DE69827092T2

DE69827092T2 - Zeilentreiberschaltung für eine Plasma Anzeigetafel

Info

Publication number: DE69827092T2
Application number: DE69827092T
Authority: DE
Inventors: Mitsushi Fukuroi-shi Shizuoka Kitagawa; Kenichiro Fukuroi-shi Shizuoka Hosoi
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 1997-08-29
Filing date: 1998-07-17
Publication date: 2005-09-08
Anticipated expiration: 2018-07-18
Also published as: EP0899709B1; US6211865B1; EP0899709A2; EP0899709A3; DE69827092D1; JP3582964B2; JPH1173156A

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Ansteuervorrichtung eines Plasmaanzeigefelds.
2. BESCHREIBUNG DES VERWANDTEN SACHSTANDES
Für eine Flachanzeigevorrichtung ist ein Plasmaanzeigefeld (nachstehend als ein PDP bezeichnet) eines AC (Wechselstrom-Entladung) Typs bekannt.
Obwohl das AC Typ Plasmaanzeigefeld eine Anzeige durch Zuführen von verschiedenen Impulsen an Zeilenelektroden und Spaltenelektroden ausführt, die so angeordnet sind, dass sie sich senkrecht zueinander kreuzen, gibt es ein Problem dahingehend, dass ein Transistor mit einer hohen Durchbruchspannung, der eine Potentialdifferenz von einer Energiequelle aushalten kann, in einer Impulserzeugungsschaltung verwendet werden muss.
Die US-A-5654728 offenbart eine Plasmaanzeigefeld-Ansteuerschaltung, bei der unterschiedliche Impulse an die Zeilenelektroden der Anzeige angelegt werden.
AUFGABE UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die Erfindung ist zum Lösen des voranstehend beschriebenen Problems durchgeführt worden und es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Ansteuervorrichtung eines Plasmaanzeigefelds bereitzustellen, bei der eine Vielzahl von Ansteuerimpulsen mit unterschiedlichen Polaritäten an die gleichen Zeilenelektroden eines PDP durch einen Transistor zugeführt werden können, der eine relativ niedrige Durchbruchspannung aufweist.
Gemäß eines ersten Aspekts der Erfindung ist eine Ansteuervorrichtung eines Plasmaanzeigefelds vorgesehen, wie im Anspruch 1 aufgeführt.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
In den Zeichnungen zeigen:
1 ein Diagramm, das einen schematischen Aufbau einer Plasmaanzeigevorrichtung zeigt;
2A bis 2F Diagramme, die Timings von Zeilenelektroden-Ansteuersignalen durch eine Ansteuervorrichtung in 1 zeigen;
3 ein Diagramm, das einen Aufbau einer herkömmlichen Impulsansteuerschaltung zum Erzeugen eines Rücksetzimpulses RPy und eines Aufrechterhaltungsimpulses IPy zeigt;
4A bis 4G Diagramme, die Timings von jeweiligen Gate-Signalen zeigen, wenn der Rücksetzimpuls RPy und der Aufrechterhaltungsimpuls IPy durch die herkömmliche Impulsansteuerschaltung erzeugt werden;
5 ein Diagramm, das einen gesamten Aufbau einer Plasmaanzeigevorrichtung mit einer Ansteuervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt;
6A bis 6F Diagramme, die Timings der Zeilenelektroden-Ansteuersignale durch die Ansteuervorrichtung in 5 zeigen;
7 ein Diagramm, das ein Konstruktionsbeispiel der Impulsansteuerschaltung auf Grundlage der Ansteuervorrichtung der Erfindung zeigt; und
8A bis 8I Diagramme, die Timings von jeweiligen Gate-Signalen zeigen, wenn der Rücksetzimpuls RPy und der Aufrechterhaltungsimpuls IPy durch die in 7 gezeigte Impulsansteuerschaltung erzeugt werden.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Ein Beispiel einer herkömmlichen Plasmaanzeigevorrichtung wird nun unter Bezugnahme auf die Zeichnungen vor einer Erläuterung einer Ausführungsform der Erfindung beschrieben.
1 ist ein Diagramm, das einen schematischen Aufbau einer Plasmaanzeigevorrichtung mit einer Ansteuervorrichtung zum Ansteuern des AC Typ PDPs zeigt.
