JP5012896B2 - 部品内蔵基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は樹脂層の内部に回路部品が埋設された部品内蔵基板の製造方法に関するものである。

近年、電子機器の小型化に伴い、チップコンデンサ等の回路部品を実装するための回路基板の小型化が求められている。これを受けて、回路基板内部に回路部品を埋設してモジュールを作製することにより、回路部品の実装面積を削減し、回路基板の小型化を図ることが行われている。中でも、樹脂基板の内部に回路部品が埋設された部品内蔵基板は、軽量であり、かつセラミック基板のように高温焼成を伴わないため、内蔵する回路部品に制約が少ないという利点がある。

特許文献１には、金属箔の上に導電性接着剤を介して回路部品を実装し、金属箔上に無機フィラーと熱硬化性樹脂からなる樹脂シートを重ねて圧着し、樹脂シートを熱硬化させることにより、回路部品を埋設した樹脂層を形成し、その後で金属箔を加工して配線パターンを形成した部品内蔵基板の製造方法が提案されている。

しかし、前記製造方法では、回路部品を実装したり樹脂シートを圧着する際に、導電性接着剤が金属箔の主面方向に広がるため、導電性接着剤同士が接触したり、導電性接着剤が隣接する配線パターンに跨がったりして、ショートが生じる可能性があった。前記と同様の問題は、導電性接着剤の代わりにはんだを用いる場合でも発生する。例えば、回路部品を実装するためにリフローはんだ付けを行う場合、溶融したはんだが金属箔の主面方向に広がるので、隣合うランド間でショートが生じる可能性があった。特に、部品内蔵基板を多層化すると、最初に実装した回路部品には複数回に亘ってリフロー時の熱が作用するため、はんだが再溶融してはんだフラッシュが発生する可能性がある。

特許文献２には、開口部を有する絶縁層を金属箔の一方主面上に形成することで、はんだや導電性接着剤の広がりを防止した部品内蔵基板の製造方法が提案されている。

図９は特許文献２に示された部品内蔵基板の製造方法の一例を示す。以下、図９を用いて従来の部品内蔵基板の製造方法を説明する。
図９の（ａ）に示すように、金属箔５１の上に、金属箔５１の一部が露出する開口部５２ａを有する絶縁層５２を形成する。
次に、図９の（ｂ）に示すように、開口部５２ａの内部にはんだ５３を充填する。
次に、図９の（ｃ）に示すように、はんだ５３と回路部品５４の端子電極５４ａとが接触するように、絶縁層５２の上に回路部品５４を配置し、はんだ５３と端子電極５４ａとをはんだ付けする。
次に、図９の（ｄ）に示すように、絶縁層５２及び回路部品５４上に、無機フィラーと熱硬化性樹脂からなる樹脂シート５５を重ねて圧着し、回路部品５４が埋設された樹脂層５５を形成する。なお、樹脂層５２の形成時に、同時に背面側の金属箔５６も接合される。
最後に、表裏の金属箔５１，５６を加工することにより、配線パターン５１ａ，５６ａを形成する。

前記方法の場合、絶縁層５２の開口部５２ａがはんだ５３の広がりを防止する囲いとして機能する。しかしながら、開口部５２ａにはんだ５３または導電性接着剤を充填する必要があるため、比較的多量のはんだ又は導電性接着剤が必要となる。特に、はんだを用いた場合には、はんだ量が多い分だけはんだフラッシュが発生する可能性が高くなるため、信頼性の点から問題がある。また、樹脂層５５と絶縁層５２とが異種材料により形成されている場合には、異種界面で密着強度が低下し、それに起因してはんだフラッシュが発生する可能性もある。近年、小型化、高密度化に伴い、部品内蔵基板に内蔵される部品を実装するランド間隔が非常に狭くなっており、高い耐はんだフラッシュ性能が求められている。
特開平１１−２２０２６２号公報 特開２００５−２６５７３号公報

そこで、本発明の好ましい実施形態の目的は、はんだや導電性接着剤の広がりによるショートを防止し、信頼性の高い部品内蔵基板の製造方法を提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明は、以下の（ａ）〜（ｄ）の工程を含む部品内蔵基板の製造方法を提供する。すなわち、
（ａ）金属箔の一方主面上に、回路部品を接続すべきランド領域を凸状に形成すると共に、当該ランド領域を取り囲み、前記ランド領域よりはんだ又は導電性接着剤のぬれ性が悪いぬれ防止領域を前記ランド領域より低く形成する工程、
（ｂ）前記ランド領域に前記回路部品の端子電極を前記はんだ又は導電性接着剤を用いて電気的に接続する工程、
（ｃ）前記金属箔及び前記回路部品上に、前記回路部品が埋設された樹脂層を形成する工程、
（ｄ）前記金属箔の他方主面側を加工して、配線パターンを形成する工程。

本発明の製造方法では、まず金属箔の一方主面上に、回路部品を接続すべきランド領域とぬれ防止領域とを形成する。ランド領域とは、はんだ又は導電性接着剤によって、回路部品の端子電極と電気的に接続されるべき部位である。これらランド領域は端子電極の位置や数に対応して形成される。ランド領域は複数の端子電極間に跨がらないようにして形成されるのが好ましく、ランド領域と回路部品の端子電極とが一対一で形成されるのが望ましい。なお、ランド領域に適宜配線領域を連結形成してもよい。

一方、ぬれ防止領域は、ランド領域よりはんだ又は導電性接着剤のぬれ性が悪い領域であり、例えば金属箔の一方主面を粗化又は酸化した領域、つまり粗面又は酸化膜で形成してもよいし、ランド領域を構成する金属よりも相対的にはんだ又は導電性接着剤のぬれ性が悪い金属で形成してもよい。粗面の上に酸化膜を形成してもよい。粗面又は酸化膜よりなるぬれ防止領域は、ランド領域に比べてはんだ又は導電性接着剤がぬれ広がりにくい性質を持つ。また、ランド領域が銅または銅合金よりなる場合、ねれ防止領域をコバルト、ニッケル、タングステン、モリブデン、アルミニウム、クロム、鉄、亜鉛又はこれらの合金で形成してもよい。ぬれ防止領域はランド領域の全周を取り囲んでもよいが、ランド領域に配線領域を連結形成した場合には、ぬれ防止領域は配線領域が導出された部分を除くランド領域の周囲を取り囲めばよい。

ランド領域とぬれ防止領域とを形成した金属箔に対し、そのランド領域に回路部品を搭載し、回路部品の端子電極とランド領域とをはんだ又は導電性接着剤を用いて電気的に接続する。このとき、はんだ又は導電性接着剤は、端子電極とランド領域とを接続するのに必要な最低限の量でよいので、その絶対量を減らすことができる。しかも、ランド領域の周囲はぬれ防止領域であるため、はんだ又は導電性接着剤の広がりを防止でき、ショートの発生リスクを低減できる。

