JPS6168748A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、消去書替可能な高密度メモリーに利用され、
光照射による加熱で記録され磁気カー効果、ファラデー
効果などの磁気光学効果を利用して読み出しのできるデ
ィスクやカード、シート状の光磁気記録媒体に関する。
光照射による加熱で記録され磁気カー効果、ファラデー
効果などの磁気光学効果を利用して読み出しのできるデ
ィスクやカード、シート状の光磁気記録媒体に関する。
従来、光磁気記録媒体としては、 Mini、 Mn(
:u旧などの多結晶薄膜、GdCo、 GdFe、 T
bFe、 [1yFe。
:u旧などの多結晶薄膜、GdCo、 GdFe、 T
bFe、 [1yFe。
GdTbFe 、↑bロアFe、 GdFeCo、 T
bFeCo、 GdTbCoなどの非晶質薄膜、 Gd
Feガーネットなどの単結晶S膜などが知られている。
bFeCo、 GdTbCoなどの非晶質薄膜、 Gd
Feガーネットなどの単結晶S膜などが知られている。
これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近傍の温度で
製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エネルギーで書
き込むための書き込み効率、および書き込まれた信号を
SIN比よく読み出すための読み出し効率等を勘案する
と、最近では前記非晶質PJIliが光熱磁気記録媒体
用として優れていると考えられている。
製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エネルギーで書
き込むための書き込み効率、および書き込まれた信号を
SIN比よく読み出すための読み出し効率等を勘案する
と、最近では前記非晶質PJIliが光熱磁気記録媒体
用として優れていると考えられている。
さらに書き込み効率、読み出し効率を向上させるために
前記非晶質薄膜を光が透過する程度に超薄膜化し、その
上に反射層を設けた構成も提案されている。
前記非晶質薄膜を光が透過する程度に超薄膜化し、その
上に反射層を設けた構成も提案されている。
しかし、前記の非晶質磁性薄膜は一般に耐腐食性が劣り
、湿気を有する雰囲気中では腐食されて磁気特性の劣化
が生じるという欠点があり、記録媒体としての長期保存
性に問題があった。また前記の反射層を設けた構成では
、非晶質磁性薄膜が非常に薄いため一層、腐食されやす
い、その上。
、湿気を有する雰囲気中では腐食されて磁気特性の劣化
が生じるという欠点があり、記録媒体としての長期保存
性に問題があった。また前記の反射層を設けた構成では
、非晶質磁性薄膜が非常に薄いため一層、腐食されやす
い、その上。
反射層の金属材料としては記録・再生に用いる光の反射
率が十分大きいものを使わなければならず、それ自身の
耐腐食性や防湿性とを両立させることがむずかしかった
0本発明はこれらの問題点を解決し、耐腐食性の高い光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
率が十分大きいものを使わなければならず、それ自身の
耐腐食性や防湿性とを両立させることがむずかしかった
0本発明はこれらの問題点を解決し、耐腐食性の高い光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
本発明の光磁気記録媒体は、基板上にFIi気記録層を
有し、更に該磁気記録層上に反射層を有してなる光磁気
記録媒体において、前記反射層が、二層の金属層からな
り、前記磁気記録層から遠い側に配設された金属等が他
方の金属層よりもイオン化傾向の大きい金属で、かつ不
動態被膜を形成可能な金属からなることを特徴とする。
有し、更に該磁気記録層上に反射層を有してなる光磁気
記録媒体において、前記反射層が、二層の金属層からな
り、前記磁気記録層から遠い側に配設された金属等が他
方の金属層よりもイオン化傾向の大きい金属で、かつ不
動態被膜を形成可能な金属からなることを特徴とする。
以下1本発明の光磁気記録媒体を図面に基づいてより詳
細に説明する。第1図は、本発明の光磁気記録媒体の一
実施態様を示す模式断面図である。
細に説明する。第1図は、本発明の光磁気記録媒体の一
実施態様を示す模式断面図である。
1は基板であり、従来公知の材料例えば、ガラス、アク
リル系樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリイ
ミド等を用いることができる。
リル系樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリイ
ミド等を用いることができる。
2は磁気記録層であり、本発明の目的から非晶質磁性f
i膜によって形成するのがよいが、MnB i 。
i膜によって形成するのがよいが、MnB i 。
MnCuB1等の多結晶薄膜等の従来公知の磁気光学効
果を有する薄膜であってもよい。
果を有する薄膜であってもよい。
特に、良好な記録効率・再生効率を得るためにはGd、
Tb、 Dy等の希土類金属の中の1種以上の金属元
素とFe、 Go、 Ni等の遷移金属の中の1種以上
の金属元素とからなる非晶質磁性薄膜が望ましい、−例
としてGdCa、 TbFe、 GdTbFe、 Tb
DyFe。
Tb、 Dy等の希土類金属の中の1種以上の金属元
素とFe、 Go、 Ni等の遷移金属の中の1種以上
の金属元素とからなる非晶質磁性薄膜が望ましい、−例
としてGdCa、 TbFe、 GdTbFe、 Tb
DyFe。
TbFeCo、 GdTbFeC:o等の非晶質薄膜を
挙げるコトができる。
挙げるコトができる。
磁気記録層2は真空蒸着法、スパッタリング法等により
形成される。
形成される。
3と3′は反射層であり、この反射層3及び3′により
記録の際には磁気記録層2を透過した記録光が再び磁気
記録層2へ照射されることにより記録光のエネルギーは
有効に利用できる。再生の際には、再生光の一部は磁気
記録層2で反射され、一部は磁気記録層2を透過し反射
層3,3′で反射される0、前者の反射光はカー効果を
受け、後者の反射光はファラデー効果を受けているので
1両者の反射光の検出により再生効率を高めることがで
きる。
記録の際には磁気記録層2を透過した記録光が再び磁気
記録層2へ照射されることにより記録光のエネルギーは
有効に利用できる。再生の際には、再生光の一部は磁気
記録層2で反射され、一部は磁気記録層2を透過し反射
層3,3′で反射される0、前者の反射光はカー効果を
受け、後者の反射光はファラデー効果を受けているので
1両者の反射光の検出により再生効率を高めることがで
きる。
反射層3の材料としては、使用する光波長において十分
な反射率を有し、イオン化傾向の比較的小さい金属の中
から選ばれる。特にCu、 Au、 Aiptなどが好
ましい、一方1反射層3′の材料としては、イオン化傾
向が反射層3の材料より大きく、かつ酸化されて不動態
被膜を形成する耐食性の金属の中から選ばれる。好まし
い材料として、Or、 Ti、 jV!、 Taなどが
挙げられる。特にOrは酸化されると強固な不動態被膜
が形成されるので好ましい。
な反射率を有し、イオン化傾向の比較的小さい金属の中
から選ばれる。特にCu、 Au、 Aiptなどが好
ましい、一方1反射層3′の材料としては、イオン化傾
向が反射層3の材料より大きく、かつ酸化されて不動態
被膜を形成する耐食性の金属の中から選ばれる。好まし
い材料として、Or、 Ti、 jV!、 Taなどが
挙げられる。特にOrは酸化されると強固な不動態被膜
が形成されるので好ましい。
反射層3及び3′は上記の材料を使用して真空蒸着、ス
パッタリング等の方法によって形成される。
パッタリング等の方法によって形成される。
反射層3及び3′が上記のような構成とされることによ
って、前記した反射層本来の働きに加え、m気記録層2
の腐食を防止する働きも有する。すなわち、反射層3′
上に設けられる接着層4が吸湿しても、反射層3′は不
動態被膜を形成するので酸素や水分等は該層3′を透過
せず。
って、前記した反射層本来の働きに加え、m気記録層2
の腐食を防止する働きも有する。すなわち、反射層3′
上に設けられる接着層4が吸湿しても、反射層3′は不
動態被膜を形成するので酸素や水分等は該層3′を透過
せず。
磁気記録層2の腐食が防止される。また1反射層3′に
たとえビンボールが存在しても次のような理由から反射
層3は腐食を受けにくい、即ち、一般的にイオン化傾向
の大きい金属はど酸化されやすく、イオン化傾向の異な
る金属が隣接している場合には、その隣接界面に酸素、
水分が浸透した場合にイオン化傾向の大きい金属面の腐
食が先に進行し、結果としてイオン化傾向の小さい金属
面の腐食の進行が抑制されるためである。
たとえビンボールが存在しても次のような理由から反射
層3は腐食を受けにくい、即ち、一般的にイオン化傾向
の大きい金属はど酸化されやすく、イオン化傾向の異な
る金属が隣接している場合には、その隣接界面に酸素、
水分が浸透した場合にイオン化傾向の大きい金属面の腐
食が先に進行し、結果としてイオン化傾向の小さい金属
面の腐食の進行が抑制されるためである。
以上のように1反射層3は反射層3′によって腐食から
保護されているので、該層3の材料としては耐食性能を
問題とせずに記録光・再生光の反射能力に利点をおいて
選択でさる。従って、本発明の光磁気記録媒体は耐食性
の向上のみならず記録効率や再生効率の向上においても
有効である。
保護されているので、該層3の材料としては耐食性能を
問題とせずに記録光・再生光の反射能力に利点をおいて
選択でさる。従って、本発明の光磁気記録媒体は耐食性
の向上のみならず記録効率や再生効率の向上においても
有効である。
反射層3と3′の層厚の合計は従来の一層の反射層の層
厚と同程度とする。
厚と同程度とする。
接着層4は、この光磁気記録媒体の機械的保護等のため
に基板(不図示)と貼り合せたり、両面で記録再生がで
きるようにもう1つの記録媒体(不図示)を貼り合せた
りするための層である。
に基板(不図示)と貼り合せたり、両面で記録再生がで
きるようにもう1つの記録媒体(不図示)を貼り合せた
りするための層である。
なお、基板lと磁気記録層2との間に光磁気記録媒体の
耐腐食性・耐久性を更に向上させるために、SiO、5
i02 、 Sl、Nm 、 Aiq03等の保護
層を設はノーjl 、種々の目的でryT定の位置に他
の層を設け(もよい。
耐腐食性・耐久性を更に向上させるために、SiO、5
i02 、 Sl、Nm 、 Aiq03等の保護
層を設はノーjl 、種々の目的でryT定の位置に他
の層を設け(もよい。
また、第2図に示すように、磁気記#i層2と反射層3
との間にSiO、5iiN*等の誘電体層5を真空75
着、スパッタリング等の方法により設けてもよい。こう
することにより、磁気記録層2を透過した再生光の一部
がこの誘電体と反射層3及び3′ との間で多重反射し
、この光と磁気記録層2で反射された再生光の一部とを
同時に検出することにより、再生効率を高めることもで
きる。
との間にSiO、5iiN*等の誘電体層5を真空75
着、スパッタリング等の方法により設けてもよい。こう
することにより、磁気記録層2を透過した再生光の一部
がこの誘電体と反射層3及び3′ との間で多重反射し
、この光と磁気記録層2で反射された再生光の一部とを
同時に検出することにより、再生効率を高めることもで
きる。
また、本発明の光磁気記録媒体は、正確な記録・再生の
ために第3図に示すように案内溝を設けることもできる
。これは、射出成形等によって基板1に案内溝を設け、
この基板1上に各種の層を均一に被膜することによって
形成できる。第3図において6は、 SiO、SiO□
、 Si3N、 、 Affi、03等の保護層で
ある。
ために第3図に示すように案内溝を設けることもできる
。これは、射出成形等によって基板1に案内溝を設け、
この基板1上に各種の層を均一に被膜することによって
形成できる。第3図において6は、 SiO、SiO□
、 Si3N、 、 Affi、03等の保護層で
ある。
以上説明したように反射層をイオン化傾向の異なる2層
の金属層とするという簡単な改良で、記録再生の性能と
、保存寿命との両方を向上させることができた。
の金属層とするという簡単な改良で、記録再生の性能と
、保存寿命との両方を向上させることができた。
以下、本発明を実施例及び比較例により更に詳細に説明
する。
する。
実施例1
第2図に示す構成の光磁気記録媒体を作成した。
基板■として1.1mm厚の基板ガラスを用い、その上
にスパッタリング装置を用いてGdTbFeCaの厚さ
150への非晶質合金薄膜を磁気記録層2として形成
した。その上に引きつづき同じ装置の中でSiのターゲ
ットを用い、ArとN2の程合ガスを使ってスパッタリ
ングにより厚さ38QQA(7)窒化硅素膜を誘電体層
5として形成した。その後、これをスバシ・タリング装
置から取り出し、真空蒸着装置に童・・2トし、て、反
射層3としてCuを厚さ100OA、反射層3 どして
Crを厚さ3000A真空ノベ着した6次番二反射層3
′上にシリコン系接着剤でノ、(板ガラスと接着し光磁
気記録媒体を作製した。
にスパッタリング装置を用いてGdTbFeCaの厚さ
150への非晶質合金薄膜を磁気記録層2として形成
した。その上に引きつづき同じ装置の中でSiのターゲ
ットを用い、ArとN2の程合ガスを使ってスパッタリ
ングにより厚さ38QQA(7)窒化硅素膜を誘電体層
5として形成した。その後、これをスバシ・タリング装
置から取り出し、真空蒸着装置に童・・2トし、て、反
射層3としてCuを厚さ100OA、反射層3 どして
Crを厚さ3000A真空ノベ着した6次番二反射層3
′上にシリコン系接着剤でノ、(板ガラスと接着し光磁
気記録媒体を作製した。
この光磁気記録媒体のIII)!腐食性を調べるために
、85℃、85%RHの条件下に1000時間放置した
。
、85℃、85%RHの条件下に1000時間放置した
。
その結果外観上回の変化もなく、保磁力の低下も初期値
の10%以内であった。
の10%以内であった。
実施例2
反射層3′ としてCrの代りに層厚2QOOAのTi
とした以外は実施例1と全く同様にして光磁気記録媒体
を作製し、85℃、85%RHの条件下に1000時間
放置した。その結果外観上変化なく、保磁力の低下も初
期値の10%以内であった。
とした以外は実施例1と全く同様にして光磁気記録媒体
を作製し、85℃、85%RHの条件下に1000時間
放置した。その結果外観上変化なく、保磁力の低下も初
期値の10%以内であった。
比較例1
実施例1において、反射層を層厚300〇へのCu膜一
層のみとした以外は実施例1と全く同様にして光磁気記
録媒体を作製し、85°C585%RHの条件下に10
00時間放置した。その結果ピンホール状の腐食が部分
的に発生しており保磁力の低下も初期値の30%に達し
ていた。
層のみとした以外は実施例1と全く同様にして光磁気記
録媒体を作製し、85°C585%RHの条件下に10
00時間放置した。その結果ピンホール状の腐食が部分
的に発生しており保磁力の低下も初期値の30%に達し
ていた。
実施例1.2及び比較例とを比べると1本発明により#
腐食性が向上することか明らかである。
腐食性が向上することか明らかである。
実施例3
トラッキング用案内溝を成形したPMMA製ディスク状
の基板lにまずスパッタ装置で窒化硅素の保5層6を1
00OAの厚さに形成し、その−ヒに引きつづき実施例
1と同様な非晶質磁性合金薄膜を200人形成し、引さ
つづ3窒化硅素11Qを誘電体層3として形成した0次
に真空蒸着装置の中で反射層3としてCuを厚さ100
0人、反射層3′としてCrを厚さ3oooA真空蒸着
した。このようにして2つの光磁気記録媒体を形成し、
反射層3′を互いにシリコ−・7ぐ慶ri剤で貼り合せ
た。
の基板lにまずスパッタ装置で窒化硅素の保5層6を1
00OAの厚さに形成し、その−ヒに引きつづき実施例
1と同様な非晶質磁性合金薄膜を200人形成し、引さ
つづ3窒化硅素11Qを誘電体層3として形成した0次
に真空蒸着装置の中で反射層3としてCuを厚さ100
0人、反射層3′としてCrを厚さ3oooA真空蒸着
した。このようにして2つの光磁気記録媒体を形成し、
反射層3′を互いにシリコ−・7ぐ慶ri剤で貼り合せ
た。
ニーの光磁気記録媒体を記録再生装置で評価した。回転
数180Orpm記録レーザーパワー7mW、再生レー
ザーパワー211IllI、波長830nmで、4 M
HzのCAM比は46仙であった。
数180Orpm記録レーザーパワー7mW、再生レー
ザーパワー211IllI、波長830nmで、4 M
HzのCAM比は46仙であった。
この記録媒体を45°C195%RHの条件下に100
0時間放置後再び記録再生したところG/Nは44龜で
あった。外観的にも何の変化もみちれなかった。
0時間放置後再び記録再生したところG/Nは44龜で
あった。外観的にも何の変化もみちれなかった。
比較例2
実施例3において1反射層を層厚400〇へのCull
I2一層のみとしたこと以外は実施例3と全く同様にし
て光磁気配Q奴体を作製し、その評価をした。
I2一層のみとしたこと以外は実施例3と全く同様にし
て光磁気配Q奴体を作製し、その評価をした。
初期のCAMは46tIIであったが、45℃、95%
IIIH。
IIIH。
1000時間後では3448に落ちてしまい、外観的に
も腐食と思われる変色が認められた。
も腐食と思われる変色が認められた。
比較例3
実施例3において1反射層を層厚+oooAのCr膜一
層のみとしたこと以外は実施例3と全く同様にして光磁
気記録媒体を作製し、その評価をした。
層のみとしたこと以外は実施例3と全く同様にして光磁
気記録媒体を作製し、その評価をした。
初期のCAMは36(Lllと低く実用に酎えるもので
はなかった。
はなかった。
実施例3と比較例2.3とを比べてみても、本発明は耐
腐食性が高く、磁気特性も良好なものであることは明ら
かである。
腐食性が高く、磁気特性も良好なものであることは明ら
かである。
第1−第3図は本発明の光磁気記録媒体の実施例を示す
模式断面図である6 1:Xi板、 2:ra気記録層。 3.3’:反射層、 4:接着層、 5:誘電体層、 6:保護層。
模式断面図である6 1:Xi板、 2:ra気記録層。 3.3’:反射層、 4:接着層、 5:誘電体層、 6:保護層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板上に磁気記録層を有し、更に該磁気記録層上に
反射層を有してなる光磁気記録媒体において、前記反射
層が二層の金属層からなり、前記磁気記録層から遠い側
に配設された金属層が他方の金属層よりもイオン化傾向
の大きい金属で、かつ不動態被膜を形成可能な金属から
なることを特徴とする光磁気記録媒体。 2)前記磁気記録層が遷移金属から選ばれた1種以上の
金属元素及び希土類金属から選ばれた1種以上の金属元
素からなる特許請求の範囲第1項記載の光磁気記録媒体
。 3)前記磁気記録層から遠い側に配設された金属層がC
rから成る特許請求の範囲第1項記載の光磁気記録媒体
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18878684A JPS6168748A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18878684A JPS6168748A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6168748A true JPS6168748A (ja) | 1986-04-09 |
Family
ID=16229766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18878684A Pending JPS6168748A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6168748A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62177736A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Sharp Corp | 光学記憶素子 |
US4877690A (en) * | 1989-03-01 | 1989-10-31 | Eastman Kodak Company | Magnetooptical recording element |
JPH02199645A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-08 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP18878684A patent/JPS6168748A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62177736A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Sharp Corp | 光学記憶素子 |
JPH02199645A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-08 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
US4877690A (en) * | 1989-03-01 | 1989-10-31 | Eastman Kodak Company | Magnetooptical recording element |
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