JPH0322703A - Ｓａｗ共振子 - Google Patents
Ｓａｗ共振子Info
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- JPH0322703A JPH0322703A JP15713389A JP15713389A JPH0322703A JP H0322703 A JPH0322703 A JP H0322703A JP 15713389 A JP15713389 A JP 15713389A JP 15713389 A JP15713389 A JP 15713389A JP H0322703 A JPH0322703 A JP H0322703A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、弾性表面波を応用してなるＳＡＷ共振子に関
する。
する。
［従来の技Ｗｌ］
従来のＳＡＷ共振子の電極構造の一冥施例を第４図に示
す。図中の各部位の名称は、４０ｏが圧電体平板、４０
１はＩＤＴ，４０２は反射器，４０５と４０４は各々Ｉ
ＤＴの正負の交芝指電極，４０５と４０６等は反射器の
反射の動作をする導体ストリップ，４０７は前記導体ス
トリップの接続導体である。第４図は従来のＳＡＷ共振
子に於で、弾性表面波の励振と受信を行うＩＤＴ、（イ
ンターデジタルトランスジェーサの略）と１対の反射器
の片側の電極パターン１部を拡大して図示したものであ
る。水晶及びＬｉＴａ０３ ，ＬｉＮｂＯ，等の圧電材
を平板としてその表面を鏡面研摩した上にＡｔ，Ａｕ等
の導体金属膜を蒸着した後、フォトエッチング技術によ
りパターン形成して作られたのがＩＤＴ（１０１）と反
射器（１０２）である。ＩＤＴは導体幅がλ／４の交差
指電極を周期λ／４のピッチで配置してできる。但しλ
はＳＡＷ共振子が動作時に於て振動変位を生成する弾性
表面波の波長λである。λはＩＤＴ電極の幅の４倍とほ
ぼ等しい。第４図４０８にλ丁を示した。又点ＰとＳ間
の長さＬｇはＩＤＴと反射器［発明−が解決しようとす
る課題］ しかし前述の従来技術によるＳＡＷ共振子に於では、主
共振の他にもう一つ望まれない副共振が発生して、ＳＡ
Ｗ共振子を用いて、発振器及びフィルタを構成する際に
異常発振とか、フィルタの帯域外の動作減衰量が得られ
ないという問題点を有する。
す。図中の各部位の名称は、４０ｏが圧電体平板、４０
１はＩＤＴ，４０２は反射器，４０５と４０４は各々Ｉ
ＤＴの正負の交芝指電極，４０５と４０６等は反射器の
反射の動作をする導体ストリップ，４０７は前記導体ス
トリップの接続導体である。第４図は従来のＳＡＷ共振
子に於で、弾性表面波の励振と受信を行うＩＤＴ、（イ
ンターデジタルトランスジェーサの略）と１対の反射器
の片側の電極パターン１部を拡大して図示したものであ
る。水晶及びＬｉＴａ０３ ，ＬｉＮｂＯ，等の圧電材
を平板としてその表面を鏡面研摩した上にＡｔ，Ａｕ等
の導体金属膜を蒸着した後、フォトエッチング技術によ
りパターン形成して作られたのがＩＤＴ（１０１）と反
射器（１０２）である。ＩＤＴは導体幅がλ／４の交差
指電極を周期λ／４のピッチで配置してできる。但しλ
はＳＡＷ共振子が動作時に於て振動変位を生成する弾性
表面波の波長λである。λはＩＤＴ電極の幅の４倍とほ
ぼ等しい。第４図４０８にλ丁を示した。又点ＰとＳ間
の長さＬｇはＩＤＴと反射器［発明−が解決しようとす
る課題］ しかし前述の従来技術によるＳＡＷ共振子に於では、主
共振の他にもう一つ望まれない副共振が発生して、ＳＡ
Ｗ共振子を用いて、発振器及びフィルタを構成する際に
異常発振とか、フィルタの帯域外の動作減衰量が得られ
ないという問題点を有する。
第１０図には前記ＳＡＷ共振子の共振特性を横軸に周波
数、縦軸に共振子の通過電流工を用いて図示した。図中
に於で、周波＠ｆ１に於る大きな共振が主共振（１００
０）であり、周波数ｆ２の小さな共振（１ ００１ ’
Ｉが副共振であって副共振は不用なものである。ＳＡＷ
共振子の設計条件によっては、主共振と副共振は同等の
大きさとなる場合もある。これら２つの共振状態の発生
の原因を第８図と第９図を用いて説明する。第８図はＳ
ＡＷ共振子の前記ＩＤＴと反射器間の距ＧＭ Ｉ’ ｇ
”λ／４の場合であり、第９図はＬｇ＝λ／２の場合で