また、金属箔及び回路部品の上に未硬化の樹脂を重ねて圧着した際、先行技術のような絶縁層を形成する必要がないので、絶縁層と樹脂層とが異種材料である場合のような異種界面が存在しない。したがって、回路部品をはんだを用いて固定した場合にも、はんだフラッシュの発生リスクを低減できる。

樹脂層としては、例えば熱硬化性樹脂のみからなる樹脂シートを用いてもよいし、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む樹脂シートを用いてもよいが、いずれの場合も、軟化状態又は半硬化状態（例えばＢステージ）で金属箔及び回路部品の上に重ねて圧着するのがよい。この場合、樹脂層が金属箔と回路部品との隙間や回路部品同士の隙間に入り込み、かつ樹脂層が金属箔の表面にも密着する。特に、圧着する際に真空プレスを行うと、樹脂層内部に気泡が生じるのを防止できるとともに、回路部品と金属箔との隙間に確実に樹脂を充填することができる。ぬれ防止領域が粗面の場合や凹凸を有する酸化膜の場合には、その表面の微細な凹凸に樹脂材料が入り込んで金属箔との結合力を高めることができる。そのため、はんだフラッシュ現象（はんだを使用した場合）をより確実に防止できる。なお、樹脂層を射出成形等によって形成してもよい。

ぬれ防止領域として粗面を形成する場合に、金属箔の一方主面を粗化して粗面を形成し、前記粗面上の前記ぬれ防止領域と対応する領域にめっきレジスト層を形成し、前記めっきレジスト層の形成領域を除く前記粗面上に、前記はんだ又は導電性接着剤のぬれ性のよい金属めっき層を形成することによって、前記ランド領域を形成し、前記めっきレジスト層を除去して、前記粗面よりなるぬれ防止領域を形成する方法がある。この方法の場合、ランド領域とぬれ防止領域（粗面）との間に段差が生じるので、ランド領域上のはんだ又は導電性接着剤がぬれ防止領域へ広がるのを効果的に抑制できる。多少のはんだ又は導電性接着剤がぬれ防止領域にぬれ広がっても、隣のランド領域に到達するまでの沿面距離が長くなるので、ショートの発生リスクを低減できる。また、回路部品をランドに実装した状態で回路部品とその下側のぬれ防止領域との間に所定の隙間を設けることができるため、未硬化の樹脂を圧着した際、部品の下側にも樹脂が回り込みやすく、部品の周囲を樹脂で包み込むことができる。そのため、後の工程で配線パターンを形成するために金属箔をエッチング処理する際、エッチング液によって回路部品にダメージが加わることを防止できる。

ぬれ防止領域として酸化膜を形成する場合に、金属箔の一方主面に酸化膜を形成し、前記酸化膜上の前記ぬれ防止領域と対応する領域にめっきレジスト層を形成し、前記めっきレジスト層の形成領域を除く前記酸化膜を除去し、前記酸化膜を除去した領域上に、前記はんだ又は導電性接着剤のぬれ性のよい金属めっき層を形成することによって、前記ランド領域を形成した後、前記めっきレジスト層を除去して、前記酸化膜よりなるぬれ防止領域を形成する方法がある。この方法も、粗面を形成する場合と同様に、ランド領域がぬれ防止領域（酸化膜）より高い位置になるので、ランド領域上のはんだ又は導電性接着剤がぬれ防止領域へ広がるのを効果的に抑制できるとともに、未硬化の樹脂が部品の下側に回り込みやすくなる。また、酸化膜は熱処理や化学処理等の公知の方法で一定膜厚の酸化膜を容易に形成できるので、均質なぬれ防止領域を形成できる。

ぬれ防止領域としてランド領域を構成する金属よりも相対的にぬれ性が悪い金属で形成する場合には、一方主面にはんだ又は導電性接着剤のぬれ性が悪い金属が形成された金属箔を用意し、金属箔上のぬれ防止領域と対応する領域にめっきレジスト層を形成し、めっきレジスト層の形成領域を除く金属箔上に、はんだ又は導電性接着剤のねれ性の良い金属めっき層を形成することによってランド領域を形成し、めっきレジスト層を除去して、はんだ又は導電性接着剤のぬれ性が悪い金属が露出したぬれ防止領域を形成してもよい。この方法も、ランド領域がぬれ防止領域より高い位置になるので、ランド領域上のはんだ又は導電性接着剤がぬれ防止領域へ広がるのを効果的に抑制できるとともに、未硬化の樹脂が部品の下側に回り込みやすくなる。また、めっき法によりランド領域を形成できるので、安価に製造できる。

金属箔を加工して配線パターンを形成する工程としては、２種類の方法が考えられる。第１の方法は、工程（ａ）において、ランド領域に配線領域をランド領域と同じ高さで連続的に形成しておき、工程（ｄ）において、金属箔の他方主面側からエッチング又は研磨により所定厚み分だけ除去することにより、ランド領域および配線領域を持つ配線パターンを形成する方法である。この方法では、ランド領域と配線領域とが同一高さであるため、広がり方向は配線領域のみに制限され、その他のぬれ防止領域には広がらないので、ショート等のリスクを低減できる。

第２の方法は、工程（ａ）において、ぬれ防止領域がランド領域の全周を取り囲むようにランド領域を島状に形成し、工程（ｄ）において、金属箔の他方主面側を、ランド領域とそのランド領域に連なる配線領域とが残るようにパターンエッチングすることにより、ランド領域およびランド領域に接続された配線領域を有する配線パターンを形成する方法である。この方法では、ランド領域と配線領域との間に段差が生じ、ランド領域以外はすべて低い位置にあるため、ランド領域上のはんだ又は導電性接着剤が平面方向に広がる可能性をさらに低くできる。パターンエッチングの方法としては、例えばフォトリソグラフィとエッチングとを併用したサブトラクティブ法を用いればよい。

工程（ｂ）としては、ランド領域にＰｂフリーはんだ材料であるＳｎ又はＳｎ合金めっきを行うことにより、プリコート層を形成し、回路部品の端子電極をランド領域に対してプリコート実装してもよい。この場合には、プリコート層が薄膜であり、はんだ量が極めて少量で済むので、はんだフラッシュのリスクをさらに低減できる。

金属箔が銅箔よりなり、金属めっき層が銅めっき層又は銅合金めっき層により形成される場合には、金属箔と金属めっき層とが同種材料であるため、その接合性が良好で剥離等の心配がない。

発明の好ましい実施形態の効果

以上のように、本発明によれば、金属箔の一方主面上にランド領域と当該ランド領域を取り囲むぬれ防止領域とを形成し、ランド領域に回路部品の端子電極をはんだ又は導電性接着剤を用いて接続し、その上に樹脂層を形成するようにしたので、はんだや導電性接着剤の広がりをぬれ防止領域によって制限でき、しかも従来の絶縁層を用いた方法に比べてはんだや導電性接着剤の絶対量を少なくできるので、はんだフラッシュやショートの発生リスクを低減できる。また、従来法における絶縁層と樹脂層とが異種材料の場合には、異種界面で密着強度が低下し、それに起因してはんだフラッシュ等の不具合が発生する可能性があったが、本発明では絶縁層を用いる必要がないので、このような不具合を解消できる。

