JPS58196641A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
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- JPS58196641A JPS58196641A JP8067682A JP8067682A JPS58196641A JP S58196641 A JPS58196641 A JP S58196641A JP 8067682 A JP8067682 A JP 8067682A JP 8067682 A JP8067682 A JP 8067682A JP S58196641 A JPS58196641 A JP S58196641A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/16—Layers for recording by changing the magnetic properties, e.g. for Curie-point-writing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光により情報の記録・再生・消去を行な
う磁気光学記憶素子に関する。
う磁気光学記憶素子に関する。
近年、高密度・大容量・高速アクセス等の要求を満足す
る光メモリ装置の研究開発が活発に推進されている。そ
して既に実用化に達したものとして、情報記憶用ディス
クに情報に対応した微細ピット列を形成し各ビットにレ
ーザ光を照射した際の回折現象を利用して情報を読み取
る光デイスク装置、あるｂは情報記憶用ディスクの記憶
媒体に情報に対応した反射率変化部分列を形成し各部分
にレーザ光を照射した際の反射光量変化を利用して情報
を読み取る光デイスク装置がある。
る光メモリ装置の研究開発が活発に推進されている。そ
して既に実用化に達したものとして、情報記憶用ディス
クに情報に対応した微細ピット列を形成し各ビットにレ
ーザ光を照射した際の回折現象を利用して情報を読み取
る光デイスク装置、あるｂは情報記憶用ディスクの記憶
媒体に情報に対応した反射率変化部分列を形成し各部分
にレーザ光を照射した際の反射光量変化を利用して情報
を読み取る光デイスク装置がある。
しかしながらこれらの装置は再生専用であるか又は再生
と追加記録が可能なものに留まっておシ、情報の消去が
可能なものは実用化迄には到っていないのが現状である
。
と追加記録が可能なものに留まっておシ、情報の消去が
可能なものは実用化迄には到っていないのが現状である
。
本発明は情報の再生・記録・消去が可能な光デイスク装
置のメモリ素子として期待される磁気光、学記憶素子の
改良に関するものである。磁気光学記憶素子をメモリ素
子として用いた場合の難点の一つは再生信号レベルが低
いことである。＃に磁気光学記憶素子にレーザ光を照射
しその反射光によって情報の再生を行なう所謂カー効果
再生方式では、カー回転角が小さいので信号雑音比（Ｓ
／Ｎ）を高める事が困難であった。その為従来では記憶
媒体である磁性材料の改良を行なったり、記憶媒体上に
ＳｉＯやＳｉｎ、 の誘電体膜を形成してカー回転角
を高める工夫をしている。
置のメモリ素子として期待される磁気光、学記憶素子の
改良に関するものである。磁気光学記憶素子をメモリ素
子として用いた場合の難点の一つは再生信号レベルが低
いことである。＃に磁気光学記憶素子にレーザ光を照射
しその反射光によって情報の再生を行なう所謂カー効果
再生方式では、カー回転角が小さいので信号雑音比（Ｓ
／Ｎ）を高める事が困難であった。その為従来では記憶
媒体である磁性材料の改良を行なったり、記憶媒体上に
ＳｉＯやＳｉｎ、 の誘電体膜を形成してカー回転角
を高める工夫をしている。
後者の例として例えばＴｂＦｅ磁性体薄膜上にＳｉＯ膜
を形成することによってカー回転角がα１５度から０６
度に増大した例が報告されている（ Ｉ ＥＥＥ Ｔｒ
ａｎｓ ｏｆ Ｍａｇ Ｖｏｌ−１６Ｎｏ−５１９８０
Ｐ１１９４）。 しかしながら上記ＳｉＯ＋ＳｉＯ２の
誘電体膜では、磁性体に腐蝕の恐れのある場″合はその
腐蝕の実質的な防御とはなり得す、又１μｍ程度の小蓬
なほこりやゴミが該誘電体薄膜に付着した場合は記録ピ
ット径が１μｍ程度であるためビット検出が不可能にな
り、すって上記Ｓｉｎ、Ｓｉｎ、の誘電体薄膜を形成す
ることは実用に適さなかった。そし１前記腐蝕の防御及
びほこりやゴミに対する対策の為にはα５〜２−程度の
ガラス又は透明樹脂を磁性体に被覆することが望ましい
とされている。しかしこの被覆材料では当然ながらカー
回転角の増大は難しく従ってＳ／Ｎの増大の効果を得る
ことも困難であ′る。
を形成することによってカー回転角がα１５度から０６
度に増大した例が報告されている（ Ｉ ＥＥＥ Ｔｒ
ａｎｓ ｏｆ Ｍａｇ Ｖｏｌ−１６Ｎｏ−５１９８０