ある。いずれの図も、主共振と副共振状態での直列共振
周テ数ｆ＞−ｆｔに於るＳＡＷ共振子の振動変位状態を
弾性表面波がもつ応力波Ｆの状態で表わした。まず第８
図中、８００は圧電体平板、８０１と８０２は幅がほぼ
λ／４であるＩＤＴの交差指電極、さらに８０３，８０
４，８０５は反射器の導体幅がほぼλ／４の導体ストリ
ップである。実線８０６は主共振の応力波状態、破線８
０７は副共振の応力波状態である。次に第９図中、９０
０は圧電体平板、９０１と９０２は第８図と同様のＩＤ
Ｔの交差指電極、さらに９０３，９０４，９０５は同様
に反射器の導体ス｝ ＩＪップである。実線９０６が主
共振に対応する応力波の状態であり破線９０７が副共振
に対応する応力波の状態である。第８図及び第９図のい
ずれの場合にあっても副共振．は無視できない大きさで
発生する。そこで本発明はこのような問題点を解決する
もので、その目的とするところは、副共振がないが無視
できる程に小さいＳＡＷ共振子を製作し、単一スペクト
ルで安定なＳＡＷ発振器及び無スプリアスで通過帯域外
の動作減衰量の大きくとれるＳＡＷフィルタを市場に提
供することにある。
数、縦軸に共振子の通過電流工を用いて図示した。図中
に於で、周波＠ｆ１に於る大きな共振が主共振（１００
０）であり、周波数ｆ２の小さな共振（１ ００１ ’
Ｉが副共振であって副共振は不用なものである。ＳＡＷ
共振子の設計条件によっては、主共振と副共振は同等の
大きさとなる場合もある。これら２つの共振状態の発生
の原因を第８図と第９図を用いて説明する。第８図はＳ
ＡＷ共振子の前記ＩＤＴと反射器間の距ＧＭ Ｉ’ ｇ
”λ／４の場合であり、第９図はＬｇ＝λ／２の場合で
ある。いずれの図も、主共振と副共振状態での直列共振
周テ数ｆ＞−ｆｔに於るＳＡＷ共振子の振動変位状態を
弾性表面波がもつ応力波Ｆの状態で表わした。まず第８
図中、８００は圧電体平板、８０１と８０２は幅がほぼ
λ／４であるＩＤＴの交差指電極、さらに８０３，８０
４，８０５は反射器の導体幅がほぼλ／４の導体ストリ
ップである。実線８０６は主共振の応力波状態、破線８
０７は副共振の応力波状態である。次に第９図中、９０
０は圧電体平板、９０１と９０２は第８図と同様のＩＤ
Ｔの交差指電極、さらに９０３，９０４，９０５は同様
に反射器の導体ス｝ ＩＪップである。実線９０６が主
共振に対応する応力波の状態であり破線９０７が副共振
に対応する応力波の状態である。第８図及び第９図のい
ずれの場合にあっても副共振．は無視できない大きさで
発生する。そこで本発明はこのような問題点を解決する
もので、その目的とするところは、副共振がないが無視
できる程に小さいＳＡＷ共振子を製作し、単一スペクト
ルで安定なＳＡＷ発振器及び無スプリアスで通過帯域外
の動作減衰量の大きくとれるＳＡＷフィルタを市場に提
供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明のＳＡＷ共振子は次の各項を特徴とする。
（１１ 圧電体平板の表面上に、弾性表面波を送受す
るＩＤＴと、該ＩＤＴの両測に前記弾性表面波を反射す
る１対の反射器を形成してなるキャピティ型ＳＡＷ共振
子に於で、前記ＩＤＴは、弾性表面波の波長なλとして
周期λ／４の交差指電極からなりさらに前記反射器が周
期λ／２か又はλ／２とλ／４の反射構造体よりなるこ
と、 （２） また反射器の周期λ／２の反射構造体が、ほ
ぼλ／２幅の導体ストリップ群からなること、（３）
また反射器の周期λ／２の反射構造体が、ほぼλ／２
幅の圧電体表面上に形成された溝群の配列からなること
、 （４） またＩＤＴと反射器間の距離Ｌｇが弾性表面
波の波長をλとしてほぼＬｇ＝λ／４であること、 （５） またＩＤＴと反射器間の距離Ｌｇが弾性表面
波の波長をλとしてほぼＬｇ＝λ／２であること。
るＩＤＴと、該ＩＤＴの両測に前記弾性表面波を反射す
る１対の反射器を形成してなるキャピティ型ＳＡＷ共振
子に於で、前記ＩＤＴは、弾性表面波の波長なλとして
周期λ／４の交差指電極からなりさらに前記反射器が周
期λ／２か又はλ／２とλ／４の反射構造体よりなるこ
と、 （２） また反射器の周期λ／２の反射構造体が、ほ
ぼλ／２幅の導体ストリップ群からなること、（３）
また反射器の周期λ／２の反射構造体が、ほぼλ／２