In 1 sind in einem PDP 10 Zeilenelektroden Y₁ bis Y_n und Zeilenelektroden X₁ bis X_n, bei denen ein Paar von X und Y ein Zeilenelektrodenpaar entsprechend zu den Zeilen (den ersten bis n-ten Zeilen) eines Bildschirms konstruieren, gebildet. Ferner sind Spaltenelektroden D₁ bis D_m, die als Spaltenelektroden dienen, die diese Zeilenelektrodenpaare senkrecht kreuzen und den Spalten (den ersten bis m-ten Spalten) eines Bildschirms entsprechen, um so eine dielektrische Schicht und einen Entladungsraum einzubetten (sie sind nicht gezeigt), gebildet. In diesem Fall ist eine Entladungszelle an einem Kreuzungspunkt eines Zeilenelektrodenpaars (X, Y) und einer Spaltenelektrode D gebildet. Eine Ansteuervorrichtung 1 wandelt ein zugeführtes Videosignal in Pixeldaten von N Bits von jedem Pixel um, wandelt die Pixeldaten in m Pixeldatenimpulse bei jeder Zeile in dem PDP 10 um, und liefert die Impulse an die Spaltenelektroden D₁ bis D_m des PDPs 10. Ferner bildet die Ansteuervorrichtung 1 Zeilenelektroden-Ansteuersignale mit einem Rücksetzimpuls RPx, einem Rücksetzimpuls RPy, einem Priming-Impuls (Vorbereitungs-Impuls) PP, einem Scanimpuls SP, einem Aufrechterhaltungsimpuls IPx, einem Aufrechterhaltungsimpuls IPy und einem Löschimpuls EP bei Timings, wie in den 2A bis 2F gezeigt und liefert diese Signale an die Zeilenelektrodenpaare (Y₁ bis Yn, X₁ bis X_n des PDPs 10.
In den 2A bis 2F erzeugt die Ansteuervorrichtung 1 zunächst den Rücksetzimpuls RPx mit einer positiven Spannung und liefert diesen an sämtliche Zeilenelektroden X₁ bis X_n bzw. erzeugt gleichzeitig den Rücksetzimpuls RPy mit einer negativen Spannung und liefert diesen an die Zeilenelektroden Y₁ bis Y_n (Gesamtzurücksetzprozess).
Durch Zuführen der Rücksetzimpulse werden sämtliche Entladungszellen des PDPs 10 entladen und erregt, so dass geladene Partikel erzeugt werden. Nach Abschluss der Entladung werden Wandladungen einer vorgegebenen Größe gleichförmig in den dielektrischen Schichten von sämtlichen Entladungszellen gebildet.
Danach erzeugt die Ansteuervorrichtung 1 Pixeldatenimpulse DP₁ bis DP_m mit einer positiven Spannung entsprechend zu Pixeldaten von jeder Zeile und liefert sequentiell die Impulse an die Spaltenelektroden D₁ bis D_m an jeder Zeile. Ferner erzeugt die Ansteuervorrichtung 1 einen Scanimpuls SP, der jeweils eine negative Spannung und eine relativ kleine Impulsbreite aufweist, zu dem gleichen Timing wie demjenigen, bei dem die Pixeldatenimpulse DP₁ bis DP_m an die Spaltenelektroden DP₁ bis DP_m geliefert werden. Die Ansteuervorrichtung liefert sequentiell die Scanimpulse SP an die Zeilenelektroden Y₁ bis Y_n, wie in den 2C bis 2E gezeigt. Zu dieser Zeit tritt unter den Entladungszellen, die in den Zeilenelektroden existieren, an die die Scanimpulse SP geliefert wurden, die Entladung in der Entladungszelle auf, an die der Pixeldatenimpuls mit einer hohen Spannung zugeführt wurde, so dass die meisten Wandladungen verloren sind. Da keine Entladung in der Entladungszelle auftritt, an die der Pixeldatenimpuls nicht zugeführt wird, bleiben die Wandladungen wie sie sind. D. h., ob die Wandladungen in jeder Entladungszelle verbleiben oder nicht, wird in Übereinstimmung mit dem Pixeldatenimpuls bestimmt, der an die Spaltenelektrode geführt wird. Dies bedeutet, dass die Pixeldaten an jede Entladungszelle als Reaktion auf die Zuführung des Scanimpulses SP geschrieben worden sind. Die Ansteuervorrichtung 1 liefert Priming-Impulse PP mit einer positiven Spannung, wie in den 2C bis 2E gezeigt, an die Zeilenelektroden Y₁ bis Y_n unmittelbar bevor die Scanimpulse SP mit einer negativen Spannung an die Zeilenelektroden Y geliefert werden (Pixeldaten-Schreibprozess).
Durch die Zuführung der Priming-Impulse PP werden die geladenen Partikel, die durch den Gesamtrücksetzbetrieb erhalten wurden und zusammen mit dem Ablauf der Zeit verringert wurden, wieder in dem Entladungsraum PDPs 10 gebildet. Das Schreiben der Pixeldaten durch die Zuführung der Scanimpulse SP wird in einer Zeitperiode ausgeführt, während die geladenen Partikel existieren.
