JP2005167079A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005167079A JP2005167079A JP2003405983A JP2003405983A JP2005167079A JP 2005167079 A JP2005167079 A JP 2005167079A JP 2003405983 A JP2003405983 A JP 2003405983A JP 2003405983 A JP2003405983 A JP 2003405983A JP 2005167079 A JP2005167079 A JP 2005167079A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- phosphor
- emitting device
- led element
- silica particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 15
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】 製造工程を煩雑化することなく、光拡散性が良好な発光装置を提供する。
【解決手段】 蛍光体５Ａとシリカ粒子５Ｂとを混合した封止樹脂７でケース部６を封止し、蛍光体５Ａとシリカ粒子５Ｂを比重に基づいて沈降させてＬＥＤ素子２の周囲に配置する。これにより、シリカ粒子５Ｂ中に蛍光体５Ａが分散した状態で沈降して光拡散部５を形成することができる。シリカ粒子５ＢはＬＥＤ素子２から放射された青色光を散乱して光拡散部５中に不規則に分散させることにより、シリカ粒子５Ｂ中に混在している蛍光体５Ａが効率良く励起される。このため、白色光を得るのに必要な蛍光体の使用量を低減することができる。
【選択図】 図１
【解決手段】 蛍光体５Ａとシリカ粒子５Ｂとを混合した封止樹脂７でケース部６を封止し、蛍光体５Ａとシリカ粒子５Ｂを比重に基づいて沈降させてＬＥＤ素子２の周囲に配置する。これにより、シリカ粒子５Ｂ中に蛍光体５Ａが分散した状態で沈降して光拡散部５を形成することができる。シリカ粒子５ＢはＬＥＤ素子２から放射された青色光を散乱して光拡散部５中に不規則に分散させることにより、シリカ粒子５Ｂ中に混在している蛍光体５Ａが効率良く励起される。このため、白色光を得るのに必要な蛍光体の使用量を低減することができる。
【選択図】 図１
Description
本発明は、発光素子および発光装置に関し、特に、発光素子から放射される光を効率良く外部に取り出すことのできる発光装置に関する。
従来、ＬＥＤ（Light-Emitting Diode：発光ダイオード）素子を光源として使用し、ＬＥＤ素子から放射される光によって蛍光体を励起し、励起された蛍光体から放射される励起光とＬＥＤ素子から放射される光とを混合することにより生じる波長変換光を放射する発光装置がある。
係る発光装置として、蛍光体と酸化マグネシウムからなる拡散剤をＬＥＤ素子を覆う樹脂ケースに混入したものがある（例えば、特許文献１参照。）。
図４は、特許文献１に記載される発光装置の断面図である、この発光装置１０は、リードフレーム１１および１２と、リードフレーム１１に搭載されるＬＥＤ素子１３と、ＬＥＤ素子１３から放射される光によって励起される蛍光剤１４と、ＬＥＤ素子１３から放射される光を拡散する拡散剤１６と、リードフレーム１１，１２、ＬＥＤ素子１３、蛍光剤１４、および拡散剤１６を一体的に覆って封止する砲弾形状の樹脂ケース１５とを有して形成されている。
この発光装置１０によると、樹脂ケース１５に混入された拡散剤１６がＬＥＤ素子１３から放射される光を拡散するため、蛍光剤１４の劣化が抑えられて発光色の変化や光量の低下が生じにくくなり、長時間の使用を可能にすることができる。
特許第３０６５５４４号公報（図１）
しかし、特許文献１に記載された発光装置によると、安定した長期使用性を実現するには樹脂ケース１５内に均一に蛍光剤１４および拡散剤１６を分散させる必要があるため、樹脂材料、蛍光剤１４、および拡散剤１６の厳密な混合、および製造管理が必要となって製造工程が煩雑化するという問題がある。
従って、本発明の目的は、製造工程を煩雑化することなく、光拡散性が良好な発光装置を提供することにある。
本発明は、上記の目的を達成するため、ＬＥＤ素子を光透過性材料で封止して形成される発光装置において、前記光透過性材料は、粒状の光拡散体と蛍光体とを混合した混合体を含むとともに前記混合体を前記ＬＥＤ素子の周囲に配置した光拡散部を有することを特徴とする発光装置を提供する。
前記粒状の光拡散体は、前記蛍光体の粒径より小なる粒径を５〜１０重量％含むことが好ましい。
前記粒状の光拡散体は、エポキシシランの表面処理を施されたシリカ粒子を用いることができる。
また、本発明は、上記の目的を達成するため、青色光を放射するＬＥＤ素子を光透過性材料で封止して形成される発光装置において、前記光透過性材料は、粒径０．２〜８μｍのシリカ粒子を５〜１０重量％と、黄色光を放射する粒径１０μｍの黄色蛍光体を１８重量％とを混合した混合体を含むとともに前記混合体を前記ＬＥＤ素子の周囲に配置した光拡散部を有することを特徴とする発光装置を提供する。
本発明の発光装置によれば、ＬＥＤ素子の周囲に粒状の光拡散体と蛍光体とを混合した混合体を沈降させることによって光拡散部を形成するため、製造工程を煩雑化せずに良好な光拡散性を発光装置に付与することができる。
