TW561446B - Display device - Google Patents

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561446 A7 B7 五、發明説明（1 ) 【發明之技術領域】 本發明·係關於顯示裝置，尤其關於一種介以液晶相向設 置的各基板中在一方的基板之液晶側的面形成液晶顯不驅 動電路之動態矩陣（active matrix)型液晶顯示裝置。 【先前技術】 在顯示裝置中動態矩陣型之液晶顯示裝置，係在介以液 晶而相向設置的各透明基板中在一方的透明基板之液晶側 的面，以由向X方向延伸且向y方向并排佈設的閘信號線與 向y方向延伸且向X方向并排佈設的汲極信號線所包圍的各 區域作為像素區域。 並且在該像素區域具有由供自一侧閘信號線的掃描信號 驅動之薄膜電晶體，與介以該薄膜電晶體而供應供自於一 側汲極信號線的影像信號之像素電極。 該像素電極可在與形成於另一方透明基板液晶側的面之 面的相向電極間，產生相對應於該影像信號的強度之電 場，以控制液晶之光透射率。 另方面，在如上述構成之液晶顯示裝置中，亦有一種將 用以對於各閘信號線及各汲極信號線分別供應信號之掃描 信號驅動電路及影像信號驅動電路，也形成於一方的透明 基板之液晶側的面而成者，已為眾人皆知。這些各電路包 括與像素區域内之上述薄膜電晶體相同架構之眾多MIS(金 屬絕緣體半導體）型電晶體，因為以此構成便可於構成像素 同時形成各電路之緣故。 此時，薄膜電晶體及MIS型電晶體之各自半導體層則需使 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

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線 561446 A7 B7 五、發明説明（2 ) 用多晶矽（Poly-Si)。 【發明所欲解決之課題】 然而如上述構成之顯示裝置，若將之當做例如攜帶式電 話機用時，卻被指出其耗電率較大之缺點。 並且由於其係在影像信號驅動電路使用動態記憶體 (dynamic memory)，致也被指出洩漏電流會流通於構成該 動態記憶體的薄膜電晶體之缺點。 加上也被指摘該動態記憶體若因外來光在其半導體層產 生光子（photon)，則其所引起缺點竟會比例如形成於像素 區域内的薄膜電晶體更會造成不良影響之情事。 有鑑於此，本發明之目的在於提供一種耗電率小的顯示 裝置。 此外，本發明之另一目的在於提供一種能抑制於構成影 像信號驅動電路内動態記憶體的薄膜電晶體所產生洩漏電 流之顯示裝置。 再者，本發明之其他目的在於提供一種可使影像信號驅 動電路内動態記憶體正常動作之顯示裝置。 【課題之解決手段】 茲就本申請案所揭示發明中較具代表性者說明其概要如 下。 手段1. 手段L之特徵乃在於：在介以液晶而相向設置的各基板中 在一方的基板之液晶側的面，具有：向X方向延伸且向y方 向并排佈設的閘信號線與對於這些各閘信號線供應掃描信 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

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線· 561446 A7 B7 五、發明説明（3 ) 號之掃描信號驅動電路，與向y方向延伸且向X方向并排佈 設的汲極.信號線與對於這些各汲極信號線供應影像信號之 影像信號驅動電路；以及 在由上述各信號線包圍的像素區域，具有由供自一側閘 信號線的掃描信號驅動之薄膜電晶體，與介以該薄膜電晶 體而供應供自於一侧汲極信號線的影像信號之像素電極； 且 以沿X方向之假想線為界而使像素區域之集合的顯示區域 區分成為一方的顯示區域與另一方的顯示區域； 對於一方的顯示區域侧之各閘信號線供應掃描信號之掃 描線驅動電路與另一方的顯示區域側之各閘信號線供應掃 描信號之掃描線驅動電路係使之個別形成； 且一方的顯示區域側之各汲極信號線與另一方的顯示區 域側之各汲極信號線係使之分開；同時 對於一方的顯示區域之各汲極信號線供應影像信號之影 像信號驅動電路與另一方的顯示區域側之各汲極信號線供 應影像信號之影像信號驅動電路係使之個別形成。 如上述構成之液晶顯示裝置，雖也可將一方的顯示區域 與另一方的顯示區域當做一個顯示區域用，但可只使其中 任一顯示區域做顯示。 因此可不必對於不做顯示的顯示區域供應掃描信號，故 可降低耗電率。 手段2. 手段2之特徵乃在於··在介以液晶而相向設置的各基板中 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

