JPH0512778B2 - - Google Patents
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- JPH0512778B2 JPH0512778B2 JP2252925A JP25292590A JPH0512778B2 JP H0512778 B2 JPH0512778 B2 JP H0512778B2 JP 2252925 A JP2252925 A JP 2252925A JP 25292590 A JP25292590 A JP 25292590A JP H0512778 B2 JPH0512778 B2 JP H0512778B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- thin film
- rotation angle
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明はレーザ光により記録・再生・消去を行
う磁気光学記憶素子に関する。
う磁気光学記憶素子に関する。
＜従来の技術＞
近年、高密度・大容量・高速アクセス等種々の
要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。
要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。
そして既に実用化に達したものとして、記憶デ
イスクに微細ビツト列を形成し各ピツト部におけ
る光ビームの回折現象を利用して再生信号を得る
装置、及び記憶媒体の反射率変化を利用して再生
信号を得る装置がある。しかしながらこれらの装
置は再生専用であるか、又は再生及び情報の追加
記憶が可能なものに留どまり、不要な情報を消去
し再記憶可能なものについては未だ研究開発段階
にある。
イスクに微細ビツト列を形成し各ピツト部におけ
る光ビームの回折現象を利用して再生信号を得る
装置、及び記憶媒体の反射率変化を利用して再生
信号を得る装置がある。しかしながらこれらの装
置は再生専用であるか、又は再生及び情報の追加
記憶が可能なものに留どまり、不要な情報を消去
し再記憶可能なものについては未だ研究開発段階
にある。
本発明は上記した、記憶した情報を消去し新し
い情報を再記憶出来る素子として期待される、記
憶材料として希土類−遷移金属の非晶質薄膜を用
いた磁気光学記憶素子に関するものである。
い情報を再記憶出来る素子として期待される、記
憶材料として希土類−遷移金属の非晶質薄膜を用
いた磁気光学記憶素子に関するものである。
次に磁気光学記憶素子の従来問題点について説
明する。
明する。
＜発明が解決しようとする課題＞
磁気光学記憶素子は上記の再記憶できるという
利点を有する一方で再生信号レベルが低いという
欠点がある。特に磁気光学記憶素子からの反射光
を利用して情報の再生を行う所謂カー効果再生方
式においてはカー回転角が小さいため信号雑音比
（Ｓ／Ｎ）を高めることが困難であつた。その為
従来では記憶媒体である磁性材料を改良したり、
あるいは記憶媒体上にSiOやSiO2の誘電体薄膜を
形成したりしてカー回転角を高める工夫がなされ
ていた。後者の例として例えばTbFeの磁性体薄
膜上にSiO膜を形成することによつてカー回転角
が0.15度から0.6度に増大した例が報告されてい
る（IEEE Transaction Mag Vol−16 No.５、
1980 P1194）。
利点を有する一方で再生信号レベルが低いという
欠点がある。特に磁気光学記憶素子からの反射光
を利用して情報の再生を行う所謂カー効果再生方
式においてはカー回転角が小さいため信号雑音比
（Ｓ／Ｎ）を高めることが困難であつた。その為
従来では記憶媒体である磁性材料を改良したり、
あるいは記憶媒体上にSiOやSiO2の誘電体薄膜を
形成したりしてカー回転角を高める工夫がなされ
ていた。後者の例として例えばTbFeの磁性体薄
膜上にSiO膜を形成することによつてカー回転角
が0.15度から0.6度に増大した例が報告されてい
る（IEEE Transaction Mag Vol−16 No.５、
1980 P1194）。
しかしながら上記SiOやSiO2の誘導体薄膜で
は、磁性体に腐食の恐れのある場合はその腐食の
実質的な防御とはなり得なく、又1μｍ程度の小
さなほこりやゴミが該誘電体薄膜に付着した場合
は記録ビツト径が1μｍ程度であるためビツト検
出が不可能になり、よつて上記SiO、SiO2の誘電
体薄膜を形成することは実用に適さなかつた。そ
して前記腐食の防御及びほこりやゴミに対する対
策の為には0.5〜２mm程度のガラス又は透明樹脂
を磁性体に被覆することが望ましい。しかしこの
被覆材では当然ながらカー回転角の増大は難しく
従つてＳ／Ｎの増大の効果を得ることも困難であ
る。
は、磁性体に腐食の恐れのある場合はその腐食の
実質的な防御とはなり得なく、又1μｍ程度の小
さなほこりやゴミが該誘電体薄膜に付着した場合
は記録ビツト径が1μｍ程度であるためビツト検
出が不可能になり、よつて上記SiO、SiO2の誘電
体薄膜を形成することは実用に適さなかつた。そ
