JP2011197653A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に液晶層を介して入射する光を反射する画素電極と、透光性を有する画素電極と、透光性を有する画素電極と重なる位置に側面が反射層で覆われた構造体を設ける。構造体は、透光性を有するエッチングストップ層上に形成され、エッチングストップ層は、構造体の下に透光層として残存する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、半透過型液晶表示装置の1画素当たりの反射光量と透過光量を向上せしめる画素構成とその作製方法について、図1乃至図10を用いて説明する。
本実施の形態では、本明細書に開示する液晶表示装置に適用できるトランジスタの例を示す。本明細書に開示する液晶表示装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されず、例えばトップゲート構造、又はボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電極を有する、デュアルゲート型でもよい。なお、図11(A)乃至(D)にトランジスタの断面構造の一例を以下に示す。図11(A)乃至(D)に示すトランジスタは、半導体として酸化物半導体を用いるものである。酸化物半導体を用いることのメリットは、比較的簡単かつ低温のプロセスで高い移動度と低いオフ電流が得られることであるが、もちろん、他の半導体を用いてもよい。
本実施の形態では、半透過型の液晶表示モジュールの構成の一例を示す。本実施の形態で例示する半透過型液晶表示モジュールは、反射モードで利用する場合はモノカラー表示で、透過モードで利用する場合はフルカラーモードで映像を表示する。
本実施の形態では、本発明の液晶表示装置、及び低消費電力化を図れる液晶表示装置の駆動方法の一形態を、図13、乃至図19を用いて説明する。
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。
110 画像処理回路
111 記憶回路
112 比較回路
113 表示制御回路
115 選択回路
116 電源
120 表示パネル
121 駆動回路部
122 画素部
123 画素
124 ゲート線
125 ソース線
126 端子部
127 スイッチング素子
128 共通電極
130 バックライト部
131 バックライト制御回路
132 バックライト
133 LED
134 拡散板
135 光
136 画素
137 ゲート線
138 ソース線
139 外光
140 FPC
190 液晶表示モジュール
210 容量素子
214 トランジスタ
215 液晶素子
220 容量素子
225 液晶素子
400 基板
401 ゲート電極
402 ゲート絶縁層
403 酸化物半導体層
407 絶縁層
409 保護絶縁層
410 トランジスタ
420 トランジスタ
427 絶縁層
430 トランジスタ
437 絶縁層
440 トランジスタ
601 期間
602 期間
603 期間
604 期間
800 基板
820 構造体
821 反射層
822 有機樹脂層
823 透明電極
825 反射電極
826 開口部
827 絶縁層
828 絶縁層
829 エッチングストップ層
831 入射光
832 反射光
833 絶縁層
834 レジストマスク
835 レジストマスク
841 バックライト射出口
842 バックライト入射口
851 トランジスタ
852 配線
853 容量配線
854 配線
855 コンタクトホール
856 ソース電極
857 ドレイン電極
858 ゲート電極
859 半導体層
861 トランジスタ
862 配線
863 容量配線
864 配線
865 コンタクトホール
866 ソース電極
867 ドレイン電極
868 ゲート電極
869 半導体層
871 保持容量
872 保持容量
880 部位
881 部位
1401 期間
1402 期間
1403 期間
1404 期間
9630 筐体
9631 表示部
9632 操作キー
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 コンバータ
9637 コンバータ
111b フレームメモリ
121A ゲート線側駆動回路
121B ソース線側駆動回路
121C ゲート線側駆動回路
121D ソース線側駆動回路
125a 偏光板
125b 偏光板
126A 端子
126B 端子
136a 画素
136b 画素
224a トランジスタ
224b トランジスタ
405a ソース電極
405b ドレイン電極
436a 配線層
436b 配線層
821a 反射層
821b 反射層
825a 反射電極
825b 反射電極
Claims (10)
- 入射する光を反射する画素電極と、第1のトランジスタと、を有する第1の画素と、
透光性を有する画素電極と、第2のトランジスタと、構造体と、を有する第2の画素を有し、
前記構造体は、側面と、底面と、上面と、を有し、
前記構造体の側面は反射層で覆われ、
前記構造体の底面の面積は、前記構造体の上面の面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記構造体の底面は、酸化物半導体と接していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2において、
前記構造体の屈折率は、前記酸化物半導体の屈折率よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタ、及び前記第2のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記反射層は、アルミニウムまたは銀を含むことを特徴とする半導体装置。 - 基板上に第1の絶縁層を形成し、前記第1の絶縁層上に透光性を有するエッチングストップ層を形成し、前記エッチングストップ層上に第2の絶縁層を形成し、前記第2の絶縁層を選択的にエッチングして前記エッチングストップ層を露出させ、露出した前記エッチングストップ層をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項6において、
前記エッチングストップ層は、酸化物半導体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項6または請求項7において、
前記第2の絶縁層は、有機樹脂であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項6乃至請求項8のいずれか一項において、
前記第2の絶縁層のエッチングはドライエッチング法で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項6乃至請求項9のいずれか一項において、
前記エッチングストップ層のエッチングは、ウェットエッチング法で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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Cited By (6)
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JP2014229710A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2017107194A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、入出力装置、情報処理装置、情報処理装置の駆動方法 |
JP2018025795A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2018049208A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
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WO2011081008A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
WO2011081041A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
US8830424B2 (en) * | 2010-02-19 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having light-condensing means |
JP5827104B2 (ja) | 2010-11-19 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
TWI613822B (zh) | 2011-09-29 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR101976212B1 (ko) | 2011-10-24 | 2019-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
CN102778778B (zh) * | 2012-07-05 | 2014-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种透反式液晶显示面板及透反式液晶显示器 |
JP6317059B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2018-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
KR102389622B1 (ko) * | 2015-09-17 | 2022-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
WO2017064593A1 (en) | 2015-10-12 | 2017-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
WO2017081575A1 (en) | 2015-11-11 | 2017-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10302983B2 (en) | 2016-03-29 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output device, and data processor |
WO2017217703A1 (en) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | Seoul Semiconductor Co., Ltd | Display apparatus and manufacturing method thereof |
KR20180020091A (ko) * | 2016-08-17 | 2018-02-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US11588137B2 (en) | 2019-06-05 | 2023-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, display device, input/output device, and data processing device |
US11659758B2 (en) | 2019-07-05 | 2023-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display unit, display module, and electronic device |
JP7530897B2 (ja) | 2019-07-12 | 2024-08-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
JPWO2021069999A1 (ja) | 2019-10-11 | 2021-04-15 | ||
JP2023102547A (ja) * | 2022-01-12 | 2023-07-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | ルーバー、視野角制御素子、及び、表示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003227903A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズアレイ板及びその製造方法、光学素子板及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
JP2003262863A (ja) * | 2003-01-10 | 2003-09-19 | Seiko Epson Corp | 半透過・反射型電気光学装置、電子機器、および半透過・反射型電気光学装置の製造方法 |
JP2004126199A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Toppoly Optoelectronics Corp | 液晶ディスプレイのディスプレイ回路構造 |
JP2006184609A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 視野角制御シート及びこれを用いた画像表示装置 |
JP2007071939A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及び電子機器 |
JP2007183323A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及び電子機器 |
Family Cites Families (209)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
EP0252646B1 (en) * | 1986-07-07 | 1993-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Paperless portable book |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
US6839855B2 (en) * | 1990-03-23 | 2005-01-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Data processing apparatus |
DE69123770T2 (de) * | 1990-03-23 | 1997-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hand-Datenverarbeitungsgerät mit reduziertem Leistungsverbrauch |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3056631B2 (ja) | 1994-03-15 | 2000-06-26 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
EP0820644B1 (en) | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JPH0990337A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Sharp Corp | 透過型液晶表示装置 |
JP3625598B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH09230827A (ja) | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置のバックライト制御方法 |
JPH09251162A (ja) | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Matsushita Electron Corp | 集光素子付画像表示装置 |
US6195140B1 (en) | 1997-07-28 | 2001-02-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region |
JP2955277B2 (ja) | 1997-07-28 | 1999-10-04 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US6330047B1 (en) | 1997-07-28 | 2001-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
JPH11142810A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Nintendo Co Ltd | 携帯型情報処理装置 |
US6295109B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-09-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | LCD with plurality of pixels having reflective and transmissive regions |
JP4223094B2 (ja) * | 1998-06-12 | 2009-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学表示装置 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
US7317438B2 (en) | 1998-10-30 | 2008-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field sequential liquid crystal display device and driving method thereof, and head mounted display |
JP2000150861A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
US6597348B1 (en) * | 1998-12-28 | 2003-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information-processing device |
JP3916334B2 (ja) * | 1999-01-13 | 2007-05-16 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ |
US7145536B1 (en) * | 1999-03-26 | 2006-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP3431856B2 (ja) | 1999-04-19 | 2003-07-28 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2001075091A (ja) | 1999-07-07 | 2001-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半透過型液晶表示装置 |
EP1113308A4 (en) | 1999-07-07 | 2006-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | TRANSLUCENT LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE |
US7242449B1 (en) | 1999-07-23 | 2007-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and integral image recognition/display apparatus |
TW460731B (en) * | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP3428529B2 (ja) * | 1999-10-13 | 2003-07-22 | 日本電気株式会社 | 表示装置および情報端末装置 |
JP4781518B2 (ja) * | 1999-11-11 | 2011-09-28 | 三星電子株式会社 | 反射透過複合形薄膜トランジスタ液晶表示装置 |
US7129918B2 (en) * | 2000-03-10 | 2006-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method of driving electronic device |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
JP2002082331A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
US7385579B2 (en) | 2000-09-29 | 2008-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of driving the same |
JP2003050405A (ja) | 2000-11-15 | 2003-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル |
KR20020038482A (ko) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3880356B2 (ja) * | 2000-12-05 | 2007-02-14 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
JP2002229021A (ja) | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Tdk Corp | バックライトおよびそれを使用した表示装置 |
JP3997731B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2002311211A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-23 | Dainippon Printing Co Ltd | レンズシート及びその製造方法 |
JP3895952B2 (ja) * | 2001-08-06 | 2007-03-22 | 日本電気株式会社 | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4111785B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2008-07-02 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4050119B2 (ja) * | 2001-10-02 | 2008-02-20 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) * | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP3951694B2 (ja) | 2001-12-11 | 2007-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 半透過・反射型電気光学装置、電子機器、および半透過・反射型電気光学装置の製造方法 |
JP3714244B2 (ja) | 2001-12-14 | 2005-11-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半透過・反射型電気光学装置の製造方法、半透過・反射型電気光学装置、および電子機器 |
JP2003195329A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Sharp Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP2003241184A (ja) | 2002-02-15 | 2003-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置及び半透過型液晶表示装置 |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
JP4101533B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半透過型の液晶表示装置の作製方法 |
JP4237442B2 (ja) | 2002-03-01 | 2009-03-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半透過型液晶表示装置 |
JP4087620B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2008-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
CN1445821A (zh) * | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP2003279967A (ja) | 2002-03-25 | 2003-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) * | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) * | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4220231B2 (ja) | 2002-12-24 | 2009-02-04 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示パネル用基板製造方法 |
TWI230305B (en) * | 2002-12-31 | 2005-04-01 | Au Optronics Corp | Dual mode liquid crystal display |
JP2004226612A (ja) | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
TWI363206B (en) * | 2003-02-28 | 2012-05-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display device |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP2004279669A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Sharp Corp | 表示システム |
JP4108633B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
JP4093127B2 (ja) | 2003-06-24 | 2008-06-04 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2005024680A (ja) | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Toppoly Optoelectronics Corp | 透過・反射両用液晶表示装置 |
US7262463B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP4377631B2 (ja) | 2003-08-15 | 2009-12-02 | アルプス電気株式会社 | 半透過型液晶表示装置及びそれを備えた電子機器 |
JP3708112B2 (ja) | 2003-12-09 | 2005-10-19 | シャープ株式会社 | マイクロレンズアレイ付き表示パネルの製造方法および表示装置 |
JP2005190295A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Toshiba Corp | 携帯情報端末 |
KR100979385B1 (ko) | 2003-12-30 | 2010-08-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
KR20050079430A (ko) * | 2004-02-05 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | Tft lcd 기판의 알루미늄 배선 형성방법과 이에의한 tft lcd 기판 |
JPWO2005080529A1 (ja) | 2004-02-20 | 2007-10-25 | 旭硝子株式会社 | 光学素子用液晶材料および光変調素子 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
EP2226847B1 (en) | 2004-03-12 | 2017-02-08 | Japan Science And Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
US7145174B2 (en) * | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
CN101714323B (zh) | 2004-04-22 | 2012-12-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及其驱动方法 |
TW200600916A (en) * | 2004-05-27 | 2006-01-01 | Alps Electric Co Ltd | Color liquid crystal display device |
KR101057779B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-08-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
US7211825B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP4974493B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2012-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4111180B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2008-07-02 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置、及び電子機器 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
JP2006119416A (ja) | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示システム |
US7298084B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
JP5118811B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 発光装置及び表示装置 |
US7863611B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
EP2455975B1 (en) * | 2004-11-10 | 2015-10-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor with amorphous oxide |
RU2358355C2 (ru) * | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Полевой транзистор |
US7453065B2 (en) * | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7829444B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7791072B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
JP2006162680A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Nec Corp | 液晶表示装置及び移動体通信端末 |
KR100947680B1 (ko) | 2005-01-12 | 2010-03-16 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 |
US20060158587A1 (en) | 2005-01-20 | 2006-07-20 | Au Optronics Corporation | Transflective liquid crystal display |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI569441B (zh) * | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI472037B (zh) * | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) * | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) * | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
KR100648223B1 (ko) | 2005-05-11 | 2006-11-24 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치 |
JP4817718B2 (ja) * | 2005-05-27 | 2011-11-16 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置 |
JP2006344849A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) * | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) * | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1995787A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5037808B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
JP2007121804A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜積層基板、及びその製造方法、並びに薄膜積層基板を備える液晶表示装置 |
CN101577256B (zh) * | 2005-11-15 | 2011-07-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US7821613B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
JP2007199441A (ja) | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
EP1832915B1 (en) | 2006-01-31 | 2012-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with improved contrast |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
KR101337459B1 (ko) | 2006-02-03 | 2013-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그 표시장치를 구비한 전자기기 |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
CN101059612B (zh) * | 2006-04-19 | 2012-04-18 | 奇美电子股份有限公司 | 半穿透半反射式液晶面板与主动元件阵列基板的制造方法 |
JP2007293153A (ja) | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP2007304384A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器 |
KR20090015991A (ko) | 2006-05-31 | 2009-02-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
US8154493B2 (en) | 2006-06-02 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic device using the same |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP2008052259A (ja) | 2006-07-26 | 2008-03-06 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5098272B2 (ja) | 2006-09-27 | 2012-12-12 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP4866703B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2012-02-01 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
JP4513027B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2010-07-28 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP2008261944A (ja) | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
US8274078B2 (en) | 2007-04-25 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxynitride semiconductor containing zinc |
JP5542296B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP5542297B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
KR20080101680A (ko) | 2007-05-18 | 2008-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시장치, 전자 기기, 및 그의 구동방법 |
JP4989309B2 (ja) | 2007-05-18 | 2012-08-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP5037221B2 (ja) | 2007-05-18 | 2012-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及び電子機器 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8809203B2 (en) | 2007-06-05 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device using a microwave plasma CVD apparatus |
TWI338805B (en) * | 2007-06-26 | 2011-03-11 | Au Optronics Corp | Transflective liquid crystal display panel and pixel structure thereof |
JP2009047965A (ja) | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Seiko Epson Corp | 画像処理装置、画像処理方法、表示装置およびプログラム |
JP5472773B2 (ja) | 2007-08-30 | 2014-04-16 | Nltテクノロジー株式会社 | 半透過型液晶表示装置 |
JP4566226B2 (ja) | 2007-09-07 | 2010-10-20 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
KR20090075554A (ko) | 2008-01-04 | 2009-07-08 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치와 그 제조 방법 |
JP2009200355A (ja) | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Sharp Corp | Tft基板、tft基板の製造方法、及び液晶表示装置 |
JP2009229967A (ja) | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
EP2128686B1 (en) | 2008-05-29 | 2017-07-05 | LG Electronics Inc. | Mobile terminal with a solar cell module integrated under the display and method for controlling the display |
KR101470636B1 (ko) | 2008-06-09 | 2014-12-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR101495203B1 (ko) | 2008-06-24 | 2015-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 구동방법, 어레이 기판, 이의 제조방법 및이를 갖는 액정표시장치 |
JP5430248B2 (ja) | 2008-06-24 | 2014-02-26 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
KR20160113329A (ko) | 2008-10-03 | 2016-09-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5615540B2 (ja) | 2008-12-19 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20180014255A (ko) | 2009-11-13 | 2018-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기 |
WO2011081011A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
WO2011081010A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
WO2011081041A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
WO2011081008A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
KR101082286B1 (ko) | 2010-02-11 | 2011-11-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 액정표시장치 및 그의 구동방법 |
US8830424B2 (en) | 2010-02-19 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having light-condensing means |
US8823624B2 (en) | 2010-08-13 | 2014-09-02 | Au Optronics Corporation | Display device having memory in pixels |
-
2011
- 2011-02-18 US US13/030,199 patent/US9000438B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-21 JP JP2011034648A patent/JP5645706B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-10-29 JP JP2014220138A patent/JP5839518B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-03 US US14/678,037 patent/US9927654B2/en active Active
- 2015-04-22 JP JP2015087251A patent/JP6487761B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-27 JP JP2017087997A patent/JP6411578B2/ja active Active
-
2018
- 2018-09-26 JP JP2018180605A patent/JP6608020B2/ja active Active
-
2019
- 2019-10-21 JP JP2019191831A patent/JP2020030416A/ja not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-04-01 JP JP2022061791A patent/JP2022105499A/ja not_active Withdrawn
-
2023
- 2023-08-21 JP JP2023134061A patent/JP2023155310A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003227903A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズアレイ板及びその製造方法、光学素子板及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
JP2004126199A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Toppoly Optoelectronics Corp | 液晶ディスプレイのディスプレイ回路構造 |
JP2003262863A (ja) * | 2003-01-10 | 2003-09-19 | Seiko Epson Corp | 半透過・反射型電気光学装置、電子機器、および半透過・反射型電気光学装置の製造方法 |
JP2006184609A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 視野角制御シート及びこれを用いた画像表示装置 |
JP2007071939A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及び電子機器 |
JP2007183323A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及び電子機器 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013102145A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2021114615A (ja) * | 2011-10-19 | 2021-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP7187602B2 (ja) | 2011-10-19 | 2022-12-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US11817505B2 (en) | 2011-10-19 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014229710A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2017107194A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、入出力装置、情報処理装置、情報処理装置の駆動方法 |
JP7083594B2 (ja) | 2015-11-30 | 2022-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2018025795A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2018049208A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020030416A (ja) | 2020-02-27 |
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US20150316818A1 (en) | 2015-11-05 |
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