Ｐ１１９４）。 しかしながら上記ＳｉＯ＋ＳｉＯ２の
誘電体膜では、磁性体に腐蝕の恐れのある場″合はその
腐蝕の実質的な防御とはなり得す、又１μｍ程度の小蓬
なほこりやゴミが該誘電体薄膜に付着した場合は記録ピ
ット径が１μｍ程度であるためビット検出が不可能にな
り、すって上記Ｓｉｎ、Ｓｉｎ、の誘電体薄膜を形成す
ることは実用に適さなかった。そし１前記腐蝕の防御及
びほこりやゴミに対する対策の為にはα５〜２−程度の
ガラス又は透明樹脂を磁性体に被覆することが望ましい
とされている。しかしこの被覆材料では当然ながらカー
回転角の増大は難しく従ってＳ／Ｎの増大の効果を得る
ことも困難であ′る。
又以上の手法とは別にカー効果再生方式の磁気光学記憶
素子において、記録媒体の背後に反射膜を形成すること
によって見かけのカー回転角を向上させる手法を出願人
は提案（特願昭５５−８５６９５）している。
素子において、記録媒体の背後に反射膜を形成すること
によって見かけのカー回転角を向上させる手法を出願人
は提案（特願昭５５−８５６９５）している。
この構造の特徴は磁性体薄膜表面で反射されたレーデ光
と磁性体薄膜を透過し次に反射膜にて反射されたレーザ
光が合成される為に上記反射膜が存在しない構造体に比
べて見かけのカー回転角が向上することである。この場
合カー回転角の増大） 。
と磁性体薄膜を透過し次に反射膜にて反射されたレーザ
光が合成される為に上記反射膜が存在しない構造体に比
べて見かけのカー回転角が向上することである。この場
合カー回転角の増大） 。
率は使用するレーザ光の波長、磁性体膜の種類及
１び膜厚、反射膜の膜厚等によって変化することが
確認されている。又第１図の構造の磁気光学記憶素子も
既に出願人ば一提案している。１はガラス等の基板、２
はＧｄＴｂＦｅ非晶質薄゛暎、３は５ｉｎ２透明膜、４
はＣｕ金属暎である。そしてこの構造体において５ｉＯ
ｚ 透明膜３の膜厚を変化させるとカー回転角が大き
く変化することを確認している。第２図はレーザ光の波
長を６３２．８−とし、上記Ｓｉｎ、透明膜３の膜厚を
変化した時のカー回転角の変化する様子を示したグラフ
図である。
１び膜厚、反射膜の膜厚等によって変化することが
確認されている。又第１図の構造の磁気光学記憶素子も
既に出願人ば一提案している。１はガラス等の基板、２
はＧｄＴｂＦｅ非晶質薄゛暎、３は５ｉｎ２透明膜、４
はＣｕ金属暎である。そしてこの構造体において５ｉＯ
ｚ 透明膜３の膜厚を変化させるとカー回転角が大き
く変化することを確認している。第２図はレーザ光の波
長を６３２．８−とし、上記Ｓｉｎ、透明膜３の膜厚を
変化した時のカー回転角の変化する様子を示したグラフ
図である。
５ｉｎ２透明膜３及びＣｕ金属膜４が無い時のカー回転
角はα２７″であるのでＣｕ金属膜４の存在の重要性が
判る。又、５−ｉｏ、透明膜４が無い場合のカー回転角
は他の条件（磁性体膜厚、反射膜膜厚等）を変えても最
大でα５°であるからＳｉｏ。
角はα２７″であるのでＣｕ金属膜４の存在の重要性が
判る。又、５−ｉｏ、透明膜４が無い場合のカー回転角
は他の条件（磁性体膜厚、反射膜膜厚等）を変えても最
大でα５°であるからＳｉｏ。
透明膜４の膜厚−を適度に調整すればカー回転角を大き
く増加させることができることが判る。
く増加させることができることが判る。
本発明は以上の点に鑑み、反射膜を備えた磁気光学記憶
素子において更に実用的な構造を得んとするものである
。
素子において更に実用的な構造を得んとするものである
。
以下、本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例を図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
ＪＬ’１図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施
例の一部側ｍｌ断面図である。同図で５はガラス、アク
リル樹脂等の基板であり、該基板の厚さはα５〜２■程
度である。６は上記基板上にスパッタリング、−蒸着等
によって形成された膜面に垂直な磁化容易軸を有する希
土類−遷移金属非晶質薄膜である。この希土類−遷移金
属非晶質薄膜の材質はＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、Ｔ
ｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ及びこれらの材質に若干の不
純物例えばＢｉ、５ｎｅＣｏ等を加えたもの等を用い得
る。７は上記非晶質薄膜上に形成されるＭｇＦ２ ｓ
５ｔ０２ 、ＳｔｅｍＴｉ０２ ．５ｉｘＮ４
、Ｔａ２０５等の透明薄膜であり、８はステンレス薄膜
である。このステンレス薄膜としては１８−８ステンレ
ス鋼ｓＵｓ ３０４（ＪＩＳ規格）を用いた。上記ステ
ンレス薄膜８は反射膜として動作するものである。ステ