Die Ansteuervorrichtung 1 liefert kontinuierlich die Aufrechterhaltungsimpulse IPy mit der positiven Spannung jeweils an die Zeilenelektroden Y₁ bis Y_n und liefert sukzessive die Aufrechterhaltungsimpulse IPx mit der positiven Spannung an die Zeilenelektroden X₁ bis X_n zu Timings, die von den Zuführtimings der Aufrechterhaltungsimpulse IPy jeweils abweichen (Aufrechterhaltungsentladungsprozess).
Die Entladezelle, in der die Wandladungen bleiben wie sie sind, wiederholt die Entladungslichtemission und hält den Lichtemissionszustand für eine Zeitperiode aufrecht, während die Aufrechterhaltungsimpulse IPx und IPy alternierend zugeführt werden.
Die Ansteuervorrichtung 1 erzeugt die Löschimpulse EP mit der negativen Spannung und liefert diese gleichzeitig an die Zeilenelektroden Y₁ bis Y_n, wodurch die in jeder Entladezelle verbleibenden Wandladungen gelöscht werden (Wandladungs-Löschprozess).
3 ist ein Diagramm, das eine Konstruktion der Impulsansteuerschaltung zum Erzeugen des Rücksetzimpulses RPy und des Aufrechterhaltungsimpulses IPy unter den verschiedenen Ansteuerimpulsen zeigt.
In 3 wird ein p-Kanal Typ MOS (Metalloxyd-Halbleiter) Transistor Q1 in einer Aufrechterhaltungsimpuls-Erzeugungsschaltung 102 ausgeschaltet, wenn ein Logikpegel eines Gate-Signals GT1, das an seinen Gate-Anschluss geführt wird, gleich zu „1" ist. Wenn der Logikpegel des Gate-Signals gleich zu „0" ist, dann wird der MOS Transistor Q1 eingeschaltet und liefert ein Potential eines positivseitigen Anschlusses einer DC Energiequelle B1 an eine Leitung 2. Ein negativseitiger Anschluss der DC Energiequelle B1 ist mit der Masse verbunden. Ferner ist ein Kondensator C1, dessen eines Ende mit der Masse verbunden ist, für die Aufrechterhaltungsimpuls-Erzeugungsschaltung 102 vorgesehen. Ein n-Kanal Typ MOS Transistor Q2 wird ausgeschaltet, wenn ein Logikpegel eines Gate-Signals GT2, das an seinen Gate-Anschluss geführt wird, gleich zu „0" ist. Wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT2 gleich zu „1" ist, wird der Transistor Q2 eingeschaltet und liefert das elektrische Potential auf der Leitung 2 an ein anderes Ende des Kondensators C1 durch eine Diode D1 an eine Spule L1. Ein n-Kanal Typ MOS Transistor Q3 wird ausgeschaltet, wenn ein Logikpegel eines Gate-Signals GT3, das an seinen Gate-Anschluss geführt wird, gleich zu „0" ist. Wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT3 gleich zu „1" ist, dann wird der Transistor Q3 eingeschaltet und liefert das elektrische Potential, das an dem anderen Ende des Kondensators C1 erzeugt wird, auf die Leitung 2 über eine Diode D2 und eine Spule L2. Ein p-Kanal Typ MOS Transistor Q4 wird ausgeschaltet, wenn ein Logikpegel eines Gate-Signals GT4, das an seinen Gate-Anschluss geführt wird, gleich zu „1" ist. Wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT4 gleich zu „0" ist, dann wird der Transistor Q4 eingeschaltet und zieht das elektrische Potential auf der Leitung 2 in das Massepotential über eine Diode D3.
Ein n-Kanal Typ MOS Transistor Q5 in einer Rücksetzimpuls-Erzeugungsschaltung 103 wird ausgeschaltet, wenn ein Logikpegel eines Gate-Signals GT5, das an seinen Gate-Anschluss geführt wird, gleich zu „0" ist. Wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT5 O „1" ist, dann wird der MOS Transistor Q5 eingeschaltet und liefert ein elektrisches Potential an einem negativseitigen Anschluss einer DC Energiequelle B2 auf die Leitung 2 durch einen Widerstand R1. Ein positivseitiger Anschluss der DC Energiequelle B2 ist mit der Masse verbunden. Ein n-Kanal Typ MOS Transistor Q6 wird ausgeschaltet, wenn ein Logikpegel eines Gate-Signals GT6, das an seinen Gate-Anschluss geführt wird, gleich zu „0" ist. Wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT6 O „1" ist, dann wird der MOS Transistor Q6 eingeschaltet und zieht das elektrische Potential auf der Leitung 2 in das Massepotential durch eine Diode D4.
