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JP2000194016A - マルチドメイン液晶表示素子 - Google Patents

マルチドメイン液晶表示素子

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JP2000194016A
JP2000194016A JP11351144A JP35114499A JP2000194016A JP 2000194016 A JP2000194016 A JP 2000194016A JP 11351144 A JP11351144 A JP 11351144A JP 35114499 A JP35114499 A JP 35114499A JP 2000194016 A JP2000194016 A JP 2000194016A
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crystal display
substrate
display device
domain liquid
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ホ シン ヒュン
Kyeong Jin Kim
ジン キム キョン
Yun Bok Lee
ボク リー ユン
Jeom Jae Kim
ジェ キム ジョム
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LG Philips LCD Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 工程を単純化してマルチドメイン効果を発揮
したマルチドメイン液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 対向する第１基板及び第２基板と、前記
第１基板と第２基板との間に形成された液晶層と、前記
第１基板上に縦横に形成されて画素領域を定義する複数
のゲート配線１及びデータ配線３と、前記画素領域内で
一体に形成されている画素電極１３と、前記ゲート配線
と同一層に形成され、前記画素電極１３を囲むように形
成されている共通補助電極１５とからマルチドメイン液
晶表示素子を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に関す
るものであって、特に、ゲート配線と同一層で画素領域
を囲むように共通補助電極を形成して電界を歪曲させる
マルチドメイン液晶表示素子(multi-domain liquid cry
stal display device)に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、液晶を配向することなく、画素電
極と電気的に絶縁されている補助電極により液晶を駆動
する液晶表示素子が提案されている。図１は、従来の液
晶表示素子の単位画素の断面図である。
【０００３】従来の液晶表示素子は、第１基板及び第２
基板を具備し、第１基板上には、縦横に形成されて第１
基板を複数の画素領域に分ける複数のデータ配線及びゲ
ート配線と、前記画素領域の各々に形成され、ゲート電
極、ゲート絶縁膜、半導体層、オーミッコンタクト層(O
hmic contact layer)及びソース／ドレイン電極などか
ら構成されている薄膜トランジスタ（Thin Film Transi
stor ; TFT）と、前記第１基板全体にわたって形成され
た保護膜（37）と、この保護膜（37）上からドレイン電
極に連結するように形成された画素電極（13）と、前記
ゲート絶縁膜上に画素電極（13）の一部と重なるように
形成された補助電極（21）とが設けられている。
【０００４】また、前記第２基板上には、前記ゲート配
線、データ配線及び薄膜トランジスタから漏洩する光を
遮断する遮光層（25）と、前記遮光層（25）上に形成さ
れているカラーフィルター層（23）と、前記カラーフィ
ルター層（23）上に形成されている共通電極（17）と、
第１基板と第２基板との間に形成されている液晶層とが
設けられている。
【０００５】画素電極（13）の周りに形成されている補
助電極（21）と共通電極（17）のオープン領域（27）
は、前記液晶層に印加される電場を歪曲させて単位画素
内で液晶分子を多様に駆動する。これは、前記液晶表示
素子に電圧を印加すると、歪曲した電場による誘電エネ
ルギーによって、液晶の方向子が所望の方向に向けられ
ることを意味している。
【０００６】しかし、このような従来の液晶表示素子
は、マルチドメイン効果を得るために、共通電極（17）
