013-10-15 | 2020-04-10 | 삼성전자주식회사 | 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치 |
JP2015082537A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-27 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
KR20160070142A (ko) * | 2013-11-13 | 2016-06-17 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자, 조명 장치 및 표시 장치 |
KR20150059494A (ko) * | 2013-11-22 | 2015-06-01 | 삼성전자주식회사 | 색변화 저감용 광학 필름의 제조방법, 색변화 저감용 광학필름이 적용된 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR101530047B1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-22 | 주식회사 창강화학 | 광학 부재 및 이를 구비하는 표시 장치 |
JP2015144110A (ja) | 2013-12-25 | 2015-08-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
WO2015097971A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
EP3094160A4 (en) * | 2014-01-10 | 2017-08-30 | JX Nippon Oil & Energy Corporation | Optical substrate, mold to be used in optical substrate manufacture, and light emitting element including optical substrate |
JP2015138905A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 三菱電機株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ素子、分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 |
WO2015118799A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
US9518215B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-12-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device and light-emitting apparatus |
US9515239B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-12-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device and light-emitting apparatus |
EP3113237B1 (en) | 2014-02-28 | 2019-04-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device |
US9618697B2 (en) * | 2014-02-28 | 2017-04-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light directional angle control for light-emitting device and light-emitting apparatus |
JP2016034017A (ja) | 2014-02-28 | 2016-03-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
WO2015129222A1 (ja) | 2014-02-28 | 2015-09-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光素子および発光装置 |
JP6060106B2 (ja) * | 2014-04-09 | 2017-01-11 | 富士フイルム株式会社 | 輝度向上膜、偏光板、および画像表示装置 |
CN104241541B (zh) | 2014-09-15 | 2016-12-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及显示装置 |
KR20160039745A (ko) * | 2014-10-01 | 2016-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102405943B1 (ko) * | 2014-11-11 | 2022-06-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 컬러필터 어레이 기판 및 그 제조방법과 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 |
CN104362260A (zh) * | 2014-11-18 | 2015-02-18 | 上海交通大学 | 一种利用微结构提高光萃取效率的oled器件 |
US9761842B2 (en) * | 2014-12-19 | 2017-09-12 | The Regents Of The University Of Michigan | Enhancing light extraction of organic light emitting diodes via nanoscale texturing of electrode surfaces |
JP7152129B2 (ja) * | 2015-02-27 | 2022-10-12 | 三星エスディアイ株式会社 | 偏光板及びこれを含む液晶表示装置 |
US10182702B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-01-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus including photoluminescent layer |
JP6569856B2 (ja) | 2015-03-13 | 2019-09-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置および内視鏡 |
JP2016171228A (ja) | 2015-03-13 | 2016-09-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光素子、発光装置および検知装置 |
US10031276B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-07-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Display apparatus including photoluminescent layer |
JP2017005054A (ja) | 2015-06-08 | 2017-01-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
JP2017003697A (ja) | 2015-06-08 | 2017-01-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光素子および発光装置 |
JP6495754B2 (ja) * | 2015-06-12 | 2019-04-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN106299149A (zh) * | 2015-06-12 | 2017-01-04 | 上海和辉光电有限公司 | 薄膜封装结构、制备方法和具有该结构的有机发光装置 |
JP2017040818A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光素子 |
JP6748905B2 (ja) | 2015-08-20 | 2020-09-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
US10359155B2 (en) | 2015-08-20 | 2019-07-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
CN105185813A (zh) * | 2015-09-09 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示装置及其制备方法 |
KR102571468B1 (ko) * | 2015-10-16 | 2023-08-28 | 아반타마 아게 | 용액-처리가능 hri 무기/유기 혼성 광학 필름 |
US20170125735A1 (en) * | 2015-10-30 | 2017-05-04 | National Taiwan University | Electroluminescent device |
JP6620035B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2019-12-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6719094B2 (ja) | 2016-03-30 | 2020-07-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光素子 |
JP2016164898A (ja) * | 2016-06-17 | 2016-09-08 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
KR20180010791A (ko) * | 2016-07-22 | 2018-01-31 | 삼성전자주식회사 | 지향성 백라이트 유닛, 이의 제작방법, 이를 포함하는 입체 영상 표시 장치 |
CN106711347A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种oled器件及其基板 |
FR3062546B1 (fr) * | 2017-02-01 | 2021-09-10 | Inst Vedecom | Structure de diffraction integree dans une carte de circuit imprime et procede de fabrication de celle-ci |
CN110730926B (zh) * | 2017-04-19 | 2022-07-22 | 大日本印刷株式会社 | 光学结构体及显示装置 |
KR102375975B1 (ko) * | 2017-04-28 | 2022-03-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 헤드 마운트 표시 장치 |
CN107275500A (zh) * | 2017-06-12 | 2017-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光器件及其制作方法 |
KR102393270B1 (ko) | 2018-07-10 | 2022-05-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 편광판 및 이를 포함하는 광학표시장치 |
JP2020016881A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-30 | 大日本印刷株式会社 | 光学構造体、光学構造体付き偏光板及び表示装置 |
KR102640404B1 (ko) * | 2018-10-18 | 2024-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 표시장치의 제조방법 |
