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JP2504946B2 - 光磁気記録用媒体 - Google Patents

光磁気記録用媒体

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Publication number
JP2504946B2
JP2504946B2 JP61038706A JP3870686A JP2504946B2 JP 2504946 B2 JP2504946 B2 JP 2504946B2 JP 61038706 A JP61038706 A JP 61038706A JP 3870686 A JP3870686 A JP 3870686A JP 2504946 B2 JP2504946 B2 JP 2504946B2
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JP
Japan
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magneto
layer
optical recording
corrosion resistance
recording medium
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JP61038706A
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政信 小林
睦己 浅野
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
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Priority to EP87301018A priority patent/EP0233062B1/en
Priority to DE8787301018T priority patent/DE3778389D1/de
Publication of JPS62197939A publication Critical patent/JPS62197939A/ja
Application granted granted Critical
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光学的記録媒体における光磁気記録用媒体に
関するものである。
(従来の技術) 従来、このような分野の技術としては、特開昭52−31
703号公報、及び特開昭52−109193号公報に記載される
ものがあった。以下、その構成を説明する。
従来の光磁気記録用媒体は、希土類−遷移金属系合金
の非晶質層(以下、RE−TM層という)からなる光磁気記
録層を、基板上に形成した構造をしている。
ここで、RE−TM層は、具体的にはREとしてガドリニウ
ムGd、テレビウムTb、ジスプロシウムDy等、TMとして鉄
FeまたはコバルトCoを主成分としている。このRE−TM層
は層面に対して垂直な磁化をもつ、いわゆる垂直磁化膜
である。
このようなRE−TM層を用いた光磁気記録用媒体は、1
μmφ程度に絞られたレーザビーム及び外部磁界を用い
た熱磁気書込み方式によって108bit/cm2というきわめて
高密度な記録が可能で、しかも原理的には無限回に近い
消去及び際書込みができるという非常に優れた特長を有
する。
RE−TM層には大きく分けてRE−鉄系とRE−コバルト系
に分類される。
RE−鉄系は、優れた磁気及び光磁気特性を有し、しか
も特性の分布が均一な膜もつくりやすい。反面、耐食性
が非常に悪く、特に孔食の発生、発達が顕著であるとい
う欠点を持っている。
一方、RE−コバルト系は、耐食性の点では優れている
が、均一特性の膜が得にくく、またキュリー点が高いた
めに熱磁気書込み特性の点で、RE−鉄系よりも劣ってい
る。
RE−鉄系に少量のCoを添加することで、耐食性及び磁
気・光磁気特性の両方を改善できることはよく知られて
いる。ところが、Co添加はキュリー点の急上昇をひきお
こし、Coの過度の添加は熱磁気書込みを困難にするた
め、少量しか添加できない。少量のCoを添加したRE−鉄
−コバルト層は、磁気及び光磁気特性においてRE−鉄系
及びRE−コバルト系層のいずれよりも優れている。その
反面、耐食性に対してはRE−鉄系よりも若干改善される
ものの、未だ不充分である。
そこで従来、RE−TM層を保護層で被覆(コート)した
り、あるいはRE−TM層の材質の改良により、耐食性の改
善が試みられている。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、従来の光磁気記録用媒体では、次のよ
