KR20110113482A - 직접 증착 방식에 의한 방사선 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents
직접 증착 방식에 의한 방사선 이미지 센서의 제조방법 Download PDFInfo
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 134
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 122
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 53
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 38
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 32
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 145
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 28804-46-8 Chemical compound ClC1CC(C=C2)=CC=C2C(Cl)CC2=CC=C1C=C2 VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBZHKWVYRQRZQC-UHFFFAOYSA-N [Si+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O Chemical compound [Si+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O PBZHKWVYRQRZQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N p-dimethylbenzene Natural products CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/29—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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Abstract
본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법은 (a) 수광 소자가 기판 표면에 배열되어 구성된 수광부와, 수광 소자와 전기적으로 접속된 전극 패드가 기판 표면의 가장자리에 배치되어 구성된 전극부를 구비하는 촬상 소자를 준비하는 단계; (b) 상기 촬상 소자의 수광부 위에 신틸레이터를 증착시켜 신틸레이터 층을 형성하는 단계; (c) 상기 촬상 소자의 전극부를 포함하고 신틸레이터 층 외측 둘레로부터 이격된 촬상 소자의 표면상에 전극부를 보호하기 위한 마스킹 층을 형성하는 단계; (d) 상기 마스킹 층이 형성된 촬상 소자의 전체 표면상에 보호막을 형성하는 단계; (e) 상기 마스킹 층과 신틸레이터 층 외측 둘레 사이를 따라 보호막을 절개하고 마스킹 층 및 그 위에 형성된 보호막을 제거하는 단계; 및 (f) 상기 보호막의 절개면을 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 접착제층을 형성하는 단계;를 포함한다. 본 발명에 따른 직접 증착 방식의 방사선 이미지 센서 제조방법은 신틸레이터 층을 보호하기 위한 패럴린 등의 보호막을 형성하기 전에 미리 전극부를 마스킹 하는 단계를 도입하기 때문에 절연 특성을 가진 패럴린 등에 의한 전극부의 성능 저하를 사전에 방지할 수 있고, 촬상 소자에 손상을 주지 않고 보호막이 일부를 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 볼록 형상의 댐 구조물 및 접착제층에 의해 보호막의 외측부가 밀봉되고 촬상 소자 상에 충분히 밀착되기 때문에 신틸레이터 층을 습기 등의 외부 환경으로부터 안정적으로 보호할 수 있고, 이로 인해 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서를 채용한 엑스레이 디텍터의 장시간의 사용에 따른 이미지 열화를 방지한다.
Description
본 발명은 직접 증착 방식에 의한 방사선 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 신틸레이터 층을 보호하기 위한 보호막을 형성하기 전에 전극부를 보호하는 마스킹 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 직접 증착 방식에 의한 방사선 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이다.
종래 엑스레이(X-ray) 촬영의 경우, 필름과 스크린을 이용한 방식을 사용하였는데, 이는 촬영된 필름의 보관상의 문제로 인하여 공간과 인력이 필요하였다. 이와 같이 촬영된 필름의 보관상 이유로 필름을 스캐너로 스캔하여 디지털화하는 작업이 추진되었으나, 이 역시 필름을 사용할 수밖에 없어 이중으로 경비가 지출되는 문제점이 있었다. 따라서 필름을 사용하지 않고 직접 검출기를 통해 방사선을 받아들여 컴퓨터로 전송하는 디지털 방사선 영상장치가 등장하게 되었다.
디지털 방사선 영상장치는 크게 그 변환방식에 따라 직접변환방식과 간접변환방식으로 나누어지는데, 직접변환방식은 조사된 엑스레이(X-ray)를 전기적 신호로 직접 변환하여 영상신호로 검출하는 방식이고, 간접변환방식은 엑스레이(X-ray)를 가시광선으로 변환한 후, 이 가시광선을 포토다이오드, CMOS나 CCD 센서 등의 이미지 센서소자를 이용하여 전기적 신호로 변환하여 화상을 구현하는 방식이다. 상기 직접변환방식은 고전압을 인가시켜야만 검출이 가능하게 때문에 간접변환방식이 많이 사용되고 있다.
이러한 간접변환방식을 이용한 검출기로 엑스레이 디텍터(X-ray dectector)를 들 수 있는데, 상기 엑스레이 디텍터는 일반적으로 입력면에 설치된 신틸레이터(scintillator: 섬광체)에 의해 대상체를 통과한 엑스레이(Xray)가 빛으로 변환된 후, 이 빛이 다시 광전자로 변환되어 내부의 전자총에 의해 증폭된 다음, 출력 부의 형광 물질에 충돌하는 과정에서 가시광선으로 변환되어 이것을 포토다이오드 등의 수광 소자를 이용하여 전기적 신호로 변환하여 화상을 구현하는 구조인 방사선 이미지 센서를 포함한다.
전술한 바와 같이, 엑스레이 디텍터에 채용되는 방사선 이미지 센서를 제조하는 방법은 크게 간접 증착 방식과 직접 증착 방식이 있다. 이중 간접 증착 방식은 방사선을 투과시키고 가시광선을 반사하는 알루미늄 기판상에 신틸레이터층, 패릴렌(Parylene)으로 이루어진 보호막를 차례로 적층하여 형성하여 신틸레이터 패널을 독립된 공정에서 제작하고 이를 글래스 기판상의 중앙부 표면에 배열된 다수의 수광 소자 및 기판상의 가장자리 표면에 배치되고 수광 소자와 전기적으로 접속된 다수의 전극 패드를 구비하는 촬상 소자에 광학 접착제를 이용하여 일체화시켜 방사선 이미지 센서를 제조하는 방식이다. 간접 증착 방식은 신틸레이터 패널을 촬상 소자의 전극 패드를 제외한 부분에 쉽게 결합시킬 수 있는 장점이 있으나, 신틸레이터 패널의 표면과 촬상 소자의 표면이 접착제에 의해 대면적으로 결합되기 때문에 신틸레이터에서 발생한 빛이 광학접착제나 접착면 사이의 물리적 공간을 통과하면서 빛의 손실이나 빛의 퍼짐 현상이 발생하여 영상의 분해능이 떨어지는 문제점이 있었다.