〔実施形態１〕
以下に、本発明に係る部品内蔵基板の製造方法の第１実施形態について、図１を参照しながら説明する。説明を簡単にするため、図１では１個の回路部品を含む部品内蔵基板の一部の製造工程を示しているが、実際の部品内蔵基板は複数の回路部品を含んでいる。さらに、実際の製造工程では、親基板状態の部品内蔵基板が作製され、その後で子基板状態にカットされる。

図１の（ａ）は第１工程であり、一方主面上の全面に粗面１ａが形成された金属箔１を準備する。金属箔１は、後述する第８工程において加工され、部品内蔵基板の片面の配線パターンを構成するものである。ここでは、金属箔１の全面に粗面１ａが形成された例を示したが、後述するように少なくとも回路部品６を実装する領域を含むように粗面１ａが形成されておればよい。金属箔１の材料としては、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ａｌ等任意に選択できるが、作業性、コストを考慮すると、Ｃｕ箔が好ましい。金属箔１の厚みは５〜１００μｍが好ましい。粗面１ａの表面粗さは、後述するはんだ又は導電性接着剤の流動を防止できるものがよく、十点表面粗さの指標Ｒｚが１．０μｍ≦Ｒｚ≦２０μｍを満たすことが好ましい。金属箔１の表面を粗化する方法としては、特に限定されることなく、エッチング等の化学的処理であってもよいし、研磨、ブラスト等の機械的処理であってもよい。また、Ｃｕ箔であれば、市販の粗面化Ｃｕ箔を使用してもよい。

図１の（ｂ）は第２工程であり、金属箔１の粗面１ａ上にめっきレジスト２をパターン形成した状態を示す。めっきレジスト２は、後述するようにぬれ防止領域４と対応する領域に形成されている。めっきレジスト２は、例えばフィルム状レジストを金属箔１にラミネートし、露光、現像処理を行うことにより、形成することができる。その他、スクリーン印刷法などの他の方法でめっきレジスト２を形成することもできる。めっきレジスト２の厚みは、後述する金属めっき層３より厚くするのが望ましく、１０〜５０μｍ程度が好ましい。

図２は、めっきレジスト２のパターン形状の一例を示す。めっきレジスト２には、後述する工程で部品実装用ランド領域３ａおよびビア用ランド領域３ｂとなるべき位置にそれぞれ開口部２ａ，２ｂが形成され、それら開口部２ａ，２ｂ間を繋ぐように配線領域となる開口部２ｃが形成されている。図１の（ｂ）は図２の一部（図２にＡ部で示す）の切断端面図であり、配線領域となる開口部２ｃを含まない断面を示している。ランド用開口部２ａは、回路部品６の各端子電極と対応する位置に形成されており、好ましくは回路部品６の端子電極と一対一で形成されるのがよい。図２ではビア用開口部２ｂは大小２種類の円形に形成されているが、これはビア導体の直径によってランドの大きさも異なるからである。配線用開口部２ｃはランド用開口部２ａとビア用開口部２ｂとの間、またはランド用開口部２ａ相互の間を接続するように帯状に形成されているが、その形状は任意である。この例では、ぬれ防止領域４は部品実装用ランド領域３ａ、ビア用ランド領域３ｂおよび配線領域を除く領域に形成される。

図１の（ｃ）は第３工程であり、めっきレジスト２の形成領域を除く粗面１ａ上に、はんだ又は導電性接着剤のぬれ性のよい金属めっき層３を形成した状態を示す。この金属めっき層３が後述するランド領域および配線領域となる。なお、金属めっき層３を形成する前の段階で、めっきレジスト２の形成領域を除く粗面１ａ上は酸化されていないことが望ましい。金属めっき層３の材質は、Ｃｕ、Ｎｉ等、特に限定されないが、電気特性およびコストを考慮するとＣｕめっきが好ましい。めっき法は電解めっき法、無電解めっき法等いずれの方法を用いてもよい。金属めっき層３の膜厚は、その表面が粗面１ａの頂点より高くなる厚みとするのがよい。

図１の（ｄ）は第４工程であり、めっきレジスト２を金属箔１から除去した状態を示す。めっきレジスト２はＮａＯＨ溶液等の剥離液を用いることで、容易に除去できる。めっきレジスト２を除去することで、金属箔１には、金属めっき層よりなる平滑な表面を持つ部品実装用ランド領域３ａ、ビア用ランド領域３ｂおよび配線領域が形成され、その周囲を取り囲むように粗面よりなるぬれ防止領域４が一段低く形成される。すなわち、ランド領域３ａ、３ｂおよび配線領域はぬれ防止領域４より高い位置に形成される。

図１の（ｅ）は第５工程であり、金属箔１の部品実装用ランド領域３ａの上にはんだペースト５を塗布した状態を示す。はんだペースト５の塗布は、印刷法等の公知の方法で容易に実施できる。なお、はんだペースト５はビア用ランド領域３ｂや配線領域の上に形成する必要はない。

図１の（ｆ）は第６工程であり、はんだペースト５を塗布した部品実装用ランド領域３ａの上に回路部品６を配置し、リフロー等によって実装した状態を示す。このとき、回路部品６の端子電極６ａとランド領域３ａとがはんだ５ａによって電気的に接続される。はんだ５ａが溶融する際、表面張力によってはんだ５ａが端子電極６ａとランド領域３ａとの隙間を満たすと同時に、はんだ５ａの一部が端子電極６ａの側面にはい上がり、フィレットを形成する。はんだ５ａはその表面張力によってランド領域３ａに止まり、しかもランド領域３ａがぬれ防止領域４より高い位置に形成されているため、はんだ５ａが外側のぬれ防止領域４へぬれ広がることがない。また、ランド領域３ａがぬれ防止領域４より高い位置に形成されていることで、回路部品６を実装したとき、回路部品６とその下方のぬれ防止領域４との間に、後述する樹脂が容易に入り込むことができる所定の隙間δが形成される。この実施形態の回路部品６は２端子のチップ部品であるが、３端子のチップ部品あるいは集積回路のような多端子の電子部品であってもよい。

本実施形態では、回路部品６を部品実装用ランド領域３ａにはんだ５ａを用いて実装する例を示したが、はんだ４に代えて導電性接着剤を用いても同様に実装できる。但し、導電性接着剤を用いる場合には、それに含有される熱硬化性樹脂を硬化させるために、熱硬化処理を行う必要がある。

図１の（ｇ）は第７工程であり、金属箔１および回路部品６の上に、樹脂シート７および金属箔８を重ねて圧着する。樹脂シート７は、例えば無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含有する半硬化（例えばＢステージ）状態のシートである。樹脂シート７を圧着すると、樹脂シート７が金属箔１と回路部品６との隙間δや回路部品６同士の隙間に入り込み、かつ金属箔１の表面にも密着する。特に、回路部品６を実装した状態で、回路部品６とその下方のぬれ防止領域４との間に所定の隙間δが形成されるため、この隙間δに樹脂を充填することができる。なお、圧着する際に真空プレスを行うと、樹脂シート７内部に気泡が生じるのを防止できるとともに、樹脂の充填がより容易となる。ランド領域３ａを取り囲むぬれ防止領域４には粗面が形成されているため、その表面の微細な凹凸に樹脂材料が入り込んで金属箔１と樹脂シート７との結合力を高めることができる。