にオープン領域（27）を設ける必要があり、このため、
液晶表示素子の製造工程中に、共通電極（17）をパター
ニングする工程を追加しなければならない。また、前記
オープン領域がないものや、その幅が狭いものは、ドメ
イン分割に必要な電場の歪曲程度が弱いので、液晶の方
向子(director)が安定な状態に至る時間が、相対的に長
くなるという問題点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記従来技術
の問題点に鑑みてなされたものであって、ゲート配線と
同一層で画素領域を囲むように共通補助電極を形成し、
工程を単純化してマルチドメイン効果を発揮するマルチ
ドメイン液晶表示素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明によるマルチドメイン液晶表示素子は、対向
する第1基板及び第２基板と、該第１基板と第２基板と
の間に形成た液晶層と、前記第１基板上に縦横に形成さ
れて画素領域を定義する複数のゲート配線及びデータ配
線と、前記画素領域内に一体に形成された画素電極と、
前記ゲート配線と同一層に形成され、前記画素領域を囲
むように形成された共通補助電極と、前記第１基板全体
に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に第１
基板全体に形成された保護膜と、前記第２基板上に形成
された遮光層と、該遮光層上に形成されたカラーフィル
ター層と、該カラーフィルター層上に形成された共通電
極と、前記第１基板及び第２基板の少なくとも一方の基
板上に形成された配向膜からなる。
【０００９】前記マルチドメイン液晶表示素子は、前記
保護膜の下から前記画素電極に連結され、前記ゲート配
線又は共通補助電極とオーバラップするように形成され
ているストレージ電極とをさらに含んでいてもよい。前
記液晶は、陽又は陰の誘電率の異方性を有する液晶であ
り、液晶層はカイラルドパントを含む。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明によ
るマルチドメイン液晶表示素子を詳細に説明する。図２
及び図３は本発明の第１実施形態によるマルチドメイン
液晶表示素子の平面図であり、図４は前記図２の線Ｉ−
Ｉ′による断面図、図５〜図８は前記図２の線II-II′
による断面図である。
【００１１】図５〜図８に示したように、本発明のマル
チドメイン液晶表示素子は、第１基板（31）及び第２基
板（33）を具備している。前記第１基板(31)上には、縦
横に形成されて該第１基板(31)を複数の画素領域に分け
る複数のデータ配線（3）及びゲート配線（1）と、該ゲ
ート配線(1)と同一層に形成されて電界を歪曲させる共
通補助電極（15）と、第１基板(31)上の画素領域の各々
に形成され、ゲート電極（11）、ゲート絶縁膜（35）、
半導体層（5）、オーミッコンタクト層及びソース／ド
レイン電極（7, 9）などからなる薄膜トランジスタと、
前記第１基板(31)全体に形成された保護膜（37）と、該
保護膜(31)上に配置され前記ドレイン電極（9）に連結
された画素電極（13）とが設けられている。
【００１２】前記第２基板（33）上には、ゲート配線
（1）、データ配線（3）及び薄膜トランジスタから漏洩
する光を遮断する遮光層（25）と、該遮光層（25）上に
形成されたカラーフィルター層（23）と、該カラーフィ
ルター層上に形成された共通電極（17）と、第１基板(3
1)と第２基板(33)との間に形成された液晶層とが設けら
れている。
【００１３】このような構造のマルチドメイン液晶表示
素子を製造するためには、まず、第１基板(31)の画素領
域の各々にゲート電極（11）、ゲート絶縁膜（35）、半
導体層（5）、オーム接触層及びソース／ドレイン電極
（7，9）からなる薄膜トランジスタを形成する。この際
に、第１基板を複数の画素領域に分ける複数のゲート配
線（1）及びデータ配線（3）が形成される。
【００１４】前記ゲート電極（11）、ゲート配線（1）
は、Al, Mo, Cr, Ta又はAl合金などのような金属をスパ
ッタリング方法で積層した後、パターニングして形成
し、同時に、共通補助電極（15）を、画素領域を囲むよ
うに形成する。その上にゲート絶縁膜（35）をSiNx又は
SiOxをプラズマCVD方法（PECVD）で積層した後、パター
ニングして形成する。次いで、半導体層（5）及びオー
ミッコンタクト層は、各々a-Si及びn+a-SiをプラズマCV
D方法で積層した後、パターニングして形成する。ま
た、他の方法には、ゲート絶縁膜（35）、a-Si及びn+a-
