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DE69606942T2 - Verwendung von präkeramischen Polymeren als Klebstoffe für Elektronik - Google Patents

Verwendung von präkeramischen Polymeren als Klebstoffe für Elektronik

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DE69606942T2
DE69606942T2 DE69606942T DE69606942T DE69606942T2 DE 69606942 T2 DE69606942 T2 DE 69606942T2 DE 69606942 T DE69606942 T DE 69606942T DE 69606942 T DE69606942 T DE 69606942T DE 69606942 T2 DE69606942 T2 DE 69606942T2
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DE
Germany
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hydrogen silsesquioxane
silsesquioxane resin
substrate
integrated circuit
ceramic
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DE69606942T
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Clayton R. Bearinger
Robert Charles Camilletti
Grish Chandra
Theresa Eileen Gentle
Loren Andrew Haluska
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Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Verwendung von vorkeramischen Polymeren als Klebstoffe in der Elektronikindustrie. Diese Klebstoffe bilden sichere Verbindungen zwischen elektronischen Komponenten, die nicht der Zersetzung unterworfen sind.
  • Üblicherweise wurden elektronische Komponenten mit Substraten, wie Trägern oder Leiterplatten, durch metallische Lötmittel verbunden. Solche Lötmittel sind vorteilhaft, da sie hochfeste Bindungen mit exzellenter elektrischer und thermischer Leitfähigkeit bilden. Darüber hinaus werden solche Bindungen rasch zu niedrigen Kosten gebildet.
  • Die Verwendung von Lötmittel jedoch hat eine Anzahl von Nachteilen. Zum Beispiel wird Lötmittel im allgemeinen bei hohen Temperaturen aufgetragen, die entweder die elektronische Komponente oder das Substrat zerstören können. Darüber hinaus sind die Verfahren, die zur Auftragung dieser Lötmittel verwendet werden, sehr empfindlich, insofern, daß Temperaturkontrolle, Reinigung, Schmelzen usw. entscheidend sind, um Probleme wie Korrosion, schwache Verbindungen, Spannungsrisse und ähnliches zu vermeiden.
  • Um diese Probleme zu überwinden, wurden eine Anzahl von Alternativen auf Polymerbasis vorgeschlagen. Sie umfassen Materialien wie Epoxyharze, Acrylharze und Silicone, die mit leitfähigen Teilchen gefüllt werden und verwendet werden, um elektronische Komponenten mit Substraten zu verbinden. Diese Polymere haben den Vorteil von Härtung bei niedriger Temperatur, vereinfachter Verarbeitung und Bildung von starken, elektrisch leitfähigen Bindungen, die gegenüber Ermüdung und Schlag beständig sind.
  • Die Polymeralternativen haben zusätzliche Vorteile und Verwendungen in der Elektronikindustrie. Zum Beispiel können ungefüllte Polymere als Einbettverbindungen verwendet werden, um einfach große elektrische Komponenten an die Leiterplatte zu binden. Genauso können Polymere mit Materialien gefüllt werden, die exzellente thermische Leiter sind, um Wärme von temperaturempfindlichen Teilen abzuleiten.
  • Die Polymeralternativen jedoch haben auch Nachteile. Zum Beispiel sind Polymeranwendungstechniken empfindlich auf Faktoren wie Polymerkonzentration, Lösungsmittelart, Polymertemperatur und ähnliche. Darüber hinaus ist der Härtungsprozeß, der notwendig ist, um Polymere zu härten, empfindlich auf Faktoren wie Temperatur, Feuchtigkeit, Luftkonzentrationen und Verschmutzungen. Letztendlich sind die gehärteten Polymere oft empfindlich gegenüber erhöhten Temperaturen, die bei der nachfolgenden Verarbeitung der elektronischen Komponente zu finden sind.
