JPH0479076B2 - - Google Patents
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- JPH0479076B2 JPH0479076B2 JP57190336A JP19033682A JPH0479076B2 JP H0479076 B2 JPH0479076 B2 JP H0479076B2 JP 57190336 A JP57190336 A JP 57190336A JP 19033682 A JP19033682 A JP 19033682A JP H0479076 B2 JPH0479076 B2 JP H0479076B2
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- JP
- Japan
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- film
- magneto
- optical memory
- transparent
- memory element
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は熱エネルギーで情報を記録あるいは消
去し、光と磁気の相互作用を利用して情報を再生
する光磁気記憶素子に関する。
去し、光と磁気の相互作用を利用して情報を再生
する光磁気記憶素子に関する。
＜従来技術＞
近年、高密度、大容量、高速アクセスが可能な
光メモリ装置の研究開発が各方面で精力的に行な
われている。中でも情報の記録、再生、消去が可
能な光磁気メモリ装置は文字、画像等のフアイル
メモリやビデオデイスク等の用途が考えられる為
取分け有望視されているものである。
光メモリ装置の研究開発が各方面で精力的に行な
われている。中でも情報の記録、再生、消去が可
能な光磁気メモリ装置は文字、画像等のフアイル
メモリやビデオデイスク等の用途が考えられる為
取分け有望視されているものである。
この光磁気メモリ装置の記憶材料としては
GdCo、TbFe、GdTbFe、TbDyFe等の希土類と
遷移金属の非晶質合金薄膜が適している。これは
希土類と遷移金属の非晶質合金薄膜が膜面に垂直
な方向に磁化容易軸を有し、非晶質である為粒界
ノイズがなく、記録に必要とされるレーザパワー
を少なくできるという優れた性質を有する為であ
る。しかし上記希土類と遷移金属の非晶質合金薄
膜を記憶材料として用いた場合は磁気光学効果で
あるカー回転角が0.2〜0.3度と小さく再生信号の
品質が良くないという欠点がある。この再生信号
の品質を向上させる為に従来より反射膜構造と呼
ばれる素子構造が記憶素子において採用されてい
る（特願昭55−85695参照）。第１図は従来の反射
膜構造の光磁気記憶素子の一部側面断面図であ
る。同図で１は透明基板、２は透明基板１よりも
屈折率の高い透明誘電体膜、３は希土類−遷移金
属の非晶質合金薄膜、４は透明誘電体膜、５は金
属反射膜である。この構造の光磁気記憶素子では
非晶質合金薄膜３は充分に薄く、従つてこの非晶
質合金薄膜３に入射した光は一部が通り抜ける。
その為再生光は非晶質合金薄膜３表面での反射に
よるカー効果と、非晶質合金薄膜３を通り抜け金
属反射膜５で反射され再び非晶質合金薄膜３を通
り抜けることで起こるフアラデイ効果が合わせら
れる事によつて、単なるカー効果のみに比べて数
倍カー回転角が増大するものである。尚、非晶質
合金薄膜３上の透明誘電体膜２もカー回転角を増
大化する働きを有する（IEEE Trans.on Mag.
