FR2705845A1 - Filtre à ondes acoustiques de surface du type résonateur permettant de réduire l'amplitude d'une crête parasite. - Google Patents
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 title abstract description 28
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 58
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 244000045947 parasite Species 0.000 description 3
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Un but de l'invention est de réaliser un filtre à ondes acoustiques de surface du type résonateur qui offre une plus grande capacité de suppression en dehors de la bande passante en minimisant l'apparition d'une crête parasite non voulue. Le filtre SAW de type résonateur comprend plusieurs résonateurs SAW ayant chacun des réflecteurs (1) et (3) et un transducteur interdigité (2) et se connectant les uns avec les autres en série et en parallèle, où, dans au moins l'un des résonateurs SAW, en particulier dans au moins l'un des résonateurs SAW qui sont connectés en série avec un autre, le pas inter-électrodes lambdaR E F présent dans les réflecteurs (1) et (3) possède une valeur différente du pas inter-électrodes lambdaI D T présent dans les transducteurs interdigités (2).
Description
-1 La présente invention concerne un filtre à ondes acoustiques de surface
du type résonateur passe-bande, possédant une pluralité de résonateurs à ondes
acoustiques de surface connectés entre eux en série et en parallèle. Plus particu-
lièrement, l'invention concerne un filtre à ondes acoustiques de surface du type résonateur permettant de réduire la hauteur de signal d'une crête parasite qui provoque une détérioration de la capacité de suppression à l'extérieur de la bande passante et qui se produit plus spécialement à une fréquence située en dehors de la
bande passante.
Un filtre passe-bande haute fréquence connu comporte un résonateur à ondes acoustiques de surface (SAW) dans lequel des motifs d'électrodes différents sont formés en réflecteurs et un transducteur interdigité (IDI) sur un élément piézoélectrique. Avec le succès récent des téléphones mobiles et portatifs, est apparue une demande croissante pour des résonateurs SAW faisant fonction de filtres de
radiofréquence (RF) petits et minces.
De façon générale, un élément résonateur SAW comporte une paire de réflecteurs possédant chacun plusieurs électrodes réflectrices disposées suivant la forme d'une grille sur un substrat fait d'un matériau piézoélectrique ou d'un matériau magnétostrictif. Un IDT possédant de nombreuses paires d'électrodes du
type grille s'interposent entre les deux réflecteurs. La résonance qui résulte du va-
et-vient d'une onde acoustique de surface entre les deux réflecteurs est délivrée à un circuit électrique via des bornes d'entrée-sortie. Le pas entre électrodes réflectrices adjacentes, que l'on appelle le pas interélectrodes, dans le réflecteur sera défini par kREF, et le pas entre électrodes interdigitées adjacentes de l'IDT, qui est appelé le pas inter-électrodes, sera défini par XIDT. Les valeurs des pas interélectrodes sont déterminées en fonction de la fréquence de résonance. Dans l'élément résonateur SAW de la technique antérieure, XREF et XIDT ont une même valeur. Un filtre SAW qui a été, à ce jour, largement adopté, possède une structure transversale, ou bien ce que l'on peut appeler une structure en cascade dans laquelle des structures transversales sont disposées en cascade suivant deux étages. Par exemple, le brevet japonais publié avant examen (Kokai) n' 57-99813 décrit un filtre SAW transversal, et le brevet japonais publié avant examen (Kokai)
n 4-94208 décrit un filtre SAW en cascade. Dans chacun des filtres SAW repré-
sentés sur ces documents, des réflecteurs sont disposés de part et d'autre d'un IDT.
Un résonateur SAW doté d'une paire de bornes comporte un circuit équivalent qui est électriquement équivalent à un oscillateur à cristal. Comme cela est déjà connu, on peut réaliser un filtre du type résonateur en connectant les résonateurs SAW entre eux en série et en parallèle sous la forme d'une structure à plusieurs étages. Ainsi, le filtre du type résonateur est disponible dans divers modes en fonction des montages de connection. Dans un filtre du type résonateur utilisant fondamentalement des résonateurs SAW, chaque résonateur SAW doté d'une paire de bornes est traité comme un élément de réactance pur de manière
qu'on puisse utiliser un effet résonant. On peut donc limiter l'impédance apparais-
sant à l'une quelconque des fréquences dans la bande passante. Ceci supprime l'obligation d'un circuit d'adaptation externe et réalise des pertes d'insertion réduites. Le filtre du type résonateur se comporte comme un filtre passe-bande à bande étroite en raison du rapport de capacité généralement grand existant entre les résonateurs. Du fait de caractéristiques analogues à celles d'un filtre passe-bande à bande étroite, le filtre du type résonateur est utilisé comme filtre RF dans un téléphone mobile ou un téléphone portatif. Ainsi, le résonateur SAW possédant une paire de bornes et le filtre du type résonateur fonctionnant sur la base des résonateurs SAW diffèrent entre eux même en ce qui concerne la technique de conception. L'invention concerne un filtre du type résonateur composé de résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes. Ci-après, ce filtre du type résonateur composé de résonateurs SAW ayant chacun une paire de bomes sera
appelé un filtre SAW du type résonateur.
Le filtre SAW du type résonateur permet une grande liberté en ce qui concerne la fixation de constantes d'un résonateur distinct pour l'opération de conception ou pour la sélection d'une combinaison de résonateurs devant être connectés en série ou en parallèle entre eux. Ceci donne des pertes faibles et un rapport d'atténuation relativement grand pour les bandes coupées (c'est-à-dire les parties supprimées du spectre). Grâce à ces avantages, les filtres SAW du type
résonateur sont en train de prendre la place des filtres classiques.
Une des caractéristiques importantes d'un filtre passe-bande est sa capacité de suppression de bande coupée. La capacité de suppression de bande coupée indique dans quelle mesure des signaux ayant des fréquences situées à l'extérieur d'une bande passante peuvent être arrêtés, relativement à des signaux de
fréquence comprise dans la bande passante. Lorsqu'on emploie un filtre passe-
bande comme filtre RF en radiotélécommunications, si la capacité de suppression de bande coupée est petite, il peut se produire des interférences et d'autres problèmes. On souhaite donc ordinairement que la capacité de suppression de
bande coupée soit grande.
Dans un filtre SAW de type résonateur classique, une pointe, ou ce que l'on appelera une crête parasite, se produit à une certaine fréquence externe à la bande passante du fait de la structure du filtre. La crête parasite fait chuter la capacité de suppression de bande coupée ou fait monter le taux d'atténuation suivant la forme d'une pointe. Dans un équipement qui utilise le filtre SAW du type résonateur, lorsque la fréquence provoquant la crête parasite correspond à une fréquence qui doit être supprimée, la capacité de suppression se détériore dans une
mesure qui correspond à la hauteur de la crête parasite.
Lorsqu'un filtre SAW du type résonateur doit être employé, il faut adopter un filtre SAW de type résonateur qui offre une capacité élevée de suppression de toutes les fréquences des bandes coupées dans le cadre de l'hypothèse d'une détérioration de la capacité de suppression de bande coupée du fait de la crête parasite. Dans ce cas, l'apparition d'une crête parasite ne devrait pas poser de problème. Selon une autre possibilité, on réduit la hauteur de signal de la crête parasite en ajustant la combinaison ou le nombre d'étages de résonateurs SAW, possédant chacun une paire de bornes, à connecter entre eux en série ou en parallèle. Toutefois, il est très difficile de fabriquer un filtre SAW de type résonateur qui offre une capacité élevée de suppression de toutes les fréquences des bandes coupées. L'ajustement de la combinaison ou du nombre d'étages de résonateurs SAW ayant chacune une paire de bornes demande un travail
considérable et beaucoup de temps.
L'invention vise à résoudre les problèmes ci-dessus exposés. Un but de l'invention est de réaliser un filtre SAW de type résonateur qui offre une capacité supérieure de suppression en dehors de la bande passante en minimisant la
possibilité d'apparition d'une crête parasite non voulue.
Dans un filtre SAW de type résonateur selon l'invention, plusieurs résonateurs SAW ayant chacune une paire de bornes ainsi que des réflecteurs et un
transducteur interdigité (IDI) sont connectés entre eux en série et en parallèle.
Dans au moins un des résonateurs SAW, en particulier dans au moins un des résonateurs SAW possédant une paire de bornes et se connectant en série avec un autre, le pas inter-électrodes XREF dans les réflecteurs possèdent une valeur
différente du pas inter-électrodes kIDT dans les IDT.
Dans un filtre SAW de type résonateur selon le deuxième mode de l'invention, ce n'est que dans les résonateurs SAW qui, chacun, possèdent une paire de bornes et sont connectés en série avec un autre que le pas inter-électrodes XSREF des réflecteurs possède une valeur différente du pas inter-électrodes
kSIDT de l'IDT.
De plus, dans un filtre SAW de type résonateur du troisième mode de réalisation de l'invention, dans tous les résonateurs SAW, le pas interélectrodes XREF des réflecteurs possède une valeur différente du pas inter-électrodes XIDT
des IDT.
Pour un filtre SAW de type résonateur classique, le pas inter-
électrodes des réflecteurs de chaque résonateur SAW possédant une paire de
bornes est fixé à la même valeur que le pas inter-électrodes de l'IDT qu'il contient.
Au contraire, pour un filtre SAW de type résonateur selon l'invention, dans au moins un des résonateurs SAW, en particulier dans au moins un des résonateurs SAW qui, chacun, possèdent une paire de bornes et sont connectés en série avec un autre, le pas inter-électrodes XREF des réflecteurs est fixé à une valeur légèrement différente du pas interélectrodes XIDT des IDT. Il a été découvert que cette structure pouvait diminuer la hauteur d'une crête parasite. De plus, pour autant que la différence ait la valeur la plus petite possible qui peut réduire la hauteur d'une crête parasite, cette différence affecte peu les autres caractéristiques, notamment la caractéristique relative à l'intérieur de la bande passante. On peut donc utiliser un
processus de conception classique.
Dans des résonateurs SAW qui, chacun, possèdent une paire de bornes et sont connectés en parallèle avec un autre, lorsque le pas interélectrodes des réflecteurs est fixé à une valeur différente du pas interélectrodes des IDT, il devient difficile d'obtenir les caractéristiques de fréquence voulues. Ce n'est que dans les résonateurs SAW qui, chacun, possèdent une paire de bornes et sont connectés en série avec un autre que, par conséquent, les pas inter-électrodes sont fixés à des valeurs différentes. Toutefois, dans certaines conditions, même si les pas inter-électrodes sont fixés à des valeurs différentes dans les résonateurs SAW qui, chacun, possèdent une paire de bornes et sont connectés en parallèle avec un autre, on peut réduire la hauteur d'une crête parasite sans affecter d'autres
caractéristiques de fréquence.