SiをプラズマCVD法によって連続蒸着してパターニング
する。その後、Al, Mo, Cr, Ta又はAl合金などのような
金属をスパッタリング方法で積層した後に、データ配線
（3）及びソース／ドレイン電極（7，9）をパターニン
グによって形成する。
【００１５】この際に、ストレージ電極（43）を、前記
ゲート配線（1）及び／又は共通補助電極（15）とオー
バラップするように同時に形成する。このストレージ電
極（43）は前記ゲート配線（1）及び／又は共通補助電
極（15）とともにストレージコンデンサーの役割を果た
す。
【００１６】次いで、第１基板（31）全体にかけてベン
ゾシクロブテン（BCB：BenzoCycloButene)、アクリル樹
脂, ポリイミド化合物、SiNx又はSiOxなどの物質からな
る保護膜（37）を形成し、酸化錫インジウム（ITO：ind
ium tin oxide), Al又はCrなどのような金属をスパッタ
リング方法で積層してからパターニングして画素電極
（13）を形成する。該画素電極（13）はコンタクトホー
ル（39）を通して前記ドレイン電極（9）及びストレー
ジ電極（43）に連結される。
【００１７】前記共通補助電極（15）は、前記ゲート配
線（1）と同一物質を用いて形成する場合には、同一の
マスクで前記ゲート配線（1）と同一層に形成して前記
共通電極（17）と電気的に連結する。これに代えて、追
加のマスクを用いて他の金属で構成するか、互いに異な
る二重の層に構成することもできる。
【００１８】第２基板（33）上には遮光層（25）を形成
し、R, G, B(Red, Green, Blue)素子が画素ごとに繰り
返されるようにカラーフィルター層（23）を形成する。
このカラーフィルター層（23）上に感光性物質を積層し
た後、フォトリソグラフィでパターニングし、様々の形
状に誘電体構造物（53）を形成する。次いで、共通電極
（17）を画素電極（13）と同様にITOなどのような透明
電極から形成し、それから前記第１基板（31）と第２基
板（33）との間に液晶を注入することによって、マルチ
ドメイン液晶表示素子を完成する。
【００１９】前記誘電体構造物（53）を構成する物質
は、前記液晶層の誘電率と同一か、またはそれよりも小
さな誘電率を有しているものがよく、３以下であること
が好ましく、その例として、アクリル(photoacrylate)
又はBCBのような物質をあげることができる。
【００２０】前記共通補助電極（15）に電圧(Vcom)を印
加する方法は、第１基板（31）上で液晶表示素子の駆動
領域の各角にＡｇドッディング（Ag-Dotting）部を形成
することによって、第２基板（33）に電界を印加して上
下の電位差により液晶を駆動させる。前記各角のＡｇド
ッティング部と共通補助電極（15）とに連結して電圧(V
com)を印加し、その工程は前記共通補助電極（15）を形
成することと同時に行われる。
【００２１】さらに、前記第１基板（31）又は第２基板
（33）の少なくとも一方の基板上に、高分子を延伸して
位相差のフィルム（29）を形成する。
【００２２】前記位相差のフィルム（29）は、光軸が一
つの一軸性物質から構成された、陰性の一軸性フィルム
(negative uniaxial film)であり、基板に垂直な方向と
視野角の変化による方向から使用者が感じる位相差を補
償する役割を果たす。したがって、階調反転(gray inve
rsion)の無い領域を広め、傾斜方向からコントラスト比
(contrast ratio)を高め、一つの画素をマルチドメイン
に形成することにより、一層効果的に左右方向の視野角
を補償することができる。
【００２３】本発明のマルチドメイン液晶表示素子にお
いて、前記陰性の一軸性フィルム以外に、位相差のフィ
ルムとして陰性の二軸性フィルム(negative biaxial fi
lm)を形成してもよい。光軸が二つの二軸性物質から構
成される陰性の二軸性フィルムは、前記一軸性フィルム
に比べて、広い視野角(viewing angle)特性を得ること
ができる。また、前記位相差フィルムを付着した後に、
両基板に偏光子(polarizer)（図示せず）を付着しても
よく、この場合には、前記偏光子は前記位相差フィルム
と一体に形成してもよい。
【００２４】図２に示したマルチドメイン液晶表示素子
は、画素電極（13）を遮光層（25）および共通補助電極
（15）とオーバラップするように形成することによって
高い開口率を有している。ストレージ電極（43）は、ゲ
ート配線（1）とオーバラップしてストレージコンデン
サーを形成している。前記ストレージ電極（43）と前記
共通補助電極（15）とをオーバラップするように形成す
