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DE69416767T2 - Verfahren zur Herstellung eines Si-O beinhaltenden Überzuges - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Si-O beinhaltenden Überzuges

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DE69416767T2
DE69416767T2 DE69416767T DE69416767T DE69416767T2 DE 69416767 T2 DE69416767 T2 DE 69416767T2 DE 69416767 T DE69416767 T DE 69416767T DE 69416767 T DE69416767 T DE 69416767T DE 69416767 T2 DE69416767 T2 DE 69416767T2
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DE
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silsesquioxane resin
hydrogen silsesquioxane
hydrogen
hydrogen gas
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DE69416767T
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David Stephen Ballance
Robert Charles Camilletti
Diana Kay Dunn
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Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
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Publication date
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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Behandlung von Si-O-haltigen keramischen Überzügen, die aus einem Wasserstoffsilsesquioxanharz (H-Harz) mit Wasserstoffgas erhalten wurden. Die resultierenden Überzüge zeigen gewünschte Eigenschaften.
  • Die Verwendung von aus H-Harz erhaltenen kieselsäurehaltigen keramischen Überzügen auf elektronischen Bauteilen, sind der Fachwelt bekannt. Zum Beispiel beschreibt das U. S. Patent Nr.: 4,756,977 Verfahren zur Bildung solcher Überzüge, enthaltend das Verdünnen von Wasserstoffsilsesquioxan in Lösemittel, Aufbringen der Lösungen auf Substrate, Abdampfen der Lösemittel und Erwärmen der beschichteten Substrate an Luft auf Temperaturen von 150ºC bis 1000ºC. Dieses Patent beschreibt jedoch nicht die Auswirkungen des Temperns der Überzüge mit Wasserstoffgas oder den Einfluß auf elektrische Eigenschaften.
  • Die Umwandlung des H-Harzes zu einer Si-O-haltigen Keramik in anderen Umgebungen ist der Fachwelt ebenfalls bekannt. Zum Beispiel lehrt uns die europäische Patentanmeldung Nr.: 90311008.8 die Umwandlung von H-Harz in inerter Gasatmosphäre. Dieses Dokument beschreibt ebenfalls nicht das Tempern der Überzüge mit Wasserstoffgas oder den Einfluß auf die elektrischen Eigenschaften.
  • Der Erfinder hat nun gefunden, daß wenn die aus H-Harz erhaltenen Si-O-haltigen Überzüge mit Wasserstoffgas behandelt werden, die Eigenschaften des Überzugs verbessert werden.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Bildung eines Si-O-haltigen Überzugs auf einem elektronischen Substrat bereit. Das Verfahren enthält zunächst das Aufbringen eines Überzuges, enthaltend das H-Harz, auf ein elektronisches Substrat. Das beschichtete elektronische Substrat wird anschließend auf eine Temperatur erwärmt, die ausreicht, um das H-Harz zu einem Si-O-haltigen keramischen Überzug umzuwandeln. Der Si-O-haltige keramische Überzug wird anschließend einer wasserstoffgashaltigen Atmosphäre ausgesetzt, für einen Zeitraum und bei einer Temperatur, die ausreicht den Überzug zu tempern.
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich ebenfalls auf Si-O-haltige keramische Überzüge mit einer Dielektrizitätskonstante von weniger als oder gleich 4,5.
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das unerwartete Ergebnis, daß das Tempern aus H-Harz erhaltener Si-O-haltiger keramischer Überzüge mit Wasserstoffgas die Eigenschaften der Überzüge verbessert. Zum Beispiel kann solch ein Tempern die Dielektrizitätskonstante des Überzugs verringern und ihn somit stabil machen. Außerdem kann solch eine Behandlung vorteilhafterweise die physikalischen Eigenschaften des Überzuges (z. B. Feuchtigkeitsaufnahme, Rißbildung etc.) beeinflussen. Diese Auswirkungen sind überraschend, da es der Fachwelt nicht bekannt war wie Wasserstoffgas die Überzüge und ihre resultierenden Eigenschaften beeinflussen würde.