幅の圧電体表面上に形成された溝群の配列からなること
、 （４） またＩＤＴと反射器間の距離Ｌｇが弾性表面
波の波長をλとしてほぼＬｇ＝λ／４であること、 （５） またＩＤＴと反射器間の距離Ｌｇが弾性表面
波の波長をλとしてほぼＬｇ＝λ／２であること。
［作用］
本発明の上記構成によれば、従来、反射器がもつ２つの
弾性表面波の反射状態を一つの状態のみとすることがで
き、結果としてＳＡＷ＃：．振子の共振状態を主共振の
みに単一化することができる。
弾性表面波の反射状態を一つの状態のみとすることがで
き、結果としてＳＡＷ＃：．振子の共振状態を主共振の
みに単一化することができる。
従来のＳＡＴ共振子が２つの共振状態をもつメカニズム
については第８図と第９図により説明できる。反射器に
於て弾性表面波の反射状態は、各反射動作を行う導体ス
｝ ＩＪップの端部が応力波の節となる様に反射される
ことである。従って、導体ストリップの２つの端部に対
応して２つの共振状態が発生する。本発明に於ては、反
射器の導体ストリップの幅を弾性表面波の波長λの１７
２とすることにより弾性表面波の応力波の節が反射動作
を行う導体ストリップの端部にくる状態を唯一に限定す
ることができる。その結果単一の共振状態のみを実現す
ることができる。
については第８図と第９図により説明できる。反射器に
於て弾性表面波の反射状態は、各反射動作を行う導体ス
｝ ＩＪップの端部が応力波の節となる様に反射される
ことである。従って、導体ストリップの２つの端部に対
応して２つの共振状態が発生する。本発明に於ては、反
射器の導体ストリップの幅を弾性表面波の波長λの１７
２とすることにより弾性表面波の応力波の節が反射動作
を行う導体ストリップの端部にくる状態を唯一に限定す
ることができる。その結果単一の共振状態のみを実現す
ることができる。
［実施例］
第１図は本発明のＳＡＷ共振子に於る電極パターンの詳
細図である。図中各部位の名称は、１００が圧電体平板
、１０１０１点鎖線内はＩＤＴ，１０２０１点鎖線内は
反射器、１０５と１０４は各々ＩＤＴの交差指電極の正
負電極、１０５と１０６等は反射器の反射動作をする導
体ストリップであり１０７は１０５と１０６等を接続す
るための接続導体である。前記ＩＤＴ１０１の交差指電
極の電極幅Ｗｔは、ＩＤＴに於て励振される弾性表面波
の波長λのほぼ１／４に設定し、さらに電極指間のピッ
チもほぼλ／４とする。この場合のＩＤＴの交差指電極
の周期は図中の１０８のλ丁となる。通例、λＴは前記
λに極めて近い値に設定する。次に、前記工ＩＮＴに於
て励振されて交差指電極に直交して左右に伝播する弾性
表面波を、反射して共振子とするための構造体が反射器
であるが、本発明に於ては、反射動作をする導体ストＩ
Ｊップの電極幅ＷＲを従来のλ／４に対してλ／２とし
て構成する。又導体ストリップ間のピクチもほぼλ／２
とする。さらに前記ＩＤＴと反射器間の距ｄＬｇをλ丁
の１７４としている。 （第１図点ＰとＳ間の長さ）。
細図である。図中各部位の名称は、１００が圧電体平板
、１０１０１点鎖線内はＩＤＴ，１０２０１点鎖線内は
反射器、１０５と１０４は各々ＩＤＴの交差指電極の正
負電極、１０５と１０６等は反射器の反射動作をする導
体ストリップであり１０７は１０５と１０６等を接続す
るための接続導体である。前記ＩＤＴ１０１の交差指電
極の電極幅Ｗｔは、ＩＤＴに於て励振される弾性表面波
の波長λのほぼ１／４に設定し、さらに電極指間のピッ
チもほぼλ／４とする。この場合のＩＤＴの交差指電極
の周期は図中の１０８のλ丁となる。通例、λＴは前記
λに極めて近い値に設定する。次に、前記工ＩＮＴに於
て励振されて交差指電極に直交して左右に伝播する弾性
表面波を、反射して共振子とするための構造体が反射器
であるが、本発明に於ては、反射動作をする導体ストＩ
Ｊップの電極幅ＷＲを従来のλ／４に対してλ／２とし
て構成する。又導体ストリップ間のピクチもほぼλ／２
とする。さらに前記ＩＤＴと反射器間の距ｄＬｇをλ丁
の１７４としている。 （第１図点ＰとＳ間の長さ）。
次に前述のＩＤＴ及び反射器の形成方法につき述べてお
く。まず、１００の圧電体平板は、水晶及びＬｉＴａＯ
，，ＬｉｍｂＯ，等の圧電材料を平板にスライスした後
その表面を鏡面研摩して仕上げる。次に前記圧電体平板
の表面上に、Ａｔ，Ａｕ ，Ｏｕ等の導体金属を蒸着又