して前記腐食の防御及びほこりやゴミに対する対
策の為には0.5〜２mm程度のガラス又は透明樹脂
を磁性体に被覆することが望ましい。しかしこの
被覆材では当然ながらカー回転角の増大は難しく
従つてＳ／Ｎの増大の効果を得ることも困難であ
る。
＜課題を解決するための手段＞
本発明は上記課題を解決するために、
基板と、
該基板より屈折率が大であつて、光を内部で干
渉し、カー回転角を増大する透明誘電体膜と、膜
厚が150Å近傍以上で350Å以下の膜面に垂直な磁
化容易軸を有する希土類−遷移金属非晶質薄膜
と、 断熱層と、 Al、Au、Ag、Cuのいずれかを用いてなる反
射膜とを、 この順に形成し、 前記基板側より光を入射する構成とした磁気光
学記憶素子、 及び、 前記基板は凹凸状のガイドトラツクが形成され
てなる上記磁気光学記憶素子、 を提供するものである。
渉し、カー回転角を増大する透明誘電体膜と、膜
厚が150Å近傍以上で350Å以下の膜面に垂直な磁
化容易軸を有する希土類−遷移金属非晶質薄膜
と、 断熱層と、 Al、Au、Ag、Cuのいずれかを用いてなる反
射膜とを、 この順に形成し、 前記基板側より光を入射する構成とした磁気光
学記憶素子、 及び、 前記基板は凹凸状のガイドトラツクが形成され
てなる上記磁気光学記憶素子、 を提供するものである。
＜作用＞
本発明は上記の構成を備えたことによつて、光
を入射したときにそのカー回転角が増大され、十
分に実用的な磁気光学記憶素子を得る。
を入射したときにそのカー回転角が増大され、十
分に実用的な磁気光学記憶素子を得る。
＜実施例＞
以下、本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施
例を図面を用いて詳細に説明する。
例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実
施例の側面断面図である。同図で１はガラス、ア
クリル樹脂等の基板であり厚さは0.5〜２mm程度
である。この基板には図示されない凹凸状のガイ
ドトラツクが形成される。２はGdTbFe、
TbDyFe、GdDyFe等の、膜面に垂直な磁化容易
軸を有する希土類−遷移金属非晶質薄膜である。
３はAl、Au、Ag、Cu等の反射膜である。基板
１側から入射した入射光は上記非晶質薄膜２の表
面で反射され、かつ上記非晶質薄膜２を通り上記
反射膜３で反射される。その為に上記二種の反射
光が合成されることになりカー効果とフアラデー
効果が加わり、見かけのカー回転角は上記反射膜
３が存在しない場合に比べて極めて大きなものが
得られる。そしてその結果としてこの磁気光学記
憶素子にレーザ光を照射して得られる情報のＳ／
Ｎは向上する。
施例の側面断面図である。同図で１はガラス、ア
クリル樹脂等の基板であり厚さは0.5〜２mm程度
である。この基板には図示されない凹凸状のガイ
ドトラツクが形成される。２はGdTbFe、
TbDyFe、GdDyFe等の、膜面に垂直な磁化容易
軸を有する希土類−遷移金属非晶質薄膜である。
３はAl、Au、Ag、Cu等の反射膜である。基板
１側から入射した入射光は上記非晶質薄膜２の表
面で反射され、かつ上記非晶質薄膜２を通り上記
反射膜３で反射される。その為に上記二種の反射
光が合成されることになりカー効果とフアラデー
効果が加わり、見かけのカー回転角は上記反射膜
３が存在しない場合に比べて極めて大きなものが
得られる。そしてその結果としてこの磁気光学記
憶素子にレーザ光を照射して得られる情報のＳ／
Ｎは向上する。
上記カー回転角の増大率は、使用するレーザ光
の波長、上記非晶質薄膜２の種類、該非晶質薄膜
２の膜厚及び上記反射膜３の種類によつて変化す
る。
の波長、上記非晶質薄膜２の種類、該非晶質薄膜
２の膜厚及び上記反射膜３の種類によつて変化す
る。
第２図はGdTbFe非晶質薄膜２の膜厚とカー回
転角との関係を各種反射膜に関して示している。
但し、使用したレーザの波長は6328Åである。同
図において示されるカー回転角の値は、反射膜が
無い場合のGdTbFe非晶質薄膜のカー回転角が
0.27゜であることを考えれば、かなり大きく、反
射膜を備えたことの優位性を表している。
転角との関係を各種反射膜に関して示している。
但し、使用したレーザの波長は6328Åである。同
図において示されるカー回転角の値は、反射膜が
無い場合のGdTbFe非晶質薄膜のカー回転角が
0.27゜であることを考えれば、かなり大きく、反
射膜を備えたことの優位性を表している。
又、同図では反射膜として膜厚の十分厚いAl、
Au、Ag、Cuを用いた。Ag、Au、Cuを用いた場
合は、Alを用いた場合に比較してカー回転角が
大きくしかも互いに略同等の特性となる。これは
反射膜の屈折率の相違による現象である。
Au、Ag、Cuを用いた。Ag、Au、Cuを用いた場
合は、Alを用いた場合に比較してカー回転角が
大きくしかも互いに略同等の特性となる。これは
反射膜の屈折率の相違による現象である。
即ち、使用レーザの波長6328Åに於けるAlの
屈折率は1.6−5.4i、Agの屈折率は0.18−3.3i、Au
の屈折率は0.35−3.16i、Cuの屈折率は0.62−3.6i
であり、Ag、Au、Cuの屈折率は比較的に近く、
Alの屈折率のみが離れた値を有する。この為、
GdTbFe非晶質薄膜の膜厚が350Å以下で、Ag、
Au、Cuのいずれかの反射膜を設けた場合カー回
転角は非常に大きく、上記非晶質薄膜の膜厚が
150Å近傍でカー回転角は極大値をとる。一方、
第２図に示されるように、反射膜がAlの場合は
他の金属材料に比べればカー回転角は若干小さく
なるが、これとても、GdTbFe非晶質薄膜の膜厚
が150Å近傍以上350Å以下では反射膜が無い場合
に比較してカー回転角が大きくなる。
屈折率は1.6−5.4i、Agの屈折率は0.18−3.3i、Au
の屈折率は0.35−3.16i、Cuの屈折率は0.62−3.6i
であり、Ag、Au、Cuの屈折率は比較的に近く、
Alの屈折率のみが離れた値を有する。この為、
GdTbFe非晶質薄膜の膜厚が350Å以下で、Ag、
Au、Cuのいずれかの反射膜を設けた場合カー回
転角は非常に大きく、上記非晶質薄膜の膜厚が
150Å近傍でカー回転角は極大値をとる。一方、
第２図に示されるように、反射膜がAlの場合は
他の金属材料に比べればカー回転角は若干小さく
なるが、これとても、GdTbFe非晶質薄膜の膜厚
が150Å近傍以上350Å以下では反射膜が無い場合
に比較してカー回転角が大きくなる。
以上のように、いままで膜厚の厚いものしか用
いられなかつた希土類−遷移金属非晶質材料の膜
厚を極めて薄い値の希土類−遷移金属非晶質薄膜
とし、その背後に、Al、Au、Ag、Cuのいずれ
かの反射膜を配置することで従来の反射膜の無い
構造に比べてカー回転角を大きくすることができ
るものである。
いられなかつた希土類−遷移金属非晶質材料の膜
厚を極めて薄い値の希土類−遷移金属非晶質薄膜
とし、その背後に、Al、Au、Ag、Cuのいずれ
かの反射膜を配置することで従来の反射膜の無い
構造に比べてカー回転角を大きくすることができ
るものである。
ここで図面には示されないが、磁気光学記憶素
子には基板１と非晶質薄膜２の間にSiO、TiO2等
の透明誘電体膜が設けられる。この透明誘電体膜
の屈折率は上記基板の屈折率より大きくされ、こ
の透明誘電体膜の膜厚は略λ／4n（λ：入射レー
ザ光の波長、ｎ：透明誘電体膜の屈折率）とされ
る。こうすれば上記基板１より入射した光が上記
透明誘電体膜の内部で干渉しカー回転角が増大し
Ｓ／Ｎが向上する。この透明誘電体膜は基板１が
アクリル、ポリカーボ等の樹脂の場合は基板に水
を含有する為、ゴミやホコリに対しては防御可能
だが腐食に対して十分な対応が不可能であるため
に特に有効である。
子には基板１と非晶質薄膜２の間にSiO、TiO2等
の透明誘電体膜が設けられる。この透明誘電体膜
の屈折率は上記基板の屈折率より大きくされ、こ
の透明誘電体膜の膜厚は略λ／4n（λ：入射レー
ザ光の波長、ｎ：透明誘電体膜の屈折率）とされ
る。こうすれば上記基板１より入射した光が上記
透明誘電体膜の内部で干渉しカー回転角が増大し
Ｓ／Ｎが向上する。この透明誘電体膜は基板１が
アクリル、ポリカーボ等の樹脂の場合は基板に水
を含有する為、ゴミやホコリに対しては防御可能
だが腐食に対して十分な対応が不可能であるため
に特に有効である。
更に、上記非晶質薄膜２と反射膜３の間には
SiO、SiO2、TiO2、Si3N4等の断熱層が設けられ
る。
SiO、SiO2、TiO2、Si3N4等の断熱層が設けられ
る。
＜効果＞
以上の本発明によれば、希土類−遷移金属非晶
質薄膜の持つ本来の長所である、キユーリ点が
低く記録感度が高い（その為小形化に不可欠な半
導体レーザによる記録が可能）、非晶質のため
結晶粒界ノイズがない（その為信号品質が高い）、
という点を生かしながら、しかも元々希土類−遷
移金属非晶質薄膜自体ではカー回転角を十分得る
ことができないという欠点を、それまで膜厚の厚
いものしか用いられなかつた希土類−遷移金属非
晶質薄膜の膜厚を敢えて150Å近傍以上で350Å以
下という極めて薄い膜としてその背後に反射膜を
設けることによつてカー回転角を増大せしめたも
のであるる。
質薄膜の持つ本来の長所である、キユーリ点が
低く記録感度が高い（その為小形化に不可欠な半
導体レーザによる記録が可能）、非晶質のため
結晶粒界ノイズがない（その為信号品質が高い）、
という点を生かしながら、しかも元々希土類−遷
移金属非晶質薄膜自体ではカー回転角を十分得る
ことができないという欠点を、それまで膜厚の厚
いものしか用いられなかつた希土類−遷移金属非
晶質薄膜の膜厚を敢えて150Å近傍以上で350Å以
下という極めて薄い膜としてその背後に反射膜を
設けることによつてカー回転角を増大せしめたも
のであるる。
更に、その構造に加え基板より入射した光が上
記透明誘電体膜の内部で干渉しカー回転角が増大
するという効果を有する。
記透明誘電体膜の内部で干渉しカー回転角が増大
するという効果を有する。
更に、その構造に加え希土類−遷移金属非晶質
薄膜と反射膜の間には断熱層が設けたので、記録
時に反射膜への熱の広がりを防ぎ、記録感度を向
上することができる。
薄膜と反射膜の間には断熱層が設けたので、記録
