JP2565884B2 - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
- Publication number
- JP2565884B2 JP2565884B2 JP61315244A JP31524486A JP2565884B2 JP 2565884 B2 JP2565884 B2 JP 2565884B2 JP 61315244 A JP61315244 A JP 61315244A JP 31524486 A JP31524486 A JP 31524486A JP 2565884 B2 JP2565884 B2 JP 2565884B2
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- magneto
- storage element
- optical storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【発明の詳細な説明】 〈技術分野〉 本発明はレーザ光により情報の記録、再生、消去を行
う磁気光学記憶素子に関する。
う磁気光学記憶素子に関する。
〈従来技術〉 近年、高密度・大容量・高速アクセス等の種々の要求
を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推進され
ている。各種光メモリ装置のうちでも特に記憶材料とし
て垂直磁化膜を用いた磁気光学記憶装置は、不要になっ
た情報を消去しその上に新しい情報を再記録できるとい
う特長があり注目を受けている。
を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推進され
ている。各種光メモリ装置のうちでも特に記憶材料とし
て垂直磁化膜を用いた磁気光学記憶装置は、不要になっ
た情報を消去しその上に新しい情報を再記録できるとい
う特長があり注目を受けている。
しかし上記の利点を有する一方で磁気光学記憶装置は
再生信号が少いという欠点があり、特に磁気光学記憶素
子からの反射光を利用して情報の再生を行う、所謂カー
効果再生方式においては磁性体のカー回転角が小さいた
め信号雑音比（S/N）を高める事が困難であった。その
ため従来では記録媒体である磁性材料を改良したり或い
は記録媒体上にSiOやSiO2の誘電体膜を形成したりして
カー回転角を高める工夫がなされていた。後者の例とし
て例えばMnBi磁性体膜上にSiO膜を形成する事によって
カー回転角が0.7度から3.6度に増大した例が報告されて
いる。（J.Appl.Phys.Vol45.No8.August1974）。しかし
ながらこのような磁性体膜上への誘電体膜の形成ではカ
ー回転角の増大に伴って反射光量が減退し実質的なS/N
は約２倍程度にしか増大していない。
再生信号が少いという欠点があり、特に磁気光学記憶素
子からの反射光を利用して情報の再生を行う、所謂カー
効果再生方式においては磁性体のカー回転角が小さいた
め信号雑音比（S/N）を高める事が困難であった。その
ため従来では記録媒体である磁性材料を改良したり或い
は記録媒体上にSiOやSiO2の誘電体膜を形成したりして
カー回転角を高める工夫がなされていた。後者の例とし
て例えばMnBi磁性体膜上にSiO膜を形成する事によって
カー回転角が0.7度から3.6度に増大した例が報告されて
いる。（J.Appl.Phys.Vol45.No8.August1974）。しかし
ながらこのような磁性体膜上への誘電体膜の形成ではカ
ー回転角の増大に伴って反射光量が減退し実質的なS/N
は約２倍程度にしか増大していない。
一方最近ではガーネット基板の上にDyFe等のアモルフ
ァス磁性体を付けDyFeに記録された情報をS/Nの良いガ
ーネットに転写し読み出す方式等も提案されている。
（第４回日本応用磁気学会学術講演会5aB−４）。しか
しその方式では大面積の記憶素子にはなり得ず大容量メ
モリには適さない。
ァス磁性体を付けDyFeに記録された情報をS/Nの良いガ
ーネットに転写し読み出す方式等も提案されている。
（第４回日本応用磁気学会学術講演会5aB−４）。しか
しその方式では大面積の記憶素子にはなり得ず大容量メ
モリには適さない。
又以上の問題とは別に光メモリ装置は高密度記録が基
本的な条件であるためその記録ビット径は上述したごと
く１μｍ程度であり、従って記録、再生、消去の過程で
フォーカスサーボ、トラックサーボ等のサーボ技術が不
可欠となる。さもないと記録装置は複雑でかつ精巧なも
のが必要となり実用には適さなくなる。そして特にトラ
ックサーボをかける場合にはフィリップス・MCA方式の
ビデオディスク装置の様にあらかじめ記録されている情
報を再生するだけの装置とは異なり磁気光学記録装置で