Die Dioden D1 bis D4 sind vorgesehen, um einen Umkehrstrom zu verhindern.
Die 4A bis 4G sind Diagramme, die jeweilige Zuführungstimings (Zeitgaben) der Gate-Signale GT1 bis GT6 zeigen, wenn die Rücksetzimpulse RPy bzw. Aufrechterhaltungsimpulse IPy, wie in den 2C bis 2E gezeigt, jeweils erzeugt werden.
Wie in 4E gezeigt, wird zunächst der MOS Transistor Q5 im Ansprechen auf das Gate-Signal GT5 auf dem Logikpegel „1" eingeschaltet. Ein negatives elektrisches Potential, das auf dem negativseitigen Anschluss der DC Energiequelle B2 erzeugt wird, wird deshalb an die Leitung 2 angelegt und der Rücksetzimpuls RPy mit einer negativen Spannung, wie in 4G gezeigt, wird erzeugt.
Wie in den 4A, 4B und 4C gezeigt, da der Logikpegel des Gate-Signals GT3 sequentiell auf „0"->„1"->„0" geschaltet wird, und der Logikpegel des Gate-Signals GT1 sequentiell auf „1"->„0"-> „1" geschaltet wird und ferner der Logikpegel des Gate-Signals GT2 sequentiell auf „0"->„1"->„0" geschaltet wird, wird der Aufrechterhaltungsimpuls IPy mit einer positiven Spannung, der in 4G gezeigt ist, erzeugt. D. h. im Ansprechen auf das Gate-Signal GT3 auf dem Logikpegel „1", wird der MOS Transistor Q3 eingeschaltet und der Strom in Übereinstimmung mit den Ladungen, die in dem Kondensator C1 angesammelt sind, fließt auf die Leitung 2 durch den MOS Transistor Q3, die Diode D2 und die Spule L2. Der Pegel des Zeilenelektrodenansteuersignals auf der Leitung 2 nimmt deshalb allmählich zu, wie in 4G gezeigt. Der MOS Transistor Q1 wird danach im Ansprechen auf das Gate-Signal GT1 auf dem Logikpegel „1" eingeschaltet. Das positive elektrische Signal auf dem positivseitigen Anschluss der DC Energiequelle B1 wird somit an die Leitung 2 angelegt und der Aufrechterhaltungsimpuls IPy mit einer positiven Spannung, wie in 4G gezeigt, wird erzeugt. Der MOS Transistor Q2 wird danach im Ansprechen auf das Gate-Signal GT2 auf dem Logikpegel „1" eingeschaltet, so dass der Strom in Übereinstimmung mit den Ladungen, die in dem PDP 10 geladen sind, in den Kondensator 1 durch den MOS Transistor Q2, die Diode D1 und Spule L1 fließt. Der Pegel des Aufrechterhaltungsimpulses IPy fällt allmählich ab, wie in 4G gezeigt, und zwar durch den Ladebetrieb des Kondensators C1.
Wie voranstehend erwähnt, erzeugen die Rücksetzimpuls-Erzeugungsschaltung 103 und die Aufrechterhaltungsimpuls- Erzeugungsschaltung 102 Ansteuerimpulse (den Rücksetzimpuls RPy, den Aufrechterhaltungsimpuls IPy), die unterschiedliche Polaritäten aufweisen, und diese Ansteuerimpulse werden auf die gemeinsame Leitung 2 zu unterschiedlichen Timings gelegt.
In der in 3 gezeigten Konstruktion werden die MOS Transistoren Q1 und Q5 seriell zwischen dem positivseitigen Anschluss der DC Energiequelle B1 und dem negativseitigen Anschluss der DC Energiequelle B2 verbunden. Ferner werden die MOS Transistoren Q2 (Q3) und Q5 seriell zwischen dem Kondensator C1 zum Erzeugen fast des gleichen elektrischen Potentials wie dasjenige des positivseitigen Anschlusses der DC Energiequelle B1 und des negativseitigen Anschlusses der DC Energiequelle B2 verbunden.
Demzufolge existiert ein Problem derart, dass für die MOS Transistoren Q1 bis Q3 und Q4, die in 3 gezeigt sind, Transistoren mit einer hohen Durchbruchspannung verwendet werden müssen, die eine Potentialdifferenz zwischen dem Potential auf dem positivseitigen Anschluss der DC Energiequelle B1 und dem negativseitigen Anschlusspotential der DC Energiequelle B2 aushalten können.
Eine Ausführungsform der Erfindung wird nun nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
5 ist ein Diagramm, das einen gesamten Aufbau einer Plasmaanzeigevorrichtung mit einer Ansteuervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt.
In 5 tastet ein A/D Wandler 11 ein zugeführtes Videosignal ab, wandelt es in Pixeldaten von N Bits für jedes Pixel um, und liefert sie in einen Speicher 13 hinein. Eine Feldansteuerungs-Steuerschaltung 12 erfasst ein horizontales Sync-Signal und ein vertikales Sync-Signal, die in dem Videosignal enthalten sind, und erzeugt verschiedene Signale, wie nachstehend erläutert werden wird, auf Grundlage von Erfassungstimings, und liefert sie an den Speicher 13, eine Zeilenelektroden-Ansteuereinheit 100 bzw. eine Spaltenelektroden-Ansteuereinheit 200.
Der Speicher 13 schreibt sequentiell die Pixeldaten im Ansprechen auf ein Schreibsignal, das von der Feldansteuerungs-Steuerschaltung 12 zugeführt wird. Der Speicher 13 liest ferner die Pixeldaten, die wie voranstehend beschrieben geschrieben werden, bei jeder Zeile eines PDP (Plasmaanzeigefelds) 20 im Ansprechen auf ein Lesesignal, das von der Feldansteuerungs-Steuerschaltung 12 zugeführt wird, und liefert diese an die Spaltenelektroden-Ansteuereinheit 200.
Die Zeilenelektroden Y₁ bis Y_n und die Zeilenelektroden X₁ bis X_n, bei denen ein Zeilenelektrodenpaar entsprechend zu jeder Zeile (der ersten Zeile bis zu der n-ten Zeile) eines Bildschirms durch ein Paar von X und Y konstruiert ist, sind in dem PDP 20 gebildet. Ferner sind Spaltenelekroden D₁ bis D_m, die als Spaltenelektroden dienen, die jeder Spalte (der ersten Spalten bis m-ten Spalte) eines Bildschirms entsprechen, so gebildet, dass sie die Zeilenelektrodenpaare kreuzen und eine dielektrische Schicht und einen Entladungsraum (nicht gezeigt) einbetten. In diesem Fall ist eine Entladungszelle an einem Überschneidungsabschnitt zwischen einem Zeilenelektrodenpaar (X, Y) und einer Spaltenelektrode D gebildet.
Die Spaltenelektroden-Ansteuereinheit 200 erzeugt die Pixeldatenimpulse DP₁ bis DP_m entsprechend zu jedem der Pixeldaten von einer Zeile, die von dem Speicher 13 zugeführt werden, und liefert diese Impulse an die Spaltenelektroden D₁ bis D_m des PDPs 20, wie in den 6A bis 6F gezeigt, im Ansprechen auf ein Pixeldatenimpulsanlegungs-Timingsignal, das jeweils von der Feldansteuerungs-Steuerschaltung 12 zugeführt wird.
Im Ansprechen auf verschiedene Timingsignale, die von der Feldansteuerungs-Steuerschaltung 12 zugeführt werden, erzeugt die Zeilenelektroden-Ansteuereinheit 100 ein Zeilenelektroden-X-Ansteuersignal mit dem Rücksetzimpuls RPx und dem Aufrechterhaltungsimpuls IPx, wie in 6B gezeigt, und liefert diesen gleichzeitig jeweils an die Zeilenelektroden X₁ bis X_n des PDPs 20. In Übereinstimmung mit den verschiedenen Timingsignalen, die von der Feldansteuerungs-Steuerschaltung 12 zugeführt werden, erzeugt die Zeilenelektroden-Ansteuereinheit 100 ein Zeilenelektroden-Y-Ansteuersignal mit dem Rücksetzimpuls RPy einer negativen Spannung, einem Priming-Impuls PP einer positiven Spannung, einem Scanimpuls SP einer negativen Spannung, einem Aufrechterhaltungsimpuls IPy einer positiven Spannung und einem Löschimpuls EP einer negativen Spannung, wie in den 6C bis 6E gezeigt, und liefert dieses jeweils an die Zeilenelektroden Y₁ bis Y_n des PDPs 20.
7 ist ein Diagramm, das eine Konstruktion einer Impulsansteuerschaltung zeigt, die eine Ausführungsform der Erfindung bildet.