  • Die Verwendung von vorkeramischen Polymeren als Klebstoffe ist im Stand der Technik auch bekannt. Zum Beispiel wurden solche Polymere verwendet, um eine Vielzahl von Materialien, wie Kunststoffe, keramische Materialien und ähnliche zu verkleben. Es war jedoch nicht bekannt, solche Materialien zu verwenden, um elektrische Komponenten mit Substraten zu verbinden.
  • Wir haben nun festgestellt, daß vorkeramische Polymere verwendet werden können, um sicher keramische Bindungen zwischen elektronischen Komponenten zu bilden.
  • Die vorliegende Erfindung führt ein Verfahren zum Verbinden einer elektronischen Komponente mit einem Substrat ein, umfassend:
  • Zurverfügungstellen eines Chips mit integriertem Schaltkreis und eines Substrats, ausgewählt aus einem Träger für einen Chip und einer Leiterplatte, wobei der Chip mit integriertem Schaltkreis und das Substrat jeweils eine Oberfläche aufweisen, um mit der anderen verbunden zu werden;
  • Aufbringen einer Schicht einer Zusammensetzung, die ein Wasserstoffsilsesquioxanharz enthält, zwischen die zu verbindenden Oberflächen;
  • Zusammenfügen der zu verbindenden Oberflächen, um eine Anordnung zu bilden, die den Chip mit integriertem Schaltkreis und das Substrat mit dem Wasserstoffsilsesquioxanharz dazwischen aufweist; und
  • Erwärmen der Anordnung auf eine Temperatur, die ausreicht, um das Wasserstoffsilsesquioxanharz in eine Keramik umzuwandeln.
  • Die vorliegende Erfindung führt auch ein Verfahren zum Verbinden einer elektronischen Komponente mit einem Substrat ein, umfassend:
  • Zurverfügungstellen eines Trägers für einen Chip mit integriertem Schaltkreis und einer Leiterplatte, wobei der Träger für den Chip mit integriertem Schaltkreis und die Leiterplatte jeweils eine Oberfläche aufweisen, um mit der anderen verbunden zu werden;
  • Aufbringen einer Schicht einer Zusammensetzung, die ein Wasserstoffsilsesquioxanharz enthält, zwischen die zu verbindenden Oberflächen;
  • Zusammenfügen der zu verbindenden Oberflächen, um eine Anordnung zu bilden, die den Träger für den Chip mit integriertem Schaltkreis und die Leiterplatte mit dem Wasserstoffsilsesquioxanharz dazwischen aufweist; und
  • Erwärmen der Anordnung auf eine Temperatur, die ausreicht, um das Wasserstoffsilsesquioxanharz in eine Keramik umzuwandeln.
  • Die vorliegende Erfindung basiert auf unserer unerwarteten Entdeckung, daß ein Wasserstoffsilsesquioxanharz verwendet werden kann, um eine keramische Bindung zwischen einer elektronischen Komponente und einem Substrat auszubilden. Diese Bindung ist leicht zu formen, sicher und nicht thermischer Zersetzung oder Zersetzung durch Umwelteinflüssen unterworfen.
  • Im wesentlichen umfaßt das Verfahren der vorliegende Erfindung die Anordnung einer Schicht aus einem Wasserstoffsilsesquioxanharz zwischen die elektrische Komponente und das Substrat, mit welcher sie verbunden werden soll, gefolgt von Erwärmung, um das Wasserstoffsilsesquioxanharz in eine Keramik umzuwandeln.
  • Wie in der vorliegenden Erfindung verwendet, sind "elektronische Komponenten" Chips mit integriertem Schaltkreis und Träger für Chips mit integriertem Schaltkreis. Die hierin verwendeten "Substrate" sind Leiterplatten und Träger für Chips.
