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JP3077941B2 - 放射線検出素子及びその製造方法 - Google Patents

放射線検出素子及びその製造方法

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Publication number
JP3077941B2
JP3077941B2 JP10535567A JP53556798A JP3077941B2 JP 3077941 B2 JP3077941 B2 JP 3077941B2 JP 10535567 A JP10535567 A JP 10535567A JP 53556798 A JP53556798 A JP 53556798A JP 3077941 B2 JP3077941 B2 JP 3077941B2
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JP
Japan
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light receiving
protective film
moisture
resin
radiation
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP10535567A
Other languages
English (en)
Inventor
卓也 本目
敏雄 高林
宏人 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Application granted granted Critical
Publication of JP3077941B2 publication Critical patent/JP3077941B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20188Auxiliary details, e.g. casings or cooling
    • G01T1/20189Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、放射線検出素子、特に、医療用のX線撮影
等に用いられる大面積の受光部を有する放射線検出素子
に関する。
背景技術 医療、工業用のX線撮影では、従来、X線感光フィル
ムが用いられてきたが、利便性や撮影結果の保存性の面
から放射線検出素子を用いた放射線イメージングシステ
ムが普及してきている。このような放射線イメージング
システムにおいては、複数の画素を有する放射線検出素
子を用いて放射線による2次元画像データを電気信号と
して取得し、この信号を処理装置により処理して、モニ
タ上に表示している。代表的な放射線検出素子は、1次
元あるいは2次元に配列された光検出器上にシンチレー
タを配して、入射する放射線をシンチレータで光に変換
して、検出する仕組みになっている。
典型的なシンチレータ材料であるCs Iは、吸湿性材料
であり、空気中の水蒸気(湿気)を吸収して溶解する。
この結果、シンチレータの特性、特に解像度が劣化する
という問題があった。
シンチレータを湿気から保護する構造とした放射線検
出素子としては、特開平5−196742号公報に開示された
技術が知られている。この技術では、シンチレータ層の
上部に水分不透過性の防湿バリヤを形成することによ
り、シンチレータを湿気から保護している。
発明の開示 しかし、この技術では、シンチレータ層外周部の防湿
バリヤを放射線検出素子の基板に密着させることが難し
く、特に、胸部X線撮影などに用いる大面積の放射線検
出素子においては、外周部の長さが長いため、防湿バリ
ヤがはがれやすくなって、シンチレータ層が完全に密封
されず、水分がシンチレータ層に侵入してその特性が劣
化しやすいという欠点がある。
また、この技術では、防湿バリヤの水分シール層は、
シリコーンポッティング材等を液状の状態でシンチレー
タ層に塗工するか、放射線検出素子の受光面側に設置す