Le brevet japonais publié avant examen (Kokai) n' 57-99813 cité ci- dessus a décrit un filtre SAW transversal dans lequel le pas inter- électrodes était, dans les réflecteurs, légèrement plus court que le pas inter-électrodes dans les IDT, ceci ayant pour but d'optimiser à la fois l'étroitesse de la résonance et la résistance pour la résonance. Toutefois, ce document décrit un filtre SAW -5 consistant d'un unique résonateur SAW, mais ne décrit pas le filtre SAW qui consiste en plusieurs résonateurs SAW. Par conséquent, le filtre SAW décrit dans le brevet japonais publié avant examen (Kokai) n' 57-99813 diffère du filtre SAW de type résonateur selon l'invention, même en ce qui concerne la technique de conception. Dans le filtre SAW de type résonateur, puisque la résistance est suffisamment basse pour la valeur de résonance, il n'est pas nécessaire de prendre des mesures pour optimiser à la fois l'étroitesse de la résonance et la résistance
pour la valeur de résonance.
La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise
à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: - les figures 1A à 1C présentent une structure de base d'un résonateur SAW; - les figures 2A et 2,B montrent respectivement les structures de deux types de résonateurs SAW classiques; -les figures 3A à 3C montrent des exemples d'un montage de connexion relatif à un filtre SAW de type résonateur; - la figure 4 montre l'apparition d'un signal parasite dans un filtre SAW de type résonateur classique; - la figure 5 montre un principe et une structure pour un filtre SAW de type résonateur selon l'invention; - la figure 6 est une vue de dessus montrant le montage général d'un filtre SAW de type résonateur du style SPSSP (o S et P signifient respectivement série et parallèle) commun à tous les modes de réalisation de l'invention; - la figure 7 montre la caractéristique de bande passante du premier mode de réalisation; - les figures 8A à 8C montrent la caractéristique de bande passante à une fréquence provoquant un signal parasite dans le deuxième mode de réalisation et au voisinage de cette fréquence; - les figures 9A à 9C montrent de manière simplifiée la variation générale de la caractéristique de bande passante qui résulte de la variation du pas entre électrodes adjacentes; et - les figures 10A à 10C montrent de manière simplifiée la variation de fréquence provoquant un signal parasite qui résulte de la variation du pas entre
électrodes adjacentes.
Avant de présenter une description détaillée des modes de réalisation
préférés de l'invention, on va décrire un filtre SAW de type résonateur selon la
technique antérieure ainsi que ses problèmes.
Les figures 1A à 1C montrent une structure de base pour un résonateur SAW. La figure 1A est une vue oblique montrant un élément résonateur SAW de façon simplifiée. La figure lB montre un motif d'électrodes. La figure 1C montre
le symbole utilisé pour un résonateur SAW.
Comme représenté sur les figures 1A et lB, un élément résonateur SAW normal comporte une paire de réflecteurs 1 et 3 possédant chacun plusieurs électrodes réflectrices disposées suivant la forme d'une grille sur un substrat 100 fait d'un matériau piézoélectrique. Un transducteur interdigité (IDI) 2 comportant de nombreuses paires d'électrodes du type écran s'interpose entre les réflecteurs 1 et 3. La résonance qui résulte du va-et-vient d'une onde acoustique de surface entre les réflecteurs 1 et 3 est délivrée à un circuit électrique via des bornes d'entrée-sortie 11 et 12. Le pas entre électrodes réflectrices adjacentes, qui est appelé le pas inter-électrodes, dans les réflecteurs 1 et 3 sera défini par XREF, et le pas entre électrodes interdigitées adjacentes, qui est appelé le pas inter-électrodes,
dans l'IDT 2 sera défini par.IDT. Les valeurs des pas inter-électrodes sont déter-
minées en fonction de la fréquence de résonance. Dans l'élément résonateur SAW
selon la technique antérieure, XREF et kIDT ont une même valeur.
L'élément résonateur SAW ci-dessus présenté est ordinairement
exprimé à l'aide du symbole représenté sur la figure 1C.
Un filtre SAW qui, à ce jour, a été largement adopté, possède une structure transversale, ou ce que l'on appelle une structure en cascade dans laquelle des structures transversales, sont placées en cascade en deux étages. Les figures 2A
et 2B montrent des exemples de motifs d'électrodes pour un filtre SAW classique.
La figure 2A montre un motif d'électrodes transversal. La figure 2B montre un motif d'électrodes en cascade. Les références 1 et 3 apparaissant de part et d'autre de la figure 2A ou de la figure 2B désignent des réflecteurs. Un IDT est placé au
centre. Comme illustré, des électrodes mises à la terre sont disposées en alternance.