  • Wasserstoffsilsesquioxanharze ("H-Harz") umfassen Hydridosiloxanharze der Formel HSi(OH)x(OR)yOz/2, in welcher jedes R unabhängig voneinander eine organische Gruppe oder eine substituierte organische Gruppe ist, die, wenn sie an Silicium über das Sauerstoffatom gebunden ist, einen hydrolysierbaren Substituenten bildet, x = 0-2 ist, y = 0-2 ist, z = 1-3 ist, x + y + z = 3. Beispiele von R umfassen Alkyle wie Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl, etc.; Aryle wie Phenyl; und Alkenyle wie Allyl oder Vinyl. Als solche können diese Harze vollständig kondensiert (HSiO3/2)n oder sie können nur partiell hydrolysiert (d. h. einige Si-OR enthaltend) und/oder partiell kondensiert (d. h. einige Si-OH enthaltend) sein. Obwohl dies nicht durch diese Struktur veranschaulicht wird, können diese Harze aufgrund unterschiedlicher Faktoren, die bei der Bildung oder Handhabung involviert sind, eine kleine Anzahl (d. h. weniger als 10%) von Siliciumatomen enthalten, die entweder 0 oder 2 Wasserstoffatome daran gebunden aufweisen.
  • Die obigen H-Harze und Verfahren zu ihrer Herstellung sind im Stand der Technik bekannt. Zum Beispiel lehrt US-Patent 3,615,272 die Herstellung eines nahezu vollständig kondensierten H-Harzes (das bis zu 100-300 ppm Silanol enthalten kann) mittels eines Verfahrens, das Hydrolyse von Trichlorsilan in einem Benzolsulfonsäurehydrathydrolysemedium und das Waschen des resultierenden Harzes mit Wasser oder wäßriger Schwefelsäure umfaßt. Genauso offenbart US-Patent 5,010,159 ein alternatives Verfahren, das die Hydrolyse von Hydridosilanen in Arylsulfonsäurehydrat-hydrolysemedium, um ein Harz zu bilden, das dann mit einem Neutralisationsmittel in Berührung gebracht wird, umfaßt.
  • Andere Hydridosilanharze, wie solche, die in US-Patent 4,999,397 beschrieben werden, solche, die durch Hydrolyse eines Alkoxy- oder Acyloxysilans in einem sauren alkoholischen Hydrolysemedium und solche, die in JP-As 59/178749, 60/86017 und 63/107122 beschrieben sind, oder jedes andere äquivalente Hydridosilan werden hierin auch funktionieren.
  • Falls gewünscht, können auch teilchenförmige Füllstoffe zu dem Wasserstoffsilsesquioxanharz gegeben werden, um die Eigenschaften der resultierenden Keramik zu modifizieren. Zum Beispiel können Metalle wie Gold, Silber, Platin, Aluminium, Kupfer und ähnliche zugesetzt werden, um die Keramik elektrisch leitfähig zu machen. Genauso können Füllstoffe wie die Oxide, Nitride, Boride und Carbide von unterschiedlichen Metallen und Nichtmetallen (z. B. Glas, Aluminiumoxid, Siliciumdioxid, Titandioxid, SiC, SiN, AlN, B&sub4;C, ZrB, ZrC usw.) zugesetzt werden, um die Eigenschaften und Charakteristika, wie thermische Leitfähigkeit, Viskosität des Polymers, Farbe usw., zu modifizieren. Solche Füllstoffe und deren Verwendungen sind im Stand der Technik bekannt. Im allgemeinen werden, falls Füllstoffe verwendet werden, diese in Mengen von 1-90 Gew.-% zugesetzt.
  • Noch andere Materialien können in der Beschichtungszusammensetzung der Erfindung vorliegen. Zum Beispiel können Haftvermittler wie Glycidoxypropyltrimethoxysilan, Mercaptopropyltrimethoxysilan und Vinyltriacetoxysilan oder Suspensionshilfen, die dem Fachmann bekannt sind, hierin in Mengen von 1-20 Gew.-% enthalten sein.
