JP2001297495A - 表面読み出し型光磁気記録媒体 - Google Patents
表面読み出し型光磁気記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁界感度特性、耐久性に優れた表面読み出し
型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録層をＴｂＦｅＣｏを主体とした垂直
磁化の主記録層とＴｂＦｅＣｏを主体とした補助層の２
層とし、主記録層をＴｂ層とＦｅＣｏ、あるいはＦｅＣ
ｏを主体とした層を交互に積層した膜で構成し、成膜周
期を０．３ｎｍ以上１．５ｎｍ以下とする。
型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録層をＴｂＦｅＣｏを主体とした垂直
磁化の主記録層とＴｂＦｅＣｏを主体とした補助層の２
層とし、主記録層をＴｂ層とＦｅＣｏ、あるいはＦｅＣ
ｏを主体とした層を交互に積層した膜で構成し、成膜周
期を０．３ｎｍ以上１．５ｎｍ以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は書き換えが可能な表
面読み出し型光記録媒体、特に、レーザービームと磁界
によって情報の記録、再生及び消去を行なう表面読み出
し型光磁気記録媒体に関する。
面読み出し型光記録媒体、特に、レーザービームと磁界
によって情報の記録、再生及び消去を行なう表面読み出
し型光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体は大容量・高密度記録が可能
な可搬型記録媒体であり、近年のマルチメディア化に伴
なうコンピュータの大容量ファイルや動画を記録する書
き換え型メディアとして需要が急増しつつある。
な可搬型記録媒体であり、近年のマルチメディア化に伴
なうコンピュータの大容量ファイルや動画を記録する書
き換え型メディアとして需要が急増しつつある。
【０００３】光磁気記録媒体は一般にプラスチック等の
透明な円盤状の基板に記録層を含む多層膜を形成し、磁
界を加えながらレーザーを照射して記録、消去を行い、
レーザーの反射光で再生する。記録方式は、従来、固定
磁界を加えて消去した後、反対方向の固定磁界を加えて
記録するいわゆる光変調記録が中心であったが、近年、
レーザーを照射しながら、磁界を記録パターンに従って
変調させる磁界変調方式が、１回転で記録（ダイレクト
オーバーライト）可能でしかも高記録密度になっても正
確に記録できる方式として注目を浴びている。
透明な円盤状の基板に記録層を含む多層膜を形成し、磁
界を加えながらレーザーを照射して記録、消去を行い、
レーザーの反射光で再生する。記録方式は、従来、固定
磁界を加えて消去した後、反対方向の固定磁界を加えて
記録するいわゆる光変調記録が中心であったが、近年、
レーザーを照射しながら、磁界を記録パターンに従って
変調させる磁界変調方式が、１回転で記録（ダイレクト
オーバーライト）可能でしかも高記録密度になっても正
確に記録できる方式として注目を浴びている。
【０００４】記録再生のためのレーザーは従来、基板を
通して記録膜に照射されているが、光学ヘッドを記録膜
に近付けて記録再生する、いわゆる、近接場光記録が高
密度化の手段として注目されている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．６８，ｐ．１４１（１９９６））。この
記録方法ではＳｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｅｎ
ｓ（以下ＳＩＬと略す）ヘッドを使用しレーザービーム
スポットサイズを縮小することにより、光源のレーザー
波長（λ）によって決まる従来の記録限界（〜λ／２Ｎ
Ａ：ＮＡは対物レンズの開口数）より短いマークでの再
生が可能であり、超高記録密度の記録再生が実現でき
る。この近接場光記録では光学ヘッドを記録媒体に近付
ける必要があるために（〜１００ｎｍ）、従来の光記録
媒体のように基板を通して記録膜にレーザービームを照
射するのではなく、基板を通さずに直接記録膜にレーザ
ービームを照射する方法を用いる。すなわち、記録膜の
構成が従来の光記録媒体では基板／第１保護層／記録層
／第２保護層／反射層としているのが一般的であるのに
対して、近接場光記録では基板／反射層／第１保護層／
記録層／第２保護層という逆構成の膜構造として膜表面
側からレーザービームを照射し、記録再生を行なう（表
面読み出し型記録）。また、最近では、レンズＮＡを１
以下として薄膜上の保護コート層を通してレーザーを照