Pour simplifier la représentation graphique, le nombre d'électrodes n'est pas très élevé. En réalité, un nombre extrêmement élevé d'électrodes est disposé sur le substrat. Un résonateur SAW doté d'une paire de bornes comprend un circuit équivalent qui est électriquement équivalent à un oscillateur à cristal. Comme cela est bien connu, on peut réaliser un filtre de type résonateur en connectant des résonateurs SAW en série et en parallèle les uns avec les autres, suivant la forme d'une structure à plusieurs étages. Les figures 3A à 3C montrent des exemples de dispositions des connexions pour des résonateurs SAW possédant une paire de bornes, dans un filtre SAW de type résonateur. La référence S désigne un résonateur SAW qui possède une paire de bornes et qui est connecté en série avec un autre. La référence P désigne un résonateur SAW qui possède une paire de bornes et qui est connecté en parallèle avec un autre. La figure 3A montre un montage SPSSP. La figure 3B montre un montage PSPSP. La figure 3C montre un montage SPSPSP. Ainsi, le filtre de type résonateur se présente suivant divers
modes selon la disposition des connexions.
Comme précédemment décrit, dans un filtre SAW de type résonateur, une pointe, ou ce que l'on appelle une crête parasite, se produit à une certaine fréquence extérieure à la bande passante, en raison de la structure du filtre. Cette crête parasite fait chuter la capacité de suppression des bandes coupées ou fait augmenter le taux d'atténuation suivant la forme d'une pointe. La figure 4 montre la présence d'une crête parasite provoquée par un résonateur SAW de type résonateur classique. La pointe de la figure 4 est une crête parasite. Comme illustré, le taux d'atténuation ne diminue pas beaucoup à la fréquence de la crête parasite. Dans un équipement utilisant le filtre SAW de type résonateur, lorsque la fréquence de la crête parasite correspond à une fréquence qui doit être supprimée, la capacité de suppression se détériore dans une mesure qui correspond à la hauteur
de la crête parasite.
La figure 5 est un schéma montrant un principe et une structure pour un filtre SAW de type résonateur selon l'invention. Comme représenté sur la figure 5, dans un filtre SAW de type résonateur selon l'invention, plusieurs résonateurs SAW possédant chacun une paire de bornes ainsi que des réflecteurs 1 et 3 et un IDT 2 sont connectés entre eux en série et en parallèle. Dans au moins l'un de résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes et se connectant chacun en série avec un autre, le pas inter-électrodes kSREF présent dans les réflecteurs 1 et 3 possède une valeur différente du pas inter-électrodes XSIDT présent dans les IDT2. Comme indiqué sur les figures 3A à 3C, le filtre SAW de type résonateur se présente sous diverses dispositions de connexions. L'invention peut s'appliquer à toutes ces dispositions. On va décrire des modes de réalisation dans lesquelles l'invention est appliquée à la disposition SPSSP présentée sur la
figure 3A.
La figure 6 est une vue de dessus d'un filtre SAW de type résonateur
selon le mode de réalisation de l'invention.
Sur la figure 6, la référence 100 désigne un substrat piézoélectrique sur lequel sont montés des éléments qui vont être décrits ci-dessous: 11 désigne un plot d'entrée; 12 désigne un plot de sortie; 13 et 14 désignent des plots de mise à la terre; et S1, S2 et S3 désignent des résonateurs SAW possédant chacun une paire de bornes et se connectant en série entre eux; P1 et P2 désignent des résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes et se connectant en parallèle avec l'autre. Dans ce mode de réalisation, le substrat 100 est un substrat de tantalate de lithium (LiTaO3) Y-X 36', dans lequel un signal d'ondes acoustiques de surface se propage suivant la direction X. Les électrodes sont faites d'une pellicule d'aluminium formée par pulvérisation. Cette disposition produit un filtre SAW de type résonateur SPSSP représenté sur la figure 3A. Chaque résonateur SAW possédant une paire de bornes comprend deux réflecteurs et un transducteur interdigité (IDT) placé entre les réflecteurs. Par exemple, le premier résonateur SAW, S1, possédant une paire de bornes et se connectant en série avec un autre est composé de réflecteurs 1-S1 et 3-S1 placés de part et d'autre d'un IDT 2-S1 placé au centre. Les motifs d'électrodes des réflecteurs et de l'IDT sont par exemple
comme représenté sur la figure 5.
Le premier mode de réalisation est un filtre SAW de type résonateur
qui est un filtre passe-bande dont la bande passante s'étend de 850 à 900 MHz.
Dans un filtre SAW de type résonateur classique, le pas inter-électrodes XSREF présent dans les réflecteurs des résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes et se connectant chacun en série avec un autre, le pas inter-électrodes XSIDT présent dans les IDT associés, le pas interélectrodes XPREF présent dans les réflecteurs de résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes et se connectant chacun en parallèle avec un autre, et le pas inter-électrodes XPIDT présent dans les IDT associés sont fixés à 4,42/nm. La caractéristique de passage (bande passante) du filtre SAW de type résonateur classique est tracée sous la forme d'un graphe comme représenté sur la figure 4. Au contraire, dans le filtre SAW de type résonateur selon ce mode de réalisation, seul le pas inter- électrodes XSREF présent dans les réflecteurs des trois résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes et se connectant chacun en série avec un autre est fixé à 4,38 [um. La figure 17 montre la caractéristique de passage du filtre SAW de type résonateur de ce mode de
réalisation.
Comme la comparaison entre les figures 7 et 4 le fait apparaître clairement, le graphe caractéristique du filtre SAW de type résonateur de ce mode de réalisation montre les mêmes courbes pour les fréquences de la bande passante et les fréquences supprimées que le graphe caractéristique du filtre classique, mais il ne comporte pas la crête parasite montant brusquement que l'on peut voir dans la caractéristique du filtre classique. Le taux d'atténuation absolu pour la fréquence de la crête parasite est d'environ 39 dB, soit environ 7 dB de plus que celui du filtre classique. Selon le deuxième mode de réalisation, dans le filtre SAW de type résonateur de la forme SPSSP présenté sur la figure 6, le pas inter-électrodes XPREF présent dans les réflecteurs des deux résonateurs SAW ayant chacun une
paire de bornes et se connectant chacun en parallèle avec l'autre et le pas inter-
électrodes XPIDT présent dans les IDT associés sont fixés à 4,60 /um. Le pas inter-
électrodes XSIDT présent dans les IDT des résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes et se connectant chacun en série avec un autre est fixé à 4,42 umn, et le pas inter-électrodes XSREF présent dans les réflecteurs associés est fixé à des valeurs décroissant graduellement, à savoir 4,40, 4,39 et 3,38 man. Les figures 8A à 8C montrent la variation de la crête parasite qui résulte de la diminution graduelle de la valeur de XSREF. La figure 8A montre la crête parasite apparaissant lorsque la valeur de XSREF est 4,40 /an. La figure 8B montre la crête parasite apparaissant lorsque la valeur de -SREF est 3,39 /m. La figure 8C montre la crête parasite apparaissant lorsque la valeur de XSREF est 3,38 /am. Les figures 8A à 8C sont des vues agrandies d'une partie de la figure 7 correspondant à une étendue de fréquence limitée, de manière à montrer avec plus de précision la variation de la crête
parasite.
Comme on peut le voir sur les figures 8A à 8C, plus est grande la différence entre le pas inter-électrodes XSIDT présent dans les IDT des résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes et se connectant chacun en série avec un autre et le pas inter-électrodes XSREF présent dans les réflecteurs associés, et plus
la hauteur de signal de la crête parasite est réduite.
On a décrit jusqu'ici les premier et deuxième modes de réalisation. On va maintenant indiquer la variation de la caractéristique de passage d'un filtre SAW de type résonateur dans lequel le pas inter-électrodes présent dans les IDT des résonateurs SAW est fixé à une valeur différente du pas inter-électrodes présent dans les réflecteurs associés. La variation de la caractéristique de passage a
été obtenue à l'aide d'une autre étude expérimentale.
Les figures 9A à 9C montrent de manière simplifiée la variation générale de la caractéristique de passage d'un filtre SAW de type résonateur dans lequel le pas inter-électrodes kSREF présent dans les réflecteurs de résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes et se connectant chacun en série avec un autre varie en fonction du pas inter-électrodes kSIDT présent dans les IDT associés. La figure 9A montre la caractéristique de passage d'un filtre SAW de type résonateur classique dans lequel la valeur de XSREF est égale à la valeur de kSIDT- La figure 9A montre l'apparition d'une crête parasite aiguë à une fréquence supérieure aux fréquences de la bande passante. La capacité de suppression est, pour cette fréquence, d'un niveau faible, indiquée en a. Ceci signifie qu'on n'obtient pas une suppression satisfaisante pour une fréquence située à l'extérieur de la bande passante. Ainsi, dans le filtre SAW de type résonateur classique, on augmente ou on modifie le nombre ou la combinaison de résonateurs SAW à connecter mutuellement en série et en parallèle dans le cadre de l'hypothèse selon laquelle une crête parasite peut se produire. On améliore ainsi la capacité de
suppression à l'extérieur de la bande passante.
La figure 9B montre la caractéristique de passage d'un filtre SAW de type résonateur selon l'invention, dans lequel la valeur de XSREF est différente de la valeur de XSIDT. Au contraire de la figure 9A, la figure 9B ne montre l'apparition d'aucune crête parasite aiguë. Lorsque la valeur XSREF est supérieure ou inférieure à la valeur de XSIDT, la hauteur de signal d'une crête parasite est diminuée. Par conséquent, lorsque la valeur de XSREF est différente de la valeur de XSIDT, le taux d'atténuation relatif à la bande de fréquence augmente de manière à
offrir une capacité élevée de suppression à l'extérieur de la bande passante.
Comme décrit précédemment, lorsque le pas inter-électrodes XPREF présent dans les réflecteurs 1 et 3 de résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes et se connectant chacun en parallèle avec un autre est fixé à une valeur différente du pas inter-électrodes XPIDT présent dans les IDT 2 associés, il devient presque impossible d'obtenir la caractéristique de fréquence voulue. De façon générale, il est plus pratique de rendre la valeur de XSREF différente de la valeur de XSIDT dans des résonateurs SAW connectés entre eux en série. Même lorsque la valeur de XpREF est différente de la valeur de XPIDT dans des résonateurs SAW connectés mutuellement en parallèle, si des conditions données sont satisfaites, l'apparition d'un signal parasite se révélera être minimisée sans pour autant que ceci entraîne une grande altération des autres caractéristiques de fréquence. Ces conditions sont telles que la valeur de XSREF est plus grande que la valeur de XSIDT dans tous Ies résonateurs SAW connectés entre eux en série, que la valeur de ^PREF est plus petite que la valeur de XPIDT dans tous les résonateurs SAW connectés mutuellement en parallèle, et que la valeur de XSREF est égale à la valeur de XPREF. La figure 9C montre la caractéristique de passage du filtre SAW de type résonateur pour les conditions ci-dessus définies. Comme on peut le voir sur la figure 9C, aucun signal parasite n'apparaît. La caractéristique de suppression associée à la fréquence est plus régulière que celle de la figure 9B. Toutefois, la
capacité de suppression globale est presque la même que celle de la figure 9B.
