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JP2006525682A - 高出力固体発光素子パッケージ - Google Patents

高出力固体発光素子パッケージ Download PDF

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Abstract

発光素子に、スプレッダ領域、スプレッダ領域に位置決めされた固体光源、およびスプレッダ領域に位置決めされ光源を囲む封止材が含まれる。封止材は、様々な構成部品間の熱膨張係数の差により生じた力を最小化するように、スプレッダ領域の表面での温度変化に応じた膨張および収縮が可能である。光源の近傍に1つまたは複数の反射要素を位置決めして、発光素子の発光効率を向上させる。反射要素はスプレッダ領域に反射層および/または封止材の一部に反射層を含むことができる。

Description

本出願は、2003年4月30日に出願された米国特許仮出願番号第60/467,193号の利益を請求する。
本発明は、発光素子に関し、さらに詳細には、熱応力に耐えるよう配置された構成部品を有する発光素子パッケージに関する。
発光素子は、電気エネルギーを光に変換する固体デバイスの重要な一分野である。このような発光素子の1つが、逆にドープされた2つの領域の間に挟まれた半導体材料の活性領域を一般に含む発光ダイオード(LED)である。このドープ領域にバイアスを印加すると、ホールおよび電子が活性領域に注入され、そこでそれらが再結合して光を発生する。光は活性領域からLEDの表面を通って放出される。
一般に、LEDはそれらの出力定格に依ってクラスに分類される。様々なクラスの基準範囲はないが、通常、低出力LEDは、0.1ワットから0.3ワットまたはそれ以下の範囲の出力定格を有し、高出力LEDは、0.5ワットから1.0ワットまたはそれ以上の範囲の出力定格を有する。
通常、低出力LED用の従来のパッケージングには、底部にLEDが取付けられたリフレクタカップが含まれる。陰極リードおよび陽極リードがLEDに電気的に結合されて電力を供給する。陰極リードは、リフレクタカップを通して伸ばすことができ、陽極リードは、ワイヤボンドが可能である。リフレクタカップの主な機能は、LEDの遠視野強度パターンを制御するために、いくつかの方向に放出された光の方向を変えることである。リフレクタカップは、反射性の高い表面仕上げを施され、打抜き加工した板またはアルミニウム(Al)または銀(Ag)などの金属をメッキした金属である。
プラスチックまたはエポキシなどの透明で硬い封止材で全構造を包むことができる。封止材は多くの機能を果たす。機能の1つは、LEDチップに密封を施すことである。別の一機能では、光が封止材/空気界面で屈折し、その結果、封止材の外側形状がレンズとして作用してLEDの強度パターンをさらに制御する。
しかし、このパッケージの配置の1つの欠点は、一般に、LEDチップとリフレクタカップと封止材とが各々異なる熱膨張係数(CTE)を有することである。そのため、動作上の加熱サイクル中に、それらが異なる比率で膨張かつ収縮し、高い機械的応力が装置に加わる。特に、通常封止材に使用するエポキシおよびシリコンは、金属またはセラミックとは非常に異なるCTEを有する。また、エポキシの硬化中など、製造フローによって課された制約があるために、CTEのミスマッチは悪化しかねない。さらに、良好な熱特性を欠いているので、これらのパッケージは、LEDチップからの熱を効率的に放散しない。しかし、LEDは低電力で動作するので、LEDが生じる熱量は比較的低く、CTEの差が許容不可能な欠陥率につながることはない。
しかし、高出力LEDは、一般に大型であり、大きなパッケージ構成部品を使用し、多くの熱量を発生する。結果として、CTEのミスマッチは、はるかに大きな影響を信頼性に与え、低出力LED型のパッケージを使用した場合、パッケージ構成部品のCTEの差が許容不可能な欠陥率につながりかねない。最も一般的な欠陥の1つは、封止材の破断またはクラックである。
ヒートスプレッダを有し、このヒートスプレッダが残りのパッケージ構成部品の剛性のプラットフォームとして働く高出力LEDパッケージであり、LEDチップから熱を放射するのを助ける金属またはセラミックなどの高い熱伝導率を有する材料から作られた高出力LEDパッケージが導入されてきた。プラットフォームにリフレクタカップが取付けられ、リフレクタカップの下部にLEDチップが取付けられる。LEDチップは、剛性のプラットフォームからワイヤボンドによって接触される。リフレクタカップ、LEDチップおよびワイヤボンドは、環境保全に資する光学的に透明な材料で包まれる。パッケージ構成部品の異なる熱膨張係数(CTE)を補うため、光学的に透明な材料は、シリコンなどの柔軟なゲルを含むことができる。柔軟なゲルは、異なる構成部品が熱サイクルによって膨張かつ収縮するのに伴い、直ちに変形し、異なるCTEを即座に補う。
しかし、柔軟なゲルはプラスチックのように頑強ではなく、密封として作用する被覆またはカバーがなければ、厳しい環境で使用することができないので、LEDの製造工程を複雑にしてしまう。柔軟なゲルは水分を吸収する傾向もあり、そのためLEDの寿命が短くなる可能性がある。また、LEDパッケージの放出パターンを制御するように柔軟なゲルを形作ることはさらに困難である。
エポキシの硬い封止材を利用する他の高出力LEDパッケージが導入されている。そのような装置の1つでは、封止材の内部にリフレクタカップを利用せず、代わりに、ヒートスプレッダ上に第2の領域を有し、第2領域の一部を打抜き加工するか、成形するか、エッチングして反射材料で被覆したくぼみを形成する。その後、LEDチップをくぼみの基部に置き、接触させる。硬いエポキシまたはシリコンがくぼみを充填し、LEDとすべてのワイヤボンドとを被覆する。この配置によって、エポキシまたはシリコンの封止材の破断およびクラックが低減されるが、これをなくすことはない。また、この配置のため、エポキシまたはシリコンの封止材がLEDの熱サイクルによってくぼみの表面からの層割れおよび剥離という異なる問題に煩わされる。
Careyらの特許文献1に、別の高出力LEDパッケージが開示され、このLEDパッケージは、インサート成形したリードフレームに挿入する放熱スラグを含む。スラグは、LEDチップを有するリフレクタカップとカップの基部に配置された熱伝導性のサブマウントとを含む。スラグから金属リードを、電気的かつ熱的に絶縁する。スラグ上に熱可塑性レンズを取付けることによって光学レンズを付加する。レンズを成形して、LEDとレンズの内面との間に柔軟な封止材のための余地を残すことができる。この発明では、高出力の諸条件で確実に動作することが請求されているが、製造が複雑かつ困難であり、高価である。また、熱可塑性レンズは、LEDをプリント回路基板にはんだ付けする工程で通常使用される高温に耐えられない。
米国特許第6,274,924号明細書
本発明は、高出力LEDとともに使用するのに特に適合し、パッケージ構成部品のCTEの差によるLEDパッケージの欠陥を低減するように配置されたLEDパッケージを提供することを目的とする。LEDパッケージは、簡単で柔軟であり、また堅牢である。
本発明に従う発光素子の一態様は、実質的な支持表面、支持表面に位置決めされた光源、および支持表面に位置決めされた封止材を含む。封止材は、光源を囲み、温度変化に応じて膨張および収縮することができ、平面の前記支持表面への接着のみにより固定される。
本発明に従う発光素子の別の態様は、ヒートスプレッダと、ヒートスプレッダの実質的に平面の表面と熱的に接触した状態で位置決めされた光源とを含む。ヒートスプレッダは、前記光源を支持し、封止材を位置決めして光源を囲み、封止材は、温度変化に応じた膨張および/または収縮が可能であり、前記平面の支持表面に接着することによってのみ固定される。ヒートスプレッダおよび封止材の少なくとも1つと一体化される第1の反射要素が光源からの光を反射するように位置決めされる。
本発明に従う光学式ディスプレイの一態様は、実質的に平面の表面を有するヒートスプレッダを含む。複数の発光素子が、平面の表面上に位置決めされ、各発光素子は、ヒートスプレッダと熱的に接触した状態で位置決めされた光源を含む。光源を囲むように封止材を位置決めし、封止材は、温度変化に応じた膨張および収縮が可能であり、前記平面の表面への接着されることによってのみ固定される。各発光素子は、ディスプレイの発光効率を向上させるように、ヒートスプレッダおよび/または封止材に位置決めされた少なくとも1つの反射要素を備える。
発光素子の製造方法の一態様は、実質的に平面の支持表面を設けることおよび、実質的に平面の支持表面に位置決めされた光源を設けることを含む。温度変化に応じて膨張および/収縮することができるように支持表面上および光源上に位置決めされ、前記平面の表面に接着することによってのみ固定される封止材を設ける。
本発明のこれらおよび他の特長および利点は、次の添付図面とともに、下記の詳細な説明から当業者に明らかになる。
図1に、本発明に従う発光素子10の一実施形態を示す。発光素子10は、ヒートスプレッダ12を含み、ヒートスプレッダ12上に位置決めされ、ヒートスプレッダ領域12と熱的に接触している光源14を有する。スプレッダ領域12は、光源14を保持する支持構造を成し、少なくとも部分的に高熱伝導材で作られ、光源14から熱流を逃がすのを容易にする。好適なヒートスプレッダは、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(AlO)、珪素(Si)、炭化珪素(SiC)またはそれらの組合せなどの高熱伝導材で作られる。
光源14はLEDを備えるが、特に固体レーザ、レーザダイオード、または有機放出ダイオードなどの他の発光素子を含むことができる。光源14に印加したバイアスによって第1および第2のワイヤボンド16、18から光源14への電力を供給することができ、図示した実施形態では、ワイヤボンドは、LED光源の逆にドープされた層にバイアスを印加してLED光源に光を放出させる。本発明に従う他の実施形態では、ワイヤボンドを1つのみ使用することができ、スプレッダ領域12を介して光源14に接触することもできる。なお他の実施形態では、スプレッダ領域12を介してのみ光源14に接触することができる。
本発明に従う発光素子は、単一光源として発光するか、ディスプレイ内で発光するかのいずれかに設計されたシステムに含まれることができる。本発明に従う発光素子は、同じかまたは異なる波長の光を放出する単一光源または光源のアレイも含むことができる。以下の図面の発光素子10および複数の発光素子は、議論を単純化し、かつ容易にするため一つの光源をもって示される。ただし、この発明による発光素子は多くの様々な方法で配置されることが理解される。
透明封止材20が、光源14を囲むように位置決めされ、光源14およびワイヤボンド16、18を封止および密封するよう提供される。封止材20は、通常、スプレッダ領域20の上面に位置決めされる。封止材20は、エポキシ、シリコン、ガラス、またはプラスチックなどの多くの異なる硬さの、かつ光学的に透明な材料で作られ、封止材20を、予備成形されたレンズにするか、あるいは光源14の上方に直接形成することができる。予備成形された封止材またはレンズは射出成形などの技法を使用して製造され、その後ヒートスプレッダ20に接合することができる。
スプレッダ領域12は、反射層22が少なくとも光源14により被覆されない面を実質的にすべて被覆するようにして、光源14と同じ表面に反射層22も含むことができる。示す実施形態では、前記反射層の一部が光源14とスプレッダ領域12間に挟まれるように反射層22が全表面を被覆する。光源14は、光源からの少数の想定される光路を表す光路1、2、3、4および5により光を全方向に放出する。光路1、2および3は光源14から封止材20を通して伸びる。光は光源14から反射層22へ封止材20を通して伸びる光路4および5に沿って進むこともできる。反射層22は光源14からの光を反射して発光素子10の光学的効率を向上できる。反射層22は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)またはそれらの組合せなどの、対象とする波長の光を反射する多くの反射材を備えることができる。
発光素子10は多くの利点を有する。その一つは、発光素子が従来の装置より複雑でなく、安価である点である。反射層22をスプレッダ領域12と接合し、封止材20およびヒートスプレッダ12とは別のリフレクタ構造を必要としない方法によって複雑性が低減され、製造工程の単純化を可能にする。
リフレクタ機能が発光素子10に含まれた他の構成部品と一体化されるため熱応力も低減される。それ故、様々な比率で互いに膨張かつ収縮する構成部品は少ない。その結果、光源14はより高電力で、すなわち、より高温で、発光素子10に障害が起こる危険がより少ない状態で確実に動作することができる。障害を起こす別の原因は、使用した様々な材料間のCTEミスマッチに関連した封止材20の破断またはクラックである。ただし、これが起こる確率は発光素子10の配置により低減される。封止材20とスプレッダ領域12間の表面は平面で、その結果、封止材20が一方の表面でのみ束縛される。これにより、ワイヤボンド16および/または18には、それらを破損し、または緩め、発光素子10の有効寿命を短縮する応力はほとんどかからない。
封止材20はガラスなどの硬い高融点材料を含み、これらの材料に関連した硬化工程および温度サイクルはもはや問題にならないため、密封されたパッケージを提供できる。発光素子10は、それらが接着に良く適合するため封止材20およびスプレッダ領域22に使用できる材料のより柔軟な選択を可能にする。それ故、発光素子の熱サイクルにより反射層22からの封止材20のデラミネートおよび剥離の確率が低減される。
別の利点は、発光素子10がより小さなフットプリントを有し、その結果、パッケージのアレイがともにより密接して配置されることである。この特徴は、パッケージをアレイに密に配置し、解像度および表示品質を向上させることが一般に望まれるライトディスプレイに有用である。
図2〜8は本発明に係る発光素子の付加的実施形態を図示する。図示する発光素子が図1に示す構成要素と同様の要素を含み、かつ発光素子10に関する上記議論が図2〜8で論じる発光素子に十分等しく該当するため、後の開示において同じ番号付けがなされていることに留意されたい。
図2に、本発明に係る発光素子30の別の実施形態を示す。発光素子30は、スプレッダ領域12を含み、反射層22を含むことができる。光源14が反射層22上に位置決めされ、封止材40が光源14を封止し、かつ密封するように位置決めされる。封止材40は、光源14から放出された横方向に向けられた光を全て内部反射させる傾斜面42を備えるようにその基部の周囲を成形される。
光路6、7は、その両方が面42に入射する、光源14からの2つの想定される光路を示す。光路6、7は、面42による全内部反射(TIR)により、それぞれ光路8、9に沿って封止材40の上部に向かって反射される。これにより封止材40の側面から外に放出される光が低減され、上部から外へ放出される光を増大する。その結果、発光素子30がより良好な発光効率でより集束された光を生成することができる。光源14から放出された光を、反射層22から封止材40へ反射することもでき、表面42から直接的または間接的に放射し、発光効率をさらに高めることができることに留意すべきである。発光素子30はより集束された光、より良好な光学的効率の付加的利点を備えた上記に説明した発光素子10の特徴のすべてを含む。