ることもできる。
【００２５】図５及び図６は、前記共通電極（17）上に
誘電体構造物（53）を形成した実施形態であり、図７及
び図８は、前記共通電極（17）内に電界誘導窓（51）を
形成した実施形態である。また、図５及び図７は、前記
保護膜（37）をSiNx又はSiOxのような物質から形成した
実施形態であり、図６及び図８は、BCB, アクリル樹脂
(acrylic resin)又はポリイミド化合物から形成して平
坦化した実施形態である。
【００２６】図９及び図１０は、本発明の第２実施形態
によるマルチドメイン液晶表示素子の平面図であり、図
１１及び１２は、図１０の線III-III′による断面図で
あり、図１３〜１６は、図９の線IV-IV′による断面図
である。
【００２７】図１１〜１６において、画素電極（13）は
共通補助電極（15）とオーバラップしておらず、遮光層
（25）は前記画素電極（13）とオーバラップするように
形成されている。この際、前記共通補助電極（15）上に
形成されているゲート絶縁膜（35）と保護膜（37）とを
除去して、画素電極（13）に印加される共通補助電極
（15）の電界を強くすれば、この共通補助電極（15）と
画素電極（13）とが同一の平面にあるものと同様な効果
を得ることができる。図１１は共通補助電極（15）の一
部分が露出するようにゲート絶縁膜（35）と保護膜（3
7）とを除去した構造であり、図１２は共通補助電極（1
5）が完全に露出するようにした構造である。
【００２８】ストレージ電極（43）はゲート配線（1）
とオーバラップしてストレージコンデンサーを形成して
いる。前記ストレージ電極（43）を前記共通補助電極
（15）とオーバラップするように形成することもでき
る。
【００２９】図１３及び図１４は、前記共通電極（17）
上に誘電体構造物（53）を形成した実施形態であり、図
１５及び図１６は、前記共通電極（17）内に電界誘導窓
（51）を形成した実施形態である。また、図１３及び図
１５は、前記保護膜（37）をSiNx又はSiOxのような物質
から形成した実施形態であり、図１４及び図１６は、BC
B, アクリル樹脂又はポリイミド化合物から形成して平
坦化した実施形態である。
【００３０】図１７は、本発明の第３実施形態によるマ
ルチドメイン液晶表示素子の平面図であり、図１８は図
１７の線V-V′による断面図であり、図１９〜図２２
は、図１７の線VI-VI′による断面図である。
【００３１】これらの実施形態の液晶表示素子は、上下
一対の画素電極(13)等を、ストレージ電極（43）を共有
する共通補助電極（15）上に形成した構造であって、図
２〜図８に示した液晶表示素子より開口率を向上させる
ことができる。また、画素電極（13）を共通補助電極
（15）とオーバラップするように形成し、遮光層（25）
を前記共通補助電極とオーバラップさせ、ストレージ電
極（43）が共通補助電極（15）とストレージコンデンサ
ーを形成している。
【００３２】図１９及び図２０は、前記共通電極（17）
上に誘電体構造物（53）を形成した実施形態であり、図
２１及び図２２は、前記共通電極（17）内に電界誘導窓
（51）を形成した実施形態である。また、図１９及び図
２１は、前記ゲート／データ配線（1）,（3）及び薄膜
トランジスタ上に遮光層（25）を形成した実施形態であ
り、図２０及び図２２は、薄膜トランジスタ上にのみ遮
光層（25）を形成した実施形態である。
【００３３】図２３及び図２４は、本発明の第４実施形
態によるマルチドメイン液晶表示素子の平面図であり、
図２５及び図２６は、図２４の線VII-VII′による断面
図である。
【００３４】前記液晶表示素子は、次のような部分を除
いては、同一に構成されている。画素電極（13）と共通
補助電極（15）とがオーバラップしていない一方、遮光
層（25）は前記画素電極（13）とオーバラップするよう
に形成されている。ここで、前記共通補助電極（15）上
に形成されているゲート絶縁膜と保護膜とを除去し、画
素電極（13）に印加される共通補助電極（15）の電界を
強くすることにより、前記共通補助電極（15）と画素電
極（13）が同一平面上にあるものと同様な効果を得るこ
とができる。図２５は、共通補助電極の一部分が露出す
るようにゲート絶縁膜（35）と保護膜（37）とを除去し
た構造であり、図２６は、共通補助電極（15）が完全に
露出するようにした構造である。
【００３５】図２７は、本発明の第５実施形態によるマ
ルチドメイン液晶表示素子の平面図であり、図２８は図
２７の線VIII-VIII′による断面図である。この第５実
施形態は、高開口率の薄膜トランジスタ構造であって、
トランジスタ以外は本発明の第２実施形態と同一であ