On va maintenant rapporter les variations de fréquence qui produisent un signal parasite, apparaissant lorsque le pas inter-électrodes XSREF présent dans les réflecteurs de résonateurs SAW ayant chacun une paire debornes et se connectant chacun en série avec un autre varie en fonction du pas inter-électrodes XSIDT présent dans les IDT associées. Les figures 10A à 10C montrent de manière simplifiée cette variation. Sur la figure 10A, la valeur de kSREF est plus petite que la valeur de XSIDT. Sur la figure 10B, la valeur de XREF est égale à la valeur de XSIDT. Sur la figure 10C, la valeur de XSREF est plus grande que la valeur de XSIDT. Comme indiqué ci-dessus, lorsque la valeur de XSREF diffère de la valeur de XSIDT, la hauteur de signal de la crête parasite diminue. Pour les besoins de la
description, les graphes sont tracés de façon à indiquer l'apparition du signal
parasite même lorsque la valeur de XSREF diffère de la valeur de XSIDT.
Si on la compare à la fréquence provoquant un signal parasite lorsque la valeur de XSREF est, comme représenté sur la figure 10B, égale à la valeur de kSIDT, la fréquence devient plus élevée lorsque la valeur de XSREF est plus petite que la valeur de XSIDT- Cette fréquence devient inférieure lorsque la valeur de
XSREF est plus grande que la valeur de XSIDT. On peut donc empêcher l'appari-
tion d'un signal parasite à une fréquence devant être supprimée en fixant une valeur
appropriée pour la valeur de XSREF par rapport à la valeur de XSIDT.
L'intervalle dans lequel la valeur de XSREF peut varier par rapport à la valeur de kSIDT sans grandement affecter les autres caractéristiques de fréquence (exception faite de la caractéristique concernant l'apparition d'un signal parasite) satisfait la condition 0,98XSIDT < XSREF < XSIDT, o la valeur de XSREF est plus petite que la valeur de XSIDT. Lorsque la valeur de XSREF est plus grande que la valeur de XSIDT, l'intervalle satisfait la condition
XSIDT < XSREF < 1,04XSIDT-
Comme décrit ci-dessus, selon la présente invention, on peut nette-
ment améliorer la capacité de suppression des bandes coupées en réduisant la - 12 hauteur de signal d'un signal parasite. De plus, on peut, dans une certaine mesure, changer arbitrairement la fréquence provoquant un signal parasite. Il est donc possible de produire une capacité élevée de suppression des bandes coupées à une fréquence qui est propre à un équipement employé. L'amélioration de la capacité de suppression des bandes coupées selon l'invention affecte à peine la caractéris- tique de passage classique. On peut donc utiliser, telles qu'elles sont, les techniques, y compris la technique de conception. Un filtre à ondes acoustiques de surface (SAW) de type résonateur selon l'invention peut donc être réalisé en
pratique au prix de peu d'efforts.
Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir du
filtre dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et
nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. - 13
Claims (8)
1. Filtre à ondes acoustiques de surface (SAW) du type résonateur comprenant: plusieurs résonateurs SAW connectés en série et en parallèle les uns avec les autres, qui ont chacun une paire de bornes ainsi que des réflecteurs (1, 3) et un transducteur interdigité (2), caractérisé en ce que, dans au moins un desdits résonateurs SAW, le pas entre électrodes adjacentes, qu'on appellera le pas inter-électrodes (?SREF), dans lesdits réflecteurs (1, 3) possède une valeur différente du pas entre électrodes
adjacentes, que l'on appellera pas inter-électrodes (XSIDT), dans lesdits transduc-
teurs interdigités (2).
2. Filtre SAW du type résonateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que, dans au moins un desdits résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes et se connectant chacun en série avec un autre, le pas inter-électrodes (kSREF) présent dans les réflecteurs (1, 3) possèdent une valeur différente du pas
inter-électrodes (XSIDT) présent dans les transducteurs interdigités (2).
3. Filtre SAW du type résonateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que c'est seulement dans des résonateurs SAW qui possèdent chacun une
paire de bornes et sont chacun connectés en série avec un autre, que le pas inter-
électrodes (kSREF) présent dans les réflecteurs (1, 3) possède une valeur différente
du pas inter-électrodes (XSIDT) présent dans les transducteurs interdigités (2).
4. Filtre SAW du type résonateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que, dans des résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes dans lesquels les pas inter-électrodes ont des valeurs différentes, le pas inter-électrodes
(.SREF) présent dans lesdits réflecteurs (1, 3) est plus court que le pas inter-
électrodes (XSIDT) présent dans lesdits transducteurs interdigités (2).
5. Filtre SAW du type résonateur selon la revendication 4, caractérisé en ce que, dans des résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes dans lesquels les pas inter-électrodes ont des valeurs différentes, le pas inter-électrodes (kSREF) présent dans lesdits réflecteurs (1, 3) et le pas inter-électrodes (XSIDT) présent dans lesdits transducteurs interdigités (2) ont la relation suivante:
0,98XSIDT < XSREF < XSIDT-
- 14
6. Filtre SAW du type résonateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que, dans des résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes dans lesquels les pas inter-électrodes ont des valeurs différentes, le pas inter-électrodes
(kSREF) présent dans lesdits réflecteurs (1, 3) est plus grand que le pas inter-
électrodes (kSIDT) présent dans lesdits transducteurs interdigités (2).