射し、記録再生を行なう表面記録方式も提案されている
（Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．６８，Ｓ１，ｐ．２
６９（１９９９））。
通して記録膜に照射されているが、光学ヘッドを記録膜
に近付けて記録再生する、いわゆる、近接場光記録が高
密度化の手段として注目されている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．６８，ｐ．１４１（１９９６））。この
記録方法ではＳｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｅｎ
ｓ（以下ＳＩＬと略す）ヘッドを使用しレーザービーム
スポットサイズを縮小することにより、光源のレーザー
波長（λ）によって決まる従来の記録限界（〜λ／２Ｎ
Ａ：ＮＡは対物レンズの開口数）より短いマークでの再
生が可能であり、超高記録密度の記録再生が実現でき
る。この近接場光記録では光学ヘッドを記録媒体に近付
ける必要があるために（〜１００ｎｍ）、従来の光記録
媒体のように基板を通して記録膜にレーザービームを照
射するのではなく、基板を通さずに直接記録膜にレーザ
ービームを照射する方法を用いる。すなわち、記録膜の
構成が従来の光記録媒体では基板／第１保護層／記録層
／第２保護層／反射層としているのが一般的であるのに
対して、近接場光記録では基板／反射層／第１保護層／
記録層／第２保護層という逆構成の膜構造として膜表面
側からレーザービームを照射し、記録再生を行なう（表
面読み出し型記録）。また、最近では、レンズＮＡを１
以下として薄膜上の保護コート層を通してレーザーを照
射し、記録再生を行なう表面記録方式も提案されている
（Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．６８，Ｓ１，ｐ．２
６９（１９９９））。
【０００５】近接場光記録では、記録膜とＳＩＬヘッド
を近付けるために浮上式のスライダーヘッドを利用する
ことが多い。また、記録密度を高めるために記録マーク
を微小にしなければならないが、記録マークを微小にす
ると記録ノイズが増大し、ＳＮＲが低下するといった問
題や直接大気にさらされるため耐久性の確保が課題とな
っている。
を近付けるために浮上式のスライダーヘッドを利用する
ことが多い。また、記録密度を高めるために記録マーク
を微小にしなければならないが、記録マークを微小にす
ると記録ノイズが増大し、ＳＮＲが低下するといった問
題や直接大気にさらされるため耐久性の確保が課題とな
っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、微小
マークに対しても低ノイズでＳＮＲに優れた従来のもの
とは逆構成の膜構造を有する表面読み出し型光磁気記録
媒体を提供することである。
マークに対しても低ノイズでＳＮＲに優れた従来のもの
とは逆構成の膜構造を有する表面読み出し型光磁気記録
媒体を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上述のよう
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、基板上に少なく
とも記録層および保護層をこの順に積層してなる表面読
み出し型光磁気記録媒体において、１）記録層をＴｂＦ
ｅＣｏ、あるいはＴｂＦｅＣｏを主体とした垂直磁化の
主記録層と、ＴｂＦｅＣｏ、あるいはＴｂＦｅＣｏを主
体とした補助層の２層で構成し、２）主記録層をＴｂ層
とＦｅＣｏ、あるいはＦｅＣｏを主体とした層を交互に
積層した膜で成膜周期を０．３ｎｍ以上１．５ｎｍ以下
とし、３）積層の膜厚比をＴｂ膜厚：ＦｅＣｏ膜厚＝
１：Ｘと表わした時２．６≦Ｘ≦４．５の範囲とするこ
とにより微小マークでのノイズが低減しＳＮＲが改善す
ること、さらに、主記録層の膜厚を１５ｎｍ以上３０ｎ
ｍ以下、補助層の膜厚を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とする
こと、あるいは／さらに、記録層を補助層／主記録層の
順に成膜することによりＳＮＲ改善の効果が向上するこ
とを見出し本発明を完成するに至った。ここで、ＴｂＦ
ｅＣｏあるいはＦｅＣｏを主体とする薄膜とは、それぞ
れＴｂＦｅＣｏ、あるいはＦｅＣｏを９０％以上含む合
金から成る薄膜を意味する。
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、基板上に少なく
とも記録層および保護層をこの順に積層してなる表面読
み出し型光磁気記録媒体において、１）記録層をＴｂＦ