図3に、図2の発光素子30に類似の本発明に係る発光素子50の別の実施形態を示す。発光素子50は、スプレッダ領域12に反射層22を備えたスプレッダ領域12を含む。光源14は反射層22上に位置決めされ、封止材60は光源14を囲むように位置決めされて密封状態を提供する。封止材60は傾斜面42に塗布された反射層64を備えた傾斜面42を備える。支持領域49が第2の反射層64およびスプレッダ領域22に隣接して位置決めされる。
第2の反射層64は、TIRを受けず、かつさもなければ傾斜面42を通過するはずの光を含む傾斜面42に入射する光のほとんどまたはすべてを反射する。これにより封止材60の上部に向かう光源14からの光がさらに集束され、放出量を増加させることにより光学的効率がさらに向上する。第2の反射層64は銀(Ag)、アルミニウム(Al)、酸化チタン(TiO)、白色樹脂、またはそれらの組合せなどの様々な反射率を有する各種材料からなる。第2の反射層64は塗装、メッキ、または蒸着などの多くの様々な方法を使用して塗布され、また封止材60が光源14上方に位置決めされる前後に塗布できる。光を通さない第2の反射層64の付加的利点は、発光素子50の光効率を低下させることなくそれにより機械的な支持および環境保全のため任意選択のバリア領域49を含むことが可能になることである。領域49に使用された材料は、それが熱サイクル下で封止材60を抑制しないように選択する必要がある。
図4に、図1の発光素子10に類似の本発明に係る発光素子70の別の実施形態を示す。発光素子70は、スプレッダ領域12、光源14、および反射層22を含む。発光素子70は、その基部にキャビティ81を有する予備成形されたレンズである封止材80も備える。上記に説明した封止材と同様に、レンズ80はエポキシ、シリコン、ガラス、またはプラスチック製で、射出成形などの方法を使用して製造することができる。封止材80は、キャビティ81に配置された光源14およびワイヤボンド16、18を備えたヒートスプレッダ12の上面と、光源14上方とに取付けられる。接合材82がキャビティ81の空間を充填し、レンズ80をヒートスプレッダ12に保持する。光源14、ワイヤボンド16、18および接合材82のためのキャビティを提供しながら、それらがヒートスプレッダ12にはまるよう寸法が決められる様々な形の封止材が使用される。
接合材82はエポキシ、膠、またはシリコンゲルなどの様々な材料を含む。接合材82の屈折率は、2つの材料間の反射を最小にするためにレンズ80の屈折率と同じであることが好ましく、それらの材料は所望の発光効率を達成するように選択することができる。封止材80が光源14上方に位置決めされるかまたは封止材80が所定の位置に位置決めされる前に接合材82がキャビティ81に位置決めされ、材料82は封止材80を通してまたはスプレッダ12の穴(図示せず)を通して注入できる。その後、穴を樹脂等の材料で作られたプラグで密封することができる。
この配置は、光源14およびヒートスプレッダ12上に取付けられる封止材の種類および形状の付加的柔軟性を有する発光素子10の利点を有する。様々な種類のレンズが、スプレッダ領域においてサイズを設定するという条件のもとで使用され、その結果、光源14、ワイヤボンド16、18および接合材82のためのキャビティが提供される。材料82にシリコンゲルが使用される場合、それは様々な材料のCTEの差を補償できる。
図5に、本発明に係る発光素子90の別の実施形態を示す。発光素子90はスプレッダ領域12、光源14、および反射層22を含む。発光素子90は予備成形されたレンズまたは光源14上に配置され、かつ成形されたエポキシの硬い「弾丸形状の」封止材100も含む。光が表面121で封止材100から消え去るため、封止材100の形状は光路1、2、3、4および5に沿って発光素子90の上部に向かって光を屈折させるように選択される。この光の屈折は、光源14からの光を集めるのに役立つ。正確に90°で(すなわち、光路2に沿って)封止材100の表面に達する光は屈折されない。
図6に、スプレッダ領域12、光源14、および反射層22も含むこの発明に係る発光素子110の別の実施形態を示す。発光素子110は、発光素子110の上部に向かって光をより効率的に内部で反射し、発光素子110の上部に向かって封止材120から放射される光をより効率的に屈折させることができる「凹」形状封止材120を含む。封止材120は封止材120の集束力および発光素子110の発光効率を向上させるような方法で成形される傾斜面122を含む。面122の角度および形状は光を集束する上での所望利得を得て、かつTIRからの何らかの損失を減少させるように選択される。
図7に、スプレッダ領域12、光源14、ワイヤボンド16、18および反射層22を含む本発明に係る発光素子130の別の実施形態を示す。発光素子130は、ドーム142および傾斜ステム146を有するマッシュルーム形状封止材140も含む。ステム146は、光路6、7に沿ってステム146に当たる光源14からの光がそれぞれの光路8、9に沿ってドーム142に向かって反射されるように第2の反射層147により被覆される。この配置は合焦光を提供し、TIRに対する光の損失がより少ないためより効率的である。
図8に、スプレッダ領域12、光源14、および反射層22を含む本発明に係る発光素子150のさらに別の実施形態を示す。発光素子150は球形状の封止材160も含み、その封止材の下半球には、反対領域161も含んでいて、それぞれの光路8および9に沿い、封止材160の上部に向かって光路6と7に沿う光を反射する。この配置は合焦光を提供し、封止材160および反射層64のためより少ないTIR損失を有する。封止材はこの発明による他の詳細な形状を有することができることも理解される。
図9はこの発明による発光素子の製造方法の一つの実施形態に対するフローチャート200を示す。この方法はその上に反射層を持った少なくとも一つの平面を有するスプレッダ領域を備えたステップ201を含み、ステップ202は少なくとも一つの平面に位置決めされた光源を設けるステップを含む。ステップ203はスプレッダ領域の平面におよび光源上に配置された封止材を設けるステップを含む。平面であることによって、温度変化による封止材の膨張および収縮が平面でのみ束縛される。
密封状態が温度変化でも破損されない場合、それが光源を密封するように封止材が配置される。封止材および光源の相対位置が温度変化で不変であるように封止材が配置される。温度変化にともなって封止材が押すべきものが何もない(すなわち、三次元リフレクタ構造)場合、相対位置は不変である。
任意のステップ204は、スプレッダ領域に隣接する封止材の表面を傾斜させてTIR光および屈折光を発光素子の上部に向けて送り出することにより発光素子の効率を向上させるステップを含む。
任意のステップ205は、傾斜面に配置された第2の反射要素を設けて発光素子の発光効率を向上させるステップを含む。第2の反射要素は塗装、メッキ、または蒸着を用いることにより形成される。任意のステップ207は、支持表面および封止材の基部に隣接する障壁領域を配置するステップを含む。障壁領域は光源用のより良好な封止を形成することができる。フローチャート200に示したステップは異なる順序で行われることがあること、および異なるステップがこの発明による方法で使用されることに留意する必要がある。
本発明は、いくつかの好ましい構成を参照してかなり詳しく説明されてきたが、他の変形が可能である。上記に説明したレンズは、多くの様々な形状を有しかつ多くの様々な材料から作成される。上記に説明した光源の各々は、静電気放電(ESD)から保護するサブマウントをさらに含む。上記各実施形態において、ヒートスプレッダをエッチングして光源がヒートスプレッダの上面の上に広がらないように光源を収納する穴を設ける。その後、封止材は光源上にヒートスプレッダに取付ける平坦な基部を有する。
本明細書で説明した本発明の実施形態は例示的なものであり、多数の修正、変態および再配置によって、実質的に同等の結果を実現することは容易に想像できる。それらは、すべて添付請求項で定義されたように本発明の精神および範囲内に包含されることが意図されている。
本発明に従う発光素子を簡単に示す断面図である。 本発明に従う発光素子の別の実施形態を簡単に示す断面図である。 形作られたレンズを有する本発明に従う発光素子の別の実施形態を簡単に示す断面図である。 形作られたレンズに反射面を有する本発明に従う発光素子の別の実施形態を簡単に示す断面図である。 弾丸形状のレンズを有する本発明に従う発光素子の別の実施形態を簡単に示す断面図である。 凹形状のレンズを有する本発明に従う発光素子の別の実施形態を簡単に示す断面図である。 マッシュルーム形状のレンズを有する本発明に従う発光素子の別の実施形態を簡単に示す断面図である。 円形球状のレンズを有する本発明に従う発光素子の別の実施形態を簡単に示す断面図である。 本発明に従う発光素子の製造方法を簡単に示すフローチャートである。

Claims (36)

  1. 略平面の支持表面と、
    前記支持表面上に位置決めされた固体光源と、
    前記光源を囲む前記支持表面上に位置決めされた封止材であって、温度変化に応じた膨張および収縮が可能であり、前記平面の支持表面に接着することによってのみ束縛される封止材と
    を備えたことを特徴とする発光素子。
  2. 前記支持表面および前記封止剤の少なくとも1つと一体化された反射要素をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  3. 前記光源のある表面は前記支持表面に隣接し、前記封止材は前記光源の他の表面をすべて覆うことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  4. 前記封止材は前記光源を密封し、前記密封状態は温度変化で破損されないことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  5. 前記封止材の基部に、前記支持表面に隣接して位置決めされた障壁領域をさらに備え、前記障壁領域は、前記支持表面と前記封止材とを密封することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  6. 前記支持表面は、前記封止材の膨張および収縮が前記支持表面でのみ束縛されるように平面であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  7. 前記支持表面は、前記光源が放出した光を反射することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  8. 前記封止材は、その基部の周囲を成形されて、前記光源から放出された光の一部を反射する傾斜面を有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  9. 前記封止材は、前記反射光が前記封止材の焦点面を通るように形成されることを特徴とする請求項8に記載の発光素子。
  10. 前記傾斜面は、前記光源が放出した前記光を反射する反射被覆を含むことを特徴とする請求項8に記載の発光素子。
  11. 前記支持構造は、高熱伝導性のスプレッダ領域を備え、前記光源から熱を取り出すことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  12. 前記光源は、放出ダイオードを備えることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  13. ヒートスプレッダと、
    光源への支持を提供する前記ヒートスプレッダの略平面の表面と熱的に接触するように位置決めされた光源と、
    前記光源を囲むように位置決めされた封止材であって、温度変化に応じた膨張および/または収縮が可能であり、前記平面の表面に接着することによってのみ束縛される封止材と、
    前記光源からの光を反射するように位置決めされた第1の反射要素であって、前記ヒートスプレッダおよび前記封止材のうちの少なくとも1つと一体化されている反射要素と
    を備えたことを特徴とする発光素子。
  14. 前記第1の反射要素は、前記封止材の基部に傾斜面を含み、前記傾斜面は、前記光源からの光を反射して前記発光素子の発光効率を向上させることを特徴とする請求項13に記載の発光素子。
  15. 前記傾斜面に第2の反射要素をさらに備えたことを特徴とする請求項14に記載の発光素子。
  16. 前記封止材は、弾丸形状、凹形状、およびマッシュルーム形状のうちの1つであることを特徴とする請求項13に記載の発光素子。
  17. 前記封止材は、前記第1の反射要素の反射率を向上させるように位置決めされた第2の反射要素を含むことを特徴とする請求項13に記載の発光素子。
  18. 前記第2の反射要素は、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、酸化チタン(TiO)、白色樹脂、および関心の対象となる波長での反射性のある別の材料領域のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項17に記載の発光素子。
  19. 前記封止材は、基部にキャビティを有する予備成形されたレンズを含み、前記光源は、前記キャビティ内に位置決めされることを特徴とする請求項13に記載の発光素子。
  20. 前記キャビティ内の空間を充填し、かつ前記レンズを前記ヒートスプレッダに保持する接合材を備え、前記接合材の屈折率は、所望の発光効率を得るように選ばれることを特徴とする請求項19に記載の発光素子。
  21. 前記接合材は、エポキシ、膠、シリコンゲル、および前記発光素子の発光効率を高めるように選ばれた屈折率を有する別の材料のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項20に記載の発光素子。
  22. 前記ボンデイング材料は、前記封止材、光源、および/またはヒートスプレッダ間の熱膨張係数の差を補償するように選択されることを特徴とする請求項20に記載の発光素子。
  23. 前記ヒートスプレッダは、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(AlO)、シリコン(Si)、シリコンカーバイド、および前記光源から放熱することができる高熱伝導性の他の材料のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項13に記載の発光素子。
  24. 前記第1の反射要素は、前記ヒートスプレッダの表面を含むことを特徴とする請求項13に記載の発光素子。
  25. 前記ヒートスプレッダの前記表面は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、および関心の対象となる波長で反射する他の材料のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項24に記載の発光素子。
  26. 前記第1の反射要素の近傍に位置決めされた障壁領域を含み、前記障壁領域は、前記封止材と前記ヒートスプレッダとの間に密封を提供することを特徴とする請求項13に記載の発光素子。
  27. 略平面の表面を有するヒートスプレッダと、
    前記略平面の表面上に位置決めされた複数の発光素子であって、各発光素子は、
    前記ヒートスプレッダと熱的に接触するように位置決めされた光源
    を備える発光素子と、
    前記ヒートスプレッダ上に前記光源を囲むように位置決めされた封止材であって、温度変化に応じた膨張および収縮が可能であり、前記平面の表面に接着されることによってのみ束縛される封止材、および