7. Filtre SAW du type résonateur selon la revendication 6, caractérisé en ce que, dans des résonateurs SAW ayant chacun une paires de bornes dans lesquels les pas inter-électrodes ont des valeurs différentes, le pas inter-électrodes (XSREF) présent dans lesdits réflecteurs (1, 3) et le pas inter-électrodes (XSIDT) présent dans lesdits transducteurs interdigités (2) ont la relation suivante:
XSIDT < XSREF < 1,041SIDT-
8. Filtre SAW du type résonateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que, dans tous les résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes, les pas inter-électrodes ont des valeurs différentes, et en ce que le pas inter-électrodes (XkSREF) présent dans lesdits réflecteurs (1, 3) des résonateurs SAW ayant chacun
une paire de bornes et se connectant chacun en série avec un autre, ledit pas inter-
électrodes (XSIDT) présent dans lesdits transducteurs interdigités (2) associés, le pas inter-électrodes (kPREF) présent dans lesdits réflecteurs (1, 3) de résonateurs SAW ayant chacun une paire de bornes et se connectant chacun en parallèle avec un autre, et le pas inter- électrodes (XPIDT) présent dans lesdits transducteurs interdigités (2) associés ont la relation suivante:
XSIDT < XSREF = IPREF < kPIDT.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5125775A JPH06338756A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 共振子型弾性表面波フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2705845A1 true FR2705845A1 (fr) | 1994-12-02 |
| FR2705845B1 FR2705845B1 (fr) | 1996-12-27 |
Family
ID=14918535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9403269A Expired - Fee Related FR2705845B1 (fr) | 1993-05-27 | 1994-03-21 | Filtre à ondes acoustiques de surface du type résonateur permettant de réduire l'amplitude d'une crête parasite. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6255916B1 (fr) |
| JP (1) | JPH06338756A (fr) |
| DE (1) | DE4408989C2 (fr) |
| FR (1) | FR2705845B1 (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022069545A1 (fr) * | 2020-10-01 | 2022-04-07 | Frec'n'sys | Dispositif résonateur |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0732805B1 (fr) * | 1995-03-15 | 2003-01-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Filtre à ondes acoustiques de surface |
| JP3614234B2 (ja) * | 1996-03-14 | 2005-01-26 | 沖電気工業株式会社 | 共振器型弾性表面波フィルタ |
| US6137380A (en) * | 1996-08-14 | 2000-10-24 | Murata Manufacturing, Co., Ltd | Surface acoustic wave filter utilizing a particularly placed spurious component of a parallel resonator |
| JP3224202B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2001-10-29 | 富士通株式会社 | 弾性表面波装置 |
| DE19730710C2 (de) | 1997-07-17 | 2002-12-05 | Epcos Ag | Oberflächenwellenakustikfilter mit verbesserter Flankensteilheit |
| JP3576367B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2004-10-13 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
| EP0940915B1 (fr) * | 1998-03-06 | 2007-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif à ondes acoustiques de surface et appareil de communication |
| JP3419339B2 (ja) * | 1999-03-11 | 2003-06-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、デュプレクサ、通信機装置 |
| JP2001313542A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分波器 |
| JP3685102B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2005-08-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、通信装置 |
| JP3826877B2 (ja) * | 2002-01-22 | 2006-09-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置およびそれを有する通信装置 |
| JP4056762B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2008-03-05 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
| EP1515436A3 (fr) * | 2003-08-29 | 2005-08-31 | Seiko Epson Corporation | Composant à ondes acoustiques de surface et équipement électronique avec le composant |
| JP4419732B2 (ja) * | 2003-09-02 | 2010-02-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
| JP4622860B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2011-02-02 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
| JP2005244669A (ja) | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波装置 |
| JP5356194B2 (ja) | 2009-11-30 | 2013-12-04 | 太陽誘電株式会社 | フィルタ、分波器、通信モジュール |
| JP6013829B2 (ja) * | 2012-08-17 | 2016-10-25 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波フィルタ、デュプレクサ及びモジュール |
| JP5810113B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2015-11-11 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | 弾性波共振器とこれを用いた弾性波フィルタおよびアンテナ共用器 |
| WO2016017730A1 (fr) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | 京セラ株式会社 | Élément à ondes élastiques, élément de filtre et dispositif de communication |
| US10998880B2 (en) * | 2016-03-31 | 2021-05-04 | Kyocera Corporation | Acoustic wave element and communication apparatus |
| US10601400B1 (en) | 2017-09-07 | 2020-03-24 | Government Of The United States As Represented By The Secretary Of The Air Force | Frequency tunable RF filters via a wide-band SAW-multiferroic hybrid device |
| US11070194B2 (en) | 2018-08-17 | 2021-07-20 | Qorvo Us, Inc. | Ladder-type surface acoustic wave device |
| US11658688B2 (en) * | 2019-05-01 | 2023-05-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Multiplexer with bulk acoustic wave filter and multilayer piezoelectric substrate filter |
