[go: up one dir, main page]

DE69323984T2 - Verwendung eines isolierenden Klebebandes, Leiterplatte und Halbleiteranordnung mit diesem Band - Google Patents

Verwendung eines isolierenden Klebebandes, Leiterplatte und Halbleiteranordnung mit diesem Band

Info

Publication number
DE69323984T2
DE69323984T2 DE69323984T DE69323984T DE69323984T2 DE 69323984 T2 DE69323984 T2 DE 69323984T2 DE 69323984 T DE69323984 T DE 69323984T DE 69323984 T DE69323984 T DE 69323984T DE 69323984 T2 DE69323984 T2 DE 69323984T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
bis
thermoplastic polyimide
aminophenoxy
range
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69323984T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69323984D1 (de
Inventor
Kenji Abe
Shigeo Kiba
Takayuki Kubo
Naoshi Mineta
Moritsugu Morita
Etsuo Ohkawado
Kimiteru Tagawa
Kenji Tanabe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP25993A external-priority patent/JP2866779B2/ja
Application filed by Mitsui Chemicals Inc filed Critical Mitsui Chemicals Inc
Publication of DE69323984D1 publication Critical patent/DE69323984D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69323984T2 publication Critical patent/DE69323984T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/303—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
    • H01B3/306—Polyimides or polyesterimides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E02—HYDRAULIC ENGINEERING; FOUNDATIONS; SOIL SHIFTING
    • E02B—HYDRAULIC ENGINEERING
    • E02B17/00—Artificial islands mounted on piles or like supports, e.g. platforms on raisable legs or offshore constructions; Construction methods therefor
    • E02B2017/0039—Methods for placing the offshore structure
    • E02B2017/0047—Methods for placing the offshore structure using a barge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal
    • Y10T428/31681—Next to polyester, polyamide or polyimide [e.g., alkyd, glue, or nylon, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31721—Of polyimide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung eines isolierenden Klebebandes, das als Material in der Elektronikindustrie verwendet wird, insbesondere die Verwendung eines Bandes mit guten elektrischen Isolier- und Hitzebeständigkeitseigenschaften, das durch Heißschmelzen verklebt werden kann, sowie Leiterplatten und Halbleitervorrichtungen, bei denen das Band zum Einsatz kommt.
  • Auf dem Gebiet der Halbleitervorrichtungen besteht durch die hochentwickelten Funktionen, die hohe Geschwindigkeit und den hohen Integrationsgrad die Tendenz, daß die IC-Chips immer größer werden und die von ihnen erzeugte Wärme steigt.
  • Die festgelegte Packungsgröße kann nicht flexibel geändert werden, ganz im Gegenteil, es wird verlangt zu miniaturisieren, selbst wenn die IC-Chips groß dimensioniert sein sollen. Daher besteht die Tendenz zu einem kleinen Zwischenraum zwischen dem IC- Chip und der Innenwandfläche der IC-Packung. Es ist zu Problemen hinsichtlich der Festigkeit und Zuverlässigkeit der in der Packung enthaltenen Leiterplatte gekommen.
  • Um diese Probleme zu überwinden, wird eine Technik vorgeschlagen und praktisch eingesetzt, bei der eine Leiterplatte am Unter- oder Oberteil eines IC-Chips angeordnet ist, wie in der JP-A-SHO-61-218139 (1986) und US-A-4.862.245 beschrieben.
  • Um mit der von einem IC-Chip in zunehmendem Maße erzeugten Wärme fertig zu werden, wurde eine Technik vorgeschlagen und praktisch eingesetzt, bei der ein Wärmeverteiler mit guter Wärmeleitfähigkeit und hoher Wärmekapazität vorgeschlagen und anstelle eines/einer Chip-Montageplättchens oder -vertiefung verwendet wird und der Wärmeverteiler unter Verwendung eines Isoliermaterials an inneren Leitern befestigt wird.
  • Bei dieser Vorrichtung wird ein isolierendes Klebeband verwendet, um zu verhindern, daß die Leiterplatte in direkten Kontakt mit einem IC-Chip oder Wärmeverteiler kommt.
  • Herkömmlicherweise wird ein solches isolierendes Klebeband gebildet, indem ein Kleberharz, wie z. B. Epoxyharz oder Acrylharz, auf einen Basisträgerfilm (ein isolierendes Substrat), wie z. B. einen Polyimid-Basisfilm, aufgebracht wird. Das Isolierband verklebt eine Leiterplatte mit einem IC-Chip oder Wärmeverteiler.
  • Dieses Verfahren weist insofern einen Nachteil auf, als im Epoxyharz oder Acrylharz enthaltene ionische Verunreinigungen bei Langzeiteinsatz eluiert werden, wodurch die auf dem IC-Chip ausgebildete Schaltung zerstört wird, so daß die Zuverlässigkeit der Halbleiter-Vorrichtungen sinkt.
  • Darüber hinaus wird, wenn Schnellkleben bei hohen Temperaturen erfolgt, um die Produktivität zu verbessern, eine chemische Komponente des Klebers teilweise verflüchtigt und verunreinigt die Oberfläche der Leiterplatte, des IC-Chips und des Wärmeverteilers, wodurch die Affinität für halbgeschmolzenes Metall an ihrer Oberfläche verringert und so die Zuverlässigkeit der Drahtkontakte beeinträchtigt wird, die einen IC-Chip elektrisch mit der Leiterplatte verbinden.
  • Wenn ein Kleber bei niedriger Temperatur gehärtet wird, um das obige Problem zu vermeiden, dauert das lange, was von industriellen Standpunkt zu ungenügender Produktivität führt.
  • Um diese Nachteile zu überwinden, schlagen die JP-A-HEI-2-15663 (1990) und HEI-2- 36542 (1990) vor, für ein Band einen Kleber der Amidreihe oder Imidreihe zu verwenden.
  • Nach der in der JP-A-HEI-2-15663 (1990) geoffenbarten Technik ist es jedoch notwendig, nachdem ein Band über einen Vertreter einer Reihe von halbhärtenden Polyimiden auf eine Leiterplatte aufgeklebt wurde, das Lösungsmittel zu entfernen und die Imidierungsreaktion vollständig ablaufen zu lassen. Da das freigesetzte Lösungsmittel und Wasser die Leiterplatte verunreinigen, ist in diesem Fall ein Schritt des Entfernens der Verunreinigungen notwendig, was zu unzureichender Produktivität führt.
  • Bei den Klebern für ein isolierendes Klebeband gemäß der Technik, die von der JP-A- HEI-2-36542 (1990) beschrieben wird, wird auf einer Oberfläche eines Bandes, die auf eine Leiterplatte aufgeklebt ist, ein Polyetheramid oder Polyetheramidimid verwendet, das ein thermoplastisches Polymer ist, während auf der anderen Oberfläche des Bandes, die an einem IC-Chip klebt, ein wärmehärtender Polyimid-Matrizenkleber oder Epoxy- Matrizenkleber verwendet wird.
  • Die US-A-4.862.245 offenbart allgemein ein Konzept, das vorsieht, eine Kleberschicht auf beiden Seiten einer α-Sperre, wie z. B. eines Polyimidfilms, auszubilden, um einen Halbleiter-Chip und eine Leiterplatte zu fixieren, wobei die Kleberschicht aus einem Material gebildet ist, das aus Epoxy, Acryl, Silikon, Polyimid und silikonhältigem Polyimid ausgewählt ist. Es wird beschrieben, daß eine Kleberschicht, die aus der aus Acryl und Epoxy bestehenden Gruppe ausgewählt ist, für die zweite Kleberschicht auf der Leiterplatte besonders bevorzugt ist. Die Veröffentlichung nach dem Stand der Technik beschreibt zwar Polyimid allein, nicht aber die Arten der Polyimidkleber und die Vorteile jedes Polyimids. Es ist nicht klar, von welcher Art und Molekülstruktur die optimalen Kleber sind.
  • Die US-A-4.543.295 schlägt einen Polyimid-Kleberfilm vor, der sich von den obengenannten isolierenden Klebebändern vollkommen unterscheidet. Der Film wird beispielsweise gebildet, indem ein thermoplastisches Polyimid auf beide Flächen eines Polyimidfilms aufgebracht wird, und kann verwendet werden, um Metall und Polyimidfilm zu verkleben.
  • Dieses Band kann eine Leiterplatte, einen Wärmeverteiler für eine Halbleiter-Vorrichtung und einen IC-Chip mit einem Polyimid-Pufferüberzug verkleben. Es kann möglicherweise die Nachteile verringern, die es beim obigen isolierenden Klebeband zu be seitigen gilt: ionische Verunreinigungen, flüchtige Komponenten und Wasserabsorption, die beim Verkleben erzeugt werden.
  • Diese Beschreibung besagt, daß alle Arten von thermoplastischem Polyimid verwendet werden können. Die beispielhaft angeführten Polyimide sind jedoch nur LARC-2, LARC- 3 und LARC-4, die eine Glastemperatur von 247ºC, 269ºC bzw. 297ºC aufweisen. Weiters sind diese Kleber relativ spröde. Nachdem angeführt ist, daß die Temperatur im Bereich von 340 bis 370ºC und der Druck im Bereich von 3 bis 21 kg/cm² liegt und eine geeignete Zeit 5 min beträgt, dauert das Verkleben unter den Klebebedingungen unvorteilhaft lange.
  • Bemerkenswerte Fortschritte auf dem Gebiet der modernen Halbleitertechnik und die Notwendigkeit zu sehr hoher Produktivität stellen immer höhere Anforderungen an die Produktivität und die physikalischen Eigenschaften, wie z. B. Haftfestigkeit. Beispielsweise ist es erforderlich, daß die Klebezeit (die zum Verkleben erforderlich Zeit) üblicherweise nicht mehr als 10 s, vorzugsweise nicht mehr als 3 s, beträgt.
  • In einigen Fällen ist ein Halbleiter-Chip nicht mit Polyimid beschichtet, sondern nur mit einem Keramikmaterial, wie z. B. Siliziumnitrid, oder Glas, wie z. B. Phosphorglas, abgedeckt.
  • Unter diesen Bedingungen ist die Haftfestigkeit von LARC-2, LARC-3 und LARC-4 am Halbleitermaterial nicht ausreichend.
  • Beispielsweise wurde ein Klebeband aus LARC-2 unter folgenden Bedingungen auf 42 NiFe-Legierungsfolie, bei der es sich um ein Leiterplatten material für Halbleiter-Vorrichtungen handelt, aufgeklebt: Temperatur 370ºC, Druck 21 kg/cm², Heißverklebezeit 5 s. Die Ablösefestigkeit des resultierenden Bandes betrug etwa 0,5 kg/cm. Durch Ausdehnung der Heißverklebezeit auf 5 min wurde eine Ablösefestigkeit von 1,5 kg/cm erzielt.
  • Es versteht sich von selbst, daß die Haftfestigkeit zwischen einem Basisträgerfilm und einem Kleber für isolierende Kleberfilme wichtig ist. Es ist jedoch noch kein thermoplastischer Polyimidkleber entwickelt worden, der die Haftfestigkeit auf beiden Seiten eines isolierenden Substrats auf gewerblich hohem Niveau und stabil beibehalten kann. Insbesondere im Fall eines isolierenden Substrats mit einer Imidbindung scheint es unmöglich, durch Coronabehandlung stabile, hohe Haftfestigkeit zu erzielen. Es ist noch keine geeignete Oberflächenbehandlung gefunden worden, denn beim Aufrauhen der Oberfläche durch Sandstrahlen bleiben winzige Sandkörner auf der Oberfläche zurück, wodurch ionische Verunreinigungen und Spurbildung verursacht werden. Was die Entwicklungen der letzten Jahre betrifft, offenbart die JP-A-HEI-5.59344 (1993) allgemein ein Verfahren zur physikalischen und chemischen Behandlung der Oberfläche eines zu beschichtenden isolierenden Substrats und das anschließende Aufkleben eines bestimmten thermoplastischen Polyimidklebers. Es erfolgt jedoch keine Beschreibung in Hinblick darauf, welches Verfahren optimalerweise einzusetzen ist. Die Jp-A-HEI-4.74372 (1992) beschreibt, daß durch Plasmabehandlung eines Films, wie z. B. eines Polyimidfilms, um eine Oberfläche zu modifizieren, die Haftfestigkeit am Kleber verbessert wird. Als Kleber werden jedoch nur wärmehärtende Kleber der Acryl reihe und wärmehärtende Polyamidkleber genannt. Es gibt keine Erklärungen zu anderen Arten von Klebern.
  • Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um den Einsatz eines isolierenden Klebebandes vorzuschlagen, um die Produktivität und Leistungsfähigkeit von Halbleiter-Vorrichtungen zu verbessern. Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Leiterplatte und eine Halbleiter-Vorrichtung bereitzustellen, bei denen das oben beschriebene Band zum Einsatz kommt.
  • Im speziellen ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, den Einsatz eines isolierenden Klebebandes mit guten Eigenschaften, Zuverlässigkeit und gewerblicher Produktivität zum Verkleben eines Halbleiters mit einem Metall-Leiter, wie z. B. einer Leiterplatte oder einem Wärmeverteiler, vorzuschlagen.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform beschreibt die vorliegende Erfindung die Verwendung eines isolierenden Klebebandes, bei dem ein thermoplastisches Polyimid eingesetzt wird, das viel bessere Eigenschaften aufweist als das in der US-A-4.543.295 geoffenbarte thermoplastische Polyimid, im Vergleich zum obigen Stand der Technik höhere Haftfestigkeit an Halbleitermaterial in kürzerer Zeit aufweist und zu einem niedrigen Preis auf Massenproduktionsbasis bereitgestellt werden l< ann.
  • Das isolierende Klebeband behält seine hervorragende Isoliereigenschaft wünschenswerterweise über einen langen Verwendungszeitraum bei. Vorzugsweise weist das isolierende Klebeband auch eine Klebetemperatur (die Temperatur, bei der das Verkleben erfolgt) von nicht mehr als 400ºC, eine kurze Klebezeit von nicht mehr als 10 s und eine ausreichend hohe Haftfestigkeit an verschiedenen Halbleitermaterialien auf. Beim Verkleben führt das isolierende Klebeband vorzugsweise auch nicht zu Verunreinigungen, die für die Drahtkontakte an den Oberflächen von Leiterplatten und IC-Chips schädlich sind. Wünschenswerterweise weist das isolierende Klebeband ausreichende Hitzebeständigkeit auf, um dem Erhitzen während eines Verdrahtungsschritts standzuhalten, so daß sich ein Leiter nicht im geringsten Ausmaß bewegen kann, wodurch die Drahtkontakt-Festigkeit ausreichend hoch ist, um hervorragende elektronische Zuverlässigkeit zu erzielen.
  • Gemäß anderer Aspekte der vorliegenden Erfindung werden eine Leiterplatte und eine Halbleiter-Vorrichtung bereitgestellt, die unter Verwendung des obengenannten isolierenden Klebebandes hergestellt sind.
  • Gemäß einem Aspekt sieht die vorliegende Erfindung die Verwendung eines isolierenden Klebebands zum Verkleben eines Halbleiters mit einem Metall-Leiter vor, wobei das Band eines Basisträgerfilm und eine auf zumindest einer Oberfläche davon ausgebildete Kleberschicht umfaßt, wobei die Kleberschicht im wesentlichen aus einem thermoplastischen Polyimid und gegebenenfalls einem Füllstoff besteht, wobei das Polyimid aus Struktureinheiten der folgenden Formel (1)
  • ... Seite 8 (1)
  • oder Struktureinheiten der folgenden Formel (3)
  • ... Seite 8 (3)
  • besteht, worin: m : n = (1-90) : (99-10) ist und worin Block-Copolymere und statistische Copolymere enthalten sind; oder n = 0 ist, worin das thermoplastische Polyimid eine Glastemperatur im Bereich von 180ºC bis 280ºC und einen Elastizitätsmodul bei 25ºC im Bereich von 10¹&sup0; dyn/cm² bis 10¹¹ dyn/cm² aufweist, wobei der Modul bei einer Temperatur zwischen 250ºC und 300ºC einen Wert im Bereich von 10² dyn/cm² bis 10&sup9; dyn/cm² aufweist. Vorzugsweise gilt m : n = (30-70) : (70-30).
  • Wenn n &ne; O ist, ist das thermoplastische Polyimid vorzugsweise mit einem Dicarbonsäureanhydrid der folgenden Formel (2) verkappt:
  • ... Seite 9 (2)
  • In weiteren Aspekten stellt die Erfindung eine Leiterplatte mit inneren Leitern bereit, die mit einem isolierenden Klebeband wie oben definiert fixiert sind; sowie eine Halbleiter- Vorrichtung, die eine solche Leiterplatte umfaßt, wobei zumindest der mit dem isolierenden Klebeband fixierte Abschnitt der inneren Leiter mit einem Harz verkapselt ist.
  • In den nachfolgenden Erklärungen
  • bezeichnet PI-X ein Polyimid, das aus der Struktureinheit der Formel (1) gebildet ist;
  • bezeichnet PI-Xh ein Polyimid, das aus der Struktureinheit der Formel (1) gebildet und mit Dicarbonsäureanhydrid der Formel (2) verkappt ist;
  • bezeichnet PI-Y ein Polyimid, das aus der Struktureinheit der Formel (3) gebildet ist;
  • bezeichnet PI-Yh ein Polyimid, das aus der Struktureinheit der Formel (3) gebildet und mit einem Dicarbonsäureanhydrid der Formel (2) verkappt ist;
  • bezeichnet PI-Z ein Polyimid, das aus der Struktureinheit der Formel (4) gebildet ist.
  • Vorzugsweise besteht das thermoplastische Polyimid aus einem mit Silan-Haftverbesserer modifizierten thermoplastischen Polyimid, das durch Umsetzen oder Vermischen eines thermoplastischen Polyimids mit einem Silan-Haftverbesserer beim oder nach dem Synthetisieren des thermoplastischen Polyimids hergestellt wird.
  • Vorzugsweise ist der Basisträgerfilm ein Polymer mit einer Polyimidbindung und weist eine Oberfläche auf, die Plasmabehandlung oder Ozonbehandlung unterzogen wurde.
  • Bei einer Art von Ausführungsform wird die thermoplastische Polyimidschicht nur auf einer Oberfläche des isolierenden Films ausgebildet, die über die thermoplastische Polyimidschicht mit einem inneren Leiter einer Halbleiter-Leiterplatte heißdruckverklebt wird, um den inneren Leiter zu fixieren.
  • Bei einer anderen Art der Ausführungsform wird die thermoplastische Polyimidschicht an beiden Oberflächen des Isolierfilms ausgebildet, der durch Heißdruckverkleben über die thermoplastische Polyimidschicht mit einem inneren Leiter einer Halbleiter-Leiterplatte verklebt ist, um den inneren Leiter zu fixieren. Sie kann über eine andere Oberfläche der thermoplastischen Schicht, mit der keine inneren Leiter verklebt sind, mit einem vorbestimmten IC-Chip heißdruckverklebt werden.
  • Nachstehend werden Ausführungsformen der Erfindung nur als Beispiele und unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben, in denen:
  • Fig. 1 ein Modellschema ist, das die Struktur einer Leiter-auf-Chip-IC-Vorrichtung veranschaulicht;
  • Fig. 2 ein Modellschema ist, das die Struktur einer IC-Vorrichtung veranschaulicht, die mit einem Wärmeverteiler verbunden ist;
  • Fig. 3 eine Querschnittansicht ist, welche die Schichtstruktur eines gemäß vorliegender Erfindung verwendeten isolierenden Klebebandes zeigt;
  • Fig. 4 eine Draufsicht ist, welche die Struktur einer Probe zeigt, die für einen Haftfestigkeitstest und eine Kriechstromtest verwendet wird;
  • Fig. 5 eine Seitenansicht ist, welche die in Fig. 4 gezeigte Probe darstellt; und
  • Fig. 6 eine Querschnittansicht ist, welche die Struktur einer Probe für einen Verdrahtungstest veranschaulicht.
  • Unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen erfolgt eine weitere Erklärung einiger Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Die vorliegende Erfindung sollte jedoch nicht auf die hier beschriebenen Ausführungsformen beschränkt werden.
  • Auf die Fig. 1 und 2 Bezug nehmend bezeichnet Bezugsziffer 1 einen IC-Chip, 2 bezeichnet eine Leiterplatte, 3 bezeichnet ein Harzverkapselungsmaterial, 4 bezeichnet ein isolierendes Klebeband, 5 bezeichnet einen Golddraht, 6 bezeichnet einen Wärmeverteiler und 7 bezeichnet einen Matrixkleber.
  • Bei einem IC-Chip dieses Typs ist der IC-Chip 1 mit einem isolierenden Klebeband 4 an die Leiterplatte 2 angeklebt, die über einen sehr feinen Golddraht 5 verbunden sind, und dann mit einem Harz-Verkapselungsmaterial 3 verkapselt.
  • Bei der IC-Vorrichtung des in Fig. 2 gezeigten Typs ist der IC-Chip 1 unter Verwendung des Matrixklebers 7 mit dem Wärmeverteiler 6 verklebt. Die Leiterplatte ist ebenfalls mit dem isolierenden Klebeband 4 auf den Wärmeverteiler 6 aufgeklebt, um sie mit einem Golddraht 5 elektrisch miteinander zu verbinden.
  • Eine typische Schichtstruktur des gemäß vorliegender Erfindung verwendeten isolierenden Klebebandes wird in Fig. 3 gezeigt. Dabei ist das gemäß vorliegender Erfindung verwendete isolierende Klebeband 4 mit einer Kleberschicht 42 aus einem thermoplastischen Polyimid, die auf eine Oberfläche des isolierenden Basisträgerfilms 41 aufgebracht ist, sowie einer Kleberschicht 43 aus einem thermoplastischen Polyimid ausgebildet, das auf die andere Oberfläche des Isolierfilms 41 aufgebracht ist, wobei die Kleberschicht 43 aus einem thermoplastischen Polyimid besteht, welches das gleiche wie jenes auf der ersten Oberfläche des Isolierfilms 41 ist oder sich davon unterscheidet.
  • Das isolierende Klebeband 4 wurde unter Verwendung der in den Fig. 4, 5 und 6 gezeigten Vorrichtung getestet. Wie in diesen Figuren gezeigt, ist das isolierende Klebeband 4 an den IC-Chip 1 angeklebt, auf den einige Leiter 21 von Leiterplatte 2 und ein einzelner Teststab 8 für die Verdrahtung aufgeklebt sind. In den Figuren bezeichnet Bezugszahl 21a einen silberbeschichteten Abschnitt des Leiters 21. Um einen Verdrahtungstest durchzuführen, verbindet, wie in Fig. 6 gezeigt, ein Golddraht 5 den silberbeschichteten Abschnitt 21a des Leiters 21 mit dem Teststab 8.
  • Unter Einsatz der obigen Testvorrichtungen werden die nachfolgenden Testergebnisse erzielt.
  • Es erfolgt eine weitere detaillierte Erklärung bezüglich bevorzugter Ausführungsformen des isolierenden Klebebandes gemäß vorliegender Erfindung.
  • Als Material für den isolierenden Basisträgerfilm 41 kann ein Polymer mit einer Imidbindung verwendet werden.
  • Als Beispiele für ein solches Material können folgende genannt werden: ein Polyimidfilm einschließlich von Regulus (eine Marke von Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.), Kapton H, V, E, K und ZT (jeweils Marken von Du Pont Co.), Upilex M, S, SGA, SGAPA (jeweils Marken von Ube Industries, Ltd.), Apical AH, NPI (jeweils Marken von Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd.) oder ein Aramidfilm, wie z. B. Aramica (Marke von Asahi Chemical Industry Co., Ltd.). Bei diesen Materialien empfiehlt es sich, einen Polyimidfilm mit geringer Wasserabsorptionskapazität zu verwendet, insbesondere aus einem Material vom Upilex S-Typ und Kapton E-Typ.
  • Die Dicke des Basisfilms unterliegt keiner speziellen Einschränkung. Vorzugsweise liegt die Dicke jedoch im Bereich von 1 bis 500 um, mehr bevorzugt von 5 bis 100 um.
  • Bevorzugterweise wird die Oberfläche des Substrats einer Plasmabehandlung oder Ozonbehandlung unterzogen, bevor auf dem Basisfilm eine Polyimidschicht ausgebildet wird. Es ist bekannt, die Oberfläche eines Substrats durch diese Behandlungen physikalisch aufzurauhen oder chemisch eine funktionelle Gruppe, wie z. B. einen Carboxylrest, darauf auszubilden.
  • Die Wirkung der Behandlung ist bei der thermoplastischen Polyimidschicht gemäß vorliegender Erfindung jedoch über alle Erwartungen hinaus bemerkenswert. Die Haftfestigkeit am Substrat kann stark verbessert und stabilisiert werden.
  • Auf der behandelten Oberfläche des Basisfilms wird eine thermoplastische Polyimidschicht ausgebildet. Für die Durchführung der vorliegenden Erfindung ist es wichtig, daß das die Schicht bildende thermoplastische Polyimid eine Glastemperatur im Bereich von 180ºC bis 280ºC und einen Elastizitätsmodul bei 25ºC im Bereich von 10¹&sup0; bis 10¹¹ dyn/cm² sowie einen Modul bei einer Verdrahtungstemperatur im Bereich von 250 ºC bis 300ºC von 10² bis 10&sup9; dyn/cm² aufweist.
  • Das thermoplastische Polyimid PI-X, PI-Xh, PI-Y, PI-Yh oder PI-Z kann als bevorzugtes thermoplastisches Polymer mit den obengenannten Eigenschaften angeführt werden.
  • Wenn die Glastemperatur geringer als 180ºC oder der Modul bei der Verdrahtungstemperatur geringer als 10² dyn/cm² ist, tritt das Problem auf, daß der innere Leiter während des Verdrahtungsvorgangs bewegt wird oder bei der Ultraschallerhitzung Energie nicht richtig zum inneren Leiter übertragen werden kann.
  • Wenn die Glastemperatur im Gegensatz dazu über 280ºC liegt oder der Modul bei Verdrahtungstemperatur über 10&sup9; dyn/cm² liegt, ist viel Zeit erforderlich, um Heißschmelzverklebung von Leiterplatte und IC-Chip durchzuführen, wodurch sich Schnellkleben nur schwer durchführen läßt.
  • Um die vorliegende Erfindung in die Praxis umzusetzen, ist es wünschenswert, daß die Menge des Lösungsmittels, das in der über dem Basisfilm ausgebildeten thermoplastischen Polyimidschicht enthalten ist, nicht mehr als 1% beträgt und die Imidierung des thermoplastischen Polyimids im wesentlichen vollständig abgelaufen ist. Dadurch kann verhindert werden, daß durch die Lösungsmittel-Verflüchtigung oder die Verflüchtigung von Feuchtigkeit, die aufgrund einer chemischem Imidierungsreaktion beim Schnell- Heißschmelzverklebens bei hoher Temperatur (im allgemeinen über 270ºC) freigesetzt wird, die Oberfläche der Leiterplatte oder des IC-Chips verunreinigt oder in der Kleberschicht Lücken entstehen.
  • Wenn die mit einem isolierenden Klebeband zu verklebende IC-Chip-Oberfläche mit einem Keramikmaterial, wie z. B. Siliziumnitrid, oder einem Glas, wie Phosphorborsili katglas, bedeckt ist, ist es wichtig, daß zu dem Zeitpunkt, zu dem das auf den Basisfilm aufgebrachte thermoplastische Polyimid synthetisiert wird, ein Silan-Haftverbesserer eingemischt und umgesetzt wird, oder dieser nach dem Synthetisierungsvorgang eingemischt wird.
  • Es können folgende Silan-Haftverbesserer empfohlen werden: Epoxysilan, Thiolsilan, Aminosilan (KBM-403, KBM-803, KBM-602, KBM-573, hergestellt von Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.); insbesondere werden KBM-403 und KBM-803 bevorzugt.
  • In diesem Fall liegt die einzusetzende Menge an Silan-Haftverbesserer wünschenswerterweise im Bereich von nicht weniger als 0,5 Gew.-% des thermoplastischen Polyimids bis nicht mehr als 4 Gew.-% davon, vorzugsweise von mehr als 1 Gew.-% davon bis weniger als 3 Gew.-% davon.
  • Eine Menge an Silan-Haftverbesserer von unter 0,5 Gew.-% oder mehr als 4 Gew.-% ist nicht vorteilhaft, weil die feuchtigkeitsbeständige Haftfestigkeit an einem Keramikmaterial oder Glas gering ist oder die Verflüchtigung des überschüssigen Silan-Haftverbesserers während des Heißschmelzklebeverfahrens bei hoher Temperatur die Leiterplatte verunreinigen kann.
  • In diesem Fall sind aus ähnlichen Gründen wie den obengenannten die notwendigen Erfordernisse die, daß die Glastemperatur des thermoplastischen Polymers im Bereich von 180ºC bis 280ºC und der Elastizitätsmodul bei 25ºC im Bereich von 10¹&sup0; bis 10¹¹ dyn/cm² und bei der Verdrahtungstemperatur im Bereich von 10² bis 10&sup9; dyn/cm² liegt.
  • Vorzugsweise sind ionische Verunreinigungen von Natrium-, Kalium-, Chlor- und Sulfationen im thermoplastischen Polymer nur in Spuren oder in Mengen von etwa 1 ug/g enthalten (berechnet nach dem hydrothermalen Extraktionsverfahren auf Basis der Menge an Ionen, die aus Wasser mit 120ºC innerhalb von 24 h extrahiert wurden).
  • Aus diesem Grund kommt es nicht vor, daß elektronische Schaltungen um das zum Verkleben verwendete isolierende Klebeband herum durch ionische Verunreinigungen innerhalb des Bandes erodiert werden oder die Metallwanderung zu einem Kurzschluß führt.
  • Da die Menge an radioaktiven Elementen, wie z. B. Uran und Thorium, die gegebenenfalls zu Softwarefehlern im Halbleiter-Speicher führen, unter der Nachweisgrenze eines Radioaktivierungsanalyzers, d. h. unter 0,6 ppb, liegen, kann die Zuverlässigkeit des Halbleiter-Speichers über einen langen Zeitraum auf einem sehr hohen Niveau gehalten werden.
  • Der Wasserabsorptionsanteil des thermoplastischen Polymers ist (nach Eintauchen in reines Wasser mit 23ºC für 24 h) vorzugsweise geringer als 1,2%. Da der Wert 1/2 bis 1/5 des Wertes für Polyetheramid und Polyetheramidimid beträgt, die allgemein verwendet werden, kann eine Lückenbildung, die durch mögliche Wasserverdampfung während des Verklebevorgangs bei hohen Temperaturen hervorgerufen werden kann, weitgehend eingeschränkt werden.
  • Die thermoplastische Polyimidschicht kann gebildet werden, indem ein Polyamidsäure- Lack, der eine Polyamidsäure (als Polyimidvorläufer) enthält, ein Polyimid-Lack, der Polyimid enthält, oder ein ein Polyimid-Lack, der eine Polyamidsäure und einen Silan- Haftverbesserer enthält, der beim Synthetisieren von Polyamidsäure gemischt und umgesetzt oder nach der Synthese gemischt wird, aufgebracht werden und die aufgebrachte Schicht dann getrocknet wird, um die Polyamidsäure zu imidieren.
  • Darüber hinaus kann der Lack, bevor er auf den Basisfilm aufgebracht wird, falls erforderlich mit einem Füllstoff, wie z. B. Silica, der kein radioaktives Element wie Uran und Thor enthält, oder einem Epoxyharz, wie z. B. EOCN-1027 (Marke von Nippon Kayaku Co., Ltd.), vermischt werden.
  • Die thermoplastischen Polyimidschichten sind insbesondere nicht auf eine bestimmte Dicke beschränkt. Es ist jedoch wünschenswert, daß die Dicke im Bereich von mehr als 1 um bis weniger als 100 um, vorzugsweise von mehr als 3 um bis weniger als 50 um, liegt.
  • Zum Aufbringen können bekannte Vorrichtungen, wie z. B. ein Beschichter vom Komma(,)-Typ, ein Dreifach-Umkehrbeschichter und ein Schmelzbeschichter, verwendet werden. Beim Trocknungs- und Imidierungsverfahren kann ein herkömmlicher Walzenförderungstrockner zur Ausbildung der thermoplastischen Polymerschicht auf einer Oberfläche des Basisfilms verwendet werden. Es empfiehlt sich, einen Luftförderungstrockner zu verwenden, wenn das thermoplastische Polyimid an beiden Oberflächen des Basisfilms ausgebildet wird.
  • Wenn die in der thermoplastischen Polyimidschicht enthaltene Lösungsmittelmenge nicht größer als 15 Gew.-% ist, wird vorzugsweise unter Einsatz eines Trockners getrocknet, bei dem eine Heizeinrichtung im fernen Infrarotbereich zwischen Trägerwalzen angeordnet ist, die 1 bis 5 m voneinander entfernt sind, um die Hafteigenschaften zwischen der thermoplastischen Polyimidschicht und dem Halbleitermaterial zu verbessern.
  • Die Trocknungsbedingungen hängen allgemein von der Dicke des thermoplastischen Polyimids, der Konzentration des Lacks und dem Trocknungsverfahren ab. Wenn der Lack beispielsweise nach dem Trocknen eine Konzentration von 25% und eine Dicke von 25 um aufweist, erfolgt die Trocknung im allgemeinen für 2 bis 30 min bei 100 bis 150ºC, 150 bis 200ºC, 200 bis 250ºC oder 250 bis 300ºC. Temperaturen über einen Bereich von 300 bis 400ºC können die Trocknungszeit auf 10 min oder weniger verringern.
  • Um die Menge des während der Schmelz- und Druckzeit erzeugten Gases zu verringern, ist es wünschenswert, das in der thermoplastischen Polymerschicht vorliegende Restlösungsmittel durch diese Trocknungsbehandlung auf weniger als 1%, vorzugsweise weniger als 0,1 0/ mehr bevorzugt weniger als 0,05%, zu senken.
  • Durch dieses Trocknungsverfahren wird die Polyamidsäure im wesentlichen in ein Polyimid umgewandelt. Die Trocknung wird vorzugsweise bei einer Reinheit von weniger als 1.000, vorzugsweise weniger als 100, falls erforderlich in einer Stickstoffatmosphäre mit der gleichen Reinheit, durchgeführt.
  • Als Basisfilm wird üblicherweise eine Bahn mit einer Breite von 300 mm oder mehr verwendet, und darauf ist eine thermoplastische Polyimidschicht ausgebildet. Dann kann die Bahn geschnitten werden, um ein Band mit einer zur Verwendung geeigneten Breite zu bilden.
  • Der Polyamidsäure-Lack oder Polyimid-Lack wird beispielsweise wie folgt hergestellt.
  • Zunächst wird ein Polyamidsäurelack, der Polyimidvorläufer, durch Lösen eines aromatischen Diamins in einem polaren Lösungsmittel, wie z. B. N-Methylpyrrolidon, Zugabe eines aromatischen Tetracarbonsäureanhydrids in einem Äquivalentverhältnis im Bereich von 90 bis 110% und Umsetzung derselben hergestellt. Dieses Äquivalentverhältnis wird vorzugsweise so gewählt, daß es im Bereich von 95 bis 105%, mehr bevorzugt 97 bis 102%, liegt.
  • Ein solches Amidsäurepolymer weist eine logarithmische Viskosität &eta; von 0,3 bis 3 dl/g (gemessen mit N,N-Dimethylacetamid-Lösungmittel als Medium in einer Konzentration von 0,5 g/100 ml bei 35ºC), vorzugsweise 0,5 bis 1,5 dl/g, auf.
  • Die obengenannten PI-X, PI-Y und PI-Z können synthetisiert werden, indem die in den JP-A-SHO-61-291670 (1986), HEI-5-59344 (1993) und SHO-62-68817 (1987, identisch mit US-A-4.847.349) geoffenbarten Verfahren durchgeführt werden.
  • Wenn Verkleben bei niedrigerer Temperatur und niedrigerem Druck erforderlich ist, um die Fließfähigkeit des thermoplastischen Polyimids bei der Verklebetemperatur zu verbessern, kann ein Dicarbonsäureanyhdrid der folgenden Formel (2) verwendet werden, um das Amin am Amidsäure-Kettenende zu verkappen:
  • ... Seite 21 (2)
  • (worin Z ein zweiwertiger Rest ist, der aus der aus monozyklischen aromatischen Resten, kondensierten polyzyklischen aromatischen Resten und nichtkondensierten polyzyklischen aromatischen Resten, bei denen die aromatischen Reste direkt oder über Vernetzer miteinander verbunden sind, bestehenden Gruppe ausgewählt ist.) Gemäß vorliegender Erfindung sind mit Vernetzer Linkergruppen wie -CO-, -O-, -S-, -SO&sub2;-, -CH&sub2;-, -C(CH&sub3;)&sub2;- und -C(CF&sub3;)&sub2;- gemeint.
  • Das Dicarbonsäureanhydrid kann in einem früheren Stadium des Amidsäurepolymer- Herstellungsvorgangs oder danach zugegeben werden. Der Lack eines Amidsäurepolymers mit dem verkappten Aminkettenende kann auf den Basisfilm ohne jegliche Änderungen aufgebracht werden. Es ist aber auch empfehlenswert, einen Polyimid-Lack aufzubringen, der durch Erhitzen eines Lacks zur thermischen Imidierungsreaktion hergestellt wurde. Die obengenannten PI-Xh und PI-Yh können unter Einsatz jener Verfahren synthetisiert werden, die in den JP-A-HEI-4-111167 (1992) und HEI-5-59344 (1993) geoffenbart sind.
  • Was PI-X, PI-Xh, PI-Y, PI-Yh und PI-Z betrifft, kann, wenn der Polyamidsäure-Lack oder Polyimid-Lack hergestellt wird, solange die Eigenschaften des Lacks nach dem Trocknen im gemäß vorliegender Erfindung festgelegten Bereich für Glastemperatur und Elastizitätsmodul bei hohen Temperaturen liegen, problemlos ein Teil des aromatischen Diamins, aromatischen Tetracarbonsäureanhydrids und Dicarbonsäureanhydrids durch eine andere Art von aromatischem Diamin, aromatischem Tetracarbonsäureanhydrid oder Dicarbonsäureanhydrid ersetzt werden.
  • Andere Diamine, die in Kombination verwendet werden können, sind beispielsweise: m-Phenylendiamin, o-Phenylendiamin, p-Phenylendiamin, m-Aminobenzylamin, o-Aminobenzylamin, 3-Chlor-1,2-phenylendiamin, 4-Chlor-1,2-phenylendiamin, 2,3-Diaminotoluol, 2,4-Diaminotoluol, 2,5-Diaminotoluol, 2,6-Diaminotoluol, 3,4-Diaminotoluol, 3,5-Diaminotoluol, 2-Methoxy-1,4-phenylendiamin, 4-Methoxy-1,2-phenylendiamin, 4- Methoxy-1,3-phenylendiamin, Benzidin, 3,3-Dimethylbenzidin, 3,3'-Dimethoxybenzidin, 3,3'-Dichlorbenzidin, 3,3'-Diaminodiphenylether, 3,4'-Diaminodiphenylether, 4,4'- Diaminodiphenylether, 3,3'-Diaminodiphenylsulfid, 3,4'-Diaminodiphenylsulfid, 4,4'- Diaminodiphenylsulfid, 3,3'-Diaminodiphenylsulfoxid, 3,4'-Diaminodiphenylsulfoxid, 4,4'-Diaminodiphenylsulfoxid, 3,3-Diaminodiphenylsulfon, 3,4-Diaminodphenylsulfon, 4,4'-Diaminodiphenylsulfon, 3,3-Diaminobenzophenon, 3,4-Diaminobenzophenon, 4,4'-Diaminobenzophenon, 3,3'-Diaminodiphenylmethan, 3,4-Diaminodiphenylmethan, 4,4'-Diaminodiphenylmethan, Bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]methan, Bis-[3- (3-aminophenoxy)phenyl]methan, 1,1-Bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ethan, 1,2-Bis-[4- (4-aminophenoxy)phenyl]ethan, 1,2-Bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan, 1,3-Bis-[4- (4-aminophenoxy)phenyl]propan, 2,2-Bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan, 1,1-Bis-[4- (4-aminophenoxy)phenyl]propan, 1,1-Bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]butan, 1,2-Bis-[4- (4-aminophenoxy)phenyl]butan, 1,3-Bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]butan, 1,4-Bis-[4-(4- aminophenoxy)phenyl]butan, 2,2-Bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]butan, 2,3-Bis-[4-(4- aminophenoxy)phenyl]butan, 2-[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]-2-[4-(4-aminophenoxy)-3- methylphenyl]propan, 2,2-Bis-[4-(4-aminophenoxy)-3-methyl phenyl]propan, 2-[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]-2-[4-(4-aminophenoxy)-3,5-dimethylphenyl]propan, 2,2-Bis-[4-(4- aminophenoxy)-3,5-dimethylphenyl]propan, 2,2-Bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]- 1,1,1,3,3,3-hexafluorpropan, 2,2-Bis-[3-(4-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluorpropan, 2,2-Bis-[3-(3-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluorpropan, 1,3-Bis-(3- aminophenoxy)benzol, 1,3-Bis-(4-aminophenoxy)benzol, 1,4-Bis-(4-aminophenoxy)benzol, 1,4-Bis-(3-aminophenoxy)benzol, Bis-[3-(4-aminophenoxy)phenyl]keton, Bis-[4-(4- aminophenoxy)phenyl]keton, Bis-[3-(3-aminophenoxy)phenyl]keton, Bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfid, Bis-[3-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfid, Bis-[3-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfid, Bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfoxid, Bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfon, Bis-[3-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfon, Bis-[3-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfon, Bis- [4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, Bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, Bis-[3-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, Bis-[3-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, 1,4-Bis-[4-(3-aminophenoxy)benzoyl]benzol, 1,3-Bis-[4-(3-aminophenoxy)benzoyl]benzol, 1,4-Bis-[4-(4-aminophenoxy)benzoyl]benzol, 1,3-Bis-[4-(4-aminophenoxy)benzoyl]benzol, 4,4'-Bis-(3-aminophenoxy)-3-methylbiphenyl, 4,4'-Bis-(3-aminophenoxy)-3,3'-dimethylbiphenyl, 4,4'- Bis-(3-aminophenoxy)-3,5-dimethylbiphenyl, 4,4'-Bis-(3-aminophenoxy)-3,3',5,5'-tetramethylbiphenyl, 4,4'-Bis-(3-aminophenoxy)-3,3'-dichlorbiphenyl, 4,4'-Bis-(3-aminophenoxy)-3,5-dichlorbiphenyl, 4,4'-Bis-(3-aminophenoxy)-3,3',5,5'-tetrachlorbiphenyl, 4,4'- Bis-(3-aminophenoxy),3,3'-dibrombiphenyl, 4,4'-Bis-(3-aminophenoxy)-3,5-dibrombiphenyl, 4,4'-Bis-(3-aminophenoxy)-3,3',5,5'-tetrabrombiphenyl, Bis-[4-(3-aminophenoxy)-3-methoxyphenyl]sulfid, [4-(3-Aminophenoxy)phenyl][4-(3-aminophenoxy)-3,5- dimethoxyphenyl]sulfid, Bis-[4-(3-aminophenoxy)-3,5-dimethoxyphenyl]sulfid und 1,3- Bis-[4-(4-aminophenoxy)-&alpha;,&alpha;-dimethylbenzyl]benzol.
  • Diese Diamine können einzeln oder als Gemisch eingesetzt werden.
    • Beispiele für Dianhydride sind:
  • Ethylentetracarbonsäuredianhydrid, Butantetracarbonsäuredianhydrid, Cyclopentantetracarbonsäuredianhydrid, Pyromellithsäuredianhydrid, 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid, 2,2,3,3'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid, 3,3,4,4'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid, 2,2',3,3'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid, 2,2-Bis-(3,4- dicarboxyphenyl)propandianhydrid, 2,2-Bis-(2,3-dicarboxyphenyl)propandianhydrid, Bis-(3,4-dicarboxyphenyl)etherdianhydrid, Bis-(2,3-dicarboxyphenyl)etherdianhydrid, Bis-(3,4-Dicarboxyphenyl)sulfondianhydrid, Bis-(2,3-dicarboxyphenyl)sulfondianhydrid, Bis-(2,3-dicarboxyphenyl)methandianhydrid, Bis-(3,4-dicarboxyphenyl)methandianhydrid, 1,1-Bis-(2,3-dicarboxyphenyl)ethandianyhdrid, 1,1-Bis-(3,4-dicarboxyphenyl)ethandianhydrid, 1,2-Bis-(2,3-dicarboxyphenyl)ethandianhydrid, 1,2-Bis-(3,4-dicarboxyphenyl)ethandianhydrid, 1,3-Bis-(2,3-dicarboxyphenoxy)benzoldianhydrid, 1,3-Bis-(3,4-dicarboxyphenoxy)benzoldianhydrid, 1,4-Bis-(2,3-dicarboxyphenoxy)benzoldianhydrid, 1,4-Bis-(3,4-dicarboxyphenoxy)benzoldianhydrid, 2,3,6,7-Naphthalintetracarbonsäuredianhydrid, 1,4,5,8-Naphthalintetracarbonsäuredianhydrid, 1,2,5,6-Naphthalintetracarbonsäuredianhydrid, 1,2,3,4-Benzoltetracarbonsäuredianhydrid, 3,4,9,10-Perylentetracarbonsäuredianhydrid, 2,3,6,7-Anthracentetracarbonsäuredianhydrid, 1,2,7,8-Phenanthrentetracarbonsäuredianhydrid, 2,2-Bis-(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluorpropandianhydrid, 2,2-Bis-(2,3-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluorpropandianhydrid, 1,3-Bis-[4-(1,2-dicarboxy)phenoxy]benzoldianhydrid, 1,4-Bis-[4-(1,2-dicarboxy)phenoxy]benzoldianhydrid, 1,4-Bis-[3-(1,2-dicarboxy)phenoxy]benzoldianhydrid, 1,3-Bis-[4- (1,2-dicarboxy)-&alpha;,&alpha;-dimethylbenzyl]benzoldianhydrid, 1,3-Bis-[3-(1,2-dicarboxy)-&alpha;,&alpha;-dimethylbenzyl]benzoldianhydrid, 1,4-Bis-[3-(1,2-dicarboxy)-&alpha;,&alpha;-dimethylbenzyl]benzoldianhydrid, 1,4-Bis-[4-(1,2-dicarboxy)-&alpha;,&alpha;-dimethylbenzyl]benzoldianhydrid, 2,2-Bis-[4- (4-(1,2-dicarboxy)phenoxy)phenyl]propandianhydrid, 2,2-Bis-[4-(3-(1,2-dicarboxy)phenoxy)phenyl]propandianhydrid, Bis-[4-(4-(1,2-dicarboxy)phenoxy)phenylllketondianhydrid, Bis-[4-(3-(1,2-dicarboxy)phenoxy)phenyl]ketondianhydrid, Bis-[4-(4-(1,2-dicarboxy)- phenoxy)phenyl]sulfondianhydrid, Bis-[3-(3-(1,2-dicarboxy)phenoxy)phenyl]sulfiddianhydrid, Bis-[4-(4-1,2-dicarboxy)phenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluorpropandianhydrid und Bis-[4-(3-(1,2-dicarboxy)phenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluorpropandianhydrid.
  • Diese aromatischen Tetracarbonsäuredianhydride können einzeln oder als Gemisch eingesetzt werden.
  • Aromatische Diamine, die für die Reaktion verwendet werden können, sind beispielsweise:
  • Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]methan, 1,1-Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ethan, 1,2- Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ethan, 1,1-Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]propan, 1,2- Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]propan, 1,3-Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]propan, 2,2- Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]propan, 1,1-Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]butan, 1,2- Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]butan, 1,3-Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]butan, 1,4- Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]butan, 2,2-Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]butan, 2,3- Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]butan, 2,2-Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3- hexafluorpropan, 4,4'-Bis-(3-aminophenoxy)biphenyl, Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]- keton, Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfid und Bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfon.
  • Diese aromatischen Diamine können einzeln oder als Gemisch eingesetzt werden.
  • Beispiele für aromatische Dicarbonsäureanhydride der Formel (2) sind Phthalsäureanhydrid, 2,3-Benzophenondicarbonsäureanhydrid, 3,4-Benzophenondicarbonsäureanhydrid, 2,3-Dicarboxyphenylphenyletheranhydrid, 3,4-Dicarboxyphenylphenyletheranhydrid, 2,3-Biphenyldicarbonsäureanhydrid, 3,4-Biphenyldicarbonsäureanhydrid, 2,3-Dicarboxyphenylphenylsulfonanhydrid, 3,4-Dicarboxyphenylphenylsulfonanhydrid, 2,3-Dicarboxyphenylphenylsulfidanhydrid, 3,4-Dicarboxyphenylphenylsulfidanhydrid, 1,2-Naphthalindicarbonsäureanhydrid, 1,8-Naphthalindicarbonsäureanhydrid, 1,2-Anthracendicarbonsäureanhydrid, 2,3-Anthracendicarbonsäureanhydrid und 1,9-Anthracendicarbonsäureanhydrid.
  • Lösungsmittel, die verwendet werden können, sind beispielsweise N-Methyl-2-pyrrolidon, N,N-Dimethylacetamid, N,N-Dimethylformamid, 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon, N,N-Diethylactamid, N,N-Dimethylmethoxyactamid, Dimethylsulfoxid, Pyridin, Picolin, Dimethylsulfon, Hexamethylphosphoramid, Tetramethylharnstoff, N-Methylcaprolactam, Butyrolactam, Tetrahydrofuran, 1,3-Dioxan, 1,4-Dioxan, 1,2-Dimethoxyethan, Bis- (2-methoxyethyl)ether, 1,2-Bis-(2-methoxyethoxy)ethan, Bis-[2-(2-methoxyethoxy)ethyl]- ether, o-Kresol, m-Kresol, p-Kresol, Cresylsäure, p-Chlorphenol und Anisol.
  • Diese Lösungsmittel können einzeln oder als Gemisch eingesetzt werden.
  • Nachstehend wird erklärt, wie das so gebildete Isolierband verwendet wird.
  • Das isolierende Klebeband und elektronische Komponenten, wie z. B. Leiterplatten und IC-Chips, können nach einem bekannten Heißschmelz-Druckklebeverfahren miteinander verklebt werden.
  • Die Klebezeit wird aus einem Bereich von 250 bis 450ºC, insbesondere von 270 bis 400ºC, ausgewählt. Die Klebezeit ist nicht speziell eingeschränkt, es ist aber wünschenswert, die Klebezeit so weit wie möglich zu verkürzen, üblicherweise auf einen Bereich von 0,1 bis 10 s, vorzugsweise einen Bereich von 0,1 bis 5 s. Es ist wünschenswert, den Klebedruck auf 1 bis 50 kg/cm², vorzugsweise 5 bis 30 kg/cm², einzustellen.
  • Bei einer Leiterplatte aus Materialien wie solchen aus der Kupferreihe, die bei hohen Temperaturen Oxidation erfährt und auf deren Oberfläche sich leicht ein spröder oxidierter Film bildet, ist es wünschenswert, daß die Sauerstoffkonzentration in der Umgebung des Heißschmelz-Druckklebens auf weniger als 4%, vorzugsweise weniger als 1 %, eingestellt wird, um die Bildung einer Oxidschicht zu verhindern.
  • Beim isolierenden Klebeband, das gemäß vorliegender Erfindung verwendet wird, besteht während des Harzeinkapselungsvorgangs hervorragende Formbarkeit ohne Verformung oder Fließen des Thermoplasten, da das thermoplastische Polyimid hervorragende Hafteigenschaften an Halbleitermaterial aufweist und seine Glastemperatur nicht unter 180ºC liegt (was über den 175ºC liegt, welche die übliche Formtemperatur von Harzeinkapselungsmaterialien ist). Eine Glastemperatur von nicht weniger als 180-280ºC sorgt für sehr gute Heißschmelz-Druckklebe-Bedingungen für die indus trielle Produktion. Ein Elastizitätsmodul von nicht mehr als 10² bis 10&sup9; dyn/cm² bei 250 bis 300ºC ermöglicht nicht die geringste Bewegung innerer Leiter während des Verdrahtungsschritts, bei dem ein innerer Leiter bei 240 bis 280ºC mit einem IC-Chip verdrahtet wird, wodurch hervorragende Zuverlässigkeit beim Verkleben gewährleistet werden kann.
  • Darüber hinaus ist während eines Reflow-Lötverfahrens gute Bindung zwischen dem inneren Leiter und dem IC-Chip gewährleistet.
  • Um die Zuverlässigkeit über eine lange Einsatzdauer zu bestätigen, wurde ein beschleunigter Test in einem Druckkocher bei 121ºC und einer relativen Feuchtigkeit von 90% durchgeführt, wobei sich das isolierende Klebeband überhaupt nicht von der IC-Leiterplatte und/oder dem IC-Chip ablöste. Außerdem wurde kein Ablösen des Basisfilms vom thermoplastischen Polyimid beobachtet.
  • Was die Isoliereigenschaften nach dem Verkleben betrifft, beträgt der spezifische Volumenwiderstand 10¹&sup0; bis 10¹&sup8; &Omega; · cm, der Oberflächenwiderstand 10¹&sup0; bis 10¹&sup8; &Omega;, und ionische Verunreinigungen sind kaum vorhanden. Der unter rauhen Bedingungen beschleunigte Alterungstest, bei dem die Probe in einen Druckkocher mit 121ºC und einer relativen Feuchtigkeit von 90% eingelegt und 1.000 h lang kontinuierlich eine Gleichspannung von 5 V angelegt wird, belegte so hervorragende elektrische Eigenschaften, daß der Abfall des Oberflächenwiderstands von nach gegenüber vor dem Test auf weniger als 5% gesenkt werden konnte.
  • Nachstehend sind Beispiele für die Synthetisierung des Polyamidsäure-Lacks und des Polyimid-Lacks angeführt.
    • Beispiel 1
  • 14,6 g (0,05 Mol) 1,3-Bis-(3-aminophenoxy)benzol und 92,1 g N,N-Dimethylacetamid wurden in einen Behälter gefüllt, der mit einem Rührer, einem Rückflußkühler und einem Stickstoff-Einleitrohr augestattet war. Dann wurden 16,0 g (0,0495 Mol) 3,3,4,4'- Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid in vier Teilmengen unterteilt und unter Stickstoffatmosphäre bei Raumtemperatur in den Behälter zugegeben, und das Gemisch wurde 20 h lang bei Raumtemperatur gerührt. Die logarithmische Viskosität &eta; der resultierenden Polyamidsäure betrug 0,95 dl/g.
    • Beispiel 2
  • 36,8 g (0,1 Mol) 4,4'-Bis-(3-aminophenoxy)biphenyl und 137,6 g N,N-Dimethylacetamid wurden in einen Behälter gefüllt, der mit einem Rührer, einem Rückflußkühler und einem Stickstoff-Einleitrohr augestattet war. Dann wurden nach und nach unter Stickstoffatmosphäre und bei Raumtemperatur 10,36 g (0,0475 Mol) Pyromellithsäuredianhydrid und 13,97 g (0,0475 Mol) 3,3,4,4'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid in den Behälter zugegeben. Das Gemisch wurde 20 h lang bei Raumtemperatur gerührt. Die logarithmische Viskosität &eta; der resultierenden Polyamidsäure betrug 0,55 dl/g.
    • Beispiel 3
  • 36,8 g (0,1 Mol) 4,4'-Bis-(3-aminophenoxy)biphenyl und 175,8 g N,N-Dimethylacetamid wurden in einen Behälter gefüllt, der mit einem Rührer, einem Rückflußkühler und einem Stickstoff-Einleitrohr augestattet war. Dann wurden nach und nach unter Stickstoffatmosphäre und bei Raumtemperatur 21,5 g (0,1 Mol) Pyromellithsäuredianhydrid in den Behälter zugegeben. Das Gemisch wurde 20 h lang bei Raumtemperatur gerührt. Die logarithmische Viskosität &eta; der resultierenden Polyamidsäure betrug 1,45 dl/g.
    • Beispiel 4
  • 292,2 g (1,0 Mol) 1,3-Bis-(3-aminophenoxy)benzol und 1838,4 g N-Methyl-2-pyrrolidon wurden in einen Behälter gefüllt, der mit einem Rührer, einem Rückflußkühler und einem Stickstoff-Einleitrohr augestattet war und unter Stickstoffatmosphäre bei Raumtemperatur gerührt, um sie zu lösen. Nach und nach wurden in den Behälter 320,59 g (0,995 Mol) 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid zugegeben. Das resultie rende Gemisch wurde auf 50ºC erwärmt und 1 h lang gerührt. Dann wurden dem Gemisch nach und nach 4,434 g (0,03 Mol) Phthalsäureanhydrid zugegeben und dann weitere 2 h lang bei 50ºC gerührt. 93,1 g (0,1 Mol) &gamma;-Picolin wurde der resultierenden Polyamidsäurelösung zugegeben und dann unter Rühren im Stickstoffstrom erhitzt. Beim Erhitzen wurde bei der Imidierung entstehendes Wasser aus dem System entfernt. Während das Gemisch 5 h lang auf 180ºC gehalten wurde, um thermisch zu imidieren, wurden das entstehende Wasser und das Reaktions-Lösungsmittel vom Stickstoffstrom mitgeführt teilweise aus dem System entfernt. Dann wurde das Erhitzen abgebrochen. Das Produkt wurde für etwa 2 h unter Rühren auf Raumtemperatur abgekühlt. Dann wurde das Produkt kontinuierlich 10 h lang gerührt. Die Viskosität des resultierenden Polyimid-Lacks betrug 60 Poise (bei 25ºC, E-Typ-Viskometer) und seine logarithmische Viskosität &eta; betrug 0,55 dl/g.
    • Beispiel 5
  • 36,8 g (0,1 Mol) 4,4'-Bis-(3-aminophenoxy)biphenyl und 137,6 g N,N-Dimethylacetamid wurden in einen Behälter gefüllt, der mit einem Rührer, einem Rückflußkühler und einem Stickstoff-Einleitrohr augestattet war. In den Behälter wurden nach und nach unter Stickstoffatmosphäre und bei Raumtemperatur 10,36 g (0,0475 Mol) Pyromellithsäuredianhydrid und 13,97 g (0,0475 Mol) 3,3',4,4'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid zugegeben. Das resultierende Gemisch wurde auf 50ºC erwärmt und 1 h lang gerührt. Dann wurde, nachdem der Lösung 0,886 g (0,006 Mol) Phthalsäureanhydrid zugegeben worden waren, das Gemisch bei 50ºC weitere 2 h lang gerührt. Dann wurden der resultierenden Polyamidsäurelösung 9,31 g (0,01 Mol) &gamma;-Picolin zugegeben und erhitzt, während im Stickstoffstrom gerührt wurde. Beim Erhitzen wurde bei der Imidierung entstehendes Wasser aus dem System entfernt. Das Produkt wurde zur thermischen Imidierung 5 h lang auf 180ºC gehalten. Während dieses Schritts wurden entstehendes Wasser und Reaktions-Lösungsmittel vom Stickstoffstrom mitgeführt teilweise aus dem System entfernt. Dann wurde das Erhitzen abgebrochen, und das Produkt wurde innerhalb von etwa 2 h unter Rühren auf Raumtemperatur abgekühlt. Dann wurde das Produkt weitere 10 h lang gerührt.
  • Die Viskosität des resultierenden Polyimid-Lacks betrug 8 Nsm&supmin;² (80 Poise) (bei 25ºC, E-Typ-Viskometer), und seine logarithmische Viskosität &eta; betrug 0,60 dl/g.
    • Beispiel 6
  • 14,6 g (0,05 Mol) 1,3-Bis-(3-Aminophenoxy)benzol und 92,1 g N,N-Dimethylacetamid wurden in einen Behälter gefüllt, der mit einem Rührer, einem Rückflußkühler und einem Stickstoff-Einleitrohr augestattet war. 14,4 g (0,0446 Mol) 3,3,4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid wurden in drei Teilmengen unterteilt und dann bei Raumtemperatur unter Stickstoffatmosphäre zugegeben. Das Gemisch wurde 2 h lang bei Raumtemperatur gerührt. Dann wurden 0,61 g KBM-403 (hergestellt von Shinetsu Chemical Co., Ltd.) Silan-Haftvermittler der Epoxy-Reihe der Lösung zugegeben und 20 h lang bei Raumtemperatur gerührt. Dann wurden 1,4 g (0,0044 Mol) 3,3,4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid der Lösung zugegeben und 4 h lang bei Raumtemperatur gerührt. Die logarithmische Viskosität &eta; der resultierenden mit Haftverbesserer denaturierten Polyamidsäure betrug 0,85 dl/g.
    • Beispiel 7
  • 25,8 g (0,07 Mol) 4,4'-Bis-(3-aminophenoxy)biphenyl und 6,0 g 4,4-Diaminodiphenylether wurden in einen Behälter gefüllt, der mit einem Rührer, einem Rückflußkühler und einem Stickstoff-Einleitrohr augestattet war. Dann wurden nach und nach unter einer Stickstoffatmosphäre und bei Raumtemperatur 21,5 g (0,1 Mol) Pyromellithdianhydrid in den Behälter zugegeben. Das Gemisch wurde 20 h lang gerührt. Die logarithmische Viskosität &eta; der resultierenden Polyamidsäure betrug 1,30 dl/g.
    • Beispiel 8
  • 138,7 g (0,47 Mol) 1,3-Bis-(3-aminophenoxy)benzol, Polydimethylsiloxan mit Amino- Endgruppen (TORAY DOW CORNING SILICONE Co., BY-16-853) und 998 g N,N-Dimethylacetamid wurden in einen Behälter gefüllt, der mit einem Rührer, einem Rückflußkühler und einem Stickstoff-Einleitrohr augestattet war. Dann wurden nach und nach unter Stickstoffatmosphäre und bei Raumtemperatur 162 g (0,05 Mol) 3,3'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid in den Behälter zugegeben. Das Gemisch wurde 20 h lang gerührt. Die logarithmische Viskosität &eta; der resultierenden Polyamidsäure betrug 0,45 dl/g.
  • Unter Verwendung des in den obigen Synthesebeispielen erhaltenen Lacks und verschiedener Basisfilme wurden isolierende Klebebänder hergestellt und verschiedenen Tests unterzogen. Die Testergebnisse werden in nachstehender Tabelle gezeigt.
  • Das Herstellungsverfahren und die Testergebnisse werden nachstehend beschrieben. Bei einigen Ausführungsformen wurden andere Bedingungen eingesetzt, als nachstehend beschrieben, diese Bedingungen sind jedoch am Ende der Tabelle angeführt.
  • Mit dem im obigen Synthesebeispiel erzeugten Lack wird ein Basisfilm überzogen. Die Probe wird zur Imidierung in Temperaturschritten von 30ºC von 100ºC auf 250ºC erhitzt, während sie in jedem Schritt S min lang getrocknet wird. Schließlich wird eine thermoplastische Polyimidschicht mit einer vorbestimmten Dicke gebildet. Dann wird ein isolierendes Klebeband hergestellt.
  • Unter den gleichen Bedingungen wie oben beschrieben, wird das thermoplastische Polyimid alleine zu einem Film verarbeitet. Der Elastizitätsmodul des Films wird bei 25 ºC und 250ºC unter Verwendung eines VIBRONTM-Viskoelastometers gemessen.
  • Danach wird das isolierende Klebeband in 10 mm² große Stücke geschnitten. Jedes Stück wird, wie in den Fig. 4 und 5 gezeigt, auf einen Si-Chip 1 aufgelegt, der mit Polyimid beschichtet ist, und die Leiter 21 einer kammartigen Leiterplatte aus 42NiFe-Legierung werden auf dem Stück angeordnet. Die Struktur wird Thermodruckverkleben bei 270ºC für 5 s unter einem Druck von 30 kg/cm² unterzogen. Die Leiter 21 werden aus der Platte abgeschert, um mehrere Testproben M und S zu bilden, wie in den Fig. 4 und 5 gezeigt.
  • Die zum Testen verwendete Leiterplatte ist eine kammartige Leiterplatte mit 16 Leitern. Bei der Testprobe M beträgt die Breite des Leiters 0,3 mm und der Zwischenraum zwischen den Leitern 0,3 mm. Bei der Testprobe S beträgt die Breite des Leiters 0,15 mm und der Zwischenraum zwischen den Leitern 0,15 mm. Jeder Leiter hat eine Dicke von 0,15 mm und weist einen silberbeschichteten Abschnitt im Bereich von 0,5 mm vom Ende weg auf.
  • Die Proben M wurden einem Alterungstest bezüglich der 90 Grad-Ablösefestigkeit unterzogen. Die Testproben S wurden einem Alterungstest bezüglich Isolierung unterzogen. Zur Durchführung eines Alterungstests für die 90 Grad-Ablösefestigkeit wurden einige Testproben M bezüglich der anfänglichen 90 Grad-Ablösefestigkeit gemessen. Andere Testproben M wurden dem 90 Grad-Ablösefestigkeitstest unterzogen, nachdem sie 1.000 h lang in einem Druckkocher aufbewahrt worden waren, dessen Atmosphäre eine Temperatur von 121ºC und eine relative Feuchtigkeit von 90% aufwies.
  • Als nächstes wurde der zwischen den Leitern fließende Kriechstrom gemessen, während eine Gleichvorspannung von 5 V zwischen benachbarten Leitern der Testprobe S angelegt wurde. Als nächstes wurde, während die 5 V-Gleichvorspannung zwischen den Leitern angelegt wurde, die entsprechende Probe einer 1.000 h dauernden Alterung bei einer Temperatur von 121ºC und einer relativen Feuchtigkeit von 90% unterzogen. Der Kriechstrom der Probe wurde nach dem Altern wieder gemessen.
  • Um die Festigkeitseigenschaften der Verdrahtung zu untersuchen, wurde ein Teststab 8 an die Testprobe S geklebt, wie in den Fig. 4 und 6 gezeigt, und die resultierende Struktur wurde einem Verdrahtungstest unterzogen. Das Verbinden erfolgte unter Verwendung eines Golddrahts, während Ultraschallschwingungen bei einer Haltetemperatur von 260ºC und einer Verklebungslast von 100 g einwirken gelassen wurden. Daraufhin wurde die aus dem Verklebungsschritt resultierende Positionsverschiebungsbewegung von Leiter 21 beobachtet und die Haftfestigkeit gemessen.
  • Die Testergebnisse für isolierende Klebebänder mit unterschiedlicher Struktur werden in nachstehender Tabelle gezeigt.
  • Basisfilm:
  • A: Upilex SGAPA plasmabehandelt UBE Industries Ltd.
  • B: Apical NPI plasmabehandelt KANEGAFUCHI Chemical Industries Co.
  • C: Kapton E plasmabehandelt TORAY-DUPONE Co. Ltd.
  • D: Upilex S nicht plasmabehandelt UBE Industries, Ltd.
  • Einheit des Elastizitätsmoduls: dyn/cm²
  • Schutzschicht des Si-Chips: PI-Beschichtung in den Beispielen 1 bis 20, Phosphorglas-Membran in den Beispielen 21 und 22
  • Basisfilm:
  • A: Upilex SGAPA plasmabehandelt UBE Industries Ltd.
  • B: Apical NPI plasmabehandelt KANEGAFUCHI Chemical Industries Co.
  • C: Kapton E plasmabehandelt TORAY-DUPONE Co. Ltd.
  • D: Upilex S nicht plasmabehandelt UBE Industries, Ltd.
  • Einheit des Elastizitätsmoduls: dyn/cm²
  • * bei 270ºC: 3,0 · 10&sup7; dyn/cm²
  • ** bei 290ºC: 3,0 · 10&sup6; dyn/cm²
  • Schutzschicht des Si-Chips: PI-Beschichtung in den Beispielen 1 bis 20, Phosphorglas-Membran in den Beispielen 21 und 22
  • Basisfilm:
  • A: Upilex SGAPA plasmabehandelt UBE Industries Ltd.
  • B: Apical NPI plasmabehandelt KANEGAFUCHI Chemical Industries Co.
  • C: Kapton E plasmabehandelt TORAY-DUPONE Co. Ltd.
  • D: Upilex S nicht plasmabehandelt UBE Industries, Ltd.
  • Einheit des Elastizitätsmoduls: dyn/cm²
  • *** bei 260ºC: 2,0 · 10³ dyn/cm²
  • Der Film wird mittels einer fernen Infrarot-Strahlungs-Heizvorrichtung erhitzt, getrocknet und in Imid übergeführt.
  • mit Silan-Haftverbesserer vom PI-X-Typ denaturiertes Polyimid
  • Alterungsbedingungen: 85ºC, 86% relative Luftfeuchtigkeit und 1.000 Stunden
  • Schutzschicht des Si-Chips: PI-Beschichtung in den Beispielen 1 bis 20, Phosphorglas-Membran in den Beispielen 21 und 22
  • Basisfilm
  • A: Upilex SGAPA plasmabehandelt UBE Industries Ltd.
  • B: Apical NPI plasmabehandelt KANEGAFUCHI
  • Chemical Industries Co.
  • C: Kapton E plasmabehandelt TORAY-DUPONE Co. Ltd.
  • D: Upilex S nicht plasmabehandelt UBE Industries, Ltd.
  • Einheit des Elastizitätsmoduls: dyn/cm²
  • Wie aus den obigen Ausführungsformen hervorgeht, kann das isolierende Klebeband gemäß vorliegender Erfindung innerhalb sehr kurzer Zeit mit der Leiterplatte von Halbleitervorrichtungen vom Harzeinkapselungstyp, IC-Chips und Wärmeverteilern verklebt werden. Durch die hervorragende Hafteigenschaften und Hitzebeständigkeit können die Verringerung der Ablösefestigkeit und Leiterverschiebungen während des Verdrahtungsvorgangs vollständig verhindert werden.
  • Weiters weist das gemäß vorliegender Erfindung verwendete isolierende Klebeband nach dem 1.000 h-Haltbarkeitstest unter den rauhen Bedingungen einer Temperatur von 121ºC und eine relativen Feuchtigkeit von 90% in einem Druckkocher im wesentlichen keine Verringerung der Haftfestigkeit und des Oberflächenwiderstands auf.
  • Das heißt, gemäß vorliegender Erfindung kann die Haftkraft an Halbleitermaterial, wie z. B. Leiterplatte, IC-Chip oder Wärmeverteiler, stark verbessert werden, wodurch höhere Zuverlässigkeit über einen langen Einsatzzeitraum gewährleistet wird. Das isolierende Klebeband macht es auch möglich, den Klebevorgang sehr schnell durchzuführen, was im gewerblichen Bereich äußerst wichtig ist.

Claims (12)

1. Verwendung eines isolierenden Klebebands zum Aufkleben eines Halbleiters auf einen Metall-Leiter, wobei das Band eines Basisträgerfilm und eine auf zumindest einer Oberfläche davon ausgebildete Kleberschicht umfaßt, wobei die Kleberschicht im wesentlichen aus einem thermoplastischen Polyimid und gegebenenfalls einem Füllstoff besteht, wobei das Polyimid aus Struktureinheiten der folgenden Formel (1)
oder Struktureinheiten der folgenden Formel (3)
besteht, worin: m : n = (1-90) : (99-10) ist; oder n = 0 ist, worin das thermoplastische Polyimid eine Glastemperatur im Bereich von 180ºC bis 280ºC und einen Elastizitätsmodul bei 25ºC im Bereich von 10¹&sup0; dyn/cm² bis 10¹&sup0; dyn/cm² aufweist, wobei der Modul bei einer Temperatur zwischen 250ºC und 300ºC einen Wert im Bereich von 10² dyn/cm² bis 10&sup9; dyn/cm² aufweist.
2. Verwendung nach Anspruch 1, worin das thermoplastische Polyimid eine Glastemperatur im Bereich von 180ºC bis 240ºC und einen Elastizitätsmodul im Bereich von 10² dyn/cm² bis 10&sup9; dyn/cm² bei 250ºC aufweist.
3. Verwendung nach Anspruch 1, worin das thermoplastische Polyimid eine Glastemperatur im Bereich von 200ºC bis 260ºC und einen Elastizitätsmodul bei 270ºC im Bereich von 10² dyn/cm² bis 10&sup9; dyn/cm² aufweist.
4. Verwendung nach Anspruch 1, worin das thermoplastische Polyimid eine Glastemperatur im Bereich von 250ºC bis 280ºC und einen Elastizitätsmodul bei einer Temperatur zwischen 270ºC und 300ºC im Bereich von 10² dyn/cm² bis 10&sup9; dyn/cm² aufweist.
5. Verwendung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, worin die Oberfläche des Basisträgerfilms einer Plasmabehandlung oder Ozonbehandlung unterzogen wurde.
6. Verwendung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, worin das thermoplastische Polyimid ein mit Silan-Haftverbesserer modifiziertes thermoplastisches Polyimid umfaßt.
7. Verwendung nach einem der vorangegangenen Ansprüche mit der Maßgabe, daß n &ne; 0 ist, und worin das thermoplastische Polyimid mit einem Dicarbonsäureanhydrid der folgenden Formel (2) verkappt ist:
worin Z ein zweiwertiger Rest, ausgewählt aus der aus monozyklischen aromatischen Resten, kondensierten polyzyklischen aromatischen Resten und nichtkondensierten polyzyklischen aromatischen Resten, bei denen die aromatischen Reste direkt oder über Vernetzer miteinander verbunden sind, bestehenden Gruppe, ist.
8. Leiterplatte, die innere Leiter aufweist, die mit einem isolierenden Klebeband nach einem der vorangegangenen Ansprüche fixiert sind.
9. Leiterplatte nach Anspruch 8, worin das isolierende Klebeband, mit dem die inneren Leiter fixiert sind, an beiden Oberflächen Kleberschichten aufweist, wobei jede der Kleberschichten im wesentlichen aus einem thermoplastischen Polyimid besteht, eine Oberfläche der Kleberschicht die inneren Leiterfixiert und die andere Oberfläche der Kleberschicht auf einen IC-Chip oder einen Wärmeverteiler aufklebbar ist.
10. Halbleitervorrichtung, die eine Leiterplatte nach Anspruch 8 oder 9 umfaßt; wobei zumindest der Abschnitt der inneren Leiter, der mit dem isolierenden Klebeband fixiert ist, mit einem Harz verkapselt ist.
11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, worin die Halbleitervorrichtung vom Leiter-auf-Chip-Typ ist.
12. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, worin die Halbleitervorrichtung vom Typ einer Leiterplatte mit Wärmeverteiler ist.
DE69323984T 1992-12-04 1993-12-03 Verwendung eines isolierenden Klebebandes, Leiterplatte und Halbleiteranordnung mit diesem Band Expired - Fee Related DE69323984T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32543492 1992-12-04
JP32543592 1992-12-04
JP25993A JP2866779B2 (ja) 1993-01-05 1993-01-05 耐熱性接着シート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69323984D1 DE69323984D1 (de) 1999-04-22
DE69323984T2 true DE69323984T2 (de) 1999-08-19

Family

ID=27274376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69323984T Expired - Fee Related DE69323984T2 (de) 1992-12-04 1993-12-03 Verwendung eines isolierenden Klebebandes, Leiterplatte und Halbleiteranordnung mit diesem Band

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5406124A (de)
EP (1) EP0605112B1 (de)
KR (2) KR0134165B1 (de)
DE (1) DE69323984T2 (de)
SG (1) SG47438A1 (de)

Families Citing this family (182)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5849607A (en) * 1993-11-27 1998-12-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Process for attaching a lead frame to a semiconductor chip
US5434105A (en) * 1994-03-04 1995-07-18 National Semiconductor Corporation Process for attaching a lead frame to a heat sink using a glob-top encapsulation
US5665473A (en) * 1994-09-16 1997-09-09 Tokuyama Corporation Package for mounting a semiconductor device
KR100426298B1 (ko) * 1994-12-26 2004-04-08 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 필름 형상의 유기 다이본딩재의 라미네이트 방법,다이본딩 방법, 라미네이트 장치, 다이본딩 장치, 반도체장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JPH08222681A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
US7012320B2 (en) * 1995-07-06 2006-03-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor device and process for fabrication thereof
TW310481B (de) * 1995-07-06 1997-07-11 Hitachi Chemical Co Ltd
US6099678A (en) * 1995-12-26 2000-08-08 Hitachi Chemical Company Ltd. Laminating method of film-shaped organic die-bonding material, die-bonding method, laminating machine and die-bonding apparatus, semiconductor device, and fabrication process of semiconductor device
KR0179803B1 (ko) * 1995-12-29 1999-03-20 문정환 리드노출형 반도체 패키지
US5872398A (en) * 1996-01-11 1999-02-16 Micron Technology, Inc. Reduced stress LOC assembly including cantilevered leads
TW326566B (en) 1996-04-19 1998-02-11 Hitachi Chemical Co Ltd Composite film and lead frame with composite film attached
JP3195236B2 (ja) * 1996-05-30 2001-08-06 株式会社日立製作所 接着フィルムを有する配線テープ，半導体装置及び製造方法
JP3453390B2 (ja) * 1996-10-08 2003-10-06 日立化成工業株式会社 半導体装置、半導体チップ搭載用基板及びその製造法
JP3982895B2 (ja) * 1997-04-09 2007-09-26 三井化学株式会社 金属ベース半導体回路基板
JPH10330616A (ja) 1997-05-30 1998-12-15 Hitachi Chem Co Ltd 耐熱樹脂ペースト
US6159764A (en) * 1997-07-02 2000-12-12 Micron Technology, Inc. Varied-thickness heat sink for integrated circuit (IC) packages and method of fabricating IC packages
WO1999041783A1 (de) * 1998-02-12 1999-08-19 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbaugruppe
US8330270B1 (en) 1998-06-10 2012-12-11 Utac Hong Kong Limited Integrated circuit package having a plurality of spaced apart pad portions
US7270867B1 (en) 1998-06-10 2007-09-18 Asat Ltd. Leadless plastic chip carrier
US6229200B1 (en) 1998-06-10 2001-05-08 Asat Limited Saw-singulated leadless plastic chip carrier
JP3853979B2 (ja) * 1998-06-16 2006-12-06 日東電工株式会社 半導体装置の製法
US6893900B1 (en) 1998-06-24 2005-05-17 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6143981A (en) * 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7005326B1 (en) 1998-06-24 2006-02-28 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7071541B1 (en) 1998-06-24 2006-07-04 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7332375B1 (en) 1998-06-24 2008-02-19 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7112474B1 (en) 1998-06-24 2006-09-26 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7030474B1 (en) 1998-06-24 2006-04-18 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
KR100317648B1 (ko) * 1998-08-26 2002-02-19 윤종용 절연접착테이프에의하여다이접착되는반도체소자및다이접착방법그리고그장치
US6326687B1 (en) * 1998-09-01 2001-12-04 Micron Technology, Inc. IC package with dual heat spreaders
US6281568B1 (en) 1998-10-21 2001-08-28 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit device package and leadframe having partially undercut leads and die pad
US6329713B1 (en) * 1998-10-21 2001-12-11 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip carrier assembly comprising a stiffener attached to a dielectric substrate
JP2000164788A (ja) * 1998-11-20 2000-06-16 Anam Semiconductor Inc 半導体パッケ―ジ用リ―ドフレ―ムとこれを用いた半導体パッケ―ジ及びその製造方法
US6303981B1 (en) * 1999-09-01 2001-10-16 Micron Technology, Inc. Semiconductor package having stacked dice and leadframes and method of fabrication
KR100379089B1 (ko) 1999-10-15 2003-04-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
KR20010037247A (ko) 1999-10-15 2001-05-07 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
KR100403142B1 (ko) * 1999-10-15 2003-10-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
KR100526844B1 (ko) * 1999-10-15 2005-11-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조방법
US6580159B1 (en) 1999-11-05 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit device packages and substrates for making the packages
US20070176287A1 (en) * 1999-11-05 2007-08-02 Crowley Sean T Thin integrated circuit device packages for improved radio frequency performance
US6847103B1 (en) 1999-11-09 2005-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with exposed die pad and body-locking leadframe
US6476478B1 (en) 1999-11-12 2002-11-05 Amkor Technology, Inc. Cavity semiconductor package with exposed leads and die pad
US6639308B1 (en) * 1999-12-16 2003-10-28 Amkor Technology, Inc. Near chip size semiconductor package
KR100421774B1 (ko) * 1999-12-16 2004-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
DE10008121B4 (de) * 2000-02-22 2006-03-09 Saehan Micronics Inc. Verfahren zur Herstellung von Polyamidsäure und Polyimid und Haft- oder Klebemittel, das aus der oder dem so hergestellten Polyamidsäure oder Polyimid besteht
KR100583494B1 (ko) * 2000-03-25 2006-05-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
KR100559664B1 (ko) 2000-03-25 2006-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
JP4349600B2 (ja) * 2000-04-20 2009-10-21 大日本印刷株式会社 積層体、絶縁フィルム、電子回路及び積層体の製造方法
US7042068B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
JP4665298B2 (ja) * 2000-08-25 2011-04-06 東レ株式会社 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置
US6476182B1 (en) 2000-12-21 2002-11-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Melt-processible, thermoplastic random copolyimides having recoverable crystallinity and associated processes
US6444783B1 (en) 2000-12-21 2002-09-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Melt-processible semicrystalline block copolyimides
US6469126B1 (en) 2000-12-21 2002-10-22 E. I. Du Pont De Nmeours And Company Melt-processible, thermoplastic random copolyimides having recoverable crystallinity and associated processes
US6476177B2 (en) 2000-12-21 2002-11-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Melt-processible, thermoplastic random copolyimides having recoverable crystallinity and associated processes
KR20020058209A (ko) 2000-12-29 2002-07-12 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
KR100394030B1 (ko) * 2001-01-15 2003-08-06 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 적층형 반도체 패키지
KR100731007B1 (ko) * 2001-01-15 2007-06-22 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 적층형 반도체 패키지
US6605865B2 (en) 2001-03-19 2003-08-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with optimized leadframe bonding strength
US6545345B1 (en) 2001-03-20 2003-04-08 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
US6967395B1 (en) 2001-03-20 2005-11-22 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
KR100393448B1 (ko) 2001-03-27 2003-08-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR100369393B1 (ko) * 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
US7045883B1 (en) 2001-04-04 2006-05-16 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US7064009B1 (en) 2001-04-04 2006-06-20 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US6756658B1 (en) 2001-04-06 2004-06-29 Amkor Technology, Inc. Making two lead surface mounting high power microleadframe semiconductor packages
JPWO2002102882A1 (ja) * 2001-06-15 2004-09-30 鐘淵化学工業株式会社 半導電性ポリイミドフィルムおよびその製造方法
JP2003092379A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Ltd 半導体装置
US6900527B1 (en) 2001-09-19 2005-05-31 Amkor Technology, Inc. Lead-frame method and assembly for interconnecting circuits within a circuit module
US7485952B1 (en) 2001-09-19 2009-02-03 Amkor Technology, Inc. Drop resistant bumpers for fully molded memory cards
US6611047B2 (en) 2001-10-12 2003-08-26 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with singulation crease
US6630726B1 (en) 2001-11-07 2003-10-07 Amkor Technology, Inc. Power semiconductor package with strap
US6638835B2 (en) * 2001-12-11 2003-10-28 Intel Corporation Method for bonding and debonding films using a high-temperature polymer
US6798046B1 (en) 2002-01-22 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including ring structure connected to leads with vertically downset inner ends
US6885086B1 (en) 2002-03-05 2005-04-26 Amkor Technology, Inc. Reduced copper lead frame for saw-singulated chip package
US6608366B1 (en) 2002-04-15 2003-08-19 Harry J. Fogelson Lead frame with plated end leads
SG109496A1 (en) * 2002-04-22 2005-03-30 Saehan Micronics Inc Composite film and lead frame with composite film attached
US6627977B1 (en) 2002-05-09 2003-09-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including isolated ring structure
US6841414B1 (en) 2002-06-19 2005-01-11 Amkor Technology, Inc. Saw and etch singulation method for a chip package
US6867071B1 (en) 2002-07-12 2005-03-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe including corner leads and semiconductor package using same
EP1576623B1 (de) * 2002-08-13 2007-01-10 Dinesh M. Anam Reibungs- und release- beschichteter polyimidfilm für elektrische isolierung sowie ein prozess zur herstellung
US7732914B1 (en) 2002-09-03 2010-06-08 Mclellan Neil Cavity-type integrated circuit package
US6818973B1 (en) 2002-09-09 2004-11-16 Amkor Technology, Inc. Exposed lead QFP package fabricated through the use of a partial saw process
US6919620B1 (en) 2002-09-17 2005-07-19 Amkor Technology, Inc. Compact flash memory card with clamshell leadframe
US7190062B1 (en) 2004-06-15 2007-03-13 Amkor Technology, Inc. Embedded leadframe semiconductor package
US7361533B1 (en) 2002-11-08 2008-04-22 Amkor Technology, Inc. Stacked embedded leadframe
US7723210B2 (en) 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US7026436B2 (en) * 2002-11-26 2006-04-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Low temperature polyimide adhesive compositions and methods relating thereto
US6798047B1 (en) 2002-12-26 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Pre-molded leadframe
US6847099B1 (en) 2003-02-05 2005-01-25 Amkor Technology Inc. Offset etched corner leads for semiconductor package
US6750545B1 (en) 2003-02-28 2004-06-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package capable of die stacking
US6927483B1 (en) 2003-03-07 2005-08-09 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package exhibiting efficient lead placement
US6794740B1 (en) 2003-03-13 2004-09-21 Amkor Technology, Inc. Leadframe package for semiconductor devices
US7001799B1 (en) 2003-03-13 2006-02-21 Amkor Technology, Inc. Method of making a leadframe for semiconductor devices
US7095103B1 (en) 2003-05-01 2006-08-22 Amkor Technology, Inc. Leadframe based memory card
US6879034B1 (en) 2003-05-01 2005-04-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including low temperature co-fired ceramic substrate
DE602004014365D1 (de) * 2003-05-14 2008-07-24 Mitsui Chemicals Inc Klebharzmase und klebemittel in filmform sowie darauf basierende halbleitervorrichtung
US7008825B1 (en) 2003-05-27 2006-03-07 Amkor Technology, Inc. Leadframe strip having enhanced testability
CN100454493C (zh) * 2003-06-06 2009-01-21 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
US6897550B1 (en) 2003-06-11 2005-05-24 Amkor Technology, Inc. Fully-molded leadframe stand-off feature
US7033517B1 (en) 2003-09-15 2006-04-25 Asat Ltd. Method of fabricating a leadless plastic chip carrier
US7245007B1 (en) 2003-09-18 2007-07-17 Amkor Technology, Inc. Exposed lead interposer leadframe package
US6921967B2 (en) * 2003-09-24 2005-07-26 Amkor Technology, Inc. Reinforced die pad support structure
US7138707B1 (en) 2003-10-21 2006-11-21 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including leads and conductive posts for providing increased functionality
US7144517B1 (en) 2003-11-07 2006-12-05 Amkor Technology, Inc. Manufacturing method for leadframe and for semiconductor package using the leadframe
US20050183769A1 (en) * 2003-11-10 2005-08-25 Hiroki Nakagawa Method of producing substrate for dye-sensitized solar cell and dye-sensitized solar cell
US7211879B1 (en) 2003-11-12 2007-05-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with chamfered corners and method of manufacturing the same
US7057268B1 (en) 2004-01-27 2006-06-06 Amkor Technology, Inc. Cavity case with clip/plug for use on multi-media card
US7091594B1 (en) 2004-01-28 2006-08-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe type semiconductor package having reduced inductance and its manufacturing method
US8642682B2 (en) * 2004-04-30 2014-02-04 Kureha Corporation Resin composition for encapsulation and semiconductor unit encapsulated with resin
US20080003722A1 (en) * 2004-04-15 2008-01-03 Chun David D Transfer mold solution for molded multi-media card
US7091581B1 (en) 2004-06-14 2006-08-15 Asat Limited Integrated circuit package and process for fabricating the same
US7411289B1 (en) 2004-06-14 2008-08-12 Asat Ltd. Integrated circuit package with partially exposed contact pads and process for fabricating the same
US7202554B1 (en) 2004-08-19 2007-04-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and its manufacturing method
WO2006033272A1 (ja) * 2004-09-24 2006-03-30 Kaneka Corporation 接着性の改良された新規なポリイミドフィルム
US7595225B1 (en) 2004-10-05 2009-09-29 Chun Ho Fan Leadless plastic chip carrier with contact standoff
US7217991B1 (en) 2004-10-22 2007-05-15 Amkor Technology, Inc. Fan-in leadframe semiconductor package
US7358119B2 (en) * 2005-01-12 2008-04-15 Asat Ltd. Thin array plastic package without die attach pad and process for fabricating the same
WO2006077780A1 (ja) * 2005-01-18 2006-07-27 Kaneka Corporation 接着性の改良された新規なポリイミドフィルム
CN101667493B (zh) * 2005-03-30 2012-09-26 大日本印刷株式会社 氧化物半导体电极、色素增感型太阳能电池及它们的制造方法
DE102006014881A1 (de) * 2005-03-30 2006-11-02 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Oxidhalbleiterelektrode, farbstoffsensibilisierte Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
US7348663B1 (en) 2005-07-15 2008-03-25 Asat Ltd. Integrated circuit package and method for fabricating same
DE102005034873B4 (de) * 2005-07-26 2013-03-07 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung eines elektrischen Bauelements und eines auf dem Bauelement auflaminierten Folienverbunds und Verfahren zur Herstellung der Anordnung
US7410830B1 (en) 2005-09-26 2008-08-12 Asat Ltd Leadless plastic chip carrier and method of fabricating same
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
US7687893B2 (en) 2006-12-27 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads
US7829990B1 (en) 2007-01-18 2010-11-09 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package including laminate interposer
US7982297B1 (en) 2007-03-06 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same
US7977774B2 (en) 2007-07-10 2011-07-12 Amkor Technology, Inc. Fusion quad flat semiconductor package
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
US7847386B1 (en) 2007-11-05 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same
US7956453B1 (en) 2008-01-16 2011-06-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US7723852B1 (en) 2008-01-21 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8067821B1 (en) 2008-04-10 2011-11-29 Amkor Technology, Inc. Flat semiconductor package with half package molding
US7768135B1 (en) 2008-04-17 2010-08-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same
US7808084B1 (en) 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
US8125064B1 (en) 2008-07-28 2012-02-28 Amkor Technology, Inc. Increased I/O semiconductor package and method of making same
US8184453B1 (en) 2008-07-31 2012-05-22 Amkor Technology, Inc. Increased capacity semiconductor package
US7847392B1 (en) 2008-09-30 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with increased I/O
US7989933B1 (en) 2008-10-06 2011-08-02 Amkor Technology, Inc. Increased I/O leadframe and semiconductor device including same
US8008758B1 (en) 2008-10-27 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe
US8089145B1 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including increased capacity leadframe
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US7875963B1 (en) 2008-11-21 2011-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O
US7982298B1 (en) 2008-12-03 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device
US8487420B1 (en) 2008-12-08 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device with film over wire
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US8058715B1 (en) 2009-01-09 2011-11-15 Amkor Technology, Inc. Package in package device for RF transceiver module
US8026589B1 (en) 2009-02-23 2011-09-27 Amkor Technology, Inc. Reduced profile stackable semiconductor package
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8575742B1 (en) 2009-04-06 2013-11-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars
CN102024708A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 飞思卡尔半导体公司 引线框及其形成方法
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8674485B1 (en) 2010-12-08 2014-03-18 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with downsets
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
US10244626B2 (en) * 2013-09-12 2019-03-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Adhesive composition for printed wiring boards, bonding film, coverlay, copper-clad laminate and printed wiring board
KR101563911B1 (ko) 2013-10-24 2015-10-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
KR102254026B1 (ko) * 2014-08-18 2021-05-20 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 제조 방법
JP2017067764A (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、荷重センサ、及びひずみゲージの製造方法
KR101763852B1 (ko) * 2017-03-10 2017-08-01 (주)인랩 Qfn 반도체 패키지, 이의 제조방법 및 qfn 반도체 패키지 제조용 마스크 시트
US20190006254A1 (en) * 2017-06-30 2019-01-03 Kyocera International, Inc. Microelectronic package construction enabled through ceramic insulator strengthening and design

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3855273A (en) * 1971-12-23 1974-12-17 Hughes Aircraft Co Polyamic acids and esters
US4543295A (en) * 1980-09-22 1985-09-24 The United States Of America As Represented By The Director Of The National Aeronautics And Space Administration High temperature polyimide film laminates and process for preparation thereof
US4862245A (en) * 1985-04-18 1989-08-29 International Business Machines Corporation Package semiconductor chip
EP0235294B1 (de) * 1985-08-27 1997-11-12 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. Polyimide und diese enthaltende hitzebeständige klebemittel
DE3684307D1 (de) * 1985-10-31 1992-04-16 Mitsui Toatsu Chemicals Flexibles laminat fur platine fur gedruckte schaltkreise und verfahren zu seiner herstellung.
AU606296B2 (en) * 1988-10-20 1991-01-31 Mitsui Chemicals, Inc. Insulated wire and production process of the insulated wire
DE68927376D1 (de) * 1988-12-27 1996-11-28 Mitsui Toatsu Chemicals Verfahren zur Herstellung einer Buchse für eine integrierte Schaltung
US4994207A (en) * 1989-03-09 1991-02-19 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Thermoplastic film die attach adhesives
US5140404A (en) * 1990-10-24 1992-08-18 Micron Technology, Inc. Semiconductor device manufactured by a method for attaching a semiconductor die to a leadframe using a thermoplastic covered carrier tape
US5227232A (en) * 1991-01-23 1993-07-13 Lim Thiam B Conductive tape for semiconductor package, a lead frame without power buses for lead on chip package, and a semiconductor device with conductive tape power distribution
DE69201139T2 (de) * 1991-02-21 1995-06-22 Mitsui Toatsu Chemicals Hitzebeständiger Polyimid Klebstoff.
US5252700A (en) * 1991-04-30 1993-10-12 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Heat-resistant adhesive and method of adhesion by using adhesive
US5086018A (en) * 1991-05-02 1992-02-04 International Business Machines Corporation Method of making a planarized thin film covered wire bonded semiconductor package
JPH04342786A (ja) * 1991-05-17 1992-11-30 Kanebo Nsc Ltd 耐熱性接着材料

Also Published As

Publication number Publication date
DE69323984D1 (de) 1999-04-22
EP0605112A2 (de) 1994-07-06
EP0605112A3 (en) 1995-08-16
KR940014713A (ko) 1994-07-19
KR980007941A (ko) 1998-03-30
KR0134118B1 (en) 1998-04-18
SG47438A1 (en) 1998-04-17
KR0134165B1 (ko) 1998-04-18
US5406124A (en) 1995-04-11
EP0605112B1 (de) 1999-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69323984T2 (de) Verwendung eines isolierenden Klebebandes, Leiterplatte und Halbleiteranordnung mit diesem Band
EP0097227B1 (de) Im Siebdruck verarbeitbare und wieder entfernbare Lötmaskenzusammensetzung und Verfahren zum Herstellen einer wieder entfernbaren Lötmaske
KR102256525B1 (ko) 반도체용 수지 조성물 및 반도체용 수지 필름, 및 이들을 사용한 반도체 장치
DE69125694T2 (de) Tetrapolyimid-Film enthaltend Benzophenon Tetracarboxyl Dianhydrid
DE10008121B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Polyamidsäure und Polyimid und Haft- oder Klebemittel, das aus der oder dem so hergestellten Polyamidsäure oder Polyimid besteht
DE69118119T2 (de) Verstärkung der Polyimidadhäsion an reaktiven Metallen
DE69118232T2 (de) Copolyimid Film
US9591768B2 (en) Adhesive agent having a polyimide and acid modified rosin
DE69007013T2 (de) Copolyimid-ODPA/BPDA/4,4&#39;-ODA/p-PDA.
DE102011012242A1 (de) Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices
DE60100329T2 (de) Polyimidfilm sowie Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung als Substrat für Metallverbindungsplatten
WO1998054267A1 (fr) Adhesifs thermoresistants et dispositifs semi-conducteurs comportant ces adhesifs
US20120129988A1 (en) Adhesive composition, adhesive sheet, circuit board and semiconductor device both produced using these, and processes for producing these
EP1918989A1 (de) Schaltungsverbindungsstruktur, verfahren zu ihrer herstellung und halbleitersubstrat für eine schaltungsverbindungsstruktur
DE602004000671T2 (de) Polyimidmassen für elektrische Isolation
US9617451B2 (en) Adhesive composition and adhesive film having same, substrate provided with adhesive composition, and semiconductor device and method for manufacturing same
DE69105319T2 (de) Polyimidcopolymere die 4-4&#39;-Bis(aminophenoxy)biphenyl- und Diaminosiloxaneinheiten enthalten.
EP2857470A1 (de) Klebefolie zur herstellung einer halbleitervorrichtung mit höckerelektroden und herstellungsverfahren für die halbleitervorrichtung
DE69211354T2 (de) Polyimide mit niedrigem waermeausdehnungskoeffizienten und verbesserter dehnung
DE69631745T2 (de) Polyimid-Metallfolie-Verbundfilm
JP3482946B2 (ja) 接着フィルム及び半導体装置
JP3048300B2 (ja) 接着性絶縁テープおよびそれを用いた半導体装置
JP5103870B2 (ja) 半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6716939B2 (ja) 接着剤、それからなる接着フィルム、それらの硬化物を含む半導体装置およびその製造方法
DE3886152T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Polyimid-isoindochinazolindion und ihren Vorläufern.

Legal Events

Date Code Title Description
8339 Ceased/non-payment of the annual fee