ｅＣｏ、あるいはＴｂＦｅＣｏを主体とした垂直磁化の
主記録層と、ＴｂＦｅＣｏ、あるいはＴｂＦｅＣｏを主
体とした補助層の２層で構成し、２）主記録層をＴｂ層
とＦｅＣｏ、あるいはＦｅＣｏを主体とした層を交互に
積層した膜で成膜周期を０．３ｎｍ以上１．５ｎｍ以下
とし、３）積層の膜厚比をＴｂ膜厚：ＦｅＣｏ膜厚＝
１：Ｘと表わした時２．６≦Ｘ≦４．５の範囲とするこ
とにより微小マークでのノイズが低減しＳＮＲが改善す
ること、さらに、主記録層の膜厚を１５ｎｍ以上３０ｎ
ｍ以下、補助層の膜厚を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とする
こと、あるいは／さらに、記録層を補助層／主記録層の
順に成膜することによりＳＮＲ改善の効果が向上するこ
とを見出し本発明を完成するに至った。ここで、ＴｂＦ
ｅＣｏあるいはＦｅＣｏを主体とする薄膜とは、それぞ
れＴｂＦｅＣｏ、あるいはＦｅＣｏを９０％以上含む合
金から成る薄膜を意味する。
【０００８】すなわち、本発明の表面読み出し型光磁気
記録媒体は基板上に少なくとも記録層および保護層をこ
の順に積層してなる表面読み出し型光磁気記録媒体にお
いて、１）記録層がＴｂＦｅＣｏ、あるいはＴｂＦｅＣ
ｏを主体とした垂直磁化の主記録層と、ＴｂＦｅＣｏ、
あるいはＴｂＦｅＣｏを主体とした補助層の２層で構成
されており、２）主記録層がＴｂ層とＦｅＣｏ、あるい
はＦｅＣｏを主体とした層を交互に積層した膜からなり
成膜周期が０．３ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であり、３）
積層の膜厚比をＴｂ膜厚：ＦｅＣｏ膜厚＝１：Ｘと表わ
した時２．６≦Ｘ≦４．５の範囲とすることを特徴とす
るものである。
記録媒体は基板上に少なくとも記録層および保護層をこ
の順に積層してなる表面読み出し型光磁気記録媒体にお
いて、１）記録層がＴｂＦｅＣｏ、あるいはＴｂＦｅＣ
ｏを主体とした垂直磁化の主記録層と、ＴｂＦｅＣｏ、
あるいはＴｂＦｅＣｏを主体とした補助層の２層で構成
されており、２）主記録層がＴｂ層とＦｅＣｏ、あるい
はＦｅＣｏを主体とした層を交互に積層した膜からなり
成膜周期が０．３ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であり、３）
積層の膜厚比をＴｂ膜厚：ＦｅＣｏ膜厚＝１：Ｘと表わ
した時２．６≦Ｘ≦４．５の範囲とすることを特徴とす
るものである。
【０００９】さらに、本発明の表面読み出し型光磁気記
録媒体は主記録層の膜厚を１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下と
し補助層の膜厚を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすること、
記録層を補助層／主記録層の順に成膜することを特徴と
するものである。
録媒体は主記録層の膜厚を１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下と
し補助層の膜厚を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすること、
記録層を補助層／主記録層の順に成膜することを特徴と
するものである。
【００１０】以下に本発明を更に詳細に説明する。
【００１１】図１に本発明の表面読み出し型光磁気記録
媒体の一実施態様の部分断面図を示す。
媒体の一実施態様の部分断面図を示す。
【００１２】基板１１としては機械特性などの媒体基板
としての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガ
ラス、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィ
ン、エンジニアリングプラスチック等を用いることがで
きる。
としての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガ
ラス、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィ
ン、エンジニアリングプラスチック等を用いることがで
きる。
【００１３】反射層１２はＡｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕなど反射率の高い金属が利用できるが、耐食性
の点でＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の貴金属やＣｕを主成分とす