Der p-Kanal Typ MOS (Metalloxyd-Halbleiter) Transistor Q1 in der Aufrechterhaltungsimpuls-Erzeugungsschaltung 120 wird ausgeschaltet, wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT1, das von der Feldansteuerungs-Steuerschaltung 12 zugeführt wird, gleich zu „1" ist. Wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT1 gleich zu „0" ist, dann wird der MOS Transistor Q1 eingeschaltet und das elektrische Potential auf dem positivseitigen Anschluss der DC Energiequelle B1 wird auf eine Leitung 150 angelegt. Der negativseitige Anschluss der DC Energiequelle B1 ist mit der Masse verbunden. Ferner weist die Aufrechterhaltungs-Impulserzeugungsschaltung 120 den Kondensator C1 auf, wobei ein Ende davon mit der Masse verbunden ist. Der n-Kanal Typ MOS Transistor Q2 wird ausgeschaltet, wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT2, das von der Feldansteuerungs-Steuerschaltung 12 zugeführt wird, gleich zu „0" ist.
Wenn der Logikpegel des Gate-Signals G72 gleich zu „1" ist, dann wird der MOS Transistor Q2 eingeschaltet und ein elektrisches Potential auf der Leitung 150 wird an das andere Ende des Kondensators C1 über die Diode D1 und die Spule L1 angelegt, wodurch der Kondensator C1 geladen wird. Der n-Kanal Typ MOS Transistor Q3 wird ausgeschaltet, wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT3, das von der Feldansteuerungs-Steuerschaltung 12 zugeführt wird, gleich zu „0" ist. Wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT3 gleich zu „1" ist, dann wird der MOS Transistor Q3 eingeschaltet und das elektrische Potential, das von dem anderen Ende des Kondensators C1 entladen wird, wird auf die Leitung 150 über die Diode D2 und die Spule L2 gelegt. Wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT4, das von der Feldansteuerungs-Steuerschaltung 12 zugeführt wird, gleich zu „1" ist, dann wird der p-Kanal Typ MOS Transistor Q4 ausgeschaltet. Wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT4 gleich zu „0" ist, dann wird der MOS Transistor Q4 eingeschaltet, wodurch das elektrische Potential auf der Leitung 150 in das Massepotential gezogen wird.
In 7 wird der n-Kanal Typ MOS Transistor Q5 in einer Rücksetzimpuls-Erzeugungsschaltung 150 ausgeschaltet, wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT5, das von der Feldansteuerungs-Steuerschaltung 12 zugeführt, gleich zu „0" ist. Wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT5 gleich zu „1" ist, dann wird der MOS Transistor Q5 eingeschaltet, wodurch das elektrische Potential auf dem negativseitigen Anschluss der DC Energiequelle B2 auf eine Leitung 400 durch den Widerstand R1 angelegt wird. Der positivseitige Anschluss der DC Energiequelle B2 ist mit der Masse verbunden. Ferner wird ein n-Kanal Typ MOS Transistor Q8 in der Rücksetzimpuls-Erzeugungsschaltung 150 ausgeschaltet, wenn der Logikpegel eines Gate-Signals GT8, das von der Feldansteuerungs-Steuerschaltung 12 zugeführt, gleich zu „0" ist. Wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT8 gleich zu „1" ist, wird der MOS Transistor Q8 eingeschaltet, wodurch ein elektrisches Potential auf der Leitung 400 in das Massepotential durch den Widerstand R2 gezogen wird.
Ein n-Kanal Typ MOS Transistor Q9, der als Schalteinrichtung dient, wird eingeschaltet, wenn der Logikpegel eines Gate-Signals GT9, das von der Feldansteuerungs-Steuerschaltung zugeführt wird, gleich zu „1" ist, wodurch die Leitungen 400 und 300 verbunden werden. In diesem Fall wird ein Zeilenelektroden-Ansteuersignal, das auf der Leitung 400 erzeugt wird, jeweils an die Zeilenelektroden Y₁ bis Y_n des PDTs 20 durch die Leitung 300 zugeführt. Wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT9 gleich zu „0" ist, dann wird der MOS Transistor Q9 ausgeschaltet, wodurch die Leitungen 400 und 300 getrennt werden.
Die 8A bis 8I sind Diagramme, die Zuführungstimings der Gate-Signale GT1 bis GT5 und der Gate-Signale GT7 bis GT9 zum Erzeugen des Rücksetzimpulses RPy und des Aufrechterhaltungsimpulses IPy jeweils in der in 7 gezeigten Konstruktion zeigen.