うな問題点があった。
RE−鉄−コバルト層は、光磁気材料として優れた特性
を有するものの、耐食性が悪く、それを防ぐために保護
層で被覆する方法が採用されている。
ところが、十分な保護性のある保護層の形成は容易で
はない。例えば、膜厚600ÅのRE−鉄−コバルト層を100
0Å厚の二酸化ケイ素SiO2または酸化ケイ素SiOのスパッ
タ膜で被覆した場合、85℃、85%相対湿度での3時間エ
イジング(ageing、保持)で、多数の孔食が発生してし
まう。同様に、RE−鉄−コバルト層を2μm厚のポリマ
ー(PMMA、ポリカーボネート、ポリスチレン等の重合
体)で被覆しても、85℃、85%相対湿度での5時間エイ
ジングで、多数の孔食が発生してしまう。また、仮に特
性の良い保護層が存在したとしても、RE−TM膜を完全に
保護することは困難であり、どうしても孔食発生の危険
性は消えない。
耐食性を改善する他の方法としてRE−TM層自体の耐食
性を改善することも行われている。RE−TM層の耐食性を
著しく改善するような添加元素はかなり見つかっている
が、その多くのものはRE−TM層の耐食性を改善する一方
で、磁気・光磁気特性を著しく劣化させる。また、耐食
性は大幅に改善されても、機械的なダメージを除去でき
ない。そのため、保護層の併用が必要である。
本発明は、前記従来技術が持っていた問題点として、
十分な耐食性と優れた光磁気特性を持った光磁気記録用
媒体を得ることが困難である点について解決した光磁気
記録用媒体を提供するものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明は前記問題点を解決するために、基板上に少な
くとも光磁気記録層を形成すると共に、その光磁気記録
層を保護する保護層を形成した光磁気記録用媒体におい
て、前記光磁気記録層及び保護層を次のような材料で構
成している。すなわち、光磁気記録層は、RE−Fe−Co−
Ti合金で形成され、且つ該RE−Fe−Co−Ti合金におけ
る、前記REは希土類元素または2種以上の希土類元素の
合金で構成し且つ該REの量が前記RE−Fe−Co−Ti合金の
全体量の18〜35原子%の量であり、さらに前記Feは鉄
で、前記Coは前記全体量の20原子%以下(但し、0原子
%は含まず)の量のコバルトで、前記Tiは前記Fe−Co−
Ti全体量における2〜15原子%の量のチタンで、それぞ
れ構成している。また、保護層は、ケイ素Si、アルミニ
ウムAl、酸素O、チッ素Nの内の少なくとも3種からな
るSi−Al−N、Si−Al−O、Si−Al−O−N、Si−O−
N、またはAl−O−Nの共有結合で構成している。
(作用) 本発明によれば、以上のように光磁気記録用媒体を構
成したので、RE−Fe−Co−Ti合金からなる光磁気記録層
は、高耐食性と優れた光磁気特性を持つ。しかも、Si−
Al−N等からなる保護層は、光磁気記録層を機械的なダ
メージから、さらに外気、水分、油に直接さらされるこ
とからそれぞれ保護すると共に、孔食の発生、成長を抑
制し、且つ保磁力の変化を抑制するための十分な機能を
有している。これらの光磁気記録層及び保護層により、
耐食性と光磁気特性の向上が計れる。従って、前記問題
点を除去できるのである。
(実施例) 第1図は本発明の実施例を示す光磁気記録用媒体の概
略断面図である。
この光磁気記録用媒体は、透明度が高くかつ光学特性
の良いガラス板、あるいは樹脂板からなる基板1を有
し、その基板1上には、保護層2、RE−TM層からなる光
磁気記録層3、及び保護層4が、順次積層状態に形成さ
れている。
保護層2,4は、光磁気記録層3に対する保護とカー効
果エンハンスメントの働きを合せ持つもので、例えば膜
厚1000Åの次のような材質で形成される。すなわち、該
保護層2,4は、Si、Al、O、NからなるSi−Al−N、Si
−Al−O、Si−Al−O−N、Si−O−N、またはAl−O
−Nの共有結合で構成される。
光磁気記録層3を形成するRE−TM層は、例えば膜厚12
0nmのRE−Fe−Co−Ti合金で作られている。ここで、RE
は、例えばTbの希土類元素であり、その量を該RE−Fe−
Co−Ti合金における全体量の18〜35原子%とする。Coの
量は前記全体量の20原子%以下(但し、0原子%は含ま
ず)とする。Tiの量はFe−Co−Ti全体量の2〜15原子%
とする。以下、本実施例の効果(1)〜(4)を説明す
る。
(1) 光磁気記録ディスクとしての性能 前記のように構成された光磁気記録用媒体を用いて光
磁気記録ディスクを作り、そのディスクの回転数を900r
pm、該ディスク面に照射する半導体レーザ光を6mW以下
とした場合、1μm程度の微小記録を得、さらに100万
回以上の消去及び再書込みの反復に耐えることが確認で
きた。
(2) 耐食性の比較 基板1をガラス基板で構成すると共に、保護層2,4及
び光磁気記録層(RE−TM層)3をそれぞれ以下の材料で
構成して耐食性の比較を行った。
その結果、本実施例における光磁気記録用媒体No.1、
No.2、No.4、No.5、No.7、No.8、No.10、No.11、No.1
3、No.14は、特に耐食性が著しく優れていることが確認
できた。
(3) 耐食性の実験結果 前記(2)の耐食性について第2図(1),(2)を
参照しつつ説明する。
第2図(1),(2)は、試料No.1〜No.24を85℃、8
5%相対湿度雰囲気に保持した後の透過率変化を示す。
該雰囲気に試料を保持すれば、薄膜を貫通する孔食が発
生するため、その孔食量の増加に伴ない透過率が増加す
る。
本実施例の光磁気記録用媒体はRE−TM膜自体が高耐食
性であり、しかも保護膜2,4を有しているため、耐食性
及び信頼性が非常に高いことがわかる。
(4) カー回転角比の実験結果等 第3図に本実施例におけるRE−TM層の各カー回転角θ
kを示す。このθkは、光磁気特性で最も重要なもので
あり、第3図ではTb30Fe70の値との比で示されている。
(4a) Tiの添加効果 第3図から明らかなように、Ti添加量によってカー回
転角θの値が変化する。Tiの量をFe+Co+Tiの2〜15
原子%としたのは、後述するように、耐食性に対するTi
添加の効果が大きく、且つTiの過剰添加による磁気・光
磁気特性の劣化のない範囲、あるいはその劣化が問題に
ならない範囲だからである。少量のTi添加はむしろ光磁
気特性を向上させる。なお、Tb量の範囲は、RE−TM層が
垂直磁化膜となる範囲である。
第4図は、Tiの添加量と耐食性との関係を示す図であ
る。この第4図では、下記の試料No.25〜No.29を85℃、
85%相対湿度雰囲気で保持した場合の透過率変化が示さ
れている。
試料 No.25;Tb30(Ti0.5Fe99.570 試料 No.26;Tb30(Ti1Fe9970 試料 No.27;Tb30(Ti1.5Fe98.570 試料 No.28;Tb30(Ti2Fe9870 試料 No.29;Tb30(Ti3Fe9770 これらの試料No.25〜No.29は、第1図の保護層2,4の
ない試料であり、Tiの添加により、RE−TM層がいかに耐
食性が向上するかが第4図に示されている。この第4図
から、Tiを2原子%以上添加した試料No.28、No.29は、
急激に耐食性が向上していることが分る。このように、
Tiの添加によってRE−TM層自体の耐食性が向上するが、
第4図に示すように、効果が認められ始めるのは2%以
上の添加である。従って、Ti添加の下限値は2原子%以
上である。
一方、Ti添加の上限値は次のようになる。すなわち、
Tiの過多の添加は、RE−TM層の磁気特性の劣化を招く。
第3図に示すように、15原子%のTi添加のTbFeCoでは、
Ti添加無しのTbFeCo系に比べて2割程度のカー回転角θ
の減少となり、TbFe系と比較しても1割のθ減少と
なっている。また、図示はしていないが、15原子%程度
のTi添加のTbFeでは、Ti添加無しのTbFeよりも2割のカ
ー回転角θの減少となる。TbFeのθは2割減が再生
特性維持のの限界である。従って、Ti添加の上限値は15
原子%である。
(4b) Coの添加効果 第5図は、試料Tb30(CoXFe100-X70を用いたCoの添
加量とキュリー点との関係を示す図である。
Coの添加は、その添加量に従ってカー回転角θを大
きくする効果をもつが、その反面、第5図に示すよう
に、キュリー点も上昇させる。そのため、Coを過剰に添
加すると、熱磁気記録ができなくなるので、キュリー点
を250℃以下に抑える必要がある。従って、Coの添加量
は20原子%以下(但し、0原子%を除く)としてある。
以上の説明において、RE−Fe−Co−Ti系合金における
REは、希土類としてTbを用いたが、これに限定されるも
のではなく、Tb、Dy、Gd、Nd等の1種、または2種以上
の希土類を用いたものでも、前記と略同様の保護層効
果、及びRE−TM層でのTi添加の効果が得られる。以下そ
の理由(i),(ii)を説明する。
(i) 耐食性の実験結果 保護層2,4及び光磁気記録層(RE−TM層)3をそれぞ
れ以下の材料で構成した種々の組合せの32種の試料No.3
0〜No.61を、85℃、85%相対湿度雰囲気に保持した後の
透過率変化(耐食性の実験結果)を第6図に示す。
32種の試料No.30〜No.61のうち、本実施例に含まれる
ものは、試料No.30〜No.34、及びNo.37〜No.41の10種で
ある。これらは、第6図に示されるように、透過率変化
が小さく、耐食性に優れている。
また、保護層2,4及び光磁気記録層(RE−TM層)3を
他の材料で構成した9種の試料No.62〜No.70を、85℃、
85%相対湿度雰囲気に200時間保持した後の透過率変化
による耐食性の比較結果を以下に示す。
9種の試料No.62〜No.70のうち、本実施例に含まれる
ものは、試料No.63、No.64、No.66、No.67の4種であ
る。これらは透過率変化が小さく、耐食性に優れている
ことが分る。
(ii) 希土類(RE)量の範囲 第7図は、RE−TM層(TbFe系、DyFe系、GdFe系)にお
ける磁化特性の組成依存性示す図である。
第7図に示すように、光磁気記録ができるのは、垂直
磁化膜が得られる組成域であり、希土類の下限はおよそ
18原子%、上限は35原子%である。この範囲外では急激
に特性が劣化し、例えば15原子%以下、40原子%以上で
は面内磁化膜となる。また、このRE−TM層の組成域は、
REがTbDy、TbGd、NdTb、GdDy、TbDyGd等の2種以上の希
土類の合金であっても略同様であり、希土類の組成はRE
−TM層全体量の18原子%〜35原子%が望ましい。また、
TMの組成は、TMがFeCo、Co、さらにTiが少量添加された
TiFe、TiFeCo、TiCo等の合金であっても略同様であり、
TMの組成はRE−TM層全体量の82原子%〜62原子%が望ま
しい。
第8図〜第12図は本発明の他の実施例を示す光磁気記
録用媒体の概略断面図である。
第8図の光磁気記録用媒体は、基板1と光磁気記録層
3との間と保護膜2、あるいはカー効果エンハンスメン
ト層がない構造である。
第9図の光磁気記録用媒体は、光磁気記録層3と保護
層4との間に反射層10を設けた構造、第10図の光磁気記
録用媒体は、保護層4の上に反射層10を設けた構造であ
る。
第11図の光磁気記録用媒体は、保護層4上に接着層11
を介してカバー基板12を貼着した構造である。
また、第12図の光磁気記録用媒体は、基板1、保護層
2、光磁気記録層3及び保護層4の積層構造上に、さら
に接着層11、保護層13、光磁気記録層14、保護層15及び
基板16を順次積層して両面記録型構造になっている。
このように第1図の光磁気記録用媒体を第8図〜第12
図のように変形しても、第1図のものと略同様の効果が
得られる。
本発明は上記実施例に限定されず、さらに他の変形が
可能である。その変形例として例えば次のようなものが
ある。
基板1,12,16は、ガラス板や樹脂板で構成する以外
に、板状、シート状、テープ状、その他の形状で、しか
も任意所望の材料で構成することができる。
(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明によれば、光磁気
記録層を形成するRE−TM層として高耐食性、且つ優れた
磁気・光磁気特性を持つ材料を用い、しかも優れた保護
性能を持った保護層を併用しているため、耐食性及び記
録、再生特性が著しく向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す光磁気記録用媒体の概略
断面図、第2図(1),(2)は耐食性の実験結果を示
す図、第3図はカー回転角比の実験結果を示す図、第4
図はTi添加量と耐食性の関係を示す図、第5図はCo添加
量とキュリー点の関係を示す図、第6図は耐食性の実験
結果を示す図、第7図はRE−TM層の磁化特性の組成依存
性を示す図、第8図、第9図、第10図、第11図及び第12
図は本発明の他の実施例を示す光磁気記録用媒体の概略
断面図である。 1,16……基板、2,4,13,15……保護層、3,14……光磁気
記録層、10……反射層、11……接着層、12……カバー基
板。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上に少なくとも光磁気記録層を形成す
    ると共に、その光磁気記録層を保護する保護層を形成し
    た光磁気記録用媒体において、 前記光磁気記録層は、RE−Fe−Co−Ti合金で形成され、
    且つ該RE−Fe−Co−Ti合金における、前記REは希土類元
    素または2種以上の希土類元素の合金で構成し且つ該RE
    の量が前記RE−Fe−Co−Ti合金の全体量の18〜35原子%
    の量であり、さらに前記Feは鉄で、前記Coは前記全体量
    の20原子%以下(但し、0原子%は含まず)の量のコバ
    ルトで、前記Tiは前記Fe−Co−Ti全体量における2〜15
    原子%の量のチタンで、それぞれ構成し、 前記保護層は、ケイ素Si、アルミニウムAl、酸素O、チ
    ッ素Nの内の少なくとも3種からなるSi−Al−N、Si−
    Al−O、Si−Al−O−N、Si−O−N、またはAl−O−
    Nの共有結合で構成したことを特徴とする光磁気記録用
    媒体。
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