  • Eine Schicht des Wasserstoffsilsesquioxanharzes und jeglichen Füllstoffs wird zwischen die Oberfläche der elektronischen Komponente, die verbunden werden soll, und die Oberfläche des Substrats, das verbunden werden soll, aufgetragen. Dies wird in jeder gewünschten Art und Weise erreicht, aber ein bevorzugtes Verfahren umfaßt das Auflösen oder Dispergieren des Wasserstoffsilsesquioxanharzes in einem Lösungsmittel und Auftragen der Mischung auf die Oberfläche von entweder der elektronischen Komponente oder des Substrats durch eine Maßnahme wie Tropfendispersion, Tauchbeschichtung oder Flutbeschichtung, gefolgt von der Verdampfung des Lösungsmittels. Andere äquivalente Maßnahmen wie Schmelzbeschichtung werden auch als funktionsfähig angesehen.
  • Im allgemeinen werden dann die beiden Oberflächen, die verbunden werden sollen, mit der Schicht des Wasserstoffsilsesquioxanharzes dazwischen zusammengebracht. Falls gewünscht, kann Druck angewandt und gehalten werden, um die Komponente fester an das Substrat zu binden.
  • Das Wasserstoffsilsesquioxanharz wird dann typischerweise in eine Keramik umgewandelt, in dem es auf eine ausreichende Temperatur erhitzt wird. Im allgemeinen liegt die Temperatur abhängig von der Pyrolyseatmosphäre und dem Harz im Bereich von 50ºC bis 1000ºC. Bevorzugte Temperaturen liegen in dem Bereich von 50ºC bis 800ºC und bevorzugter 100ºC - 500ºC. Erhitzen wird im allgemeinen für eine Zeit durchgeführt, die zur Keramifizierung ausreicht, im allgemeinen bis zu 6 Stunden, wobei weniger als 3 Stunden bevorzugt sind (z. B. 5 Minuten bis 3 Stunden).
  • Das obige Erhitzen kann bei jedem effektiven Atmosphärendruck, von Vakuum bis überatmosphärisch, und unter jeder effektiven oxidierenden oder nichtoxidierenden gasförmigen Umgebung, die solche, wie Luft, O&sub2;, Ozon, ein Inertgas (N&sub2;, Ar, etc.), Ammoniak, Amine, Feuchtigkeit, N&sub2;O, H&sub2;, etc. enthalten, durchgeführt werden.
  • Jedes Verfahren zur Erhitzung, wie die Verwendung eines Umluftofens, rasche thermische Verarbeitung, Energie einer Heizplatte oder Strahlungs- oder Mikrowellenenergie ist hierin im allgemeinen funktionell. Weiterhin ist die Erhitzungsgeschwindigkeit auch nicht entscheidend, aber es ist am praktikabelsten und am meisten bevorzugt, so rasch wie möglich zu erhitzen.
  • Wenn das Erhitzen vollständig ist, bildet die Keramik eine starke Bindung zwischen elektronischer Komponente und dem Substrat. Diese Bindung kann in Abhängigkeit von jeglichen Füllstoffen oder Additiven, die verwendet wurden, eine Vielzahl von physikalischen und elektrischen Eigenschaften (leitfähig bis dielektrisch) aufweisen. Darüber hinaus ist die Verbindung widerstandsfähig gegenüber Beschädigung durch die Umgebung, Temperatur, Chemikalien und physikalische Manipulation.
  • Die folgenden, nicht beschränkenden Beispiele sind eingeschlossen, so daß der Fachmann die Erfindung leichter verstehen kann.