Vol−16 No5 1980 P1194にて報告されている）。
一例として透明基板１をガラス板とし、透明誘電
体膜２を100nmのSiOとし、非晶質合金薄膜３を
12.5nmのGdTbDyFeとし、透明誘電体膜４を
30nmのSiO2とし、金属反射膜５を40nmのCuと
した構成ではカー回転角が1.75度まで増大した。
GdCo、TbFe、GdTbFe、TbDyFe等の希土類と
遷移金属の非晶質合金薄膜が適している。これは
希土類と遷移金属の非晶質合金薄膜が膜面に垂直
な方向に磁化容易軸を有し、非晶質である為粒界
ノイズがなく、記録に必要とされるレーザパワー
を少なくできるという優れた性質を有する為であ
る。しかし上記希土類と遷移金属の非晶質合金薄
膜を記憶材料として用いた場合は磁気光学効果で
あるカー回転角が0.2〜0.3度と小さく再生信号の
品質が良くないという欠点がある。この再生信号
の品質を向上させる為に従来より反射膜構造と呼
ばれる素子構造が記憶素子において採用されてい
る（特願昭55−85695参照）。第１図は従来の反射
膜構造の光磁気記憶素子の一部側面断面図であ
る。同図で１は透明基板、２は透明基板１よりも
屈折率の高い透明誘電体膜、３は希土類−遷移金
属の非晶質合金薄膜、４は透明誘電体膜、５は金
属反射膜である。この構造の光磁気記憶素子では
非晶質合金薄膜３は充分に薄く、従つてこの非晶
質合金薄膜３に入射した光は一部が通り抜ける。
その為再生光は非晶質合金薄膜３表面での反射に
よるカー効果と、非晶質合金薄膜３を通り抜け金
属反射膜５で反射され再び非晶質合金薄膜３を通
り抜けることで起こるフアラデイ効果が合わせら
れる事によつて、単なるカー効果のみに比べて数
倍カー回転角が増大するものである。尚、非晶質
合金薄膜３上の透明誘電体膜２もカー回転角を増
大化する働きを有する（IEEE Trans.on Mag.
Vol−16 No5 1980 P1194にて報告されている）。
一例として透明基板１をガラス板とし、透明誘電
体膜２を100nmのSiOとし、非晶質合金薄膜３を
12.5nmのGdTbDyFeとし、透明誘電体膜４を
30nmのSiO2とし、金属反射膜５を40nmのCuと
した構成ではカー回転角が1.75度まで増大した。
以上の反射膜構造の光磁気記憶素子はカー回転
角の増大化を得るという利点を有する一方で反射
光量が充分に得られないという欠点を有する。即
ち上述の第１図の構造ではカー回転角が1.75度ま
で増大した反面で反射光は５％程度に減少した。
ところがガラスによつて形成した透明基板１の表
面での光の反射は４％程度あるため、非晶質合金
薄膜３にて反射され情報を含む反射光と、透明基
板１の表面にて反射され情報を含まない反射光と
が同程度の光量値となり、情報再生に困難を来た
すようになつた。
角の増大化を得るという利点を有する一方で反射
光量が充分に得られないという欠点を有する。即
ち上述の第１図の構造ではカー回転角が1.75度ま
で増大した反面で反射光は５％程度に減少した。
ところがガラスによつて形成した透明基板１の表
面での光の反射は４％程度あるため、非晶質合金
薄膜３にて反射され情報を含む反射光と、透明基
板１の表面にて反射され情報を含まない反射光と
が同程度の光量値となり、情報再生に困難を来た
すようになつた。
また、透明基板１をPMMA樹脂あるいはポリ
カーボネート樹脂等からなる樹脂基板で構成する
と、一般に樹脂は吸湿性が高いために第１図の素
子構造では真空中で各被覆膜２〜５を形成し次に
大気中に取り出すと、樹脂の基板１が水分を吸収
して各被覆膜２〜５を内側にして凸状に反つてし
まうという問題があつた。
カーボネート樹脂等からなる樹脂基板で構成する
と、一般に樹脂は吸湿性が高いために第１図の素
子構造では真空中で各被覆膜２〜５を形成し次に
大気中に取り出すと、樹脂の基板１が水分を吸収
して各被覆膜２〜５を内側にして凸状に反つてし
まうという問題があつた。
＜目的＞
そこで、本発明は基板に樹脂材料を採用した場
合でも、吸湿等による基板の反りを防止すること
のできる光磁気記憶素子の素子構造を提供するこ
とを目的とする。
合でも、吸湿等による基板の反りを防止すること
のできる光磁気記憶素子の素子構造を提供するこ
とを目的とする。
＜実施例＞
以下、本発明に係る光磁気記憶素子の一実施例
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
第２図は本発明に係る光磁気記憶素子の一実施
例の一部側面断面図を示す。同図において第１図
の構成と同一構成の部分は同一符号をもつて示し
ている。尚第２図の光磁気記憶素子は透明基板１
に凹凸のガイドトラツクを設けている。又、透明
基板１はガラス板、透明誘電体膜２はSiO、非晶
質合金薄膜３はGdTbDyFe、透明誘電体膜４は
SiO2、金属反射膜５はCuとする。同図で６は透
明誘電体膜２と同一材質であるSiOを100〜
110nmの膜厚にて被覆形成した第１の被覆膜であ
り、７は透明誘電体膜４と同一材質であるSiO2
を130〜140nmの膜厚にて被覆形成した第２の被
覆膜である。この構造の光磁気記憶素子は上記第
１の被覆膜６及び第２の被覆膜７が反射防止膜と
して作用する為透明基板１表面で反射し情報の採
取に寄与しない反射光を充分減少させることがで
きるものである。上記第１の被覆膜６及び第２の
被覆膜７は各々の膜厚ｄが使用レーザ波長をλ、
屈折率をｎとした時、ｄ＝λ／4nになるように
形成されている。又上記第１の被覆膜６及び第２
の被覆膜７はいずれか一方のみが存在しても反射
防止の機能を果たすことができる。ここで上記第
１の被覆膜６及び第２の被覆膜７の材質は透明誘
電体膜２，４の材質に応じて種々と変更すること
ができる。例えばTiO2、Si3N4からなる２層膜あ
るいはMgFe、3NaF；AlF3（氷晶）等の単層膜
であつても構わない。又他の構造例えば３層膜あ
るいはそれ以上の多層膜であつても構わない。
例の一部側面断面図を示す。同図において第１図
の構成と同一構成の部分は同一符号をもつて示し
ている。尚第２図の光磁気記憶素子は透明基板１
に凹凸のガイドトラツクを設けている。又、透明
基板１はガラス板、透明誘電体膜２はSiO、非晶
質合金薄膜３はGdTbDyFe、透明誘電体膜４は
SiO2、金属反射膜５はCuとする。同図で６は透
明誘電体膜２と同一材質であるSiOを100〜
110nmの膜厚にて被覆形成した第１の被覆膜であ
り、７は透明誘電体膜４と同一材質であるSiO2
を130〜140nmの膜厚にて被覆形成した第２の被
覆膜である。この構造の光磁気記憶素子は上記第
１の被覆膜６及び第２の被覆膜７が反射防止膜と
して作用する為透明基板１表面で反射し情報の採
取に寄与しない反射光を充分減少させることがで
きるものである。上記第１の被覆膜６及び第２の
被覆膜７は各々の膜厚ｄが使用レーザ波長をλ、
屈折率をｎとした時、ｄ＝λ／4nになるように
形成されている。又上記第１の被覆膜６及び第２
の被覆膜７はいずれか一方のみが存在しても反射
防止の機能を果たすことができる。ここで上記第
１の被覆膜６及び第２の被覆膜７の材質は透明誘
電体膜２，４の材質に応じて種々と変更すること
ができる。例えばTiO2、Si3N4からなる２層膜あ
るいはMgFe、3NaF；AlF3（氷晶）等の単層膜
であつても構わない。又他の構造例えば３層膜あ
るいはそれ以上の多層膜であつても構わない。
又、以上の説明では透明基板１をガラス板で構
成したものについて説明したが、透明基板１が
PMMA樹脂あるいはポリカーボネート樹脂等か
らなる樹脂基板であつてもよい。ここで透明基板
１をPMMA樹脂にて構成した場合はPMMA樹脂
の吸湿性が高い為に第１図の構造の素子では真空
中で各被覆膜２〜５を形成し次に大気中にとり出
すと、基板１が水分を吸収して各被覆膜２〜５を
内側にして凸状に反つてしまう。しかるに第２図
の構造の如く第１の被覆膜６及び第２の被覆膜７
を真空中にて形成しておけば上述の反りを未然に
防止することができるものである。即ちこの場合
第１の被覆膜６及び第２の被覆膜７は透明基板１
の表面での反射防止と透明基板１の反り防止の両
方の機能を果たすものである。
成したものについて説明したが、透明基板１が
PMMA樹脂あるいはポリカーボネート樹脂等か
らなる樹脂基板であつてもよい。ここで透明基板
１をPMMA樹脂にて構成した場合はPMMA樹脂
の吸湿性が高い為に第１図の構造の素子では真空
中で各被覆膜２〜５を形成し次に大気中にとり出
すと、基板１が水分を吸収して各被覆膜２〜５を
内側にして凸状に反つてしまう。しかるに第２図
の構造の如く第１の被覆膜６及び第２の被覆膜７
を真空中にて形成しておけば上述の反りを未然に
防止することができるものである。即ちこの場合
第１の被覆膜６及び第２の被覆膜７は透明基板１
の表面での反射防止と透明基板１の反り防止の両
方の機能を果たすものである。
＜効果＞
以上説明したように、本発明によれば透明樹脂
基板の一方の面に希土類・遷移金属非晶質合金薄
膜と透明誘電体膜とを形成した光磁気記憶素子に
おいて、前記透明樹脂基板の他方の面に透明誘電
体膜を形成したので、樹脂基板の吸湿による反り
を防止することができ、信頼性の高い光磁気記憶
素子を提供することができる。
基板の一方の面に希土類・遷移金属非晶質合金薄
膜と透明誘電体膜とを形成した光磁気記憶素子に
おいて、前記透明樹脂基板の他方の面に透明誘電
体膜を形成したので、樹脂基板の吸湿による反り
を防止することができ、信頼性の高い光磁気記憶
素子を提供することができる。
第１図は従来の光磁気記憶素子の一部側面断面
図、第２図は本発明に係る光磁気記憶素子の一実
施例の一部側面断面図を示す。 図中、１：透明基板、２：透明誘電体膜、３：
非晶質合金薄膜、４：透明誘電体膜、５：金属反
射膜、６：第１の被覆膜、７：第２の被覆膜。
図、第２図は本発明に係る光磁気記憶素子の一実
施例の一部側面断面図を示す。 図中、１：透明基板、２：透明誘電体膜、３：
非晶質合金薄膜、４：透明誘電体膜、５：金属反
射膜、６：第１の被覆膜、７：第２の被覆膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明樹脂基板の一方の面に希土類・遷移金属
非晶質合金薄膜と透明誘電体膜とを形成した光磁
気記憶素子において、 前記透明樹脂基板の他方の面に吸湿による基板
の反りを防止する透明誘電体膜を形成したことを
特徴とする光磁気記憶素子。 ２ 前記透明樹脂基板の一方の面に形成された透