る金属膜がより好ましい。また、密着性、耐食性向上の
ためにＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＮｂまたはＴａなどの金属膜
を基板１１と反射層１２との間に形成してもよい。
ｇ、Ｃｕなど反射率の高い金属が利用できるが、耐食性
の点でＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の貴金属やＣｕを主成分とす
る金属膜がより好ましい。また、密着性、耐食性向上の
ためにＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＮｂまたはＴａなどの金属膜
を基板１１と反射層１２との間に形成してもよい。
【００１４】記録層１３はＴｂＦｅＣｏ、あるいはＴｂ
ＦｅＣｏを主体とした垂直磁化の主記録層とＴｂＦｅＣ
ｏ、あるいはＴｂＦｅＣｏを主体とした補助層の２層で
構成し、主記録層をＴｂ層とＦｅＣｏ、あるいはＦｅＣ
ｏを主体とした層を交互に積層した膜から構成し成膜周
期を０．３ｎｍ以上１．５ｎｍ以下とし、積層の膜厚比
をＴｂ膜厚：ＦｅＣｏ膜厚＝１：Ｘと表わした時２．６
≦Ｘ≦４．５の範囲とする。ここで、ＴｂＦｅＣｏある
いはＦｅＣｏを主体とする薄膜とは、それぞれＴｂＦｅ
Ｃｏ、あるいはＦｅＣｏを９０％以上含む合金から成る
薄膜を意味する。成膜周期が０．３ｎｍよりも小さい場
合は主記録層の保磁力が低下することによってＳＮＲ向
上の効果が低下し、また、１．５ｎｍよりも大きい場合
は積層の効果が薄れてＳＮＲが低下するものと考えられ
る。ここで、主記録層の膜厚を１５ｎｍ以上３０ｎｍ以
下とし補助層の膜厚を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とするこ
とがＳＮＲ向上の他、磁界感度向上の点からも好まし
い。記録層のＴｂＦｅＣｏには耐食性を高めるためにＣ
ｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａなどの耐食性元素を添加し
たり、短波長でのカー回転角を高めるために数原子％の
Ｎｄなどを添加したものであってもよい。また、主記録
層と補助層の成膜順は主記録層／補助層でも良いし、補
助層／主記録層でも良いがＳＮＲや記録磁界感度の点で
補助層／主記録層の成膜順（レーザー入射側に主記録を
形成）がより好ましい。主記録層をＴｂとＦｅＣｏの周
期的積層構造とするには２元スパッタ法や２元蒸着法等
が利用できる。
ＦｅＣｏを主体とした垂直磁化の主記録層とＴｂＦｅＣ
ｏ、あるいはＴｂＦｅＣｏを主体とした補助層の２層で
構成し、主記録層をＴｂ層とＦｅＣｏ、あるいはＦｅＣ
ｏを主体とした層を交互に積層した膜から構成し成膜周
期を０．３ｎｍ以上１．５ｎｍ以下とし、積層の膜厚比
をＴｂ膜厚：ＦｅＣｏ膜厚＝１：Ｘと表わした時２．６
≦Ｘ≦４．５の範囲とする。ここで、ＴｂＦｅＣｏある
いはＦｅＣｏを主体とする薄膜とは、それぞれＴｂＦｅ
Ｃｏ、あるいはＦｅＣｏを９０％以上含む合金から成る
薄膜を意味する。成膜周期が０．３ｎｍよりも小さい場
合は主記録層の保磁力が低下することによってＳＮＲ向
上の効果が低下し、また、１．５ｎｍよりも大きい場合
は積層の効果が薄れてＳＮＲが低下するものと考えられ
る。ここで、主記録層の膜厚を１５ｎｍ以上３０ｎｍ以
下とし補助層の膜厚を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とするこ
とがＳＮＲ向上の他、磁界感度向上の点からも好まし
い。記録層のＴｂＦｅＣｏには耐食性を高めるためにＣ
ｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａなどの耐食性元素を添加し
たり、短波長でのカー回転角を高めるために数原子％の
Ｎｄなどを添加したものであってもよい。また、主記録
層と補助層の成膜順は主記録層／補助層でも良いし、補
助層／主記録層でも良いがＳＮＲや記録磁界感度の点で
補助層／主記録層の成膜順（レーザー入射側に主記録を
形成）がより好ましい。主記録層をＴｂとＦｅＣｏの周
期的積層構造とするには２元スパッタ法や２元蒸着法等
が利用できる。
【００１５】保護層１４はＳｉＮ、ＡｌＮ、ＳｉＡｌＯ
Ｎ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合材料などの透明
な誘電体で構成される。スライダーヘッドの浮上特性を
良好なものとするために保護層１５は透明な誘電体層と
カーボンに水素や窒素を添加させたダイヤモンドライク
カーボン（ＤＬＣ）固体潤滑層との積層であっても良