    • Beispiel 1
  • Wasserstoffsilsesquioxanharz, 12 g, hergestellt durch das Verfahren von US-Patent 3,615,272, 36 g Plasmaaluminiumoxid-Mikroballone (6 um), 3 g Glycidoxypropyltrimethoxysilan und 15 g Dimethylcyclosiloxane wurden gemischt, um einen Klebstoff in Form einer dicken Paste zu bilden. Aluminiumbleche, 2,5 cm · 7,5 cm · 0,16 cm wurden verwendet, um die Haftfestigkeit zu testen. Diese Bleche wurden mit Toluol gereinigt und dann 15 Minuten lang in ein UV-Ozonreinigungssystem gegeben. Danach wurden 15 ml der Klebstoffpaste in die Mitte eines der Bleche gegeben und ein zweites Blech wurde über Kreuz auf das erste Blech gegeben, um ein Kreuz mit einer Mittelfläche von 2,5 cm² zu ergeben, die die 2 Bleche miteinander verbindet. Ein 50-g-Gewicht wurde auf den Mittelbereich gegeben, und die verbundenen Bleche wurden bei 400ºC entweder 1 oder 4 Stunden lang pyrolysiert. Eine InstronTMTestmaschine mit einer 4,5-kg-Kraftmeßdose und einer Ziehgeschwindigkeit von 0,625 cm/min wurde verwendet, um die Klebstoffbindungsfestigkeit zu bestimmen. Die Ergebnisse sind wie folgt:
  • 400ºC / 1 Stunde 400ºC / 4 Stunden
  • Adhäsionsfestigkeit 322 g/cm² 420 g/cm² (Durchschnitt (Durchschnitt von 2 Proben) von 4 Proben)
  • (1 Probe > 700 g/cm²)
    • Beispiel 2
  • Wasserstoffsilsesquioxanharz, das nach dem Verfahren aus US-Patent 3,615,272 hergestellt wurde, wurde auf 10 Gew.-% in Toluol verdünnt. 500 ppm Platin, bezogen auf das Gewicht des H-Harzes, wurden zu der Lösung gegeben. Die Lösung wurde auf die unpolierte Seite eines Siliconwafers gegeben, und die unpolierte Seite eines zweiten Wafers wurde obenauf gelegt. Die verbundenen Wafer wurden 1,5 Stunden lang bei 400ºC pyrolysiert. Die beiden Wafer klebten sehr gut aneinander und konnten durch Anwendung von lateraler Kraft nicht auseinandergebrochen werden.
    • Beispiel 3
  • Wasserstoffsilsesquioxanharz, das nach dem Verfahren aus US-Patent 3,615,272 hergestellt wurde, wurde bis auf 10 Gew.-% in Toluol verdünnt. 50 ppm Platin, bezogen auf das Gewicht des H-Harzes, wurden zu der Lösung gegeben. Die Lösung wurde auf die polierte Seite von 4 Siliciumwafern gegeben, und die polierte Seite von 4 anderen Siliciumwafern wurden obenauf gelegt. Die verbundenen Wafer wurden 1,5 Stunden lang bei 400ºC pyrolysiert. 3 der 4 Wafersets klebten zusammen, und ein Waferset krachte und haftete nicht.

Claims (4)

1. Verfahren zum Verbinden einer elektronischen Komponente mit einem Substrat, umfassend:
Zurverfügungstellen eines Chips mit integriertem Schaltkreis und eines Substrats, ausgewählt aus einem Träger für einen Chip und einer Leiterplatte, wobei der Chip mit integriertem Schaltkreis und das Substrat jeweils eine Oberfläche aufweisen, um mit der anderen verbunden zu werden,
Aufbringen einer Schicht einer Zusammensetzung, die ein Wasserstoffsilsesquioxanharz enthält, zwischen die zu verbindenden Oberflächen,
Zusammenfügen der zu verbindenden Oberflächen, um eine Anordnung zu bilden, die den Chip mit integriertem Schaltkreis und das Substrat mit dem Wasserstoffsilsesquioxanharz dazwischen aufweist, und
Erwärmen der Anordnung auf eine Temperatur, die ausreicht, um das Wasserstoffsilsesquioxanharz in eine Keramik umzuwandeln.