Wie in 8E gezeigt, wird zunächst der MOS Transistor Q5 in der Rücksetzimpulserzeugungsschaltung 150, die in 7 gezeigt ist, im Ansprechen auf das Gate-Signal GT5 auf dem Logikpegel „1" eingeschaltet. Das negative Potential, das auf dem negativseitigen Anschluss der DC Energiequelle B2 erzeugt wird, wird somit auf die Leitung 400 durch den MOS Transistor Q5 und den Widerstand R1 angelegt. Da das Gate-Signal GT9 auf dem Logikpegel „1" an den MOS Transistor Q9 zugeführt wird, der in 7 gezeigt ist, ist der MOS Transistor Q9 für diese Zeitperiode EIN. Das elektrische Potential, das auf die Leitung 400 gelegt wird, wird deshalb an die Leitung 300 über den MOS Transistor Q9 geführt und der Rücksetzimpuls RPy mit der negativen Spannung, wie in 8I gezeigt, wird an die Zeilenelektrode Y des PDPs 20 angelegt. Wie in den 8E und 8G gezeigt, wenn der Logikpegel des Gate-Signals GT5 von „1" auf „0" geschaltet wird und der Logikpegel des Gate-Signals GT8 von „0" auf „1" geschaltet wird, dann wird der MOS Transistor Q5 auf AUS geschaltet bzw. der MOS Transistor Q8 wird auf EIN geschaltet. Da der MOS Transistor Q8 auf EIN geschaltet wird, wird der Rücksetzimpuls RPy mit der negativen Spannung, der auf der Leitung 300 erzeugt wird, wie in 8I gezeigt, allmählich in das Massepotential hinein gezogen.
Für eine Zeitperiode, wenn der Rücksetzimpuls RPy der Zeilenelektrode Y des PDPs 20 durch die Leitung 400, den MOS Transistor Q9 und die Leitung 300 zugeführt wird, wird das Gate-Signal GT7 auf dem Logikpegel „1" an den MOS Transistor Q7 geführt. Für diese Periode sind deshalb die Leitungen 150 und 300, die als eine Ausgangsleitung der Aufrechterhaltungsimpuls-Erzeugungsschaltung 120 dienen, getrennt.
Wie in 8A, 8B und 8C gezeigt, da der Logikpegel des Gate-Signals GT3 sequentiell auf „0"-> „1"-> „0" geschaltet wird und der Logikpegel des Gate-Signals GT1 sequentiell auf „1"-> „0"-> „1" geschaltet wird und ferner der Logikpegel des Gate-Signals GT2 sequentiell auf „0"-> „1"-> „0" geschaltet wird, wird der Aufrechterhaltungsimpuls IPy mit der positiven Spannung, wie in 8I gezeigt, erzeugt. D. h., der MOS Transistor Q3 wird zunächst im Ansprechen auf das Gate-Signal GT3 auf dem Logikpegel „1" eingeschaltet und der Strom entsprechend zu den Ladungen, die in dem Kondensator C1 angesammelt werden, fließt auf die Leitung 150 durch den MOS Transistor Q3, die Diode D2 und die Spule L2. In diesem Fall, wie in 8F gezeigt, da das Gate-Signal GT7 auf dem Logikpegel „0" an den MOS Transistor Q7 geführt wird, wird der MOS Transistor Q7 eingeschaltet und die Leitungen 150 und 300 sind verbunden. Der Pegel des Zeilenelektroden-Ansteuersignals auf der Leitung 300 steigt demzufolge allmählich an, wie in 8I gezeigt. Danach wird der MOS Transistor Q1 im Ansprechen auf das Gate-Signal GT1 auf dem Logikpegel „1" eingeschaltet. Das positive Potential auf dem positivseitigen Anschluss der DC Energiequelle B1 wird deshalb auf die Leitung 300 durch die Leitung 150 und den MOS Transistor Q7 angelegt und der Aufrechterhaltungsimpuls IPy mit der positiven Spannung, wie in 8I gezeigt, wird erzeugt. Der MOS Transistor Q2 wird danach im Ansprechen auf das Gate-Signal GT2 auf dem Logikpegel „1" eingeschaltet. Der Strom gemäß der Ladungen, die in das PDP (Plasmaanzeigefeld) 20 geladen sind, fließt deshalb in den Kondensator C1 hinein, durch den MOS Transistor Q2, die Diode D1 und die Spule L1. Durch den Ladebetrieb des Kondensators C1, der voranstehend erwähnt wurde, fällt der Pegel des Aufrechterhaltungsimpulses IPy allmählich ab, wie in 8I gezeigt. Für eine Zeitperiode, wenn der Aufrechterhaltungsimpuls IPy an die Zeilenelektrode Y des PDPs 20 durch die Leitung 150, den MOS Transistor Q7 und die Leitung 300 angelegt wird, wird das Gate-Signal GT9 auf dem Logikpegel „1" an den MOS Transistor Q9 geführt. Für dieses Zeitintervall sind somit die Leitungen 400 und 300, die als eine Ausgangsleitung der Rücksetzimpuls-Erzeugungsschaltung 150 dienen, getrennt.