樹脂シート７を圧着する際または圧着後、加熱を行うのが望ましい。これにより、樹脂シート７に含まれる熱硬化性樹脂が硬化して樹脂層７ａとなり、樹脂層７ａと金属箔１，８と回路部品６との接合状態を良好にすることができる。樹脂層７ａは、樹脂シート７の圧着直後に硬化している必要はなく、例えば複数の樹脂シートを圧着して多層基板を構成する場合には、全ての樹脂シートを同時に熱硬化させてもよい。

本実施形態では、樹脂層７ａを形成するために樹脂シート７を使用したが、無機フィラーを含まない熱硬化性樹脂シートを使用してもよい。また、圧着時における樹脂層が半硬化（例えばＢステージ）状態である必要はなく、Ｂステージより軟かい状態であってもよい。

図１の（ｈ）は第８工程であり、樹脂層７ａの下面および上面の金属箔１，８をエッチング又は研磨して配線パターン１ｂ，８ａを形成した状態を示す。この例では、上面の配線パターン８ａはフォトリソグラフィ及びエッチングにより形成したものであるが、下面の配線パターン１ｂは、ぬれ防止領域４が除去されるまで全面に亘って金属箔１の他方主面側をエッチング又は研磨することにより、ランド領域３ａ、３ｂおよび配線領域だけを残したものである。

図１の（ｈ）では、金属箔１の他方主面側を全面に亘って一定厚みだけ除去したが、この方法に代えて、図１の（ｉ）のように、下面側の金属箔１をフォトリソグラフィ及びエッチングによりパターン形成してもよい。この場合は、ぬれ防止領域４のうち一部のみを除去し、他部を配線領域として機能させることもできる。また、ランド領域３ａ，３ｂおよび配線領域の厚みを図１の（ｈ）の場合に比べて厚くすることができる。

上述のようにして部品内蔵基板を形成した後、図３の（ａ）に示すように、上方より樹脂層７ａおよび配線パターン８ａを貫通し、ビア用ランド領域３ｂに達するビア導体用孔９を形成する。ビア導体用孔９の形成方法としては、レーザーやドリルなどを用いることができる。なお、本実施形態においては樹脂層７上に配線パターン８ａが形成された状態でビア導体用孔９を形成したが、配線パターン８ａとなる金属箔８を配置しない状態で樹脂層７ａにビア導体用孔を形成し、後から配線パターン８ａを形成することも可能である。

次に、図３の（ｂ）に示すように、ビア導体用孔９内にビア導体９ａを形成する。ビア導体９ａは、ビア導体用孔９の内面にめっきを施してもよいし、ビア導体用孔９の内部に導電性ペーストを充填してもよい。ビア導体９ａを形成することによって、配線パターン８ａとビア用ランド領域３ｂつまり配線パターン１ｂとが電気的に導通する。なお、ビア導体用孔９およびビア導体９ａの形成方法は、上述のように樹脂層７ａを圧着した後に形成してもよいし、圧着前の樹脂層７ａに予め形成しておいてもよい。また、上記ビア導体用孔９及びビア導体９ａは必須の要素ではなく、導通接続の必要性に応じて形成すればよい。

その後、図３の（ｃ）に示すように、配線パターン８ａの上に更なる回路部品６を実装してもよい。なお、配線パターン８ａの上にさらなる樹脂層を積層して多層構造としてもよい。樹脂層の層数や回路部品の実装形態は任意である。図１では、樹脂層７ａの上面側に配線パターン８ａを形成したが、この配線パターン８ａを省略することもできる。また、金属箔８をパターン化せず、樹脂層７ａの上面全面を覆うシールド電極とすることもできる。これによって、内蔵部品を外部の電磁界から遮蔽することが可能になる。

本実施形態では、図１の（ｇ）の工程において、樹脂層７ａの上面にぬれ防止領域を持たない金属箔８を固着したが、この金属箔８として図１の（ｄ）の段階における金属箔１と同様に、ランド領域とぬれ防止領域を持つ金属箔を用いてもよい。この場合には、図１の（ｈ）または（ｉ）の構造を持つ部品内蔵基板を多層構造に構成できる。

〔実施形態２〕
次に、本発明に係る部品内蔵基板の製造方法の第２実施形態について、図４を参照しながら説明する。

図４の（ａ）は第１工程であり、金属箔１１の一方主面上の全面に酸化膜１１ａを形成する。金属箔１１の材質や厚みは第１実施形態と同様である。酸化膜１１ａの形成方法としては、熱処理、化学処理等いずれの方法を用いてもよい。この例では、金属箔１１の平滑な面に酸化膜１１ａを形成したが、図１に示すような粗化した金属箔表面を酸化処理してもよい。

図４の（ｂ）は第２工程であり、金属箔１１の酸化膜１１ａ上にめっきレジスト１２をパターン形成した状態を示す。めっきレジスト１２の材質やパターン形成方法は第１実施形態と同様であり、後述する工程でランド領域１３ａとなるべき領域および配線１３ｂとなるべき領域に開口部が形成されている。開口部の形状は図２と同様である。

図４の（ｃ）は第３工程であり、めっきレジスト１２の形成領域を除く酸化膜１１ａを除去する。つまり、開口部から露出する酸化膜１１ａを除去する。酸化膜１１ａの除去方法としては、例えば塩酸・硫酸等の酸への浸漬、プラズマ等によるドライエッチングの他、周知の方法を用いればよい。酸化膜１１ａを除去することで、めっきレジスト１２の形成領域以外の領域（開口部）に金属箔１１の酸化されていない表面が露出する。

図４の（ｄ）は第４工程であり、めっきレジスト１２の形成領域を除く金属箔１１の上面に、はんだ又は導電性接着剤のぬれ性のよい金属めっき層１３を形成した状態を示す。この金属めっき層１３が後述するランド領域１３ａおよび配線領域１３ｂとなる。金属めっき層１３は酸化されていない金属箔１１の表面に形成されるため、金属めっき１３と金属箔１１との密着強度が高くなる。金属めっき層１３は、その表面が酸化膜１１ａの上面より高くなるように形成するのがよい。

図４の（ｅ）は第５工程であり、めっきレジスト１２を金属箔１１から除去した状態を示す。めっきレジスト１２を除去することで、金属箔１１には、金属めっき層よりなる平滑な表面を持つ台形状のランド領域１３ａおよび配線領域１３ｂと、その周囲を取り囲む酸化膜よりなるぬれ防止領域１４とが形成される。ランド領域１３ａおよび配線領域１３ｂはぬれ防止領域１４より高い位置に形成される。

図４の（ｆ）は第６工程であり、金属箔１１のランド領域１３ａの上にはんだペースト１５を印刷法等によって塗布した状態を示す。なお、配線領域１３ｂの上にははんだペースト１５を塗布しなくてもよい。