ンレス薄膜は耐腐蝕性に優れている点で反射膜として好
ましい。又ステンレス薄膜は熱伝導率が低いので前記非
晶質薄膜６にレーザスポットを照射して光熱磁気記録を
行なう場合に反射膜へ熱が逃げることが少ない。従って
光熱磁気記録時のパワーロスが小さく記録速度を向上す
ることができるも−である。
例の一部側ｍｌ断面図である。同図で５はガラス、アク
リル樹脂等の基板であり、該基板の厚さはα５〜２■程
度である。６は上記基板上にスパッタリング、−蒸着等
によって形成された膜面に垂直な磁化容易軸を有する希
土類−遷移金属非晶質薄膜である。この希土類−遷移金
属非晶質薄膜の材質はＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、Ｔ
ｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ及びこれらの材質に若干の不
純物例えばＢｉ、５ｎｅＣｏ等を加えたもの等を用い得
る。７は上記非晶質薄膜上に形成されるＭｇＦ２ ｓ
５ｔ０２ 、ＳｔｅｍＴｉ０２ ．５ｉｘＮ４
、Ｔａ２０５等の透明薄膜であり、８はステンレス薄膜
である。このステンレス薄膜としては１８−８ステンレ
ス鋼ｓＵｓ ３０４（ＪＩＳ規格）を用いた。上記ステ
ンレス薄膜８は反射膜として動作するものである。ステ
ンレス薄膜は耐腐蝕性に優れている点で反射膜として好
ましい。又ステンレス薄膜は熱伝導率が低いので前記非
晶質薄膜６にレーザスポットを照射して光熱磁気記録を
行なう場合に反射膜へ熱が逃げることが少ない。従って
光熱磁気記録時のパワーロスが小さく記録速度を向上す
ることができるも−である。
ただし、レーザ波長６３２．８１１−でＧｄＴｂＦｅ非
晶質薄暎を用い、この非晶質薄膜とステンレス薄膜の間
に透明薄膜を設けなかった場合カー回転角は最大で０３
３゛と小さく実用上値しかった。しかし上記透明薄膜と
して５ｉ０２ を５００ ｎｍの厚さで設けた時カー回
転角はα５７°に上昇した。
晶質薄暎を用い、この非晶質薄膜とステンレス薄膜の間
に透明薄膜を設けなかった場合カー回転角は最大で０３
３゛と小さく実用上値しかった。しかし上記透明薄膜と
して５ｉ０２ を５００ ｎｍの厚さで設けた時カー回
転角はα５７°に上昇した。
このカー回転角であれば実用上（Ｓ／Ｎ）問題無い。
ここで、上述の構成に加えて基板５と非晶質薄膜６の間
にＳｉＯ，ＴｉＯ２等の透明誘電体膜を設けてもより。
にＳｉＯ，ＴｉＯ２等の透明誘電体膜を設けてもより。
これは基板ｌがアクリル、ポリカーポ等の樹脂からなる
場合腐蝕に弱い為に設けた暎である。この場合、上記透
明誘電体膜の屈折率を上記基板５の屈折率より大きく、
かつ上記透明誘電体暎の膜厚を略入Ｘ （−＋ｍ）・・
・入：入射ｎ レーザ波長、ｎ：透明誘電体膜の屈折率１ｍ：整数、と
すれば上記基板５より入射した光は上記透明誘電体膜内
で干渉しそれによってカー回転角が又、上記基板５に凹
凸状のガイドトラックを形成したシ、上記ステンレス膜
８の両面に透明薄膜７、非晶質薄膜６．基板５を形成す
る両面構造体としても勿論構わない。
場合腐蝕に弱い為に設けた暎である。この場合、上記透
明誘電体膜の屈折率を上記基板５の屈折率より大きく、
かつ上記透明誘電体暎の膜厚を略入Ｘ （−＋ｍ）・・
・入：入射ｎ レーザ波長、ｎ：透明誘電体膜の屈折率１ｍ：整数、と
すれば上記基板５より入射した光は上記透明誘電体膜内
で干渉しそれによってカー回転角が又、上記基板５に凹
凸状のガイドトラックを形成したシ、上記ステンレス膜
８の両面に透明薄膜７、非晶質薄膜６．基板５を形成す
る両面構造体としても勿論構わない。
以上詳細に説明した本発明によればステンレス薄膜を磁
気光学記憶素子の反射膜として設けたものであるから、
＃腐蝕性に優れ、又熱伝導率が低いので光熱磁気記録の
際のパワーロスが小さ−ものである。
気光学記憶素子の反射膜として設けたものであるから、
＃腐蝕性に優れ、又熱伝導率が低いので光熱磁気記録の
際のパワーロスが小さ−ものである。
第１図は従来の磁気光学記憶素子の一部側面断面図、第
２図は特性グラフ図、第３図は本発明に係る磁気光学記
憶素子の一実施例の一部側面断面図を示す。
２図は特性グラフ図、第３図は本発明に係る磁気光学記
憶素子の一実施例の一部側面断面図を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、希土類遷移金属合金薄膜の裏面にステンレス薄膜を
形成したことを特徴とする磁気光学記憶素子。 ２ 希土類遷移金属合金薄膜とステンレス薄膜の闇に透
明膜を形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の磁気光学記憶素子。 ＆ 前記透明膜はＳｉＯ２ｓ ＳｉＯ，ＭｇＦ２ 。 ＴｊＯ２＃ ５１ ｓ Ｎ４ ｓ Ｔａ２０３ ｓ Ａ