時に反射膜への熱の広がりを防ぎ、記録感度を向
上することができる。
更に、記録膜としては、上記、の大きな長
所によつて希土類−遷移金属を使うことの有用性
には著しいものがあるものの、この材料には希少
金属である希土類金属が含まれているので、非常
に高価なものとなるが、本発明によればそれまで
膜厚の厚いものしか用いられなかつた希土類−遷
移金属非晶質薄膜の膜厚を敢えて150Å近傍以上
で350Å以下という極めて薄い膜としたので材料
コストを極力安価に抑えることができる。
所によつて希土類−遷移金属を使うことの有用性
には著しいものがあるものの、この材料には希少
金属である希土類金属が含まれているので、非常
に高価なものとなるが、本発明によればそれまで
膜厚の厚いものしか用いられなかつた希土類−遷
移金属非晶質薄膜の膜厚を敢えて150Å近傍以上
で350Å以下という極めて薄い膜としたので材料
コストを極力安価に抑えることができる。
更に、記録膜として希土類−遷移金属材料を用
いた場合、この材料は酸化、腐食により劣化しや
すいが、希土類遷移金属薄膜を透明誘電体と断熱
層との間に配置することで外気との接触を無くし
て、上記劣化を回避でき、信頼性を改善すること
ができる。
いた場合、この材料は酸化、腐食により劣化しや
すいが、希土類遷移金属薄膜を透明誘電体と断熱
層との間に配置することで外気との接触を無くし
て、上記劣化を回避でき、信頼性を改善すること
ができる。
以上のように本発明は磁気光学記憶素子の全体
構造として、性能面、コスト面、信頼性のいずれ
の点においても十分満足のいく構造を実現してお
り磁気光学記憶素子の実用化に対して多大な貢献
をするものである。
構造として、性能面、コスト面、信頼性のいずれ
の点においても十分満足のいく構造を実現してお
り磁気光学記憶素子の実用化に対して多大な貢献
をするものである。
第１図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実
施例の側面断面図、第２図は特性グラフ図であ
る。 図中、１：基板、２：非晶質薄膜、３：反射
膜。
施例の側面断面図、第２図は特性グラフ図であ
る。 図中、１：基板、２：非晶質薄膜、３：反射
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板と、 該基板より屈折率が大であつて、光を内部で干
渉し、カー回転角を増大する透明誘電体膜と、膜
厚が150Å近傍以上で350Å以下の膜面に垂直な磁
化容易軸を有する希土類−遷移金属非晶質薄膜
と、 断熱層と、 Al、Au、Ag、Cuのいずれかを用いてなる反
射膜とを、 この順に形成し、 前記基板側より光を入射する構成とした磁気光
学記憶素子。 ２ 前記基板は凹凸状のガイドトラツクが形成さ
れてなる特許請求の範囲第１項記載の磁気光学記
憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25292590A JPH03228240A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25292590A JPH03228240A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気光学記憶素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10407181A Division JPS586541A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228240A JPH03228240A (ja) | 1991-10-09 |
| JPH0512778B2 true JPH0512778B2 (ja) | 1993-02-18 |
Family
ID=17244078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25292590A Granted JPH03228240A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03228240A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69326525T2 (de) * | 1992-11-17 | 2000-01-27 | Mitsubishi Chemical Corp., Tokio/Tokyo | Magnetooptischer Aufzeichnungträger und Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe von optischer Information |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS402619Y1 (ja) * | 1964-03-24 | 1965-01-25 | ||
| JPS49113601A (ja) * | 1973-02-09 | 1974-10-30 | ||