はスパッタ等により薄膜形成した後フォトエッチング技
術により電極パターンを形成する。通例反射器の有する
導体ストリップの本数はｉｏｏ〜１０００本の多数の配
列となる。反射器に於る弾性表面波の反射原理は、弾性
表面波の伝播路上に周期的に配置された反射構造体（た
とえば導体ストリップ等）により圧電体表面と異なる反
射構造体の端部に於て音響インピーダンスに不整合が生
じて、わずかな波の反射が発生し、それらが多数集まる
ことによって、弾性表面波の全反射が生ずることになる
。弾性表面波は波の性質上、その波のエネルギーが表面
から１波長程度に局在するため、前述の音響インピーダ
ンスの不整合は圧電体平板の表面をわずかエッチング加
工して細長い溝をはって配列することによっても構成で
きる。
く。まず、１００の圧電体平板は、水晶及びＬｉＴａＯ
，，ＬｉｍｂＯ，等の圧電材料を平板にスライスした後
その表面を鏡面研摩して仕上げる。次に前記圧電体平板
の表面上に、Ａｔ，Ａｕ ，Ｏｕ等の導体金属を蒸着又
はスパッタ等により薄膜形成した後フォトエッチング技
術により電極パターンを形成する。通例反射器の有する
導体ストリップの本数はｉｏｏ〜１０００本の多数の配
列となる。反射器に於る弾性表面波の反射原理は、弾性
表面波の伝播路上に周期的に配置された反射構造体（た
とえば導体ストリップ等）により圧電体表面と異なる反
射構造体の端部に於て音響インピーダンスに不整合が生
じて、わずかな波の反射が発生し、それらが多数集まる
ことによって、弾性表面波の全反射が生ずることになる
。弾性表面波は波の性質上、その波のエネルギーが表面
から１波長程度に局在するため、前述の音響インピーダ
ンスの不整合は圧電体平板の表面をわずかエッチング加
工して細長い溝をはって配列することによっても構成で
きる。
第１１図はこの方法を本発明の例につき実施した反射器
の断面図である。図中、１１００は圧電体平板、１１０
１と１１０２等はＩＤＴの交差指電極、１１０３と１１
０４等は反射器として構成した輻λ／２の溝の配列であ
る。又長さＬｇはＩＤＴと反射器間の距離であってほぼ
λＴ／４ 又はλｔ ／ ２ の値をとっている。
の断面図である。図中、１１００は圧電体平板、１１０
１と１１０２等はＩＤＴの交差指電極、１１０３と１１
０４等は反射器として構成した輻λ／２の溝の配列であ
る。又長さＬｇはＩＤＴと反射器間の距離であってほぼ
λＴ／４ 又はλｔ ／ ２ の値をとっている。
次に第２図に本発明の他の実施例を示す。第２図は本発
明の第１図とＩＤＴ（２０１）と反射器（２０２）間の
距離ＬｇがＬレ＝λＴ／２ と異なる他は同じであるた
め説明は省略する。
明の第１図とＩＤＴ（２０１）と反射器（２０２）間の
距離ＬｇがＬレ＝λＴ／２ と異なる他は同じであるた
め説明は省略する。
次に第３図には本発明のＳＡＷ共振子に用いた反射器の
他の実施例を示した。図中、３ｏＯは圧電体平板、５０
１と３０２は両方とも反射器であるが、３０１は電極幅
と電極間ピッチがλ／２の反射器、一方５０２は電極幅
と電極間ピッチがλ／４の反射器である。又３０４と３
０５及び５０７と３０８等は反射動作する導体ストリッ
プであり、３０５と３０６等は導体ストリップを接続す
るための接続導体である。前記両反射器間の距離Ｌ日は
両反射器間にまたがって存在する振動変位の位相整合を
とるためにＬｓ＝λ／２ としてある。第３図の様にピ
ッチλ／２とλ／４を並用する理由は、ビッチλ／２の
反射器３０１０反射動作は波長λに対して２次モードの
反射となり若干反射性能が低下するため、ピクチλ／４
の反射器によりこの欠点を補う目的がある。このように
すれば、ＳＡＷ共振子の主共振のＱ値を大きく維持した
上に、副共振の大きさを小さく抑制することができる。
他の実施例を示した。図中、３ｏＯは圧電体平板、５０
１と３０２は両方とも反射器であるが、３０１は電極幅
と電極間ピッチがλ／２の反射器、一方５０２は電極幅
と電極間ピッチがλ／４の反射器である。又３０４と３
０５及び５０７と３０８等は反射動作する導体ストリッ
プであり、３０５と３０６等は導体ストリップを接続す
るための接続導体である。前記両反射器間の距離Ｌ日は
両反射器間にまたがって存在する振動変位の位相整合を
とるためにＬｓ＝λ／２ としてある。第３図の様にピ