また、本発明の発光装置によれば、青色光を放射するＬＥＤ素子の周囲に粒状の粒径０．２〜８μｍのシリカ粒子５〜１０重量％と粒径１０μｍの黄色蛍光体１８重量％とを混合した混合体を沈降させることによって光拡散部を形成するため、製造工程を煩雑化せずに良好な光拡散性を発光装置に付与することができる。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表面実装型発光装置の断面図である。この発光装置１は、ＧａＮ系半導体化合物からなるフリップチップタイプのＬＥＤ素子２と、ＬＥＤ素子２を外部回路と電気的に接続するための配線パターン３Ａ、３Ｂを有する基板部３と、ＬＥＤ素子２の電極と配線パターン３Ａ、３Ｂとを電気的に接続するＡｕバンプ４と、ＬＥＤ素子２の周囲を覆うように配置される蛍光体５Ａおよび光拡散剤としてのシリカ粒子５Ｂからなる光拡散部５と、光を外部に放射させるように傾斜形状に形成される反射面６Ａを有し、アクリル樹脂等の樹脂材料で形成されるケース部６と、ケース部６のＬＥＤ素子収容部に注入されてＬＥＤ素子２および光拡散部５を封止する光透過性の封止樹脂７によって構成されている。
ＬＥＤ素子２は、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法（ＭＯＶＰＥ）によってｎ型層、発光層を含む層、およびｐ型層を結晶成長させることによって形成されており、発光波長４５０〜４８０ｎｍの青色光を主としてサファイア基板側から放射するように形成されている。
基板部３は、ガラスエポキシ材料によって形成されており、銅箔によって外周を覆うように設けられる配線パターン３Ａ、３Ｂを有している。配線パターン３Ａ、３Ｂは、基板部３の上面から側面、および底部にかけて設けられており、半田接合等によって図示しない外部回路への表面実装が可能である。
光拡散部５は、光拡散剤として光透過性を有する粒径０．２〜８μｍのシリカ粒子５Ｂを有し、シリカ粒子５Ｂは、樹脂中での分散性を向上させるためにエポキシシランを表面に塗布している。シリカ粒子５Ｂの添加量は、５〜１０重量％である。また、蛍光体５Ａは、黄色蛍光体であるＣｅ：ＹＡＧであり、粒径は約１０μｍである。Ｃｅ：ＹＡＧはＬＥＤ素子２から放射される光によって励起されて黄色光を放射する。蛍光体５Ａの添加量は、１８重量％である。
ケース部６は、基板部３上に貼り付け固定されており、反射面６Ａを側面とする窪みの内部にＬＥＤ素子２、光拡散部５、および封止樹脂７を有している。反射面６Ａは、スパッタリングによって表面にアルミニウムの薄膜を光反射膜として形成されている。
封止樹脂７は、光透過性および成形性に優れるエポキシ樹脂によって形成されており、樹脂中に上記した割合で混入された蛍光体５Ａおよびシリカ粒子５ＢをＬＥＤ素子２の周囲に沈降させることにより設けられる光拡散部５と、光拡散部５の外側に配置される透明部とを有している。
次に、第１の実施の形態の発光装置１の製造工程について以下に説明する。
図２は、発光装置の製造工程を示す断面図であり、（ａ）はＬＥＤ素子の搭載工程、（ｂ）は封止樹脂の注入工程、（ｃ）は封止樹脂の硬化工程である。まず、図２（ａ）に示すように、配線パターン３Ａおよび３Ｂを設けられた長尺上の基板材料に別工程で射出成形されたケース部６を貼り付け固定する。ケース部６にはエッチング等によって予め反射面６Ａに応じた孔が開口されている。次に、ケース部６の底部、すなわち、配線パターン３Ａおよび３Ｂの露出した基板材料の表面にＡｕバンプ４を介してＬＥＤ素子２を超音波接合する。ＬＥＤ素子２は、長尺上の基板材料に対して複数を所定の間隔で配置することができる。
次に、図２（ｂ）に示すように、蛍光体５Ａおよびシリカ粒子５Ｂを前述の割合でエポキシ樹脂に混合し、十分な攪拌を行って凝集のない混合体とする。次に、ＬＥＤ素子２を固定されているケース部６の孔に蛍光体５Ａおよびシリカ粒子５Ｂを混入されたエポキシ樹脂を注入する。
次に、図２（ｃ）に示すように、エポキシ樹脂を注入した状態で一定時間放置してＬＥＤ素子２の周囲に蛍光体５Ａおよびシリカ粒子５Ｂを沈降させる。このとき、蛍光体５Ａおよびシリカ粒子５Ｂは、分散状態を保ったまま沈降し、堆積することによって光拡散部５を形成する。一方、蛍光体５Ａおよびシリカ粒子５Ｂと分離したエポキシ樹脂は透明となり、光拡散部５上に配置される。次に、全体を１２０℃から１８０℃の温度で加熱処理することによってエポキシ樹脂を熱硬化させることによりケース部６と一体化した封止樹脂７とする。次に、ダイサーによってＬＥＤ素子２の配置間隔に応じた間隔で全体を切り分けることにより発光装置１が得られる。
次に、第１の実施の形態の発光装置１の動作について以下に説明する。
発光装置１の配線パターン３Ａおよび３Ｂを図示しない電源装置に接続して通電することにより、ＬＥＤ素子２の発光層において発光し、主として発光層の上側に配置されるサファイア基板からＬＥＤ素子２の外部に光が放射される。サファイア基板から放射された光のうち、蛍光体５Ａに照射される光は蛍光体５Ａを励起させる。励起された蛍光体５Ａは黄色の励起光を放射する。また、シリカ粒子５Ｂに照射される光はシリカ粒子５Ｂの形状に応じて不規則な方向に透過、散乱を繰り返しながら伝播し、ケース部６内部に行き渡るとともに反射面６Ａによって反射される。ケース部６内部において、ＬＥＤ素子２から放射された青色光と蛍光体５Ａの励起に基づいて生じる励起光とが混合されることによって白色光となり、封止樹脂７を介して外部放射される。
上記した第１の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
（１）蛍光体５Ａとシリカ粒子５Ｂとを混合したエポキシ樹脂でケース部６を封止し、蛍光体５Ａとシリカ粒子５Ｂを比重に基づいて沈降させてＬＥＤ素子２の周囲に配置するようにしたため、シリカ粒子５Ｂ中に蛍光体５Ａが分散した状態で沈降して光拡散部５を形成することができる。シリカ粒子５ＢはＬＥＤ素子２から放射された青色光を散乱して光拡散部５中に不規則に分散させることにより、シリカ粒子５Ｂ中に混在している蛍光体５Ａが効率良く励起される。このため、外部への光拡散性が向上するとともに、白色光を得るのに必要な蛍光体の使用量を低減することができる。
（２）エポキシシランによる表面処理を施したシリカ粒子５Ｂと蛍光体５Ａとを混合しているため、エポキシ樹脂中へシリカ粒子５Ｂおよび蛍光体５Ａの分散性が向上し、特に、蛍光体５Ａの粒子同士が物理的に接触して分散性が低下することを防げる。
（１）蛍光体５Ａとシリカ粒子５Ｂとを混合したエポキシ樹脂でケース部６を封止し、蛍光体５Ａとシリカ粒子５Ｂを比重に基づいて沈降させてＬＥＤ素子２の周囲に配置するようにしたため、シリカ粒子５Ｂ中に蛍光体５Ａが分散した状態で沈降して光拡散部５を形成することができる。シリカ粒子５ＢはＬＥＤ素子２から放射された青色光を散乱して光拡散部５中に不規則に分散させることにより、シリカ粒子５Ｂ中に混在している蛍光体５Ａが効率良く励起される。このため、外部への光拡散性が向上するとともに、白色光を得るのに必要な蛍光体の使用量を低減することができる。
（２）エポキシシランによる表面処理を施したシリカ粒子５Ｂと蛍光体５Ａとを混合しているため、エポキシ樹脂中へシリカ粒子５Ｂおよび蛍光体５Ａの分散性が向上し、特に、蛍光体５Ａの粒子同士が物理的に接触して分散性が低下することを防げる。
なお、第１の実施の形態では、青色光を発するＬＥＤ素子２と、黄色光を発する蛍光体５Ａによって白色光を生じる波長変換型の発光装置１を説明したが、白色光を生じる波長変換は上記したものに限定されず、例えば、紫外光を発するＬＥＤ素子２と紫外光によって励起されるＲＧＢ蛍光体を用いた波長変換であっても良い。
また、ＬＥＤ素子２についても、第１の実施の形態で説明したフリップチップタイプのＬＥＤ素子２に代えて光放射面側に電極を有するフェイスアップタイプのＬＥＤ素子２を用いることも可能である。また、フリップチップタイプのＬＥＤ素子２を窒化アルミニウム等のサブマウント部材を介して接続するものであっても良い。
また、基板部３についてもガラスエポキシ以外の材料としてアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の材料を用いることも可能である。
また、ケース部６についてもアクリル樹脂以外の材料としてナイロン樹脂、エポキシ樹脂、あるいはセラミック等の材料を用いることも可能である。
また、封止樹脂７を構成する光透過性材料についてもエポキシ樹脂に限定されるものではなく、シリコン樹脂を用いることも可能である。
また、第１の実施の形態では、長尺状の基板材料に対してケース部６および複数のＬＥＤ素子２を搭載し、ダイサーで切断して発光装置１とする製造工程について説明したが、例えば、ケース部６を構成するウエハー状の第１の材料にエッチング等によって複数の開口を形成し、ウエハー状の第２の材料に配線パターンを形成して第１の材料と貼り付け接合し、ＬＥＤ素子２の搭載、蛍光体５Ａおよびシリカ粒子５Ｂを混入された封止樹脂７の注入、光拡散部５の形成、および封止樹脂７の熱硬化を行った後にダイサー、あるいはレーザー等で切断して発光装置１を形成するようにしても良い。
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る表面実装型発光装置の断面図である。この発光装置１は、第１の実施の形態で説明したケース部６を設けずに蛍光体５Ａおよびシリカ粒子５Ｂを混入された封止樹脂７でＬＥＤ素子２を封止した構成を有している。また、その他の構成において、第１の実施の形態と同一の部分については共通の引用数字を付している。
第２の実施の形態の発光装置１では、配線パターン３Ａおよび３Ｂを設けられた長尺上の基板材料を金型に収容し、金型内に蛍光体５Ａとシリカ粒子５Ｂとを混合した封止樹脂７を充填する方法により形成する。
次に、第２の実施の形態の発光装置１の製造工程について以下に説明する。
まず、長尺上の基板材料上に設けられる配線パターン３Ａおよび３Ｂに位置するように所定の間隔でＡｕバンプ４を介してＬＥＤ素子２を超音波接合する。次に、ＬＥＤ素子２を接合された基板材料を金型で包囲して封止樹脂７を充填し、一定時間放置してＬＥＤ素子２の周囲に蛍光体５Ａおよびシリカ粒子５Ｂを沈降させる。このとき、蛍光体５Ａおよびシリカ粒子５Ｂは、分散状態を保ったまま沈降し、堆積することによって光拡散部５を形成する。一方、蛍光体５Ａおよびシリカ粒子５Ｂと分離した封止樹脂７は透明となり、光拡散部５上に配置される。次に、金型とともに全体を１２０℃から１８０℃の温度で加熱処理することによって封止樹脂７を熱硬化させることにより基板材料と一体化する。次に、金型を分離する。次に、ダイサーによってＬＥＤ素子２の配置間隔に応じた間隔で全体を切り分けることにより発光装置１が得られる。
上記した第２の実施の形態によると、第１の実施の形態の好ましい効果に加えてＬＥＤ素子２の上側だけでなく側面方向にも波長変換された白色光を効率良く外部放射させることが可能になる。
なお、上記した第１および第２の実施の形態で説明した発光装置１の封止樹脂７に凸状、凹状といった光学形状を設けて放射される光の集光、あるいは拡散を行う構成としても良い。
１、発光装置 ２、ＬＥＤ素子 ３、基板部 ３Ａ、配線パターン
４、バンプ ５、光拡散部 ５Ａ、蛍光体 ５Ｂ、シリカ粒子
６、ケース部 ６Ａ、反射面 ７、封止樹脂 １０、発光装置
１１、リードフレーム １３、ＬＥＤ素子 １４、蛍光剤
１５、樹脂ケース １６、拡散剤
４、バンプ ５、光拡散部 ５Ａ、蛍光体 ５Ｂ、シリカ粒子
６、ケース部 ６Ａ、反射面 ７、封止樹脂 １０、発光装置
１１、リードフレーム １３、ＬＥＤ素子 １４、蛍光剤
１５、樹脂ケース １６、拡散剤
Claims (4)
- ＬＥＤ素子を光透過性材料で封止して形成される発光装置において、
前記光透過性材料は、粒状の光拡散体と蛍光体とを混合した混合体を含むとともに前記混合体を前記ＬＥＤ素子の周囲に配置した光拡散部を有することを特徴とする発光装置。 - 前記粒状の光拡散体は、前記蛍光体の粒径より小なる粒径を５〜１０重量％含むことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
- 前記粒状の光拡散体は、エポキシシランの表面処理を施されたシリカ粒子であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
- 青色光を放射するＬＥＤ素子を光透過性材料で封止して形成される発光装置において、
前記光透過性材料は、粒径０．２〜８μｍのシリカ粒子を５〜１０重量％と、黄色光を放射する粒径１０μｍの黄色蛍光体を１８重量％とを混合した混合体を含むとともに前記混合体を前記ＬＥＤ素子の周囲に配置した光拡散部を有することを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003405983A JP2005167079A (ja) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003405983A JP2005167079A (ja) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005167079A true JP2005167079A (ja) | 2005-06-23 |
| JP2005167079A5 JP2005167079A5 (ja) | 2006-10-12 |
Family
ID=34728494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003405983A Withdrawn JP2005167079A (ja) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005167079A (ja) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100693463B1 (ko) * | 2005-10-21 | 2007-03-12 | 한국광기술원 | 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드 |
| WO2007077869A1 (ja) * | 2006-01-04 | 2007-07-12 | Rohm Co., Ltd. | 薄型発光ダイオードランプとその製造方法 |
| JP2007184330A (ja) * | 2006-01-04 | 2007-07-19 | Rohm Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2007184310A (ja) * | 2005-12-29 | 2007-07-19 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
| KR100807015B1 (ko) * | 2005-08-16 | 2008-02-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 발광 장치 |
| JP2008103688A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-05-01 | Cree Inc | 発光ダイオード内の蛍光体の位置 |
| KR100849782B1 (ko) | 2007-02-12 | 2008-07-31 | 삼성전기주식회사 | Ｌｅｄ 패키지의 제조방법 |
| JP2009111140A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2010519775A (ja) * | 2007-02-28 | 2010-06-03 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ケーシングボディを有するオプトエレクトロニクス装置 |
| JP2011249852A (ja) * | 2011-09-02 | 2011-12-08 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光源装置 |
| WO2012029695A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
| JP2012178598A (ja) * | 2012-05-14 | 2012-09-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2013026590A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
| JP2013110227A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| US8487337B2 (en) | 2006-04-24 | 2013-07-16 | Cree, Inc. | Side view surface mount LED |
| US8617909B2 (en) | 2004-07-02 | 2013-12-31 | Cree, Inc. | LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same |
| US8878219B2 (en) | 2008-01-11 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US8901585B2 (en) | 2003-05-01 | 2014-12-02 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
| US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| US9093616B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US9159888B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
| US9391249B2 (en) | 2014-10-10 | 2016-07-12 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device package and method of fabricating the same |
| US9666772B2 (en) | 2003-04-30 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
| US9954148B2 (en) | 2014-10-24 | 2018-04-24 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting apparatus with optical element and method of manufacturing the same |
| KR101937111B1 (ko) | 2018-12-12 | 2019-01-09 | (주)솔라루체 | Led 패키지 |
| US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
| US10615324B2 (en) | 2013-06-14 | 2020-04-07 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Tiny 6 pin side view surface mount LED |
| CN114038982A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-02-11 | 盐城东山精密制造有限公司 | 一种高对比度哑光粉配比led发光源元件封裝材料 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009527071A (ja) | 2005-12-22 | 2009-07-23 | クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド | 照明装置 |
| US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
-
2003
- 2003-12-04 JP JP2003405983A patent/JP2005167079A/ja not_active Withdrawn
Cited By (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9666772B2 (en) | 2003-04-30 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
| US8901585B2 (en) | 2003-05-01 | 2014-12-02 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
| US10546978B2 (en) | 2003-09-18 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US10164158B2 (en) | 2003-09-18 | 2018-12-25 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US9093616B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US8617909B2 (en) | 2004-07-02 | 2013-12-31 | Cree, Inc. | LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same |
| KR100807015B1 (ko) * | 2005-08-16 | 2008-02-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 발광 장치 |
| US8035122B2 (en) * | 2005-10-21 | 2011-10-11 | Korea Photonics Technology Institute | Light diffusion type light emitting diode |
| WO2007046664A1 (en) * | 2005-10-21 | 2007-04-26 | Korea Photonics Technology Institute | Light diffusion type light emitting diode |
| JP2009512226A (ja) * | 2005-10-21 | 2009-03-19 | コリア フォトニクス テクノロジー インステチュート | 光拡散型発光ダイオード |
| KR100693463B1 (ko) * | 2005-10-21 | 2007-03-12 | 한국광기술원 | 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드 |
| JP2007184310A (ja) * | 2005-12-29 | 2007-07-19 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
| US8004002B2 (en) | 2006-01-04 | 2011-08-23 | Rohm Co., Ltd. | Thin-light emitting diode lamp, and method of manufacturing the same |
| WO2007077869A1 (ja) * | 2006-01-04 | 2007-07-12 | Rohm Co., Ltd. | 薄型発光ダイオードランプとその製造方法 |
| JP2007184330A (ja) * | 2006-01-04 | 2007-07-19 | Rohm Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| US8405112B2 (en) | 2006-01-04 | 2013-03-26 | Rohm Co., Ltd. | Thin-light emitting diode lamp, and method of manufacturing the same |
| US8487337B2 (en) | 2006-04-24 | 2013-07-16 | Cree, Inc. | Side view surface mount LED |
| JP2012009905A (ja) * | 2006-09-01 | 2012-01-12 | Cree Inc | 発光ダイオード内の蛍光体の位置 |
| JP2008103688A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-05-01 | Cree Inc | 発光ダイオード内の蛍光体の位置 |
| US8425271B2 (en) | 2006-09-01 | 2013-04-23 | Cree, Inc. | Phosphor position in light emitting diodes |
| US9159888B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| KR100849782B1 (ko) | 2007-02-12 | 2008-07-31 | 삼성전기주식회사 | Ｌｅｄ 패키지의 제조방법 |
| JP2010519775A (ja) * | 2007-02-28 | 2010-06-03 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ケーシングボディを有するオプトエレクトロニクス装置 |
| US8723211B2 (en) | 2007-02-28 | 2014-05-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic device with housing body |
| JP2009111140A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| US8878219B2 (en) | 2008-01-11 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
| JP5861636B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2016-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
| US9295132B2 (en) | 2010-08-31 | 2016-03-22 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing a light emitting device |
| WO2012029695A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
| US9466770B2 (en) | 2010-08-31 | 2016-10-11 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing a light emitting device |
| TWI560908B (en) * | 2010-08-31 | 2016-12-01 | Nichia Corp | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
| US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
| JP2013026590A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
| JP2011249852A (ja) * | 2011-09-02 | 2011-12-08 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光源装置 |
| JP2013110227A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| JP2012178598A (ja) * | 2012-05-14 | 2012-09-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| US10615324B2 (en) | 2013-06-14 | 2020-04-07 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Tiny 6 pin side view surface mount LED |
| US9391249B2 (en) | 2014-10-10 | 2016-07-12 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device package and method of fabricating the same |
| US9954148B2 (en) | 2014-10-24 | 2018-04-24 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting apparatus with optical element and method of manufacturing the same |
| KR101937111B1 (ko) | 2018-12-12 | 2019-01-09 | (주)솔라루체 | Led 패키지 |
| CN114038982A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-02-11 | 盐城东山精密制造有限公司 | 一种高对比度哑光粉配比led发光源元件封裝材料 |
| CN114038982B (zh) * | 2021-11-25 | 2024-07-26 | 盐城东山精密制造有限公司 | 一种高对比度哑光粉配比led发光源元件封裝材料 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2005167079A (ja) | 発光装置 | |
| US10141491B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
| CN100411198C (zh) | 发光装置 | |
| US7910940B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| US6812503B2 (en) | Light-emitting device with improved reliability | |
| JP4945106B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP5013905B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP6387954B2 (ja) | 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法 | |
| JP6925100B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2007123438A (ja) | 蛍光体板及びこれを備えた発光装置 | |
| JP2007335798A (ja) | 発光装置 | |
| CN101567366A (zh) | 发光二极管 | |
| JP2005093712A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US9006007B2 (en) | Method for producing an optoelectronic assembly and optoelectronic assembly | |
| JP2014207349A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP2001210872A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| US9761769B2 (en) | Assembly that emits electromagnetic radiation and method of producing an assembly that emits electromagnetic radiation | |
| JP2010034183A (ja) | 発光装置 | |
| JP2018082027A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP2001177157A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2005332951A (ja) | 発光装置 | |
| JP2007043074A (ja) | 照明装置 | |
| JP2007109946A (ja) | 蛍光体板及びこれを備えた発光装置 | |
| JP2007324204A (ja) | 発光装置 | |
| JP2007109948A (ja) | 発光装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060830 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060926 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20080326 |