  • Aufgrund dieser Vorteile und Nutzen sind die aus dieser Erfindung resultierenden Überzüge besonders für elektronische Substrate wertvoll. Solche Überzüge können als Schutzüberzüge, dielektrische Zwischenschichten, dotierte dielektrische Schichten dienen, um Transistor ähnliche Bauteile, pigmentierte Bindemittelsysteme, die Silicium enthalten, um Kondensatoren und kondensatorähnliche Bauteile, mehrschichtige Bauteile, 3-D-Bauteile, Bauteile mit Silicium auf Nichtleitern, Überzüge für Supraleiter, Bauteile mit Überstrukturgitter und ähnliches, herzustellen.
  • Der hier verwendete Ausdruck "keramisch" wird verwendet, um die harten Si-O-haltigen Überzüge, die nach Erwärmen des H-Harzes erhalten werden, zu beschreiben. Diese Überzüge können sowohl Siliciumdioxid (SiO&sub2;)-Materialien genauso wie siliciumdioxidähnliche Materialien (z. Bsp. SiO, Si&sub2;O&sub3;, etc.), die nicht vollständig frei von Kohlenstoffresten, Silanol (Si-OH) und/oder Wasserstoff sind, enthalten. Die Überzüge können ebenfalls mit Bor oder Phosphor dotiert sein. Der Ausdruck "elektronisches Substrat" umfaßt elektronische Bauteile oder elektronische Schaltungen, wie beispielsweise Bauteile auf Siliciumbasis, Bauteile auf Galliumarsenidbasis, Fokalebenenanordnungen, optoelektronische Bauteile, Photoelemente und optische Geräte.
  • Entsprechend des Verfahrens dieser Erfindung, wird zunächst ein Überzug, der das H-Harz enthält auf ein elektronisches Substrat aufgebracht. Das H-Harz, das in diesem Verfahren verwendet werden kann, umfaßt Hydridosiloxanharze der Formel HSi (OH)x(OR)yOz/2 in der jedes R unabhängig voneinander eine organische Gruppe oder eine substituierte organische Gruppe ist, welche, wenn sie über das Sauerstoffatom an Silicium gebunden ist, einen hydrolysierbaren Substituenten ausbildet, wobei x = 0-2, y = 0-2, z = 1-3, x + y + z = 3 ist. Beispiele für R umfassen Alkylgruppen wie beispielsweise Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl; Arylgruppen wie beispielsweise Phenyl und Alkenylgruppen wie beispielsweise Allyl und Vinyl. Diese Harze können vollständig kondensiert (HSiO3/2) oder nur partiell hydrolysiert (d. h. einige Si-OR enthalten) und/oder partiell kondensiert (d. h. einige Si-OH enthalten) sein. Obwohl nicht durch diese Struktur dargestellt, können diese Harze ebenfalls eine kleine Anzahl (z. b. weniger als ungefähr 10%) an Siliciumatomen, an die entweder 0 oder 2 Wasserstoffatome gebunden sind oder eine kleine Anzahl an SiC- Bindungen, aufgrund verschiedener Faktoren in Folge ihrer Bildung oder Handhabung, enthalten. Zusätzlich kann das Harz, falls gewünscht, auch mit Bor oder Phosphor dotiert sein.
  • Die oben erwähnten H-Harze und Verfahren ihrer Herstellung sind der Fachwelt bekannt. Zum Beispiel lehrt das U. S. Patent Nr.: 3,615,272 die Herstellung eines nahezu vollständig kondensierten H-Harzes (welches bis zu 100-300 ppm Silanol enthalten kann) durch ein Verfahren umfassend die Hydrolyse von Trichlorsilan in einem Hydrolysemedium aus Benzolsulfonsäure und Wasser und anschließendem Waschen des resultierenden Harzes mit Wasser oder wäßriger Schwefelsäure. Ähnlich beschreibt das U. S. Patent Nr.: 5,010,159 ein alternatives Verfahren, umfassend die Hydrolyse von Hydridosilanen in einem Hydrolysemedium aus Arylsulfonsäure und Wasser, um ein Harz zu bilden, das anschließend mit einem Neutralisationsmittel in Kontakt gebracht wird.
