DE69601284T2

DE69601284T2 - Verfahren zum Verkleben von Siliziumdioxid auf Gold

Info

Publication number: DE69601284T2
Application number: DE69601284T
Authority: DE
Inventors: Robert Charles Camilletti; Grish Chandra; Keith Winton Michael
Original assignee: Dow Corning Corp
Current assignee: Dow Silicones Corp
Priority date: 1995-06-26
Filing date: 1996-05-15
Publication date: 1999-09-02
Anticipated expiration: 2016-05-16
Also published as: DE69601284D1; TW332220B; KR970001597A; EP0751238A2; EP0751238B1; US5616202A; JPH0925179A; EP0751238A3

Description

Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Verbesserung der Haftung zwischen Siliciumdioxid und Gold, wobei Siliciumdioxid und Gold zuerst verbunden und dann in einer oxydierenden Atmosphäre geglüht werden.
Es ist bekannt, daß Gold nicht gut an keramischen Materialien, wie Siliciumdioxid haftet. Der Grund für diese schlechte Haftung liegt in den Unterschieden bei der Bindung, die diese Materialien aufweisen, d. h. Siliciumdioxid haftet an Substanzen durch Ionenbindung, wohingegen Gold durch anteilige Elektronenbindungen an Substanzen haftet. Und somit wird nach dem Stand der Technik eine direkte Molekülbindung zwischen den Materialien als unmöglich angesehen.
In der Elektronikindustrie ist es oftmals wünschenswert, auf solchen Vorrichtungen wie integrierten Schaltkreisen Goldmetallisierung und keramische Beschichtungen zu verwenden. Auf Grund der schlechten Haftung zwischen diesen Materialien kann es jedoch zu Delaminierung und zu einem Defekt des Schaltkreises kommen.
Zur Lösung dieses Problems wurden zahlreiche Versuche unternommen. Zum Beispiel wurden metallische Oxide, metallische Haftschichten und Klebstoffe zwischen der Keramik und dem Gold aufgetragen, um die Haftung zu verbessern. Diese Versuche haben alle Nachteile hinsichtlich Kosten, Komplexität, Ausmaß des Haftvermögens und elektrischen Merkmalen.
In dem US-Patent 4,050,496 wird ein vereinfachtes Verfahren zur Verbindung von Keramik und Gold beschrieben. Dabei muß das Erhitzen jedoch bei einer Temperatur von mehr als 800ºC durchgeführt werden, damit die Materialien chemisch reagieren können. Dieses Verfahren hat den offensichtlichen Nachteil, daß die hohen Temperaturen auch den Träger zerstören können. Darüber hinaus wurde das dort beschriebene Siliciumdioxid nicht aus Wasserstoffsilsesquioxanharz (H-Harz) hergestellt.
Wir haben jetzt unerwartet herausgefunden, daß aus Wasserstoffsilsesquioxanharz hergestelltes Siliciumdioxid durch Glühen bei tiefen Temperaturen in einer oxydierenden Umgebung an Gold gebunden werden kann.
Die vorliegende Erfindung schafft ein neues Verfahren zum Anhaften von Siliciumdioxid an Gold. Das Verfahren umfaßt das Verbinden eines Gegenstandes aus Gold und einer Siliciumdioxidkeramik. Das keramische Siliciumdioxid wird durch ein Verfahren gebildet, bei dem das H-Harze auf eine Temperatur erwärmt wird, die hoch genug ist, Siliciumdioxid auszubilden. Der mit Siliciumdioxidkeramik verbundene Gegenstand aus Gold wird dann in einer oxydierenden Atmosphäre bei einer Temperatur im Bereich von 50-500ºC für länger als eine Stunde geglüht.
Unsere Erfindung basiert auf der Entdeckung, daß Siliciumdioxid, das aus H-Harz hergestellt ist, ohne weiteres mit Gold durch Tieftemperaturglühen in einer oxydierenden Atmosphäre verbunden werden kann. Das war besonders unerwartet, weil gemäß dem Stand der Technik dieses Verbinden nicht möglich ist, sofern Siliciumdioxid und Gold nicht bei höheren Temperaturen geglüht werden. Wir behaupten, daß unsere unerwartete Entdeckung auf der Struktur oder den Eigenschaften des H-Harzes und seiner Wechselwirkung mit dem Gold basiert.
Der erste Schritt im erfindungsgemäßen Verfahren umfaßt das Verbinden eines Gegenstandes aus Gold mit einer Siliciumdioxidkeramik. Dieses Verbinden wird in irgendeiner gewünschten Weise ausgeführt. Zum Beispiel wird Gegenstand aus Gold einfach mit einem Gegenstand aus Siliciumdioxid in Berührung gebracht. Alternativ wird ein Goldgegenstand in einer Weise ausgebildet oder abgeschieden, daß er mit dem Siliciumdioxid in Berührung kommt. Zum Beispiel wird durch Dampfabscheidung im Vacuum oder ein Kathodenzerstäubung eine Goldschicht auf einem Gegenstand aus Siliciumdioxid abgelagert. Schließlich konnte ein Siliciumdioxidgegenstand in solcher Weise ausgebildet oder abgeschieden werden, daß er mit dem Gold in Berührung kommt. Zum Beispiel wird eine Schicht aus Siliciumdioxid auf einem Goldgegenstand durch ein Dampfabscheidungs- oder Aufschleuderverfahren abgelagert.
In einer bevorzugten Ausführungsform unserer Erfindung werden Gold und Siliciumdioxid auf einem elektronischen Bauelement miteinander verbunden. So, wie er hier verwendet wird, beinhaltet der Ausdruck "elektronisches Bauelement", ohne darauf beschränkt zu sein, elektronische Schaltkreise, wie auf Silicium basierende Bauelemente, Bauelemente auf Galliumarsenidbasis, Brennebenenarrays, optoelektronische Bauelemente, Fotoelemente und Leiterplatten.
Wenn sich Gold und Siliciumdioxid auf einem elektronischen Bauelement befinden, könnte das Gold z. B. die Form einer Dünnschichtverdrahtung, von Schaltverbindungen oder Anschlußflächen aufweisen. In ähnlicher Weise könnte das Siliciumdioxid z. B. die Form einer zwischenliegenden dielektrischen oder einer passivierenden Beschichtung haben. In einer bevorzugteren Ausführungsform dieser Erfindung hat das Gold die Form eine Anschlußfläche und das Siliciumdioxid ist eine passivierende Beschichtung, die zur Abdichtung des elektronischen Bauelements verwendet wird.
Das hier verwendete Gold kann sehr rein sein (z. B. > 99%) oder es kann alternativ unrein oder mit anderen Elementen wie Metallen oder Oxiden dotiert sein. Dieses Gold kann zu irgendeiner Form in jeder gewünschten Weise ausgebildet sein. Zum Beispiel könnte das Gold durch Abscheidung im Vakuum ausgebildet sein. Bei diesem Verfahren wird der zu beschichtende Träger in eine Vakuumkammer (Druck, Temperatur, Plasma usw. je nach Wunsch) gelegt, die Kammer wird evakuiert, Golddampf in die Kammer einleitet (ausgebildet z. B. durch Aufbringen von Gold auf einen heißen Wolframglühfaden) und dann läßt man den Dampf sich auf dem Träger abscheiden. Das Gold könnte ebensogut durch Kathodenzerstäubung mit Elektronenstrahlen im Vakuum oder in geschmolzener Form abgeschieden werden usw.
Das erfindungsgemäß einzusetzende Siliciumdioxid wird aus H-Harz hergestellt. Dieses Harz wird durch Hydrolyse oder teilweise Hydrolyse von HSiX&sub3; ausgebildet, wobei X ein hydrolysierbarer Substituent ist, wie ein Halogenatom (z. B. Chlor, Fluor und Brom), eine Alkoxygruppe (z. B. Methoxy, Ethoxy oder Propoxy) oder Acyloxy (z. B. Acetoxy). Das sich ergebende Harz hat die Formel HSi(OH)X(X)yOz/2, wobei jedes X ein hydrolysierbarer Substituent, wie oben definiert, ist, x ist gleich 0-2, y ist gleich 0-2, z ist gleich 1-3, x + y + z ist gleich 3. Somit kann das Harz vollständig kondensiert (HSiO3/2)n oder es kann nur teilweise hydrolysiert (d. h. es enthält etwas Si-X) und/oder teilweise kondensiert (d. h. es enthält etwas Si-OH) werden. Wenngleich es durch diese Struktur nicht dargestellt ist, kann das Harz eine geringe Anzahl von Siliciumatomen (z. B. weniger als 10%) enthalten, an die auf Grund verschiedener Faktoren, die an ihrer Ausbildung oder Handhabung beteiligt sind, entweder 0 oder 2 Wasserstoffatome gebunden sind.
Im Stand der Technik sind die Methoden zur Herstellung des Harzes bekannt. Es ist z. B. bekannt, ein Alkoxy oder Acyloxysilan mit Wasser in einem säurebildenden, alkoholischen Hydrolysemedium zu hydrolysieren. Ähnliches beschreibt US-A-3,615,272 mit der Herstellung eines fast vollständig kondensierten H-Harzes (das bis zu 100 bis 300 ppm Silanol enthalten kann) durch ein Verfahren, das das Hydrolysieren von Trichlorsilan in einem Hydrolysemedium aus Benzolsulfonsäurehydrat und anschließendes Waschen des sich ergebenden Harzes mit Wasser oder wäßriger Schwefelsäure umfaßt. Zusätzlich schafft US-A-5,010,159 ein alternatives Verfahren, das das Hydrolysieren von Hydridosilanen in einem Hydrolysemedium aus Arylsulfonsäure umfaßt, um ein Harz auszubilden, das dann mit einem neutralisierenden Agens in Berührung gebracht wird.