반면, 직접 증착 방식은 글래스 기판상의 중앙부 표면에 배열된 다수의 수광 소자 및 기판상의 가장자리 표면에 배치되고 수광 소자와 전기적으로 접속된 다수의 전극 패드를 구비하는 촬상 소자의 표면에 바로 신틸레이터를 증착시켜 신틸레이터 층을 형성시키고, 신틸레이터를 포함한 촬상 소자 전체 표면에 패릴렌(Parylene)으로 이루어진 보호막를 적층하고 여기에 다시 반사판으로 알루미늄 막을 배치시켜 이미지 센서를 제조하는 방식이다. 직접 증착 방식에 의할 때 패릴렌으로 이루어진 보호막은 촬상 소자의 수광 소자 뿐만 아니라 전극 패드 상에도 적층되는데, 패릴렌은 절연 특성을 가지고 있기 때문에 전극 패드를 통해 전기적 신호를 읽기 위해서는 보호막이 제거될 필요가 있다. 일반적으로 커터로 패릴렌 보호막을 절개하고 이를 벗겨 내어 전극 패드 상에 형성된 패릴렌 보호막을 제거하는데, 이때 커터에 의해 촬상 소자의 표면이 손상될 우려가 있고 전극 패드 상의 패릴렌 보호막이 완벽하게 제거되지 않는 경우 전극 패드의 성능을 저하시켜 궁극적으로 엑스레이 디텍터의 영상 분해능을 떨어뜨리는 문제점이 있다.
본 발명은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 패릴렌 등의 신틸레이터 층 보호막 형성 과정상에서 발생하는 전극 패드의 성능 저하를 방지하고, 습기 등의 외부 환경으로부터 신틸레이터 층을 충분히 보호하여 장시간의 사용에 의해 이미지의 분해능이 저하되는 것을 방지할 수 있는 방사선 이미지 센서의 직접 증착 방식에 의한 제조방법을 제공하는데에 있다.
본 발명의 상기 목적을 해결하기 위하여, 본 발명은 (a) 수광 소자가 기판 표면에 배열되어 구성된 수광부와, 수광 소자와 전기적으로 접속된 전극 패드가 기판 표면의 가장자리에 배치되어 구성된 전극부를 구비하는 촬상 소자를 준비하는 단계; (b) 상기 촬상 소자의 수광부 위에 신틸레이터를 증착시켜 신틸레이터 층을 형성하는 단계; (c) 상기 촬상 소자의 전극부를 포함하고 신틸레이터 층 외측 둘레로부터 이격된 촬상 소자의 표면상에 전극부를 보호하기 위한 마스킹 층을 형성하는 단계; (d) 상기 마스킹 층이 형성된 촬상 소자의 전체 표면상에 보호막을 형성하는 단계; (e) 상기 마스킹 층과 신틸레이터 층 외측 둘레 사이를 따라 보호막을 절개하고 마스킹 층 및 그 위에 형성된 보호막을 제거하는 단계; 및 (f) 상기 보호막의 절개면을 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 접착제층을 형성하는 단계;를 포함하는 방사선 이미지 센서의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법에서 상기 (c) 단계의 마스킹 층은 보호막 형성 과정에서 전극부에 보호막이 형성되지 않기 위한 것으로서, 전극부의 전기적 특성을 해치지 않으면서 보호막이 전극부에 직접 증착되는 것을 방지하고, 동시에 보호막 형성 후 제거하는 과정에서 전극부로부터 용이하게 분리될 수 있는 것이라면 그 형태나 재료에 제한이 없으며, 구체적으로 UV 테이프, 열경화성 수지, 또는 지그(Jig) 등으로 이루어진다. 이중 UV 테이프는 촬상 소자의 기판 표면을 보호함과 동시에 UV를 조사하면 순간적으로 점착력이 없어서져 기판 표면에 스트레스를 거의 주의 않고 박리가 가능한 테이프로서, 마스킹 층이 UV 테이프로 이루어지는 경우 상기 (e) 단계는 보호막을 절개하고 마스킹 층에 UV를 조사한 후 마스킹 층 및 그 위에 형성된 보호막을 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법에서 상기 (e) 단계의 보호막 절개 방법은 보호막을 균일하고 쉽게 절개할 수 있는 방법이라면 그 종류에 제한이 없으며, 구체적으로 일반적인 커터에 의한 절개, 레이저 트림(Laser trim)에 의한 절개 등이 있고, 이중 바람직하게는 레이저 트림(Laser trim)에 의해 수행되는 것을 특징으로 한다. 레이저 트림에 의한 절개 방법은 일반적인 커터에 의한 절개보다 정밀한 제어가 가능하고 절개 속도도 빨라 정확한 위치 및 정확한 깊이로 보호막을 균일하게 절개할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법에서 상기 (f) 단계의 접착제층을 이루는 접착제는 보호막의 절개면을 충분히 밀봉하여 촬상 소자 상에 밀착시키며, 동시에 내습, 내수 등의 특성을 가진 것이라면 그 종류가 크게 제한되지 않으며, 바람직하게는 UV 경화형 접착제인 것을 특징으로 한다. UV 경화형 접착제는 UV 조사에 의해 접착제 안에 있는 광반응 개시제가 반응을 시작하여 빠른 시간내에 고체의 접착제로 고형화되는 제품으로서, 도포가 용이하고 견고한 접착력을 가지기 때문에 다양한 재질에 쉽고 간편하게 적용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법에서 상기 (c) 단계는 바람직하게는 신틸레이터 층 외측 둘레와 전극부 사이의 기판 표면을 따라 수지로 이루어진 볼록 형상의 댐 구조물을 형성하고, 상기 촬상 소자의 전극부를 포함하고 댐 구조물의 외측에 위치한 촬상 소자의 표면상에 전극부를 보호하기 위한 마스킹 층을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이때 댐 구조물은 볼록 형상을 하고 있어서, 촬상 소자 위에서의 보호막의 밀착력을 보다 향상시키고, 보호막 절개가 댐 구조물의 상부에서 이루어지기 때문에 촬상 소자의 표면에 상처가 나는 것을 방지한다. 이때, 상기 (e) 단계는 상기 댐 구조물의 둘레 방향을 따라 댐 구조물의 상부에 형성된 보호막을 레이저 트림(Laser trim)에 의해 절개하고 마스킹 층 및 그 위에 형성된 보호막을 제거하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 (f) 단계의 접착제층은 보호막의 절개면 및 댐 구조물의 상부를 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법에서 상기 (c) 단계는 바람직하게는 신틸레이터 층 외측 둘레와 전극부 사이의 기판 표면 및 기판의 가장자리 표면에 각각 기판 표면을 따라 수지로 이루어진 볼록 형상의 제1 댐 구조물 및 제2 댐 구조물을 형성하고, 상기 촬상 소자의 전극부를 포함하고 제1 댐 구조물과 제2 댐 구조물 사이에 위치한 촬상 소자의 표면상에 전극부를 보호하기 위한 마스킹 층을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 (c) 단계의 마스킹 층은 바람직하게는 열 경화성 수지로 이루어지는데, 보다 구체적으로 열 경화성 수지의 실크 스크린 인쇄 방식에 의해 형성된다. 