図４の（ｇ）は第７工程であり、はんだペースト１５を塗布したランド領域１３ａの上に回路部品１６を配置し、リフロー等によって実装した状態を示す。このとき、回路部品１６の端子電極１６ａとランド領域１３ａとがはんだ１５ａによって電気的に接続される。ランド領域１３ａがぬれ防止領域１４より高い位置に形成されており、しかもぬれ防止領域１４には酸化膜１１ａが形成されているので、溶融したはんだ１５ａはランド領域１３ａに止まり、その外側のぬれ防止領域１４へぬれ広がることがない。また、回路部品１６を導電性接着剤によってランド領域１３ａ上に実装した場合にも同様の効果が得られる。

図４の（ｈ）は第８工程であり、金属箔１１および回路部品１６の上に、樹脂シート１７および金属箔１８を重ねて熱圧着する。樹脂シート１７の材質や圧着方法は、第１実施形態と同様である。樹脂シート１７が金属箔１１と回路部品１６との隙間や回路部品１６同士の隙間に入り込み、かつ金属箔１１の表面にも密着する。ランド領域１３ａを取り囲むぬれ防止領域１４には酸化膜１１ａが形成されているため、その表面の微細な凹凸に樹脂材料が入り込んで金属箔１１と樹脂シート１７との結合力を高めることができる。樹脂シート１７に含まれる熱硬化性樹脂が硬化して樹脂層１７ａとなる。

図４の（ｉ）は第９工程であり、樹脂層１７ａの下面および上面の金属箔１１，１８をエッチング又は研磨して配線パターン１１ｂ，１８ａを形成する。この例では、上面の配線パターン１８ａはフォトリソグラフィ及びエッチングにより形成したものであるが、下面の配線パター１１ｂは、ぬれ防止領域１４が除去されるまで全面に亘って金属箔１１の他方主面側をエッチング又は研磨することにより、ランド領域１３ａおよび配線領域１３ｂだけを残したものである。

図４の（ｉ）の工程に代えて、図４の（ｊ）のように、下面の配線パターン１ｂもフォトリソグラフィ及びエッチングにより形成してもよい。この場合は、ぬれ防止領域１４と対応する箇所だけを除去することにより、ランド領域１３ａおよび配線領域１３ｂを残す方法である。

前述の第１実施形態では、ぬれ防止領域として凹凸を有する粗面を形成し、第２実施形態では酸化膜を形成したが、両者を組み合わせてもよい。すなわち、粗面の表面に酸化膜を形成してもよい。この場合の製造工程は、第２実施形態と同様であるため、説明を省略する。この場合は、ぬれ防止領域が粗面でかつ酸化膜を持つので、はんだ又は導電性接着剤のぬれ広がりを一層効果的に抑制できる。

〔実施形態３〕
次に、本発明に係る部品内蔵基板の製造方法の第３実施形態について、図５を参照しながら説明する。図５の（ａ）〜（ｃ）の工程は、図１の（ａ）〜（ｃ）と同様であるため、同一符号を付して説明を省略する。

図５の（ｄ）の工程において、めっきレジスト２を形成した金属箔１の表面にＳｎ又はＳｎ合金めっきを行うことにより、プリコート層２０を形成する。この例では、めっきレジスト２の開口部からランド領域３ａと配線領域３ｂとが露出しているため、それら領域の上にプリコート層２０が形成される。Ｓｎ合金としては、例えばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等がある。めっき方法は、電解めっき法、無電解めっき法などいずれの方法を用いてもよいが、プリコート層２０の厚みはプリコート実装に必要な最低限の厚み（例えば０．１μｍ〜５μｍ程度）とするのがよい。

図５の（ｅ）は、めっきレジスト２を金属箔１から除去した状態を示す。めっきレジスト２を除去することで、金属箔１には、プリコート層２０を持つ台形状のランド領域３ａと配線領域３ｂとが、その周囲を取り囲む粗面よりなるぬれ防止領域４より一段高く形成される。

図５の（ｆ）は、プリコート層２０が設けられたランド領域３ａに回路部品６をプリコート実装した状態を示す。このとき、プリコート層２０は溶融してはんだ２０ａとなるが、その絶対量は非常に少ない。しかも、ランド領域３ａがその周囲を取り囲むぬれ防止領域４より高い位置に形成されているため、はんだ２０ａが濡れ広がることがない。

その後、図５の（ｇ）〜（ｉ）の工程は、図１の（ｇ）〜（ｉ）の工程と同様にして実施される。本実施形態では、上述のようにはんだ２０ａの絶対量が非常に少ない上に、ランド領域３ａの周囲にぬれ防止領域４が形成され、かつランド領域３ａがぬれ防止領域４より高い位置に形成されているため、プリコート実装時にはんだ２０ａがランド領域３ａの外側へ濡れ広がるのを防止できる。さらに、部品内蔵基板を完成した後、その部品内蔵基板を配線基板などにリフロー時の熱ではんだ２０ａが再溶融した場合でも、上記のような理由からはんだの濡れ広がりを確実に防止できる。

〔実施形態４〕
次に、本発明に係る部品内蔵基板の製造方法の第４実施形態について、図６を参照しながら説明する。

図６の（ａ）は第１工程であり、金属箔３１の一方主面上の全面に酸化膜３１ａを形成する。金属箔３１および酸化膜３１ａは第２実施形態と同様である。

図６の（ｂ）は第２工程であり、金属箔３１の酸化膜３１ａ上にランドパターンのみのめっきレジスト３２を形成する。めっきレジスト３２のパターン形状は図７に示すように、後述する部品実装用ランド領域３３ａおよびビア用ランド領域３３ｂとなるべき領域のみに開口部３２ａ，３２ｂが独立して形成され、配線領域と対応する部位には開口部が形成されていない。

図６の（ｃ）は第３工程であり、めっきレジスト３２の形成領域を除く酸化膜３１ａを除去する。すなわち、開口部３２ａ，３２ｂと対応する位置の酸化膜３１ａを除去する。

図６の（ｄ）は第４工程であり、めっきレジスト３２の形成領域を除く金属箔３１の上面、つまり開口部３２ａ，３２ｂ内に、金属めっき層３３を形成する。この金属めっき層３３が後述するランド領域３３ａ，３３ｂとなる。

図６の（ｅ）は第５工程であり、めっきレジスト３２を金属箔３１から除去した状態を示す。めっきレジスト３２を除去することで、金属箔３１には金属めっき層よりなる平滑な表面を持つランド領域３３ａ，３３ｂが一段高く形成され、その周囲を取り囲むように酸化膜３１ａを有するぬれ防止領域３４が一段低く形成される。このように各ランド領域３３ａ，３３ｂは島状に形成され、その周囲全周をぬれ防止領域３４が取り囲んでいる。この段階では、配線領域は形成されていない。

図６の（ｆ）は第６工程であり、金属箔３１のランド領域３３ａの上にはんだペースト３５を印刷法等によって形成した状態を示す。なお、ビア用ランド領域３３ｂ上にははんだペースト３５は形成されない。

図６の（ｇ）は第７工程であり、はんだペースト３５を形成したランド領域３３ａの上に回路部品３６を配置し、リフロー等によって実装した状態を示す。このとき、回路部品３６の端子電極３６ａとランド領域３３ａとがはんだ３５ａによって電気的に接続される。この実施形態ではランド領域３３ａが島状、つまりランド領域３３ａには同一高さの配線領域が連続的に形成されておらず、しかもランド領域３３ａが酸化膜よりなるぬれ防止領域３４より高い位置に形成されているので、溶融したはんだ３５ａはランド領域３３ａに止まり、外側へのぬれ広がりを確実に防止できる。

図６の（ｈ）は第８工程であり、金属箔３１および回路部品３６の上に、樹脂シート３７および金属箔３８を重ねて熱圧着する。

図６の（ｉ）は第９工程であり、樹脂層３７ａの下面および上面の金属箔３１，３８を共にフォトリソグラフィ及びエッチングすることにより、配線パターン３１ｂ，３８ａを形成する。図６の（ｈ）の段階で金属箔３１には配線領域が未だ形成されていないので、金属箔３１をパターンエッチングすることにより、配線領域３９が初めて形成される。配線領域３９の形状は、例えば図２に示されるような形状とすればよい。

〔実施形態５〕
次に、本発明に係る部品内蔵基板の製造方法の第５実施形態について、図８を参照しながら説明する。

図８の（ａ）は第１工程であり、銅箔などの金属箔４０の一方主面上の全面にはんだぬれ性の悪い金属膜４１を形成する。はんだぬれ性の悪い金属としては、コバルト、ニッケル、タングステン、モリブデン、アルミニウム、クロム、鉄、亜鉛又はこれら金属を含む合金を用いることができる。めっき厚は０．５μ〜５μ（０．５〜１μ程度が最も好ましい）が有効である。

図８の（ｂ）は第２工程であり、はんだぬれ性の悪い金属膜４１にめっきレジスト４２を塗布し、パターン形成した状態を示す。なお、フィルムレジストを用いても良い。めっきレジスト４２の材質やパターン形成方法は第１実施形態と同様であり、後述する工程でランド領域及び配線となるべき領域に開口部４２ａが形成されている。開口部４２ａの形状は図２又は図７と同様でよい。

図８の（ｃ）は第３工程であり、めっきレジスト４２の形成領域を除く金属膜４１上に、はんだぬれ性のよい金属めっき層４３を形成する。はんだぬれ性のよい金属としては、例えば銅を用いることができる。これにより、めっきレジスト４２の開口部４２ａから露出する金属膜４１上に金属めっき層４３が形成され、ランド領域及び配線領域が形成される。なお、銅めっき層４３の上にＳｎめっきよりなるＳｎプリコート層を形成してもよい。

図８の（ｄ）は第４工程であり、めっきレジスト４２を金属膜４１から除去した状態を示す。めっきレジスト４２を除去することで、はんだぬれ性の悪い金属膜４１よりなるぬれ防止領域上にはんだぬれ性のよい金属めっき層４３よりなるランド領域および配線領域が形成される。ランド領域および配線領域はぬれ防止領域より高い位置に形成される。

図８の（ｅ）は第５工程であり、はんだぬれ性のよい金属めっき層４３よりなるランド領域の上にはんだペースト４４を印刷法等によって塗布した状態を示す。なお、配線領域の上にははんだペースト４４を塗布しなくてもよい。また、第３工程において、はんだぬれ性のよい金属めっき層４３の上にＳｎプリコート層を形成した場合には、はんだペースト４４の塗布は不要である。

図８の（ｆ）は第６工程であり、はんだペースト４４を塗布したランド領域４３の上に回路部品４５を配置し、リフロー等によって実装した状態を示す。このとき、回路部品４５の端子電極４５ａとランド領域４３とがはんだ４４ａによって電気的に接続される。ランド領域４３がぬれ防止領域４１より高い位置に形成されており、しかもぬれ防止領域４１ははんだぬれ性の悪い金属でが形成されているので、溶融したはんだ４４ａはランド領域４３に止まり、その外側のぬれ防止領域４１へぬれ広がることがない。また、回路部品４５を導電性接着剤によってランド領域４３上に実装した場合にも同様の効果が得られる。

図８の（ｇ）は第７工程であり、金属膜４１および回路部品４５の上に、熱硬化性の樹脂シート４６および金属箔４７を重ねて熱圧着する。樹脂シート４６の材質や圧着方法は、第１実施形態と同様である。樹脂シート４６が金属膜４１と回路部品４５との隙間や回路部品４５同士の隙間に入り込み、かつ金属膜４１の表面にも密着する。樹脂シート４６に含まれる熱硬化性樹脂が硬化して樹脂層となる。

図８の（ｈ）は第８工程であり、樹脂層４６の上面の金属箔４７をエッチング又は研磨して配線パターン４７ａを形成すると共に、下面の金属箔４０をエッチング又は研磨して配線パターンを形成する。この例では、上面の配線パターン４７ａはフォトリソグラフィ及びエッチングにより形成したものであり、下面の金属箔４０についてはぬれ防止領域４１が除去されるまでエッチング又は研磨することにより、実装用ランド領域４０ａとビア用ランド領域４０ｂとを残したものである。なお、配線領域（図示せず）を残しても良い。

図８の（ｉ）は第９工程であり、上面の配線パターン４７ａから下面のビア用ランド領域４０ｂに到るビアホール４８を形成し、その中に導電ペーストを充填してビア導体を形成する。

この実施形態の場合も、ランド領域４３の周囲にはんだぬれ性の悪い金属よりなるぬれ防止領域４１を形成したので、はんだ又は導電性接着剤のぬれ広がりを効果的に抑制できる。

〔製法１〕
実施形態１に基づいて、以下のようにして部品内蔵基板のサンプルを作製した。
（１）金属箔(100mm×100mm)として18μｍ厚Ｃｕ箔(日鉱金属製)を用い、その粗化面に25μｍ厚フィルムレジスト（東京応化製)をラミネートした後、露光、現像処理を施すことにより、ランド領域および配線領域を除く箇所にめっきレジスト層を形成する。
（２）硫酸Ｃｕめっき浴を用い、膜厚20μｍのＣｕめっき層を形成する。部品実装用ランド領域の間隔を100μｍとする。
（３）めっきレジスト層を３％のNaOH溶液中で除去する。
（４）部品実装用ランド領域上にはんだペーストを印刷し、チップコンデンサを100個実装する。
（５）金属箔およびチップコンデンサ上に500μｍのエポキシ系樹脂からなる樹脂シート、18μｍのＣｕ箔を積層し樹脂中に部品を埋設する。その後、樹脂シートを硬化させ、樹脂層とする。
（６）樹脂層上面のＣｕ箔をフォトリソ・エッチングにより配線形成するとともに、下面Ｃｕ箔をエッチングにより除去し、配線パターンを形成する。

〔製法２〕
実施形態２に基づいて、以下のようにして部品内蔵基板のサンプルを作製した。
（１）大気雰囲気中で200℃、60分間、12μｍ厚Ｃｕ箔(日鉱金属製)を熱処理し、Ｃｕ箔表面に酸化膜を形成する。
（２）上記Ｃｕ箔を金属箔(100ｍｍ×100 ｍｍ) として用い、その酸化膜上に25μｍ厚フィルムレジスト（東京応化製) をラミネートした後、露光、現像処理を施すことにより、ランド領域および配線領域を除く箇所にめっきレジスト層を形成する。
（３）硫酸Ｃｕめっき浴を用い、膜厚20μｍのＣｕめっき層を形成する。部品実装用ランド領域の間隔を100μｍとする。
（４）めっきレジスト層を３％のNaOH溶液中で除去する。
（５）部品実装用ランド領域上にはんだペーストを印刷し、チップコンデンサを100 個実装する。
（６）金属箔およびチップコンデンサ上に500μｍのエポキシ系樹脂からなる樹脂シート、18μｍ厚Ｃｕ箔を積層し、樹脂中に部品を埋設する。その後、樹脂シートを硬化させ、樹脂層とする。
（７）樹脂層上面のＣｕ箔をフォトリソ・エッチングにより配線形成するとともに、下面Ｃｕ箔をエッチングにより除去し、配線パターンを形成する。

〔製法３〕
実施形態１および２に基づいて、以下のようにして部品内蔵基板のサンプルを作製した。即ち、粗面を有する金属箔の表面に酸化膜を形成したものを用いた。
（１）大気雰囲気中で200℃、60分間、35μｍ厚Ｃｕ箔(日鉱金属製)を熱処理し、Ｃｕ箔の粗化面上に酸化膜を形成する。
（２）上記Ｃｕ箔を金属箔(100ｍｍ×100ｍｍ) として用い、その粗化面の酸化膜上に25μｍ厚フィルムレジスト（東京応化製) をラミネートした後、露光、現像処理を施すことにより、ランド領域および配線領域を除く箇所にめっきレジスト層を形成する。
（３）硫酸Ｃｕめっき浴を用い、膜厚20μｍのＣｕめっき層を形成する。部品実装用ランド領域の間隔を100μｍとする。
（４）めっきレジスト層を３％のNaOH溶液中で除去する。
（５）部品実装用ランド領域上にはんだペーストを印刷し、チップコンデンサを100個実装する。
（６）金属箔およびチップコンデンサ上に500μｍのエポキシ系樹脂からなる樹脂シート、18μｍ厚Ｃｕ箔を積層し樹脂中に部品を埋設する。その後、樹脂シートを硬化させ、樹脂層とする。
（７）樹脂層上面のＣｕ箔をフォトリソ・エッチングにより配線形成するとともに、下面Ｃｕ箔をエッチングにより除去し、配線パターンを形成する。

〔製法４〕
実施形態３に基づいて、以下のようにして部品内蔵基板のサンプルを作製した。
（１）金属箔(100ｍｍ×100 ｍｍ)として100μｍ厚Ｃｕ箔（日鉱金属製)を用い、その粗化面に25μｍ厚フィルムレジスト（東京応化製)をラミネートした後、露光、現像処理を施すことにより、ランド領域および配線領域を除く箇所にめっきレジスト層を形成する。
（２）硫酸Ｃｕめっき浴を用い、膜厚20μｍのＣｕめっき層を形成する。部品実装用ランド領域の間隔を100μｍとする。
（３）部品実装用ランド領域表面に１μｍの置換Ｓｎ−Ａｇめっきを施し、プリコート層を形成する。
（４）めっきレジスト層を溶剤系剥離液中で除去する。
（５）部品実装用ランド領域上にフラックス塗布後、チップコンデンサを100個実装する。
（６）金属箔およびチップコンデンサ上に500μｍのエポキシ系樹脂からなる樹脂シート、18μｍ厚Ｃｕ箔を積層し、樹脂中に部品を埋設する。その後、樹脂シートを硬化させ、樹脂層とする。
（７）樹脂層上面のＣｕ箔をフォトリソ・エッチングすることにより配線形成するとともに、下面Ｃｕ箔を研磨により除去し、配線パターンを形成する。

〔製法５〕
実施形態４に基づいて、以下のようにして部品内蔵基板のサンプルを作製した。
（１）大気雰囲気中で200℃、60分間、18μｍ厚Ｃｕ箔（日鉱金属製)を熱処理し、Ｃｕ箔表面に酸化膜を形成する。
（２）上記Ｃｕ箔を金属箔(100ｍｍ×100 ｍｍ)として用い、その酸化膜上に25μｍ厚フィルムレジスト（東京応化製)をラミネートした後、露光、現像処理を施すことにより、ランド領域を除く箇所にめっきレジスト層を形成する。
（３）硫酸Ｃｕめっき浴を用い、膜厚20μｍのランドのみのＣｕめっき層を形成する。部品実装用ランド領域の間隔を100μｍとする 。
（４）めっきレジスト層を３％のNaOH溶液中で除去する。
（５）部品実装用ランド上にはんだペーストを印刷し、チップコンデンサを100個実装する。
（６）金属箔およびチップコンデンサ上に500μｍのエポキシ系樹脂からなる樹脂シート、18μｍ厚Ｃｕ箔を積層し、樹脂中に部品を埋設する。その後、樹脂シートを硬化させ、樹脂層とする。
（７）樹脂層上面のＣｕ箔をフォトリソ・エッチングにより配線形成するとともに、下面のＣｕ箔をフォトリソ・エッチングすることによりランド間の配線領域も含んだ配線パターンを形成する。

〔比較例〕
前記各実施形態に基づく部品内蔵基板と比較するため、特許文献２に基づいて次のように部品内蔵基板を作製した。
（１）金属箔(100ｍｍ×100ｍｍ)として18μｍ厚Ｃｕ箔(日鉱金属製)を用い、その光沢面、すなわち粗化されていない面にランド領域のみを開口させた15μｍ厚のエポキシ系ソルダレジスト（太陽インキ製)を形成する。
（２）部品実装用ランド領域上にはんだペーストを印刷し、チップコンデンサを100個実装する。部品実装用ランド領域の間隔を100μｍとする。
（３）部品実装用ランド領域およびチップコンデンサ上に500μｍのエポキシ系樹脂からなる樹脂シート、18μｍ厚Ｃｕ箔を積層し、樹脂中に部品を内蔵する。その後、樹脂シートを硬化させ、樹脂層とする。
（４）樹脂層上面および下面のＣｕ箔をフォトリソ・エッチングすることにより配線パターンを形成する。

以上の方法で試作した部品内蔵基板を下記条件の試験に供した後、はんだフラッシュによるショートの有無を透過Ｘ線観察により確認した。
条件１：85℃、85％RH×168h→リフロー(260℃ピーク)×５回
条件２：60℃、60％RH×40h→リフロー(260℃ピーク)×４回