は何等の情報のない場所に新たに信号を記録していく必
要があり、そのためには信号の記録トラックと平行して
サーボ用のガイドトラックがある事が望ましい。
本的な条件であるためその記録ビット径は上述したごと
く１μｍ程度であり、従って記録、再生、消去の過程で
フォーカスサーボ、トラックサーボ等のサーボ技術が不
可欠となる。さもないと記録装置は複雑でかつ精巧なも
のが必要となり実用には適さなくなる。そして特にトラ
ックサーボをかける場合にはフィリップス・MCA方式の
ビデオディスク装置の様にあらかじめ記録されている情
報を再生するだけの装置とは異なり磁気光学記録装置で
は何等の情報のない場所に新たに信号を記録していく必
要があり、そのためには信号の記録トラックと平行して
サーボ用のガイドトラックがある事が望ましい。
〈目 的〉 本発明は以上の点に鑑みなされたものであってガイド
トラックを作り易く、且つ実用に足るトラックサーボ信
号を得ることができる新規な構造の磁気光学記憶素子を
得ることを目的とする。
トラックを作り易く、且つ実用に足るトラックサーボ信
号を得ることができる新規な構造の磁気光学記憶素子を
得ることを目的とする。
〈実施例〉 次に本発明の具体的な実施例を図面を参照しながら詳
説する。
説する。
第１図は本発明の磁気光学記憶素子の一実施例の一部
拡大側面断面図である。ガラス又は合成樹脂の基板１に
帯状の溝７を形成し、その上からGdTbFe,GdTbDyFe,SmTb
Fe,GdDyFe,TbCo等の希土類と遷移金属よりなるアモルス
ファスフェリ磁性体の垂直磁化膜２をスパッタリングや
蒸着法で形成する。更にその上からSiO2,SiO,MgF,TiO2
等の透明な誘電体膜３を形成し、該誘電体膜３の上から
Al,Ag,Au,Cu,Zn,Sn等の反射膜４を形成する。更に反射
膜４は支持基板６に接着層５で接着される。この素子構
成において情報の記録、再生、消去は基板１を通して行
われる。その時記録トラックとして帯状の溝の部分７を
用いても土手の部分８を用いても良い。ガイドトラック
についても同じ事が言える。即ち溝の部分７でも土手の
部分８でも良いし又サーボ信号の取り方によっては溝の
部分７と土手の部分８を半々に用いてガイドトラックと
しても良い。以上の構成は基板１に段差を設ける事によ
ってトラックサーボ用の信号を得ようとするものであ
る。この帯状の溝７はたとえば磁気光学素子が円板であ
る場合は同心円状もしくはらせん状をなす。磁性膜２は
充分に薄く、従って磁性体層に入射した再生光は磁性体
面からの反射によるカー効果と磁性体膜を通り抜け反射
層４で反射され再び磁性体膜を通り抜けることで起こる
ファラディ効果が合わせる事によって、単なるカー効果
のみに比べて数倍回転角が増大し、S/Nが大きく増増大
するものである。
拡大側面断面図である。ガラス又は合成樹脂の基板１に
帯状の溝７を形成し、その上からGdTbFe,GdTbDyFe,SmTb
Fe,GdDyFe,TbCo等の希土類と遷移金属よりなるアモルス
ファスフェリ磁性体の垂直磁化膜２をスパッタリングや
蒸着法で形成する。更にその上からSiO2,SiO,MgF,TiO2
等の透明な誘電体膜３を形成し、該誘電体膜３の上から
Al,Ag,Au,Cu,Zn,Sn等の反射膜４を形成する。更に反射
膜４は支持基板６に接着層５で接着される。この素子構
成において情報の記録、再生、消去は基板１を通して行
われる。その時記録トラックとして帯状の溝の部分７を
用いても土手の部分８を用いても良い。ガイドトラック
についても同じ事が言える。即ち溝の部分７でも土手の
部分８でも良いし又サーボ信号の取り方によっては溝の
部分７と土手の部分８を半々に用いてガイドトラックと
しても良い。以上の構成は基板１に段差を設ける事によ
ってトラックサーボ用の信号を得ようとするものであ
る。この帯状の溝７はたとえば磁気光学素子が円板であ
る場合は同心円状もしくはらせん状をなす。磁性膜２は
充分に薄く、従って磁性体層に入射した再生光は磁性体
面からの反射によるカー効果と磁性体膜を通り抜け反射
層４で反射され再び磁性体膜を通り抜けることで起こる
ファラディ効果が合わせる事によって、単なるカー効果
のみに比べて数倍回転角が増大し、S/Nが大きく増増大
するものである。
以上の構成では膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性
体薄膜を用いているので磁性体薄膜の膜面に垂直な光を
利用することが出来、光スポットの大きさを非常に小さ
くすることが出来る。このため凹凸によるガイドトラッ
クの溝の凹の部分に照射した光と凸の部分に照射した光
との間の干渉による反射光の減光の効果を有効に利用で
き、サーボ信号を得ることが出来る。又、上記構成では
ガラス又は合成樹脂の基板側から光を供給する構成であ
るので上記凹凸の段差は少なくて済む。何故ならば 光路長＝屈折率＊実際の長さ であって磁性体薄膜に接するのはガラス又は合成樹脂の
基板であるので屈折率が大きいことから上記凹凸の段差
は少なくて済む。
体薄膜を用いているので磁性体薄膜の膜面に垂直な光を
利用することが出来、光スポットの大きさを非常に小さ
くすることが出来る。このため凹凸によるガイドトラッ
クの溝の凹の部分に照射した光と凸の部分に照射した光
との間の干渉による反射光の減光の効果を有効に利用で
き、サーボ信号を得ることが出来る。又、上記構成では
ガラス又は合成樹脂の基板側から光を供給する構成であ
るので上記凹凸の段差は少なくて済む。何故ならば 光路長＝屈折率＊実際の長さ であって磁性体薄膜に接するのはガラス又は合成樹脂の
基板であるので屈折率が大きいことから上記凹凸の段差
は少なくて済む。
ここで、誘電体膜３と磁性体膜２の間に極めて薄いA
l,Cr,Ti等の金属膜を形成する。なお、支持板６の代わ
りに基板１、磁性膜２、誘電膜３、反射膜４からなる素
子を接着層５で張り合せ両面使用可能な磁気光学記憶素
子とする事も出来る。
l,Cr,Ti等の金属膜を形成する。なお、支持板６の代わ
りに基板１、磁性膜２、誘電膜３、反射膜４からなる素
子を接着層５で張り合せ両面使用可能な磁気光学記憶素
子とする事も出来る。
又基板１は第２図の様にガラス基板９上に溝の形成さ
れた樹脂10を重ね合せる方式にしても良い。更に記録ト
ラックやガイドトラックは必ずしも平行な帯状である必
要がなくトラック番号や、トラックをセクターごとに分
ける場合の情報を入れても良い。
れた樹脂10を重ね合せる方式にしても良い。更に記録ト
ラックやガイドトラックは必ずしも平行な帯状である必
要がなくトラック番号や、トラックをセクターごとに分
ける場合の情報を入れても良い。
〈効 果〉 以上の本発明によれば、膜面に垂直な磁化容易軸を有
する磁性体薄膜を用いているので膜面に垂直な光を利用
することが出来、照射する光スポットの大きさを非常に
小さくすることが出来る。このためガイドトラックの溝
の凹の部分に照射した光と凸の部分に照射した光との間
の干渉効果による反射光の減光の効果を有効に利用で
き、良好なトラックサーボ信号を得ることが出来る。
又、ガラス又は合成樹脂の基板側から磁性体薄膜に光を
供給する構成であるので基板の溝の光路長を実際の長さ
よりその屈折率の分だけ長くすることができ、溝の段差
は小さくて済むので基板に溝を形成する場合において製
造が容易なものである。しかも、誘電体膜と磁性体膜と
の間に極めて薄い金属薄膜を形成しており、カー回転角
の増加、トラックサーボ信号に影響を与えることなく、
誘電体膜と磁性体膜のマイグレーションを防止して各膜
の品質を保持できる利点がある。
する磁性体薄膜を用いているので膜面に垂直な光を利用
することが出来、照射する光スポットの大きさを非常に
小さくすることが出来る。このためガイドトラックの溝
の凹の部分に照射した光と凸の部分に照射した光との間
の干渉効果による反射光の減光の効果を有効に利用で
き、良好なトラックサーボ信号を得ることが出来る。
又、ガラス又は合成樹脂の基板側から磁性体薄膜に光を
供給する構成であるので基板の溝の光路長を実際の長さ
よりその屈折率の分だけ長くすることができ、溝の段差
は小さくて済むので基板に溝を形成する場合において製
造が容易なものである。しかも、誘電体膜と磁性体膜と
の間に極めて薄い金属薄膜を形成しており、カー回転角
の増加、トラックサーボ信号に影響を与えることなく、
誘電体膜と磁性体膜のマイグレーションを防止して各膜
の品質を保持できる利点がある。
第１図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例の
一部拡大側面断面図、第２図は本発明に用いる基板の一
例を示す一部拡大側面断面図を示す。 図中 1:基板、2:アモルファス磁性体膜 3:誘電体膜、4:反射膜 5:接着層、6:支持基板 7:溝部、8:土手部 9:ガラス基板、10:樹脂
一部拡大側面断面図、第２図は本発明に用いる基板の一
例を示す一部拡大側面断面図を示す。 図中 1:基板、2:アモルファス磁性体膜 3:誘電体膜、4:反射膜 5:接着層、6:支持基板 7:溝部、8:土手部 9:ガラス基板、10:樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−67949（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−31703（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−60643（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−130102（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−130103（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−10102（ＪＰ，Ａ) 特公 昭40−2619（ＪＰ，Ｂ１) 東独国特許98782（ＵＳ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】帯状の溝を有するガラス又は合成樹脂の基
板上に、膜面に垂直な磁化容易軸を有する希土類と遷移
金属よりなる磁性体薄膜と、金属薄膜と透明な誘電体
膜、及び反射膜とを形成し、 前記基板の溝若しくは土手の部分をガイドトラックとし
て用い、 前記基板側から光を導入し反射光を検出することで情報
を再生する構成としたことを特徴とする磁気光学記憶素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61315244A JP2565884B2 (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61315244A JP2565884B2 (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 磁気光学記憶素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP409081A Division JPS57120253A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Magnetooptical storage elemen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62270042A JPS62270042A (ja) | 1987-11-24 |
| JP2565884B2 true JP2565884B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=18063103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61315244A Expired - Lifetime JP2565884B2 (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565884B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US98782A (en) | 1870-01-11 | Improvement in coal-loading device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231703A (en) * | 1975-09-05 | 1977-03-10 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Magnetic thin film recording medium |
| JPS5232931A (en) * | 1975-09-09 | 1977-03-12 | Fuji Heavy Ind Ltd | Method for coating joint surfaces of two parts |
| NL7802860A (nl) * | 1978-03-16 | 1979-09-18 | Philips Nv | Registratiedragerlichaam en registratiedrager voor optische informatie en inrichting voor het inschrijven en uitlezen. |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP61315244A patent/JP2565884B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US98782A (en) | 1870-01-11 | Improvement in coal-loading device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62270042A (ja) | 1987-11-24 |
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