る窓材の内側にこのシリコーンポッティング材等を塗工
した後、水分シール層の乾燥前にこの窓材をシンチレー
タ層上に設置することにより、水分シール層を固定する
製造方法が開示されている。この製造方法では、水分シ
ール層を表面形状が不規則なシンチレータ層上に均一に
形成することが難しく、密着性が低下する可能性があ
る。この点は、特に、大面積の放射線検出素子で起こり
やすい。
本発明は、上記の問題点に鑑みてシンチレータの防湿
用に均一で製造が容易な保護膜を有する放射線検出素子
及びその製造方法を提供することを課題とするものであ
る。
この課題を解決するために、本発明の放射線検出素子
は、(1)複数の受光素子を基板上に1次元あるいは2
次元に配列して受光部を形成し、この受光部の各行又は
各列の受光素子と電気的に接続された複数のボンディン
グパッドを受光部の外部に配置した受光素子アレイと、
(2)受光部の受光素子上に堆積された放射線を可視光
に変換するシンチレータ層と、(3)受光素子アレイ上
のシンチレータ層が形成された領域とボンディングパッ
トの配置された領域を区分する閉じた枠状に形成された
樹脂からなる一つあるいは複数の樹脂枠と、(4)少な
くともシンチレータ層を覆うとともに、樹脂枠上まで達
して少なくともボンディングパッド部を露出させている
放射線透過性の耐湿保護膜と、を備えていることを特徴
とする。
これにより、入射した放射線は、シンチレータ層で可
視光に変換される。この可視光像を1次元あるいは2次
元に配列された受光素子により検出することで、入射す
る放射線像に対応する画像電気信号が得られる。シンチ
レータ層は吸湿によって劣化する性質を有するが、本発
明によれば、シンチレータ層は耐湿保護膜によって覆わ
れており、この耐湿保護膜は樹脂枠によって受光素子ア
レイに密着しているので、シンチレータ層は完全に密封
されて外気から隔離され、空気中の水蒸気から保護され
ている。さらに、外部回路との接続用のボンディングパ
ッド部は、露出されている。
この樹脂枠は、シンチレータ層を囲む矩形形状か一つ
あるいは複数のボンディングパッド領域をそれぞれ囲む
矩形形状に形成することが好ましい。
また、樹脂枠に沿って耐湿保護膜の縁を覆う被覆樹脂
をさらに備えていてもよい。これにより、耐湿保護膜の
縁は、樹脂枠と被覆樹脂によって上下から挟まれ、強固
に接着される。
一方、本発明の放射線検出素子の製造方法は、(1)
複数の受光素子を基板上に1次元あるいは2次元に配列
して受光部を形成し、この受光部の各行又は各列の受光
素子と電気的に接続された複数のボンディングパッドを
受光部の外部に配置した受光素子アレイの受光部の受光
素子上に放射線を可視光に変換するシンチレータ層を堆
積させる工程と、(2)受光素子アレイ上に樹脂により
シンチレータ層とボンディングパッド部を区分する一つ
あるいは複数の閉じた枠状の樹脂枠を形成する工程と、
(3)受光素子アレイ全体を包み込む放射線透過性の耐
湿保護膜を形成する工程と、(4)樹脂枠の長手方向に
沿って、耐湿保護膜を切断し、ボンディングパット部上
の耐湿保護膜を除去してボンディングパッド部を露出さ
せる工程と、を有することを特徴とする。
受光素子アレイ全体を包みこむように耐湿保護膜を形
成することで、シンチレータ層と耐湿保護膜の密着度が
向上し、均一な膜が形成される。耐湿保護膜を形成して
から、ボンディングパッド部分の保護膜を取り除くこと
により、ボンディングパッド部が確実に露出される。保
護膜の下に形成された樹脂枠により、保護膜切断時のカ
ッターの切り込み深さに余裕が生ずる。さらに、樹脂枠
により、保護膜の縁が基板に密着され、封止が確実にな
る。
さらに、切断した耐湿保護膜の縁を樹脂枠に沿って樹
脂により覆って接着する工程をさらに備えていてもよ
い。これにより、耐湿保護膜の縁は、樹脂枠とこの樹脂
に挟み込まれて強固に接着される。
本発明は以下の詳細な説明および添付図面によりさら
に十分に理解可能となる。これらは単に例示のために示
されるものであって、本発明を限定するものと考えるべ
きではない。
本発明のさらなる応用範囲は、以下の詳細な発明から
明らかになるだろう。しかしながら、詳細な説明および
特定の事例は本発明の好適な実施形態を示すものではあ
るが、例示のためにのみ示されているものであって、本
発明の思想および範囲における様々な変形および改良は
この詳細な説明から当業者には明らかであることははっ
きりしている。
図面の簡単な説明 図1は、本発明の一実施形態の上面図であり、図2
は、そのA−A線拡大断面図である。
図3〜図11は、図1および図2に係る実施形態の製造
工程を示す図である。
図12は、本発明の別の実施形態の上面図であり、図13
は、そのB−B線拡大断面図である。
発明を実施するための最良の形態 以下、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明
する。なお、理解を容易にするために各図面において同
一の構成要素に対しては可能な限り同一の参照番号を附
し、重複する説明は省略する。また、各図面における寸
法、形状は実際のものとは必ずしも同一ではなく、理解
を容易にするため誇張している部分がある。
図1は、本発明の一実施形態の上面図であり、図2は
その外周辺部のA−A線拡大断面図である。
まず、図1、図2を参照して本実施形態の構成を説明
する。絶縁性、例えばガラス製の基板1上に、光電変換
を行う受光素子2が2次元上に配列されて、受光部を形
成している。この受光素子2は、アモルファスシリコン
製のフォトダイオード(PD)や薄膜トランジスタ(TF
T)から構成されている。各行又は各列の受光素子2の
各々は、信号読み出し用の信号線3により電気的に接続
されている。外部回路(図示していない)へ信号を取り
出すための複数のボンディングパッド4は、基板1の外
周辺、例えば隣接する2辺、に沿って配置されており、
信号線3を介して対応する複数の受光素子2に電気的に
接続されている。受光素子2及び信号線3上には、絶縁
性のパッシベーション膜5が形成されている。このパッ
シベーション膜5には、窒化シリコン、又は酸化シリコ
ンを用いることが好ましい。一方、ボンディングパッド
4は、外部回路との接続のために露出されている。以
下、この基板及び基板上の回路部分を受光素子アレイ6
と呼ぶ。
受光素子アレイ6の受光部上には、入射した放射線を
可視光に変換する柱状構造のシンチレータ7が形成され
ている。シンチレータ7には、各種の材料を用いること
ができるが、発光効率が良いTlドープのCs Iが好まし
い。また、受光素子アレイ6の受光部の外周を囲み、ボ
ンディングパッドの内側位置には、細長い枠状に形成さ
れた樹脂製の樹脂枠8が配置されている。この樹脂枠8
には、シリコン樹脂である信越化学製のKJR651あるいは
KE4897、東芝シリコン製TSE397、住友3M製DYMAX625T等
を用いることが好ましい。これらは、半導体素子の機械
的、電気的保護のための表面処理用に広く用いられてお
り、後述する上部に形成される保護膜12との密着性も高
いからである。
樹脂枠8の枠内のシンチレータ7上には、いずれもX
線を透過し、水蒸気を遮断する第1の有機膜9と、無機
膜10と、第2の有機膜11とがそれぞれ積層されて保護膜
12を形成している。
第1の有機膜9と第2の有機膜11には、ポリパラキシ
リレン樹脂(スリーボンド社製、商品名パリレン)、特
にポリパラクロロキシリレン(同社製、商品名パリレン
C)を用いることが好ましい。パリレンによるコーティ
ング膜は、水蒸気及びガスの透過が極めて少なく、撥水
性、耐薬品性も高いほか、薄膜でも優れた電気絶縁性を
有し、放射線、可視光線に対して透明であるなど有機膜
9、11にふさわしい優れた特徴を有している。パリレン
によるコーティングの詳細については、スリーボンド・
テクニカルニュース(平成4年9月23日発行)に記され
ており、ここでは、その特徴を述べる。
パリレンは、金属の真空蒸着と同様に真空中で支持体
の上に蒸着する化学的蒸着(CVD)法によってコーティ
ングすることができる。これは、原料となるP−キシレ
ンを熱分解して、生成物をトリエン、ベンゼンなどの有
機溶媒中で急冷しダイマーと呼ばれるジパラキシリレン
を得る工程と、このダイマーを熱分解して、安定したラ
ジカルパラキシリレンガスを生成させる工程と、発生し
たガスを素材上に吸着、重合させて分子量約50万のポリ