ッチλ／２とλ／４を並用する理由は、ビッチλ／２の
反射器３０１０反射動作は波長λに対して２次モードの
反射となり若干反射性能が低下するため、ピクチλ／４
の反射器によりこの欠点を補う目的がある。このように
すれば、ＳＡＷ共振子の主共振のＱ値を大きく維持した
上に、副共振の大きさを小さく抑制することができる。
前述の第１０図の破線で示す副共振１００２はこうして
改善された共振特性を示した。
改善された共振特性を示した。
最後に本発明の実施例第１図，第２図及び第３図ＳＡＷ
共振子が共振状態にある際の振動変位の状態を弾性表面
波の応力波ｒの状態で示す。第５図，第６図，第７図は
それぞれ第１図，第２図，第３図に対応した振動変位に
供５応力波の状態である。図中、５００，６００及び７
００等は圧電体平板、５０１ ，５０２，６０１ ，６
０２はＩＤＴの交差指電極、５０３，５０４，６０５，
６０４及び７０１〜７０４等は反射器の導体ストリップ
である。主共振の振動に対応する応力波が実線の５０５
，６０５，７０５であり、副共振の振動に対応する応力
波を破線の５０６，６０６ ，７０７で示した。いずれ
の図に於てもピッチλ／２の反射器に於て、副共振の応
力波は反射のための導体ストリップの中央で節となる変
位状態を示し、反射器の反射位相条件を満足しないため
波の反射は生じない。従って波は透過して共振現象を呈
しない。第７図にあっては、副共振の応力波は７０５と
７０４等のλ／４の反射器部のみで反射される。
共振子が共振状態にある際の振動変位の状態を弾性表面
波の応力波ｒの状態で示す。第５図，第６図，第７図は
それぞれ第１図，第２図，第３図に対応した振動変位に
供５応力波の状態である。図中、５００，６００及び７
００等は圧電体平板、５０１ ，５０２，６０１ ，６
０２はＩＤＴの交差指電極、５０３，５０４，６０５，
６０４及び７０１〜７０４等は反射器の導体ストリップ
である。主共振の振動に対応する応力波が実線の５０５
，６０５，７０５であり、副共振の振動に対応する応力
波を破線の５０６，６０６ ，７０７で示した。いずれ
の図に於てもピッチλ／２の反射器に於て、副共振の応
力波は反射のための導体ストリップの中央で節となる変
位状態を示し、反射器の反射位相条件を満足しないため
波の反射は生じない。従って波は透過して共振現象を呈
しない。第７図にあっては、副共振の応力波は７０５と
７０４等のλ／４の反射器部のみで反射される。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、周期λ／２の反射構
造体を用いたことにより、ＳＡＷ共振子の主共振の応力
波のみ反射して単一スペクトルの共振子が実現できる。
造体を用いたことにより、ＳＡＷ共振子の主共振の応力
波のみ反射して単一スペクトルの共振子が実現できる。
さらに、周期λ／２とλ／４の反射構造体を並用すれば
、主共振のＱ値を高く維持して副共振の大きさを小さく
抑圧できることより、ＳＡＷ発振器に於て副共振での発
振を防ぐ他、ＳＡＷ共振子を多数接続してなるＳＡＷフ
ィルタの設計の自由度を増し、通過特性の改善が可能と
なり今後多くの利点がある。
、主共振のＱ値を高く維持して副共振の大きさを小さく
抑圧できることより、ＳＡＷ発振器に於て副共振での発
振を防ぐ他、ＳＡＷ共振子を多数接続してなるＳＡＷフ
ィルタの設計の自由度を増し、通過特性の改善が可能と
なり今後多くの利点がある。
１０３，１０４・・・・・・交差指電極１０５，１０６
・・・・・・導体ストリップ
・・・・・・導体ストリップ
第１図は本発明のＳＡＷ共振子の一実施例に於る電極パ
ターンの詳細図、第２図は本発明の他の実施例に於る第
１図と同様な図、第３図は本発明のＳＡＷ共振子が有す
る反射器の電極ノくターンの詳細図、第４図は従来のＳ
ＡＷ共振子の電極ノくターンの詳細図、第５図と第６図
及び第７図は本発明の第１図と第２図及び第３図が示す
共振時の応力波が示す変位状態図、第８図と第９図は従
来のＳＡＷ共振子が示す共振時の応力波が示す変位状態
図、第１０図はＳＡＴ共振子が示す共振特性図、第１１
図は本発明のＳＡＷ共振子が有する反射器構造体の断面
図である。 １ロ０・・・・・・・・・・・・・・・圧電体平板１
０ １ ・・・・・・・・・・・・・・・ 工 ＤＴ以
上
ターンの詳細図、第２図は本発明の他の実施例に於る第
１図と同様な図、第３図は本発明のＳＡＷ共振子が有す
る反射器の電極ノくターンの詳細図、第４図は従来のＳ
ＡＷ共振子の電極ノくターンの詳細図、第５図と第６図
及び第７図は本発明の第１図と第２図及び第３図が示す
共振時の応力波が示す変位状態図、第８図と第９図は従
来のＳＡＷ共振子が示す共振時の応力波が示す変位状態
図、第１０図はＳＡＴ共振子が示す共振特性図、第１１
図は本発明のＳＡＷ共振子が有する反射器構造体の断面
図である。 １ロ０・・・・・・・・・・・・・・・圧電体平板１
０ １ ・・・・・・・・・・・・・・・ 工 ＤＴ以
上
Claims (5)
- （１）圧電体平板の表面上に、弾性表面波を送受するＩ
ＤＴと、該ＩＤＴの両側に前記弾性表面波を反射する１
対の反射器を形成してなるキャビティ型ＳＡＷ共振子に
於て、前記ＩＤＴは、弾性表面波の波長をλとして周期
λ／４の交差指電極からなり、さらに前記反射器が周期
λ／２か又はλ／２とλ／４の反射構造体よりなること
を特徴とするＳＡＷ共振子。 - （２）反射器の周期λ／２の反射構造体が、ほぼλ／２
幅の導体ストリップ群からなることを特徴とする請求項
１記載のＳＡＷ共振子。 - （３）反射器の周期λ／２の反射構造体が、ほぼλ／２
幅の圧電体表面上に形成された溝群の配列からなること
を特徴とする請求項１記載のＳＡＷ共振子。 - （４）ＩＤＴと反射器間の距離Ｌｇが弾性表面波の波長
をλとしてほぼＬｇ＝λ／４であることを特徴とする請
求項１記載のＳＡＷ共振子。 - （５）前記ＩＤＴと反射器間の距離Ｌｇが弾性表面波の
波長をλとしてほぼＬｇ＝λ／２であることを特徴とす
る請求項１記載のＳＡＷ共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15713389A JPH0322703A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Ｓａｗ共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15713389A JPH0322703A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Ｓａｗ共振子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322703A true JPH0322703A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15642926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15713389A Pending JPH0322703A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Ｓａｗ共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322703A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6255916B1 (en) | 1993-05-27 | 2001-07-03 | Fujitsu Limited | Resonator-type surface-acoustic-wave filter for reducing the signal strength of a spurious peak |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP15713389A patent/JPH0322703A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6255916B1 (en) | 1993-05-27 | 2001-07-03 | Fujitsu Limited | Resonator-type surface-acoustic-wave filter for reducing the signal strength of a spurious peak |
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