JP4654207B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子を利用した表示装置に関するものであり、さらに詳しくは、有機化合物からなる薄膜に電界を印加することにより光を放出する有機ＥＬ素子を用いた表示装置に関するものである。

有機ＥＬ素子は、蛍光性有機化合物もしくは燐光性有機化合物を含む薄膜を陽極と陰極により挟持した構造を有する。各電極から電子およびホール（正孔）を注入することにより、蛍光性有機化合物もしくは燐光性有機化合物の励起子を生成させ、この励起子が基底状態にもどる際に放射される光を利用する素子である。１９８７年のコダック社による研究（非特許文献１）では、機能分離型２層構成の素子が提案されており、１０Ｖ程度の印加電圧において１０００ｃｄ／ｍ２程度の発光が報告されている。陽極にＩＴＯ、陰極にＡｇ：Ｍｇ合金を用い、電子輸送材料および発光材料としてアルミニウムキノリノール錯体を、ホール輸送材料にトリフェニルアミン誘導体が用いられている。関連の特許としては、特許文献１〜３等が挙げられる。

有機ＥＬ素子は、通常、図１（ａ）に示すように、有機層１０１を、反射電極１０２と光取り出し側の透明電極１０３で挟んだ構成となっている。発光点２０１から発光した光のうち、光取り出し側へ放射される光２０２に加え、反対側へ放射される光２０３を反射電極１０２により光取り出し側へ反射させることで、透明電極１０３を通して取り出される光を増加させ、発光効率を向上させている。

しかし、このような構成の場合、図１（ｂ）に示すように、素子外部からの入射光３０１も反射電極１０２によって反射されてしまうため、ディスプレイのコントラストが低下し、視認性が悪くなってしまうという問題点がある。これは、有機ＥＬディスプレイに固有の問題ではなく、ＱＤ−ＬＥＤディスプレイや無機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイなど反射性電極を有する発光ディスプレイに共通する問題点である。

このようなコントラストの低下を改善する方法としては、光の右（左）円偏光状態が反射により、左（右）円偏光状態に反転するという性質を利用するものがある。特許文献４や特許文献５では、光取り出し側に円偏光板を配置し、外光反射を防止する方法が提案されている。

また、別の方法として、数十〜数百μｍ程度の薄膜を積層した際に生じる干渉を反射防止に利用するものがある。特許文献６では、光共振器による干渉と単色の吸収フィルタを組み合わせる方法や、光共振器による干渉と各素子毎にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色カラーフィルターを組み合わせる方法などが提案されている。

下記、特許文献４の円偏光板を利用する従来技術では、構造が単純で外光反射防止機能に優れているものの、通常の円偏光板は可視光波長域全体に渡り、透過率が３５〜４５％程度（理論限界は５０％）である。そのため、表示色に関係なく一様に有機ＥＬ素子の発光効率を半減させてしまうという課題がある。これに対して、特許文献５では、有機ＥＬ素子の発光効率に応じて、円偏光板の分光透過率や分光偏光率を変化させることが提案されている。
米国特許４，５３９，５０７号 米国特許４，７２０，４３２号 米国特許４，８８５，２１１号 特許第２７６１４５３号公報 特開２００５−３３２８１５号公報 特許第３５５５７５９号公報 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１，９１３（１９８７）

しかしながら、円偏光部材の分光透過率を増加させ発光効率の向上を図ると、分光透過率の増加に伴い分光偏光率が減少し偏光機能が低下するため、外光反射防止性能が悪化するという課題がある。本発明では、上記課題に鑑み、高効率かつ高コントラストな表示装置を提供することを目的とするものである。

本発明は、以下のように構成した表示装置を提供するものである。すなわち、本発明の表示装置は、基板と、前記基板の上に形成されている複数の画素と、前記複数の画素の上に設けられている円偏光部材とを有し、前記各画素は、互いに発光色が異なる複数の副画素から構成されており、前記各副画素は、前記基板側から順に下部電極と、発光層と、上部電極とを有する発光素子で構成されている表示装置において、前記円偏光部材は、前記複数の副画素の各発光色より選択された少なくとも１つの発光色に対する透過率が、他の発光色に対する透過率よりも大きい特性を有し、前記選択された発光色を呈する副画素を構成する発光素子は、発光層より下部電極側に第１の反射面を有し、かつ発光層より上部電極側に第２の反射面を有しており、前記第１の反射面と前記第２の反射面との間の光学距離が、前記第１の反射面で反射する外光の前記選択された発光色の波長成分と前記第２の反射面で反射する外光の前記選択された発光色の波長成分とを干渉を利用して弱め合わせる光学距離であることを特徴とする。

本発明によれば、高効率かつ高コントラストな表示装置を実現することができる。

以下、本発明の原理を図３に示す１つの構成例に基づいて説明する。図３は、１つの画素が、Ｒ（赤）、Ｇ（緑），Ｂ（青）の３つの副画素から構成される有機ＥＬ表示装置において、Ｂ発光効率の低下を抑制し、外光反射を防止する構成を図示したものである。

Ｒ、Ｇ、Ｂ副画素を構成する有機ＥＬ素子は、有機層１０１を陽極である反射電極（下部電極）１０２と陰極である透明電極（上部電極）１０３とで挟んだ構造を有する。ここで、有機層１０１は、ＲＧＢの有機ＥＬ素子毎に、各色の発光性有機化合物を含むＲ有機層１１１、Ｇ有機層１２１、Ｂ有機層１３１が形成される。図２に示すように、有機ＥＬ素子を構成する有機層１０１は、通常、ホール輸送層１０６、発光層１０５、電子輸送層１０７を順次積層した構成を成す。また、必要に応じて陽極とホール輸送層の間にホール注入層１０８を、陰極と電子輸送層の間に電子注入層１０９を狭持しても良い。Ｒ有機層１１１、Ｇ有機層１２１、Ｂ有機層１３１では、発光層１０５が、それぞれの発光色に合わせてＲ発光層１１５、Ｇ発光層１２５、Ｂ発光層１３５により形成される。

これらの有機ＥＬ素子に電圧を印加することで、陽極から注入されたホールと陰極から注入された電子が、有機層において再結合し、ＲＧＢ各色が発光する。ＲＧＢ各色の発光スペクトル（ＥＬスペクトル）の例を図４に示す。有機層１０１を基準として、透明電極１０３側が光取り出し側となる。また、有機ＥＬ素子を構成する電極や有機層のそれぞれの膜厚は、一般に、数ｎｍ〜数百ｎｍ程度であり、可視光に対して光干渉を生じる多層干渉膜構造となっている。本説明では、ここまでの円偏光部材を除く構成を「表示パネル」と呼ぶ。また、「表示パネル」に円偏光部材を配置したものを「表示装置」と呼ぶ。

このような表示パネルに、外光反射防止機能を付加しコントラストを向上させるために、光取り出し側にＢ透過円偏光部材１３２を配置する。Ｂ透過円偏光部材１３２は、Ｂ透過直線偏光部材とλ／４位相板を組み合わせたものからなり、可視光のＲ，Ｇ成分に対し、左（右）円偏光成分のみを透過し、Ｂ成分の全てまたはその一部に対しては、５０％以上透過する光学部材である。

円偏光部材の光学特性は、ｘ軸偏光に対する分光透過率Ｔｘ（λ）とｙ軸偏光に対する分光透過率Ｔｙ（λ）により特徴付けられる。ここで、Ｔｙ（λ）≦Ｔｘ（λ）とする。この時、円偏光部材の分光透過率Ｔ（λ）は、数式１で表される。また、円偏光部材のクロスニコルの分光透過率（吸収軸を直交させて配置した２枚の円偏光部材の分光透過率）Ｔｃ（λ）は、数式２で表される。

Ｔｃ（λ）＝Ｔｘ（λ）×Ｔｙ（λ） （数式２）
また、円偏光部材が配置された表示装置の分光反射率Ｒ（λ）は、表示パネルの分光反射率をＲ０（λ）として、数式３で表される。円偏光部材のクロスニコルの分光透過率Ｔｃ（λ）が増加すると、分光反射率Ｒ（λ）が大きくなりコントラストが低下することになる。
Ｒ（λ）＝Ｔｃ（λ）×Ｒ０（λ） （数式３）
ここで、従来技術として、比較例１、比較例２を説明する。比較例１、比較例２に対しては、表示パネルの分光反射率Ｒ０（λ）は可視域全体で一定でＲ０＝１とする。

＜比較例１＞
表示パネルの光取り出し側に、可視域全体で分光透過率４０％、クロスニコルの分光透過率０％である、通常の円偏光部材を配置したものを比較例１とする。比較例１では、円偏光部材の透過率が４０％であるため、発光効率が半分未満に低下してしまうという課題がある。

＜比較例２＞
比較例１の課題に対して、Ｂ有機ＥＬ素子の発光効率を改善するために、図３において、表示パネルにＢ透過円偏光部材１３２のみを配置した構成を比較例２とする。Ｂ透過円偏光部材１３２の分光透過率Ｔ（λ）を図７の実線で、クロスニコルの分光透過率Ｔｃ（λ）を図７の破線で示す。波長５００ｎｍ程度より短い波長の光に対して、分光透過率が５０％より大きい。分光透過率の増加に伴い、波長５００ｎｍ程度より短い波長の光に対するクロスニコルの分光透過率も増加している。

図３において、Ｂ副画素を構成するＢ有機ＥＬ素子からのＢ発光は、Ｂ透過円偏光部材を透過するため円偏光部材による発光効率の低減を回避できる。図７の実線で示した分光透過率を有するＢ透過円偏光部材を用いる場合、可視域全体で透過率４０％程度の円偏光部材を用いる場合と比較して、Ｂ発光の発光効率が１．５倍程度となり、表示装置としての発光効率を向上させることが可能となる。ここで、Ｂ発光スペクトルとして、図４に示した値を用いた。

一方、外光反射防止機能は、通常の円偏光部材と比較し低下することになる。外部からの入射光３０１のうちＲ入射光３１１、Ｇ入射光３２１は、まず、Ｂ透過円偏光部材により右（左）円偏光成分が吸収され、Ｒ透過左（右）円偏光３１４、Ｇ透過左（右）円偏光３２４となる。その後、有機ＥＬ素子の各多層膜界面などで奇数回反射され、円偏光状態が反転したＲ反射右（左）円偏光３１５、Ｇ反射右（左）円偏光３２５となって、Ｂ透過円偏光部材１３２に有機ＥＬ素子側から再入射し吸収される。従って、Ｂ透過円偏光部材１３２を光取り出し側に配置することで、Ｒ入射光、Ｇ入射光に対する反射を防止し、コントラストを向上することができる。これに対し、Ｂ入射光３３１は、各副画素や周囲の素子分離膜などで反射され、一部のＢ反射光が光取り出し側に射出される。従って、明所では入射光が強くコントラストが低下することになる。

表示装置の外光反射防止性能は、外部入射光に対する視感反射率ＲＶにより評価できる。視感反射率ＲＶは、波長λに依存して変化する視感効率Ｖ（λ）、入射光の相対分光分布Ｓ（λ）および表示装置の分光反射率Ｒ（λ）を用いて、数式５により定義される。図５に視感効率Ｖ（λ）を示す。また、図６に入射光の相対分光分布Ｓ（λ）の例として、ＣＩＥ昼光のＤ６５相対分光分布を示す。

小型表示装置の多くは、携帯機器に搭載されるため、主に屋外で利用される。曇天時や屋外の日陰で、環境光は１５０００ｌｘ程度である。携帯機器に搭載され場合、低消費電力が要求されるためディスプレイの最大点灯輝度は５００ｃｄ／ｍ２程度である。文字が視認できるために最低限必要なコントラストは約５程度であることから、表示装置の視感反射率は、約２．６％以下であることが望ましい。表１に示すように、比較例２の視感反射率は７．０％と大きな値となり、屋外での利用には不十分である。

ここで、Ｔｘ（λ）＝Ｔｘを固定し、Ｔｙ（λ）を変更することで、円偏光部材の分光特性を調整することを考えと、数式１、数式２より数式６の関係が得られる。

数式６から、分光透過率Ｔ（λ）を大きくするには、クロスニコルの分光透過率Ｔｃ（λ）を大きくする必要がある。従って、一般に、発光効率の向上と外光反射の抑制は相反関係にある。

本発明では、このような有機ＥＬ表示装置に対して、Ｂ有機ＥＬ素子の発光効率を維持し、外光反射防止機能を向上させるため、円偏光部材の分光特性と関係のない表示パネルの分光反射率Ｒ０（λ）を変化させる。

数式３において、表示装置の分光反射率Ｒ（λ）は、Ｂ透過円偏光部材１３２のクロスニコルの分光透過率Ｔｃ（λ）と表示パネルの分光反射率Ｒ０（λ）の積によって決まる。図７の破線で示すように、Ｂ透過円偏光部材１３２のクロスニコルの分光透過率Ｔｃ（λ）は、Ｂ発光波長領域で大きな値を持つ。よって、これとは逆に、図８に示すように、パネル表示の分光反射率Ｒ０（λ）をＢ発光波長領域で小さくする。このことにより、表示装置の分光反射率Ｒ（λ）を図９のように抑制することが可能である。従って、視感反射率ＲＶが低下し、コントラストを向上することができる。

より具体的には、以下２つの構成要素を追加する。

＜構成１＞
構成要素１として、図３に示すように、Ｂ副画素を構成するＢ有機ＥＬ素子の発光領域を除く画素および画素間の光取り出し側に、Ｂ吸収層１３３を配置する。Ｂ吸収層１３３としては、Ｙ（黄）カラーフィルターなどを用いることができる。ここまでの構成を、構成１とする。図１０に、Ｂ吸収層１３３の分光透過率の例を示す。あるいは、構成要素１のＢ吸収層として、図１７に示すように、Ｒ、Ｇ副画素を構成する有機ＥＬ素子の反射電極として、Ａｕ，ＣｕなどのＢ低反射電極を用いても良い。また、金属と透明電極などから多層干渉膜を構成し、Ｂ発光波長域の反射性を低下させたものを、Ｂ低反射電極として用いることもできる。Ｂ低反射電極は、Ｂ発光波長域での分光反射率の最小値が５０％未満であることが望ましい。これらにより、図３において、Ｂ入射光３３１のＢ副画素発光領域以外へのＢ透過光（Ｂ発光領域以外）３３２Ｂは、Ｂ吸収層１３３により吸収され、Ｂ反射光を抑制することができる。表１に示すように、構成１の視感反射率は約２．７％となる。従って、本発明の構成要素１を配置することにより、発光効率の向上は維持したまま、比較例２と比較し視感反射率を約６０％抑制することができる。

＜構成２＞
次に、構成要素２として、Ｂ有機ＥＬ素子が有する多層干渉膜の分光反射率が、Ｂの発光波長域に最小値もしくは極小値が存在するように構成する。図１１に、構成例として、ガラス基板上に、下部電極としてＡｇ合金２００ｎｍおよびＩＺＯ２０ｎｍ、有機層８０ｎｍ、上部電極としてＩＺＯ６０ｎｍを順次積層した場合の多層干渉膜の分光反射率を示す。下部基板側Ａｇ合金の表面での反射と有機ＥＬ素子上部の空気−ＩＺＯ界面での反射により、Ｂ発光波長を共振波長とする共振器を構成している。このとき発光層よりも下部電極側にある第１の反射面は下部基板側Ａｇ合金の表面であり、発光層よりも上部電極側にある第２の反射面は有機ＥＬ素子上部の空気−ＩＺＯ界面である。あるいは、透明電極１０３の代わりに金属半透明電極を用い、Ｂ発光スペクトルのピーク波長近傍を共振波長とする共振器を構成しても良い。このとき、発光層よりも上部電極側にある第２の反射面は金属半透明電極とそれに接する有機層との界面である。

共振器では、通常、共振器内部の干渉強め合い条件と反射光の干渉弱め合いの条件がほぼ一致する。そのため、Ｂ発光波長を共振波長とすることで、干渉強め合いによるＢ有機ＥＬ素子の光取り出し効率の向上とＢ有機ＥＬ素子上での干渉弱め合いによる外光反射防止を同時に実現することができる。なお、強め合いとは、発光層から光取り出し側に向かう光と発光層から反射電極側に向かう光とを強め合わせて、発光層から光取り出し側に向かう光よりも発光強度を強めることである。また反射光の弱め合いとは、外部から入射して第１の反射面で反射する光と、外部から入射して第２の反射面で反射する光とを弱め合わせて、外部から発光素子に入射する光よりも発光素子から外部に戻る光の強度を弱めることである。

共振するための条件は、発光波長λ、共振器の屈折率ｎ、共振器の長さｄ、基板側反射面での位相変化量φ１、光取り出し側反射面での位相変化量φ２として、整数ｍとして、数式７で与えられる。

図１１において、分光反射率の極小値は波長４６０ｎｍ付近に存在しており、図４に示したＢ発光スペクトルのピーク波長４６５ｎｍ近傍で、反射率を低下させる膜厚構成となっている。以上の構成を構成２とする。

これらにより、図３で、Ｂ入射光３３１のＢ副画素発光領域へのＢ透過光（Ｂ発光領域）３３２Ａは、Ｂ有機ＥＬ素子の多層干渉膜構造の各多層膜界面からのＢ反射光１（３３３Ａ）〜Ｂ反射光Ｎ（３３３Ｂ）を干渉により弱め合い、Ｂ入射光３３１の反射を抑制することができる。表１に示すように、構成２の視感反射率は約２．４％となる。従って、本発明の構成要素２を配置することにより、発光効率の向上は維持したまま、構成１と比較し視感反射率を約１０％抑制することができる。

表１に、構成１、構成２、比較例２の視感反射率を示す。いずれの場合も、Ｂ透過円偏光部材の分光透過率が図７の実線で、クロスニコルの分光透過率が図７の破線で与えられるとし、開口率は５０％として評価を行った。ただし、Ｂ透過円偏光部材と空気界面での反射成分（反射率４％程度）は、ＡＲコーティングが施されているとして含めていない。図８に、構成２での円偏光部材を配置していない表示パネルの分光反射率を示す。また、図９に構成２での円偏光部材を配置した表示装置の分光反射率を示す。

Ｂ発光効率を向上させるために、Ｂ透過円偏光部材の分光透過率（図７実線）は、Ｂ波長領域以外と比較し５００ｎｍ以下のＢ波長領域で大きい。これに伴い、Ｂ透過円偏光部材のクロスニコルの分光透過率（図７破線）も、Ｂ波長領域以外と比較しＢ波長領域で大きい。構成２では、これに対応して、表示パネルの分光反射率（図８）は、Ｂ波長領域以外と比較しＢ波長領域で小さくしている。この結果、構成２では、図９に示すように、表示装置の分光反射率を可視域全体で低く抑えられている。

従って、選択された表示色の反射率が、他の表示色の反射率より小さい表示パネルに、選択された表示色の透過率が、他の表示色の透過率より高い円偏光部材を配置することで、高効率かつ高コントラストな表示装置を実現することができる。

以上の説明では、構成要素１を有する構成１、構成要素１および構成要素２を有する構成２を説明したが、構成要素１、構成要素２はそれぞれ独立に用いても良いし、組み合わせても良い。構成要素２のみを有する構成であっても、Ｂ有機ＥＬ素子でのＢ入射光の反射を防ぐことができるため、本発明の課題を解決する手段として好ましく用いることができる。

表示装置全体の消費電力を低減するには、発光効率の最も低い発光色に対して円偏光部材の透過率を向上させることが効果的である。以下で、構成２と比較例１で消費電力の比較を行う。構成２と比較例１において、副画素を構成するＲＧＢ有機ＥＬ素子は、図４で示される発光スペクトルを有し、それぞれの発光効率が、Ｒ２１．６［ｃｄ／Ａ］、Ｇ１９．８［ｃｄ／Ａ］、Ｂ２．３［ｃｄ／Ａ］であるとする。また、表示装置の開口比は５０％、駆動電圧は１０Ｖとする。表示装置全体の特性を示す輝度比、駆動電流密度および消費電力は、白色Ｗ（ＣＩＥｘ０．３２、ＣＩＥｙ０．３３）を１００ｃｄ／ｍ^２で表示する際の値を用いる。

比較例１のＣＩＥ色度、発光効率、輝度比、駆動電流密度、消費電力を、表２に示す。ＲＧＢの中で、Ｂ発光効率が最も悪く、Ｂ駆動電流密度が最も大きい。

次に、構成２のＣＩＥ色度、発光効率、輝度比、電流密度、消費電力の値を、表３に示す。Ｂ透過円偏光部材を用いることで、Ｂ発光効率を１．５倍程度向上させ、同時に、Ｂ色度を改善し、Ｂ輝度比を低下させることができる。よって、消費電力を６８２．７ｍＷから５３８．８ｍＷへ２０％程度削減することが可能である。また、Ｂ駆動電流密度が低下することで、ＲＧＢ副画素間での駆動電流密度の差異も緩和される。さらに、多くの有機ＥＬ素子の場合、駆動電流密度の低下に伴い半減寿命τが長くなる。よって、Ｂ副画素の半減寿命が最も短い場合、Ｂ駆動電流密度の低下に伴いＢ副画素の半減寿命が改善し、ＲＧＢ副画素間の半減寿命の差異を調整することが可能である。ここでは、構成２で説明を行ったが、構成１に対しても同様である。

さらに、画素の発光領域を除く部分や画素間にブラックマトリックスを配置することも可能である。

生産性、製造コストの観点からは、カラーフィルターを円偏光部材と併用しない構成がより望ましい。このような構成例を以下に示す。

図１３に示すように、Ｂ透過円偏光部材１３２を有機ＥＬ素子の光取り出し側に配置する。比較例２と同様に、Ｂ透過円偏光部材１３２の分光透過率Ｔ（λ）が図７の実線で、表示装置に配置した際の分光反射率Ｒ（λ）＝Ｔｃ（λ）が図７の破線で与えられるものとする。

第一に、副画素間の非発光領域に配置される素子分離膜を、Ｂ吸収素子分離膜１３６とする。図１４に、Ｂ吸収素子分離膜１３６が茶褐色となる分光透過率の例を示す。これにより、Ｂ透過光（非発光領域）３３２Ｄの反射成分を抑制することが可能となる。ここまでを、構成３とする。表４に示すように、構成３の視感反射率は約３．５％となる。従って、発光効率の向上は維持したまま、比較例２に対して視感反射率を約５０％抑制することができる。

Ｂ吸収素子分離膜１３６は、全て非発光領域であるため、Ｙ，Ｏ（オレンジ）、Ｒ、黒など作製しやすい色を選択すれば良い。また、Ｂ入射光の反射を抑制すれば良いことから、Ｂ波長域で低反射となるような干渉膜構造などでも良い。さらに、素子分離膜とＴＦＴとの間の平坦化膜をＹ，Ｏ（オレンジ）、Ｒ、黒などに着色しても良い。

構成３に、Ｂ共振器を追加したものを構成４とする。構成４では、Ｂ有機ＥＬ素子において、基板側を金属高反射面（第１の反射面）、光取り出し側を透明電極−空気界面での反射面（第２の反射面）とする。そして、発光位置から反射電極（第１の反射面）までの光路長を約３λＢ／４とし、発光位置から光取り出し側透明電極−空気界面（第２の反射面）までの光路長を約λＢ／２とする。従って、第１の反射面と第２の反射面との間の光学距離が５λＢ／４となっている。Ｂ共振器の分光反射率を図１５に示す。共振条件より、Ｂ発光波長である４５０ｎｍから５００ｎｍに分光反射率の極小値が存在しており、反射光がＢの補色であるＹ（黄）となることがわかる。Ｂ共振器の干渉弱め合いにより、Ｂ透過光（Ｂ発光領域）３３２Ａに対する反射光を抑制することができる。表４に示すように、構成４の視感反射率は約３．０％となる。共振器による取り出し効率向上と同時に、構成３に対して視感反射率を約１５％抑制することが可能となる。

構成４に、Ｒ共振器を追加したものを構成５とする。構成５では、Ｂ有機ＥＬ素子およびＲ有機ＥＬ素子において、基板側を金属高反射面（第１の反射面）、光取り出し側を透明電極−空気界面での反射面（第２の反射面）とする。Ｂ有機ＥＬ素子では、第１の反射面と第２の反射面との間の光学距離が５λＢ／４となっており、Ｒ有機ＥＬ素子では、第１の反射面と第２の反射面との間の光学距離が５λＲ／４となっている。Ｒ共振器の分光反射率を図１６に示す。Ｒ波長λＲに対する光路長５λＲ／４は、Ｂ波長λＢに対して、ほぼ光路長７λＢ／４となる。そのため、分光反射率にＲ発光波長近傍の６００ｎｍ付近だけでなく、Ｂ発光波長近傍の４６０ｎｍ付近にも極小値が存在している。このため、Ｂ透過光（Ｒ発光領域）３３２Ｃに対する反射光も抑制することが可能である。表４に示すように、構成５の視感反射率は約２．５％となる。構成４に対して視感反射率を約１５％抑制することが可能となる。

また、白色Ｗ（ＣＩＥｘ０．３２、ＣＩＥｙ０．３３）を１００ｃｄ／ｍ^２で表示する場合の構成５の消費電力は、４６７．８ｍＷとなる。透過率４０％の通常の円偏光部材を用いた場合は６８０ｍＷであり、消費電力を約３０％削減することが可能である。

図２における、ホール輸送層１０６、発光層１０５、電子輸送層１０７、ホール注入層１０８、電子注入層１０９に用いられる有機化合物としては、低分子材料、高分子材料もしくはその両方により構成され、特に限定されるものではない。さらに、必要に応じて無機化合物を用いても良い。

以下にこれらの化合物例を挙げる。

ホール輸送性材料としては、陽極からのホールの注入を容易にし、また注入されたホールを発光層に輸送するに優れたモビリティを有することが好ましい。ホール注入輸送性能を有する低分子および高分子系材料としては、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、オキサゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、およびポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（シリレン）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。以下に、具体例の一部を示す。

発光材料としては、発光効率の高い蛍光色素や燐光材料が用いられる。以下に具体例の一部を示す。

電子輸送性材料としては、注入された電子を発光層に輸送する機能を有するものから任意に選ぶことができ、ホール輸送材料のキャリア移動度とのバランス等を考慮し選択される。電子注入輸送性能を有する材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フルオレノン誘導体、アントロン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機金属錯体等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。以下に、具体例の一部を示す。

ホール注入材料としては、遷移金属酸化物ＭｏＯ_３，ＷＯ_３，Ｖ_２Ｏ_５等や、銅フタロシアニンＣｕｐｃ等が挙げられる。

また、電子注入材料としては、前述した電子輸送性材料に、アルカリ金属やアルカリ土類金属、もしくはその化合物を０．１％〜数十％含有させることにより、電子注入性を付与することが出来る。電子注入層１０９は、必要不可欠な層ではないが、この後に、透明陰極１０３を形成する際の成膜時に受けるダメージを考慮すると、良好な電子注入性を確保するために１０〜１００ｎｍ程度挿入した方が好ましい。

本発明の有機化合物からなる層は、一般に真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマあるいは、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等）により薄膜を形成する。特に塗布法で成膜する場合は、適当な結着樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。上記結着樹脂としては、広範囲な結着性樹脂より選択でき、例えば、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリスルホン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらは単独または共重合体ポリマーとして１種または２種以上混合してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。

透明電極１０２としては、前述したＩＴＯやＩＺＯ等の酸化物導電膜を使用することが出来る。電子輸送層１０７、及び、電子注入層１０９との組み合わせにより、電子注入性が良好な組み合わせを適宜選択することが望ましい。また、透明電極は、スパッタリングにより形成することが出来る。

場合によっては、酸素や水分等との接触を防止する目的で保護層が設けられる。保護層としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン等の金属窒化物膜や、酸化タンタル等の金属酸化物膜、ダイヤモンド薄膜、また、フッ素樹脂、ポリパラキシレン、ポリエチレン、シリコーン樹脂、ポリスチレン樹脂等の高分子膜、さらには、光硬化性樹脂等が挙げられる。また、ガラス、気体不透過性フィルム、金属などをカバーし、適当な封止樹脂により素子自体をパッケージングすることもできる。また、防湿性を高める為に、保護層内に吸湿材を含有させても良い。

Ｂ透過円偏光部材の例をいくつか挙げる。もちろん、これらに限定されるわけではない。通常の直線偏光部材として良く使用されるものに、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムにヨウ素錯体や二色性染料などを混合し配向させ、両面をトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムを貼り合わせたものがある。ヨウ素錯体は配向すると強い二色性を示し、また、錯体を形成するポリヨウ素の分子数により吸収ピークが異なる。光の波長４８０ｎｍ付近に吸収ピークを持つＩ_３ ^――ＰＶＡ錯体と６００ｎｍ付近に吸収ピークを持つＩ_５ ^――ＰＶＡ錯体の生成比を制御することで、直線偏光部材の吸収スペクトルを調整することが可能である。Ｉ_３ ^――ＰＶＡ錯体の比率を減らすことで、Ｂ透過直線偏光部材となる。また、Ｉ_５ ^――ＰＶＡ錯体の比率を減らすことで、Ｒ透過直線偏光部材となる。同様に、二色性染料を用いる場合も、吸収ピークが異なる二色性染料の混合比や濃度、膜厚を制御することでＢ透過円偏光部材やＲ透過円偏光部材、Ｇ透過直線偏光部材などを作製できる。

また、Ｂ透過直線偏光部材として、高屈折率と低屈折率材料を三角波形型に交互に積層した２次元フォトニック結晶型直線偏光部材などを用いることも可能である。２次元フォトニック結晶型直線偏光部材の場合、膜厚や屈折率の光学設計により、偏光帯域と透過帯域を調整することが可能である。よって、Ｂ透過直線偏光部材だけでなくＲ透過直線偏光部材やＧ透過直線偏光部材なども自由に構成できる。

これら特定の色を透過させる直線偏光部材とλ／４位相板と組み合わせることで、Ｂ透過円偏光部材やＲ透過円偏光部材、Ｇ透過円偏光部材などを構成することが可能である。

本発明の円偏光部材の透過率は、複数の発光色から選択される少なくとも１つの発光色の方が他の発光色よりも大きい。少なくとも１つとは、例えばＲＧＢの３色の場合Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれか１色であっても良いし、ＲとＧ、ＲとＢ、ＧとＢのように３色から選ばれる２色であってもよい。ただし、全ての発光色において透過率を高くしたものではない。

なお、これまでは、基板側を陽極、光取り出し側を陰極とする構成で説明してきたが、基板側を陰極、光取り出し側を陽極とし、ホール輸送層、発光層、電子輸送層を逆順に積層した構成においても本発明を実施することは可能である。したがって、本発明にかかる表示装置は基板側を陽極、光取り出し側を陰極とする構成に限定されるものではない。

さらに、透明基板上に透明電極を形成し、その上に有機層、反射性電極を積層したボトムエミッション構成においても本発明を実施可能である。

また、各副画素の面積、より詳しくは各副画素の発光領域の面積は、副画素間で同じであっても良いし、異なっても良い。

さらに、複数の有機ＥＬ素子が積層されたマルチフォトン構成や多段階積層構成に対しても本発明は実施可能である。

なお、これまでＲＧＢの３副画素構成で説明してきたが、ＲＧＢＣ（シアン）の４副画素構成やＢ単色の１副画素構成などその他の副画素構成に対しても本発明は実施可能である。したがって、本発明にかかる表示装置はＲＧＢの３副画素構成に限定されるものでははない。

また、これまでＢ副画素の発光効率を向上させる構成で説明してきたが、その他の表示色を有する副画素に対しても本発明は実施可能である。

さらに、本発明は、有機ＥＬ素子を用いた表示装置に限定されるものではなく、無機ＥＬ素子や量子ドットＥＬ素子、無機発光ダイオードを用いた発光表示装置や、プラズマディスプレイなどにも実施可能である。

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は本実施例によって何ら限定されるものではない。

＜実施例１＞
図３に示す構成のフルカラー有機ＥＬ表示装置を以下に示す方法で作製する。

まず、支持体としてのガラス基板上に、低温ポリシリコンからなるＴＦＴ駆動回路を形成し、その上にアクリル樹脂からなる平坦化膜を形成して基板とする。この上に反射性金属としてのＡｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）を約１００ｎｍスパッタリング法にて形成してパターニングし、透明導電膜としてのＩＺＯをスパッタリング法にて２０ｎｍ形成してパターニングして、反射電極１０２を形成する。さらに、アクリル樹脂により素子分離膜を形成し陽極付き基板を作製する。これをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥する。その後、ＵＶ／オゾン洗浄してから有機化合物を真空蒸着により成膜する。

この上に、ホール輸送層として、下記構造式で示される化合物［Ｉ］を成膜する。シャドーマスクを用い、Ｒのホール輸送層として５０ｎｍ、Ｇのホール輸送層として３０ｎｍ、Ｂのホール輸送層として２０ｎｍを各副画素に成膜する。この際の真空度は１×１０^−４Ｐａ、蒸着レートは、０．２ｎｍ／ｓｅｃである。

次に、発光層として、シャドーマスクを用いて、ＲＧＢそれぞれの発光層を成膜する。Ｒの発光層としては、ホストとしてＡｌｑ３と、発光性化合物ＤＣＭ［４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ］と、を共蒸着（重量比９９：１）して６０ｎｍの発光層を設ける。Ｇの発光層としては、ホストとしてＡｌｑ３と、発光性化合物クマリン６を共蒸着（重量比９９：１）して４０ｎｍの発光層を設ける。Ｂの発光層としては、ホストとして下記に示す［ＩＩ］と発光性化合物［ＩＩＩ］を共蒸着（重量比８０：２０）して２０ｎｍの発光層を設ける。蒸着時の真空度は１×１０^−４Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件で成膜する。

更に、共通の電子輸送層としてバソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）を真空蒸着法にて１０ｎｍの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は１×１０^−４Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件である。次に、共通の電子注入層として、ＢｐｈｅｎとＣｓ_２ＣＯ_３を共蒸着（重量比９０：１０）し、２０ｎｍの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は３×１０^−４Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件である。

この電子注入層まで成膜した基板を、真空を破ること無しにスパッタ装置に移動し、透明陰極１０３としてＩＴＯの透明電極を６０ｎｍ成膜する。さらに保護膜として、窒化酸化シリコンを７００ｎｍ成膜する。

その後、保護膜の上部に、Ｂ吸収層１３３として、Ｂ副画素の発光領域のみエッチングにより取り除かれたイソインドリノン系黄顔料を用いたＹ（黄）カラーフィルターをエポキシ樹脂により配置する。最後に、Ｙカラーフィルター上部に接着剤によりＢ透過円偏光部材１３２を配置し、表示装置を得る。

＜実施例２＞
図１３に構成図を示す。支持体としてのガラス基板上に、低温ポリシリコンからなるＴＦＴ駆動回路を形成し、その上にアクリル樹脂からなる平坦化膜を形成して基板とする。この上に反射性金属としてのＡｌ合金を約１００ｎｍスパッタリング法にて形成してパターニングし、透明導電膜としてのＩＴＯをスパッタリング法にて８０ｎｍ形成してパターニングして、反射電極１０２を形成する。この上部に、赤顔料を含んだアクリル樹脂により素子分離膜を形成してパターニングし、Ｂ吸収層（非発光領域）１３６を有する陽極付き基板を作製する。これをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥する。その後、ＵＶ／オゾン洗浄してから有機化合物を真空蒸着により成膜する。

この上に、ホール輸送層として、化合物［Ｉ］を成膜する。シャドーマスクを用い、Ｒのホール輸送層として１６０ｎｍ、Ｇのホール輸送層として１３０ｎｍ、Ｂのホール輸送層として７０ｎｍを各副画素に成膜する。この際の真空度は１×１０^−４Ｐａ、蒸着レートは、０．２ｎｍ／ｓｅｃである。

次に、発光層として、シャドーマスクを用いて、ＲＧＢそれぞれの発光層を成膜する。Ｒの発光層としては、ホストとしてＡｌｑ３と、発光性化合物ＤＣＭ［４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ］と、を共蒸着（重量比９９：１）して５０ｎｍの発光層を設ける。Ｇの発光層としては、ホストとしてＡｌｑ３と、発光性化合物クマリン６を共蒸着（重量比９９：１）して４０ｎｍの発光層を設ける。Ｂの発光層としては、ホストとして化合物［ＩＩ］と発光性化合物［ＩＩＩ］を共蒸着（重量比８０：２０）して３５ｎｍの発光層を設ける。蒸着時の真空度は１×１０^−４Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件で成膜する。

更に、共通の電子輸送層としてバソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）を真空蒸着法にて１０ｎｍの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は１×１０^−４Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件である。次に、共通の電子注入層として、ＢｐｈｅｎとＣｓ_２ＣＯ_３を共蒸着（重量比９０：１０）し、３０ｎｍの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は３×１０^−４Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件である。

この電子注入層まで成膜した基板を、真空を破ること無しにスパッタ装置に移動し、透明陰極１０３としてＩＴＯの透明電極を６０ｎｍ成膜する。

さらに、パネル周辺部に吸湿剤を配置し、エッチングされたキャップガラスで封止することにより表示装置を得る。

＜実施例３＞
図１７に構成図を示す。Ｒ、Ｇ副画素の反射電極の代わりに、Ａｕを１００ｎｍ成膜したＢ低反射電極１３４を用いること以外は、保護膜の成膜過程まで実施例１と同様である。

その後、Ｂ吸収層１３３のＹカラーフィルターを省略し、保護膜の上部に接着剤によりＢ透過円偏光部材１３２を配置し、表示装置を得る。

図１７において、Ｂ入射光３３１のＲ、Ｇ副画素へのＢ透過光（Ｂ発光領域以外）３３２Ｂは、Ｂ低反射電極１３４により、Ｂ反射光を抑制することができる。

＜実施例４＞
図１８に構成図を示す。Ｂ有機ＥＬ素子を積層構造にすること以外は、実施例１と同様である。

Ｂ有機ＥＬ素子部分は、まず、実施例１と同様に反射電極１０２上に、電子注入層まで有機層を積層した後、ホール注入材料を数ｎｍ成膜する。電子注入層とホール注入層を合わせた部分が電荷生成層１１０となる。次に、再び、ホール輸送層、Ｂ発光層、電子輸送層、電子注入層を積層し、最後に透明電極１０３を成膜することで得る。

＜実施例５＞
図１９に構成図を示す。保護膜の成膜過程まで実施例１と同様である。

次に、Ｒ吸収層１１３として、Ｒ副画素の発光領域のみエッチングにより取り除かれたＣ（シアン）カラーフィルターを、保護膜の上部に配置する。そして、Ｂ吸収層１３３として、Ｂ副画素の発光領域のみエッチングにより取り除かれたＹカラーフィルターを、Ｒ吸収層１１３の上に配置する。ここで、ＣカラーフィルターおよびＹカラーフィルターを順次、配置する代わりに、ブラックマトリクスを有するＲＧＢカラーフィルターを配置しても良い。

その後、Ｙカラーフィルター上部に接着剤によりＲＢ透過円偏光部材１４２を配置し、表示装置を得る。ＲＢ透過円偏光部材１４２の分光透過率Ｔ（λ）を図２０の実線で、クロスニコルの分光透過率Ｔｃ（λ）を図２０の破線で示す。

＜実施例６＞
図２１に構成図を示す。画素を構成するＲＧＢの副画素が、基板水平方向に平面的に配列される代わりに、基板垂直方向に積層されること以外は、実施例１と同様である。

有機ＥＬ素子部分は、反射電極１０２の成膜後、Ｒ有機層１１１、透明電極１０３、Ｇ有機層１２１、透明電極１０３、Ｂ有機層１３１および半透明電極１０４を、順次、積層し、最後に保護層を成膜することにより得る。