い。また、さらにこの上に、極薄いパーフルオロポリエ
ーテルなどの液体の潤滑層をディップ引き上げ法等の方
法で形成することによりスライダーヘッドの浮上特性が
更に良好となる。
Ｎ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合材料などの透明
な誘電体で構成される。スライダーヘッドの浮上特性を
良好なものとするために保護層１５は透明な誘電体層と
カーボンに水素や窒素を添加させたダイヤモンドライク
カーボン（ＤＬＣ）固体潤滑層との積層であっても良
い。また、さらにこの上に、極薄いパーフルオロポリエ
ーテルなどの液体の潤滑層をディップ引き上げ法等の方
法で形成することによりスライダーヘッドの浮上特性が
更に良好となる。
【００１６】本発明の表面読み出し型光記録媒体は上述
した構造以外に反射層１２上に誘電体を形成してその上
に記録層を形成したり、基板上に直接誘電体を形成して
その上に記録層を形成したり、あるいは反射層１２上に
誘電体、反射層を積層してその上に記録層を形成して使
用することもできる。
した構造以外に反射層１２上に誘電体を形成してその上
に記録層を形成したり、基板上に直接誘電体を形成して
その上に記録層を形成したり、あるいは反射層１２上に
誘電体、反射層を積層してその上に記録層を形成して使
用することもできる。
【００１７】以上の反射層、記録層、保護層、固体潤滑
層の形成には真空蒸着法やスパッタ法などの真空薄膜形
成技術を使用することができる。
層の形成には真空蒸着法やスパッタ法などの真空薄膜形
成技術を使用することができる。
【００１８】また、当表面読み出し型光磁気記録媒体
は、保護層１４の形成後にアクリル系紫外線硬化樹脂な
どからなる保護コート層を形成することによって、ＮＡ
が１以下の光学系に対する表面読み出し型光磁気記録媒
体としても利用することが出来る。保護コート層の形成
には真空薄膜形成技術やディップ引き上げ法、スピンコ
ート法などが利用できる。
は、保護層１４の形成後にアクリル系紫外線硬化樹脂な
どからなる保護コート層を形成することによって、ＮＡ
が１以下の光学系に対する表面読み出し型光磁気記録媒
体としても利用することが出来る。保護コート層の形成
には真空薄膜形成技術やディップ引き上げ法、スピンコ
ート法などが利用できる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
【００２０】（実施例１）図２に示すような構造の表面
読み出し型光磁気記録用の媒体を製造した。トラックピ
ッチ０．４５μｍの案内溝の付いたポリカーボネート製
の基板２１上にＡｕ0.99Ｔｉ0.01膜から成る反射層２２
をＤＣスパッタ法で５０ｎｍの厚さに形成した。この上
にＴｂＦｅＣｏＴａからなる補助層２３をＴｂ0.15Ｆｅ
0.65Ｃｏ0.17Ｔａ0.03ターゲットを使用してＤＣスパッ
タ法で４ｎｍの厚みに形成した。この上にＴｂＦｅＣｏ
Ｔａからなる主記録層２４をＴｂターゲットとＦｅ0.76
Ｃｏ0.20Ｔａ0.04ターゲットの同時ＤＣスパッタの方法
で２０ｎｍの厚みに形成した。この際、Ｔｂターゲット
とＦｅＣｏＴａターゲットの投入パワーを調整してＴｂ
膜厚：ＦｅＣｏＴａ膜厚＝１：３．２とし、基板ホルダ
ーの公転数を変化させることにより種々の成膜周期のＴ
ｂ／ＦｅＣｏＴａ膜とした。さらにその上に、ＳｉＮか
らなる保護層２５をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉタ
ーゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で６５ｎｍ、
ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる固体潤
滑層２６をＡｒとＣＨ4の混合雰囲気中でＣターゲット
を使用した反応性ＲＦスパッタ法で１５ｎｍ形成した。
ＤＬＣ層を形成した後、パーフルオロポリエーテル系の
潤滑層２７を引き上げ法で１ｎｍ塗布して表面読み出し
型光磁気記録媒体を完成させた。
読み出し型光磁気記録用の媒体を製造した。トラックピ
ッチ０．４５μｍの案内溝の付いたポリカーボネート製
の基板２１上にＡｕ0.99Ｔｉ0.01膜から成る反射層２２
をＤＣスパッタ法で５０ｎｍの厚さに形成した。この上
にＴｂＦｅＣｏＴａからなる補助層２３をＴｂ0.15Ｆｅ
0.65Ｃｏ0.17Ｔａ0.03ターゲットを使用してＤＣスパッ
タ法で４ｎｍの厚みに形成した。この上にＴｂＦｅＣｏ
Ｔａからなる主記録層２４をＴｂターゲットとＦｅ0.76
Ｃｏ0.20Ｔａ0.04ターゲットの同時ＤＣスパッタの方法
で２０ｎｍの厚みに形成した。この際、Ｔｂターゲット
とＦｅＣｏＴａターゲットの投入パワーを調整してＴｂ
膜厚：ＦｅＣｏＴａ膜厚＝１：３．２とし、基板ホルダ
ーの公転数を変化させることにより種々の成膜周期のＴ
ｂ／ＦｅＣｏＴａ膜とした。さらにその上に、ＳｉＮか
らなる保護層２５をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉタ
ーゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で６５ｎｍ、
ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる固体潤
滑層２６をＡｒとＣＨ4の混合雰囲気中でＣターゲット
を使用した反応性ＲＦスパッタ法で１５ｎｍ形成した。
ＤＬＣ層を形成した後、パーフルオロポリエーテル系の
潤滑層２７を引き上げ法で１ｎｍ塗布して表面読み出し
型光磁気記録媒体を完成させた。
【００２１】（実施例２）実施例１と同様の方法で表面
読み出し型光磁気記録媒体を作製した。ただし、本実施
例では、主記録層２４のＴｂ／ＦｅＣｏＴａ膜の成膜周
期を０．４ｎｍと一定にして、主記録層２４の膜厚比を
Ｔｂ膜厚：ＦｅＣｏＴａ膜厚＝１：ＸとしてＸを変化さ
せた。
読み出し型光磁気記録媒体を作製した。ただし、本実施
例では、主記録層２４のＴｂ／ＦｅＣｏＴａ膜の成膜周
期を０．４ｎｍと一定にして、主記録層２４の膜厚比を
Ｔｂ膜厚：ＦｅＣｏＴａ膜厚＝１：ＸとしてＸを変化さ
せた。
【００２２】（実施例３）実施例１と同様の方法で表面
読み出し型光磁気記録媒体を作製した。ただし、本実施
例では、主記録層２４のＴｂ／ＦｅＣｏＴａ膜の成膜周
期を０．４ｎｍと一定にして、補助層２３、主記録層２
４の膜厚を変化させた。
読み出し型光磁気記録媒体を作製した。ただし、本実施
例では、主記録層２４のＴｂ／ＦｅＣｏＴａ膜の成膜周
期を０．４ｎｍと一定にして、補助層２３、主記録層２
４の膜厚を変化させた。
【００２３】（実施例４）実施例１と同様の方法で表面
読み出し型光磁気記録媒体を作製した。ただし、本実施
例では、主記録層２４のＴｂ／ＦｅＣｏＴａ膜の成膜周
期を０．４ｎｍと一定にして、主記録層および補助層の
成膜順を逆転させて表面読み出し型光磁気記録媒体を作
製した。
読み出し型光磁気記録媒体を作製した。ただし、本実施
例では、主記録層２４のＴｂ／ＦｅＣｏＴａ膜の成膜周
期を０．４ｎｍと一定にして、主記録層および補助層の
成膜順を逆転させて表面読み出し型光磁気記録媒体を作
製した。
【００２４】（実施例５）実施例１と同様の方法で表面
読み出し型光磁気記録媒体を作製した。ただし、本実施
例では、トラックピッチ０．５５μｍの基板を使用し、
主記録層２４のＴｂ／ＦｅＣｏＴａ膜の成膜周期を０．
４ｎｍと一定にして、ＤＬＣ層の形成後アクリル系紫外
線硬化樹脂からなる保護コート層をスピンコート法で１
０μｍの厚みに形成し、この後で、パーフルオロポリエ
ーテル系の潤滑層２７を引き上げ法で１ｎｍ塗布して表
面読み出し型光磁気記録媒体を作製した。
読み出し型光磁気記録媒体を作製した。ただし、本実施
例では、トラックピッチ０．５５μｍの基板を使用し、
主記録層２４のＴｂ／ＦｅＣｏＴａ膜の成膜周期を０．
４ｎｍと一定にして、ＤＬＣ層の形成後アクリル系紫外
線硬化樹脂からなる保護コート層をスピンコート法で１
０μｍの厚みに形成し、この後で、パーフルオロポリエ
ーテル系の潤滑層２７を引き上げ法で１ｎｍ塗布して表
面読み出し型光磁気記録媒体を作製した。
【００２５】実施例１〜３の表面読み出し型光磁気記録
媒体に対して以下に示すような記録再生特性の測定を行
なった。
媒体に対して以下に示すような記録再生特性の測定を行
なった。
【００２６】スピンドル上に光磁気記録媒体をセットし
て線速度１０ｍ／ｓで媒体を回転させる。薄膜面上にレ
ーザー波長６８０ｎｍ、有効開口数１．２のスライダー
ＳＩＬヘッドを１００ｎｍの高さに浮上させ、レーザー
をパルス的に照射して記録層をキュリー温度以上に暖
め、ＳＩＬヘッド上のコイル磁界を１６．７ＭＨｚで変
調させながら記録する（マーク長：０．３０μｍ）。こ
こで、記録する際のコイル磁界を１５０Ｏｅとした。記
録パワーを変化させＳＮＲを測定し、ＳＮＲが飽和した
ところの値をそのサンプルのＳＮＲ値とした。再生パワ
ーは０．８ｍＷである。
て線速度１０ｍ／ｓで媒体を回転させる。薄膜面上にレ
ーザー波長６８０ｎｍ、有効開口数１．２のスライダー
ＳＩＬヘッドを１００ｎｍの高さに浮上させ、レーザー
をパルス的に照射して記録層をキュリー温度以上に暖
め、ＳＩＬヘッド上のコイル磁界を１６．７ＭＨｚで変
調させながら記録する（マーク長：０．３０μｍ）。こ
こで、記録する際のコイル磁界を１５０Ｏｅとした。記
録パワーを変化させＳＮＲを測定し、ＳＮＲが飽和した
ところの値をそのサンプルのＳＮＲ値とした。再生パワ
ーは０．８ｍＷである。
【００２７】以上のようにして測定したＳＮＲのＴｂ／
ＦｅＣｏＴａ成膜周期依存性の測定結果（実施例１のサ
ンプル）を表１に示す。Ｔｂ／ＦｅＣｏＴａ成膜周期が
０．３ｎｍ〜１．５ｎｍの範囲で２０ｄＢ以上の良好な
ＳＮＲが得られている。
ＦｅＣｏＴａ成膜周期依存性の測定結果（実施例１のサ
ンプル）を表１に示す。Ｔｂ／ＦｅＣｏＴａ成膜周期が
０．３ｎｍ〜１．５ｎｍの範囲で２０ｄＢ以上の良好な
ＳＮＲが得られている。
【００２８】
【表１】
【００２９】表２に実施例２のサンプルのＳＮＲの測定
結果（主記録層のＴｂ／ＦｅＣｏＴａ膜厚比（Ｘ）依存
性）を示す。Ｘが２．６〜４．５の範囲で２０ｄＢ以上
の良好なＳＮＲが得られている。
結果（主記録層のＴｂ／ＦｅＣｏＴａ膜厚比（Ｘ）依存
性）を示す。Ｘが２．６〜４．５の範囲で２０ｄＢ以上
の良好なＳＮＲが得られている。
【００３０】
【表２】
【００３１】表３に種々の主記録層膜厚、補助層膜厚の
サンプル（実施例４のサンプル）のＳＮＲの測定結果を
示す。主記録層の膜厚が１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下で、
補助層の膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で２０．
３ｄＢ以上の良好なＳＮＲが得られている。
サンプル（実施例４のサンプル）のＳＮＲの測定結果を
示す。主記録層の膜厚が１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下で、
補助層の膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で２０．
３ｄＢ以上の良好なＳＮＲが得られている。
【００３２】
【表３】
【００３３】実施例４のサンプルのＳＮＲの測定結果か
ら２０ｄＢが得られ、主記録層／補助層の成膜順でも良
好な記録再生特性が得られた。
ら２０ｄＢが得られ、主記録層／補助層の成膜順でも良
好な記録再生特性が得られた。
【００３４】実施例５の表面読み出し型光磁気記録媒体
に対してレーザー波長６８０ｎｍ、有効開口数０．８の
光学系を有するスライダーヘッドを使用して記録特性を
測定したところ、マーク長０．４μｍにおいて２３ｄＢ
の良好なＳＮＲ値が得られ、オーバーコートを施した表
面読み出し型光磁気記録媒体としても使用可能であるこ
とが確かめられた。
に対してレーザー波長６８０ｎｍ、有効開口数０．８の
光学系を有するスライダーヘッドを使用して記録特性を
測定したところ、マーク長０．４μｍにおいて２３ｄＢ
の良好なＳＮＲ値が得られ、オーバーコートを施した表
面読み出し型光磁気記録媒体としても使用可能であるこ
とが確かめられた。
【００３５】
【発明の効果】本発明では記録層を１）記録層がＴｂＦ
ｅＣｏ、あるいはＴｂＦｅＣｏを主体とした垂直磁化の
主記録層と、ＴｂＦｅＣｏ、あるいはＴｂＦｅＣｏを主
体とした補助層の２層で構成されており、２）主記録層
がＴｂ層とＦｅＣｏ、あるいはＦｅＣｏを主体とした層
を交互に積層した膜からなり、成膜周期が０．３ｎｍ以
上１．５ｎｍ以下であり、３）積層の膜厚比をＴｂ膜
厚：ＦｅＣｏ膜厚＝１：Ｘと表わした時２．８≦Ｘ≦
４．５の範囲とすることによって微小マークに対しても
高いＳＮＲを得ることができる。また、主記録層の膜厚
を１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下、補助層の膜厚を１ｎｍ以
上１０ｎｍ以下としたり、記録層を補助層／主記録層の
順に成膜することによってＳＮＲ改善の効果が向上する
優れた表面読み出し型光磁気記録媒体を得ることができ
る。
ｅＣｏ、あるいはＴｂＦｅＣｏを主体とした垂直磁化の
主記録層と、ＴｂＦｅＣｏ、あるいはＴｂＦｅＣｏを主
体とした補助層の２層で構成されており、２）主記録層
がＴｂ層とＦｅＣｏ、あるいはＦｅＣｏを主体とした層
を交互に積層した膜からなり、成膜周期が０．３ｎｍ以
上１．５ｎｍ以下であり、３）積層の膜厚比をＴｂ膜
厚：ＦｅＣｏ膜厚＝１：Ｘと表わした時２．８≦Ｘ≦
４．５の範囲とすることによって微小マークに対しても
高いＳＮＲを得ることができる。また、主記録層の膜厚
を１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下、補助層の膜厚を１ｎｍ以