り、共通補助電極（15）上にもストレージ電極（43）を
形成し、ストレージコンデンサを拡張させる効果を得る
ことができる。前記共通補助電極（15）と画素電極（1
3）とをオーバラップさせた構造も可能である。
【００３６】図２９は、本発明の第６実施形態によるマ
ルチドメイン液晶表示素子の平面図である。この第６実
施形態は、高開口率のＬ字薄膜トランジスタ(L-lined T
hin Film Transistor)構造であって、トランジスタ以外
は本発明の第４実施形態と同一であり、前記共通補助電
極（15）と画素電極（13）とをオーバラップさせた構造
も可能である。
【００３７】前記L字TFTはゲート配線（1）上にL字形状
にTFTを形成することによって、前述した他の実施形態
等に比べて、開口率を向上する効果があり、ゲート配線
（1）とドレイン電極（9）との間で発生する寄生容量を
減らすことができる。
【００３８】図３０〜図３６は、本発明の一実施形態に
よる様々な電界誘導窓又は誘電体構造物を示す図面であ
る。本発明のマルチドメイン液晶表示素子は、前記画素
電極及び／又は共通電極上に誘電体構造物（53）を形成
するか、前記画素電極、保護膜、ゲート絶縁膜、カラー
フィルター層、オーバーコート層及び／又は共通電極を
パターニングし、その内部にホール又はスリットのよう
な電界誘導窓（51）を形成することによって電界歪曲と
いう効果及びマルチドメインを発揮する。
【００３９】前記電界誘導窓（51）又は誘電体構造物
（53）は、横方向、縦方向又は両対角線方向に細長くパ
ターニングして2ドメインに分割した効果を出すか、×
形状、＋ 形状、菱形状、くし目の形状、ダブルＹ（図
３６）の形状及び ×と＋形状を同時にパターニングし
て4ドメイン及びマルチドメインに分割した効果を発揮
し、前記第１及び第２基板の内で、少なくとも一方の基
板上に形成するか、両基板上に独立的に又は混用して適
用することも可能である。
【００４０】さらに、本発明のマルチドメイン液晶表示
素子では、前記第１基板及び／又は第２基板全体にわた
って、配向膜（図示せず）を形成している。ここで、前
記配向膜を構成する配向物質としては、ポリアミド又は
ポリイミド系化合物、ポリビニルアルコール, ポリアミ
ド酸又はSiO2などの物質を用いている。この配向物質
は、ラビング法を用いて配向方向を決定する場合、その
他のラビング処理に適宜な物質であるなら、いかなるも
のであっても適用可能である。
【００４１】また、前記配向膜を光反応性のある物質、
即ち、ポリビニルシンナメート（PVCN：polyvinylcinna
mate), ポリシロキサンシンナメート（PSCN：polysilox
anecinnamate),又はセルロースシンナメート（CelCN：c
ellulosecinnamate)系化合物などの物質から構成して光
配向膜を形成することもでき、その他の光配向処理に適
宜な物質であるなら、いかなるものであっても適用可能
である。前記光配向膜には、光を少なくとも1回照射
し、液晶分子の方向子が成すプリチルト角(pretilt ang
le)及び配向方向(alignment direction)又はプリチルト
方向(pretilt direction)を同時に決定し、それによる
液晶の配向安定性を確保する。このような光配向に用い
られる光は、紫外線領域の光が適しており、非偏光、線
偏光及び部分偏光された光のいずれを用いてもよい。
【００４２】前記ラビング法又は光配向法は、第１基板
又は第２基板のいずれかの基板のみに適用するか、これ
らの基板の両方に適用してもよく、両基板に互いに異な
る配向処理をするか、配向膜のみを形成し、配向処理を
しないことも可能である。
【００４３】また、前記配向処理をすることによって、
少なくとも二つの領域に分割されたマルチドメイン液晶
表示素子を形成し、液晶層の液晶分子が各領域上で互い
に異なる方向に配向することができる。即ち、各画素を
＋形状又は ×形状のように四つの領域に分割するか、
横方向、縦方向又は両対角線方向に分割し、各領域にお
ける各基板の配向処理又は配向方向を異なるように形成
することによって、マルチドメイン効果が発揮される。
分割された領域の内で、少なくとも一つの領域を非配向
の領域にしてもよく、全ての領域を非配向の領域にする
ことも可能である。
【００４４】
【発明の効果】本発明のマルチドメイン液晶表示素子
は、ゲート配線と同一層に画素領域を囲むように共通補
助電極を形成し、電界歪曲を誘導することによって、工
程の単純化するとともに、高開口率を達成し、かつ、マ
ルチドメイン効果を向上する効果がある。また、前記共
通補助電極がゲート配線と同一層にあるので、画素電極