2. Verfahren zum Verbinden einer elektronischen Komponente mit einem Substrat, umfassend:
Zurverfügungstellen eines Trägers für einen Chip mit integriertem Schaltkreis und einer Leiterplatte, wobei der Träger für den Chip mit integriertem Schaltkreis und die Leiterplatte jeweils eine Oberfläche aufweisen, um mit der anderen verbunden zu werden, Aufbringen einer Schicht einer Zusammensetzung, die ein Wasserstoffsilsesquioxanharz enthält, zwischen die zu verbindenden Oberflächen,
Zusammenfügen der zu verbindenden Oberflächen, um eine Anordnung zu bilden, die den Träger für den Chip mit integriertem Schaltkreis und die Leiterplatten mit dem Wasserstoffsilsesquioxanharz dazwischen aufweist, und
Erwärmen der Anordnung auf eine Temperatur, die ausreicht, um das Wasserstoffsilsesquioxanharz in eine Keramik umzuwandeln.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Wasserstoffsilsesquioxanharz weiterhin einen Füllstoff enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Anordnung in eine Keramik umgewandelt wird, indem sie auf eine Temperatur im Bereich zwischen 150 und 600ºC für einen Zeitraum zwischen 5 min und 6 h erhitzt wird.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10251317B4 (de) * 2001-12-04 2006-06-14 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69606942T2 (de) * 1995-09-25 2000-10-05 Dow Corning Corp., Midland Verwendung von präkeramischen Polymeren als Klebstoffe für Elektronik
US6472076B1 (en) * 1999-10-18 2002-10-29 Honeywell International Inc. Deposition of organosilsesquioxane films
US6761975B1 (en) * 1999-12-23 2004-07-13 Honeywell International Inc. Polycarbosilane adhesion promoters for low dielectric constant polymeric materials
AU2003232142A1 (en) * 2002-05-16 2003-12-02 Dow Corning Corporation Flame retardant compositions
AU2003250671A1 (en) * 2002-07-23 2004-02-09 Global Thermoelectric Inc. High temperature gas seals
KR100938376B1 (ko) * 2002-12-23 2010-01-22 에스케이케미칼주식회사 실리콘 중간체를 포함하는 플립 칩 본딩용 비도전성접착제 조성물
US6943058B2 (en) * 2003-03-18 2005-09-13 Delphi Technologies, Inc. No-flow underfill process and material therefor
US7281688B1 (en) * 2006-04-27 2007-10-16 The Boeing Company Materials for self-transpiring hot skins for hypersonic vehicles or reusable space vehicles
DE102007034609A1 (de) * 2007-07-25 2009-01-29 Robert Bosch Gmbh Fügeverfahren sowie Verbund aus mindestens zwei Fügepartnern
DE102009000888B4 (de) * 2009-02-16 2011-03-24 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Halbleiteranordnung
CN103222076B (zh) * 2010-11-18 2017-10-27 3M创新有限公司 包含聚硅氮烷接合层的发光二极管部件
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
US10014177B2 (en) 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
JP6770432B2 (ja) 2014-01-27 2020-10-14 コーニング インコーポレイテッド 薄いシートの担体との制御された結合のための物品および方法
SG11201608442TA (en) 2014-04-09 2016-11-29 Corning Inc Device modified substrate article and methods for making
JP2018524201A (ja) 2015-05-19 2018-08-30 コーニング インコーポレイテッド シートをキャリアと結合するための物品および方法
JP7106276B2 (ja) 2015-06-26 2022-07-26 コーニング インコーポレイテッド シート及び担体を有する物品及び方法
KR102387107B1 (ko) 2016-07-22 2022-04-15 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 세라믹 전구체로서의 중합체성 접착제 층
WO2018017554A1 (en) 2016-07-22 2018-01-25 3M Innovative Properties Company Siloxane-based adhesive layers as ceramic precursors
TW201825623A (zh) 2016-08-30 2018-07-16 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI810161B (zh) 2016-08-31 2023-08-01 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
FR3060601B1 (fr) * 2016-12-20 2018-12-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Composition adhesive et son utilisation dans l'electronique
US11999135B2 (en) 2017-08-18 2024-06-04 Corning Incorporated Temporary bonding using polycationic polymers
WO2019118660A1 (en) 2017-12-15 2019-06-20 Corning Incorporated Method for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets
JP7611757B2 (ja) 2021-04-26 2025-01-10 信越化学工業株式会社 ガラス質接着剤

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU714508A1 (ru) * 1977-12-06 1980-02-05 Предприятие П/Я В-8574 Токопровод ща композици
JPS54134744A (en) * 1978-04-11 1979-10-19 Toshiba Ceramics Co Heat resistant adhesive material
US4255316A (en) * 1979-04-26 1981-03-10 Dow Corning Corporation Ceramifiable silicone adhesives
JPS5767083A (en) * 1980-10-06 1982-04-23 Kurosaki Refractories Co Ceramic tube jointing structure and method
US4422891A (en) * 1981-06-16 1983-12-27 Dentsply Research & Development Corporation Vitrifiable adhesive process
JPS62233508A (ja) * 1986-03-31 1987-10-13 株式会社東芝 セラミツクス部材の連結構造体
US4808653A (en) * 1986-12-04 1989-02-28 Dow Corning Corporation Coating composition containing hydrogen silsesquioxane resin and other metal oxide precursors
US4849296A (en) * 1987-12-28 1989-07-18 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from metal oxides and hydrogen silsesquioxane resin ceramified in ammonia
US5073840A (en) * 1988-10-06 1991-12-17 Microlithics Corporation Circuit board with coated metal support structure and method for making same
US4943468A (en) * 1988-10-31 1990-07-24 Texas Instruments Incorporated Ceramic based substrate for electronic circuit system modules
US5336532A (en) * 1989-02-21 1994-08-09 Dow Corning Corporation Low temperature process for the formation of ceramic coatings
JPH03119087A (ja) * 1989-09-30 1991-05-21 Tonen Corp セラミックス及び／又は金属接着剤と用途
US5256487A (en) * 1989-12-08 1993-10-26 The B. F. Goodrich Company High char yield silazane derived preceramic polymers and cured compositions thereof
US4973526A (en) * 1990-02-15 1990-11-27 Dow Corning Corporation Method of forming ceramic coatings and resulting articles
US5262201A (en) * 1990-06-04 1993-11-16 Dow Corning Corporation Low temperature process for converting silica precursor coatings to ceramic silica coatings by exposure to ammonium hydroxide or an environment to which water vapor and ammonia vapor have been added
US5059448A (en) * 1990-06-18 1991-10-22 Dow Corning Corporation Rapid thermal process for obtaining silica coatings
US5407504A (en) * 1993-11-18 1995-04-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method for joining ceramic to ceramic or to carbon
US5530293A (en) * 1994-11-28 1996-06-25 International Business Machines Corporation Carbon-free hydrogen silsesquioxane with dielectric constant less than 3.2 annealed in hydrogen for integrated circuits
US5601675A (en) * 1994-12-06 1997-02-11 International Business Machines Corporation Reworkable electronic apparatus having a fusible layer for adhesively attached components, and method therefor
US5616202A (en) * 1995-06-26 1997-04-01 Dow Corning Corporation Enhanced adhesion of H-resin derived silica to gold
DE69606942T2 (de) * 1995-09-25 2000-10-05 Dow Corning Corp., Midland Verwendung von präkeramischen Polymeren als Klebstoffe für Elektronik

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10251317B4 (de) * 2001-12-04 2006-06-14 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip

Also Published As

Publication number Publication date
US5904791A (en) 1999-05-18
DE69606942D1 (de) 2000-04-13
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JPH09130065A (ja) 1997-05-16
KR970015702A (ko) 1997-04-28
EP0764704B1 (de) 2000-03-08
TW344937B (en) 1998-11-11

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