上１０ｎｍ以下としたり、記録層を補助層／主記録層の
順に成膜することによってＳＮＲ改善の効果が向上する
優れた表面読み出し型光磁気記録媒体を得ることができ
る。
【図１】本発明の表面読み出し型光磁気記録媒体の一例
の構造を示す部分断面図である。
の構造を示す部分断面図である。
【図２】本発明の実施例１の構造を示す部分断面図であ
る。
る。
１１、２１：基板 １２、２２：反射層 １３ ：記録層 ２３：補助層 ２４：主記録層 １４、２５：保護層 ２６：固体潤滑層 ２７：潤滑層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層および保護層
をこの順に積層してなる表面読み出し型光磁気記録媒体
において、 １）記録層がＴｂＦｅＣｏ、あるいはＴｂＦｅＣｏを主
体とした垂直磁化の主記録層と、ＴｂＦｅＣｏ、あるい
はＴｂＦｅＣｏを主体とした補助層の２層で構成されて
おり、 ２）主記録層がＴｂ層とＦｅＣｏ、あるいはＦｅＣｏを
主体とした層を交互に積層した膜からなり、成膜周期が
０．３ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であり、 ３）積層の膜厚比をＴｂ膜厚：ＦｅＣｏ膜厚＝１：Ｘと
表わした時２．６≦Ｘ≦４．５の範囲とすることを特徴
とする表面読み出し型光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 主記録層の膜厚が１５ｎｍ以上３０ｎｍ
以下であり、補助層の膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下で
あることを特徴とする請求項１記載の表面読み出し型光
磁気記録媒体。 - 【請求項３】 記録層を補助層／主記録層の順に成膜す
ることを特徴とする請求項１または２に記載の表面読み
出し型光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000115880A JP2001297495A (ja) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | 表面読み出し型光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000115880A JP2001297495A (ja) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | 表面読み出し型光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001297495A true JP2001297495A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18627419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000115880A Pending JP2001297495A (ja) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | 表面読み出し型光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001297495A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1400956A3 (en) * | 2002-09-18 | 2007-05-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium, method for producing the same and magnetic recording/reproducing apparatus |
-
2000
- 2000-04-12 JP JP2000115880A patent/JP2001297495A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1400956A3 (en) * | 2002-09-18 | 2007-05-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium, method for producing the same and magnetic recording/reproducing apparatus |
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