有機ＥＬ素子の発光と外光反射を示す概念図である。 有機ＥＬ素子の構成図である。 本発明における有機ＥＬ表示装置の構成図である。 ＲＧＢ有機ＥＬ素子の発光スペクトル（ＥＬスペクトル）の例を示すグラフである。 視感効率を示すグラフである。 ＣＩＥ昼光Ｄ６５の相対分光分布を示すグラフである。 Ｂ透過円偏光部材の分光透過率およびクロスニコルの分光透過率を例示するグラフである。 Ｂ透過円偏光部材を配置していない表示パネル（構成２）の分光反射率を例示するグラフである。 Ｂ透過円偏光部材を配置した表示装置（構成２）の分光反射率を例示するグラフである。 Ｂ吸収層の分光透過率を例示するグラフである。 Ｂ多層干渉膜の分光反射率を例示するグラフである。 Ｂ透過円偏光部材使用時と円偏光部材使用時のＢ発光スペクトルの比較図である。 本発明における有機ＥＬ表示装置の実施例２を示す構成図である。 Ｂ吸収素子分離膜の分光透過率を例示するグラフである。 Ｂ共振器の分光反射率を例示するグラフである。 Ｒ共振器の分光反射率を例示するグラフである。 本発明における有機ＥＬ表示装置の実施例３を示す構成図である。 本発明における有機ＥＬ表示装置の実施例４を示す構成図である。 本発明における有機ＥＬ表示装置の実施例５を示す構成図である。 ＲＢ透過円偏光部材の分光透過率およびクロスニコルの分光透過率を例示するグラフである。 本発明における有機ＥＬ表示装置の実施例６を示す構成図である。

符号の説明

１００ 基板
１０１ 有機層
１０２ 反射電極
１０３ 透明電極
１０４ 半透明電極
１０５ 発光層
１０６ ホール輸送層
１０７ 電子輸送層
１０８ ホール注入層
１０９ 電子注入層
１１０ 電荷生成層
１１１ Ｒ有機層
１１３ Ｒ吸収層
１１５ Ｒ発光層
１２１ Ｇ有機層
１２５ Ｇ発光層
１３１ Ｂ有機層
１３２ Ｂ透過円偏光部材
１３３ Ｂ吸収層
１３４ Ｂ低反射電極
１３５ Ｂ発光層
１３６ Ｂ吸収素子分離膜
１４２ ＲＢ透過円偏光部材
２０１ 発光点
２０２ 上方発光経路
２０３ 下方発光経路
３０１ 入射光
３０２ 透過光
３０３ 反射光
３１１ Ｒ入射光
３１２ Ｒ透過光
３１２Ａ Ｒ透過光（Ｒ発光領域）
３１２Ｂ Ｒ透過光（Ｒ発光領域以外）
３１３ Ｒ反射光
３１３Ａ Ｒ反射光１
３１３Ｂ Ｒ反射光Ｎ
３１４ Ｒ透過左（右）円偏光
３１５ Ｒ反射右（左）円偏光
３２１ Ｇ入射光
３２４ Ｇ透過左（右）円偏光
３２５ Ｇ反射右（左）円偏光
３３１ Ｂ入射光
３３２ Ｂ透過光
３３２Ａ Ｂ透過光（Ｂ発光領域）
３３２Ｂ Ｂ透過光（Ｂ発光領域以外）
３３２Ｃ Ｂ透過光（Ｒ発光領域）
３３２Ｄ Ｂ透過光（非発光領域）
３３３ Ｂ反射光
３３３Ａ Ｂ反射光１
３３３Ｂ Ｂ反射光Ｎ

Claims (10)

1. 基板と、前記基板の上に形成されている複数の画素と、前記複数の画素の上に設けられている円偏光部材とを有し、前記各画素は、互いに発光色が異なる複数の副画素から構成されており、前記各副画素は、前記基板側から順に下部電極と、発光層と、上部電極とを有する発光素子で構成されている表示装置において、
   前記円偏光部材は、前記複数の副画素の各発光色より選択された少なくとも１つの発光色に対する透過率が、他の発光色に対する透過率よりも大きい特性を有し、
   前記選択された発光色を呈する副画素を構成する発光素子は、発光層より下部電極側に第１の反射面を有し、かつ発光層より上部電極側に第２の反射面を有しており、
   前記第１の反射面と前記第２の反射面との間の光学距離が、前記第１の反射面で反射する外光の前記選択された発光色の波長成分と前記第２の反射面で反射する外光の前記選択された発光色の波長成分とを干渉を利用して弱め合わせる光学距離であることを特徴とする表示装置。
2. 前記他の発光色を呈する副画素のうち少なくとも１つの副画素を構成する発光素子は、発光層より下部電極側に第３の反射面を有し、かつ発光層より上部電極側に第４の反射面を有しており、
   前記第３の反射面と前記第４の反射面との間の光学距離が、発光層から発する前記他の発光色の光を強め合わせ、かつ前記第３の反射面で反射する外光の前記選択された発光色の波長成分と前記第４の反射面で反射する外光の前記選択された発光色の波長成分とを干渉を利用して弱め合わせる光学距離であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記選択された発光色の光を吸収する光吸収部材を有し、前記光吸収部材は、前記選択された発光色を呈する副画素の発光領域を除いて前記他の発光色を呈する副画素の上に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記光吸収部材は、金属と透明電極で構成される多重干渉膜であり、前記多重干渉膜の分光反射率は、前記選択された発光色の波長域において、最小値もしくは極小値が存在することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
5. 前記外光の前記選択された発光色の波長成分を吸収する素子分離膜を、前記副画素の間に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記複数の副画素は前記基板の上に互いに積層されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記選択された発光色は、前記複数の副画素の中で発光効率が最も低い副画素の呈する発光色であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記選択された発光色は、前記複数の副画素の中で発光半減寿命が最も短い副画素の呈する発光色であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記選択された発光色は、前記複数の副画素の中で駆動電流密度が最も大きい副画素の呈する発光色であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記複数の副画素は、赤色発光素子及び緑色発光素子及び青色発光素子を含み、前記選択された発光色は、赤色又は青色又はその組み合わせであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。

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