明誘電体膜と前記他方の面に形成された透明誘電
体膜とが同一の材質からなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光磁気記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190336A JPS5979445A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 光磁気記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190336A JPS5979445A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 光磁気記憶素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3187382A Division JP2662474B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光磁気記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5979445A JPS5979445A (ja) | 1984-05-08 |
| JPH0479076B2 true JPH0479076B2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=16256491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57190336A Granted JPS5979445A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 光磁気記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5979445A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0664760B2 (ja) * | 1984-02-16 | 1994-08-22 | 京セラ株式会社 | 磁気記録素子 |
| JPH0719401B2 (ja) * | 1984-12-12 | 1995-03-06 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| CA2000597C (en) * | 1988-10-21 | 1995-07-11 | Toshio Ishikawa | Optical recording element |
| JP2662474B2 (ja) * | 1991-07-26 | 1997-10-15 | シャープ株式会社 | 光磁気記憶素子 |
| DE29702241U1 (de) | 1997-01-29 | 1997-04-10 | Petri Ag, 63743 Aschaffenburg | Lenkrad mit mindestens einem Verkleidungsteil |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674843A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
| JPS5724042A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Sony Corp | Optical information recording medium and its production |
| JPS5714534B2 (ja) * | 1974-03-19 | 1982-03-25 | ||
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5714534U (ja) * | 1980-06-26 | 1982-01-25 |
-
1982
- 1982-10-28 JP JP57190336A patent/JPS5979445A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5714534B2 (ja) * | 1974-03-19 | 1982-03-25 | ||
| JPS5674843A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
| JPS5724042A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Sony Corp | Optical information recording medium and its production |
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5979445A (ja) | 1984-05-08 |
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