Ｉ！２０ｓの少なくとも一つの物質を含んでなることを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載の磁気光学記憶素
子。 生 前記希土類遷移金属合金薄膜はＧｄＴｂＦｅ。 ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＤｙＦｅ、もしくは
これらにＢｉ、Ｓｎ、Ｃｏ等の不純物を含有した物質の
いずれか虻多成ることを特徴とする特許請求の範囲＠１
項乃至第３項記載の磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8067682A JPS58196641A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8067682A JPS58196641A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58196641A true JPS58196641A (ja) | 1983-11-16 |
| JPH034974B2 JPH034974B2 (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=13724951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8067682A Granted JPS58196641A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58196641A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122458A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-31 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
| JPS61172236A (ja) * | 1985-01-26 | 1986-08-02 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
| JPS6224458A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-02-02 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気デイスク |
| JPS62110642A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-05-21 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光磁気媒体 |
| JPS62170050A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光磁気デイスク |
| JPS63167450A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-11 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH03181041A (ja) * | 1990-11-28 | 1991-08-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH0490024U (ja) * | 1991-05-30 | 1992-08-06 | ||
| JPH0644626A (ja) * | 1992-08-27 | 1994-02-18 | Canon Inc | 磁性薄膜記録媒体 |
| US5409756A (en) * | 1991-09-25 | 1995-04-25 | Sony Corporation | Optical disc with corrosion-resistant metallic reflective layer |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101497616B1 (ko) * | 2014-01-10 | 2015-03-19 | (주)성미 | 양측 개방형 비상탈출도어가 구비된 선박용 도어 |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP8067682A patent/JPS58196641A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH034974B2 (ja) | 1991-01-24 |
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