パラキシリレン膜を重合形成させる工程からなる。
パリレン蒸着時の圧力は、金属真空蒸着の場合の圧力
0.001トールに比べて高い0.1〜0.2トールである。そし
て、蒸着時には、単分子膜が被着物全体を覆った後、そ
の上にパリレンが蒸着していく。したがって、0.2μm
厚さからの薄膜をピンホールのない状態で均一な厚さに
生成することができ、液状では不可能だった鋭角部やエ
ッジ部、ミクロンオーダの狭い隙間へのコーティングも
可能である。また、コーティング時に熱処理等を必要と
せず、室温に近い温度でのコーティングが可能なため、
硬化に伴う機械的応力や熱歪みが発生せず、コーティン
グの安定性にも優れている。さらに、ほとんどの固体材
料へのコーティングが可能である。
また、無機膜10にはX線透過性であれば、可視光に対
しては、透明、不透明、反射性などの各種の材料を用い
ることができ、Si、Ti、Crの酸化膜や金、銀、アルミな
どの金属薄膜が使用できる。特に、可視光に対して反射
性の膜を用いると、シンチレータ7で発生した蛍光が外
に漏れるのを防ぎ感度を上昇させる効果があるので好ま
しい。ここでは、成形が容易なAlを用いた例について説
明する。Al自体は空気中で腐蝕しやすいが、無機膜10
は、第1の有機膜9及び第2の有機膜11で挟まれている
ため、腐蝕から守られている。
この保護膜12は、前述したパリレンコーティングによ
って形成されるが、CVD法によって形成されるため、受
光素子アレイ6の表面全体を覆うように形成される。そ
のため、ボンディングパッド4を露出させるためには、
ボンディングパッド4より内側でパリレンコーティング
で形成された保護膜12を切断して、外部の保護膜12を除
去する必要がある。後述するように、樹脂枠8の枠部分
の略中心付近で保護膜12を切断することにより、保護膜
12の外周部は樹脂枠8によって固定されるので、保護膜
12が外周部からはがれるのを防止することができる。さ
らに、この保護膜12の外周部は、被覆樹脂13によってそ
の下の樹脂枠8とともにコーティングされている。被覆
樹脂13には、保護膜12及び樹脂枠8への接着性が良好な
樹脂、例えばアクリル系接着剤である協立化学産業株式
会社製WORLD ROCK No.801−SET2(70,000cPタイプ)
を用いることが好ましい。この樹脂接着剤は、100mW/cm
2の紫外線照射により約20秒で硬化し、硬化皮膜は柔軟
かつ十分な強度を有し、耐湿、耐水、耐電触性、耐マイ
グレーション性に優れており、各種材料、特にガラス、
プラスチック等への接着性が良好で、被覆樹脂13として
好ましい特性を有する。あるいは、樹脂枠8と同じシリ
コン樹脂を用いてもよい。または、樹脂枠8にこの被覆
樹脂13とおなじアクリル系接着剤を用いてもよい。
次に、図3〜図11を参照して、この実施形態の製造工
程について説明する。図3に示されるような受光素子ア
レイ6の受光面上に図4に示されるように、Tlをドープ
したCs Iの柱状結晶を蒸着法によって600μmの厚さだ
け成長させてシンチレータ7層を形成する。
一方、図5に示されるように受光部と受光素子アレイ
のそれぞれの外周の間で、ボンディングパッド4の内側
のパッシベーション膜5上に受光部の外辺に沿って樹脂
枠8が幅1mm、高さ0.6mmの細長い枠状に形成される。こ
の枠形成には、例えば、岩下エンジニアリング製AutoSh
ooter−3型のような自動X−Yコーティング装置を用
いるとよい。この時に、上部に形成される第1の有機膜
9との密着性をさらに向上させるため、樹脂枠8の表面
を粗面処理すればより好ましい。粗面処理としては、筋
をいれたり、表面に多数の小さなくぼみを形成する処理
がある。
シンチレータ7層を形成するCs Iは、吸湿性が高く、
露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して溶
解してしまう。そこで、これを防止するために、図6に
示されるように、CVD法により厚さ10μmのパリレンで
基板全体を包み込んで第1の有機膜9を形成する。Cs I
の柱状結晶には隙間があるが、パリレンはこの狭い隙間
にある程度入り込むので、第1の有機膜9は、シンチレ
ータ層に密着する。さらに、パリレンコーティングによ
り、凹凸のあるシンチレータ7層表面に均一な厚さの精
密薄膜コーティングが得られる。また、パリレンのCVD
形成は、前述したように、金属蒸着時よりも低真空で、
かつ常温で行うことができるため、加工が容易である。
さらに、図7に示されるように、入射面側の第1の有
機膜9表面に0.2μm厚さのAl膜を蒸着法により積層し
て無機膜10を形成する。そして、再度CVD法により、パ
リレンを基板全体の表面に10μm厚さで被覆して第2の
有機膜11を形成する(図8参照)。この第2の有機膜11
には、無機膜10の腐蝕による劣化を防ぐ。
こうして形成した保護膜12を樹脂枠8の長手方向に沿
ってカッター14で切断する(図9参照)。樹脂枠8で凸
部が形成されているため、切断箇所の確認が容易なほ
か、樹脂枠8の厚みの分だけカッター14を挿入する際の
余裕があるため、樹脂枠8の下にある信号線3を傷つけ
るおそれがなくなり、加工が簡単になり、製品の歩留ま
りが向上する。そして、この切断部から外側及び入射面
裏側の保護膜12を除去して、外部回路との接続用のボン
ディングパッド4を露出させる(図10参照)。その後、
保護膜12の外周部と露出した樹脂枠8を覆うようにアク
リル樹脂からなる被覆樹脂13でコーティングして紫外線
照射により、被覆樹脂13を硬化させる(図11参照)。
ここで、一般にパッシベーション膜5と第1の有機膜
9は、密着性が悪い。しかし、本実施形態の構造によれ
ば、第1の有機膜9とパッシベーション膜5との間に双
方と密着する樹脂枠8を介しているため、第1の有機膜
9が樹脂枠8によりパッシベーション膜5に密着する。
また、被覆樹脂13を設けなくとも、保護膜12は、樹脂枠
8を介して受光素子アレイ12に密着するが、被覆樹脂13
を形成すれば、第1の有機膜9を含む保護膜12が樹脂枠
8と被覆樹脂13に挟み込まれて固定されるので、受光素
子アレイ6上への保護膜12の密着性がより一層向上して
好ましい。したがって、保護膜12によりシンチレータ7
が密封されるので、シンチレータ7への水分の侵入を確
実に防ぐことができ、シンチレータ7の吸湿劣化による
素子の解像度低下を防ぐことができる。
続いて、本実施形態の動作を図1、図2により、説明
する。入射面側から入射したX線(放射線)は、第1の
有機膜9、無機膜10、第2の有機膜11の全てを透過して
シンチレータ7に達する。このX線は、シンチレータ7
で吸収され、X線の光量に比例した可視光が放射され
る。放射された可視光のうち、X線の入射方向に逆行し
た可視光は、第2の有機膜11を透過して、無機膜10で反
射される。このため、シンチレータ7で発生した可視光
はほとんど全てが、パッシベーション膜5を経て受光素
子2に入射する。このため、効率の良い検出が可能とな
る。
各々の受光素子2では、光電変換により、この可視光
の光量に対応する電気信号が生成されて一定時間蓄積さ
れる。この可視光の光量は入射するX線の光量に対応し
ているから、つまり、各々の受光素子2に蓄積されてい
る電気信号は、入射するX線の光量に対応することにな
り、X線画像に対応する画像信号が得られる。受光素子
2に蓄積されたこの画像信号を信号線3を介してボンデ
ィングパッド4から順次読み出すことにより、外部に転
送し、これを所定の処理回路で処理することにより、X
線像を表示することができる。
以上の説明では、保護膜12としてパリレン製の第1の
有機膜9、11の間に無機膜10を挟み込んだ構造のものに
ついて説明したが、第1の有機膜9と第2の有機膜11の
材料は異なるものでも良い。また、無機膜10として腐蝕
に強い材料を使用しているような場合は、第2の有機膜
11自体を設けなくてもよい。
また、ここでは、樹脂枠8と被覆樹脂13が受光素子ア
レイ6の受光素子2部分の外側のパッシベーション膜5
上に形成されている例を説明したが、受光素子2とボン
ディングパッド4が近接している場合には、その境界部
分に樹脂枠8を形成するのは困難である。ボンディング
パッド4を確実に露出させ、かつ保護膜12の周囲を被覆
樹脂13で確実にコーティングするためには、樹脂枠8お
よび被覆樹脂13の位置を受光素子2側にずらすことが好
ましい。そのためには、シンチレータ7を受光素子2上
の全面に形成するのではなく、ボンディングパッド4近
傍の画素を除いた有効画面領域の受光素子2上に形成す
る。そして、有効画面領域の外側、つまり無効画素上に
樹脂枠8を形成した上で、形成したシンチレータ7の層
全部を覆い、樹脂枠8に達するように保護膜12を形成す
る。その後、樹脂枠8の長手方向に沿って保護膜12を切
断し、有効画面領域外の保護膜12を除去し、樹脂枠8に
沿って保護膜12の縁を被覆樹脂13によりコーティングす
ればよい。この場合、ボンディングパッド4近傍の画素
は樹脂枠8と被覆樹脂13で覆われるか、前面にシンチレ
ータ7が存在しないので、その放射線に対する感度が低
下し、結果としてこれらの画素は使用できず受光素子2
の有効画素数、有効画面面積が減少することとなるが、
受光素子2が大画面で全画素数が多い場合には、無効画
素の比率は少なく、素子の構成によっては製作が容易に
なるメリットがある。
次に、図12、図13を参照して本発明の別の実施形態に
ついて説明する。図12はこの実施形態の放射線検出素子
の上面図であり、図13はそのB−B線拡大断面図であ
る。この素子の基本的な構成は、図1および図2に示さ
れる実施形態の素子と同一であり、相違点のみを以下、
説明する。
図12、図13に示されるこの実施形態では、保護膜12は
受光素子アレイ6の受光面側および裏面側の前面に形成
されており、ボンディングアレイ4部分のみが露出され
ている。そして、露出されたボンディングアレイ4部分
を囲むように、樹脂枠8が形成されており、この樹脂枠
8上で保護膜12の境界(縁)に沿って被覆樹脂13がコー
ティングされている。本実施形態でも、ボンディングパ
ッド4部が確実に露出されるとともに、保護膜12は樹脂
枠8と被覆樹脂13により受光素子アレイ6に確実に密着
されるのでシンチレータ7層が密封されて、吸湿による
劣化を防止することができる。
これは特にボンディングパッド4部が小さいCCDやMOS
型の撮像素子の場合に保護膜のはがれを引き起こすおそ
れのある境界部分である縁部分の長さを減らすことがで
き有効である。
さらに、以上の説明では、受光素子上のシンチレータ
側から放射線を入射させるいわゆる表面入射型の放射線
検出素子について説明してきたが、本発明は、基板側か
ら放射線を入射させるいわゆる裏面入射型の放射線検出
素子への適用も可能である。こうした裏面入射型の放射
線検出素子は、高エネルギーの放射線検出素子として用
いることができる。
以上、説明したように、本発明によれば、吸湿製の高
いシンチレータを保護するために、シンチレータ上にパ
リレン等からなる保護膜が形成されており、この保護膜
の外周は樹脂層により受光素子アレイに接着されている
ので、シンチレータ層が密封される。特に、保護膜の縁
からのはがれが防止されているので、耐湿性が向上す
る。
さらに、この縁を被覆樹脂で覆えば、密封性がより一
層向上して、耐湿性が増す。
本発明の製造方法によれば、保護膜を形成後不要部分
を除去するので、必要部分のみに保護膜を形成する場合
に比べて均一な状態の保護膜形成が容易であり、ボンデ
ィングパッドが確実に露出される。また、シンチレータ
層の柱状結晶の隙間に保護膜が浸透するので保護膜とシ
ンチレータ層の密着性が増す。また、切断時に樹脂層の
厚さだけカッターの切り込み余裕があるので、切断工具
の精度を上げなくとも検出信号を読み出す信号線を傷つ
けることがなく、製品の歩留まりが向上する。
以上の本発明の説明から、本発明を様々に変形しうる
ことは明らかである。そのような変形は、本発明の思想
および範囲から逸脱するものとは認めることはできず、
すべての当業者にとって自明である改良は、以下の請求
項の範囲に含まれるものである。
産業上の利用可能性 本発明の放射線検出素子は、特に医療、工業用のX線
撮影で用いられる大面積の放射線イメージングシステム
に適用可能である。特に、現在広く用いられているX線
フィルムに代えて胸部X線撮影等に使用することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−257943(JP,A) 特開 平9−152486(JP,A) 特開 平9−45952(JP,A) 特開 平5−60871(JP,A) 特開 平2−151789(JP,A) 特開 昭63−215987(JP,A) 米国特許5227635(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01T 1/20

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の受光素子を基板上に1次元あるいは
    2次元に配列して受光部を形成し、前記受光部の各行又
    は各列の前記受光素子と電気的に接続された複数のボン
    ディングパッドを前記受光部の外部に配置した受光素子
    アレイと、 前記受光部の少なくとも有効画面領域の前記受光素子上
    に堆積された放射線を可視光に変換するシンチレータ層
    と、 前記受光素子アレイ上の前記シンチレータ層が形成され
    た領域と前記ボンディングパットの配置された領域を区
    分する閉じた枠状に形成された樹脂からなる一つあるい
    は複数の樹脂枠と、 少なくとも前記シンチレータ層を覆うとともに、前記樹
    脂枠上まで達して少なくとも前記ボンディングパッド部
    を露出させている放射線透過性の耐湿保護膜と、 を備えている放射線検出素子。
  2. 【請求項2】前記樹脂枠は、前記有効画面領域を囲む略
    矩形形状に形成されていることを特徴とする請求項1記
    載の放射線検出素子。
  3. 【請求項3】前記一つあるいは複数の樹脂枠は、各々前
    記ボンディングパッド部領域を囲む略矩形上に形成され
    ていることを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記
    載の放射線検出素子。
  4. 【請求項4】前記樹脂枠に沿って前記耐湿保護膜の縁を
    覆う被覆樹脂をさらに備えている請求項1〜3のいずれ
    かに記載の放射線検出素子。
  5. 【請求項5】前記耐湿保護層は、少なくとも有機膜を含
    む2層以上の多層膜からなることを特徴とする請求項1
    〜4のいずれかに記載の放射線検出素子。
  6. 【請求項6】前記耐湿保護膜は、少なくとも一層の無機
    膜を含むことを特徴とする請求項5記載の放射線検出素
    子。
  7. 【請求項7】複数の受光素子を基板上に1次元あるいは
    2次元に配列して受光部を形成し、前記受光部の各行又
    は各列の前記受光素子と電気的に接続された複数のボン
    ディングパッドを前記受光部の外部に配置した受光素子
    アレイの前記受光部の少なくとも有効画面領域の前記受
    光素子上に放射線を可視光に変換するシンチレータ層を
    堆積させる工程と、 前記受光素子アレイ上に樹脂により前記シンチレータ層
    と前記ボンディングパッド部を区分する一つあるいは複
    数の閉じた枠状の樹脂枠を形成する工程と、 前記受光素子アレイ全体を包み込む放射線透過性の耐湿
    保護膜を形成する工程と、 前記樹脂枠の長手方向に沿って、前記耐湿保護膜を切断
    し、ボンディングパット部上の前記耐湿保護膜を除去し
    て前記ボンディングパッド部を露出させる工程と、 を有する放射線検出素子の製造方法。
  8. 【請求項8】切断した前記耐湿保護膜の縁を前記樹脂枠
    に沿って樹脂により覆って接着する工程をさらに備える
    請求項7記載の放射線検出素子の製造方法。
  9. 【請求項9】前記耐湿保護膜を形成する工程は、 放射線透過性の第1の有機膜を形成する工程と、 前記第1の有機膜上に少なくとも1層以上の膜をさらに
    積層して、2層以上の多層膜からなる放射線透過性の耐
    湿保護膜を形成する工程と、 からなることを特徴とする請求項7または8のいずれか
    に記載の放射線検出素子の製造方法。
  10. 【請求項10】前記耐湿保護膜は、少なくとも1層の無
    機膜を含むことを特徴とする請求項9記載の放射線検出
    素子の製造方法。
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