○：ショート発生なし、×：ショート発生あり。

以上の試験結果から、次のようなことが分かる。
（１）製法１〜３では、ランド領域の周囲がぬれ性の悪いぬれ防止領域で囲まれ、かつ基板内に従来技術のような絶縁層／樹脂層の異種界面が生じないため、優れた耐はんだフラッシュ性が得られる。但し、条件１のような高温、高湿度で長時間放置し、かつリフロー回数の多い試験では、ショートが発生する可能性がある。
（２）製法４でははんだとしてＳｎ−Ａｇめっきを用いるため、はんだ量が少なく、製法１〜３よりもさらに耐はんだフラッシュ性が向上する。
（３）製法５でははんだはランド領域にしか存在せず、かつランド領域と配線領域の間に段差ができるため、製法１〜３よりもさらに耐はんだフラッシュ性が向上する。

前記実施形態では、いずれもランド領域がぬれ防止領域より高い位置になるように形成したが、両領域が同一高さに形成されていてもよい。その場合でも、はんだ又は導電性接着剤は粗面又は酸化膜よりなるぬれ防止領域に対してぬれ広がり難いので、はんだフラッシュなどの発生リスクを低減できる。

本発明の第１実施形態の部品内蔵基板の前半の製造工程図である。 めっきレジストの一例のパターン図である。 本発明の第１実施形態の部品内蔵基板の後半の製造工程図である。 本発明の第２実施形態の部品内蔵基板の製造工程図である。 本発明の第３実施形態の部品内蔵基板の製造工程図である。 本発明の第４実施形態の部品内蔵基板の製造工程図である。 めっきレジストの他の例のパターン図である。 本発明の第５実施形態の部品内蔵基板の製造工程図である。 従来の部品内蔵基板の製造工程図である。

符号の説明

１，１１，２１，３１，４０ 金属箔
１ａ，２１ａ 粗面
１１ａ 酸化膜
２ めっきレジスト層
３ 金属めっき層
３ａ ランド領域
３ｂ 配線領域
４ ぬれ防止領域
５ａ はんだ
６ 回路部品
６ａ 端子電極
７ 樹脂シート
７ａ 樹脂層
８ 金属箔

Claims (12)

1. 以下の工程を含む部品内蔵基板の製造方法。
   （ａ）金属箔の一方主面上に、回路部品を接続すべきランド領域を凸状に形成すると共に、当該ランド領域を取り囲み、前記ランド領域よりはんだ又は導電性接着剤のぬれ性が悪いぬれ防止領域を前記ランド領域より低く形成する工程、
   （ｂ）前記ランド領域に前記回路部品の端子電極を前記はんだ又は導電性接着剤を用いて電気的に接続する工程、
   （ｃ）前記金属箔及び前記回路部品上に、前記回路部品が埋設された樹脂層を形成する工程、
   （ｄ）前記金属箔の他方主面側を加工して、配線パターンを形成する工程。
2. 前記工程（ａ）において、前記ぬれ防止領域は前記金属箔を粗化してなることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法。
3. 前記工程（ａ）が、
   （ｅ）金属箔の一方主面を粗化して粗面を形成する工程、
   （ｆ）前記粗面上の前記ぬれ防止領域と対応する領域にめっきレジスト層を形成する工程、
   （ｇ）前記めっきレジスト層の形成領域を除く前記粗面上に、前記はんだ又は導電性接着剤のぬれ性のよい金属めっき層を形成することによって、前記ランド領域を形成する工程、
   （ｈ）前記めっきレジスト層を除去して、前記粗面よりなるぬれ防止領域を形成する工程、
   を含むことを特徴とする請求項２に記載の部品内蔵基板の製造方法。
4. 前記工程（ａ）において、前記ねれ防止領域は前記金属箔を酸化してなることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法。
5. 前記工程（ａ）が、
   （ｉ）金属箔の一方主面に酸化膜を形成する工程、
   （ｊ）前記酸化膜上の前記ぬれ防止領域と対応する領域にめっきレジスト層を形成する工程、
   （ｋ）前記めっきレジスト層の形成領域を除く前記酸化膜を除去する工程、
   （ｌ）前記酸化膜を除去した領域上に、前記はんだ又は導電性接着剤のぬれ性のよい金属めっき層を形成することによって、前記ランド領域を形成する工程、
   （ｍ）前記めっきレジスト層を除去して、前記酸化膜よりなるぬれ防止領域を形成する工程、
   を含むことを特徴とする請求項４に記載の部品内蔵基板の製造方法。
6. 前記工程（ａ）において、前記ねれ防止領域は、前記ランド領域を構成する金属よりも相対的にはんだ又は導電性接着剤のぬれ性が悪い金属よりなることを特徴とする請求項１ないし請求項５に記載の部品内蔵基板の製造方法。
7. 前記ランド領域は銅または銅合金よりなり、前記ねれ防止領域はコバルト、ニッケル、タングステン、モリブデン、アルミニウム、クロム、鉄、亜鉛及びこれらの合金の何れかよりなることを特徴とする請求項６に記載の部品内蔵基板の製造方法。
8. 前記工程（ａ）が、
   （ｎ）一方主面に前記はんだ又は導電性接着剤のぬれ性が悪い金属が形成された金属箔を用意する工程、
   （ｏ）前記金属箔上の前記ぬれ防止領域と対応する領域にめっきレジスト層を形成する工程、
   （ｐ）前記めっきレジスト層の形成領域を除く前記金属箔上に、前記はんだ又は導電性接着剤のねれ性の良い金属めっき層を形成することによって前記ランド領域を形成する工程、
   （ｑ）前記めっきレジスト層を除去して、前記はんだ又は導電性接着剤のぬれ性が悪い金属が露出したぬれ防止領域を形成する工程、
   を含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の部品内蔵基板の製造方法。
9. 前記工程（ａ）において、前記ランド領域には配線領域がランド領域と同じ高さで連続的に形成されており、
   前記工程（ｄ）において、前記金属箔の他方主面側からエッチング又は研磨により所定厚み分だけ除去することにより、前記ランド領域および配線領域を持つ配線パターンを形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の部品内蔵基板の製造方法。
10. 前記工程（ａ）において、前記ランド領域は島状に形成され、前記ぬれ防止領域は前記ランド領域の全周を取り囲んでおり、
    前記工程（ｄ）において、前記金属箔の他方主面側を、前記ランド領域とそのランド領域に連なる配線領域とが残るようにパターンエッチングすることにより、前記ランド領域および当該ランド領域に接続された配線領域を有する配線パターンを形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の部品内蔵基板の製造方法。
11. 前記工程（ｂ）は、
    前記ランド領域にＳｎ又はＳｎ合金めっきを行うことにより、はんだとなるプリコート層を形成し、
    前記回路部品の端子電極を前記ランド領域に対してプリコート実装することにより行われることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の部品内蔵基板の製造方法。
12. 前記金属箔は銅箔よりなり、前記金属めっき層は銅めっき層又は銅合金めっき層により形成されることを特徴とする請求項３乃至６に記載の部品内蔵基板の製造方法。

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