| US11811390B2 (en) * | 2019-05-06 | 2023-11-07 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Resonator devices and methods of fabricating resonator devices |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2078042A (en) * | 1980-06-13 | 1981-12-23 | Nippon Telegraph & Telephone | Surface acoustic wave resonator |
| EP0186410A2 (fr) * | 1984-12-17 | 1986-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Résonateur à ondes acoustiques de surface |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4166258A (en) | 1974-08-29 | 1979-08-28 | International Business Machines Corporation | Thin-film integrated circuit with tank circuit characteristics and applications to thin-film filters and oscillators |
| JPS5619765A (en) | 1979-07-25 | 1981-02-24 | Ricoh Co Ltd | Ink viscosity detecting and controlling device |
| JPS5799813A (en) * | 1980-12-13 | 1982-06-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Surface acoustic wave resonator |
| JPS581850A (ja) | 1981-06-25 | 1983-01-07 | Ricoh Co Ltd | フロツピ−デイスクドライブ装置 |
| JPS61251223A (ja) * | 1985-04-27 | 1986-11-08 | Pioneer Electronic Corp | 弾性表面波共振子 |
| JPH0646692B2 (ja) * | 1986-01-10 | 1994-06-15 | 株式会社日立製作所 | 弾性表面波共振子 |
| JPS6388910A (ja) | 1986-10-02 | 1988-04-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JPS63119310A (ja) | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Nec Corp | 弾性表面波共振子 |
| US4829019A (en) | 1987-05-12 | 1989-05-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for increasing source/drain to channel stop breakdown and decrease P+/N+ encroachment |
| JPS643369A (en) | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Honda Motor Co Ltd | Oil feeding structure of power transmission |
| JPH0831770B2 (ja) * | 1987-12-25 | 1996-03-27 | 三菱電機株式会社 | 周波数弁別装置 |
| JPH071859B2 (ja) | 1988-03-11 | 1995-01-11 | 国際電気株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
| JPH01260911A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-18 | Hitachi Ltd | 弾性表面波共振器複合形フィルタ |
| JPH0270416A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-09 | Nissei Plastics Ind Co | プリプラ式射出成形機 |
| JPH02104120A (ja) | 1988-10-13 | 1990-04-17 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JPH02194714A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Toyo Commun Equip Co Ltd | リーキーｓａｗ共振子 |
| JPH033412A (ja) | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Kinseki Ltd | 圧電振動子およびその製造方法 |
| JPH0322703A (ja) | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Seiko Epson Corp | Ｓａｗ共振子 |
| JPH0322702A (ja) | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Seiko Epson Corp | Ｓａｗ共振子の電極構造 |
| JPH0380709A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-05 | Pioneer Electron Corp | 弾性表面波共振子 |
| JPH03261210A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-21 | Seiko Epson Corp | Ｓａｗ共振子 |
| JPH0334614A (ja) * | 1990-05-21 | 1991-02-14 | Toshiba Corp | 弾性表面波共振子 |
| JP2888493B2 (ja) | 1990-06-21 | 1999-05-10 | 株式会社村田製作所 | 縦型２重モード弾性表面波フィルタ |
| JPH0481823A (ja) | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Hitachi Ltd | 弾性表面波共振器複合型フィルタ |
| JPH0494208A (ja) * | 1990-08-09 | 1992-03-26 | Kinseki Ltd | Ｓａｗ共振器フィルタ |
| JP2645674B2 (ja) * | 1990-10-15 | 1997-08-25 | 国際電気株式会社 | 弾性表面波共振子 |
| JP3107392B2 (ja) * | 1990-11-30 | 2000-11-06 | 東洋通信機株式会社 | 縦結合二重モードリーキーｓａｗフィルタ |
| JPH04259109A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Seiko Epson Corp | ２ポートｓａｗ共振子 |
| JPH04275710A (ja) | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| US5212420A (en) * | 1991-09-03 | 1993-05-18 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for surface acoustic wave reflector grating |
| JP2800905B2 (ja) * | 1991-10-28 | 1998-09-21 | 富士通株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP5125775A patent/JPH06338756A/ja active Pending
-
1994
- 1994-03-16 DE DE4408989A patent/DE4408989C2/de not_active Revoked
- 1994-03-21 FR FR9403269A patent/FR2705845B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-02-07 US US08/598,137 patent/US6255916B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2078042A (en) * | 1980-06-13 | 1981-12-23 | Nippon Telegraph & Telephone | Surface acoustic wave resonator |
| EP0186410A2 (fr) * | 1984-12-17 | 1986-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Résonateur à ondes acoustiques de surface |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| M. HIKITA ET AL: "EXTENDED NEW-TYPE SAW-RESONATOR-COUPLED FILTERS USED IN DUPLEXER FOR JAPANESE CELLULAR RADIO", ELECTRONICS LETTERS, vol. 28, no. 22, 22 October 1992 (1992-10-22), STEVENAGE GB, pages 2057 - 2059, XP000320711 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022069545A1 (fr) * | 2020-10-01 | 2022-04-07 | Frec'n'sys | Dispositif résonateur |
| FR3114875A1 (fr) * | 2020-10-01 | 2022-04-08 | Frec'n'sys | Dispositif à résonateurs |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4408989C2 (de) | 1997-01-16 |
| DE4408989A1 (de) | 1994-12-01 |
| FR2705845B1 (fr) | 1996-12-27 |
| JPH06338756A (ja) | 1994-12-06 |
| US6255916B1 (en) | 2001-07-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |