JP2796574B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP2796574B2 JP2796574B2 JP30105689A JP30105689A JP2796574B2 JP 2796574 B2 JP2796574 B2 JP 2796574B2 JP 30105689 A JP30105689 A JP 30105689A JP 30105689 A JP30105689 A JP 30105689A JP 2796574 B2 JP2796574 B2 JP 2796574B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高感度、高密度化された光磁気記録媒体に
関するものである。
関するものである。
光磁気記録媒体は垂直磁気記録と磁気光学効果（カー
効果、ファラデー効果等）を利用するもので、従来の光
磁気記録媒体と同様にレーザー光を用いて情報の記録、
再生を行うため記録容量が大きく、その上書き換え可能
である。さらにヘッドと媒体が非接触で記録再生を行う
ことができ、塵埃の影響を受けないため安定性にも優れ
ている。この光磁気記録媒体は、現在盛んに研究されて
おり、文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コ
ンピュータ用メモリ等への利用あるいはフロッピーディ
スク、ハードディスクの代替が期待され、一部では商品
化の段階に至っている。
効果、ファラデー効果等）を利用するもので、従来の光
磁気記録媒体と同様にレーザー光を用いて情報の記録、
再生を行うため記録容量が大きく、その上書き換え可能
である。さらにヘッドと媒体が非接触で記録再生を行う
ことができ、塵埃の影響を受けないため安定性にも優れ
ている。この光磁気記録媒体は、現在盛んに研究されて
おり、文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コ
ンピュータ用メモリ等への利用あるいはフロッピーディ
スク、ハードディスクの代替が期待され、一部では商品
化の段階に至っている。
このような光磁気記録媒体の記録層として、遷移金属
（Fe、Co）と希土類金属（Tb、Dy、Gd、Ho、Er等）とを
組合せた非晶質（アモルファス）磁性合金膜が種々提案
されている。遷移金属と希土類金属とをそれぞれ１種以
上組み合せ、スパッタ法や蒸着法で基板上に作製した磁
性合金膜は、補償組成付近で非晶質の垂直磁化膜（膜面
と垂直な方向に磁化容易軸を有する磁化膜）となり、光
磁気記録媒体に応用する事が可能となる。
（Fe、Co）と希土類金属（Tb、Dy、Gd、Ho、Er等）とを
組合せた非晶質（アモルファス）磁性合金膜が種々提案
されている。遷移金属と希土類金属とをそれぞれ１種以
上組み合せ、スパッタ法や蒸着法で基板上に作製した磁
性合金膜は、補償組成付近で非晶質の垂直磁化膜（膜面
と垂直な方向に磁化容易軸を有する磁化膜）となり、光
磁気記録媒体に応用する事が可能となる。
一方、情報処理の高速化、ハードディスク等の代替の
見地からすると、光磁気記録媒体においては、記録のよ
り高速、高密度化を図ることが非常に重要な課題となっ
ている。この記録の高速、高密度化のためには記録レー
ザーパワーが小さくてすみ、しかも記録ビットの長さが
短く、その形状がシャープであることが必要とされる。
記録ビット長が長いと高密度化の妨げになるし、記録ビ
ット形状が乱れているとノイズが大きくなり再生C/Nの
劣化を招いてしまう。光磁気記録媒体は熱磁気記録を利
用したものであり、かつ、記録材の酸化劣化しやすいこ
と等の理由により多層構成を採用している関係上、各層
を構成する材料の熱伝導率は記録ビットの長さ、形状に
大きくかかわってくる。しかしながら、従来の光磁気記
録媒体においては、熱伝導率を含めて個々の層の特性を
改良する検討、提案がなされている（例えば、特開昭62
−226449号、同56−74844号公報等）にすぎなかった。
実際には、光磁気記録媒体は多層構造をなし、それぞれ
の構成要素が相補的に関連しており、各層単独の検討で
は、充分満足のいく特性が得られていないのが現状であ
る。
見地からすると、光磁気記録媒体においては、記録のよ
り高速、高密度化を図ることが非常に重要な課題となっ
ている。この記録の高速、高密度化のためには記録レー
ザーパワーが小さくてすみ、しかも記録ビットの長さが
短く、その形状がシャープであることが必要とされる。
記録ビット長が長いと高密度化の妨げになるし、記録ビ
ット形状が乱れているとノイズが大きくなり再生C/Nの
劣化を招いてしまう。光磁気記録媒体は熱磁気記録を利
用したものであり、かつ、記録材の酸化劣化しやすいこ
と等の理由により多層構成を採用している関係上、各層
を構成する材料の熱伝導率は記録ビットの長さ、形状に
大きくかかわってくる。しかしながら、従来の光磁気記
録媒体においては、熱伝導率を含めて個々の層の特性を
改良する検討、提案がなされている（例えば、特開昭62
−226449号、同56−74844号公報等）にすぎなかった。
実際には、光磁気記録媒体は多層構造をなし、それぞれ
の構成要素が相補的に関連しており、各層単独の検討で
は、充分満足のいく特性が得られていないのが現状であ
る。
本発明は、このような従来技術の実情に鑑み、記録感
度が良く、高速、高密度化された光磁気記録媒体を提供
することを目的とする。
度が良く、高速、高密度化された光磁気記録媒体を提供
することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明によれば、透明基板
上に第１誘電体層を介して非晶質の希土類金属−遷移金
属合金薄膜からなる記録層を設け、さらにその上に第２
誘電体層及び熱吸収層を順次設けた構成を有し、前記第
１誘電体層及び前記第２誘電体層が熱伝導率0.03cal・c
m/s・cm2・℃（室温）以下の材料からなるとともに、前
記記録層及び前記熱吸収層が0.20cal・cm/s・cm2・℃
（室温）以下の材料からなることを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。
上に第１誘電体層を介して非晶質の希土類金属−遷移金
属合金薄膜からなる記録層を設け、さらにその上に第２
誘電体層及び熱吸収層を順次設けた構成を有し、前記第
１誘電体層及び前記第２誘電体層が熱伝導率0.03cal・c
m/s・cm2・℃（室温）以下の材料からなるとともに、前
記記録層及び前記熱吸収層が0.20cal・cm/s・cm2・℃
（室温）以下の材料からなることを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。
以下本発明を図面を参照しながら更に詳述する。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の層構成例を示
す断面図であり、図中１は透明基板を示し、該基板１上
に第１誘電体層（エンハンス層）２、記録層３、第２誘
電体層（断熱層）４、熱吸収層（ヒートシンク層）５が
順次積層された構成となっている。そして必要に応じて
有機保護層又は接合層６が形成される。
す断面図であり、図中１は透明基板を示し、該基板１上
に第１誘電体層（エンハンス層）２、記録層３、第２誘
電体層（断熱層）４、熱吸収層（ヒートシンク層）５が
順次積層された構成となっている。そして必要に応じて
有機保護層又は接合層６が形成される。
先ず、基板１の材料としてはポリカーボネート、メチ
ルメタクリレート、ポリオレフィン、エポキシ樹脂等の
光学的に透明なプラスチック、あるいはガラス等が使用
される。基板１にはあらかじめガイドトラック、プリフ
ォーマットを形成してもよい。また、基板１のレーザー
光入射面をH2O、O2の侵入防止のために誘電層、疎水
性、耐ガス性層（例えばフッ素樹脂層）等で被覆しても
よい。
ルメタクリレート、ポリオレフィン、エポキシ樹脂等の
光学的に透明なプラスチック、あるいはガラス等が使用
される。基板１にはあらかじめガイドトラック、プリフ
ォーマットを形成してもよい。また、基板１のレーザー
光入射面をH2O、O2の侵入防止のために誘電層、疎水
性、耐ガス性層（例えばフッ素樹脂層）等で被覆しても
よい。
第１誘導体層２は基板外部からH2O、O2が侵入して記
録層３の磁気特性が劣化するのを防止するとともに、光
の多重反射により磁気光学効果（カー回転角θＫ）をエ
ンハンスメントする役割を行う。このため、第１誘電体
層２に用いられる材料は屈折率ｎが2.0以上、室温にお
ける熱伝導率が0.03cal・cm/cm2・ｓ・℃以下のもが使
用される。第１誘電体層２の熱伝導率が0.03cal・cm/s
・cm2より大きくなると熱伝導による熱損失が大きくな
り、好ましくない。第１誘電体層には、SiNX、ZrTX、Si
ZrNX、CrN、SmN、NdN、V2N、TaN、SbN、BN、HfN、TiN、
GeN等の窒化物の１種又は２種以上複合したものが使用
され、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等
により800〜1300Åの膜厚に形成される。
録層３の磁気特性が劣化するのを防止するとともに、光
の多重反射により磁気光学効果（カー回転角θＫ）をエ
ンハンスメントする役割を行う。このため、第１誘電体
層２に用いられる材料は屈折率ｎが2.0以上、室温にお
ける熱伝導率が0.03cal・cm/cm2・ｓ・℃以下のもが使
用される。第１誘電体層２の熱伝導率が0.03cal・cm/s
・cm2より大きくなると熱伝導による熱損失が大きくな
り、好ましくない。第１誘電体層には、SiNX、ZrTX、Si
ZrNX、CrN、SmN、NdN、V2N、TaN、SbN、BN、HfN、TiN、
GeN等の窒化物の１種又は２種以上複合したものが使用
され、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等
により800〜1300Åの膜厚に形成される。
記録層３には、非晶質のTbDyFeCoあるいはGdDyFoCoが
好ましく使用され、その補償温度Tcompは室温より高
く、室温での熱伝導率は0.20cal・cm/cm2・ｓ・℃以下
のものが望ましい。記録層３の熱伝導率が0.20cal・cm/
cm2・ｓ・℃より大きいと記録マーク（ビット）が大き
くなる。記録層３はスパッタ法、蒸着法等の成膜法によ
り200〜700Åの厚さに形成される。
好ましく使用され、その補償温度Tcompは室温より高
く、室温での熱伝導率は0.20cal・cm/cm2・ｓ・℃以下
のものが望ましい。記録層３の熱伝導率が0.20cal・cm/
cm2・ｓ・℃より大きいと記録マーク（ビット）が大き
くなる。記録層３はスパッタ法、蒸着法等の成膜法によ
り200〜700Åの厚さに形成される。
第２誘電体層４は記録時にレーザー照射により記録層
３に発生した熱を拡散させないで該記録層３内に集める
役割をするとともに、大気中のH2O、O2により記録層３
が酸化、腐食するのを防止する役割を行う。このため、
第２誘電体層４の熱伝導率は0.2cal・cm/cm2・ｓ・℃以
下であることが好ましい。該層４の熱伝導率が0.2cal・
cm/cm2・ｓ・℃より大きくなると、熱拡散が大きくなり
記録層３への蓄熱効果が減少し、好ましくない。第２誘
電体層４の材料としては第１誘電体層２と同様な材料が
使用され、第１誘電体層形成と同様の成膜法により250
〜800Åの膜厚に形成される。
３に発生した熱を拡散させないで該記録層３内に集める
役割をするとともに、大気中のH2O、O2により記録層３
が酸化、腐食するのを防止する役割を行う。このため、
第２誘電体層４の熱伝導率は0.2cal・cm/cm2・ｓ・℃以
下であることが好ましい。該層４の熱伝導率が0.2cal・
cm/cm2・ｓ・℃より大きくなると、熱拡散が大きくなり
記録層３への蓄熱効果が減少し、好ましくない。第２誘
電体層４の材料としては第１誘電体層２と同様な材料が
使用され、第１誘電体層形成と同様の成膜法により250
〜800Åの膜厚に形成される。
熱吸収層５は第２誘電体層４での熱拡散を防止する作
用をする。すなわち、記録時にレーザー照射により記録
層３に発生した熱は、第２誘電体層４に伝導し、その第
２誘電体層４の熱吸収層５に伝導することにより、第２
誘電体層４での熱拡散が防止される。その結果、記録ビ
ット後端の尾引きが短く、そのビット形状もシャープで
レーザースポット径に忠実となる。一方、熱吸収層５の
無い場合には第２誘電体層４で熱拡散が起り、記録ビッ
ト後端の尾引きは長く、その形状はレーザースポット径
より細くなる。このため、熱吸収層５には、第２誘電体
膜４より熱伝導率が小さく、室温での熱伝導率が0.20ca
l・cm/cm2・ｓ・℃以下の材料、例えばZr、Pt、Cr、A
g、Au、Rhの少なくとも１種あるいはこれらの合金が好
ましく使用される。そして、スパッタ法、蒸着法等の成
膜法により300〜700Åの膜厚に形成される。
用をする。すなわち、記録時にレーザー照射により記録
層３に発生した熱は、第２誘電体層４に伝導し、その第
２誘電体層４の熱吸収層５に伝導することにより、第２
誘電体層４での熱拡散が防止される。その結果、記録ビ
ット後端の尾引きが短く、そのビット形状もシャープで
レーザースポット径に忠実となる。一方、熱吸収層５の
無い場合には第２誘電体層４で熱拡散が起り、記録ビッ
ト後端の尾引きは長く、その形状はレーザースポット径
より細くなる。このため、熱吸収層５には、第２誘電体
膜４より熱伝導率が小さく、室温での熱伝導率が0.20ca
l・cm/cm2・ｓ・℃以下の材料、例えばZr、Pt、Cr、A
g、Au、Rhの少なくとも１種あるいはこれらの合金が好
ましく使用される。そして、スパッタ法、蒸着法等の成
膜法により300〜700Åの膜厚に形成される。
熱吸収層５の上には必要に応じて有機保護層あるいは
接合層６が設けられるが、有機保護層は熱吸収層５以下
の下層を保護し、接合層は両面記録タイプの媒体におけ
る接合を行う。これら有機保護層あるいは接合層６には
紫外線硬化樹脂（UVレジン）、熱可塑性樹脂、プラズマ
重合樹脂等を用いてスピナー塗布法等の方法で１μｍ〜
100μｍの膜厚に成膜される。
接合層６が設けられるが、有機保護層は熱吸収層５以下
の下層を保護し、接合層は両面記録タイプの媒体におけ
る接合を行う。これら有機保護層あるいは接合層６には
紫外線硬化樹脂（UVレジン）、熱可塑性樹脂、プラズマ
重合樹脂等を用いてスピナー塗布法等の方法で１μｍ〜
100μｍの膜厚に成膜される。
また、上記のような構成の２枚のディスクを貼合せて
両面記録タイプの光磁気ディスクとするときには、その
ディスクの端部を誘電材あるいはプラスチックで接合す
るのが好ましい。
両面記録タイプの光磁気ディスクとするときには、その
ディスクの端部を誘電材あるいはプラスチックで接合す
るのが好ましい。
以上本発明を一構成例に基づき述べてきたが、本発明
の層構成はこの例に限定されるものではなく、例えば、
第１誘電体膜２及び第２誘電体膜４をいずれか一方のみ
設けたもの、記録層３を２層構造としたもの等、種々の
変形、変更が可能である。
の層構成はこの例に限定されるものではなく、例えば、
第１誘電体膜２及び第２誘電体膜４をいずれか一方のみ
設けたもの、記録層３を２層構造としたもの等、種々の
変形、変更が可能である。
以下に本発明の実施例をあげるが、本発明はこれら実
施例に限定されるものではない。
施例に限定されるものではない。
（実施例１） 外径130mm、内径15mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート
板を基板として用い、RFマグネトロンスパッタ装置にお
いてSiターゲットを用いるとともにN2＋Arガスを流し、
該基板上に第１誘電体層としてSiN膜をスパッタリング
で1000Å厚に形成し、次いでその上に同じくRFマグネト
ロンスパッタリングで記録層としてTb０・12Dy０・12Fe
０・68Co０・08膜を250Å厚に形成し、さらにその上に
第１誘電体層形成と同様にしてSiN膜からなる第２誘電
体層を300Å厚に形成した。次に、第２誘電体層上にDC
スパッタリングでAl−Zrを600Å厚に形成した後、UVレ
ジン（商品名EH214、横浜ゴム社製）をスピナー塗布法
により約４μｍ厚に成膜した後、硬化させて有機保護層
を形成し、光磁気ディスクを得た。上記の各要素の材
料、各層の厚さを後掲の表−１に示すとともに、各層の
熱伝導率の値を後掲の表−２に示す。
板を基板として用い、RFマグネトロンスパッタ装置にお
いてSiターゲットを用いるとともにN2＋Arガスを流し、
該基板上に第１誘電体層としてSiN膜をスパッタリング
で1000Å厚に形成し、次いでその上に同じくRFマグネト
ロンスパッタリングで記録層としてTb０・12Dy０・12Fe
０・68Co０・08膜を250Å厚に形成し、さらにその上に
第１誘電体層形成と同様にしてSiN膜からなる第２誘電
体層を300Å厚に形成した。次に、第２誘電体層上にDC
スパッタリングでAl−Zrを600Å厚に形成した後、UVレ
ジン（商品名EH214、横浜ゴム社製）をスピナー塗布法
により約４μｍ厚に成膜した後、硬化させて有機保護層
を形成し、光磁気ディスクを得た。上記の各要素の材
料、各層の厚さを後掲の表−１に示すとともに、各層の
熱伝導率の値を後掲の表−２に示す。
（実施例２〜８） 基板、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、熱伝導
層及び有機保護層の材料としてそれぞれ表−１に示す材
料を用い、実施例１と同様にして光磁気記録媒体を得
た。各層の膜厚及び各層の熱伝導率はそれぞれ表−１及
び表−２に示す通りである。
層及び有機保護層の材料としてそれぞれ表−１に示す材
料を用い、実施例１と同様にして光磁気記録媒体を得
た。各層の膜厚及び各層の熱伝導率はそれぞれ表−１及
び表−２に示す通りである。
（比較例） 各要素の材料として表−１に示す材料を用い、実施例
１と同様にして光磁気ディスクを作製した。各層の膜厚
及び熱伝導率はそれぞれ表−１及び表−２に示す通りで
ある。
１と同様にして光磁気ディスクを作製した。各層の膜厚
及び熱伝導率はそれぞれ表−１及び表−２に示す通りで
ある。
以上のようにして作製した各光磁気ディスクについて
下記の条件で記録再生特性を評価した。その結果を表３
に示す。
下記の条件で記録再生特性を評価した。その結果を表３
に示す。
・使用レーザ波長 790nm ・NA＝0.53 ・線速 7m/秒 ・記録周波数 4MHz 〔発明の効果〕 以上詳細に説明したように、本発明によれば、各層の
熱伝導率を前述のように規定したので、記録ビット長が
短く、ビット形状がシャープとなり、記録再生特性が向
上し、記録のより高速、高密度化を達成することができ
る。
熱伝導率を前述のように規定したので、記録ビット長が
短く、ビット形状がシャープとなり、記録再生特性が向
上し、記録のより高速、高密度化を達成することができ
る。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の層構成を示す断面図
である。 １……基板、２……第１誘電体層 ３……記録層、４……第２誘電体層 ５……熱吸収層
である。 １……基板、２……第１誘電体層 ３……記録層、４……第２誘電体層 ５……熱吸収層
フロントページの続き (72)発明者 近江 文也 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 沢田 康雄 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 宮本 功 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 昭62−226449（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−315049（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−172545（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 521
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板上に第１誘電体層を介して非晶質
の希土類金属−遷移金属合金薄膜からなる記録層を設
け、さらにその上に第２誘電体層及び熱吸収層を順次設
けた構成を有し、前記第１誘電体層及び前記第２誘電体
層が熱伝導率0.03cal・cm/s・cm2・℃（室温）以下の材
料からなるとともに、前記記録層及び前記熱吸収層が0.
20cal・cm/s・cm2・℃（室温）以下の材料からなること
を特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30105689A JP2796574B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30105689A JP2796574B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03160644A JPH03160644A (ja) | 1991-07-10 |
| JP2796574B2 true JP2796574B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=17892331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30105689A Expired - Fee Related JP2796574B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2796574B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5712833A (en) * | 1993-12-28 | 1998-01-27 | Ogihara; Noriyuki | Durable magneto-optical disk having a rare earth-transition amorphous magneto-optical layer |
| US6802073B1 (en) * | 1999-06-11 | 2004-10-05 | Tosoh Corporation | Magneto-optical recording medium |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP30105689A patent/JP2796574B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03160644A (ja) | 1991-07-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |