JP3879727B2 - 液晶表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に垂直配向型の液晶を用いた液晶表示装置において高コントラスト、広視野角の表示が得られる技術に関するものである。

液晶表示装置として反射モードと透過モードとを兼ね備えた半透過反射型液晶表示装置が知られている。このような半透過反射型液晶表示装置としては、上基板と下基板との間に液晶層が挟持されるとともに、例えばアルミニウム等の金属膜に光透過用の窓部を形成した反射膜を下基板の内面に備え、この反射膜を半透過反射板として機能させるものが提案されている。この場合、反射モードでは上基板側から入射した外光が、液晶層を通過した後に下基板の内面の反射膜で反射され、再び液晶層を通過して上基板側から出射され、表示に寄与する。一方、透過モードでは下基板側から入射したバックライトからの光が、反射膜の窓部から液晶層を通過した後、上基板側から外部に出射され、表示に寄与する。したがって、反射膜の形成領域のうち、窓部が形成された領域が透過表示領域、その他の領域が反射表示領域となる。

ところが、従来の半透過反射型液晶表示装置には、透過表示での視角が狭いという課題があった。これは、視差が生じないよう液晶セルの内面に半透過反射板を設けている関係で、観察者側に備えた１枚の偏光板だけで反射表示を行わなければならないという制約があり、光学設計の自由度が小さいためである。そこで、この課題を解決するために、Jisakiらは、下記の非特許文献１において、垂直配向液晶を用いる新しい液晶表示装置を提案した。その特徴は、以下の３つである。
（１）誘電異方性が負の液晶を基板に垂直に配向させ、電圧印加によってこれを倒す「ＶＡ（Vertical Alignment）モード」を採用している点。
（２）透過表示領域と反射表示領域の液晶層厚（セルギャップ）が異なる「マルチギャップ構造」を採用している点（この点については、例えば特許文献１参照）。
（３）透過表示領域を正八角形とし、この領域内で液晶が全方向に倒れるように対向基板上の透過表示領域の中央に突起を設けている点。すなわち、「配向分割構造」を採用している点。
特開平１１−２４２２２６号公報 "Development of transflective LCD for high contrast and wide viewing angle by using homeotropic alignment", M.Jisaki et al., Asia Display/IDW'01, p.133-136(2001)

上記非特許文献１では、透過表示領域において液晶分子の倒れる方向を、その中央に設けた突起を用いて制御している。しかしながら、透過表示領域以外の領域については液晶分子の配向規制を全く考慮しておらず、特にデータ線や走査線等の画素に対して信号を送信する信号線付近における液晶分子の制御については全く触れられていない。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、垂直配向モードの半透過反射型の液晶表示装置において、特に画素に対して信号を供給可能な信号線付近において、好適に液晶分子を配向規制可能な液晶表示装置を提供することを目的としている。その結果、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、さらには広視野角の表示が可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を挟持してなり、所定の画素単位毎に表示を行う液晶表示装置であって、前記液晶層は、誘電異方性が負の液晶にて構成されるとともに、前記一対の基板のうち一方の基板には、前記画素に対して信号を供給する信号線が形成され、互いに隣り合った第１画素及び第２画素のそれぞれに、スリットと複数の島状部を備えた画素電極が設けられており、前記信号線上又は平面的に前記信号線と前記画素電極との間の領域であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に、誘電体からなる複数の島状の凸状部が形成されてなり、前記凸状部は、平面的に前記第１画素の島状部と前記第２画素の島状部との間に設けられていることを特徴とする。

本発明は、垂直配向タイプの液晶表示装置、つまり初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶にて構成された液晶層を備える液晶表示装置において、液晶分子の電圧印加により倒れる方向を好適に規制する手法を提供するものである。つまり、画素に対して信号を供給する信号線は、画素に設けられた電極との間で横電界を生じ得るため、該横電界の影響により、通常の電極間における電界に基づく液晶分子の配向とは異なる動きを呈する場合があるが、本発明は、このような不具合を防止ないし抑制し、表示特性の向上を図るものである。

具体的には、上述の通り基板上に形成された信号線上、及び／又は平面的に前記信号線と前記画素電極との間の領域に、誘電体からなる凸状部（挟持面凸形状付与手段）を形成することで上記課題を解決した。例えば、信号線が形成された基板と同一の基板上であって、該信号線上及び／又は平面的に前記信号線と前記画素電極との間の領域に凸状部を形成した場合、信号線と電極との間を遮蔽する形にて凸状部が形成されることとなるため、該信号線と電極との間の電界（横電界）発生を防止ないし抑制することが可能となり、もし仮に横電界が発生した場合にも、該凸状部の形状に沿った配向規制力により横電界の影響を受けることなく、つまり横電界の影響よりも液晶分子に大きく作用する凸状部の配向規制力により、信号線形成領域周辺の液晶分子を所定の方向に配向規制することが可能となる。その結果、特に信号線が形成された付近の領域において、液晶分子の倒れる方向を規制ないし制御することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、さらには視野角の広い液晶表示装置を提供することが可能となる。

また、例えば、信号線が形成された基板と異なる側の基板上であって、該信号線上及び／又は平面的に前記信号線と前記画素電極との間の領域に凸状部を形成した場合、信号線と電極間の電界を抑制する効果は殆どないものの、該凸状部の形状に沿った配向規制力により横電界の影響を受けることなく、つまり横電界の影響よりも液晶分子に大きく作用する凸状部の配向規制力により、信号線形成領域周辺の液晶分子を所定の方向に配向規制することが可能となる。

一方、上記課題を解決するために、本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を挟持してなり、所定の画素単位毎に表示を行う液晶表示装置であって、前記液晶層は、誘電異方性が負の液晶にて構成されるとともに、前記一対の基板のうち一方の基板には、前記画素に対して信号を供給する信号線が形成され、互いに隣り合った第１画素及び第２画素のそれぞれに、スリットと複数の島状部を備えた画素電極が設けられており、前記信号線を平面的に覆うように、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に、誘電体からなる複数の島状の凸状部が形成されてなり、前記凸状部は、平面的に前記第１画素の島状部と前記第２画素の島状部との間に設けられていることを特徴とする。

このように基板上に形成された信号を平面的に覆う形にて誘電体からなる凸状部を形成することによっても上記課題を解決することが可能である。すなわち、例えば信号線が形成された基板と同一の基板上であって、該信号線を直接覆う形に凸状部を形成した場合、信号線と電極との間を遮蔽する形にて凸状部が形成されることとなるため、該信号線と電極との間の電界（横電界）発生を防止ないし抑制することが可能となる。また、もし仮に横電界が発生した場合にも、該凸状部の形状に沿った配向規制力により横電界の影響を受けることなく、つまり横電界の影響よりも液晶分子に大きく作用する凸状部の配向規制力により、信号線形成領域周辺の液晶分子を所定の方向に配向規制することが可能となる。

また、例えば信号線が形成された基板と異なる側の基板上であって、該信号線を平面的に覆う形にて凸状部を形成した場合、信号線と電極間の電界を抑制する効果は殆どないものの、該凸状部の形状に沿った配向規制力により横電界の影響を受けることなく、つまり横電界の影響よりも液晶分子に大きく作用する凸状部の配向規制力により、信号線形成領域周辺の液晶分子を所定の方向に配向規制することが可能となる。

このような本発明の液晶表示装置に用いる凸状部は、垂直配向した液晶分子について、電界（電極間の電界）変化に基づいて倒れる方向を規制する構成を具備しているものとすることができる。具体的には、基板内面から液晶層に突出する形にて、基板面に対して所定の傾斜面を備えた凸状部、例えば円錐状、多角錘状の突起物として構成することが好ましく、凸形状の表面（傾斜面）を液晶分子の垂直配向方向に対して所定の角度だけ傾斜するように構成することが好ましい。凸状部の傾斜面については、その最大傾斜角が２°〜２０°であることが好ましい。この場合の傾斜角とは、基板と凸状部の傾斜面とのなす角度で、凸形状が曲表面を有している場合には、その曲表面に接する面と基板とのなす角度を指すものとする。この場合の最大傾斜角が２°未満の場合、液晶分子の倒れる方向を規制するのが困難となる場合があり、また最大傾斜角が２０°を超えると、その部分から光漏れ等が生じコントラスト低下等の不具合が生じる場合がある。

また、凸状部は前記信号線に沿って長手状に延設されてなるものでも良いし、前記信号線に沿って点状に並設されてなるものであっても良い。いずれの場合も、凸状部の形状に沿って電圧印加時の液晶分子の傾倒方向を好適に規制することが可能となる。さらに、信号線が形成された基板の内面側に画素電極が形成されてなる場合、その画素電極と信号線との間に該凸状部の少なくとも一部が配設されていれば良く、画素電極と信号線とに平面的に跨って形成されてなる態様であっても良い。さらには、画素電極の外縁から信号線まで平面的に跨って形成されてなる態様や、画素電極の一部と信号線との双方を覆う形にて形成されてなる態様であっても、上述した効果を好適に奏することができる。また、凸状部は、画素毎に複数形成されてなるものであっても良い。

一方、信号線が形成された基板の内面側に画素電極が形成されてなり、該画素電極と信号線が最も近づく位置に凸状部が配設されてなるものとすることができる。この場合、電極と信号線が最も近づく位置に両者を遮る形で凸状部を形成することが可能となるため、両者間の横電界の発生を一層防止ないし抑制でき、また仮に横電界が生じた場合にも凸状部の形状に沿って好適に液晶分子を配向規制することが可能となる。

なお、凸状部を配設する基板としては、前記信号線が形成された基板側であっても良く、前記信号線が形成された基板とは異なる基板側であっても良い。特に、上述した通り、信号線が形成された基板側に凸状部が配設される場合には、該信号線と電極との間の横電界の発生を防止ないし抑制する効果が大きく、また凸形状に沿った配向規制力も好適に働くこととなる。

また、本発明の液晶表示装置において、前記凸状部と平面的に重なる形にて遮光膜が形成されてなるものとすることができる。本発明のような凸状部を形成した場合、該凸状部上、特に凸状部の傾斜面上において垂直配向した液晶分子は、基板面に対しては垂直方向に配向しないため、光抜けが生じる惧れがある。そこで、上述のように凸状部と平面的に重なる形にて遮光膜を形成することで、そのような光抜けを防止ないし抑制することが可能となり、高コントラストで表示特性の高い液晶表示装置を提供することが可能となる。このような遮光膜は凸状部が形成された基板と同一の基板及び／又は異なる基板に形成することができ、その他にも、凸状部自身に遮光性の顔料を含ませて当該凸状部自身を遮光層として兼用する構成を採用することも可能である。

また、本発明の液晶表示装置において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板の内面側には、該一対の基板の間隔を規制するスペーサーが形成されてなり、該スペーサーと同一の材料で前記凸状部が形成されてなるものとすることができる。この場合、基板に形成したスペーサー（貝柱スペーサー）と同一工程にて凸状部を形成することが可能となり、製造プロセスの簡略化、ひいては製造コストの削減を図ることが可能となる。換言すると、一対の基板の内面側に所定のパターンにて構成された絶縁層が形成され、該絶縁層のパターンのうち、一方のパターンでは対向する基板と接する形にて液晶層厚を規定するスペーサーとして構成され、他方のパターンでは前記基板内面から前記液晶層に突出する凸状部として構成されてなるものとすることで、製造コスト削減を図ることができるのである。

次に、本発明の液晶表示装置としては、透過型又は反射型のいずれの液晶表示装置であっても良い。つまり、前記一対の基板のうち一方の基板の前記液晶層と反対側にはバックライトが設けられ、前記一対の基板のうち他方の基板の外面側から表示が視認しても良く、一方、前記一対の基板のうち一方の基板の液晶層側には反射層が設けられ、前記一対の基板のうち他方の基板の外面側から表示が視認しても良い。

また、半透過反射型の液晶表示装置に本発明の構成を採用することも可能である。つまり、所定の画素単位毎に表示を行う液晶表示装置であって、一対の基板間に挟持され、誘電異方性が負の液晶にて構成される液晶層と、前記一対の基板のうち一方の基板に形成され、前記画素に対して信号を供給する信号線と、前記信号線上又は平面的に前記信号線と画素電極との間の領域であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に形成された、誘電体からなる複数の島状の凸状部と、互いに隣り合った第１画素及び第２画素のそれぞれに設けられ、反射層が形成された反射表示領域と、互いに隣り合った第１画素及び第２画素のそれぞれに設けられ、前記反射層が形成されていない透過表示領域と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板と前記液晶層との間に設けられ、前記透過表示領域の前記液晶層の層厚を前記反射表示領域の前記液晶層の層厚よりも厚くする液晶層厚調整層と、を備え、前記凸状部が、平面的に、前記第１画素における前記液晶層の層厚が厚い領域と前記第２画素における前記液晶層の層厚が厚い領域との間に設けられている液晶表示装置に本発明の構成を適用することができる。

また、半透過反射型の液晶表示装置においては、所定の画素単位毎に表示を行う液晶表示装置であって、一対の基板間に挟持され、誘電異方性が負の液晶にて構成される液晶層と、前記一対の基板のうち一方の基板に形成され、前記画素に対して信号を供給する信号線と、前記信号線を平面的に覆うように、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に形成された、誘電体からなる複数の島状の凸状部と、互いに隣り合った第１画素及び第２画素のそれぞれに設けられ、反射層が形成された反射表示領域と、互いに隣り合った第１画素及び第２画素のそれぞれに設けられ、前記反射層が形成されていない透過表示領域と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板と前記液晶層との間に設けられ、前記透過表示領域の前記液晶層の層厚を前記反射表示領域の前記液晶層の層厚よりも厚くする液晶層厚調整層と、を備え、前記凸状部が、平面的に、前記第１画素における前記液晶層の層厚が厚い領域と前記第２画素における前記液晶層の層厚が厚い領域との間に設けられていることを特徴とするものとすることができる。このように反射表示領域に対して選択的に液晶層厚調整層を設けることによって、反射表示領域におけるリタデーションと透過表示領域におけるリタデーションを略等しくすることができ、これによりコントラストの向上を図ることが可能となる。

また、このような液晶層厚調整層を形成した半透過反射型の液晶表示装置において、透過表示領域に前記凸状部を選択的に形成することができる。液晶層厚調整層を具備した液晶表示装置においては、反射表示領域の方が透過表示領域に比して液晶層厚が薄いため、電極間の電界が相対的に強く、液晶分子が横電界の影響を相対的に受け難い。つまり、透過表示領域では反射表示領域に比して電極間の電界が相対的に弱く、液晶分子が横電界の影響を受けやすいが、上述のように透過表示領域に前記凸状部を形成することで、その透過表示領域における横電界の影響を防止ないし抑制することが可能となるのである。

また、前記反射層が形成された領域（反射表示領域）に前記凸状部が選択的に形成されてなり、該凸状部は前記一対の基板間隔を規制しているものとすることができる。反射表示領域では液晶層厚調整層により液晶層の層厚が相対的に小さくされているため、そこに形成する凸状部は、基板間隔（液晶セル厚）を規制する手段として、つまりスペーサーとして用いることが可能となる。この場合、凸状部が液晶配向規制手段と基板間隔規制手段との双方を兼備することとなるため、構成の簡便化及び製造の簡略化を図ることが可能となる。

前記透過表示領域に形成された凸状部は、その突出高さが０．０５μｍ〜１．５μｍ程度であることが好ましい。突出の高さが０．０５μｍよりも小さいと液晶分子の倒れる方向を規制することが困難となる場合があり、また突出の高さが１．５μｍよりも大きいと凸状部の頂部分と底部分とで液晶層のリタデーション差が大きくなりすぎて表示特性を損なう惧れがある。

また、前記凸状部が形成された基板の内面側には、該凸状部上に開口を具備する電極が形成されてなるものとすることができる。この場合、凸状部上には電極が存在しないため、該凸状部により液晶の倒れる方向と、電気力線の方向が逆方向に傾くため、液晶の倒れる方向が定まり易く、一層安定した液晶分子の配向規制を行うことが可能とる。

次に、本発明の電子機器は、上記記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする。このような電子機器によると、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、さらには視野角の広い表示特性に優れた表示部を備えた電子機器を提供することが可能となる。

［第１の実施の形態］
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

以下に示す本実施の形態の液晶表示装置は、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode, 以下、ＴＦＤと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置の例であり、特にバックライトからの光を利用して表示を可能にした透過型の液晶表示装置である。
図１は、本実施の形態の液晶表示装置１００についての等価回路を示している。この液晶表示装置１００は、走査信号駆動回路１１０及びデータ信号駆動回路１２０を含んでいる。液晶表示装置１００には、信号線として、複数の走査線１３と、該走査線１３と交差する複数のデータ線９とが設けられ、走査線１３は走査信号駆動回路１１０により、データ線９はデータ信号駆動回路１２０により駆動される。そして、各画素領域１５０において、走査線１３とデータ線９との間にＴＦＤ素子４０と液晶表示要素１６０（液晶層）とが直列に接続されている。なお、図１では、ＴＦＤ素子４０が走査線１３側に接続され、液晶表示要素１６０がデータ線９側に接続されているが、これとは逆にＴＦＤ素子４０をデータ線９側に、液晶表示要素１６０を走査線１３側に設ける構成としても良い。

次に、図２に基づいて、本実施の形態の液晶表示装置１００に具備された電極の平面構造（画素構造）について説明する。図２に示すように、本実施の形態の液晶表示装置１００では、走査線１３に対しＴＦＤ素子４０を介して接続された平面視矩形状の画素電極３１がマトリクス状に設けられており、該画素電極３１と紙面垂直方向に平面的に対向して共通電極（ストライプ電極）９が短冊状に設けられている。共通電極９はデータ線からなり走査線１３と交差する形のストライプ形状を有している。本実施の形態において、各画素電極３１が形成された個々の領域が１つのドット領域であり、マトリクス状に配置された各ドット領域毎にＴＦＤ素子４０が具備され、該ドット領域毎に表示が可能な構成になっている。

ここでＴＦＤ素子４０は走査線１３と画素電極３１とを接続するスイッチング素子であって、ＴＦＤ素子４０は、Ｔａを主成分とする第１導電膜と、第１導電膜の表面に形成され、Ｔａ_２Ｏ_３を主成分とする絶縁膜と、絶縁膜の表面に形成され、Ｃｒを主成分とする第２導電膜とを含むＭＩＭ構造を具備して構成されている。そして、ＴＦＤ素子４０の第１導電膜が走査線１３に接続され、第２導電膜が画素電極３１に接続されている。

次に、図３に基づいて本実施の形態の液晶表示装置１００の画素構成について説明する。図３（ａ）は、液晶表示装置１００の画素構成、主として画素電極３１の平面構成を示す模式図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’断面を示す模式図である。本実施の形態の液晶表示装置１００は、画素電極３１を備えてなるドット領域（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３）を有しており、このドット領域内には、図３（ａ）に示すように一のドット領域に対応して３原色のうちの一の着色層が配設され、３つのドット領域（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３）で各着色層２２Ｂ（青色），２２Ｇ（緑色），２２Ｒ（赤色）を含む画素を形成し、各画素単位にて表示が可能な構成とされている。

図３（ｂ）に示すように、本実施の形態の液晶表示装置１００は、上基板（素子基板）２５とこれに対向配置された下基板（対向基板）１０との間に初期配向状態が垂直配向をとる液晶、すなわち誘電異方性が負の液晶材料からなる液晶層５０が挟持されている。つまり、本実施の形態の液晶表示装置１００は垂直配向モードを採用した透過型液晶表示装置である。

下基板１０は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体１０Ａを主体として構成され、該基板本体のの表面には、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）からなるストライプ状の共通電極９が形成され、共通電極９上にはポリイミド等からなる配向膜２７が形成されている。配向膜２７は液晶分子を膜面に対して垂直に配向させる垂直配向膜として機能するものであって、ラビングなどの配向処理は施されていない。なお、図３（ｂ）において共通電極９は、紙面垂直方向に延びる形のストライプ状に形成されており、該紙面垂直方向に並んで形成されたドット領域の各々に共通の電極として構成されている。また、詳細は後述するが、共通電極９には自身の一部を短冊状に切り欠いたスリット４９が形成されている。

次に、上基板２５側においては、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２５Ａ上（基板本体２５Ａの液晶層側）には、カラーフィルタ２２（図３（ｂ）では赤色着色層２２Ｒ）が設けられている。ここで、着色層２２Ｒの周縁は金属クロム等からなるブラックマトリクスＢＭにて囲まれ、ブラックマトリクスＢＭにより各ドット領域Ｄ１，Ｄ２、Ｄ３の境界が形成されている（図３（ａ）参照）。また、カラーフィルタ２２上には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなるマトリクス状の画素電極３１と、ポリイミド等からなる下基板１０と同様の垂直配向処理がなされた配向膜３３とが形成されている。なお、詳細は後述するが、上基板２５の内面側には液晶層５０の突出してなる突起２８が平面視短冊状に形成されている。

また、下基板１０の外面側（液晶層５０を挟持する面とは異なる側）には位相差板１８及び偏光板１９が、上基板２５の外面側にも位相差板１６及び偏光板１７が形成されており、基板内面側（液晶層５０側）に円偏光を入射可能に構成されており、これら位相差板１８及び偏光板１９、位相差板１６及び偏光板１７が、それぞれ円偏光板を構成している。偏光板１７（１９）は、所定方向の偏光軸を備えた直線偏光のみを透過させる構成とされ、位相差板１６（１８）としてはλ／４位相差板が採用されている。このような円偏光板としては、その他にも偏光板とλ／２位相差板とλ／４位相差板を組み合わせた構成のもの（広帯域円偏光板）を用いることが可能で、この場合、黒表示をより無彩色にすることができるようになる。また、偏光板とλ／２位相差板とλ／４位相差板、及びｃプレート（膜厚方向に光軸を有する位相差板）を組み合わせた構成のものを用いることも可能で、一層広視角化を図ることができるようになる。なお、下基板１０に形成された偏光板１９の外側には透過表示用の光源たるバックライト１５が設けられている。

ここで、本実施の形態の液晶表示装置１００は、上述した通り液晶層５０が誘電異方性が負の液晶材料にて構成された垂直配向モードの液晶表示装置である。したがって、初期配向状態で液晶分子が基板面に対して垂直に立っているものを、電界印加により倒すわけであるから、何も工夫をしなければ（プレチルトが付与されていなければ）液晶分子の倒れる方向を制御できず、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じて光抜け等の表示不良が生じ、表示特性を落としてしまう。そのため、垂直配向モードの採用にあたっては、電界印加時の液晶分子の配向方向の制御が重要な要素となる。

そこで、本実施の形態の液晶表示装置１００においては、液晶層５０の挟持面に対しアクリル樹脂等の誘電体からなる突起（凸状部、若しくは挟持面凸形状付与手段）を形成することで、液晶分子に対して、その凸形状に応じたプレチルトを付与する一方、電極を一部切り欠いたスリットを形成することで対向する電極との間で斜め電界を生じさせ、該斜め電界に応じたプレチルトを付与するものとしている。具体的には、図３に示すように、共通電極９には自身の一部を長手状若しくは短冊状に切り欠いてなるスリット４９（図３（ａ）では破線で示す）を形成する一方、上基板２５内面には画素電極３１より液晶内面に突出してなる誘電体にて構成された突起２８を形成するものとした。

特に、本実施の形態では、共通電極９に形成したスリット４９と、上基板２５内面に形成した突起２８とが互い違いの位置に形成されるように、つまり複数のスリット４９のうち隣合うスリット４９，４９の間に平面的に突起２８が位置するように配設されている。その結果、隣合うスリット間、若しくは隣合う突起間において、液晶分子の倒れる方向が不連続となる領域が形成され難く、一層高効率にディスクリネーションの発生を防止ないし抑制することが可能となる。

また、本実施の形態では、液晶分子の配向方向を規制ないし制御する突起２８が形成された領域においては画素電極３１を開口させ、つまり突起２８の内面側及び外面側に電極が存在しない構成とした。その結果、突起２８の影響により液晶が倒れる方向と、電気力線の方向とが逆方向となるため、液晶の倒れる方向が定まり易く、一層安定した液晶分子の配向規制を行うことが可能とる。なお、画素電極３１上に突起２８を直接形成するものとしても液晶分子の配向方向を規制することは可能である。

このような構成により、液晶分子が初期状態で垂直配向を呈した上で、突起２８の凸形状及びスリット４９形成に基づく斜め電界に応じたプレチルトを持つようになる。その結果、液晶分子の倒れる方向を所定方向に規制ないし制御することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、さらには視野角の広い液晶表示装置を提供することが可能となる。

一方、本実施の形態の液晶表示装置１００においては、図３（ａ）に示すように、画素電極３１に対して信号を供給する信号線、ここではＴＦＤを介して画素電極３１に走査信号を供給する走査線１３上に、アクリル樹脂等の誘電体からなる突起３８が配設されている。具体的には、図８の断面図に示すように走査線１３を平面的に覆う形にて、該走査線１３と画素電極３１とに跨って形成されており、画素電極３１の外縁の一部を覆うように構成されている（図２も参照）。

ここで、例えば突起３８を形成しない場合、画素電極３１に対して信号を供給する走査線１３は、画素電極３１との間で横電界を生じる場合があり、該横電界が発生すると、液晶分子は通常の画素電極３１と共通電極９との間における電界に基づく配向とは異なる動きを呈する場合がある。このような横電界によって通常とは異なる方向への配向が生じた場合には、上述のように画素内に突起２８やスリット４９を形成して液晶分子の配向規制を行ったとしても、特に画素周辺領域において液晶分子の配向に乱れが生じ、表示特性の低下を引き起こす惧れがある。

そこで、本実施の形態では、図３（ａ）及び図８に示すように、走査線１３上に誘電体からなる突起３８（凸状部、又は挟持面凸形状付与手段）を形成することで、走査線１３と画素電極３１との間を電気的に遮蔽し、上記横電界の発生を防止ないし抑制することを可能とした。また、もし仮に横電界が発生した場合にも、該突起３８の凸形状に沿った配向規制力により横電界の影響を受けることなく、つまり横電界の影響よりも液晶分子に大きく作用する突起３８の形状に基づく配向規制力により、走査線１３の形成領域周辺の液晶分子を所定の方向に配向規制することが可能となる。その結果、特に走査線１３が形成された領域付近において、液晶分子の倒れる方向を規制ないし制御することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、さらには視野角の広い液晶表示装置を提供することが可能となる。

なお、本実施の形態で用いた突起２８，３８は同一材料にて構成し、同一製造プロセスにて形成することができる。また、突起２８，３８は、液晶層５０の挟持面に凸形状を付与する挟持面凸形状付与手段として機能しており、具体的には基板内面から液晶層５０に所定の高さ（例えば０．０５μｍ〜１．５μｍ、好ましくは０．０７μｍ〜０．２μｍ程度）だけ突出してなる山状の傾斜面を具備して構成されている。

また、突起２８，３８の凸形状は、その縦断面形状が略左右対称の形をなしている。例えば縦断面が略三角形状を有した長手状の突起２８，３８として構成すると、液晶分子が倒れる際には該突起の中心部（頂部）を境にそれぞれ逆方向に倒れることとなり、広い視角特性を得ることができる。このような広い視角特性を得るためには、突起２８，３８は、その縦断面形状を三角形状の他、台形状若しくは半楕円状に構成することが好ましい。

［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図４は、第２の実施の形態の液晶表示装置２００について、平面図及び断面図を示すもので第１の実施の形態の図３に相当する模式図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、液晶分子の配向規制を行う誘電体突起や電極スリットの形成位置が主として異なっている。したがって、図４においては図３と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図４に示すように、第２の実施の形態の液晶表示装置２００においては、上基板２５の内面に形成した画素電極３１にスリット４８を設け、下基板１０の内面に突起２９を形成した。この場合も、スリット４８は画素電極３１の一部を部分的に切り欠いて平面視長手状若しくは短冊状に開口部を形成したもので、また、突起２９はアクリル樹脂等の誘電体からなる凸状部（挟持面凸形状付与手段）を平面視長手状若しくは短冊状に形成したものであって、縦断面形状が略三角形の山形の形状を備えたものである。この場合も、液晶分子に対して、突起２９の凸形状に応じたプレチルトを付与することが可能な一方、スリット４８に基づく斜め電界に応じたプレチルトを付与することが可能とされている。

また、画素電極３１に形成したスリット４８と、下基板１０の内面に形成した突起２９とが互い違いの位置に形成されるように、つまり複数のスリット４８のうち隣合うスリット４８，４８の間に平面的に突起２９が位置するように配設されている。これにより、隣合う突起又はスリット同士で、液晶分子の傾倒方向が逆向きとなるような不連続領域（ディスクリネーション）の発生を解消している。また、液晶分子の配向方向を規制ないし制御する突起２９上においては、共通電極３１を開口させ、つまり突起２９の内面側には電極が存在しない構成としている。

このような突起２９及びスリット４８を配設したことにより、液晶分子が初期状態で垂直配向を呈した上で、突起２９の凸形状及びスリット４８形成に基づく斜め電界に応じたプレチルトを持つようになる。その結果、液晶分子の倒れる方向を所定方向に規制ないし制御することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、さらには視野角の広い液晶表示装置を提供することが可能となる。

一方、図４（ａ）に示すように、画素電極３１に対して信号を供給する信号線、ここではＴＦＤを介して画素電極３１に走査信号を供給する走査線１３に対し、平面的に重畳する位置、つまり走査線１３を平面的に覆う位置であって該走査線１３が形成された基板（上基板２５）と異なる側の基板（下基板１０）内面には、アクリル樹脂等の誘電体からなる突起３９が配設されている。具体的には、図１０に示すように走査線１３と平面的に重畳する形にて突起３９が下基板１０上に形成されている。また、この突起３９は、画素電極３１の外縁の一部をも重畳するように構成されている。

上述した通り、画素電極３１に対して信号を供給する走査線１３は、画素電極３１との間で横電界を生じる場合があり、該横電界が発生すると、液晶分子は通常の画素電極３１と共通電極９との間における電界に基づく配向とは異なる動きを呈する場合がある。このような横電界によって通常とは異なる方向への配向が生じた場合には、上述のように画素内に突起２９やスリット４８を形成して液晶分子の配向規制を行ったとしても、特に画素周辺領域において液晶分子の配向に乱れが生じ、表示特性の低下を引き起こす惧れがある。

そこで、本実施の形態では、図４（ａ）及び図１０に示すように、走査線１３と平面的に重畳する位置であって、該走査線１３が形成された基板（上基板２５）とは異なる基板（下基板１０）側に誘電体からなる突起３９（凸状部、又は挟持面凸形状付与手段）を形成することで、もし仮に横電界が発生した場合にも、該突起３９の凸形状に沿った配向規制力により横電界の影響を受けることなく、つまり横電界の影響よりも液晶分子に大きく作用する突起３９の形状に基づく配向規制力により、走査線１３の形成領域周辺の液晶分子を所定の方向に配向規制することを可能とした。その結果、特に走査線１３が形成された領域付近において、液晶分子の倒れる方向を規制ないし制御することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、さらには視野角の広い液晶表示装置を提供することが可能となる。

なお、下基板１０内面に形成した突起２９，３９は同一材料にて構成し、同一製造プロセスにて形成することができる。また、突起２９，３９は、液晶層５０の挟持面に凸形状を付与する挟持面凸形状付与手段として機能しており、具体的には基板内面から液晶層５０に所定の高さ（例えば０．０５μｍ〜１．５μｍ、好ましくは０．０７μｍ〜０．２μｍ程度）突出した山状の傾斜面を具備して構成されている。

また、突起２９，３９の凸形状は、その縦断面形状が略左右対称の形をなしている。例えば縦断面が略三角形状の山形を有した長手状の突起２９，３９として構成すると、液晶分子が倒れる際には該突起の中心部（頂部）を境にそれぞれ逆方向に倒れることとなり、広い視角特性を得ることができる。このような広い視角特性を得るためには、突起２９，３９は、その縦断面形状を三角形状の他、台形状若しくは半円状、半楕円状に構成することが好ましい。

［第３の実施の形態］
以下、本発明の第３の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図５は、第３の実施の形態の液晶表示装置３００について、平面図及び断面図を示すもので第１の実施の形態の図３に相当する模式図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、走査線上に形成した突起の構成が主として異なっている。したがって、図５においては図３と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図５（ａ）に示すように、第３の実施の形態の液晶表示装置３００においては、ＴＦＤを介して画素電極３１に走査信号を供給する走査線１３上に、アクリル樹脂等の誘電体からなる突起３８が一つの画素内において複数形成されている。具体的には、点状若しくは短冊状の突起３８が一つのドット領域Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３内、若しくは各ドット領域Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３内の境界領域に複数形成されている。

この場合も、第１の実施の形態と同様に、走査線１３と画素電極３１との間を電気的に遮蔽することが可能で、該走査線１３と画素電極３１との間の横電界発生を防止ないし抑制することが可能となる。また、もし仮に横電界が発生した場合にも、該突起３８の凸形状に沿った配向規制力により横電界の影響を受けることなく、つまり横電界の影響よりも液晶分子に大きく作用する突起３８の形状に基づく配向規制力により、走査線１３の形成領域周辺の液晶分子を所定の方向に配向規制することが可能となる。その結果、特に走査線１３が形成された領域付近において、液晶分子の倒れる方向を規制ないし制御することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、さらには視野角の広い液晶表示装置を提供することが可能となる。

なお、上基板２５内面に形成した突起２８，３８は同一材料にて構成し、同一製造プロセスにて形成することができる。また、突起２８，３８は、液晶層５０の挟持面に凸形状を付与する挟持面凸形状付与手段として機能しており、具体的には基板内面から液晶層５０に所定の高さ（例えば０．０５μｍ〜１．５μｍ、好ましくは０．０７μｍ〜０．２μｍ程度）突出した山状の傾斜面を具備して構成されている。また、突起２８，３８の凸形状は、第１の実施の形態と同様、その縦断面形状が略左右対称の形をなしている。

［第４の実施の形態］
以下、本発明の第４の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図６は、第４の実施の形態の液晶表示装置４００について、平面図及び断面図を示すもので第１の実施の形態の図３に相当する模式図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、液晶分子の配向規制を行う突起又は電極スリットの構成が主として異なっている。したがって、図６においては図３と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図６に示すように、第４の実施の形態の液晶表示装置４００においては、上基板２５の内面に形成した画素電極３１にスリット４８を設け、下基板１０の内面に形成した共通電極９に対してもスリット４９を形成した。この場合も、スリット４８，４９は各電極３１，９の一部を部分的に切り欠いて長手状若しくは短冊状に開口部を形成したもので、液晶分子に対してスリット形成に基づく斜め電界に応じたプレチルトを付与することが可能とされている。なお、画素電極３１に形成したスリット４８と、共通電極９に形成したスリット４９とが互い違いの位置に形成されるように、つまり複数のスリット４８のうち隣合うスリット４８，４８の間に、対向側のスリット４９が平面的に位置するように配設されている。これにより、隣合うスリットの間で、液晶分子の傾倒方向が逆向きとなるような不連続領域の発生を解消している。

一方、図６（ａ）に示すように、ＴＦＤを介して画素電極３１に走査信号を供給する走査線１３上にアクリル樹脂等の誘電体からなる突起３８が配設されている。この場合も、突起３８により、走査線１３と画素電極３１との間の横電界の発生を防止ないし抑制することが可能となり、もし仮に横電界が発生した場合にも、該突起３８の凸形状に沿った配向規制力により横電界の影響を受けることなく、つまり横電界の影響よりも液晶分子に大きく作用する突起３８の形状に基づく配向規制力により、走査線１３の形成領域周辺の液晶分子を所定の方向に配向規制することが可能となる。

なお、本実施の形態では、画素内部には突起を形成せず、電極スリットのみで液晶分子の配向規制を行っているため、突起３８は独立の製造プロセスにて形成しているが、液晶層５０の層厚を規定するスペーサー（図示略）と同一の工程にて形成するものとしても良い。つまり、いわゆる貝柱状のフォトスペーサーを基板内面に形成したようなえ気象表示装置においては、該スペーサーの形成工程と同時に走査線１３上の突起３８を形成することが可能である。また、突起３８を液晶分子の配向方向を規制する手段として構成するとともに、液晶層厚を規定する手段として構成させることも可能で、つまり双方の機能を兼備した突起３８として構成することもできる。

［第５の実施の形態］
以下、本発明の第５の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図７は、第５の実施の形態の液晶表示装置５００について、平面図及び断面図を示すもので第１の実施の形態の図３に相当する模式図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、下基板１０内面に形成した共通電極９が金属反射膜にて構成されている点が異なっている。したがって、図７においては図３と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図７に示すように、第５の実施の形態の液晶表示装置５００においては、下基板１０の内面に形成した共通電極９０を反射性金属導電膜にて構成し、該共通電極（反射膜）９０に対してスリット４９を形成している。また、下基板１０の外面側には、位相差板、偏光板、バックライト等は形成されておらず、上基板２５の外面側から入射された太陽光、照明光等の外光を画素電極（反射膜）９０にて反射することで表示を可能としている。すなわち、本実施の形態の液晶表示装置５００は垂直配向モードを採用した反射型の液晶表示装置である。

このような垂直配向モードを採用した反射型液晶表示装置においても、共通電極（反射膜）９０にスリット４９を形成するとともに、上基板２５の内面側に突起２８を形成することで、画素内の液晶分子の配向規制を行うとともに、走査線１３上にも突起３８を形成することで画素周辺領域の液晶分子も配向規制するものとしている。

この場合も、スリット４９は共通電極（反射膜）９０の一部を部分的に切り欠いて長手状若しくは短冊状に開口部を形成したもので、液晶分子に対してスリット形成に基づく斜め電界に応じたプレチルトを付与することが可能とされている。また、突起２８は液晶層５０に突出してなるもので、その凸形状に応じて、つまり突起２８の傾斜面に応じて液晶分子の傾倒方向を規制するものとしている。なお、共通電極（反射膜）９０に形成したスリット４９と、上基板２５の内面に形成した突起２８とが互い違いの位置に形成されるように、つまり複数のスリット４９のうち隣合うスリット４９，４９の間に、対向側の突起２８が平面的に位置するように配設されている。これにより、隣合うスリットの間で、液晶分子の傾倒方向が逆向きとなるような不連続領域の発生を解消している。

また、走査線１３上に形成した突起３８はアクリル樹脂等の誘電体にて構成され、上基板２５の内面から液晶層５０に突出してなるものであって、画素電極３１と走査線１３との間を電気的に遮蔽している。また、突起３８は、電気的な遮蔽効果に加えて、その凸形状に応じて、つまり自身の傾斜面に応じて液晶分子の傾倒方向を規制可能に構成されている。したがって、突起３８を形成したことで、画素電極３１と走査線１３との間の横電界の発生が防止ないし抑制され、仮に両者の間で横電界が生じたとしても、その凸形状に基づく高い配向規制力により、横電界の影響を打ち消す形にて液晶分子の配向方向を規制することが可能となる。

以上のような第１〜第５の実施の形態で示した走査線１３上に、若しくは走査線１３に重畳して形成する突起（３８，３９）は、液晶分子を傾倒させたい方向によって適宜形成位置や形状を選択可能で、画素内の突起２８，２９、電極スリット４８，４９についても、液晶分子の傾倒方向によってその形成位置を適宜選択することができる。例えば、図９に示したように、隣合う画素電極３１，３１間に配設された走査線１３を覆うように突起３８を形成することで、横電界の発生を防止ないし抑制するとともに、その凸形状に基づいて液晶分子の配向規制を行うことが可能であるが、図８に示したように、各画素電極３１，３１の外縁の一部を覆うように突起３８を形成することで、横電界の発生を一層効果的に抑制することが可能となる。

また、図９に示したように、異なる画素電極３１，３１間に配設された走査線１３と重畳するように、走査線１３が形成された基板２５Ａとは異なる基板１０Ａ側に突起３９を形成する場合も、隣合う画素電極３１，３１の外縁の一部を覆う形にて重畳させることが好ましい。この場合、凸形状に基づく配向規制力により、画素電極３１と走査線１３との間の横電界の影響を一層低減させることが可能となる。

なお、図１１に示すように、少なくとも走査線１３の近傍に突起が形成されていれば良く、走査線１３上を覆うことなく、画素電極３１と走査線１３との間に突起３８ａを形成する構成でも良い。また、走査線１３の対向側に突起を形成する場合も、必ずしも走査線１３に重畳させる必要はなく、画素電極３１と走査線１３との間であって、走査線１３が形成された基板と対向する基板に突起３９ａを形成する構成としても良い。

［第６の実施の形態］
以下、本発明の第６の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図１２は、第６の実施の形態の液晶表示装置６００について、平面図及び断面図を示すもので第１の実施の形態の図３に相当する模式図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であるが、下基板１０の内面に反射膜を部分的に形成し、透過表示と反射表示の双方を可能にした点が異なっている。したがって、図１２においては図３と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図１２に示すように、本実施の形態の液晶表示装置６００は、下基板１０の内面側に反射膜２０を部分的に形成し、該反射膜２０の形成領域においては反射表示を行い、該反射膜２０の非形成領域（反射膜２０の開口領域）においては透過表示を行うことが可能とされている。すなわち、本実施の形態の液晶表示装置６００は、垂直配向モードを採用した半透過反射型の液晶表示装置である。

まず、図１２（ｂ）に示すように、本実施の形態の液晶表示装置６００は、第１の実施の形態の液晶表示装置１００と同様、上基板（素子基板）２５とこれに対向配置された下基板（対向基板）１０との間に初期配向状態が垂直配向をとる液晶、すなわち誘電異方性が負の液晶材料からなる液晶層５０が挟持されている。

下基板１０は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体１０Ａの表面にアルミニウム、銀等の反射率の高い金属膜からなる反射膜２０が絶縁膜２４を介して部分的に形成された構成をなしている。ここで、反射膜２０の形成領域が反射表示領域Ｒとなり、反射膜２０の非形成領域、すなわち反射膜２０の開口部２１内が透過表示領域Ｔとなる。

基板本体１０Ａ上に形成された絶縁膜２４は、その表面に凹凸形状２４ａを具備してなり、その凹凸形状２４ａに倣って反射膜２０の表面は凹凸形状を有する。このような凹凸形状により反射光が散乱されるため、外部からの映り込みが防止され、広視野角の反射表示を得ることが可能とされている。なお、このような凹凸形状２４ａを具備する絶縁膜２４は、例えば樹脂レジストをパターニングし、その上にもう一層の樹脂を塗布することで得られる。また、パターニングした樹脂レジストに熱処理を加えて形状を調整しても良い。

また、反射表示領域Ｒ内に位置する反射膜２０上、及び透過表示領域Ｔ内に位置する基板本体１０Ａ上には、これら反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔに跨って形成されるカラーフィルタ２２（図１２（ｂ）では赤色着色層２２Ｒ）が設けられている。ここで、着色層２２Ｒの周縁は金属クロム等からなるブラックマトリクスＢＭにて囲まれ、ブラックマトリクスＢＭにより各ドット領域Ｄ１，Ｄ２、Ｄ３の境界が形成されている（図１２（ａ）参照）。

さらに、カラーフィルタ２２上には、反射表示領域Ｒに対応する位置に絶縁膜２６が形成されている。すなわち、カラーフィルタ２２を介して反射膜２０の上方に位置するように選択的に絶縁膜２６が形成され、該絶縁膜２６の形成に伴って液晶層５０の層厚を反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで異ならしめている。絶縁膜２６は例えば膜厚が０．５μｍ〜２．５μｍ程度のアクリル樹脂等の有機膜からなり、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界付近において、自身の層厚が連続的に変化するべく傾斜面を備えている。絶縁膜２６が存在しない部分の液晶層５０の厚みが１μｍ〜５μｍ程度とされ、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚みは透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚みの約半分とされている。このように絶縁膜２６は、自身の膜厚によって反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの液晶層５０の層厚を異ならせる液晶層厚調整層（液晶層厚制御層）として機能するものである。

また、反射表示領域Ｒに形成された絶縁膜２６の平面視略中央には、該絶縁膜２６の表面から液晶層５０内部に突出してなる突起（凸状部）２９ａが形成されている。この突起２９ａは、アクリル樹脂等の誘電体からなるものであって、液晶層５０の挟持面に傾斜面を備えた凸形状を付与する凸形状付与手段として機能しており、具体的には絶縁膜２６の表面から所定の高さ（例えば０．０５μｍ〜１．５μｍ、好ましくは０．０７μｍ〜０．２μｍ程度）突出して構成されている。

一方、カラーフィルタ２２上には、透過表示領域Ｔに対応する位置に該カラーフィルタ２２の表面から液晶層５０内部に突出してなる突起（凸状部）２９ａが形成されている。この突起２９ａは、上記反射表示領域Ｒと同様にアクリル樹脂等の誘電体からなるものであって、液晶層５０の挟持面に傾斜面を備えた凸形状を付与する凸形状付与手段として機能しており、具体的には絶縁膜２６の表面から所定の高さ（例えば０．０５μｍ〜１．５μｍ、好ましくは０．０７μｍ〜０．２μｍ程度）突出して構成されている。すなわち、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに形成された突起２９ａは、それぞれ同一の製造プロセスで形成され、同一の材料であるアクリル樹脂等の有機膜からなる誘電体にて構成されている。

さらに、絶縁膜２６及び突起２９ａを含むカラーフィルタ２２上には、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）からなるストライプ状の共通電極９が形成され、共通電極９上にはポリイミド等からなる配向膜２７が形成されている。配向膜２７は液晶分子を膜面に対して垂直に配向させる垂直配向膜として機能するものであって、ラビングなどの配向処理は施されていない。なお、図１２において共通電極９は、紙面垂直方向に延びる形のストライプ状に形成されており、該紙面垂直方向に並んで形成されたドット領域の各々に共通の電極として構成されている。なお、本実施の形態では、反射膜２０と共通電極９とを別個に形成したが、反射表示領域Ｒにおいては金属膜からなる反射膜を共通電極の一部として用いることも可能である。また、突起２９ａの内面及び外面には共通電極９が形成されておらず、共通電極９の開口部内に突起２９ａが形成された構成とされている。

次に、上基板２５側においては、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２５Ａ上（基板本体２５Ａの液晶層側）に、ＩＴＯ等の透明導電膜からなるマトリクス状の画素電極３１と、ポリイミド等からなる下基板１０と同様の垂直配向処理がなされた配向膜３３とが形成されている。なお、画素電極３１には、自身の一部を部分的に切り欠いてなるスリット３２が形成されている。

また、下基板１０の外面側には位相差板１８及び偏光板１９が、上基板２５の外面側にも位相差板１６及び偏光板１７が形成されており、基板内面側（液晶層５０側）に円偏光を入射可能に構成されており、これら位相差板１８及び偏光板１９、位相差板１６及び偏光板１７が、それぞれ円偏光板を構成している。

ここで、本実施の形態の液晶表示装置６００においては、液晶層５０の液晶分子を配向規制するために、つまり初期状態において垂直配向にある液晶分子について、電極間に電圧を印加した際の傾倒方向を規制するために、下基板１０の内面側（液晶層側）に誘電体からなる突起２９ａが形成されている。具体的には、図１２の例においては、下基板１０に形成されたカラーフィルタ２２の内面側（液晶層側）に、液晶層５０内部に突出する形の突起２９ａが反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔの双方に形成されており、略円錐台の形状を具備している。

このように形成された突起２９ａは、その凸形状（特に傾斜面）に沿って液晶分子の傾倒方向を規制するものである。すなわち、電極間に電圧が印加されていない初期状態において垂直配向にある液晶分子は、電圧が印加されると、その電界方向に交わる方向に傾倒しようとするが、本実施の形態によると、その電圧印加時の液晶分子の傾倒方向が突起２９ａの傾斜面に沿って規制されるのである。

なお、突起２９ａは、その凸形状の表面（傾斜面）を液晶分子の垂直配向方向に対して所定の角度だけ傾斜するように構成すればよく、例えば円錐状若しくは楕円錘状、又は多角錐状、円錐台状、楕円錘台状、多角錘台状、半球状にて構成されていることが好ましい。また、突起２９ａの傾斜面については、その最大傾斜角が２°〜２０°であることが好ましい。この場合の傾斜角とは、基板１０Ａの基板面（主面）と突起２９ａの傾斜面とのなす角度で、突起２９ａが曲表面を有している場合には、その曲表面に接する面と基板面とのなす角度を指すものとする。この場合の最大傾斜角が２°未満の場合、液晶分子の倒れる方向を規制するのが困難となる場合があり、また最大傾斜角が２０°を超えると、その部分から光漏れ等が生じコントラスト低下等の不具合が生じる場合がある。

一方、液晶層５０の液晶分子を配向規制するために、上基板１０の内面側（液晶層側）に形成された画素電極３１にはスリット３２が形成されている。つまり、画素電極３１にスリット３２を形成したことによって、対向する共通電極９との間に該スリット３２の形成位置に沿って斜め電界が生じ、該斜め電界によって、電圧印加時の液晶分子の傾倒方向が規制されることとなる。

なお、画素電極３１にスリット３２を形成したことにより、該画素電極３１は図１２（ａ）に示すように略八角形のサブドット（島状部）３１ａ，３１ｂ，３１ｃに分割形成されており、各サブドット（島状部）３１ａ，３１ｂ，３１ｃは連結部５９によって連結されている。そして、各サブドット（島状部）３１ａ，３１ｂ，３１ｃの略中心付近であって、その対向する基板側には突起２９ａが形成されており、その結果、該突起２９ａを中心に液晶分子が八方に倒れることとなり、すなわち本実施の形態においては、サブドット（島状部）３１ａ，３１ｂ，３１ｃ毎に配向分割化された構成となっている。

さらに、本実施の形態の液晶表示装置６００においては、上基板２５の内面に形成された走査線１３上に誘電体からなる突起３８が形成されている。具体的には、走査線１３に沿って該走査線１３を断片的に覆う形にて形成されている。このように走査線１３上に誘電体からなる突起３８（凸状部、又は挟持面凸形状付与手段）を形成することで、走査線１３と画素電極３１との間を電気的に遮蔽し、上記横電界の発生を防止ないし抑制することが可能となる。また、もし仮に横電界が発生した場合にも、該突起３８の凸形状に沿った配向規制力により横電界の影響を受けることなく、つまり横電界の影響よりも液晶分子に大きく作用する突起３８の形状に基づく配向規制力により、走査線１３の形成領域周辺の液晶分子を所定の方向に配向規制することが可能となる。

また、突起３８の凸形状は、その縦断面形状が略左右対称の形をなしている。例えば縦断面が略三角形状を有した長手状の突起３８として構成すると、液晶分子が倒れる際には該突起の中心部（頂部）を境にそれぞれ逆方向に倒れることとなり、広い視角特性を得ることができる。このような広い視角特性を得るためには、突起３８は、その縦断面形状を三角形状の他、台形状若しくは半楕円状に構成することが好ましい。

なお、突起３８は走査線１３を断片的に覆う形にて形成されているが、特に本実施の形態では、図１２（ａ）に示すように略八角形の画素電極３１と走査線１３とが最も近づく位置に突起３８を形成している。つまり、画素電極３１と走査線１３が近づく位置では上記横電界が生じ易いため、その位置に突起３８を形成することによって、液晶分子の配向規制が最も効果的となるのである。

以上のような構成を具備した本実施の形態の液晶表示装置６００によれば、以下のような好ましい作用・効果を発現することができるようになる。
まず、本実施形態の液晶表示装置６００では、反射表示領域Ｒに対して選択的に絶縁膜２６を設けたことによって反射表示領域Ｒの液晶層５０の厚みを透過表示領域Ｔの液晶層５０の厚みの略半分と小さくすることができるので、反射表示に寄与するリタデーションと透過表示に寄与するリタデーションを略等しくすることができ、これによりコントラストの向上が図られている。

また、一般的には、ラビング処理を施さない垂直配向膜上に配向した負の誘電異方性を有する液晶分子に電圧を印加すると、液晶の倒れる方向に規制がないので無秩序な方向に倒れ、配向不良が生じることとなる。しかしながら、本実施の形態では、液晶分子の倒れる方向を規制する手段として、下基板１０の内面に突起２９ａを形成し、上基板２５の内面に形成した画素電極３１にはスリット３２を形成したため、突起２９ａの傾斜面（山状傾斜面）による配向規制、スリット３２に沿った斜め電界による配向規制が生じ、初期状態で垂直配向した液晶分子の、電圧印加により倒れる方向が規制されることとなる。その結果、液晶配向不良に基づくディスクリネーションの発生が抑制されるため、ディスクリネーションの発生に伴う残像や、当該液晶表示装置６００の表示面を斜め方向から観察したときにざらざらとしたしみ状のムラ等が発生し難い高品質な表示が得られるようになる。

さらに、本実施の形態の液晶表示装置６００では、走査線１３上にも突起３８を断片的に形成しているため、該走査線１３が形成された領域付近において、液晶分子の倒れる方向を規制ないし制御することが可能となる。その結果、走査線１３が形成された領域付近、ひいては画素全域において配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、さらには視野角の広い半透過反射型の液晶表示装置を提供することが可能となる。

［第７の実施の形態］
以下、本発明の第７の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図１３は、第７の実施の形態の液晶表示装置７００について、平面図及び断面図を示すもので、第６の実施の形態の図１２に相当する模式図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第６の実施の形態と同様であり、走査線１３上に形成した突起３８の構成が第６の実施の形態と異なっている。したがって、図１３においては図１２と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図１３に示すように、第７の実施の形態の液晶表示装置７００においては、走査線１３上に形成する突起３８について、反射表示領域Ｒには形成せず、透過表示領域Ｔのみに選択的に形成するものとしている。本実施の形態のような半透過反射型の液晶表示装置において、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの液晶層厚を調整する絶縁膜２６を具備している場合、反射表示領域Ｒの方が透過表示領域Ｔに比して液晶層厚が薄いため、画素電極３１と共通電極９との間の電界が相対的に強く、液晶分子が横電界の影響を相対的に受け難い。逆に、透過表示領域Ｔでは反射表示領域Ｒに比して画素電極３１と共通電極９との間の電界が相対的に弱く、液晶分子が横電界の影響を受けやすい。そこで、本実施の形態では、透過表示領域Ｔに選択的に突起３８を形成することで、その透過表示領域Ｔにおける横電界の影響を効果的に防止ないし抑制することが可能となるのである。

［第８の実施の形態］
以下、本発明の第８の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図１４は、第８の実施の形態の液晶表示装置８００について、平面図及び断面図を示すもので、第６の実施の形態の図１２に相当する模式図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第６の実施の形態と同様であり、下基板１０の内面に形成した突起の構成と、上基板２５の内面側に形成された電極スリットの構成と、走査線１３上に形成した突起の構成とが第６の実施の形態と異なっている。したがって、図１４においては図１２と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図１４に示すように、第８の実施の形態の液晶表示装置８００においては、下基板１０の内面側に平面視長手状若しくは短冊状の突起２９ｂを形成しており、また上基板２５の内面に形成した画素電極９には、同じく平面視長手状若しくは短冊状のスリット４８ａが形成されている。なお、これら突起２９ｂとスリット４８ａは平面的に互い違いの位置に配設され、つまり隣合うスリット４８ａ，４８ａの間に平面的に位置するように突起２９ｂが形成されている。

一方、下基板１０の内面側であって、上基板２５に形成された走査線１３と重畳する位置には、突起３９ａ，３９ｂが断片的に形成されている。このように走査線１３が形成された基板と対向する基板側に突起３９ａ，３９ｂを形成することによっても、その凸形状に基づく液晶分子の配向規制力が走査線１３と画素電極３１との間の横電界による影響を打ち消し、すなわち凸形状に沿って液晶分子を好適に配向規制することが可能となる。

そして、本実施の形態では、図１４（ｂ）に示すように、反射表示領域Ｒにおいて走査線１３に重畳して配設された突起３９ａの高さを、該反射表示領域Ｒの液晶層厚と同じとなるように形成している。つまり、該反射表示領域Ｒに形成した突起３９ａが、液晶層厚を規制するためのスペーサー（フォトスペーサー）として兼用された構成となっている。この場合、突起３９ａの形成により、走査線１３付近の液晶分子の配向乱れ（ディスクリネーション）の発生を防止ないし抑制することが可能となるとともに、簡便な構成で均一な液晶セル厚を実現でき、しかも製造工程の簡略化も図ることが可能となる。

なお、図１２〜図１４に示した半透過反射型の液晶表示装置において、カラーフィルタ２２及び液晶層厚を調整する絶縁膜２６は、図１５に示した液晶表示装置９００のように、上基板２５の内面側に形成することも可能である。また、突起２９ａ，２９ｂ、スリット３２，４８ａ、突起３８，３９ａ３９ｂの形成位置や配列等は、液晶分子を倒したい方向等により適宜変更することが可能である。つまり、例えば図１２の液晶表示装置６００において突起２９ａを上基板２５側に形成し、スリット３２を下基板１０の内面に形成された共通電極９に対して形成することも可能である。

［第９の実施の形態］
以下、本発明の第９の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図１６は、第９の実施の形態の液晶表示装置９５０について回路構成の概略を示すもので、本実施の形態の液晶表示装置９５０はスイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクスタイプの液晶表示装置である。また、図１７は液晶表示装置９５０の断面構成を示す模式図であって、第６の実施の形態の図１２に相当する図面である。したがって、図１７においては図１２と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

まず、図１６に示すように、本実施の形態の液晶表示装置９５０においてマトリクス状に配置された複数のドットには画素電極１９０と、当該画素電極１９０を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０とがそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線１９が当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。また、走査線１１３がＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線１１３に対して走査信号が所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極１９０はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることにより、データ線１９から供給される画像信号を所定のタイミングで書き込むものとされている。

このように各画素電極１９０を取り囲むように配置されたデータ線１９及び走査線１１３に対し、本実施の形態では、これらデータ線１９及び走査線１１３を覆う形にて突起１３８が形成されている。具体的には、画素電極１９０とデータ線１９とに跨って突起１３８が形成され、同じく画素電極１９０と走査線１１３とに跨る形にて突起１３８が形成されている。

図１７に示すように、突起１３８は上基板１２５の内面に形成されたデータ線１９を覆うように形成されている。本実施の形態の液晶表示装置９５０は、上基板１２５がＴＦＴアレイ基板として構成され、該上基板１２５の内面には画素電極１９０と走査線１９とが形成されている。また、下基板１１０が対向基板として構成され、該下基板１１０の内面には全面ベタ状の共通電極１２７が形成されている。なお、各画素電極１９０及び共通電極１２７の内面には垂直配向性の配向膜３３，２７が、それぞれ第６の実施の形態と同様に形成されている。

このようにスイッチング素子としてＴＦＴ３０を用いた本実施の形態の液晶表示装置９５０においても、下基板１１０の内面に突起２９ａを形成する一方、画素電極１９０にスリット３２を形成し、それぞれ突起２９ａの凸形状に沿って、及びスリット形成に基づく斜め電界によってドット内の液晶分子の傾倒方向が規制されることとなる。また、信号線としての走査線１９及びデータ線１１３に対しても、それぞれ走査線１９及びデータ線１１３を覆うように突起１３８を形成したため、これら走査線１９及びデータ線１１３と画素電極１９０との間を電気的に遮蔽し、両者間の横電界の発生を防止ないし抑制している。その結果、横電界に基づく液晶分子の配向不良が生じ難く、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、さらには視野角の広い半透過反射型の液晶表示装置を提供することが可能となる。

なお、図１８に示すように、走査線１９及びデータ線１１３付近の液晶分子を配向規制するための突起１３９を下基板（対向基板）１１０側に形成しても良い。つまり、走査線１９及びデータ線１１３に対して平面的に重畳する形にて下基板１１０内面に突起１３９を形成した場合も、該突起１３９の凸形状に基づく配向規制力により、走査線１９及びデータ線１１３と画素電極１９０との間の横電界の影響を低減させ、液晶分子の傾倒方向を凸形状に沿って指向させることが可能となる。

また、図１７及び図１８に示すように、突起１３８，１３９は、液晶分子を傾倒させたい方向によって適宜形成位置や形状を選択可能で、画素内の突起２９ａ、電極スリット３２についても、液晶分子の傾倒方向によってその形成位置を適宜選択することができる。例えば、図９に示したように、隣合う画素電極１９０，１９０間に配設された走査線１９（データ線１１３）を覆うように突起１３８を形成することで、横電界の発生を防止ないし抑制するとともに、その凸形状に基づいて液晶分子の配向規制を行うことが可能であるが、図８に示したように、各画素電極１９０，１９０の外縁の一部を覆うように、つまり画素電極１９０と走査線１９（データ線１１３）とに跨って突起１３８を形成することで、横電界の発生を一層効果的に抑制することが可能となる。

また、図９に示したように、異なる画素電極１９０，１９０間に配設された走査線１９（データ線１１３）と重畳するように、走査線１９（データ線１１３）が形成された基板２５Ａとは異なる基板１０Ａ側に突起１３９を形成する場合も、隣合う画素電極１９０，１９０の外縁の一部を覆う形にて重畳させることが好ましい。この場合、凸形状に基づく配向規制力により、画素電極１９０と走査線１９（データ線１１３）との間の横電界の影響を一層低減させることが可能となる。

なお、図１１に示すように、少なくとも走査線１９（データ線１１３）の近傍に突起が形成されていれば良く、走査線１９（データ線１１３）上を覆うことなく、画素電極１９０と走査線１９（データ線１１３）との間に突起１３８ａを形成する構成でも良い。また、走査線１９（データ線１１３）の対向側に突起を形成する場合も、必ずしも走査線１９（データ線１１３）に重畳させる必要はなく、画素電極１９０と走査線１９（データ線１１３）との間であって、走査線１９（データ線１１３）が形成された基板と対向する基板に突起１３９ａを形成する構成としても良い。

また、図１９に示すように、走査線１９（データ線１１３）を覆う形にて形成した突起１３８（１３９）が透過表示領域Ｔに配設されてなる場合、その突起１３８（１３９）に平面的に重畳する形にて遮光膜１２６を形成することが好ましい。本実施の形態のような突起１３８（１３９）を形成した場合、突起１３８（１３９）の傾斜面上において垂直配向した液晶分子は、基板面に対しては垂直方向に配向しないため、光抜けが生じる惧れがある。そこで、図１９のように突起１３８（１３９）と平面的に重なる形にて遮光膜１２６を形成することで、そのような光抜けを防止ないし抑制することが可能となり、高コントラストで表示特性の高い液晶表示装置を提供することが可能となる。

このような遮光膜１２６としてはクロムやニッケル等の遮光性の金属膜、或いはカーボンやチタンをフォトレジストに分散させた樹脂ブラック膜等を用いることができ、突起１３８（１３９）が形成された基板と同一の基板及び／又は異なる基板に形成することができる。その他、突起１３８（１３９）自身に遮光性の顔料を含ませて当該突起１３８（１３９）自身を遮光層として兼用する構成を採用することも可能である。

また、図２０に示すように、反射表示領域Ｒに反射膜２０をパターニングする際に、突起１３８（１３９）と重なる領域に対しても反射膜１２０を形成することで、該突起１３８（１３９）の形成領域を遮光することが可能である。この場合、別途製造プロセスを増やすことなく、突起１３８（１３９）形成領域における上記光抜けの発生を防止ないし抑制することができる。

なお、突起１３８（１３９）をフォトスペーサーとして兼用する場合、該フォトスペーサーは滑らかな形状を得ることが困難な場合が多いため、特に光漏れの可能性が高くなる。したがって、突起１３８（１３９）をフォトスペーサーとして兼用する場合に上記遮光膜１２６，反射膜１２０を形成することで、一層光漏れの効果を高めることが可能となる。

［電子機器］
次に、本発明の上記実施の形態の液晶表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図２１は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２１において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記液晶表示装置を用いた表示部を示している。このような携帯電話等の電子機器の表示部に、上記実施の形態の液晶表示装置を用いた場合、使用環境によらずに明るく、コントラストが高く、広視野角の液晶表示部を備えた電子機器を実現することができる。

なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば透過型、反射型、半透過反射型のいずれに対しても、スイッチング素子としてＴＦＤ又はＴＦＴのいずれかを選択可能であり、突起又はスリットの組み合わせも、上述した各実施の形態のいずれをも選択することが可能である。

本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の等価回路図。 同、液晶表示装置の電極構成を示す平面模式図。 同、液晶表示装置の要部を示す平面模式図及び断面模式図。 第２の実施の形態の液晶表示装置の要部を示す平面模式図及び断面模式図。 第３の実施の形態の液晶表示装置の要部を示す平面模式図及び断面模式図。 第４の実施の形態の液晶表示装置の要部を示す平面模式図及び断面模式図。 第５の実施の形態の液晶表示装置の要部を示す平面模式図及び断面模式図。 第１の実施の形態の液晶表示装置の要部を拡大して示す説明図。 図８の変形例を示す説明図。 第２の実施の形態の液晶表示装置の要部を拡大して示す説明図。 図１０の一変形例を示す説明図。 第６の実施の形態の液晶表示装置の要部を示す平面模式図及び断面模式図。 第７の実施の形態の液晶表示装置の要部を示す平面模式図及び断面模式図。 第８の実施の形態の液晶表示装置の要部を示す平面模式図及び断面模式図。 図１４の液晶表示装置の変形例を示す平面模式図及び断面模式図。 第９の実施の形態の液晶表示装置について回路構成の概略を示す模式図。 図１６の液晶表示装置の要部を示す断面模式図。 図１６の液晶表示装置の一変形例について、その要部を示す断面模式図。 図１６の液晶表示装置の一変形例について、その要部を示す断面模式図。 図１６の液晶表示装置の一変形例について、その要部を示す断面模式図。 本発明の電子機器の一例を示す斜視図。

符号の説明

９…共通電極（ストライプ電極、データ線）、１０…下基板（対向基板）、１０Ａ…基板本体、１３…走査線（信号線）、２５…上基板（対向基板）、２５Ａ…基板本体、２８…突起（凸状部）、３１…画素電極、３８…突起（凸状部）、４９…スリット、５０…液晶層、Ｒ…反射表示領域、Ｔ…透過表示領域

Claims (19)

1. 一対の基板間に液晶層を挟持してなり、所定の画素単位毎に表示を行う液晶表示装置であって、
   前記液晶層は、誘電異方性が負の液晶にて構成されるとともに、前記一対の基板のうち一方の基板には、前記画素に対して信号を供給する信号線が形成され、
   互いに隣り合った第１画素及び第２画素のそれぞれに、スリットと複数の島状部を備えた画素電極が設けられており、
   前記信号線上又は平面的に前記信号線と前記画素電極との間の領域であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に、誘電体からなる複数の島状の凸状部が形成されてなり、
   前記凸状部は、平面的に前記第１画素の島状部と前記第２画素の島状部との間に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 一対の基板間に液晶層を挟持してなり、所定の画素単位毎に表示を行う液晶表示装置であって、
   前記液晶層は、誘電異方性が負の液晶にて構成されるとともに、前記一対の基板のうち一方の基板には、前記画素に対して信号を供給する信号線が形成され、
   互いに隣り合った第１画素及び第２画素のそれぞれに、スリットと複数の島状部を備えた画素電極が設けられており、
   前記信号線を平面的に覆うように、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に、誘電体からなる複数の島状の凸状部が形成されてなり、
   前記凸状部は、平面的に前記第１画素の島状部と前記第２画素の島状部との間に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
3. 前記凸状部は、前記信号線に沿って長手状に延設されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
4. 前記凸状部は、前記信号線に沿って点状に並設されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
5. 前記画素電極と前記信号線との間に前記凸状部の少なくとも一部が配設されてなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
6. 前記凸状部は、前記画素電極と前記信号線とに平面的に跨って形成されてなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
7. 前記凸状部は、前記画素電極の外縁から前記信号線まで平面的に跨って形成されてなることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
8. 前記凸状部は、前記画素電極の一部と前記信号線との双方を覆う形にて形成されてなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
9. 前記凸状部は、前記信号線が形成された基板側に配設されてなることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
10. 前記凸状部は、前記信号線が形成された基板とは異なる基板側に配設されてなることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
11. 前記凸状部と平面的に重なる形にて遮光膜が形成されてなることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
12. 前記凸状部は、前記画素毎に複数形成されてなることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
13. 前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板の内面側には、該一対の基板の間隔を規制するスペーサーが形成されてなり、該スペーサーと同一の材料で前記凸状部が形成されてなることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
14. 前記凸状部は、前記垂直配向した液晶分子が電界変化に基づいて倒れる方向を規制する構成を具備していることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
15. 前記一対の基板のうち一方の基板の前記液晶層と反対側にはバックライトが設けられ、前記一対の基板のうち他方の基板の外面側から表示が視認されることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
16. 前記一対の基板のうち一方の基板の液晶層側には反射層が設けられ、前記一対の基板のうち他方の基板の外面側から表示が視認されることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
17. 所定の画素単位毎に表示を行う液晶表示装置であって、
    一対の基板間に挟持され、誘電異方性が負の液晶にて構成される液晶層と、
    前記一対の基板のうち一方の基板に形成され、前記画素に対して信号を供給する信号線と、
    前記信号線上又は平面的に前記信号線と画素電極との間の領域であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に形成された、誘電体からなる複数の島状の凸状部と、
    互いに隣り合った第１画素及び第２画素のそれぞれに設けられ、反射層が形成された反射表示領域と、
    互いに隣り合った第１画素及び第２画素のそれぞれに設けられ、前記反射層が形成されていない透過表示領域と、
    前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板と前記液晶層との間に設けられ、前記透過表示領域の前記液晶層の層厚を前記反射表示領域の前記液晶層の層厚よりも厚くする液晶層厚調整層と、を備え、
    前記凸状部が、平面的に、前記第１画素における前記液晶層の層厚が厚い領域と前記第２画素における前記液晶層の層厚が厚い領域との間に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
18. 所定の画素単位毎に表示を行う液晶表示装置であって、
    一対の基板間に挟持され、誘電異方性が負の液晶にて構成される液晶層と、
    前記一対の基板のうち一方の基板に形成され、前記画素に対して信号を供給する信号線と、
    前記信号線を平面的に覆うように、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に形成された、誘電体からなる複数の島状の凸状部と、
    互いに隣り合った第１画素及び第２画素のそれぞれに設けられ、反射層が形成された反射表示領域と、
    互いに隣り合った第１画素及び第２画素のそれぞれに設けられ、前記反射層が形成されていない透過表示領域と、
    前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板と前記液晶層との間に設けられ、前記透過表示領域の前記液晶層の層厚を前記反射表示領域の前記液晶層の層厚よりも厚くする液晶層厚調整層と、を備え、
    前記凸状部が、平面的に、前記第１画素における前記液晶層の層厚が厚い領域と前記第２画素における前記液晶層の層厚が厚い領域との間に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
19. 請求項１ないし１８のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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