JP2002175056A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
方向に沿った仮想の線を境にして一方の表示領域と他方
の表示領域とに区分けられ、一方の表示領域側の各ゲー
ト信号線に走査信号を供給する走査信号駆動回路と他方
の表示領域側の各ゲート信号線に走査信号を供給する走
査信号駆動回路とが別個に形成され、かつ、一方の表示
領域側の各ドレイン信号線と他方の表示領域側の各ドレ
イン信号線とが分離されているとともに、一方の表示領
域側の各ドレイン信号線に映像信号を供給する映像信号
駆動回路と他方の表示領域側の各ドレイン信号線に映像
信号を供給する映像信号駆動回路とが別個に形成されて
いる。
Description
り、特に、液晶を介して対向配置される各基板のうち一
方の基板の液晶側の面に液晶表示駆動回路が形成されて
いるアクティブ・マトリクス型の液晶表示装置に関す
る。
置は、液晶を介して対向配置される各透明基板のうち一
方の透明基板の液晶側の面に、x方向に延在されy方向
に並設されるゲート信号線とy方向に延在されx方向に
並設されるドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領
域としている。そして、この画素領域に、片側のゲート
信号線からの走査信号によって駆動される薄膜トランジ
スタと、この薄膜トランジスタを介して片側のドレイン
信号線からの映像信号が供給される画素電極とが備えら
れている。この画素電極は他方の透明基板の液晶側の面
に形成された対向電極との間に該映像信号に対応した強
さの電界を発生せしめ、液晶の光透過率を制御するよう
になっている。また、このような構成の液晶表示装置に
おいて、各ゲート信号線および各ドレイン信号線にそれ
ぞれ信号を供給するための走査信号駆動回路および映像
信号駆動回路をも一方の透明基板の液晶側の面に形成し
たものが知られている。これら各回路は、画素領域内の
前記薄膜トランジスタと同様の構成からなる多数のMI
S(Metal-insulator-semiconductor)型のトラジスタ
からなっており、画素の構成と同時に各回路を形成でき
るからである。この場合、薄膜トランジスタおよびMI
S型トランジスタのそれぞれの半導体層として多結晶シ
リコン(Poly−Si)が用いられている。
うな構成からなる液晶表示装置は、たとえば携帯電話の
表示装置として用いた場合には、その消費電力が比較的
大きいという不都合が指摘されるに到った。また、映像
信号駆動回路にダイナミックメモリを用いており、この
ダイナミックメモリを構成する薄膜トランジスタにリー
ク電流が流れるという不都合が指摘されるに到った。さ
らに、該ダイナミックメモリは外来光によってその半導
体層にフォトンが発生した場合、これによる不都合がた
とえば画素領域内に形成される薄膜トランジスタよりも
悪影響を及ぼすことが指摘されるに到った。本発明は、
このような事情に基づいてなされたものであり、その目
的は、消費電力の小さな液晶表示装置を提供することに
ある。また、本発明の他の目的は、映像信号駆動回路内
のダイナミックメモリを構成する薄膜トランジスタに発
生するリーク電流を抑制できた液晶表示装置を提供する
ことにある。さらに、本発明の他の目的は、映像信号駆
動回路内のダイナミックメモリを正常に動作させる液晶
表示装置を提供することにある。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
板のうち一方の基板の液晶側の面に、x方向に延在しy
方向に並設されるゲート信号線とこれら各ゲート信号線
に走査信号を供給する走査信号駆動回路と、y方向に延
在しx方向に並設されるドレイン信号線とこれら各ドレ
イン信号線に映像信号を供給する映像信号駆動回路と、
前記各信号線によって囲まれる画素領域に、片側のゲー
ト信号線からの走査信号によって駆動される薄膜トラジ
スタと、この薄膜トランジスタを介して片側のドレイン
信号線からの映像信号が供給される画素電極とを備え、
前記画素領域の集合である表示領域をx方向に沿った仮
想の線を境にして一方の表示領域と他方の表示領域とに
区分けられ、一方の表示領域側の各ゲート信号線に走査