と共通補助電極間の短絡を防止し、歩留りを向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の液晶表示素子の断面図である。
【図２】 本発明の第１実施形態によるマルチドメイン
液晶表示素子の平面図である。
【図３】 図２の液晶表示素子の平面図である。
【図４】 図２の液晶表示素子の縦断面図である。
【図５】 図２の液晶表示素子の縦断面図である。
【図６】 図２の液晶表示素子の縦断面図である。
【図７】 図２の液晶表示素子の縦断面図である。
【図８】 図２の液晶表示素子の縦断面図である。
【図９】 本発明の第2実施形態によるマルチドメイン
液晶表示素子の平面図である。
【図１０】 図９の液晶表示素子の平面図である。
【図１１】 図９の液晶表示素子の縦断面図である。
【図１２】 図９の液晶表示素子の縦断面図である。
【図１３】 図９の液晶表示素子の縦断面図である。
【図１４】 図９の液晶表示素子の縦断面図である。
【図１５】 図９の液晶表示素子の縦断面図である。
【図１６】 図９の液晶表示素子の縦断面図である。
【図１７】 本発明の第3実施形態によるマルチドメイ
ン液晶表示素子の平面図である。
【図１８】 図１７の液晶表示素子の縦断面図である。
【図１９】 図１７の液晶表示素子の縦断面図である。
【図２０】 図１７の液晶表示素子の縦断面図である。
【図２１】 図１７の液晶表示素子の縦断面図である。
【図２２】 図１７の液晶表示素子の縦断面図である。
【図２３】 本発明の第4実施形態によるマルチドメイ
ン液晶表示素子の平面図である。
【図２４】 図２３の液晶表示素子の平面図である。
【図２５】 図２３の液晶表示素子の縦断面図である。
【図２６】 図２３の液晶表示素子の縦断面図である。
【図２７】 本発明の第5実施形態によるマルチドメイ
ン液晶表示素子の平面図である。
【図２８】 図２７の液晶表示素子の縦断面図である。
【図２９】 本発明の第6実施形態によるマルチドメイ
ン液晶表示素子の平面図である。
【図３０】 本発明の変形例による電界誘導窓又は誘電
体構造物を示す図である。
【図３１】 図３０と同様、他の変形例を示す図であ
る。
【図３２】 図３０と同様、他の変形例を示す図であ
る。
【図３３】 図３０と同様、他の変形例を示す図であ
る。
【図３４】 図３０と同様、他の変形例を示す図であ
る。
【図３５】 図３０と同様、他の変形例を示す図であ
る。
【図３６】 図３０と同様、他の変形例を示す図であ
る。
【符号の説明】
１ ゲート配線 ３ データ配線 ５ 半導体層 ７ ソース電極 ９ ドレイン電極 １１ ゲート電極 １３ 画素電極 １５ 共通補助電極 １７ 共通電極 ２１ 補助電極 ２３ カラーフィルター層 ２５ 遮光層 ２７ オープン領域 ２９ 位相差のフィルム ３１ 第１基板 ３３ 第２基板 ３５ ゲート絶縁膜 ３７ 保護膜 ３９ コンタクトホール ４３ ストレージ電極 ５１ 電界誘導窓（ホール又はスリット） ５３ 誘電体構造物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヒュン ホ シン 大韓民国 キュンキドー クンポ市 クム ジュン洞 876番地 ユルコクアパート 338−1504 (72)発明者 キョン ジン キム 大韓民国 キュンキドー ブチョン市 ソ ーサ區 ソーサボン３洞 （番地なし） ハンシンアパート 108−1210 (72)発明者 ユン ボク リー 大韓民国 キュンキドー アンヤン市 ド ンガン區 ブフン洞 （番地なし） エウ ンハス−チュンクアパート 107−1702 (72)発明者 ジョム ジェ キム 大韓民国 ソウル ドンダエムン區 ダプ シプリ４洞 42番地 ドンダプ−ハンシン アパート ２−913

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 対向配置された第１基板及び第２基板
    と、該第１基板と第２基板との間に形成された液晶層
    と、前記第１基板上に縦横に形成されて画素領域を定義
    する複数のゲート配線及びデータ配線と、前記画素領域
    内に一体に形成された画素電極と、前記ゲート配線と同
    一層に形成され、前記画素領域を囲むように形成された
    共通補助電極と、前記第１基板全体に形成されたゲート
    絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に第１基板全体に形成され
    た保護膜と、前記第２基板上に形成された遮光層と、該
    遮光層上に形成されたカラーフィルター層と、該カラー
    フィルター層上に形成された共通電極と、前記第１基板
    及び第２基板の少なくとも一方の基板上に形成された配
    向膜とからなるマルチドメイン液晶表示素子。
  2. 【請求項２】 前記保護膜の下で前記画素電極に連結さ
    れ、前記ゲート配線とオーバラップするように形成され
    たストレージ電極をさらに含むことを特徴とする請求項
    １記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  3. 【請求項３】 前記保護膜の下で前記画素電極に連結さ
    れ、前記共通補助電極とオーバラップするように形成さ
    れたストレージ電極をさらに含むことを特徴とする請求
    項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  4. 【請求項４】 前記画素電極が、前記共通補助電極とオ
    ーバラップするように形成されていることを特徴とする
    請求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  5. 【請求項５】 前記遮光層が、前記共通補助電極とオー
    バラップするように形成されていることを特徴とする請
    求項４記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  6. 【請求項６】 前記画素電極が、前記共通補助電極とオ
    ーバラップしていないことを特徴とする請求項１記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  7. 【請求項７】 前記遮光層が、前記画素電極とオーバラ
    ップしていることを特徴とする請求項６記載のマルチド
    メイン液晶表示素子。
  8. 【請求項８】 前記ゲート絶縁膜と保護膜とが、前記共
    通補助電極以外の領域に形成されていることを特徴とす
    る請求項６記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  9. 【請求項９】 前記共通補助電極が、前記共通電極と電
    気的に連結されていることを特徴とする請求項１記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  10. 【請求項１０】 前記画素電極上に電界歪曲用の誘電体
    構造物をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のマ
    ルチドメイン液晶表示素子。
  11. 【請求項１１】 前記共通電極上に電界歪曲用の誘電体
    構造物をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のマ
    ルチドメイン液晶表示素子。
  12. 【請求項１２】 前記画素電極が、その内部に電界誘導
    窓を有していることを特徴とする請求項１記載のマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  13. 【請求項１３】 前記保護膜が、その内部に電界誘導窓
    を有していることを特徴とする請求項１記載のマルチド
    メイン液晶表示素子。
  14. 【請求項１４】 前記ゲート絶縁膜が、その内部に電界
    誘導窓を有していることを特徴とする請求項１記載のマ
    ルチドメイン液晶表示素子。
  15. 【請求項１５】 前記共通電極が、その内部に電界誘導
    窓を有していることを特徴とする請求項１記載のマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  16. 【請求項１６】 前記カラーフィルター層が、その表面
    に電界誘導窓を有していることを特徴とする請求項１記
    載のマルチドメイン液晶表示素子。
  17. 【請求項１７】 前記カラーフィルター層上にオーバー
    コート層をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  18. 【請求項１８】 前記オーバーコート層が、その内部に
    電界誘導窓を有していることを特徴とする請求項１７記
    載のマルチドメイン液晶表示素子。
  19. 【請求項１９】 前記保護膜を構成する物質が、ベンゾ
    シクロブテン(BCB:BenzoCycloButene)、アクリル樹脂及
    びポリイミド化合物からなる一群から選択されることを
    特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶表示素
    子。
  20. 【請求項２０】 前記保護膜を構成する物質が、SiNx及
    びSiOxからなる一群から選択されることを特徴とする請
    求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  21. 【請求項２１】 前記共通補助電極を構成する物質が、
    酸化錫インジウム(ITO:indium tin oxide), Al, Mo, C
    r, Ta, Ti及びAl合金からなる一群から選択されること
    を特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶表示素
    子。
  22. 【請求項２２】 前記画素領域が、少なくとも二つの領
    域に分割され、前記液晶層の液晶分子が各領域上で互い
    に異なる駆動特性を示すことを特徴とする請求項１記載
    のマルチドメイン液晶表示素子。
  23. 【請求項２３】 前記配向膜が、少なくとも二つの領域
    に分割され、前記液晶層の液晶分子が各領域上で互いに
    異なる配向特性を示すことを特徴とする請求項１記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  24. 【請求項２４】 前記配向膜の領域の内で、少なくとも
    一つの領域が配向処理されていることを特徴とする請求
    項２３記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  25. 【請求項２５】 前記配向膜のいずれの領域も配向処理
    されていないことを特徴とする請求項２３記載のマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  26. 【請求項２６】 前記液晶層を構成する液晶が、陽又は
    陰の誘電率異方性を有する液晶であることを特徴とする
    請求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  27. 【請求項２７】 前記第１基板及び第２基板の少なくと
    も一方の基板上に陰性の一軸性フィルムがさらに形成さ
    れていることを特徴とする請求項１記載のマルチドメイ
    ン液晶表示素子。
  28. 【請求項２８】 前記第１基板及び第２基板の少なくと
    も一方の基板上に陰性の二軸性フィルムがさらに形成さ
    れていることを特徴とする請求項１記載のマルチドメイ
    ン液晶表示素子。
  29. 【請求項２９】 前記液晶層が、カイラルドパントを含
    むことを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶
    表示素子。
  30. 【請求項３０】 対向配置された第１基板及び第２基板
    と、該第１基板と第２基板との間に形成されている液晶
    層と、前記第１基板上に縦横に形成されて画素領域を定
    義する複数のゲート配線及びデータ配線と、前記画素領
    域内に一体に形成されている画素電極と、前記ゲート配
    線と同一層に形成され、前記画素電極を囲むように形成
    されている共通補助電極とからなるマルチドメイン液晶
    表示素子。
  31. 【請求項３１】 対向配置された第１基板及び第２基板
    と、該第１基板と第２基板との間に形成されている液晶
    層と、前記第１基板上に縦横に形成されて画素領域を定
    義する複数のゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート
    配電とデータ配線との交差点に形成されているL字薄膜
    トランジスタ(L-lined Thin Film Transistor)と、前記
    画素領域内に一体に形成されている画素電極と、前記ゲ
    ート配線と同一層に形成され、前記画素領域を囲むよう
    に形成された共通補助電極と、前記第１基板全体にわた
    って形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に第
    １基板全体にわたって形成された保護膜と、前記第2基
    板上に形成された遮光層と、該遮光層上に形成されたカ
    ラーフィルター層と、該カラーフィルター層上に形成さ
    れた共通電極と、前記第１基板及び第２基板の少なくと
    も一方の基板上に形成された配向膜とからなるマルチド
    メイン液晶表示素子。
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