In der Impulsansteuerungsschaltung, die in 7 gezeigt ist, wird der MOS Transistor (Q7, Q9), der für wenigstens eine Zeitperiode, wenn jede Impulserzeugungsschaltung den Ansteuerimpuls erzeugt, eingeschaltet wird, für jede Ausgangsleitung der Impulserzeugungsschaltung (120, 140) vorgesehen.

Claims

Ansteuervorrichtung eines Plasmaanzeigefelds, umfassend eine Spaltenelektroden-Ansteuereinrichtung (200) zum Anlegen eines Pixeldatenimpulses entsprechend zu Pixeldaten an eine Vielzahl von Spaltenelektroden (D₁-D_m, die in einer ersten Richtung des Plasmaanzeigefelds angeordnet sind, und eine Zeilenelektroden-Ansteuereinrichtung (100) zum Anlegen eines ersten Impulses mit einer vorgegebenen Polarität und eines zweiten Impulses mit einer Polarität, die sich von der vorgegebenen Polarität unterscheidet, an eine Vielzahl von Zeilenelektroden (Y₁-Y_n), die in einer zweiten Richtung, senkecht zu der ersten Richtung, angeordnet sind und die Spaltenelektroden kreuzen, wobei die Elektroden-Ansteuereinrichtung (100) umfasst: eine erste Impulserzeugungseinrichtung (120) zum Erzeugen des ersten Impulses und zum Zuführen des ersten Impulses an eine erste Leitung (150) und eine zweite Impulserzeugungseinrichtung (140) zum Erzeugen des zweiten Impulses und zum Zuführen des zweiten Impulses an eine zweite Leitung (400), gekennzeichnet durch eine erste Schalteinrichtung (Q7) zum Verbinden und Trennen der ersten Leitung und der Zeilenelektroden (Y₁-Y_n); eine zweite Schalteinrichtung (Q8) zum Verbinden und Trennen der zweiten Leitung (400) und der Zeilenelektroden (Y₁-Y_n); eine Einrichtung zum Einschalten der ersten Schalteinrichtung (Q7), um die erste Leitung (150) und die Zeilenelektroden (Y₁-Y_n) für wenigstens eine Zeitperiode, wenn die erste Impulserzeugungsschaltung den ersten Impuls erzeugt, zu verbinden, und zum Ausschalten der ersten Schalteinrichtung (Q7), um die erste Leitung (150) und die Zeilenelektroden (Y₁-Y_n) für eine Zeitperiode, wenn die zweite Impulserzeugungsschaltung den zweiten Impuls erzeugt, zu trennen, und eine Einrichtung zum Einschalten der zweiten Schalteinrichtung (Q8), um die zweite Leitung (400) und die Zeilenelektroden (Y₁-Y_n) für wenigstens eine Zeitperiode, wenn die zweite Impulserzeugungsschaltung den zweiten Impuls erzeugt, zu verbinden, und zum Ausschalten der zweiten Schalteinrichtung (Q8), um die zweite Leitung (400) und die Zeilenelektroden (Y₁-Y_n) für eine Zeitperiode, wenn die erste Impulserzeugungsschaltung den ersten Impuls erzeugt, zu trennen.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Impulserzeugungsschaltung (120) eine erste DC Energiequelle (B1) zum Erzeugen eines positiven elektrischen Potentials und einen p-Typ MOS Transistor (Q1) zum Anlegen des positiven elektrischen Potentials an die erste Leitung (150), um den ersten Impuls zu erzeugen, aufweist, die zweite Impulserzeugungsschaltung eine zweite DC Energiequelle (B2) zum Erzeugen eines negativen elektrischen Potentials und einen n-Typ MOS Transistor (Q5) zum Anlegen des negativen elektrischen Potentials an die zweite Leitung, um den zweiten Impuls zu erzeugen, aufweist, die erste Schalteinrichtung ein p-Typ Transistor ist, der für wenigstens eine Zeitperiode, wenn die erste Impulserzeugungsschaltung (120) das positive elektrische Potential an die erste Leitung anlegt, eingeschaltet wird, wodurch die erste Leitung (150) und die Zeilenelektroden (Y₁-Y_n) verbunden werden, und die zweite Schalteinrichtung (Q8) ein n-Typ Transistor ist, der für wenigstens eine Zeitperiode, wenn die zweite Impulserzeugungsschaltung das negative elektrische Potential an die zweite Leitung (400) anlegt, eingeschaltet wird, wodurch die zweite Leitung und die Zeilenelektroden (Y₁-Y_n) verbunden werden.
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei der erste Impuls ein Aufrechterhaltungsimpuls einer positiven Spannung ist und der zweite Impuls ein Rücksetzimpuls einer negativen Spannung ist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste Impuls ein Aushalteimpuls ist und der zweite Impuls ein Rücksetzimpuls ist.