  • Weitere Hydridosiloxanharze, wie beispielsweise solche, die im U. S. Patent Nr.: 4,999,397 beschrieben sind, werden durch Hydrolyse eines Alkoxy- oder Acyloxysilans in einem sauren, alkoholischen Hydrolysemedium hergestellt oder solche, die im JP-A (Kokai) Nr.: 59-178749, 60-86017 und 63-107122 beschrieben sind oder jedem anderen gleichwertigem Hydridosiloxan werden hier ebenfalls funktionieren.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung können spezifische Molekulargewichtsfraktionen der oben erwähnten H-Harze in dem beanspruchten Verfahren verwendet werden. Solche Fraktionen und Verfahren für deren Herstellung werden im U. S. Patent Nr.: 5,063,267 gelehrt. Eine bevorzugte Fraktion enthält Material, in dem mindestens 75% der polymeren Spezies ein Molekulargewicht oberhalb 1200 besitzen und eine besonders bevorzugte Fraktion enthält Material, in dem mindestens 75% der polymeren Spezies ein Molekulargewicht zwischen 1200 und 100,000 besitzen.
  • Das H-Harz-Beschichtungsmaterial kann auch Vorläufer für andere keramische Oxide enthalten. Beispiele solcher Vorläufer umfassen Verbindungen verschiedener Metalle wie Aluminium, Titan, Zirkon, Tantal, Niob und/oder Vanadium genauso wie verschiedene nicht metallische Verbindungen wie jene von Bor oder Phosphor, die in Lösung gebracht, bei relativ niedrigen Temperaturen und relativ hohen Reaktionsgeschwindigkeiten hydrolysiert und anschließend pyrolysiert werden können, um Überzüge keramischer Oxide zu bilden.
  • Die oben erwähnten Vorläuferverbindungen für keramischen Oxide besitzen im allgemeinen ein oder mehrere hydrolysierbare Gruppen, die an das oben erwähnte Metall oder Nichtmetall, abhängig von der Wertigkeit des Metalls, gebunden sind. Die Anzahl der in diesen Verbindungen enthaltenen hydrolysierbaren Gruppen ist solange nicht kritisch wie die Verbindung in dem Lösemittel löslich ist. Desgleichen ist die Auswahl des genauen hydrolysierbaren Substituenten nicht kritisch, da die Substituenten entweder aus dem System heraus hydrolysiert oder pyrolysiert werden. Typische hydrolysierbare Gruppen umfassen Alkoxygruppen, wie beispielsweise Methoxy, Propoxy, Butoxy und Hexoxy, Acyloxygruppen wie beispielsweise Acetoxy oder andere, an dieses Metall oder Nichtmetall über ein Sauerstoffatom gebundene organische Gruppen wie beispielsweise Acetylacetonat. Spezifische Verbindungen sind Zirkontetraacetylacetonat, Titandibutoxydiacetylacetonat, Aluminiumtriacetylacetonat, Tetraisobutoxytitan, B&sub3;(OCH&sub3;)&sub3;O&sub3; und P&sub3;(OCH&sub2;CH&sub3;)&sub3;O.
  • Wenn das H-Harz mit einem der oben erwähnten Vorläufer für keramische Oxide vereinigt wird, wird es in einer Menge eingesetzt, so daß der endgültige keramische Überzug 70 bis 99,9 Gew.-% SiO&sub2; enthält.
  • Das H-Harz-Beschichtungsmaterial kann auch einen Platin-, Rhodium- oder Kupferkatalysator enthalten, um die Geschwindigkeit und das Ausmaß der Umwandlung zu Siliciumdioxid zu erhöhen. Im allgemeinen funktioniert jede Platin-, Rhodium- oder Kupferverbindung, die gelöst werden kann. Zum Beispiel ist eine Zusammensetzung wie beispielsweise Platinacetylacetonat, der Rhodi umkatal ysator RhCl&sub3;[S(CH&sub2;CH&sub2;CH&sub2;CH&sub3;)&sub2;]&sub3;, erhältlich von Dow Corning Corporation, Midland, Michigan oder Kupfer-II-naphthenat verwendbar. Diese Katalysatoren werden in einer Menge zwischen 5 bis 1000 ppm an Platin, Rhodium oder Kupfer bezogen auf das Gewicht des H-Harzes, hinzugefügt.
  • Das H-Harz wird durch jedes anwendbare Mittel auf das gewünschte Substrat aufgebracht, eine bevorzugte Methode verwendet eine Lösung, die das H-Harz in einem geeigneten Lösemittel enthält. Wenn dieser Lösungsansatz verwendet wird, wird die Lösung durch einfaches Lösen oder Suspendieren des H-Harzes in einem Lösemittel oder Lösemittelmischung gebildet. Verschiedene erleichternde Maßnahmen wie beispielsweise Rühren und/oder Wärme können verwendet werden, um das Auflösen zu unterstützen. Die in diesem Verfahren verwendbaren Lösemittel umfassen Alkohole wie beispielsweise Ethyl- oder Isopropylalkohol; aromatische Kohlenwasserstoffe wie beispielsweise Benzol oder Toluol; Alkane wie beispielsweise n-Heptan oder Dodecan; Ketone; cyclische Dimethylpolysiloxane; Ester oder Glykolether, in einer Menge, ausreichend, um die oben erwähnten Materialien in Lösungen geringer Konzentration zu überführen. Zum Beispiel wird genügend des oben erwähnten Lösemittels beigefügt, um eine 0,1 bis 50 Gew.-%ige Lösung zu bilden.
  • Die oben erwähnte H-Harz-Lösung wird anschließend auf das Substrat aufgebracht. Mittel, wie beispielsweise Spin-, Sprüh-, Tauch- oder Fließbeschichtung können hier alle eingesetzt werden. Nach dem Aufbringen wird das Lösemittel durch Mittel, wie beispielsweise simpler Lufttrocknung, Aussetzen an Umgebungsbedingungen oder durch Anwenden eines Vakuums oder milder Wärme, abgedampft.
  • Obwohl die oben beschriebenen Verfahren vorrangig auf die Verwendung eines Lösungsansatzes fokussieren, würde ein Fachmann erkennen, daß weitere ähnliche Beschichtungsverfahren (z. B. Schmelzbeschichten) ebenfalls in dieser Erfindung angewandt werden könnte.
  • Das beschichtete elektronische Substrat wird anschließend auf eine Temperatur erwärmt, die ausreicht, um das H-Harz zu einem Si-O-haltigen keramischen Überzug umzuwandeln. Die für das Erwärmen verwendete Temperatur liegt im allgemeinen im Bereich von 50 bis 1000ºC. Die genaue Temperatur wird aber auch von Faktoren wie beispielsweise der Pyrolyseatmosphäre, Erwärmungszeit und des gewünschten Überzugs abhängen. Bevorzugte Temperaturen liegen oftmals im Bereich von 200 bis 600ºC.
  • Das Erwärmen wird im allgemeinen in einem Zeitraum durchgeführt, der ausreicht, um den gewünschten Si-O-haltigen keramischen Überzug zu bilden. Im allgemeinen liegt der Erwärmungszeitraum im Bereich von bis zu 6 Stunden. Erwärmungszeiten von weniger als 2 Stunden (z. B. 0,1 bis 2 Stunden) werden im allgemeinen bevorzugt.
  • Das oben erwähnte Erwärmen kann bei jedem wirksamen Atmosphärendruck vom Vakuum bis hin zu superatmosphärischen Druck und unter jeder wirksamen oxidierenden oder nicht oxidierenden, gasförmigen Umgebung wie beispielsweise solcher enthaltend Luft, O&sub2;, Sauerstoffplasma, Ozon, ein inertes Gas (N&sub2;, etc.), Ammoniak, Aminen, Feuchtigkeit und N&sub2;O, durchgeführt werden.
  • Jedes Erwärmungsverfahren wie beispielsweise die Verwendung eines Konvektionsofens, schnelles thermisches Behandeln, Heizplatte oder Strahlungs- oder Mikrowellenenergie wird hier im allgemeinen funktionieren. Die Erwärmungsgeschwindigkeit ist ebenfalls nicht kritisch, jedoch wird bevorzugt so schnell als möglich zu erwärmen.
  • Der Si-O-haltige keramische Überzug wird anschließend einer Atmosphäre, die Wasserstoffgas enthält, für einen Zeitraum und bei einer Temperatur ausreichend, um den Überzug zu tempern (Formiergastemperung) ausgesetzt. Dieses Aussetzen kann sofort nach Bildung des keramischen Überzugs erfolgen oder alternativ kann das Aussetzen zu jedem späteren Zeitpunkt erfolgen. Im allgemeinen wird dieses Aussetzen durch Einführen des gewünschten Wasserstoffgases in eine für das Tempern verwendbare Kammer oder Brennofen ausgeführt.
  • Das hier verwendete Wasserstoffgas kann in jeder durchführbaren Konzentration verwendet werden. Zum Beispiel können Konzentrationen im Bereich zwischen 0,01 und 100 Volumenprozent verwendet werden. Selbstverständlich wird die obere Konzentrationsgrenze auch durch das verwendete Verfahren und die explosive Natur des Wasserstoffs bestimmt werden. Im allgemeinen liegen bevorzugte Konzentrationen im Bereich von 1 bis 30 Volumenprozent. Wenn das Wasserstoffgas in Kontakt mit Luft sein wird, werden Konzentrationen von 5 Volumenprozent oder weniger verwendet.
  • Das verdünnende Gas für Wasserstoff ist ebenfalls nicht kritisch. Inerte Gase wie beispielsweise Stickstoff, Argon, Helium oder reaktive Gase wie beispielsweise Luft können allesamt verwendet werden. Wie oben erwähnt muß die Konzentration des Wasserstoffs wenn ein reaktives Gas verwendet wird vorsichtig kontrolliert werden, um Explosionen zu verhindern.
  • Die während der Wasserstoffgaseinwirkung verwendete Temperatur kann über einen weiten Bereich variiert werden. Temperaturen von Raumtemperatur bis zu 800ºC sind hier alle funktionell. Bevorzugte Temperaturen liegen im allgemeinen im Bereich zwischen 200 und 600ºC.
  • Die Einwirkungszeit des Wasserstoffgases kann ebenfalls über einem weiten Bereich variieren. Einwirkungszeiten im Bereich von Minuten bis zu einigen Stunden (z. B. 1 Minuten bis zu 4 Stunden) sind hier funktio nell. Bevorzugte Einwirkungszeiten liegen im Bereich zwischen 10 Minuten und 2 Stunden.
  • Obwohl es nicht erwünscht ist durch die Theorie gebunden zu sein, postuliert der Erfinder, daß die Wasserstoffgaseinwirkung Feuchtigkeit aus dem Überzug entfernt und den Überzug so behandelt, daß der Wiedereintritt von Feuchtigkeit in den Überzug verhindert wird. Auf diese Art und Weise wird die Dielektrizitätskonstante des Überzuges verringert (z. B. auf einen Bereich von 2,8-4, 5) und stabilisiert. Von besonderem Interesse ist die Tatsache, daß die resultierenden Überzüge Dielektrizitätskonstanten bei 1 MHz von weniger als 3,5, oftmals weniger als 3,2, gelegentlich weniger als 3,0 und manchmal weniger als 2,8 besitzen können (z. B. 2,7-3,5).
  • Die folgenden Beispiele sind beigefügt, damit die Erfindung vom Fachmann einfacher verstanden werden kann.
    • Beispiel 1
  • Wasserstoffsilsesquioxanharz (durch das Verfahren des U. S. Patents Nr.: 3,615,272 hergestellt) wurde auf 18 Gew.-% in Methylisobutylketon verdünnt. n-Typ Siliciumwafer mit 1 mOhm-cm von 4 inch (10,2 cm) Durchmesser wurden mit dieser Lösung durch Spinbeschichtung bei 3000 Upm für 10 Sekunden, beschichtet. Die beschichteten Wafer wurden anschließend in der in Tabelle 1-3 spezifizierten Art und Weise zu den Si-O- haltigen Keramiken umgewandelt. Die resultierenden Überzüge waren 0,3 Mikrometer dick. Nach Umwandlung zur Keramik wurde Probe 2 20 Minuten lang bei 400ºC Wasserstoffgas ausgesetzt (5 Vol% in Stickstoff). Tabelle 1 zeigt die Auswirkung von Wasserstoffgas auf den Widerstand; Tabelle 2 zeigt die Wirkung von Wasserstoffgas auf die Dielektrizitätskonstante und Tabelle 3 zeigt die Wirkung von Wasserstoffgas auf die bewegliche Ladung.
  • Wie ersichtlich hat das Aussetzen der Überzüge an Wasserstoffgas eine dramatische Auswirkung auf deren elektrischen Eigenschaften. Außerdem bleibt, wie in Tabelle 4 gezeigt, die Dielektrizitätskonstante der mit Wasserstoffgas behandelten Überzüge bei Aussetzen an Laborumgebung über einen gewissen Zeitraum stabil, wohingegen die Dielektrizitätskonstante der unbehandelten Überzüge bei Laborumgebung nach einen gewissen Zeitraum ansteigt. Tabelle 1 - Widerstandsfähigkeit und Fehlerdichte (Mittelwerte, 2 Wiederholungen, 2 Sigma??) Tabelle 2 - 1 MHz Dielektrizitätskonstante und Verlust (Mittelwerte, 2 Wiederholungen, 2 Sigma) Tabelle 3 - Bewegliche Ladung
  • * Aussetzen an Wasserstoffgas Tabelle 4 - Dielektrizitätskonstante (DK) nach gewisser Zeit
    • Beispiel 2
  • Wasserstoffsilsesquioxanharz (durch das Verfahren des U. S. Patents Nr.: 3,615,272 hergestellt) wurde auf 22 Gew.-% in Methylisobutylketon verdünnt. n-Typ Siliciumwafer mit 1 mOhm-cm von 4 inch (10,2 cm) Durchmesser wurden mit dieser Lösung durch Spinbeschichten bei 1500 Upm für 10 Sekunden beschichtet. Einer der überzogenen Wafer wurde anschließend durch einstündiges Erwärmen bei 400ºC in Stickstoff zu den Si-O- haltigen Keramiken umgewandelt. Der resultierende Überzug war 0,8 Mikrometer dick. Die Dielektrizitätskonstante war 5,8. Der beschichtete Wafer wurde anschließend 20 Minuten lang bei 400ºC Wasserstoffgas ausgesetzt (5 Vol% in Stickstoff). Die Dielektrizitätskonstante sank auf 3,8. Ein zweiter beschichteter Wafer wurde anschließend durch einstündiges Erwärmen bei 400ºC in Sauerstoff zu einem Wafer mit einem Überzug aus Si-O-haltiger Keramik umgewandelt. Der resultierende Überzug war ungefähr 0,8 Mikrometer dick. Die Dielektrizitätskonstante betrug 5,0. Der beschichtete Wafer wurde anschließend 20 Minuten lang bei 400ºC Wasserstoffgas ausgesetzt (5 Vol% in Stickstoff). Die Dielektrizitätskonstante sank auf 4,2.
  • Wie ersichtlich, hat das Aussetzen an Wasserstoffgas einen signifikanten Einfluß auf die Dielektrizitätskonstante, wodurch eine Senkung von 5,8 auf 3,8 bzw. 5,0 auf 4,2 erreicht wurde.

Claims (10)

1. Verfahren zur Bildung eines Si-O-haltigen Überzugs auf einem elektronischen Substrat, umfassend:
Aufbringen eines Überzugs, der Wasserstoffsilsesquioxanharz enthält, auf ein elektronisches Substrat;
Erwärmen des beschichteten elektronischen Substrats, um das Wasserstoffsilsesquioxanharz zu einem Si-O-haltigen keramischen Überzug umzuwandeln, und
Aussetzen des Si-O-haltigen keramischen Überzugs an eine Temperatmosphäre, die Wasserstoffgas enthält, um den Überzug zu tempern.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das beschichtete Substrat zu dem Si-O-haltigen keramischen Überzug durch Erwärmen auf eine Temperatur im Bereich zwischen 50ºC und 1000ºC für bis zu 6 Stunden umgewandelt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Wasserstoffsilsesquioxanharz in polymere Spezies fraktioniert wird, so daß wenigstens 75% der polymeren Spezies ein Molekulargewicht zwischen 1.200 und 100.000 aufweisen.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Überzug, der das Wasserstoffsilsesquioxanharz enthält, außerdem modifizierende keramische Oxid-Precursor enthält, die eine Verbindung enthalten, die ein Element, ausgewählt aus Titan, Zirkon, Aluminium, Tantal, Vanadium, Niob, Bor und Phosphor, enthalten, wobei die Verbindung wenigstens einen hydrolysierbaren Substituenten, ausgewählt aus Alkoxy oder Acyloxy, enthält, und die Verbindung in einer Menge vorhanden ist, so daß der Siliciumdioxidüberzug 0,1 bis 30 Gewichtsprozent des modifizierenden keramischen Oxids enthält.
5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Überzug, der Wasserstoffsilsesquioxanharz enthält, außerdem einen Platin-, Rhodium- oder Kupferkatalysator in einer Menge zwischen 5 und 1000 ppm Platin, Rhodium oder Kupfer, bezogen auf das Gewicht des Wasserstoffsilsesquioxanharzes, enthält.
6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das beschichtete Substrat zu dem Si-O-haltigen keramischen Überzug durch Erwärmen in einer Atmosphäre, ausgewählt aus Luft, O&sub2;, Sauerstoffplasma, Ozon, einem Inertgas, Ammoniak, Aminen, Feuchtigkeit und N&sub2;O, umgewandelt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Temperatmosphäre Wasserstoffgas in einer Konzentration im Bereich von 1 bis 30 Volumenprozent enthält.
8. Verfahren zum Herabsetzen der Dielektrizitätskonstante eines Si-O- haltigen keramischen Überzugs, der sich von Wasserstoffsilsesquioxanharz ableitet, das Aussetzen eines Si-O-haltigen keramischen Überzugs, der sich von Wasserstoffsilsesquioxanharz ableitet, an eine Atmosphäre, die Wasserstoffgas enthält und Tempern, um die Dielektrizitätskonstante des Überzugs herabzusetzen, umfaßt.
9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Dielektrizitätskonstante auf weniger als 3, 2 bei 1 MHz herabgesetzt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei der Überzug auf einem elektronischen Substrat ausgebildet wird und wobei weiterhin das beschichtete Substrat ausgebildet ist, um einen Teil einer elektronischen Vorrichtung zu bilden.
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