| JPS50151035A (ja) * | 1974-05-23 | 1975-12-04 | ||
| JPS5210102A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-26 | Canon Inc | Recording medium |
| JPS5231703A (en) * | 1975-09-05 | 1977-03-10 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Magnetic thin film recording medium |
| JPS52109193A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-13 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Magnetoooptic memory medium |
| JPS5441179A (en) * | 1977-09-08 | 1979-04-02 | Citizen Watch Co Ltd | Multivibrator for temperature detection |
| JPS54121719A (en) * | 1978-03-15 | 1979-09-21 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Magnetic recording medium |
| JPS54126005A (en) * | 1978-02-24 | 1979-09-29 | Rca Corp | Recording material |
| JPS54130102A (en) * | 1978-03-16 | 1979-10-09 | Philips Nv | Method of writing information* recording carrier* recorded record carrier* and information writing and reading device |
| JPS5534340A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-10 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Recording reproducing system by light beam |
| JPS5587332A (en) * | 1978-12-25 | 1980-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic light recording medium |
| JPS5674843A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP25292590A patent/JPH03228240A/ja active Granted
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS402619Y1 (ja) * | 1964-03-24 | 1965-01-25 | ||
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| JPS54121719A (en) * | 1978-03-15 | 1979-09-21 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Magnetic recording medium |
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| JPS5534340A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-10 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Recording reproducing system by light beam |
| JPS5587332A (en) * | 1978-12-25 | 1980-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic light recording medium |
| JPS5674843A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03228240A (ja) | 1991-10-09 |
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| JPS6227458B2 (ja) | ||
| EP0387420B1 (en) | Magneto-optical recording medium | |
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