JPH03160644A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高感度、高密度化された光磁気記録媒体に関
するものである。

〔従来の技術〕

光磁気記録媒体は垂直磁気記録と磁気光学効果（カー効
果，ファラデー効果等）を利用するもので，従来の光記
録媒体と同様にレーザー光を用いて情報の記録、再生を
行うため記録容量が大きく、その上書き換えが可能であ
る。さらにヘッドと媒体が非接触で記録再生を行うこと
ができ，１ｆＡ埃の影響を受けないため安定性にも優れ
ている。この光磁気記録媒体は、現在盛んに研究されて
おり、文書情報ファイル，ビデオ・静止画ファイル，コ
ンピュータ用メモリ等への利用あるいはフロッピーディ
スク，ハードディスクの代替が期待され、部では商品化
の段階に至っている。

このような光磁気記録媒体の記録層として、遷移金属（
Ｆｅ，　Ｃｏ）と苛土類金属（Ｔｂ，　ｏｙ、Ｇｄ、ｌ
ｌｏ、Ｅｒ等）とを組合せた非晶質（アモルファス）磁
性合金膜が種々提案されている．遷移金属と希土類金属
とをそれぞれ１種以上組み合せ，スパッタ法や蒸着法で
基板上に作製した磁性合金膜は，補償組成付近で非晶質
の垂直磁化膜（股面と玉直な方向に磁化容易軸を有する
磁化膜）となり、光磁気記録媒体に応用する事が可能と
なる． 〔発明が解決しようとする課題〕 一方、情報処理の高進化，ハードディスク等の代替の見
地からすると、光磁気記録媒体においては、記録のより
高逮、高密度化を図ることが非常に重要な課題となって
いる。この記録の高速、高密度化のためには記録レーザ
ーパワーが小さくてすみ、しかも記録ビットの長さが短
く，その形状がシャープであることが必要とされる。記
録ピット長が長いと高密度化の妨げになるし、記録ビッ
ト形状が乱れているとノイズが大きくなり再生Ｃ／Ｎの
劣化を柏いてしまう。光磁気記録媒体は熱磁気記録を利
川したものであり、かつ，記録材の酸化劣化しやすいこ
と等の理山により多層構成を採用している関係上、各層
を構或する材料の熱伝導率は記録ビットの長さ、形状に
大きくかかわってくる．しかしながら、従来の光磁気記
録媒体においては、熱伝導率を含めて個々の層の特性を
改良する検討，提案がなされている（例えば，特開明６
２−２２６４４！１１号，同５６−７４８４１１リ公報
等）にすぎなかった。実際には，光磁気δ己録媒体は多
層構造をなし、それぞれの構成要素が相補的に関連して
おり、各層単独の検討では，充分満足のいく特性がｆｊ
手られていないのが現状である。

本発明は，このような従来技術の実情に鑑み、記録感度
が良く、高速、高密度化された光磁気記録媒体を堤供す
ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本発明によれば，透明基板上
に第１誘電体層を介して非晶質の希上預金屈一遷移金居
合金薄膜からなる記録Ｊｔ’ｌを設け，さらにそのＪ二
に第２ｖＩ重体層及び熱吸収層を順次設けた構成を有し
、前記第１誘電体Ｊｆｌ及びｌＩＩＩ記第２Ｗｆｆｉ体
層が熱伝導率０．０３ｃａＱ−ｃｌＩ／ｓ−ｄ・℃（水
温）以下の材料からなるとともに，前記記録層及び前記
熱吸収層が０．２０ｃａＱ−ｃＩｌ八−ｆｆｌ−℃（室
′／ＬＡ）以下の材料からなることを特徴とする光磁気
記録媒体が提ａｔされる。

以下本発明を図面を参熱しながら更に詳述する。

第１図は本発明による光磁気記録媒体の層構成例を示す
断面図であり、図中１は透明』，（板を示し、該基板ｌ
上に第ｌ誘電体層（エンハンス層）２、記録？３、第２
誘電体層（断熱層）４，熱吸収層（ヒートシンク層）５
が順次積層された構成となっている。そして必要に応じ
てイ１゜機保護層又は接合暦６が形成される． 先ず、ノλ板１の材料としてはポリカーボネート、メチ
ルメタクリレート、ポリオレフイン，エポキシ樹脂専の
光学的に透明なプラスチック、あるいはガラス等が使用
される。基板ｌにはあらかじめガイドトラック、プリフ
ォーマットを形威してもよい。また、基板ｌのレーザー
光入射面をＩ１２０，０■の侵入防止のために誘電層，
疎水性、耐ガス性層（例えばフッ素樹脂層）等で披置し
てもよい．第［ｔＩｉ体Ｗ！Ｊ２は基板外部から０■０
、０■が侵入して記録層３の磁気特性が劣化するのを防
止するとともに、光の多重反射により磁気光学効果（力
一回転角θｋ）をエンハンスメントする役割を行う。