KR20200096384A (ko) * | 2019-02-01 | 2020-08-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102749542B1 (ko) * | 2019-02-19 | 2025-01-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210025751A (ko) * | 2019-08-27 | 2021-03-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US12197066B2 (en) | 2020-01-16 | 2025-01-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Optical film, optical-film-provided polarizing plate, and display device |
KR20220010364A (ko) * | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 삼성전자주식회사 | 메타 표면, 이를 포함하는 발광 소자 및 디스플레이 장치와 메타 표면의 제조 방법 |
KR20220051101A (ko) * | 2020-10-16 | 2022-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003297572A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Nec Corp | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 |
JP2004296438A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005274741A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Shinshu Univ | 透明電極基板 |
JP2005317228A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Nitto Denko Corp | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2005327689A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Nippon Zeon Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子、並びにこれを用いた照明装置および表示装置 |
JP2006294491A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
JP2007287486A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Aitesu:Kk | 透明基板と電極の間に微細構造体を有する有機el素子 |
JP2007335253A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2008066027A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 凹凸表面を有する基板およびそれを用いた有機el素子 |
JP2009272059A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Toppan Printing Co Ltd | El素子、el素子を用いた液晶ディスプレイ用バックライト装置、el素子を用いた照明装置、el素子を用いた電子看板装置、及びel素子を用いたディスプレイ装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02157363A (ja) | 1988-12-08 | 1990-06-18 | Akitoshi Sugimoto | 屋内プールの水深調節方法並びに装置 |
JP2931211B2 (ja) | 1994-09-13 | 1999-08-09 | 出光興産株式会社 | 有機el装置 |
JP4073510B2 (ja) | 1996-12-13 | 2008-04-09 | 出光興産株式会社 | 有機el発光装置 |
JP3884564B2 (ja) | 1998-05-20 | 2007-02-21 | 出光興産株式会社 | 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置 |
US6717358B1 (en) | 2002-10-09 | 2004-04-06 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability |
CN100463578C (zh) | 2003-03-12 | 2009-02-18 | 三菱化学株式会社 | 电致发光元件 |
JP4140541B2 (ja) | 2003-03-12 | 2008-08-27 | 三菱化学株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2004089042A1 (ja) | 2003-03-12 | 2004-10-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5167571B2 (ja) | 2004-02-18 | 2013-03-21 | ソニー株式会社 | 表示素子 |
KR100852110B1 (ko) | 2004-06-26 | 2008-08-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP2006066380A (ja) | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP4253302B2 (ja) | 2005-01-06 | 2009-04-08 | 株式会社東芝 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JPWO2006095612A1 (ja) | 2005-03-10 | 2008-08-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス用樹脂フィルム基板および有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
KR101223718B1 (ko) * | 2005-06-18 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 나노 도전성 막의 패터닝 방법 |
JP2008166629A (ja) | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el材料含有溶液、有機el材料の合成法、この合成法による合成された化合物、有機el材料の薄膜形成方法、有機el材料の薄膜、有機el素子 |
JP2009199738A (ja) | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機・無機ハイブリッド型電界発光素子 |
JP5057398B2 (ja) | 2008-08-05 | 2012-10-24 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP5288967B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-09-11 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 発光素子及びその製造方法、並びに該発光素子を備えるディスプレイ |
KR101874649B1 (ko) * | 2010-04-22 | 2018-07-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로 루미네선스 소자 및 조명 장치 |
-
2011
- 2011-04-22 KR KR1020127015133A patent/KR101874649B1/ko active IP Right Grant
- 2011-04-22 JP JP2012511716A patent/JP5711726B2/ja active Active
- 2011-04-22 US US13/576,420 patent/US9184414B2/en active Active
- 2011-04-22 CN CN201180007505.5A patent/CN102742352B/zh active Active
- 2011-04-22 WO PCT/JP2011/059935 patent/WO2011132773A1/ja active Application Filing
- 2011-04-22 EP EP11772104.3A patent/EP2563093A4/en not_active Withdrawn
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003297572A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Nec Corp | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 |
JP2004296438A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005274741A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Shinshu Univ | 透明電極基板 |
JP2005317228A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Nitto Denko Corp | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2005327689A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Nippon Zeon Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子、並びにこれを用いた照明装置および表示装置 |
JP2006294491A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
JP2007287486A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Aitesu:Kk | 透明基板と電極の間に微細構造体を有する有機el素子 |
JP2007335253A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2008066027A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 凹凸表面を有する基板およびそれを用いた有機el素子 |
JP2009272059A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Toppan Printing Co Ltd | El素子、el素子を用いた液晶ディスプレイ用バックライト装置、el素子を用いた照明装置、el素子を用いた電子看板装置、及びel素子を用いたディスプレイ装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11476446B2 (en) | 2019-02-07 | 2022-10-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120286258A1 (en) | 2012-11-15 |
EP2563093A4 (en) | 2014-10-08 |
KR101874649B1 (ko) | 2018-07-04 |
CN102742352A (zh) | 2012-10-17 |
JPWO2011132773A1 (ja) | 2013-07-18 |
KR20130071414A (ko) | 2013-06-28 |
WO2011132773A1 (ja) | 2011-10-27 |
US9184414B2 (en) | 2015-11-10 |
EP2563093A1 (en) | 2013-02-27 |
CN102742352B (zh) | 2016-08-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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