信号を供給する走査信号駆動回路と他方の表示領域側の
各ゲート信号線に走査信号を供給する走査信号駆動回路
とが別個に形成され、かつ、一方の表示領域側の各ドレ
イン信号線と他方の表示領域側の各ドレイン信号線とが
分離されているとともに、一方の表示領域側の各ドレイ
ン信号線に映像信号を供給する映像信号駆動回路と他方
の表示領域側の各ドレイン信号線に映像信号を供給する
映像信号駆動回路とが別個に形成されていることを特徴
とするものである。このように構成された液晶表示装置
は、一方の表示領域と他方の表示領域を一つの表示領域
として用いることもできるが、いずれか一の表示領域の
みを表示させることができるようになる。このため、表
示しない表示領域に走査信号を供給しなくても済むこと
から消費電力の低減が図れるようになる。
板のうち一方の基板の液晶側の面に、x方向に延在しy
方向に並設されるゲート信号線とこれら各ゲート信号線
に走査信号を供給する走査信号駆動回路と、y方向に延
在しx方向に並設されるドレイン信号線とこれら各ドレ
イン信号線に映像信号を供給する映像信号駆動回路と、
前記各信号線によって囲まれる画素領域に、片側のゲー
ト信号線からの走査信号によって駆動される薄膜トラジ
スタと、この薄膜トランジスタを介して片側のドレイン
信号線からの映像信号が供給される画素電極とを備える
とともに、前記映像信号駆動回路は前記薄膜トランジス
タと並行して形成される他の複数の薄膜トランジスタか
らなるダイナミックメモリを備え、該他の複数の薄膜ト
ランジスタのうち少なくとも一つは絶縁膜を介して固定
された電位を有する導電膜で覆われていることを特徴と
するものである。このように構成された液晶表示装置
は、そのダイナミックメモリを構成する薄膜トランジス
タにおいて、その容量を大きくすることができることか
ら、リーク電流の発生を抑制することができる。
パネルの背面に配置されるバックライトとから構成さ
れ、前記液晶表示パネルは、液晶を介して対向配置され
る各基板のうち一方の基板の液晶側の面に、x方向に延
在しy方向に並設されるゲート信号線とこれら各ゲート
信号線に走査信号を供給する走査信号駆動回路と、y方
向に延在しx方向に並設されるドレイン信号線とこれら
各ドレイン信号線に映像信号を供給する映像信号駆動回
路と、前記各信号線によって囲まれる画素領域に、片側
のゲート信号線からの走査信号によって駆動される薄膜
トラジスタと、この薄膜トランジスタを介して片側のド
レイン信号線からの映像信号が供給される画素電極とを
備えるとともに、前記映像信号駆動回路は前記薄膜トラ
ンジスタと並行して形成される他の複数の薄膜トランジ
スタからなるダイナミックメモリを備え、前記バックラ
イトと対向する側の基板に該バックライトからの光が前
記ダイナミックメモリへ照射するのを回避する遮光膜が
形成されていることを特徴とするものである。このよう
に構成された液晶表示装置は、ダイナミックメモリを構
成する薄膜トランジスタへの外来光の照射を遮蔽できる
ことから、該ダイナミックメモリを正常に動作させる
の実施例を図面を用いて説明をする。 《全体の構成》図1は、本発明による液晶表示装置の一
実施例を示す等価回路図である。同図は回路図である
が、実際の幾何学的配置と対応づけて描いている。同図
において、まず、透明基板SUB1がある。この透明基
板SUB1は透明基板SUB2(図示せず)と液晶を介
して対向配置され、この透明基板SUB2は少なくとも
液晶表示部ARを被ってその周辺に形成されるシール剤
SL(図9参照)によって透明基板SUB1に固定され
ている。
x方向に延在しy方向に並設されるゲート信号線GL
と、これらゲート信号線GLと絶縁されてy方向に延在
しx方向に並設されるドレイン信号線DLとが形成され
ている。各ゲート信号線GLと各ドレイン信号線DLと
で囲まれた矩形上の各領域は画素領域を構成するように
なり、これによりマトリクス状に配置された各画素領域
の集合によって液晶表示部ARが形成されるようになっ
ている。
線DLは液晶表示部ARの中央において分割されて形成
されている。すなわち、最上段である1段からi段まで
の各ゲート信号線GLとで形成される各画素領域(以
下、前段表示部ARfと称する場合がある)と、(i−
1)段から最下段であるn段までの各ゲート信号線GL
とで形成される各画素領域(以下、前段表示部ARbと
称する場合がある)とが観念上分割され、前段表示部A
Rfを担当するドレイン信号線DLと後段表示部ARb
を担当するドレイン信号線DLとが電気的に分離して形
成されている。この場合、iの値は液晶表示装置の用途
によって異なり、液晶表示部ARの中央(図中y方向の
中央)に対して上段側であってもよく、また、下段側で
あってもよい。
ト信号線GLの一端側(図中右側)は、走査信号駆動回
路である画素駆動用シフトレジスタ1fに接続され、こ
の画素駆動用シフトレジスタ1fはこの液晶表示装置の
外部から供給されるスタートパルスクロック信号によっ
て駆動されるようになっている。また、後段表示部AR
bにおける各ゲート信号線GLの一端側(図中右側)
は、前記画素駆動用シフトレジスタ1fと別個の画素駆
動用シフトレジスタ1bに接続され、この画素駆動用シ
フトレジスタ1bも前記スタートパルスクロック信号に
よって駆動されるようになっている。
イン信号線DLの一端側(図中上側)は、映像信号駆動
回路に接続され、この映像信号駆動回路は、ドレイン信
号線DL側から順次並設されるD−A変換回路2f、メ
モリ3f、入力データ取り込み(出力)回路4f、H側
アドレスデコーダ5fと、前記メモリ3fに接続される
V側アドレスデコーダ6f、メモリ駆動用シフトレジス
タ7fとで構成されている。
り込み(出力)回路4f、およびV側アドレスデコーダ
6fには、それぞれこの液晶表示装置の外部から供給さ
れる画素アドレス(H)、画素データ、および画素アド
レス(V)が入力されるようになっている。さらに、メ
モリ駆動用シフトレジスタ7fは前記スタートパルスク
ロック信号の入力によって駆動されるようになってい
る。なお、このような映像信号駆動回路のさらなる詳細
な回路は図2に示されている。
ン信号線DLの一端側(図中下側)は、前記映像信号駆
動回路と別個の映像信号駆動回路に接続され、この映像
信号駆動回路は、前記映像信号駆動回路と同様に、ドレ
イン信号線DL側から順次並設されるD−A変換回路2
b、メモリ3b、入力データ取り込み(出力)回路4
b、H側アドレスデコーダ5bと、前記メモリ3bに接
続されるV側アドレスデコーダ6b、メモリ駆動用シフ
トレジスタ7bとから構成されている。
り込み(出力)回路4b、V側アドレスデコーダ6bに
は、それぞれこの液晶表示装置の外部から供給される前
記画素アドレス(H)、画素データ、画素アドレス
(V)が入力されるようになっている。さらに、メモリ
駆動用シフトレジスタ7bは前記スタートパルスクロッ
ク信号の入力によって駆動されるようになっている。
駆動回路のそれぞれには、この液晶表示装置の外部から
電源供給制御回路9を介して電源が供給され、前段表示
部ARf側の走査信号駆動回路および映像信号駆動回路
には電力供給スイッチ10fを介して電源が供給され、
後段表示部ARb側の走査信号駆動回路および映像信号
駆動回路には電力供給スイッチ10bを介して電源が供
給されるようになっている。
晶表示部ARにおいて、その全域にわたって表示できる
ことはもちろんのこと、前段表示部ARfのみに表示し
たり、また、後段表示部ARbのみに表示したりできる
ようになっている。
液晶表示装置として利用する場合に、前段表示部ARf
に日時、時刻、アンテナ感度等の情報(パネル一部表示
で充分な情報)を映像させ、後段表示部ARbを駆動さ
せないようにすることができる。このため、後段表示部
ARbの各ゲート信号線GLに電力を供給しない構成と
でき、低消費電力化の向上に有効となる。
示す平面図である。同図は特にドレイン信号線DLの分
離個所における画素を示し、該ドレイン信号線DLと交
差するゲート信号線GLに対して上側の画素の一部と下
側の画素の一部を示している。なお、図3のIV−IV線に
おける断面図を図4に示している。
上面に薄膜トランジスタTFTの形成領域にpoly−
Siからなる半導体層ASが形成されている。そして、
この半導体層ASをも被って透明基板SUB1の表面に
たとえばSiO2からなる第1の絶縁膜GIが形成され
ている。
TFTの形成領域にあってはそのゲート絶縁膜として、
また、後述の容量素子Cstgの形成領域にあってはそ
の誘電体膜として機能する。絶縁膜GIの表面には図中
x方向に延在するようにしてゲート信号線GLが形成さ
れている。このゲート信号線GLはその一部が画素領域
内に延在されて前記半導体層ASを股がるようにして形
成され、これにより薄膜トランジスタTFTのゲート電
極GTが形成されている。
にストレージ線SLが形成され、このストレージ線SL
は該ゲート信号線GLとほぼ平行に配置されるととも
に、該ゲート信号線GLとの間に比較的面積の大きな延
在部が形成されている。ストレージ線SLの前記延在部
は容量素子Cstgの電極の一つを構成するようなって
いる。そして、ゲート信号線GLおよびストレージ線S
Lをも被って透明基板SUB1の表面には、たとえばS
iO2からなる第2の絶縁膜INが形成されている。
に対する後述のドレイン信号線DLの層間絶縁膜として
の機能を、また、容量素子Cstgの形成領域にあって
はその誘電体膜として機能する。また、この第2の絶縁
膜INはその下層の第1の絶縁膜GIにまで貫通するコ
ンタクト孔CH1、CH2が形成され、それぞれ薄膜ト
ランジスタTFTのドレイン領域、ソース領域の一部が
露出されるようになっている。そして、この第2の絶縁
膜INの上面は、図中y方向に延在するドレイン信号線
DLが形成され、また、このドレイン信号線DLと同時
に形成されるソース電極SD2とが形成されている。
H1上を走行するようにして形成され、これにより、こ
のコンタクト孔CH1部のドレイン信号線DLは薄膜ト
ランジスタTFTのドレイン電極SD1を兼ねた構成と
なっている。また、このドレイン信号線DLは、ゲート
信号線GL上で分離され、一方の側のドレイン信号線D
Lの分離端部と他方の側のドレイン信号線DLの分離端
部はいずれも該ゲート信号線GLに重畳されている。こ
のようにした理由は、外来光(バックライト等の)によ
る光漏れをゲート信号線GLによって防止した構成とな
っている。換言すれば、ドレイン信号線DLの切断部を
ゲート信号線GLで遮光した構成となっている。
ト孔CH2を被うようにして形成されているとともに、
一部のストレージ線SLおよびその延在部と重ね合わさ
れるようにして形成される延在部を備えている。このソ
ース電極SD2の延在部は容量素子Cstgの一つの電
極をするようになっている。
電極SD2をも被って透明基板SUBの表面にはたとえ
ばSiO2からなる第3の絶縁膜PSVが形成されてい
る。この第3の絶縁膜PSVは薄膜トランジスタTFT
への液晶の直接の接触を回避する保護膜としての機能を
有する。また、この第3の絶縁膜PSVには、ソース電
極SD2の延在部の一部を露出させるためのコンタクト
孔CH3が形成されている。そして、この第3の絶縁膜
PSVの上面には、コンタクト孔CH3をも被ってたと
えばITO(Indium-Tin-Oxide)からなる画素電極PX
が形成されている。
メモリの1bitに相当する部分の平面図である。ま
た、図6は図5のVI−VI線における断面図である。ま
た、この部分におけるメモリはいわゆるダイナミックメ
モリと称されるもので、その等価回路は図7に示してい
る。図5に示す構成はその幾何学的配置において図7と
ほぼ対応している。図5に示すメモリの形成は前記画素
の形成と並行してなされるようになっている。
1の表面には、poly−Siからなる半導体層AS1
と半導体層AS2が形成されている。このうち半導体層
AS1は薄膜トランジスタTFT1を構成するための半導
体層となり、半導体層AS2は薄膜トランジスタTFT2
および薄膜トランジスタTFT3を構成するための半導
体層となる。これら半導体層AS1、AS2は液晶表示部
ARにおける薄膜トランジスタTFTの半導体層ASの
形成と同時に形成されるようになっている。
って透明基板SUBの上面にはSiO2からなる第1の
絶縁膜GIが形成されている。この第1の絶縁膜GIは
薄膜トランジスタTFT1ないしTFT3のゲート絶縁膜
としての機能を有する。
方向に延在するゲート配線層Glとリフレッシュ配線層
Rlとが形成されている。これらゲート配線層Gl、リ
フレッシュ配線層Rlは液晶表示部ARにおけるゲート
信号線GLの形成の際に同時に形成されるようになって
いる。
層AS1の一部を横切るようにして形成されて薄膜トラ
ンジスタTFT1のゲート電極を構成し、リフレッシュ
配線層Rlは前記半導体層AS2の一部を横切るように
して形成されて薄膜トランジタTFT3のゲート電極を
構成するようになっている。これらゲート配線層Glお
よびリフレッシュ配線層Rlをも被って透明基板SUB
の上面にはSiO2からなる第2の絶縁膜INが形成さ
れている。
およびリフレッシュ配線層Rlの後述のドレイン配線層
Dlに対する層間絶縁膜としての機能を有する。また、
第2の絶縁膜INは薄膜トランジスタTFT1のドレイ
ン領域およびソース領域、薄膜トランジスタTFT2の
ソース領域、薄膜トランジスタTFT3のドレイン領域
およびソース領域、リフレッシュ配線層Rlの一部さら
にゲート電極GT3の一部を露出させるコンタクト孔C
H4、CH5、CH6、CH7、CH8、CH9が形成
されている。
に延在するドレイン配線層Dlが形成され、このドレイ
ン配線層Dlは薄膜トラジスタTFT1のドレイン領
域、薄膜トランジスタTFT3のドレイン領域と接続さ
れている。このドレイン配線層Dlは液晶表示部ARに
おけるドレイン信号線DLの形成の際に同時に形成され
るようになっている。
に形成されるゲート電極GT3が薄膜トランジスタTF
T2の半導体層AS2を横切るようにして形成され、この
ゲート電極GT3は薄膜トランジスタTFT1のソース
領域と接続されている。また、やはり、ドレイン配線層
Dlと同時に形成される導電層Clが薄膜トランジスタ
TFT2のソース領域とリフレッシュ配線層Rlとの接
続を図るようにして形成されている。
導電層Clをも被って透明基板SUBの上面はSiO2
からなる第3の絶縁膜PSVが形成されている。この第
3の絶縁膜は薄膜トランジスタTFT1ないしTFT3を
保護するための保護膜としての機能を有する。
は、ITO(Indium-Tin-Oxide)膜からなる導電層CL
が形成されている。この導電層CLは液晶表示部ARに
おける画素電極PXの形成の際に同時に形成されるよう
になっている。
ランジスタTFT2のゲート領域を被うようにして形成
されている。しかし、これに限定されることはなく、他
の薄膜トランジスタTFT11、TFT3の各ゲート領域
を被うようにして形成されていてもよい。なお、この導
電層CLはグランド(ground)あるいは電源等のように
固定された電位に保持されるようになっている。
積容量を増大させることができ、各薄膜トランジスタT
FT1ないしTFT3に生じるリーク電流に対し、メモリ
保持の時間マージンがとれる効果を奏するようになる。
ダイナミックメモリの動作を示す図で、(1)データ線
(ドレイン配線層)をグランド(GND)にリセット、
(2)データのリード動作、(3)データの再書込み、
(4)新しいデータの書込みをそれぞれ電流の流れ等に
よって示している。また、図8(b)は、各信号のタイ
ミングチャートを示している。
B1と液晶LCを介して対向配置される透明基板SUB
2を外囲器とする液晶表示パネルPNLと、この液晶表
示パネルの背面(観察者に対して)に配置されるバック
ライトBLとの配置関係を示した図である。透明基板S
UB1の液晶側と反対側の面には偏光膜POL2が形成
され、透明基板SUB2の液晶側と反対側の面には偏光
膜POL1が形成され、透明基板SUB1に対する透明
基板SUB2の固定は液晶を封止する機能を兼ね備える
シール剤SLによってなされている。
ネルPNLの液晶表示部ARにおける各画素の光透過率
が制御された液晶LCを通して観察者へ照射されるよう
になっている。そして、この場合、透明基板SUB1の
バックライトBL側の面において遮光膜BTが形成さ
れ、この遮光膜BTは少なくとも図1に示したH側アド
レスデコーダ、入力データ取り込み(出力)回路、メモ
リのそれぞれにバックライトBLからの光が照射される
のを防止している。しかし、この遮光膜BTは液晶表示
部AR(画素の集合からなる領域)のみを開口させるよ
うにして、その周辺の全域に形成するようにしてもよい
ことはいうまでもない。
は、ダイナミックメモリを構成する各薄膜トランジスタ
TFT1ないしTFT3にバックライトBLからの光の照
射が防止されることから、その誤動作の発生を回避でき
る効果を奏するようになる。ダイナミックメモリの場
合、光の照射による半導体中に発生するフォトンに起因
する悪影響は極めて大きいからである。
と対向する透明基板SUB1の液晶側の面においてダイ
ナミックメモリ等の回路が形成されたものである。しか
し、これらの回路は他方の透明基板SUB2側に形成さ
れたものであってもよいことはいうまでもない。この場
合にあっても、該ダイナミックメモリへの外来光の照射
を防止できるからである。なお、遮光膜BTとしては、
たとえば黒色のビニール等であってもよい。
液晶表示パネルPNLの駆動方法、特に、画素駆動用シ
フトレジスタ1f、1bの駆動方法およびそれにともな
う映像信号駆動回路からの映像信号の送出の方法を示し
た図である。上述したように、本実施例による液晶表示
装置は、その液晶表示部ARが前段表示部ARfと後段
表示部ARbに区分けされ、それぞれ別個の画素駆動用
シフトレジスタ1f、1bによってゲート信号線GLに
走査信号を供給している。そして、その駆動の一実施例
として、前段表示部ARfと後段表示部ARbの境界側
に存在する前段表示部ARf側のゲート信号線GLと後
段表示部ARb側のゲート信号線GLとから、それぞれ
それから遠ざかる方向へ沿って各ゲート信号線GLに走
査信号を供給している。
前段表示部ARfと後段表示部ARbの境界に遠のく側
に存在する前段表示部ARf側のゲート信号線GLと後
段表示部ARb側のゲート信号線GLとから、それぞれ
それから前記境界の近づく方向へ沿って各ゲート信号線
GLに走査信号を供給するようにしてもよい。このよう
に構成した場合、前段表示部ARfと後段表示部ARb
の境界における表示を極めて自然にすることができる効
果を奏する。すなわち、前段表示部ARfの前記境界側
の画素と後段表示部ARbの該境界側の画素とにおい
て、それらの駆動の時間差が少なく、たとえば一方の画
素においてリークが大きくなっているというような不都
合が生じることがなくなるからである。
本発明による液晶表示装置によれば、消費電力の小さな
ものを得ることができる。また、映像信号駆動回路内の
ダイナミックメモリを構成する薄膜トランジスタに発生
するリーク電流を抑制できる。さらに、映像信号駆動回
路内のダイナミックメモリを正常に動作させることがで
きる。
体等価回路図である。
の一実施例を示す等価回路図である。
示す平面図である。
リ(1bit)の一実施例を示す平面図である。
リの一実施例を示す等価回路図である。
リの動作説明図である。
断面図である。
示す説明図である。
号線、TFT…薄膜トランジスタ、PX…画素電極、A
R…液晶表示部、ARf…前段表示部、ARb…後段表
示部、CL…導電膜、BT…遮光膜。
Claims (9)
- 【請求項1】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、x方向に延在しy方向に
並設されるゲート信号線とこれら各ゲート信号線に走査
信号を供給する走査信号駆動回路と、y方向に延在しx
方向に並設されるドレイン信号線とこれら各ドレイン信
号線に映像信号を供給する映像信号駆動回路と、 前記各信号線によって囲まれる画素領域に、片側のゲー
ト信号線からの走査信号によって駆動される薄膜トラジ
スタと、この薄膜トランジスタを介して片側のドレイン
信号線からの映像信号が供給される画素電極とを備え、 前記画素領域の集合である表示領域をx方向に沿った仮
想の線を境にして一方の表示領域と他方の表示領域とに
区分けられ、 一方の表示領域側の各ゲート信号線に走査信号を供給す
る走査信号駆動回路と他方の表示領域側の各ゲート信号
線に走査信号を供給する走査信号駆動回路とが別個に形
成され、 かつ、一方の表示領域側の各ドレイン信号線と他方の表
示領域側の各ドレイン信号線とが分離されているととも
に、 一方の表示領域側の各ドレイン信号線に映像信号を供給
する映像信号駆動回路と他方の表示領域側の各ドレイン
信号線に映像信号を供給する映像信号駆動回路とが別個
に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 一方の表示領域側の走査信号駆動回路、
映像信号駆動回路、および他方の表示領域側の走査信号
駆動回路、映像信号駆動回路をともに駆動させ、あるい
は、いずれかの表示領域側の走査信号駆動回路、映像信
号駆動回路を駆動させる電源供給の切替手段が備えられ
ていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項3】 一方の表示領域側の各ドレイン信号線と
他方の表示領域側の各ドレイン信号線との分離個所は、
これらドレイン信号線と絶縁膜を介して配置されるゲー
ト信号線上に位置づけられ、かつ、一方の表示領域側の
各ドレイン信号線の分離された端部と他方の表示領域側
の各ドレイン信号線の分離された端部はいずれも該ゲー
ト信号線に重畳されていることを特徴とする請求項1に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】 一方の表示領域と他方の表示領域の境界
側に存在するそれぞれの各領域のゲート信号線から、そ
れぞれそれから遠ざかる方向へ沿って各ゲート信号線に
走査信号を供給し、そのタイミングに併せて映像信号駆
動回路から映像信号を供給することを特徴とする請求項
1に記載の液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項5】 一方の表示領域と他方の表示領域の境界
に遠のく側に存在するそれぞれのゲート信号線から、そ
れぞれそれから前記境界の近づく方向へ沿って各ゲート
信号線に走査信号を供給し、そのタイミングに併せて映
像信号駆動回路から映像信号を供給することを特徴とす
る請求項1に記載の液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項6】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、x方向に延在しy方向に
並設されるゲート信号線とこれら各ゲート信号線に走査
信号を供給する走査信号駆動回路と、y方向に延在しx
方向に並設されるドレイン信号線とこれら各ドレイン信
号線に映像信号を供給する映像信号駆動回路と、 前記各信号線によって囲まれる画素領域に、片側のゲー
ト信号線からの走査信号によって駆動される薄膜トラジ
スタと、この薄膜トランジスタを介して片側のドレイン
信号線からの映像信号が供給される画素電極とを備える
とともに、 前記映像信号駆動回路は前記薄膜トランジスタと並行し
て形成される他の複数の薄膜トランジスタからなるダイ
ナミックメモリを備え、 該他の複数の薄膜トランジスタのうち少なくとも一つは
絶縁膜を介して固定された電位を有する導電膜で覆われ
ていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項7】 導電膜は画素電極と同一の材料で形成さ
れていることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項8】 液晶表示パネルと、この液晶表示パネル
の背面に配置されるバックライトとから構成され、 前記液晶表示パネルは、液晶を介して対向配置される各
基板のうち一方の基板の液晶側の面に、x方向に延在し
y方向に並設されるゲート信号線とこれら各ゲート信号
線に走査信号を供給する走査信号駆動回路と、y方向に
延在しx方向に並設されるドレイン信号線とこれら各ド
レイン信号線に映像信号を供給する映像信号駆動回路
と、 前記各信号線によって囲まれる画素領域に、片側のゲー
ト信号線からの走査信号によって駆動される薄膜トラジ
スタと、この薄膜トランジスタを介して片側のドレイン
信号線からの映像信号が供給される画素電極とを備える
とともに、 前記映像信号駆動回路は前記薄膜トランジスタと並行し
て形成される他の複数の薄膜トランジスタからなるダイ
ナミックメモリを備え、 前記バックライトと対向する側の基板に該バックライト
からの光が前記ダイナミックメモリへ照射するのを回避
する遮光膜が形成されていることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項9】 ダイナミックメモリが形成されている基
板はバックライトと対向する側の基板であり、前記遮光
膜は前記基板を介してダイナミックメモリと対向する部
分に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
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