또한, 상기 (e) 단계는 상기 제1 댐 구조물의 둘레 방향을 따라 제1 댐 구조물의 상부에 형성된 보호막을 레이저 트림(Laser trim)에 의해 절개하고 마스킹 층, 제2 댐 구조물, 및 그 위에 형성된 보호막을 제거하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 (f) 단계의 접착제층은 보호막의 절개면 및 제1 댐 구조물의 상부를 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법에서 상기 (c) 단계는 바람직하게는 신틸레이터 층 외측 둘레와 전극부 사이의 기판 표면을 따라 수지로 이루어진 볼록 형상의 댐 구조물을 형성하고, 상기 촬상 소자의 전극부 및 댐 구조물의 상부 중 일부를 감싸서 보호하는 지그(Jig)를 장착하여 마스킹 층을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 (e) 단계는 상기 댐 구조물의 둘레 방향을 따라 댐 구조물의 상부에 형성된 보호막을 레이저 트림(Laser trim)에 의해 절개하고 지그(Jig) 및 그 위에 형성된 보호막을 제거하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 (f) 단계의 접착제층은 보호막의 절개면 및 댐 구조물의 상부를 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 직접 증착 방식의 방사선 이미지 센서 제조방법은 신틸레이터 층을 보호하기 위한 패럴린 등의 보호막을 형성하기 전에 미리 전극부를 마스킹 하는 단계를 도입하기 때문에 절연 특성을 가진 패럴린 등에 의한 전극부의 성능 저하를 사전에 방지할 수 있고, 촬상 소자에 손상을 주지 않고 보호막이 일부를 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 볼록 형상의 댐 구조물 및 접착제층에 의해 보호막의 외측부가 밀봉되고 촬상 소자 상에 충분히 밀착되기 때문에 신틸레이터 층을 습기 등의 외부 환경으로부터 안정적으로 보호할 수 있고, 이로 인해 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서를 채용한 엑스레이 디텍터의 장시간의 사용에 따른 이미지 열화를 방지한다.
도 1은 본 발명의 방사선 이미지 센서 제조방법 중 제1실시예에 의해 제조된 방사선 이미지 센서의 단면도이고 도 2는 본 발명의 방사선 이미지 센서 제조방법 중 제1실시예에 의해 제조된 방사선 이미지 센서의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 방사선 이미지 센서 제조방법 중 제2실시예 내지 제4실시예에 의해 제조된 방사선 이미지 센서의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법 중 제1실시예를 도시한 것이고, 도 5는 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법 중 제2실시예를 도시한 것이고, 도 6은 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법 중 제3실시예를 도시한 것이며, 도 7은 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법 중 제4실시예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 방사선 이미지 센서 제조방법 중 제2실시예 내지 제4실시예에 의해 제조된 방사선 이미지 센서의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법 중 제1실시예를 도시한 것이고, 도 5는 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법 중 제2실시예를 도시한 것이고, 도 6은 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법 중 제3실시예를 도시한 것이며, 도 7은 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법 중 제4실시예를 도시한 것이다.
본 발명은 신틸레이터 층을 보호하기 위한 보호막을 형성하기 전에 전극부를 보호하는 마스킹 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 직접 증착 방식에 의한 방사선 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로서, 이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 방사선 이미지 센서 제조방법 중 제1실시예에 의해 제조된 방사선 이미지 센서의 단면도이고 도 2는 본 발명의 방사선 이미지 센서 제조방법 중 제1실시예에 의해 제조된 방사선 이미지 센서의 평면도이다. 도 1 또는 도 2에서 보이는 바와 같이 본 발명의 제1실시예에 의해 제조된 방사선 이미지 센서(100)는 촬상 소자(10), 촬상 소자의 표면에 적층된 신틸레이터 층(20), 신틸레이터 층을 포함하는 찰상 소자 상에 적층된 보호막(30) 및 상기 보호막의 외측 둘레(절개면)를 밀봉하고 촬상 소자 상에 밀착시켜 고정하기 위한 접착제층(50)을 포함한다. 또한, 도 1에는 도시되지 않았으나, 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서는 바람직하게는 보호막 위에 고정 배치되고, 방사선을 투과시키면서 동시에 가시광선을 반사시킬 수 있는 재료로 형성된 반사판을 더 포함할 수 있다.
촬상 소자(10)는 기판(11), 기판 표면에 배열된 수광 소자(12)로 구성된 수광부, 기판 표면의 가장자리에 배치된 전극 패드(13)로 구성된 전극부를 포함하다. 보다 구체적으로, 수광부는 Si 기판, 또는 글래스 기판(11)상에 1차원 또는 2차원상으로 배열되어 형성된 광전 변환을 행하는 복수의 수광 소자(12)로 구성되고, 상기 수광 소자(12)는 후술하는 신틸레이터 층에 의해 입사한 방사선이 변환된 광을 검출하고 이를 전기적 신호로 변환하는 기능을 가진 광전 변환 소자로서, 그 종류는 크게 제한되지 않으며, 비정질 실리콘제의 포토다이오드(PD)나 박막 트랜지스터(TFT) 등이 있다. 전극부는 수광부 외측의 기판 표면 가장 자리에 형성된 복수의 전극 패드로 구성되는데, 전극 패드는 수광 소자에 의해 발생되는 전기적 신호를 읽고 이를 영상분석 장치 등에 전달하는 기능을 하며, 도 1에는 도시되지 않았으나, 와이어 등의 배선 등에 의해 수광 소자와 전기적으로 연결되어 있다.
촬상 소자(10)의 수광부 위에는 입사한 방사선을 수광 소자(12)로 검출 가능한 파장 대역을 포함하는 광으로 변환하는 기둥 모양 구조의 신틸레이터 층(20)이 형성되어 있다. 본 명세서에서 광이란, 가시광선에 한정되는 것이 아니라, 자외선, 적외선 혹은 소정의 방사선 등의 전자파를 포함하는 개념이다. 신틸레이터 층(20)은 도 1에 보이는 바와 같이 수광 소자(12)의 형성 면 전체와 그 주변까지 덮도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. 신틸레이터 층(2)을 형성하기 위한 재료로는 방사선을 특정 파장 대역의 광으로 변환시킬 수 있는 것이라면 그 종류가 크게 제한되지 않으며, 구체적으로 CsI, 탈륨(Tl)이 도프된 CsI, 나트륨(Na)이 도프된 CsI, 탈륨(Tl)이 도프된 NaI 등이 있다. 이중 가시광선을 발광하고, 그의 발광 효율이 양호한 탈륨(Tl) 도프의 CsI가 바람직하다. 상기 신틸레이터 층(20)의 각 기둥 모양 구조의 정상부는 평평하지 않고, 정상부를 향하여 뾰족한 형상을 이루고 있으며 신틸레이터 층은 외측 둘레 부분에서 그 높이가 점진적으로 감소하는 형상을 가진다. 또한, 신틸레이터 층의 두께는 약 20~2000㎛ 정도이다.
전형적인 신틸레이터 층 재료인 CsI는 흡습성 재료이고, 공기 중의 수증기(습기)를 흡수하여 용해한다. 신틸레이터 층에 습기가 흡수되어 신틸레이터 층이 손상되면 방사선 이미지 센서의 해상도가 열화하기 때문에, 신틸레이터를 습기로부터 보호하는 구조를 채용할 필요가 있다. 따라서 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서에는 신틸레이터 층(20)의 기둥 모양 구조를 덮어 그 간극까지 들어가서, 신틸레이터 층(20)을 밀폐하도록 보호막(30)이 형성되어 있다. 상기 보호막은 도 1에 보이는 바와 같이 신틸레이터 층의 형성 면 전체와 그 주변까지 덮도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. 보호막(30)을 형성하는 재료는 방사선(X 선)을 투과시키고 동시에 수증기를 차단하는 것이라면 크게 제한되지 않으며, 바람직하게는 유기 수지, 보다 바람직하게는 패릴렌 베이스의 수지인 것을 특징으로 한다. 패릴렌은 화학적으로 증착된 폴리파라크실렌 고분자의 상품명으로 패릴렌 N, 패릴렌 C, 패릴렌 D, 패릴렌 AF-4 등이 있으며, 패릴렌에 의한 코팅막은 수증기 및 가스의 투과가 상당히 적고, 발수성, 내약품성이 높으며, 박막으로도 우수한 전기 절연성을 갖고, 방사선, 가시광선을 투과시키는 등 보호막에 적합한 우수한 특징을 갖고 있다. 패릴은 금속의 진공 증착과 마찬가지로 진공 중에서 지지체 위에 증착하는 화학적 증착(CVD)법에 의해서 코팅할 수 있다. 이것은 원료가 되는 디파라크실렌모노머를 열분해하여, 생성물을 톨루엔, 벤젠 등의 유기용매 속에서 급냉하여 다이머라고 불리는 디파라크실렌을 얻는 공정과, 상기 다이머를 열분해하여, 안정한 래디컬파라크실렌 가스를 생성시키는 공정과, 발생한 가스를 소재 위에 흡착, 중합시켜 분자량 약 50만의 폴리파라크실렌막을 중합 형성시키는 공정으로 이루어진다.
또한, 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서에서 보호막은 도 1에서 보이는 바와 같이 패릴렌으로 형성된 단층 막 뿐만 아니라, 여러 종류의 재료가 순차적으로 층을 이루어 형성된 다층 막으로도 구성될 수 있다. 보다 구체적으로 패릴렌(예를 들어 무치환 폴리파라크실렌으로서, 패릴렌 N)막과 다른 특성을 가진 패릴렌(예를 들어 치환 폴리파라크실렌으로서, 패릴렌 C, D, AF-4, VT-4 등)막으로 이루어진 이층 막, 패릴렌막+무기막+패릴렌막으로 이루어진 삼층 막, 패릴렌막+패릴렌 이외의 유기 재료로 형성된 유기막+패릴렌막으로 이루어진 삼층막, 패릴렌막+패릴렌 이외의 유기 재료로 형성된 유기막+무기막+패릴렌막으로 이루어진 사층 막 등으로 구성될 수 있다. 이 중 유기막을 형성하는 패릴렌 이외의 유기 재료로는 아크릴 수지, 실리콘 수지 등이 있으며, 특히 열 경화형 또는 UV 경화형 수지인 것이 바람직하다. 유기막은 패럴린막 위에 유기 수지를 도포하고 경화시켜 형성되는데, 열 경화 또는 UV 경화에 형성된 수지 막은 경도가 매우 높은 하드코팅막으로서, 외부 충격으로부터 보호막이 마모되는 것을 방지하여 내구성을 높여주며, 습기에 대한 견고한 장벽을 형성하여 보호막의 방습효과를 보다 향상시킨다. 또한, 무기막을 형성하는 무기 재료로는 알루미늄(Al), 산화알루미늄(Al2O3), 불화마그네슘(MgF2), 다이아몬드, 금, 은, 탄화붕소(B4C), 질화붕소(BNO2), 질산규소(SiNO3), 산화규소(SiO2) 등이 있으며 이 중에서 하나 이상 선택될 수 있다. 무기막을 형성하는 방법으로는 전자빔 증착, 스퍼터링, 열증착과 같은 물리적 기상 증착이나 화학적 기상 증착 등이 있다. 또한, 보호막의 전체 두께는 약 10~100㎛ 정도이고 이 중 무기막의 두께는 약 50~200㎚ 정도이다. 보호막이 무기막이나 유기 하드코팅막 등을 포함하는 다층 막으로 구성되는 경우 패릴렌 단층 막으로 구성된 경우보다 약 100배 정도 향상된 방습 효과를 가지며, 내마모성이 증가한다.
본 발명의 제1실시예에 의한 방사선 이미지 센서의 제조방법에서 전극부와 동일 수직선상에 존재하는 보호막은 절개 및 박리(벗겨 들어냄)에 의해 제거된다. 이때 보호막의 절개면 중 촬상 소자의 표면과 접해 있는 부분은 외부 환경에 쉽게 노출되어 있고 그 밀착력도 크지 않아서 습기, 충격 등의 외부 자극이 장시간 지속되는 경우 결합이 떨어져 나가고 궁극적으로 신틸레이터 층이 습기 등에 의해 손상될 우려가 있다. 따라서, 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서에는 보호막의 외측 둘레(절개면)를 밀봉하고 촬상 소자 상에 밀착시켜 고정하기 위한 접착제층(50)이 형성되어 있다. 도 1 또는 도 2에서 보이는 바와 같이 접착제층의 일부는 보호막의 절개면을 둘러싸서 밀봉하고 나머지 일부는 촬상 소자의 표면에 결합하여 보호막을 촬상 소자 상에 밀착 고정시킨다. 상기 접착제층을 이루는 접착제는 보호막의 절개면을 충분히 밀봉하여 촬상 소자 상에 밀착시키며, 동시에 내습, 내수 등의 특성을 가진 것이라면 그 종류가 크게 제한되지 않으며, 구체적으로 실리콘 접착제, 아크릴 접착제, 에폭시 접착제 등이 있으며, 보다 바람직하게는 이들 접착제는 UV 경화형 접착제인 것을 특징으로 한다. UV 경화형 접착제는 UV 조사에 의해 접착제 안에 있는 광반응 개시제가 반응을 시작하여 빠른 시간내에 고체의 접착제로 고형화되는 제품으로서, 도포가 용이하고 견고한 접착력을 가지기 때문에 다양한 재질에 쉽고 간편하게 적용할 수 있다.
본 발명에 따른 방사선 이미지 센서는 도 1 또는 도 2에 도시되지는 않았으나, 바람직하게는 보호막 위에 고정 배치되고, 방사선을 투과시키면서 동시에 가시광선을 반사시킬 수 있는 재료로 형성된 반사판을 더 포함할 수 있다. 반사판으로는 주로 알루미늄 또는 은과 같이 가시광선에 대해 소정의 반사도를 가지는 금속막이나 유전체 다층막이 적절하게 사용될 수 있고, 상기 반사판은 보호막을 향하지 않는 다른 표면에 형성된 방사선 투과재를 더 포함할 수 있다. 상기 방사선 투과재로는 글래스, 염화비닐 등의 수지, 탄소성 기판 등이 있다.
도 3은 본 발명의 방사선 이미지 센서 제조방법 중 제2실시예 내지 제4실시예에 의해 제조된 방사선 이미지 센서의 단면도이다. 이하, 도 3에 도시된 방사선 이미지 센서의 구성 요소 중 도 1과 동일한 구성 요소에 대한 설명은 생략하고 그 차이점을 중심으로 설명한다.
도 3에서 보이는 바와 같이 본 발명의 제2실시예 내지 제4실시예에 의해 제조된 방사선 이미지 센서(200)는 제1실시예에 의해 제조된 도 1의 방사선 이미지 센서와 비교할 때 신틸레이터 층 외측 둘레와 전극부 사이의 기판 표면을 따라 수지로 이루어진 볼록 형상의 댐 구조물(40)을 더 포함한다. 보다 구체적으로 댐 구조물은 신틸레이터 층의 주위에, 신틸레이터 층을 둘러싸도록 그의 측면으로부터 이격되어 기판 표면에 배치되고, 높이는 신틸레이터 층 최대 높이의 1/2 또는 동일 높이를 가진다. 상기 볼록 형상의 댐 구조물을 형성하기 위한 재료로는 접착력이 강하고 견고한 테두리를 형성할 수 있는 수지라면 크게 제한되지 않으며, 구체적으로 실리콘 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지로부터 선택될 수 있다. 댐 구조물은 보호막을 형성하기 이전에 형성되기 때문에 도 3에서 보이는 바와 같이 신틸레이터 층의 외측 부분에 형성되는 보호막은 기판 바깥 방향으로 갈수록 그 높이가 점점 감소하고 신틸레이터 층 외측 둘레와 댐 구조물 사이의 기판 표면에서 가장 낮은 높이를 보이다가 댐 구조물의 측면을 따라 점점 높이가 증가하는 양상을 보인다. 보호막의 끝 부분은 세로 방향으로 절개된 상태로 댐 구조물의 상부에 접하여 결합되어 있고, 여기에 보호막의 절개면 및 댐 구조물의 상부를 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 접착제층이 형성된다. 접착제층은 보다 바람직하게는 보호막의 절개면 및 댐 구조물 전체를 덮어 감싸고 전극부가 형성되지 않은 위치의 기판 표면에 접착되어 있는 것을 특징으로 한다. 도 3의 방사선 이미지 센서에서는 보호막이 댐 구조물과 접착제층 사이에 삽입되어 있어서, 보호막의 촬상 소자 상에서의 밀착력이 더욱 향상되고 보호막이 접착제층에 의해 완전히 밀봉되므로 보호막에 의해 신틸레이터 층으로 습기가 침입하는 것을 확실히 방지할 수 있고, 장시간 사용시에도 신틸레이터 층의 흡습 열화에 의한 방사선 이미지 센서의 해상도 저하를 방지할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법을 설명한다. 도 4는 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법 중 제1실시예를 도시한 것이다. 본 발명의 제 제1실시예에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법은 (a) 수광 소자(12)가 기판(11) 표면에 배열되어 구성된 수광부와, 수광 소자와 전기적으로 접속된 전극 패드(13)가 기판 표면의 가장자리에 배치되어 구성된 전극부를 구비하는 촬상 소자(10)를 준비하는 단계; (b) 상기 촬상 소자의 수광부 위에 신틸레이터를 증착시켜 신틸레이터 층(20)을 형성하는 단계; (c) 상기 촬상 소자의 전극부를 포함하고 신틸레이터 층 외측 둘레로부터 이격된 촬상 소자의 표면상에 전극부를 보호하기 위한 마스킹 층(60)을 형성하는 단계; (d) 상기 마스킹 층이 형성된 촬상 소자의 전체 표면상에 보호막(30)을 형성하는 단계; (e) 상기 마스킹 층과 신틸레이터 층 외측 둘레 사이를 따라 보호막을 절개하고 마스킹 층 및 그 위에 형성된 보호막을 제거하는 단계; 및 (f) 상기 보호막의 절개면을 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 접착제층(50)을 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 (b) 단계에서 신틸레이터를 촬상 소자의 수광부 위에 증착시키는 방법으로는 바람직하게는 물리적 증착법의 하나로서 원료물질인 CsI, Cs(Tl), CsI(Na) 등을 증발시켜 기판에 증착하는 방법인 열 기상 증착(Thermal Vapor Deposition) 방법이 사용된다. 이때 상기 기판을 회전시키면서 상기 기상 증착을 수행하는 경우 위치 분해능(Spatial resolution)을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 (c) 단계에서 마스킹 층은 보호막 형성 과정에서 전극부에 보호막이 형성되지 않기 위한 것으로서, 전극부의 전기적 특성을 해치지 않으면서 보호막이 전극부에 직접 증착되는 것을 방지하고, 동시에 보호막 형성 후 제거하는 과정에서 전극부로부터 용이하게 박리되어 제거될 수 있는 것이라면 그 형태나 재료에 제한이 없다. 구체적으로 UV 테이프, 열경화성 수지 등이 사용되며, 후술하는 제4실시예에서와 같이 지그(Jig) 구조물 등이 사용될 수도 있다. 이중 바람직하게는 UV 테이프가 사용되는데, UV 테이프는 촬상 소자의 기판 표면을 보호함과 동시에 UV를 조사하면 순간적으로 점착력이 없어서져 기판 표면에 스트레스를 거의 주의 않고 박리가 가능한 테이프로서 불순물 함량이 매우 적어 기판을 오염시키지 않고 효과적으로 기판 표면을 보호할 수 있다. 상업적으로 이용할 수 있는 UV 테이프로는 후루카와(Furukawa)사의 SP 시리즈가 있다. 이때 마스킹 층으로 UV 테이프가 사용되는 경우 상기 (e) 단계는 보호막을 절개하고 마스킹 층에 UV를 조사하여 UV 테이프의 점착력을 없앤 후에 마스킹 층 및 그 위에 형성된 보호막을 벗겨냄으로써 기판 표면 및 전극부를 손상시키지 않고 쉽게 보호막을 제거할 수 있다.
또한, 상기 (e) 단계의 보호막 절개 방법은 보호막을 균일하고 쉽게 절개할 수 있는 방법이라면 그 종류에 제한이 없으며, 구체적으로 일반적인 커터에 의한 절개, 레이저 트림(Laser trim)에 의한 절개 등이 있고, 이중 바람직하게는 레이저 트림(Laser trim)에 의해 수행되는 것을 특징으로 한다. 레이저 트림에 의한 절개 방법은 일반적인 커터에 의한 절개보다 정밀한 제어가 가능하고 절개 속도도 빨라 정확한 위치 및 정확한 깊이로 보호막을 균일하게 절개할 수 있다.
또한, 상기 (f) 단계의 접착제층을 이루는 접착제는 보호막의 절개면을 충분히 밀봉하여 촬상 소자 상에 밀착시키며, 동시에 내습, 내수 등의 특성을 가진 것이라면 그 종류가 크게 제한되지 않으며, 바람직하게는 UV 경화형 접착제인 것을 특징으로 한다. 접착제로 UV 경화형 접착제를 사용하는 경우 UV 경화형 접착제를 보호막의 절개면 및 주변의 기판 표면에 도포하고 UV를 조사하여 경화시킴으로써 보호막의 절개면을 덮어 감싸고 기판 표면과 결합하는 접착제층을 형성한다.
도 5는 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법 중 제2실시예를 도시한 것이고, 도 6은 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법 중 제3실시예를 도시한 것이며, 도 7은 본 발명에 따른 방사선 이미지 센서의 제조방법 중 제4실시예를 도시한 것이다. 이하, 제2실시예 내지 제4실시예의 방사선 이미지 센서의 제조방법 중 제1실시예와 동일한 부분의 설명을 생략하고, 그 차이점을 중심으로 설명한다.
제2실시예는 제1실시예에 비해 (c) 단계에서 신틸레이터 층 외측 둘레와 전극부 사이의 기판 표면을 따라 수지로 이루어진 볼록 형상의 댐 구조물(40)을 형성하는 것에 차이가 있으며, 이로 인해 마스킹 층(60)은 댐 구조물의 외측에 위치하고 촬상 소자의 전극부를 포함하는 촬상 소자의 표면상에 형성된다. 댐 구조물은 신틸레이터 층의 주위에, 신틸레이터 층을 둘러싸도록 그의 측면으로부터 이격되어 기판 표면에 배치되는데, 상기 볼록 형상의 댐 구조물을 형성하기 위한 재료로는 접착력이 강하고 견고한 테두리를 형성할 수 있는 수지라면 크게 제한되지 않으며, 구체적으로 실리콘 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지로부터 선택될 수 있고 바람직하게는 UV 경화형 수지인 것이 바람직하다. 먼저 신틸레이터가 증착된 촬상 소자를 약 200℃에서 어닐링 한 후 신틸레이터 층의 주변에 테두리 형상으로 UV 경화형 ㅅ수지를 도포하고 UV를 조사하여 경화시킴으로써 댐 구조물을 형성한다. 마스킹 층으로는 UV 테이프, 열경화성 수지, 또는 후술하는 제4실시예에서와 같이 지그(Jig) 구조물 등이 사용될 수도 있고, 이중 바람직하게는 UV 테이프가 사용된다. 또한, (e) 단계에서 마스킹 층 및 그 위에 형성된 보호막의 제거는 댐 구조물의 둘레 방향을 따라 댐 구조물의 상부에 형성된 보호막을 절개(바람직하게는 레이저 트림에 의한 절개)한 후 마스킹 층 및 그 위에 형성된 보호막을 박리시키는 것으로 구성된다. 또한, (f) 단계에서 접착제층은 보호막의 절개면 및 댐 구조물의 상부를 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 것을 특징으로 한다. 이때, 접착제로 UV 경화형 접착제를 사용하는 경우 UV 경화형 접착제를 보호막의 절개면, 보호막의 절개에 의해 노출된 댐 구조물의 상부 및 주변의 기판 표면에 도포하고 UV를 조사하여 경화시킴으로써 보호막의 절개면, 댐 구조물의 상부를 덮어 감싸고 기판 표면과 결합하는 접착제층을 형성한다.
제3실시예는 제1실시예에 비해 (c) 단계에서 신틸레이터 층 외측 둘레와 전극부 사이의 기판 표면을 따라 수지로 이루어진 볼록 형상의 제1 댐 구조물(41)을 형성하고, 전극부 상의 기판의 가장자리 표면을 따라 수지로 이루어진 볼록 형상의 제2 댐 구조물(42)을 형성하는 것에 차이가 있으며, 이로 인해 마스킹 층(60)은 제1 댐 구조물과 제2 댐 구조물 사이에 위치하고 촬상 소자의 전극부를 포함하는 촬상 소자의 표면상에 형성된다. 이때, 마스킹 층으로는 UV 테이프, 열경화성 수지, 또는 후술하는 제4실시예에서와 같이 지그(Jig) 구조물 등이 사용될 수도 있고, 이중 바람직하게는 열경화성 수지가 사용된다. 열 경화성 수지는 액상의 형태로 제공되며, 이를 실크 스크린 인쇄 방식으로 코팅하여 마스킹 층을 형성한다. 실크 스크린 인쇄 방식은 종이나 헝겊처럼 유연한 소재뿐 아니라, 유리, 금속, 경질 플라스틱을 비롯한 딱딱한 판자나 성형물의 면에 대해서도 쉽게 접착인쇄가 가능하며, 인쇄층의 두께는 약 30~100㎛ 까지 가능하다. 또한, (e) 단계에서 마스킹 층, 제2 댐 구조물 및 그 위에 형성된 보호막의 제거는 제1 댐 구조물의 둘레 방향을 따라 제1 댐 구조물의 상부에 형성된 보호막을 절개(바람직하게는 레이저 트림에 의한 절개)한 후 마스킹 층, 제2 댐 구조물, 및 그 위에 형성된 보호막을 박리시키는 것으로 구성된다. 또한, (f) 단계에서 접착제층은 보호막의 절개면 및 제1 댐 구조물의 상부를 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 것을 특징으로 한다. 이때, 접착제로 UV 경화형 접착제를 사용하는 경우 UV 경화형 접착제를 보호막의 절개면, 보호막의 절개에 의해 노출된 제1 댐 구조물의 상부 및 주변의 기판 표면에 도포하고 UV를 조사하여 경화시킴으로써 보호막의 절개면, 제1 댐 구조물의 상부를 덮어 감싸고 기판 표면과 결합하는 접착제층을 형성한다.
제4실시예는 제1실시예에 비해 (c) 단계에서 신틸레이터 층 외측 둘레와 전극부 사이의 기판 표면을 따라 수지로 이루어진 볼록 형상의 댐 구조물(40)을 형성하고, 촬상 소자의 전극부 및 댐 구조물의 상부 중 일부를 감싸서 보호하는 지그(Jig, 61)를 장착하여 마스킹 층을 형성하는 것에 차이가 있다. 또한, (e) 단계에서 지그(Jig) 및 그 위에 형성된 보호막의 제거는 댐 구조물의 둘레 방향을 따라 댐 구조물의 상부에 형성된 보호막을 절개(바람직하게는 레이저 트림에 의한 절개)한 후 지그(Jig)를 해체하여 지그(Jig) 및 그 위에 형성된 보호막을 촬상 소자로부터 분리시키는 것으로 구성된다. 또한, (f) 단계에서 접착제층은 보호막의 절개면 및 댐 구조물의 상부를 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 것을 특징으로 한다. 이때, 접착제로 UV 경화형 접착제를 사용하는 경우 UV 경화형 접착제를 보호막의 절개면, 보호막의 절개에 의해 노출된 댐 구조물의 상부 및 주변의 기판 표면에 도포하고 UV를 조사하여 경화시킴으로써 보호막의 절개면, 댐 구조물의 상부를 덮어 감싸고 기판 표면과 결합하는 접착제층을 형성한다.
10 : 촬상 소자 11 : 기판 12 : 수광 소자
13 : 전극 패드 20 : 신틸레이터 층 30 : 보호막
40 : 댐 구조물 41 : 제1 댐 구조물 42 : 제2 댐 구조물
50 : 접착제층 60 : UV 테이프 또는 열경화성 수지 마스킹 층
61 : 지그 마스킹 층
13 : 전극 패드 20 : 신틸레이터 층 30 : 보호막
40 : 댐 구조물 41 : 제1 댐 구조물 42 : 제2 댐 구조물
50 : 접착제층 60 : UV 테이프 또는 열경화성 수지 마스킹 층
61 : 지그 마스킹 층
Claims (20)
- (a) 수광 소자가 기판 표면에 배열되어 구성된 수광부와, 수광 소자와 전기적으로 접속된 전극 패드가 기판 표면의 가장자리에 배치되어 구성된 전극부를 구비하는 촬상 소자를 준비하는 단계;
(b) 상기 촬상 소자의 수광부 위에 신틸레이터를 증착시켜 신틸레이터 층을 형성하는 단계;
(c) 상기 촬상 소자의 전극부를 포함하고 신틸레이터 층 외측 둘레로부터 이격된 촬상 소자의 표면상에 전극부를 보호하기 위한 마스킹 층을 형성하는 단계;
(d) 상기 마스킹 층이 형성된 촬상 소자의 전체 표면상에 보호막을 형성하는 단계;
(e) 상기 마스킹 층과 신틸레이터 층 외측 둘레 사이를 따라 보호막을 절개하고 마스킹 층 및 그 위에 형성된 보호막을 제거하는 단계; 및
(f) 상기 보호막의 절개면을 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 접착제층을 형성하는 단계;를 포함하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 (c) 단계는 신틸레이터 층 외측 둘레와 전극부 사이의 기판 표면을 따라 수지로 이루어진 볼록 형상의 댐 구조물을 형성하고, 상기 촬상 소자의 전극부를 포함하고 댐 구조물의 외측에 위치한 촬상 소자의 표면상에 전극부를 보호하기 위한 마스킹 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 (c) 단계의 마스킹 층은 UV 테이프로 이루어진 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 (e) 단계는 보호막을 절개하고 마스킹 층에 UV를 조사한 후 마스킹 층 및 그 위에 형성된 보호막을 제거하는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 (e) 단계의 보호막 절개는 레이저 트림(Laser trim)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 (e) 단계는 상기 댐 구조물의 둘레 방향을 따라 댐 구조물의 상부에 형성된 보호막을 레이저 트림(Laser trim)에 의해 절개하고 마스킹 층 및 그 위에 형성된 보호막을 제거하는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 (f) 단계의 접착제층은 UV 경화형 접착제로 이루어진 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 (f) 단계의 접착제층은 보호막의 절개면 및 댐 구조물의 상부를 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 (c) 단계는 신틸레이터 층 외측 둘레와 전극부 사이의 기판 표면 및 기판의 가장자리 표면에 각각 기판 표면을 따라 수지로 이루어진 볼록 형상의 제1 댐 구조물 및 제2 댐 구조물을 형성하고, 상기 촬상 소자의 전극부를 포함하고 제1 댐 구조물과 제2 댐 구조물 사이에 위치한 촬상 소자의 표면상에 전극부를 보호하기 위한 마스킹 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 (c) 단계의 마스킹 층은 열 경화성 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 (c) 단계의 마스킹 층은 열 경화성 수지의 실크 스크린 인쇄 방식에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 (e) 단계의 보호막 절개는 레이저 트림(Laser trim)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 12항에 있어서, 상기 (e) 단계는 상기 제1 댐 구조물의 둘레 방향을 따라 제1 댐 구조물의 상부에 형성된 보호막을 레이저 트림(Laser trim)에 의해 절개하고 마스킹 층, 제2 댐 구조물, 및 그 위에 형성된 보호막을 제거하는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 (f) 단계의 접착제층은 UV 경화형 접착제로 이루어진 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 13항에 있어서, 상기 (f) 단계의 접착제층은 보호막의 절개면 및 제1 댐 구조물의 상부를 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 (c) 단계는 신틸레이터 층 외측 둘레와 전극부 사이의 기판 표면을 따라 수지로 이루어진 볼록 형상의 댐 구조물을 형성하고, 상기 촬상 소자의 전극부 및 댐 구조물의 상부 중 일부를 감싸서 보호하는 지그(Jig)를 장착하여 마스킹 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 16항에 있어서, 상기 (e) 단계의 보호막 절개는 레이저 트림(Laser trim)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 17항에 있어서, 상기 (e) 단계는 상기 댐 구조물의 둘레 방향을 따라 댐 구조물의 상부에 형성된 보호막을 레이저 트림(Laser trim)에 의해 절개하고 지그(Jig) 및 그 위에 형성된 보호막을 제거하는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 16항에 있어서, 상기 (f) 단계의 접착제층은 UV 경화형 접착제로 이루어진 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
- 제 18항에 있어서, 상기 (f) 단계의 접착제층은 보호막의 절개면 및 댐 구조물의 상부를 덮어 감싸서 보호막을 촬영 소자 상에 밀착시키는 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100032900A KR20110113482A (ko) | 2010-04-09 | 2010-04-09 | 직접 증착 방식에 의한 방사선 이미지 센서의 제조방법 |
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110113482A true KR20110113482A (ko) | 2011-10-17 |
Family
ID=45028825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020100032900A Ceased KR20110113482A (ko) | 2010-04-09 | 2010-04-09 | 직접 증착 방식에 의한 방사선 이미지 센서의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20110113482A (ko) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20100409 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20121026 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20150213 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20100409 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20151119 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20160322 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20151119 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |