JPS63200345A - 光磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高感度な光磁気ディスクに関するものである。

〈従来技術〉 近年、高密度記録方法としてレーザー光によるビット書
き込み法が各種検討されている。中でも光磁気ディスク
は基板上に磁気記録層および保護層等を設けた構造をし
ており、レーザー光によって該記録媒体を局所的に加熱
し、０．１情報を磁化の向きの違いとして書き込み、磁
気光学効果を利用して読み出すというものである。この
方法は穿孔タイプと異なり、書込み、消去の繰返しが可
能なことから書換え型光ディスクと呼ばれ実用化をめざ
して精力的な開発が進められている。

磁気記録層は希土類元素（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙなど）と遷
移金属（Ｆｅ、Ｃｏ）の組合せからなる垂直磁化膜（以
下、磁性層と呼ぶ）を蒸着法あるいはスパッタリング法
などによって基板上に薄膜形成させることによって得ら
れる。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら磁性層単独では、 （１）酸化劣化が極めて早く実用性がない。

（２）光磁気効果が十分得られず、再生信号のＳ／Ｎが
不十分である。

という問題があり、この二点を解決する目的で、磁性層
を適当な屈折率、厚みをもった透明誘電体膜（以下、保
護層と呼ぶ）でサンドインチ構造とすることが一般的に
行われている。この保護層としては、例えば酸化ケイ素
、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ビスマスなどの
酸化物あるいは窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの窒
化物、硫化亜鉛などの硫化物等、種々の化合物が提案さ
れている。

しかし・ながら近年、より高速アクセスを目的としてデ
ィスクの回転数を大きくする検討もなされているが、こ
の場合、従来の構造では感度が不足するという問題があ
る。とりわけ保護層として窒化ケイ素、窒化アルミニウ
ムのような熱伝導率の高い材料を用いた場合、この問題
は深刻であり、より高出力の高価なレーザー光源が必要
となってしまう０通常このような場合、媒体感度を向上
させるために磁性層の組成を変更するなどの策がとられ
ているが、この方法ではその磁性層組成の持つ特性が変
わってしまうという欠点がある。

上記問題点を考慮しつつ、本発明者らは光磁気媒体の感
度を向上させるべく、種々の検討を行った結果、基板と
保護層の間に適当な厚さのＳｉ層を加えることにより、
感度が大きく向上することを見出し、本発明に到った。

すなわち、本発明の目的は高感度な光磁気ディスクを提
供することにある。

〈問題点を解決するための手段〉 本発明は（１）透明基板上に保護層（八）、磁気記録層
、保ｊｌｔ層（Ｉｔ）を設けたレーザー光による情報の
記録、再生および消去を行う光磁気ディスクにおいて、
透明基板と該保護層（八）の間に厚みが５０人を超え、
２００Å以下であるＳｉ層を設けたことを特徴とする光
磁気ディスクを提供することにある。

以下本発明について詳述する。

本発明における光磁気ディスクは基本的に以下の積層構
造を有している。すなわち透明基板／　Ｓ　ｉ層／保護
層（Ａ）／磁気記録層（以下磁性［）／保護１１　（１
１）／金属層である。このうち２つの保護１（Ａ）。

（Ｂ）は同一素材でもよく、また異なる二種以上の材料
の中から組みあわせた複合構造をとることもできる。ま
た最後の金属層はカーエンハンスメント効果を持たせる
ためのものであり、目的、特性に応じては必ずしも必要
としない。

本発明に用いられる透明基板としてはガラス、メタアク
リル樹脂、ポリカーボネート樹脂など、複屈折性の小さ
い通常の光磁気ディスク用基板が挙げられる。

ＳｉＮはこの基板上に電子ビーム蒸着、スパッタリング
法などにより形成される。このＳｉＮは屈折率が大きく
、これを設けることにより光の閉じ込め効果が生じ、デ
ィスク媒体としての感度を向上させる性質を持つ反面、
熱伝導率が大きく、逆に感度を低下させる性質も併せも
つ。したがってＳｉ層を設けたときの感度におよぼす効
果は、上記相反効果の和として表わされるため、この膜
厚をいくらにするかが重要となる＊　ｓｔｉが薄すぎる
場合は光の閉じ込め効果が小さく、実質上感度向上に役
立たず、また逆に厚すぎる場合は、上記高い熱伝導率お
よびＳｉ自身での光吸収により、感度低下および反射光
量の低下が顕著となる。したがってＳｉＮの厚さは具体
的には５０人を超え、２００Å以下、好ましくは６０〜
１８０人とする必要がある。この範囲内であればＣ／Ｎ
等を低下させることなく、厚さに応じて感度を変化させ
ることが可能であるが、より具体的にいくらの値にする
かは反射率、感度等の媒体への要求特性等を勘案して上
記範囲内で決定されるべきものである。

本発明に用いられる保護層（＾）、（Ｂ）　　としては
、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、
酸化チタン、酸化ビスマス、酸化ケイ素などの酸化物、
窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどの窒化物、硫化ｉ鉛
、硫化カドミウムなどの硫化物、炭化ケイ素などの炭化
物等が挙げられる。とりわけ既述のように窒化ケイ素（
ＳｉＮｘ）　、窒化アルミニウム（ＡＩＮｘ）のような
熱伝導率が高い素材が本発明が有効である。

これら保護層の作製法は蒸着法、スパッタリング法、反
応性スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法など種々の薄
膜形成技術の中から適宜選択することができる。

本発明に用いられる磁性層には特に限定はなく、光磁気
ディスクの記録媒体として用いられる通常の希土類元素
（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙなど）と遷移金属（Ｆ　ｅ　＋　Ｇ
　ｏ　）の組合せが採用できる。これらは通常の合金薄
膜を作る方法で蒸着あるいはスパッタリングによって得
られる。組合せとしては、例えばＴｂＦｅ、　ＧｄＣ。

のような三元素系、ＧｄＴｂＦｅ、　ＴｂＦｅＣｏのよ
うな三元素系、ＧｄＴｂＦｅＣｏのような四元素系等が
挙げられる。

これら保護層、磁性層の厚さはＳｉ層の厚さに応じてエ
ンハンスメント効果を最良にする所望の値に設定される
が、通常１００〜２０００人の範囲である。

金属層は見かけのカー回転角を増大させる目的で設ける
ものであり、必ずしも必要としないが、設ける場合、銅
、アルミニウム、クロムなど反射率の高い金属が好適で
ある。この場合厚さは通常２００〜８００人の範囲であ
る。

〈発明の効果〉 上述のように本発明のディスクは基板と保護層（Ａ）の
間に適当な厚さの５ｉｌｉｌをつけることにより、感度
を向上させることができる。ところで、−ａに光磁気デ
ィスクを実用に供する場合、取り汲いを容易にする目的
で、上述の積層構造の上に接着剤を介して裏うち、基板
を貼り合わせたり、あるいは両面を使用する目的で上述
の積層構造を二枚向かいあわせて接着剤を介して貼り合
わせたりする方法がとられるが、これらの場合、接着剤
層を通しての熱の逸散による感度低下が避けられず、そ
ういった点からも本発明は特に有効である。

〈実施例〉 以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。

実施例１ 基板としてポリカーボネートを用い、スパッタリング法
によりＳｋ［、反応性スパックリング法によりＳｉＮｘ
層を順次成膜した。膜厚は３１層が６０人、８０人、１
５０人の３種類、５ｉＮＸｊｉはエンハンスメント効果
を最大にするよう前記８１層膜厚に対してそれぞれ５０
０人、４００人、２５０人とした。

これらの保護層上に磁性層として約９００人のＴｂＦｅ
Ｃｏ　Ｎをスパッタリング法により作成した。更にこの
上に反応性スパッタリング法により、ＳｉＮｘ保護層を
約８５０人の膜厚で成膜し４層構造の記録媒体とした。

これらの記録媒体に回転数１８００ｒｐｍ、記録位置半
径３０間、記録周波数Ｉ　ＭＨｚの条件で記録を行った
場合の最適記録パワー（第２高調波が最小となる記録パ
ワー）及び再生時のＣ／Ｎを表１に示す。

比較例　１ 実施例１における３１層のないものとして、ポリカーボ
ネート基板に直接ＳｉＮｘ層を反応性スパッタリング法
にて約８５０人の膜厚で形成したこと以外は実施例１と
同様にして記録媒体を作成した。

比較例　２ 実施例１における５ｉｌｌ膜厚の厚すぎる例として、ポ
リカーボネート基板上にスパッタリング法でＳｉ層３０
０人、反応性スパッタリング法で５ｉＮＩＩＩｉｌ　１
００人を順次形成したこと以外は実施例１と同様にして
記録媒体を作成した。

これら比較例の記録媒体についても実施例１と同様に記
録再生テストを行った。結果を表１に示す。

表１に示した結果から明らかなように、比較例１のＳｉ
Ｎを設けないものに比べて実施例１のＳｉＮを設けたも
のは、記録に必要な最適パワーがＳｉＮの膜厚の増加に
伴って減少、すなわち記録感度の向上が見られる。また
この範囲内ではＣ／Ｎの変化はほとんど認められない。

一方、Ｓｉ層の膜厚を３００人にまで厚くした比較例２
のものは反射率が５％以下となり十分なフォーカシング
及びトラッキングが行えず、記録・再生が不可能であっ
た。

表　　　　　１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透明基板上に保護層（Ａ）、磁気記録層、保護層（Ｂ）
   を設けたレーザー光による情報の記録、再生および消去
   を行う光磁気ディスクにおいて、透明基板と該保護層（
   Ａ）の間に厚みが５０Åを超え、２００Å以下であるＳ
   ｉ層を設けたことを特徴とする光磁気ディスク