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561446 A7 B7 五、發明説明（4 ) 在一方的基板之液晶側的面，具有：向X方向延伸且向y方 向并排佈.設的閘信號線與對於這些各閘信號線供應掃描信 號之掃描信號驅動電路，與向y方向延伸且向X方向并排佈 設的汲極信號線與對於這些各汲極信號線供應影像信號之 影像信號驅動電路；以及 在由上述各信號線包圍的像素區域，具有由供自一側閘 信號線的掃描信號驅動之薄膜電晶體，與介以該薄膜電晶 體而供應供自於一侧汲極信號線的影像信號之像素電極； 且 上述影像信號驅動電路具有由與上述薄膜電晶體同時形 成之其他複數個薄膜電晶體構成之動態記憶體；而 該其他複數個薄膜電晶體中至少一個係介以絕緣膜為具 有被固定的電位之導電膜所覆蓋。 如上述構成之液晶顯示裝置，由於可在用於構成其動態 記憶體之薄膜電晶體中使其電容增大，因而能抑制洩漏電 流之發生。 手段3. 手段3之特徵乃在於其係包括液晶顯示面板，與設置於該 液晶顯示面板背面之背光，且 該液晶顯示面板具有：在介以液晶而相向設置的各基板 中在一方的基板之液晶侧的面，具有：向X方向延伸且向y 方向并拼佈設的閘信號線與對於這些各閘信號線供應掃描 信號之掃描信號驅動電路，與向y方向延伸且向X方向并排 佈設的汲極信號線與對於這些各汲極信號線供應影像信號 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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線· 561446 A7 B7 五、發明説明（5 ) 之影像信號驅動電路；以及 在由上.述各信號線包圍的像素區域，具有由供自一側閘 信號線的掃描信號驅動之薄膜電晶體，與介以該薄膜電晶 體而供應供自於一側汲極信號線的影像信號之像素電極； 且 上述影像信號驅動電路具有由與上述薄膜電晶體同時形 成之其他複數個薄膜電晶體構成之動態記憶體；而 在與上述背光相向的一侧之基板形成有遮光膜，用以回 避來自於該背光之光照射到上述動態記憶體。 如上述構成之液晶顯示裝置，由於能遮蔽外來光對於構 成動態記憶體的薄膜電晶體之照射，因此可使該動態記憶 體正常動作。 【發明之實施形態】 以下使用圖式詳加說明依本發明之液晶顯示裝置實施 例。 《全體之構成》 圖1係本發明液晶顯示裝置之一實施例等效電路圖。該圖 雖屬電路圖，但仍以與實際幾何性佈置相對應下所繪描而 成者。 圖中，有透明基板SUB1。該透明基板SUB1係介以液晶 而與透明基板SUB2(未圖示）相向設置（對置），且該透明基 板SUB2係用至少也被覆著液晶顯示部AR而形成於其周邊 之密封劑SL (請參閱圖9)固定於透明基板SUB1。 在透明基板SUB1之液晶側的面^形成有向圖中X方向延 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

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線 561446 A7 ^________B7 五、發明説明（6 ) 伸且向y方向并排佈設的閘信號線GL，及與這些閘信號線 GL成電絕緣而向y方向延伸且向χ方向并排佈設的汲極信號 線DL 〇 如此，使得由各閘信號線GL與各汲極信號線DL所包圍矩 $上之各區域，可供作構成像素區域之用，藉此便可由設 置成矩陣狀之各像素區域之集合來形成液晶顯示部AR。 惟在本實施例中，各汲極信號線〇1^則在液晶顯示部入尺之 中央予以分割而形成。亦即，則將由自屬於最上級之第一 級至第1級之各閘信號線GL所形成之各像素區域（以下也稱 為前級顯示部ARf)，與由自第（1_1}級至屬於最下級之第n 級之各閘彳§號線GL所形成之各像素區域（以下也稱為後級顯 不部ARb)施予觀念上之分割，而使分擔前級顯示部ARf之 汲極k號線DL與分擔後級顯示部ARb之汲極信號線£^形成 為電隔離狀態。 此時i值係依液晶顯示裝置之用途而異，也可為相對於 液晶顯不部AR之中央部圖中y之向中央而偏位於上級側， 或偏位於下級侧。 前級顯示部ARf各閘信號線GL之一端侧（圖中右側），係 連接於屬掃描信號驅動電路之像素驅動用移位暫存器lf， 該像素驅動用移位暫存器丨£係由供自該液晶顯示裝置外部 之起動脈衝時脈信號驅動之。 此外」後級顯示部ARb各閘信號線GL之一端側（圖中右 側），係連接於與上述像素驅動用移位暫存器lf個別之像素 驅動用移位暫存器lb，該像素驅動用移位暫存器lb也由上 -9 - 本紙張尺度適用中® 棵準(CNS) A4規格(21G X 297公羡) ---- 561446 A7 ______Β7 五、發明説明（7 ) 述起動脈衝時脈信號驅動之。 前級顯不部ARf各汲極信號線DL之一端側（圖中上側）， 係連接於影像信號驅動電路，該影像信號驅動電路包括： 自汲極信號線DL側依序并排設置之D-A轉換電路2£、記憶 體3f、輸入資料取入（輸出）電路4f、H側位址解碼器5f，與 連接於上述5己憶體3f之V側位址解媽器6f、記憶體驅動用移 位暫存器7f。 在Η側位址解碼器5f、輸入資料取入（輸出）電路4f、及v 側位址解碼器6f ,則可輸入以各自由該液晶顯示裝置外部 供應之像素住址（H)、像素資料、及像素位址（v)。 並且’記憶體驅動用移位暫存器7f係以上述起動脈衝時 脈信號之輸入而驅動之。 此外’此種影像信號驅動電路之更詳細内容係顯示於圖 2 ° 後級顯示部ARb各汲極信號線DL之一端側（圖中下側）， 係連接於與上述影像信號驅動電路個別之影像信號驅動電 路’該影像信號驅動電路則與上述影像信號驅動電路同樣 地包括·自沒極信號線D L側依序并排設置之D - A轉換電路 2b、記憶體3b、輸入資料取入（輸出）電路4b、Η側位址解 碼器5b ’與連接於上述記憶體3b之V側位址解碼器6b、記 憶體驅動用移位暫存器7b。 在Η姆位址解瑪器5b、輸入資料取入（輸出）電路4b、及V 側位址解碼器6b，則可輸入以各自由該液晶顯示裝置外部 供應之上述像素住址（H)、像素資料、及像素位址（V)。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐） A7 B7 561446 發明i明（8 ) 並且，記憶體驅動用移位暫存器7b係以上述起動脈衝時 脈信號之輸入而驅動之。 對於掃描信號驅動電路影像信號驅動電路則由該液晶顯 示裝置外部經由電源供應控制電路9分別供應電源，而對於 前級顯示部ARf側掃描信號驅動電路及影像信號驅動電路則 經由電力供應開關10f供應電源，對於後級顯示部ARb側掃 描信號驅動電路及影像信號驅動電路則經由電力供應開關 10b供應電源。 經如上述構成之液晶顯示裝置，不用說在其液晶顯示部 AR可在其全城提供顯示功能外，也可只使前級顯示部ARf 做顯示，或只使後級顯示部ARb做顯示。 因而譬如當做攜帶式電話機之液晶顯示裝置使用時，即 可採取使其在前級顯示部ARf顯示日期、時間、天線靈敏度 等資訊（以面板局部性顯示即夠用之資訊），而後級顯示部 ARb則不加以驅動之方式。 因此可作成對於後級顯示部ARb之各閘信號線gl不供應 電力之架構，以更加提高低耗電率化效果。 《像素之構成》 圖3係顯不像素之一實施例俯視圖。該圖特別顯示位於j；及 極信號線DL分離處之像素，亦即，顯示相對於與該汲極信 號線DL成交叉的閘信號線GL之部分上側像素與部分下側像 素。另咅圖4則顯示圖3中沿IV-IV線之剖面圖。 圖3中，在透明基板SUB1上面，在薄膜'電晶體TFT之形 成區域形成有包括Poly-Si之半導體層AS。 -11 - 561446 A7 ----- B7 五、發明説明（9 ) 並且在透明基板SUB 1表面也覆蓋著該半導體層AS而形 成有包括Si02之第一絕緣膜GI。 該第一絕緣膜GI位於薄膜電晶體TFT之形成區域時可當 做其閘絕緣膜而用，而位於後述電容元件Cstg之形成區域 時則可當做其電介質膜而用。 在絕緣膜GI表面則向圖中X方向延伸而形成閘信號線 GL。該閘信號線GL係形成為使其一部分延伸至像素區域内 並跨過上述半導體層AS之狀態，藉此以形成薄膜電晶體 TFT之閘極GT。 另在形成閘信號線GL時則同時形成存儲， 此存儲線SL係佈設成與該閘信號線(}1^大致成平行，且在與 該閘信號線G L之間形成有面積較大之延伸部。 存儲線SL之上述延伸部係用以構成電容元件Cstg的電極 之一〇 並且在透明基板SUB1表面以也覆蓋著閘信號線GL及存 儲線SL之狀態下形成有例如包括Si〇2之第二絕緣膜in。 該第二絕緣膜IN具有對於閘信號線GL的後述沒極信號線 DL之層間絕緣膜功能，另外若位於電容元件cstg之形成區 域時則可當做其電介質膜而用。 並且在該第二絕緣膜IN形成可穿通至其下層的第一絕緣 膜GI之接觸孔CHI、CH2，以分別使薄膜電晶體tfT之汲 極區域Λ源極區域之一部分露出。 然後，在該第二絕緣膜IN上面形成向圊中y方向延伸之沒 極信號線DL，且形成與該汲極信號線DL同時形成之源極 -12- 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) " ' 561446

SD2。 汲極信.號線DL係以行走上述接觸孔CH1上之方式而形 成，俾使該接觸孔CH1部之汲極信號線!）!^也兼作薄膜電晶 體TFT之汲極SD1用之構成。 另外，該沒極信號線DL·則在閘信號線GL·上予以分離，並 使其一方侧之汲極信號線DL分離端部與另一方側之汲極信 號線DL分離端部，均重疊於該閘信號線gl。 如此構成之理由乃在於為以閘信號線〇1防止外來光漏光 之故。換言之，其係以閘信號線GL遮蔽汲極信號線]^^切斷 部之漏光現象。 另外，沒極SD2係以覆蓋著上述接觸孔CH2之方式而形 成’同時具有以與部分存儲線SL及其延伸部成重疊之方式 所形成之延伸部。 該源極SD2之延伸部係構成電容元件Cstg之一個電極。 並且在透明基板SUB表面以也覆蓋著汲極信號線DL及源 極SD2之狀態下形成有例如包括Si02之第三絕緣膜PSV。 該第三絕緣膜PSV具有可回避液晶會直接接觸到薄膜電晶 體TFT之保護膜功能。 另在第三絕緣膜PSV形成有接觸孔CH3，其係用以露出 源極SD2延伸部之一部分。 並且在該第三絕緣膜PSV上面，以也覆蓋著接觸孔CH3 之方式而形成有包括ITO(銦•鈦氧化物）之像素電極PX。 《記憶體之構成》 圊5係相當於上述記憶體之一位元部分之俯視圖。另外圖 -13- 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

線 561446 A7 B7 五 發明説明（ 6係圖5中沿VI-VI線之剖面圖。 另外該部分中之記憶體係屬一般常說的動態記憶體者， 其等效電路則顯示於圖7。圖5所示構成係大致對應於其幾 何學性佈置。 圖5所示記憶體之形成係可與上述像素之形成同時進行。 如圖5所示，首先在透明基板SUB1表面形成包括Poly-Si 之半導體層ASi與半導體層AS2。其中半導體層ASi構成薄 膜電晶體TFTiK需之半導體層，而半導體層人52係構成薄 膜電晶體TFT2及薄膜電晶體TFT3所需之半導體層。這些半 導體層ASi、AS2可與形成液晶顯示部AR中薄膜電晶體TFT 之半導體層AS時同時形成之。 並且以也覆蓋著該半導體層AS丨、AS2之方式在透明基板 SUB上面形成有包括Si02之第一絕緣膜GI。該第一絕緣膜 GI具有可充當薄膜電晶體TFTiSTFI^的閘絕緣膜之功能。 該第一絕緣膜GI上面形成有向圖中X方向延伸之閘佈線層 G1與再新（refresh)佈線層R1。這些閘佈線層G1、再新佈 線層R1可與形成液晶顯示部A R之閘信號線G L時同時形成 之。 此時，閘信號線G1係以橫過一部分上述半導體層ASii 方式而形成，以構成薄膜電晶體TFT!之閘極，再新佈線層 R1則以橫過一部分上述半導體層AS2之方式而形成，以構 成薄膜電晶體TFT3之閘極。 在透明基板SUB上面則以也覆蓋著這些閘佈線層G1及再 新佈線層R1之方式而形成有包括Si02之第二絕緣膜IN。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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561446 A7 B7 五、發明説明（12 ) 該第二絕緣膜IN具有閘信號線G1及再新佈線層r 1對於後 述汲極佈線層D1的層間絕緣膜之功能。 另外第二絕緣膜IN形成有接觸孔CH4、CH5、CH6、 CH7、CH8、CH9，以使薄膜電晶體TFTii汲極區域及源 極區域、薄膜電晶體TFT2之源極區域、薄膜電晶體之 沒極區域及源極區域、再新佈線層R1之一部分以及閘極 GT3之一部分露出。 在第二絕緣膜IN上面形成有向圖中y方向延伸之沒極佈線 層D1，並使該沒極佈線層D1連接於薄膜電晶體tfl之沒 極£域、薄膜電晶體TFT*3之沒極區域。該〉及極佈線層di可 與形成液晶顯示部AR之汲極信號線DL時同時形成之。 另外，此時與閘佈線層G1同時形成之閘極(JT3係以橫過 薄膜電晶體TFT2之半導體層AS；2之方式而形成，並使該閘 極GT3連接於薄膜電晶體TFTi之源極區域。並且仍使與沒 極佈線層D1同時形成之導電層C1形成為可與薄膜電晶體 TFT2之源極區域與再新佈線層1^相連接。 在透明基板SUB上面，則以也覆蓋著汲極佈線層di、閘 極GT3、導電層C 1之方式而形成有包括Si〇2之第三絕緣膜 psv。該第三絕緣膜PSV具有保護薄膜電晶體TFTisTFT3 所需保護膜功能。 並且在該第三絕緣膜PSV上面形成有包括ITO(銦•鈦氧 化物）之一導電層CL。該導電層CL可與形成液晶顯示部Ar之 像素電極PX時同時形成之。 該導電層CL，在本實施例中則以覆蓋著薄膜電晶體tft2 -15- 本纸張尺度適用中國國家揉準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 561446 A7 B7 五、發明説明（13 ) 之閘極區域之方式而形成。然並非侷限於此，也可以覆蓋 著其他薄膜電晶體TFL、TFT3之各閘極區域之方式而形 成。 另外該導電層CL係保持於接地電位或如電源等固定的電 位。 如上述構成之記憶體，可使其蓄積電容增大，因而對於 各薄膜電晶體TFT1至TFT3所產生之洩漏電流，可獲得能取 得記憶保持時間餘裕（margin)之效果。 《記憶體之動作說明》 圖8(a)係顯示上述動態記憶體之動作圖，其係將諸如（i) 使資料線（汲極佈線層）重設（reset)成接地（GND)，（2)資料 之讀取動作，（3)資料之再寫入，以及（4)新資料之寫入動 作，分別以電流之流通等而表示者。 另外圖8(b)係顯示各信號之時序流程。 《液晶顯示面板》 圖9係以透明基板SUB1與介以液晶LC而相向設置的透明 基板SUB2作為外圍器之液晶顯示面板PNL，與設置於該液 晶顯示面板背面（對於觀春者而言）之背光BL間之配置關係 圖。 在透明基板SUB1之與液晶側成相反側之面，形成有偏光 膜P0L1 ,在透明基板SUB2之與液晶側成相反侧之面，則 形成有偏光膜P0L2，而透明基板SUB2對於透明基板SUB1 之固定係藉由也兼有液晶封閉功能之密封劑SL固定之。 來自於背光BL之光，則將透過液晶顯示部人尺的各像素光 -16 - 本纸張尺度適用中國國家樣準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

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線‘ 561446 A7 B7 五、發明説明（14 ) 透射率受到控制的液晶L C而向觀看者照射。 並且在此種情形下，則在透明基板SUB1之背光BL側之 面形成遮光膜BT，此遮光膜BT至少用以防止來自於背光 BL之光不至於照射到圖1所示之Η侧位址解碼器、輸入資料 取入（輸出）電路、以及記憶體。 然該遮光膜ΒΤ不用說當也可構成為只使液晶顯示部 AR(由集合像素構成之區域）開口而使之形成於其周邊全或 之方式。 如上述構成之液晶顯示面板PNL，由於其能防止來自於 背光BL之光會照射到構成動態記憶體之各薄膜電晶體TF1H 至TFT3之問題，因而可獲得能迴避其所造成錯誤動作之效 果。因為使用動態記憶體時起因於因光照射,而產生於半導 體中的光子之負面影響非常大之緣故。 另外本實施例係將動態記憶體等之電路形成於與背光BL 相向的透明基板|SUB1之液晶側的面而成者。惟這些電路不 用說也可為形成於另一方的透明基板SUB2側者。 因為這麼一來，也能防止外來光照射到該動態記憶體之 緣故。 此外，遮光膜BT也可使用如黑色之乙烯塑膠膜。 《液晶顯示面板之驅動方法》 圖10係顯示液晶顯示面板PNL之驅動方法，特別是顯示 像素驅動用移位暫存器If、lb之驅動方法及隨著其的供自 於影像信號驅動電路之影像信號之送出方法圖。 如上述，本實施例之液晶顯示裝置，其液晶顯示部AR係 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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561446 A7 B7 五、發明説明（15 區分成前級顯示部ARf與後級顯示部ARb，並分別由個別之 像素驅動用移位暫存器If、lb將掃描信號供應給閘信號線 GL。 並且，其驅動之一實施例係採取··由存在於前級顯示部 ARf與後級顯示部ARb之境界側之前級顯示部ARf側閘信號 線GL，與後級顯示部ARb侧閘信號線GL，分別循由其遠離 之方向而對各閘信號線GL供應掃描信號（方向A)之方法。 另外，其驅動之另一實施例則與此相反而採取：由存在 於遠離前級顯示部ARf與後級顯示部ARb之境界的一側之前 級顯示部ARf側閘信號線GL，與後級顯示部ARb側閘信號 線GL ’分別循由其接近上述境界之方向而對各閘信號線G]L 供應知描信號（方向B)之方法亦屬可行。 若構成為如上述，即可獲得能使在前級顯示部ARf與後級 顯示部ARb之境界的顯示順其自然而為之效果。亦即，在 前級顯示部ARf之上述境界側像素與後級顯示部ARb之該境 界側像素，由於該等之驅動時間差少，以致不至於產生例 如洩漏電流會在一方的像素變大之緣故使然。 以上所舉者乃有關作為顯示裝置之液晶顯示裝置之實施 形態’惟在不脫離本發明技術思想範圍内，當可將本發明 架構適用於有機電場發光、有機液晶顯示器等顯示裝置。 【發明之效果】 如上衍說明就明白，若依照本發明之顯示裝置，便可製 得耗電率小者。 並且可抑制在用以構成影像信號驅動電路内動態記憶體 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 561446 A7 B7 五、發明説明（16 ) 的薄膜電晶體所產生之’/¾漏電流。 加上也可使影像信號驅動電路内動態記憶體得以正常動 作。 【圖式之簡要說明】 圖1係本發明液晶顯示裝置之一實施例全體等效電路圖。 圖2係本發明液晶顯示裝置影像信號驅動電路之一實施例 等效電路圖。 圖3係本發明液晶顯示裝置之像素一實施例俯視圖。 圖4係圖3之沿IV-IV線剖面圖。 圖5係本發明液晶顯示裝置之動態記憶體（一位元）之一實 施例俯視圖。 圖6係圖5之沿IV-IV線剖面圖。 圖7係本發明液晶顯示裝置之動態記憶體之一實施例等效 電路圖。 圖8a、b係本發明液晶顯示裝置之動態記憶體動作說明 圖。 圖9係本發明液晶顯示面板之一實施例剖面圖。 圖10係本發明液晶顯示驅動方法之一實施例說明圖。 【元件符號之說明】 SUB…基板，GL…閘信號線，DL…汲極信號線，TFT… 薄膜電晶體，PX…像素電極，AR…液晶顯示部，ARf···前 級顯示_部，ARb…後級顯示部，CL…導電膜，BT…遮光 膜。 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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1. 月

   Λ 9426號專利申請案 益 諫專利範圍替換本(92年4月）漂 申請專利範園 種顯示裝置’其特徵為在絕緣性基板之一方的面具有· 向X方向延伸且向y方向並排佈設的閘信號線與對於這些各 間#號線供應掃描信號之掃描信號驅動電路，與向y方向 延伸且向X方向並排佈設的汲極信號線與對於這些各汲極 ^號線供應影像信號之影像信號驅動電路；以及 在由上述各信號線包圍的像素區域，具有由供自一側閘 信號線的掃描信號驅動之薄膜電晶體，與介以該薄膜電晶 體而被供應供自一側汲極信號線的影像信號之像素電極； 且 以沿X方向之假想線為界而使像素區域之集合的顯示區 域區分成為一方的顯示區域與另一方的顯示區域； 對於一方的顯示區域側之各閘信號線供應掃描信號之掃 描線驅動電路與另一方的顯示區域側之各閘信號線供應掃 描信號之掃描線驅動電路係使之個別形成；且 一方的顯示區域側之各汲極信號線與另一方的顯示區域 側之各汲極信號線係使之分開；同時 對於一方的顯示區域之各汲極信號線供應影像信號之影 像信號驅動電路與對於另一方的顯示區域側之各汲極信號 、’桌供應影像信號之影像信號驅動電路係使之個別形成。 Λ •如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中具有電源供應切 換手段，其係用以切換成將一方的顯示區域側之掃插信號 驅動電路、影像信號驅動電路，及另一方的顯示區域侧之 掃描信號驅動電路、影像信號驅動電路全都加以驅動，或 是將任一方的顯示區域側之掃描信號驅動電路、影像信號 Γ561446

   驅動電路加以驅動。 3·如申請專利範圍 第1項之顯示裝置，其中一方的顯示區域 側之各沒極信號線與另一方的顯示區域側之各汲極信號線 之分離處，係取位於與這些汲極信號線介以絕緣膜下所佈 設之閘信號線上，且 一方的顯示區域側各汲極信號線之經 予分離之端部與另一方的顯示區域側各汲極信號線之給予 分離之端部，均使之重疊於該閘信號線。 4. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中由存在於一方的 顯不區域與另一方的顯示區域境界側之各自的各區域閘信 號線’分別循由其朝遠離之方向而對各閘信號線供應掃插 信號’並配合其時序自影像信號驅動電路供應影像信號。 5. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中由存在於遠離〜 方的顯示區域與另一方的顯示區域之境界之一側的各自間 信號線’分別循由其朝接近上述境界之方向而對各閘信號 線供應掃插信號，並配合其時序自影像信號驅動電路供應 影像信號。 6· 一種顯示裝置，其特徵為在絕緣性基板之一方的面具有： 向x方向延伸且向y方向並排佈設的閘信號線與對於這些各 閘信號線供應掃描信號之掃描信號驅動電路，與向y方向 延伸且向X方向並排佈設的汲極信號線與對於這些各沒极 信號線供應影像信號之影像信號驅動電路；以及 在由上述各信號線包圍的像素區域，具有由供自一侧間 信號線的掃描信號驅動之薄膜電晶體，與介以該薄膜電晶 體而被供應供自一側汲極信號線的影像信號之像素電極； -2- 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

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   B8 C8 D8 々、申請專利範圍 且 上述影像信號驅動電路具有動態記憶體，其係包括與上 述薄膜電晶體同時形成之其他複數個薄膜電晶體；而 該其他複數個薄膜電晶體中至少一個係由具有介以絕緣 膜而固定的電位之導電膜所覆蓋著。 7. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中導電膜係由與像 素電極同一材料形成。 8. 一種顯示裝置，其特徵為：包括液晶顯示面板，與設置於 該液晶顯示面板背面之背光；且 上述液晶顯示面板在介以液晶相向設置的各基板中一方 的基板之液晶側的面具有向X方向延伸且向y方向並排佈設 的閘信號線與對於這些各閘信號線供應掃描信號之掃描信 號驅動電路，與向y方向延伸且向X方向並排佈設的汲極信 號線與對於這些各汲極信號線供應影像信號之影像信號驅 動電路；以及 在由上述各信號線包圍的像素區域，具有由供自一側閘 信號線的掃描信號驅動之薄膜電晶體，與介以該薄膜電晶 體而被供應供自一側汲極信號線的影像信號之像素電極； 且 上述影像信號驅動電路具有動態記憶體，其係包括與上 述薄膜電晶體同時形成之其他複數個薄膜電晶體；並 在與上述背光相向的側之基板上形成有遮光膜，以回避 來自於該背光之光照射到上述動態記憶體。 9. 如申請專利範圍第8項之顯示裝置，其中形成有動態記憶 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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   561446 O'*j ic · 8 8 8 8 A BCD 申請專判範圍 體之基板為與背光相向的一側之基板，且上述遮光膜係介 以上述基板而形成於與動態記憶體相向之部分。 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 χ 297公釐）