このため、第１誘電体層２に用いられる材料は屈折率ｎ
が２．０以上、室温における熱伝導率が０．０３ｃａＱ
．・ｃｍ／ｃｊ−ｓ・℃以下のものが使用される。第１
誘電体Ｎ２の熱伝導率が０．０３ｃａＱ−ＣＩ１７ｄよ
り大きくなると？伝導による熱損失が大きくなり、好ま
しくない．第１３Ｒ電体層には、ＳｉＮｚ．　ＺｒＮ）
（，　ＳｉＺｒＮ）（．　ＣｒＮ、ＳｍＮ．ＮｄＮ．Ｖ
，Ｎ．ＴａＮ．ＳｂＮ，ＢＮ，ＩＩｆＮ．ＴｉＮ，Ｇｅ
Ｎ等の窒化物の１種又は２種以上複合したものが使用さ
れ，スパッタ法、蒸着法、イオンプレーテイング法等に
より８００〜１３００人の膜厚に形或される。

記８層３には、非晶質のＴｂＤｙＦｅＣｏあるいはＧ　
ｄ　ｌ）Ｖ　ＦｅＣｏが好ましく使用され、その補償温
度ＴｅａＩｌｐは室温より高く，室温での熱伝導率は０
．２ｃａＱ−ｃｍ／一・Ｓ・℃以下のものが望ましい。

記録Ｗｊ３の熱伝導率が０．２ｃａＱ−ｃｍ／一・Ｓ・
℃より大きいと記録マーク（ビット）が大きくなる。記
録Ｈｊ３はスパッタ法、蒸着法等の成膜法により２００
〜７００人の厚さに形威される．第２誘電体ＷＪ４は記
録時にレーザー照射により記Ｄ層３に発生した熱を拡散
させないで該記録暦３内に集める役割をするとともに、
大気中の！｛■０、０２により記録層３が酸化，腐食す
るのを防止する役割を行う。このため、第２誘電体ＩＦ
Ｉ４の熱伝導率は０．２ｃａＱ−ｃｍ／ａＩ−ｓ・℃以
下であることが好ましい。

該層４の熱伝導率が０．２ｃａＱ−ｃｍ／ｄ−Ｓ・℃よ
り大きくなると，熱拡散が大きくなり記８層３への蓄熱
効果が減少し、好ましくない．第２Ｍｆｒｔ体層４の材
料としては第１誘電体暦２と同様な材料が使用され、第
１誘電体層形成と同様の成膜法により２５０〜８００人
の膜摩に形成される。

熱吸収層５は第２誘電体層４での熱拡散を防止する作用
をする。すなわち、記録時にレーザー照射により記ｇ層
３に発生した熱は、第２誘電体Ｗｊ４に伝導し、その第
２誘電体層４の熱が熱吸収層５に伝導することにより，
第２誘電体層４での熱拡散が防止される。その結果、記
録ビット後端のＫ引きが短く，そのビット形状もシャー
プでレーザースポット径に忠実とむる．一方、熱吸収Ｍ
Ｓの黒い場合には第２誘電体層４で熱拡散が起り，記録
ビット後端の尾引きは長く，その形状はレーザースポッ
ト径より細くなる．このため，熱吸収層５には，第２誘
電体膜４より熱伝導率が小さく，室温での熱伝導率が０
．２ｃａＱ−ＣＩＩＩ／ｄ−ｓ・℃以下の材料，例えば
Ｚｒ．　Ｐｔ．　Ｃｒ．　Ａｇ．　Ａｕ，　Ｒｈの少な
くとも１種あるいはこれらの合金が好ましく使用される
．そして，スパッタ法，蒸着法等の或膜法により３００
〜７００人の膜淳に形成される。

熱吸収層５のーＬには必要に応じて有機保？ｓ層あるい
は接合層６が設けられるが，有機保護層は熱吸収屑５以
下の下層を保護し，接合Ｒクは両面記録タイプの媒体に
おける接合を行う。これら右機保護層あるいは接合層６
は紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）、熱可塑性樹脂、プラ
ズマ重合樹脂等を用いてスビナー塗Ａｉ法等の方法でＩ
　ｐｍ　−　１　０　０　ｐｍの膜厚に成膜される． また，上記のような構成の２枚のディスクを貼合せて両
面記録タイプの光磁気ディスクとするときには、そのデ
ィスクの端部を誘電材あるいはプラスチックで接合する
のがクｆましい．以上本発明を一構或例に基づき述べて
きたが、本発明の層構戊はこの例に限定されるものでは
なく、例えば、第１誘電体膜２及び第２ｖＩｆｆｉ体膜
４をいずれか一方のみ設けたもの、記餘層３を２ｆｅ’
Ｊ構造としたもの等、種々の変形、変更が可能である。

〔実施例〕

以下に本発明の実施例をあげるが、本発明はこれら実施
例に限定されるものではない．（実施例１） 外径１３０ｍｍ．内径１５ｍｍ．厚さ１　．　２ｍｓ＋
のポリカーボネート板を基板として用い、ＲＦマグネト
ロンスパッタ装置においてＳｉターゲットを用いるとと
もにＮよ＋Ａｒガスを流し、該基板上に第１誘電体層と
してＳｉＮ膜をスパッタリングで１０００人厚に形成し
、次いでその上に同じ＜１七Ｆマグネトロンスパッタリ
ングで記８Ｈ３としてＴｔ）ｏ　．ｘｚＤｙｏ　ｎｔＪ
ｅｏ　ｅｓｓｃＯｏ　＊ｏ＊膜を２５０入厚に形成し、
さらにその上に第ｌ誘電体層形成と同様にしてＳｉＮ膜
からなる第２誘電体層を３０ＯＡ厚に形成した．次に，
第２誘電体層上にＤＣスパッタリングでＡＱ−Ｚｒを６
００入厚に形成した後、Ｕｖレジン（商品名：Ｅｌｌ２
１４、横浜ゴム社Ｒ）をスピナー塗布法により約４一厚
に成膜した後、硬化させて有機保護層を形威し，光磁気
ディスクを得た．上記の各要素の材料，各層の厚さを後
掲の表−１に示すとともに、各層の熱伝導率の値を後掲
の表−２に示す． （実施例２〜８） 基板、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、熱吸収層
及び有機保護層の材料としてそれぞれ表−１に示す材料
を用い，実施例ｌと同様にして光磁気記録媒体を得た。

各層の膜厚及び各層の熱伝導率はそれぞれ表−１及び表
−２に示す通りである。

（比較例） 各要素の材料として表−１に示す材料を用い、実施例ｌ
と同様にして光磁気ディスクを作製した。

各層の膜１グ及び熱伝導率はそれぞれ表−１及び表−２
に示す通りである。

以上のようにして作製した各光磁気ディスクについて下
記の条件で記録再生特姓を評価した。その結果を表−３
に示す。

・使用レーザ波長　７９０ｎｍ ・ＮＡ＝０．５：ＩＩ ・線速　７ＩＩｌ／秒 ・記録周波数　４ＭＩ１７． 表−３ 〔発明の効果〕 以上詳細に説明したように、本発明によれば、各層の熱
伝導率を前述のように規定したので，記録ビット長が短
く、ビット形状がシャープとなり、記録再生特性が向上
し、記録のより高速，高密度化を達成することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気記録媒体の層構成を示す断面図
である。 ■・・・基　　板　　　　２・・・第１誘電体層３・・
・記録層　　　　４・・・第２誘電体層５・・・熱吸収
層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明基板上に第１誘電体層を介して非晶質の希土
   類金属−遷移金属合金薄膜からなる記録層を設け、さら
   にその上に第２誘電体層及び熱吸収層を順次設けた構成
   を有し、前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層が熱伝
   導率０．０３ｃａｌ−ｃｍ／ｓ・ｃｍ＾２・℃（室温）
   以下の材料からなるとともに、前記記録層及び前記熱吸
   収層が０．２０ｃａｌ・ｃｍ／ｓ・ｃｍ＾２・℃（室温
   ）以下の材料からなることを特徴とする光磁気記録媒体
   。