    前記ディスプレイの発光効率を向上させるように、前記ヒートスプレッダ上および/または1つまたは複数の封止材上に位置決めされた少なくとも1つの反射要素
    を備えたことを特徴とする光学式ディスプレイ。
  28. 略平面の支持表面を設けるステップと、
    前記平面の支持表面に位置決めされた光源を設けるステップと、
    前記封止材は、温度変化に応じて膨張および/または収縮することができるように前記支持表面上および前記光源上に位置決めされ、前記平面の表面に接着することによってのみ束縛される封止材を設けるステップと
    を有することを特徴とする前記方法。
  29. 前記発光素子の光学的効率を向上させるように位置決めされた第1の反射要素を設けるステップをさらに有することを特徴とする請求項28に記載の方法。
  30. 前記第1の反射要素を設けるステップは、前記封止材の基部に傾斜面を設けるステップを含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
  31. 前記傾斜面の反射率を向上させるように位置決めされた第2の反射要素を設けるステップをさらに有することを特徴とする請求項28に記載の方法。
  32. 前記第2の反射要素を設けるステップは、塗装、メッキ、および蒸着のうち1つを使用して反射材領域を形成するステップを含むことを特徴とする請求項31に記載の方法。
  33. 前記第1の反射要素を設けるステップは、前記支持表面に対応する反射面を有するヒートスプレッダを設けるステップを含むことを特徴とする請求項29に記載の方法。
  34. 前記封止材を設けるステップは、前記封止材が前記光源を密封するように前記封止材を位置決めするステップを含み、前記密封状態は、温度変化によって破損されないことを特徴とする請求項28に記載の方法。
  35. 前記封止材を設けるステップは、前記封止材と前記光源との相対的な位置が温度変化によって変化しないように前記封止材を位置決めするステップを含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
  36. 前記支持表面および前記封止材の基部に隣接する障壁領域を位置決めするステップをさらに含み、前記障壁領域は、前記光源の密封を形成することを特徴とする請求項28に記載の方法。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006202952A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーン封止型led
JP2008159705A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
WO2008096714A1 (ja) * 2007-02-05 2008-08-14 Nikon Corporation 樹脂封止発光素子、平面状光源及びそれらの製造方法、並びに液晶表示装置
JP2013542617A (ja) * 2011-10-10 2013-11-21 チェオル ジュ、ジャエ Ledパッケージ
JP2013542618A (ja) * 2011-10-10 2013-11-21 チェオル ジュ、ジャエ Ledパッケージの製造方法
JP2015035438A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015079854A (ja) * 2013-10-17 2015-04-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101621688B1 (ko) * 2013-05-28 2016-05-17 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 점 광원, 면형 광원장치 및 표시장치
JP2017201731A (ja) * 2017-08-22 2017-11-09 日亜化学工業株式会社 発光装置

Families Citing this family (157)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2003270052B2 (en) 2002-08-30 2009-02-19 Gelcore Llc Phosphor-coated LED with improved efficiency
US7800121B2 (en) 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
JP2006525682A (ja) 2003-04-30 2006-11-09 クリー インコーポレイテッド 高出力固体発光素子パッケージ
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7777235B2 (en) * 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US6803607B1 (en) * 2003-06-13 2004-10-12 Cotco Holdings Limited Surface mountable light emitting device
US6995402B2 (en) * 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
JP3987485B2 (ja) * 2003-12-25 2007-10-10 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクタ
US7355284B2 (en) 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
KR100623024B1 (ko) * 2004-06-10 2006-09-19 엘지전자 주식회사 고출력 led 패키지
JP5192811B2 (ja) * 2004-09-10 2013-05-08 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ
US7748873B2 (en) * 2004-10-07 2010-07-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
US7352011B2 (en) * 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
US7452737B2 (en) * 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
KR100580753B1 (ko) * 2004-12-17 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
JP4876685B2 (ja) * 2005-04-15 2012-02-15 旭硝子株式会社 ガラス封止発光素子の製造方法
WO2006112417A1 (ja) * 2005-04-15 2006-10-26 Asahi Glass Company, Limited ガラス封止発光素子、ガラス封止発光素子付き回路基板およびそれらの製造方法
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
KR101232505B1 (ko) * 2005-06-30 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법, 백라이트 유닛 및액정표시장치
KR100592508B1 (ko) * 2005-07-15 2006-06-26 한국광기술원 비콘 모양의 기판을 구비한 고출력 발광 다이오드 패키지
JP2007059857A (ja) * 2005-07-25 2007-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュール及び投映型表示装置
JP4925346B2 (ja) * 2005-07-25 2012-04-25 パナソニック株式会社 発光装置
DE102005052356A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinheit mit Lumineszenzdiodenchip und Lichtleiter, Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungseinheit und LCD-Display
KR101278415B1 (ko) * 2005-10-24 2013-06-24 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 성형된 봉지재를 갖는 발광 소자의 제조 방법
US7595515B2 (en) * 2005-10-24 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device having a molded encapsulant
JP2009527071A (ja) 2005-12-22 2009-07-23 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
WO2007123239A1 (ja) * 2006-04-24 2007-11-01 Asahi Glass Company, Limited 発光装置
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
EP2011164B1 (en) 2006-04-24 2018-08-29 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US7521727B2 (en) * 2006-04-26 2009-04-21 Rohm And Haas Company Light emitting device having improved light extraction efficiency and method of making same
US20070269586A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
KR100705552B1 (ko) * 2006-06-30 2007-04-09 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
DE102007021042A1 (de) 2006-07-24 2008-01-31 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Leuchtdiodenmodul für Lichtquellenreihe
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8092735B2 (en) 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
KR101258227B1 (ko) * 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US7842960B2 (en) 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
TW200837997A (en) * 2006-11-15 2008-09-16 Univ California High light extraction efficiency sphere LED
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
KR100834925B1 (ko) 2006-12-22 2008-06-03 (주) 아모센스 반도체 패키지의 제조방법
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP2008205170A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Nec Lighting Ltd 発光半導体デバイス
JP5179766B2 (ja) * 2007-03-08 2013-04-10 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
DE102007049799A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
KR101028852B1 (ko) * 2008-03-26 2011-04-12 서울반도체 주식회사 사이드뷰 led 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 모듈
CN101562221A (zh) * 2008-04-18 2009-10-21 富准精密工业(深圳)有限公司 侧面发光二极管
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
JP5336775B2 (ja) * 2008-06-11 2013-11-06 パナソニック株式会社 発光装置
KR101490862B1 (ko) * 2008-09-23 2015-02-09 주식회사 아모센스 엘이디 패키지 및 그 엘이디 패키지의 제조 방법
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8390193B2 (en) * 2008-12-31 2013-03-05 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
TWI413284B (zh) * 2009-02-24 2013-10-21 Ind Tech Res Inst 發光二極體封裝結構
US8692274B2 (en) 2009-02-24 2014-04-08 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure
TWI469402B (zh) * 2009-02-24 2015-01-11 Ind Tech Res Inst 發光二極體封裝結構
US8576406B1 (en) 2009-02-25 2013-11-05 Physical Optics Corporation Luminaire illumination system and method
CN101866995B (zh) * 2009-04-16 2012-08-08 财团法人工业技术研究院 发光二极管封装结构
US8101955B2 (en) * 2009-04-17 2012-01-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. PLCC package with a reflector cup surrounded by an encapsulant
US8089075B2 (en) * 2009-04-17 2012-01-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LFCC package with a reflector cup surrounded by a single encapsulant
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US8207554B2 (en) * 2009-09-11 2012-06-26 Soraa, Inc. System and method for LED packaging
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293667B2 (en) 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
CN102630288B (zh) 2009-09-25 2015-09-09 科锐公司 具有低眩光和高亮度级均匀性的照明设备
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US8575642B1 (en) 2009-10-30 2013-11-05 Soraa, Inc. Optical devices having reflection mode wavelength material
KR100993072B1 (ko) * 2010-01-11 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
KR101647796B1 (ko) * 2010-04-06 2016-08-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
US9293678B2 (en) * 2010-07-15 2016-03-22 Micron Technology, Inc. Solid-state light emitters having substrates with thermal and electrical conductivity enhancements and method of manufacture
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
US8896235B1 (en) 2010-11-17 2014-11-25 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
US8541951B1 (en) 2010-11-17 2013-09-24 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
US10147853B2 (en) 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
JP2012238830A (ja) * 2011-05-09 2012-12-06 Lumirich Co Ltd 発光ダイオード素子
US9488324B2 (en) 2011-09-02 2016-11-08 Soraa, Inc. Accessories for LED lamp systems
US9115868B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Intematix Corporation Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US8668366B2 (en) * 2011-12-07 2014-03-11 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Energy star compliant LED lamp
TW201338642A (zh) * 2012-03-14 2013-09-16 Walsin Lihwa Corp 承載發光二極體之基板及該基板之製造方法
TWI528596B (zh) * 2012-03-16 2016-04-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR101461154B1 (ko) * 2012-08-24 2014-11-12 주식회사 씨티랩 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
US8985794B1 (en) 2012-04-17 2015-03-24 Soraa, Inc. Providing remote blue phosphors in an LED lamp
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US20130329429A1 (en) * 2012-06-11 2013-12-12 Cree, Inc. Emitter package with integrated mixing chamber
US10468565B2 (en) 2012-06-11 2019-11-05 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces
US9818919B2 (en) 2012-06-11 2017-11-14 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
US9887327B2 (en) * 2012-06-11 2018-02-06 Cree, Inc. LED package with encapsulant having curved and planar surfaces
US20130328074A1 (en) * 2012-06-11 2013-12-12 Cree, Inc. Led package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
US10424702B2 (en) * 2012-06-11 2019-09-24 Cree, Inc. Compact LED package with reflectivity layer
TW201411892A (zh) * 2012-09-14 2014-03-16 Lextar Electronics Corp 發光二極體
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US20140159084A1 (en) * 2012-12-12 2014-06-12 Cree, Inc. Led dome with improved color spatial uniformity
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
EP2973759B1 (en) 2013-03-13 2017-06-07 Koninklijke Philips N.V. Encapsulating led lens with bottom reflectors
CN105121951A (zh) * 2013-03-15 2015-12-02 英特曼帝克司公司 光致发光波长转换组件
USD735683S1 (en) * 2013-05-03 2015-08-04 Cree, Inc. LED package
WO2014183113A2 (en) 2013-05-10 2014-11-13 Abl Ip Holding Llc Silicone optics
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
TW201505134A (zh) * 2013-07-25 2015-02-01 Lingsen Precision Ind Ltd 光學模組的封裝結構
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
USD758976S1 (en) * 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
US9976710B2 (en) 2013-10-30 2018-05-22 Lilibrand Llc Flexible strip lighting apparatus and methods
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
USD746240S1 (en) * 2013-12-30 2015-12-29 Cree, Inc. LED package
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
KR102222580B1 (ko) 2014-07-30 2021-03-05 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
CN104296072A (zh) * 2014-10-09 2015-01-21 青岛海信电器股份有限公司 一种发光器件及背光源
USD762184S1 (en) * 2014-11-13 2016-07-26 Mitsubishi Electric Corporation Light emitting diode
USD826871S1 (en) * 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
US9696199B2 (en) * 2015-02-13 2017-07-04 Taiwan Biophotonic Corporation Optical sensor
US9953797B2 (en) * 2015-09-28 2018-04-24 General Electric Company Flexible flat emitter for X-ray tubes
EP3427307A4 (en) 2016-03-08 2020-01-01 Lilibrand LLC LIGHTING SYSTEM COMPRISING A LENS ASSEMBLY
JP1566954S (ja) * 2016-04-28 2017-01-16
TWI583086B (zh) * 2016-07-18 2017-05-11 華星光通科技股份有限公司 光發射器散熱結構及包含其的光發射器
CN106520050A (zh) * 2016-10-26 2017-03-22 安徽飞达电气科技有限公司 一种电容器灌封材料
DE102016125909A1 (de) 2016-12-30 2018-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil und Anschlussträger
US11296057B2 (en) 2017-01-27 2022-04-05 EcoSense Lighting, Inc. Lighting systems with high color rendering index and uniform planar illumination
US20180328552A1 (en) 2017-03-09 2018-11-15 Lilibrand Llc Fixtures and lighting accessories for lighting devices
JP1588923S (ja) * 2017-03-15 2017-10-23
CN110197867A (zh) * 2018-02-26 2019-09-03 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件及其制造方法
US11041609B2 (en) 2018-05-01 2021-06-22 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems and devices with central silicone module
US11353200B2 (en) 2018-12-17 2022-06-07 Korrus, Inc. Strip lighting system for direct input of high voltage driving power
JP7226131B2 (ja) * 2019-06-25 2023-02-21 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7460898B2 (ja) * 2020-04-24 2024-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
CN111554788A (zh) * 2020-06-10 2020-08-18 广西欣亿光电科技有限公司 一种数码专用的led封装结构及生产工艺
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS508494A (ja) * 1973-05-21 1975-01-28
JPH09153646A (ja) * 1995-09-27 1997-06-10 Toshiba Corp 光半導体装置およびその製造方法
JP2000353826A (ja) * 1999-06-09 2000-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置および光照射装置
JP2002299699A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2003124522A (ja) * 2001-10-09 2003-04-25 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード

Family Cites Families (316)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2127239A5 (ja) * 1971-03-01 1972-10-13 Radiotechnique Compelec
JPS5371375A (en) 1976-12-08 1978-06-24 Schumacher Nihon Kk Filter for high pressure gas
JPS5722581Y2 (ja) * 1979-08-21 1982-05-17
US4476620A (en) * 1979-10-19 1984-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of making a gallium nitride light-emitting diode
DE3128187A1 (de) * 1981-07-16 1983-02-03 Joachim 8068 Pfaffenhofen Sieg Opto-elektronisches bauelement
JPS6016175A (ja) 1983-07-07 1985-01-26 Toshiba Corp 制御整流器のデイジタル制御装置
JPS6132483A (ja) 1984-07-24 1986-02-15 Kimura Denki Kk Ledを用いた球状発光体
JPS6194362A (ja) 1984-10-15 1986-05-13 Mitsubishi Electric Corp サイリスタ装置
JPS61144890A (ja) 1984-12-19 1986-07-02 Stanley Electric Co Ltd Ledランプのレンズの製造方法
JPS6214481A (ja) 1985-07-12 1987-01-23 Saamobonitsuku:Kk 集熱媒体装置
JPS62143942A (ja) 1985-12-18 1987-06-27 Taihoo Kogyo Kk 防曇材
JP2520423B2 (ja) 1987-06-29 1996-07-31 エヌティエヌ株式会社 潤滑性ゴム組成物
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
JPH01230274A (ja) 1987-11-13 1989-09-13 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード
US5094185A (en) 1987-11-24 1992-03-10 Lumel, Inc. Electroluminescent lamps and phosphors
JPH01139664A (ja) 1987-11-27 1989-06-01 Sanken Kagaku Kk 溶剤型粘着剤
JPH0770755B2 (ja) 1988-01-21 1995-07-31 三菱化学株式会社 高輝度led用エピタキシャル基板及びその製造方法
JPH01287973A (ja) 1988-05-13 1989-11-20 Takiron Co Ltd ドットマトリックス発光表示体
US4912532A (en) 1988-08-26 1990-03-27 Hewlett-Packard Company Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same
EP0405757A3 (en) 1989-06-27 1991-01-30 Hewlett-Packard Company High efficiency light-emitting diode
US5087949A (en) 1989-06-27 1992-02-11 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with diagonal faces
US5103271A (en) 1989-09-28 1992-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
JPH0644567B2 (ja) 1989-12-18 1994-06-08 株式会社日立製作所 半導体形状の改善方法
JPH04555A (ja) 1990-04-17 1992-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd データ処理装置
US5226052A (en) * 1990-05-08 1993-07-06 Rohm, Ltd. Laser diode system for cutting off the environment from the laser diode
JPH0428269A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Fujikura Ltd Ledベアチップの実装構造
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
JP2765256B2 (ja) 1991-04-10 1998-06-11 日立電線株式会社 発光ダイオード
JPH06275866A (ja) 1993-03-19 1994-09-30 Fujitsu Ltd ポーラス半導体発光装置と製造方法
JPH05327012A (ja) 1992-05-15 1993-12-10 Sanyo Electric Co Ltd 炭化ケイ素発光ダイオード
JP3269668B2 (ja) 1992-09-18 2002-03-25 株式会社日立製作所 太陽電池
US5298767A (en) 1992-10-06 1994-03-29 Kulite Semiconductor Products, Inc. Porous silicon carbide (SiC) semiconductor device
JPH06177427A (ja) 1992-12-03 1994-06-24 Rohm Co Ltd 発光ダイオードランプ
US5376580A (en) 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US5834570A (en) * 1993-06-08 1998-11-10 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Epoxy resin composition
JPH077180A (ja) 1993-06-16 1995-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
GB9320291D0 (en) 1993-10-01 1993-11-17 Brown John H Optical directing devices for light emitting diodes
JPH08148280A (ja) 1994-04-14 1996-06-07 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2994219B2 (ja) * 1994-05-24 1999-12-27 シャープ株式会社 半導体デバイスの製造方法
SG41939A1 (en) * 1994-10-07 1997-08-15 Shell Int Research Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
JP3127195B2 (ja) 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
US5614734A (en) 1995-03-15 1997-03-25 Yale University High efficency LED structure
JP3792268B2 (ja) 1995-05-23 2006-07-05 ローム株式会社 チップタイプ発光装置の製造方法
JPH0983018A (ja) 1995-09-11 1997-03-28 Nippon Denyo Kk 発光ダイオードユニット
US5851449A (en) * 1995-09-27 1998-12-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a surface-mounted type optical semiconductor device
JPH09138402A (ja) 1995-11-15 1997-05-27 Kouha:Kk 液晶表示装置照明用ledバックライト装置
JP3311914B2 (ja) 1995-12-27 2002-08-05 株式会社シチズン電子 チップ型発光ダイオード
US5985687A (en) 1996-04-12 1999-11-16 The Regents Of The University Of California Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials
US20040239243A1 (en) 1996-06-13 2004-12-02 Roberts John K. Light emitting assembly
US5803579A (en) 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
US6550949B1 (en) 1996-06-13 2003-04-22 Gentex Corporation Systems and components for enhancing rear vision from a vehicle
JPH1012929A (ja) 1996-06-25 1998-01-16 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードの実装構造
KR20050053798A (ko) 1996-06-26 2005-06-08 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
DE19640594B4 (de) 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
JPH10163535A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JP3065263B2 (ja) 1996-12-27 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたled表示器
CN1126001C (zh) 1997-02-13 2003-10-29 联合讯号公司 具有光循环以增强亮度的照明系统
JPH10233532A (ja) 1997-02-21 1998-09-02 Houshin Kagaku Sangiyoushiyo:Kk 発光ダイオード
JP3985065B2 (ja) 1997-05-14 2007-10-03 忠弘 大見 多孔質シリコン基板の形成方法及び多孔質シリコン基板の形成装置
US5939732A (en) 1997-05-22 1999-08-17 Kulite Semiconductor Products, Inc. Vertical cavity-emitting porous silicon carbide light-emitting diode device and preparation thereof
US6784463B2 (en) 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
JPH1126808A (ja) 1997-07-09 1999-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子およびその製造方法
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
JP3663281B2 (ja) 1997-07-15 2005-06-22 ローム株式会社 半導体発光素子
US7014336B1 (en) 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
GB2331625B (en) * 1997-11-19 2003-02-26 Hassan Paddy Abdel Salam led Lamp
JPH11177129A (ja) 1997-12-16 1999-07-02 Rohm Co Ltd チップ型led、ledランプおよびledディスプレイ
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
JPH11220178A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
DE19813269A1 (de) * 1998-03-25 1999-09-30 Hoechst Diafoil Gmbh Siegelfähige Polyesterfolie mit hoher Sauerstoffbarriere, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
JP3704941B2 (ja) 1998-03-30 2005-10-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4319265B2 (ja) * 1998-04-22 2009-08-26 株式会社デンソー 厚膜回路基板の焼成方法
DE19829197C2 (de) 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US6225647B1 (en) 1998-07-27 2001-05-01 Kulite Semiconductor Products, Inc. Passivation of porous semiconductors for improved optoelectronic device performance and light-emitting diode based on same
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US7132691B1 (en) 1998-09-10 2006-11-07 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
JP3525061B2 (ja) 1998-09-25 2004-05-10 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
WO2000019546A1 (en) 1998-09-28 2000-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system
US6274924B1 (en) 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP3469484B2 (ja) 1998-12-24 2003-11-25 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
US6744800B1 (en) 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
JP2000208822A (ja) 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
US6212213B1 (en) 1999-01-29 2001-04-03 Agilent Technologies, Inc. Projector light source utilizing a solid state green light source
US20010042866A1 (en) 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
US6320206B1 (en) 1999-02-05 2001-11-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks
US6521916B2 (en) 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US6258699B1 (en) 1999-05-10 2001-07-10 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Light emitting diode with a permanent subtrate of transparent glass or quartz and the method for manufacturing the same
US6222207B1 (en) * 1999-05-24 2001-04-24 Lumileds Lighting, U.S. Llc Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip
US6489637B1 (en) * 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
EP1065734B1 (en) 1999-06-09 2009-05-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof.
EP1059668A3 (en) * 1999-06-09 2007-07-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
US6548832B1 (en) * 1999-06-09 2003-04-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
JP2001000043A (ja) 1999-06-18 2001-01-09 Mitsubishi Chemicals Corp 栽培用光源
WO2000079605A1 (fr) 1999-06-23 2000-12-28 Citizen Electronics Co., Ltd. Diode électroluminescente
DE19931689A1 (de) * 1999-07-08 2001-01-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Optoelektronische Bauteilgruppe
DE19952932C1 (de) 1999-11-03 2001-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit breitbandiger Anregung
US6513949B1 (en) 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6410942B1 (en) 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
EP2270883A3 (en) 1999-12-03 2015-09-30 Cree, Inc. Enhanced light extraction in LEDs through the use of internal and external optical elements
US6350041B1 (en) 1999-12-03 2002-02-26 Cree Lighting Company High output radial dispersing lamp using a solid state light source
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
JP2001177153A (ja) 1999-12-17 2001-06-29 Sharp Corp 発光装置
US6573537B1 (en) 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
JP2000315826A (ja) 2000-01-01 2000-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその形成方法、砲弾型発光ダイオード、チップタイプled
JP3696021B2 (ja) 2000-01-20 2005-09-14 三洋電機株式会社 光照射装置
TW465123B (en) 2000-02-02 2001-11-21 Ind Tech Res Inst High power white light LED
JP2001223388A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
KR100748815B1 (ko) * 2000-02-09 2007-08-13 니폰 라이츠 가부시키가이샤 광원 장치
DE10008583A1 (de) 2000-02-24 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optisch transparenten Substrates und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterchips
US6538371B1 (en) 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
JP4060511B2 (ja) 2000-03-28 2008-03-12 パイオニア株式会社 窒化物半導体素子の分離方法
US7319247B2 (en) 2000-04-26 2008-01-15 Osram Gmbh Light emitting-diode chip and a method for producing same
US20020011192A1 (en) * 2000-05-09 2002-01-31 Yuji Tachizuka Moisture conditioning building material and its production method
US6534346B2 (en) 2000-05-16 2003-03-18 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass and glass tube for encapsulating semiconductors
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP4386693B2 (ja) 2000-05-31 2009-12-16 パナソニック株式会社 Ledランプおよびランプユニット
JP2001345485A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
GB0015898D0 (en) 2000-06-28 2000-08-23 Oxley Dev Co Ltd Light
US6562648B1 (en) 2000-08-23 2003-05-13 Xerox Corporation Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials
JP2002076443A (ja) 2000-08-29 2002-03-15 Citizen Electronics Co Ltd Ledチップ用反射カップ
DE10042947A1 (de) 2000-08-31 2002-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
JP3466144B2 (ja) 2000-09-22 2003-11-10 士郎 酒井 半導体の表面を荒くする方法
JP4565723B2 (ja) 2000-09-26 2010-10-20 ローム株式会社 半導体発光装置
US6429460B1 (en) 2000-09-28 2002-08-06 United Epitaxy Company, Ltd. Highly luminous light emitting device
US6998281B2 (en) 2000-10-12 2006-02-14 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics
EP1646090B1 (en) * 2000-10-20 2008-07-16 Josuke Nakata Light-emitting or light-receiving semiconductor device and method for making the same
JP4091261B2 (ja) 2000-10-31 2008-05-28 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
AU2002235132A1 (en) 2000-11-16 2002-05-27 Emcore Corporation Led packages having improved light extraction
JP5110744B2 (ja) 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6930737B2 (en) 2001-01-16 2005-08-16 Visteon Global Technologies, Inc. LED backlighting system
JP2002217450A (ja) 2001-01-22 2002-08-02 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
MY131962A (en) 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
JP2002261333A (ja) 2001-03-05 2002-09-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP3830083B2 (ja) 2001-03-07 2006-10-04 スタンレー電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4430264B2 (ja) 2001-03-19 2010-03-10 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光装置
US6468824B2 (en) 2001-03-22 2002-10-22 Uni Light Technology Inc. Method for forming a semiconductor device having a metallic substrate
JP2003115204A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Toyoda Gosei Co Ltd 遮光反射型デバイス及び光源
JP2002289923A (ja) 2001-03-28 2002-10-04 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
US6833566B2 (en) * 2001-03-28 2004-12-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode with heat sink
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US6686676B2 (en) 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US6616862B2 (en) 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
JP3940596B2 (ja) 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
JP3767420B2 (ja) 2001-05-29 2006-04-19 豊田合成株式会社 発光素子
EP1263058B1 (en) 2001-05-29 2012-04-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element
JP4789350B2 (ja) 2001-06-11 2011-10-12 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP4098568B2 (ja) 2001-06-25 2008-06-11 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP2003017756A (ja) 2001-06-28 2003-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
JP3548735B2 (ja) 2001-06-29 2004-07-28 士郎 酒井 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
DE10131698A1 (de) 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2003037297A (ja) 2001-07-25 2003-02-07 Sanyo Electric Co Ltd 光照射装置とその製造方法及びその光照射装置を用いた照明装置
JP2003036707A (ja) 2001-07-25 2003-02-07 Sanyo Electric Co Ltd 照明装置とその製造方法
JP4122737B2 (ja) 2001-07-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP2003110146A (ja) 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
TW552726B (en) * 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
US20030030063A1 (en) 2001-07-27 2003-02-13 Krzysztof Sosniak Mixed color leds for auto vanity mirrors and other applications where color differentiation is critical
JP2003046117A (ja) 2001-07-30 2003-02-14 Kyocera Corp 半導体発光素子の製造方法
JP4147755B2 (ja) 2001-07-31 2008-09-10 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
DE10137641A1 (de) 2001-08-03 2003-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Hybrid-LED
TW506145B (en) 2001-10-04 2002-10-11 United Epitaxy Co Ltd High Luminescence LED having transparent substrate flip-chip type LED die
US6498355B1 (en) 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
US6610598B2 (en) 2001-11-14 2003-08-26 Solidlite Corporation Surface-mounted devices of light-emitting diodes with small lens
US6552495B1 (en) 2001-12-19 2003-04-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Adaptive control system and method with spatial uniform color metric for RGB LED based white light illumination
JP4077312B2 (ja) 2001-12-28 2008-04-16 株式会社東芝 発光素子の製造方法および発光素子
TW520616B (en) 2001-12-31 2003-02-11 Ritdisplay Corp Manufacturing method of organic surface light emitting device
US6480389B1 (en) * 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
JP3802424B2 (ja) 2002-01-15 2006-07-26 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US6936855B1 (en) * 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
JP3782357B2 (ja) 2002-01-18 2006-06-07 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
DE60329576D1 (de) 2002-01-28 2009-11-19 Nichia Corp Nitrid-halbleiterbauelement mit einem trägersubstrat und verfahren zu seiner herstellung
JP2003234509A (ja) 2002-02-08 2003-08-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
CN2535926Y (zh) 2002-02-08 2003-02-12 陈巧 发光二极管封装结构
KR200277135Y1 (ko) 2002-03-04 2002-05-30 주식회사 토우그린 레이저 안개등
US6716654B2 (en) 2002-03-12 2004-04-06 Opto Tech Corporation Light-emitting diode with enhanced brightness and method for fabricating the same
US7258816B2 (en) 2002-03-22 2007-08-21 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
JP2003347601A (ja) 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード照明装置
JP3707688B2 (ja) 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2004031856A (ja) 2002-06-28 2004-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ZnSe系発光装置およびその製造方法
JP4197109B2 (ja) 2002-08-06 2008-12-17 静雄 藤田 照明装置
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
TWI292961B (en) 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
JP3991961B2 (ja) 2002-09-05 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 側面発光型発光装置
JP4349782B2 (ja) 2002-09-11 2009-10-21 東芝ライテック株式会社 Led照明装置
TW546859B (en) 2002-09-20 2003-08-11 Formosa Epitaxy Inc Structure and manufacturing method of GaN light emitting diode
JP2004119839A (ja) 2002-09-27 2004-04-15 Toshiba Corp 光半導体装置及びその製造方法
JP2004127988A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
US6784460B2 (en) 2002-10-10 2004-08-31 Agilent Technologies, Inc. Chip shaping for flip-chip light emitting diode
US7009199B2 (en) 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
JP4277508B2 (ja) 2002-10-28 2009-06-10 パナソニック電工株式会社 半導体発光装置
TW569479B (en) 2002-12-20 2004-01-01 Ind Tech Res Inst White-light LED applying omnidirectional reflector
US7091653B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
JP2004238441A (ja) 2003-02-04 2004-08-26 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用樹脂
US6786390B2 (en) 2003-02-04 2004-09-07 United Epitaxy Company Ltd. LED stack manufacturing method and its structure thereof
US6936857B2 (en) 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
JP2004266124A (ja) 2003-03-03 2004-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP4182783B2 (ja) * 2003-03-14 2008-11-19 豊田合成株式会社 Ledパッケージ
JP4504662B2 (ja) 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ledランプ
US6964507B2 (en) 2003-04-25 2005-11-15 Everbrite, Llc Sign illumination system
DE10319274A1 (de) * 2003-04-29 2004-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle
JP2006525682A (ja) 2003-04-30 2006-11-09 クリー インコーポレイテッド 高出力固体発光素子パッケージ
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US6869812B1 (en) 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
JP2004356116A (ja) 2003-05-26 2004-12-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
WO2004109764A2 (en) 2003-06-04 2004-12-16 Myung Cheol Yoo Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices
JP4374913B2 (ja) 2003-06-05 2009-12-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP3878579B2 (ja) 2003-06-11 2007-02-07 ローム株式会社 光半導体装置
JP4085899B2 (ja) 2003-06-30 2008-05-14 日立エーアイシー株式会社 発光デバイス用基板および発光デバイス
DE102004001312B4 (de) 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP4360858B2 (ja) 2003-07-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 表面実装型led及びそれを用いた発光装置
US6923002B2 (en) 2003-08-28 2005-08-02 General Electric Company Combustion liner cap assembly for combustion dynamics reduction
US6806112B1 (en) 2003-09-22 2004-10-19 National Chung-Hsing University High brightness light emitting diode
US6972438B2 (en) 2003-09-30 2005-12-06 Cree, Inc. Light emitting diode with porous SiC substrate and method for fabricating
CN100442551C (zh) 2003-09-30 2008-12-10 株式会社东芝 发光装置
JP2005109212A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
KR20050034936A (ko) 2003-10-10 2005-04-15 삼성전기주식회사 형광체를 이용한 파장변환형 발광 다이오드 패키지 및제조방법
JP2005123238A (ja) 2003-10-14 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置の製造方法および半導体発光装置
US20050082562A1 (en) 2003-10-15 2005-04-21 Epistar Corporation High efficiency nitride based light emitting device
JP4458804B2 (ja) 2003-10-17 2010-04-28 シチズン電子株式会社 白色led
US6841804B1 (en) 2003-10-27 2005-01-11 Formosa Epitaxy Incorporation Device of white light-emitting diode
JP4590905B2 (ja) 2003-10-31 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光素子および発光装置
JP2005142311A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Tzu-Chi Cheng 発光装置
JP4124102B2 (ja) 2003-11-12 2008-07-23 松下電工株式会社 多重反射防止構造を備えた発光素子とその製造方法
CN100459189C (zh) 2003-11-19 2009-02-04 日亚化学工业株式会社 半导体元件
JP2005166937A (ja) 2003-12-02 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005166941A (ja) 2003-12-02 2005-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置およびその製造方法、並びにその発光装置を用いた照明モジュールと照明装置
JP2005191530A (ja) 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2005167079A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US7095056B2 (en) 2003-12-10 2006-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. White light emitting device and method
JP4289144B2 (ja) 2003-12-15 2009-07-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US7066623B2 (en) 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
JP2005191192A (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Kyocera Corp 発光素子搭載用基板および発光装置
JP4637478B2 (ja) 2003-12-26 2011-02-23 日本パイオニクス株式会社 気相成長装置
JP4622253B2 (ja) 2004-01-22 2011-02-02 日亜化学工業株式会社 発光デバイス及びその製造方法
JP4530739B2 (ja) 2004-01-29 2010-08-25 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板および発光装置
JP2005268770A (ja) 2004-02-19 2005-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 白色発光素子及び白色光源
JP2005266124A (ja) 2004-03-17 2005-09-29 Sharp Corp 粉体排出装置及び画像形成装置
US7009285B2 (en) 2004-03-19 2006-03-07 Lite-On Technology Corporation Optoelectronic semiconductor component
US7517728B2 (en) 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7419912B2 (en) 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
JP2005294736A (ja) 2004-04-05 2005-10-20 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP4228303B2 (ja) 2004-04-12 2009-02-25 住友電気工業株式会社 半導体発光素子搭載部材と、それを用いた半導体発光装置
EP1735838B1 (en) 2004-04-15 2011-10-05 Trustees of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
JP4665209B2 (ja) 2004-04-15 2011-04-06 スタンレー電気株式会社 平面照射型led
JP4128564B2 (ja) 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
US7315119B2 (en) 2004-05-07 2008-01-01 Avago Technologies Ip (Singapore) Pte Ltd Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Rgb 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
KR100586968B1 (ko) 2004-05-28 2006-06-08 삼성전기주식회사 Led 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치용 백라이트어셈블리
JP2005353816A (ja) 2004-06-10 2005-12-22 Olympus Corp 発光デバイス、発光デバイスの製造方法、発光デバイスを用いた照明装置、及び、プロジェクタ
US20080284329A1 (en) 2004-06-18 2008-11-20 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Led with Improve Light Emittance Profile
US7795623B2 (en) 2004-06-30 2010-09-14 Cree, Inc. Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures
US7255469B2 (en) 2004-06-30 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a light guide and an interference reflector
JP4976849B2 (ja) 2004-07-12 2012-07-18 ローム株式会社 半導体発光素子
TWI274209B (en) 2004-07-16 2007-02-21 Chi Lin Technology Co Ltd Light emitting diode and backlight module having light emitting diode
JP2006036930A (ja) 2004-07-27 2006-02-09 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用樹脂
JP4817629B2 (ja) 2004-09-15 2011-11-16 京セラ株式会社 発光素子およびその発光素子を用いた照明装置
KR100524098B1 (ko) 2004-09-10 2005-10-26 럭스피아 주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US8513686B2 (en) 2004-09-22 2013-08-20 Cree, Inc. High output small area group III nitride LEDs
US8174037B2 (en) 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US7633097B2 (en) 2004-09-23 2009-12-15 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Growth of III-nitride light emitting devices on textured substrates
WO2006035664A1 (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法、並びに発光装置
JP2006114909A (ja) 2004-10-14 2006-04-27 Agilent Technol Inc フラッシュ・モジュール
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7462502B2 (en) 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7858408B2 (en) 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
KR100638666B1 (ko) 2005-01-03 2006-10-30 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
US7413918B2 (en) 2005-01-11 2008-08-19 Semileds Corporation Method of making a light emitting diode
JP2006216717A (ja) 2005-02-02 2006-08-17 Harvatek Corp ウエハーレベル電気光学半導体組立構造およびその製造方法
JP4715227B2 (ja) 2005-02-21 2011-07-06 パナソニック株式会社 半導体発光装置の製造方法
US20080296589A1 (en) 2005-03-24 2008-12-04 Ingo Speier Solid-State Lighting Device Package
JP2006278675A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 Toshiba Corp 半導体発光装置
US7244630B2 (en) 2005-04-05 2007-07-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc A1InGaP LED having reduced temperature dependence
WO2006112417A1 (ja) * 2005-04-15 2006-10-26 Asahi Glass Company, Limited ガラス封止発光素子、ガラス封止発光素子付き回路基板およびそれらの製造方法
JP5364368B2 (ja) 2005-04-21 2013-12-11 エイオーネックス・テクノロジーズ・インコーポレイテッド 基板の製造方法
TWM277882U (en) 2005-05-31 2005-10-11 Sheng-Li Yang Diffusion type light source structure
JP2006339362A (ja) 2005-06-01 2006-12-14 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用配線基板
US7348212B2 (en) 2005-09-13 2008-03-25 Philips Lumileds Lighting Company Llc Interconnects for semiconductor light emitting devices
KR100638868B1 (ko) 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
JP2007005091A (ja) 2005-06-22 2007-01-11 Mitsubishi Rayon Co Ltd 線状発光素子アレイ
JP2007080885A (ja) 2005-09-09 2007-03-29 New Japan Chem Co Ltd 光半導体用封止剤、光半導体及びその製造方法
DE102006032416A1 (de) 2005-09-29 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
JP4863682B2 (ja) 2005-10-17 2012-01-25 日東電工株式会社 光半導体素子封止用シート
US7514721B2 (en) 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device
US7213940B1 (en) 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
US7915619B2 (en) 2005-12-22 2011-03-29 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabrication thereof
JP2009527071A (ja) 2005-12-22 2009-07-23 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
JP2007180430A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置
JP5357379B2 (ja) 2006-02-23 2013-12-04 パナソニック株式会社 発光装置
MY149325A (en) 2006-02-23 2013-08-30 Azzurro Semiconductors Ag Nitride semiconductor component and method for the production thereof
US7682850B2 (en) 2006-03-17 2010-03-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc White LED for backlight with phosphor plates
US7364338B2 (en) 2006-03-29 2008-04-29 Tpo Displays Corp. Systems for providing backlight module with stacked light source
JP2007273763A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
EP2011164B1 (en) 2006-04-24 2018-08-29 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
TWI306674B (en) 2006-04-28 2009-02-21 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
US7626210B2 (en) 2006-06-09 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED
US8080828B2 (en) 2006-06-09 2011-12-20 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED with window layer and phosphor layer
KR100809210B1 (ko) 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
JP4458116B2 (ja) 2007-05-30 2010-04-28 住友電気工業株式会社 エピタキシャル層成長用iii族窒化物半導体層貼り合わせ基板および半導体デバイス
DE102007046743A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US20090173958A1 (en) 2008-01-04 2009-07-09 Cree, Inc. Light emitting devices with high efficiency phospor structures
JP5388666B2 (ja) 2008-04-21 2014-01-15 キヤノン株式会社 面発光レーザ
JP5371375B2 (ja) 2008-10-30 2013-12-18 三菱レイヨン・テキスタイル株式会社 ワイピング用布帛
US20110018013A1 (en) 2009-07-21 2011-01-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Thin-film flip-chip series connected leds
US8896197B2 (en) 2010-05-13 2014-11-25 Cree, Inc. Lighting device and method of making
US9240395B2 (en) 2010-11-30 2016-01-19 Cree Huizhou Opto Limited Waterproof surface mount device package and method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS508494A (ja) * 1973-05-21 1975-01-28
JPH09153646A (ja) * 1995-09-27 1997-06-10 Toshiba Corp 光半導体装置およびその製造方法
JP2000353826A (ja) * 1999-06-09 2000-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置および光照射装置
JP2002299699A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2003124522A (ja) * 2001-10-09 2003-04-25 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006202952A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーン封止型led
JP4634810B2 (ja) * 2005-01-20 2011-02-16 信越化学工業株式会社 シリコーン封止型led
JP2008159705A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
WO2008096714A1 (ja) * 2007-02-05 2008-08-14 Nikon Corporation 樹脂封止発光素子、平面状光源及びそれらの製造方法、並びに液晶表示装置
JPWO2008096714A1 (ja) * 2007-02-05 2010-05-20 株式会社ニコン 樹脂封止発光素子、平面状光源及びそれらの製造方法、並びに液晶表示装置
JP2013542617A (ja) * 2011-10-10 2013-11-21 チェオル ジュ、ジャエ Ledパッケージ
JP2013542618A (ja) * 2011-10-10 2013-11-21 チェオル ジュ、ジャエ Ledパッケージの製造方法
KR101621688B1 (ko) * 2013-05-28 2016-05-17 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 점 광원, 면형 광원장치 및 표시장치
US9638852B2 (en) 2013-05-28 2017-05-02 Mitsubishi Electric Corporation Point light source, planar light source device, and display device
JP2015035438A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015079854A (ja) * 2013-10-17 2015-04-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017201731A (ja) * 2017-08-22 2017-11-09 日亜化学工業株式会社 発光装置

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