Es wird daufhingewiesen, daß bei einer bevorzugten Ausführungsform dieser Erfindung spezielle Molekulargewichtsfraktionen des obigen Harzes verwendet werden können. Diese Fraktionen und die Methoden ihrer Herstellung werden in US-A-5,063,267 beschrieben. Eine bevorzugte Fraktion enthält Material, bei dem mindestens 75% der polymeren Verbindungen ein Molekulargewicht von mehr als 1.200 haben. Eine bevorzugtere Fraktion enthält Material, bei dem mindestens 75% der polymeren Verbindungen ein Molekulargewicht zwischen 1.200 und 100.000 haben.
Das Siliciumdioxid kann auch andere keramische Oxidvorläufer enthalten. Beispiele für solche Vorläufer sind hydrolysierte oder teilweise hydrolysierte Verbindungen aus verschiedenen Metallen wie Aluminium, Titan, Zircon, Tantal, Niob und/oder Vanadium sowie verschiedene nicht metallische Verbindungen wie die aus Bor oder Phosphor. Diese Verbindungen werden zusammen mit dem H-Harz hydrolysiert und das gemischte Hydrolysat wird anschließend pyrolysiert, um gemischte keramische Oxidbeschichtungen auszubilden, wie in den Patenten US-A-(s)- 4,753,855 und 4,973,526 beschrieben.
Das Siliciumdioxid kann auch, wie in US-A-4,822,697 beschrieben, einen Platin-, Rhodium- oder Kupferkatalysator enthalten, um Geschwindigkeit und Umfang der Umwandlung zu Siliciumdioxid zu erhöhen. Im allgemeinen sind alle Platin-, Rhodium- oder Kupferverbindungen oder -komplexe, die gelöst werden können, brauchbar. Zum Beispiel ist eine Zusammensetzung wie Platinacetylacetonat, Rhodiumkatalysator RhCl&sub3;[S(CH&sub2;CH&sub2;CH&sub2;CH&sub3;)&sub2;]&sub3;, erhältlich von Dow Corning Corporation, Midland, Mich., oder Kupfer(II)- Naphthenat geeignet. Diese Katalysatoren werden im allgemeinen in einer Menge zwischen 5 bis 1.000 ppm Platin, Rhodium oder Kupfer, bezogen auf das Gewicht des H-Harzes, zugesetzt.
Das Siliciumdioxid wird aus dem H-Harz in irgendeiner gewünschten Weise ausgebildet. Zum Beispiel kann das Siliciumdioxid durch chemische Dampfabscheidung im Vakuum, wie in US-A-5,165,955 beschrieben, ausgebildet werden. Alternativ kann das Siliciumdioxid aus Lösung ausgebildet werden, wie er z. B. in US-A-4,756,977 beschrieben ist. Letzterer Arbeitsweise ist bevorzugt und umfaßt lediglich das Auftragen einer das H-Harz enthaltenden Flüssigkeit auf einem Träger und anschließendes Erwärmen.
Wenn dieser Arbeitsweise aus Lösung verwendet wird, wird die Flüssigkeit mit dem H-Harz im allgemeinen ausgebildet, indem das H-Harz in einem Lösemittel oder einer Mischung von Lösemitteln einfach aufgelöst oder suspendiert wird. Es können verschiedene unterstützende Maßnahmen, wie Rühren und/oder Erwärmen, eingesetzt werden, um die Auflösung/Dispersion zu bewirken. Die Lösemittel, die bei diesem Verfahren verwendet werden können, umfassen z. B. aromatische Kohlenwasserstoffe wie Benzol oder Toluol: Alkane wie n-Heptan, Octan, Decan oder Dodecan; Ketone wie Methylisobutylketon; cyclische Dimethylpolysiloxane, Ester und Ether in einer Menge, die ausreicht, die obigen Materialien mit niedrigen Feststoffgehalten aufzulösen oder zu dispergieren. Zum Beispiel kann eine ausreichende Menge an obigen Lösemitteln verwendet werden, um eine Lösung 0,1-85 Gew.-%ige auszubilden.
Der Träger wird dann mit dieser Flüssigkeit mittels Aufschleuder-, Sprüh-, Tauch- oder Fließbeschichtung beschichtet und man läßt das Lösemittel verdunsten. Es kann jede geeignete Möglichkeit zur Verdunstung wie einfaches Lufttrocknen in normaler Umgebung oder ein Vakuum eingesetzt werden.
Obwohl die oben beschriebenen Verfahren hauptsächlich auf die Verwendung einer Lösung gerichtet sind, werden Fachleute erkennen, daß andere äquivalente Mittel (z. B. Schmelzbeschichten) hier auch funktionieren können.
Das H-Harz wird dann normalerweise in eine Siliciumdioxidkeramik durch Erwärmen auf eine ausreichende Temperatur umgewandelt. Im allgemeinen liegt die Temperatur im Bereich von 50 bis 1.000ºC, in Abhängigkeit von der Pyrolyseatmosphäre und Keramikvorläuferverbindung. Bevorzugte Temperaturen liegen im Bereich von 50 bis 600ºC und noch besser zwischen 50-450ºC. Die Erwärmung wird im allgemeinen bis zur Keramifizierung durchgeführt, im allgemeinen bis zu 4 Stunden (z. B. 1 bis 3 Stunden), wobei weniger als 2 Stunden bevorzugt werden.
Das zuvor beschriebene Erwärmen kann bei irgendeinem wirksamen atmosphärischen Druck, von Vakuum bis Überdruck und unter irgendeiner wirksamen oxydierenden oder nicht oxydierenden gasförmigen Umgebung wie Luft, O&sub2;, einem Inertgas (N&sub2;, usw.), Ammoniak, Aminen, Feuchtigkeit und N&sub2;O durchgeführt werden.
Irgendein Erwärmungsverfahren wie die Verwendung von Konvektionsöfen, thermischer Schnellbehandlung, Heizplatten oder Strahlungsquellen oder Mikrowellenenergie kann hier im allgemeinen eingesetzt werden. Darüber hinaus ist auch die Erwärmungsgeschwindigkeit nicht kritisch, aber es ist besonders bevorzugt, so schnell wie möglich zu erwärmen.
Das Gold und das Siliciumdioxid, ausgebildet nach den zuvor beschriebenen Arbeitsweisen, werden dann miteinander verbunden. Es ist zu beachten, daß bei dem hier angewandten Verfahren das H-Harz auf das Gold aufgetragen und dann anschließend in Siliciumdioxid umgewandelt wird.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform unserer Erfindung wird eine integrierte Schaltung mit goldenen Anschlußflächen mit einer passivierenden Beschichtung aus Siliciumdioxid, hergestellt aus H-Harz, abgedichtet. Das wird im allgemeinen nach einem von zwei Verfahren durchgeführt. Bei dem ersten Verfahren wird ein integrierter Schaltkreis mit dem Siliciumdioxid beschichtet, dann wird das Siliciumdioxid an den Anschlußflächen geätzt und als nächstes wird das Gold auf den Anschlußflächen (und in Berührung mit Siliciumdioxid) abgeschieden. Bei dem zweiten Verfahren wird das Gold auf den Anschlußflächen eines integrierten Schaltkreises abgeschieden, anschließend wird eine Siliciumdioxidbeschichtung abgeschieden und die wird dann geätzt, um das Gold freizulegen.
Das miteinander verbundene Gold und Siliciumdioxid wird dann in einer oxydierenden Atmosphäre geglüht. Im allgemeinen liegt die Temperatur für das Glühen im Bereich von 50 bis 500ºC. Vorzugsweise liegt die Temperatur im Bereich von 100 bis 200ºC.
Das für das Erwärmen verwendete Verfahren ist nicht kritisch und es kann hier jedes im Stand der Technik bekannte verwendet werden. Dazu gehören z. B. Konvektionsofen, thermische Schnellbehandlung, Heizplatte oder Strahlungsquelle oder Mikrowellenenergie.
Die Glühzeit beträgt mehr als eine Stunde. Während das Glühen so lange wie gewünscht durchgeführt werden kann, liegt aus praktischen Gründen die Glühzeit im allgemeinen im Bereich von 1 bis 24 Stunden, wobei eine Zeit im Bereich von 5 bis 20 Stunden bevorzugt wird.
Für das Glühen wird eine Atmosphäre verwendet, in der das Siliciumdioxid und das Gold oxydieren können. Zu solchen Atmosphären gehören z. B. Umgebungen wie Luft, Oz, Sauerstoffplasma, Ozon und Dinitrogenoxid. Der Einfachheit halber wird im allgemeinen Luft als Atmosphäre verwendet.
Bei dem entstandenen Produkt ist das Siliciumdioxid fest mit dem Gold verbunden. Diese Bindungen waren stark genug, um die Klebbandprüfung von ASTM, Verfahren B3330 mit einem Band von 33,618 Pascal, zu bestehen. Obwohl wir nicht durch Theorie gebunden sein wollen, behaupten wir, daß das vom H-Harz abgeleitete Siliciumdioxid die Fähigkeit hat, unter Glühbedingungen mit dem Gold in Wechselbeziehung zu treten und sich zu verbinden.
Wenn gewünscht, kann die Siliciumdioxidbeschichtung durch andere Beschichtungen, wie zusätzliche SiO&sub2;-Schichten, siliciumhaltige Beschichtungen, Silicium-Kohlenstoff enthaltende Beschichtungen, Silicium-Stickstoff enthaltende Beschichtungen, Silicium-Sauerstoff- Stickstoff enthaltende Beschichtungen und/oder Silicium-Stickstoff- Kohlenstoff enthaltende Beschichtungen abgedeckt werden. Solche mehrlagigen Beschichtungen sind im Stand der Technik bekannt und viele werden allgemein in US-A-4,756,977 beschrieben. Eine besonders bevorzugte Beschichtung ist Siliciumcarbid, aufgetragen durch chemische Dampfabscheidung im Vakuum von Silacyclobutan oder Trimethylsilan.
Die folgenden nicht einschränkenden Beispiele sollen Fachleuten ein besseres Verständnis für die Erfindung ermöglichen.

Beispiele

Es wurde eine Lösung mit 15 Gew.% H-Harz (hergestellt nach dem Verfahren von US-A-3,615,272) durch Auflösen des H-Harzes in cyclischen Dimethylsiloxanen (Beispiele 1-8) oder n-Heptan (Beispiele 9-10) und Lagern der Mischung für 16 Stunden, hergestellt.
Silicium-Wafer, Durchmesser 125 mm, wurden durch Aufstäuben von 200 nm Gold und Einwirken von Stickstoff bei 175ºC metallisiert.
Die Wafer wurden in kleinere Gruppen unterteilt, um die Wirkung von verschiedenen Verfahren zur Reinigung der Oberfläche zu beurteilen: 1) keine Reinigung, 2) UV-Ozon-Reinigung und 3) Plasmareinigung (2 Min. O&sub2; und 5 Min. Ar).
Die Wafer wurden sofort nach dem Reinigen beschichtet. Die Beschichtung wurde durch direktes Verteilen der H-Harz-Lösung durch einen PTFE- Filter, 0,2 um, (Stelle des Gebrauchs) auf den metallisierten Wafern aufgetragen. Die Wafer wurden dann bei 3.000 U/min. 20 Sekunden lang in schnelle Drehung versetzt, um eine Dicke von etwa 350 nm zu erhalten.
Alle Beschichtungen wurden dann durch folgendes Verfahren in Siliciumoxidbeschichtungen umgewandelt:
1. Die beschichteten Wafer wurde in einen Ofen gelegt und die Temperatur wurde bis auf 175ºC unter Stickstoff erhöht.
2. Der Ofen wurde 10 Minuten lang mit Ammoniakgas gespült.
3. Vier Stunden lang wurden in den Ofen Dampf und Ammoniak eingeleitet.
4. Der Ofen wurde 1 Stunde lang mit Ammoniakgas gespült.
5. Die Temperatur im Ofen wurde im Ammoniakgas gesenkt, bis sie weniger als 100ºC betrug.
6. Der Ofen wurde mit Stickstoff gespült.
Die Wafer mit der Siliciumoxidbeschichtung wurden dann den in Tabelle 1 aufgeführten Umgebungen ausgesetzt.
Die entstandenen Beschichtungen wurden dann auf ihre Haftung bei der Metallisierung durch die Klebbandprüfung von ASTM, Verfahren B3330, bei 25ºC und einer relativen Feuchtigkeit von 35% geprüft. Bei den Prüfungen wurden Bänder mit drei verschiedenen Haftfestigkeiten verwendet:
1. 10,775 Pascal
2. 24,998 Pascal
3. 33,618 Pascal
Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 aufgeführt. Die Prüfung gilt als nicht bestanden, wenn die Siliciumdioxidschicht mit dem Band abgezogen wurde. Es ist zu vermerken, daß die Ergebnisse der Oberflächenreinigung nicht aufgeführt werden, da sich bei den verschiedenen Reinigungsverfahren keine Veränderung der Haftung ergab. Tabelle 1

Claims

1. Verfahren zum Anhaften von Siliciumdioxid an Gold durch Verbinden eines Gegenstandes aus Gold mit Siliciumdioxidkeramik, wobei das Siliciumdioxid gebildet wird durch ein Verfahren des Erwärmens von Wasserstoffsilsesquioxanharz auf eine zum Ausbilden von Siliciumdioxid ausreichende Temperatur und Glühen des mit Siliciumdioxidkeramik verbundenen Gegenstandes aus Gold in einer oxydierenden Atmosphäre bei einer Temperatur im Bereich von 50-500ºC für länger als 1 Stunde.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand aus Gold ein mit Gold metallisiertes elektronisches Bauelement ist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand aus Gold eine mit Gold elektrisch leitend verbundene Anschlußfläche ist.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumdioxidkeramik eine Siliciumdioxidbeschichtung auf einem elektronischen Bauelement ist.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die oxydierende Atmosphäre ein aus der aus Luft, Sauerstoff, Ozon, Dinitrogenoxid und Sauerstoffplasma bestehenden Gruppe ausgewähltes Gas enthält.

6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine zusätzliche keramische Schicht auf die Siliciumdioxidbeschichtung aufgebracht wird, wobei die zusätzliche keramische Schicht aus der aus Siliciumdioxidschichten, siliciumhaltigen Schichten, Silicium- Kohlenstoff enthaltenden Schichten, Silicium-Stickstoff enthaltenden Schichten, Silicium-Sauerstoff-Stickstoff enthaltenden Schichten und Silicium-Stickstoff-Kohlenstoff enthaltenden Schichten bestehenden Gruppe ausgewählt ist.

7. Verfahren zum Anhaften einer Siliciumdioxidschicht an Goldmetallisierung auf einem elektronischen Bauelement durch Ausbilden von Goldmetallisierung auf einem elektronischen Bauelement, Aufbringen einer Beschichtung aus Wasserstoffsilsesquioxanharz auf das elektronische Bauelement, wobei das Wasserstoffsilsesquioxanharz in physikalischem Kontakt mit der Goldmetallisierung abgeschieden wird, Erwärmen des elektronischen Bauelements auf eine zum Umwandeln des Wasserstoffsilsesquioxanharzes in eine Siliciumdioxidschicht ausreichende Temperatur und Glühen des elektronischen Bauelements in einer oxydierenden Atmosphäre bei einer Temperatur im Bereich von 50-500ºC für länger als 1 Stunde.

8. Verfahren zum Anhaften einer Goldmetallisierung auf einer Siliciumdioxidschicht auf einem elektronischen Bauelement durch Aufbringen einer Schicht von Wasserstoffsilsesquioxanharz auf ein elektronisches Bauelement, Erwärmen des beschichteten elektronischen Bauelements auf eine zum Umwandeln des Wasserstoffsilsesquioxanharzes in eine Siliciumdioxidschicht ausreichende Temperatur, Ausbilden von Goldmetallisierung auf dem elektronischen Bauelement, wobei die Goldmetallisierung in physikalischem Kontakt mit der Siliciumdioxidschicht steht, und Glühen des elektronischen Bauelements in einer oxydierenden Atmosphäre bei einer Temperatur im Bereich von 50-500ºC für länger als 1 Stunde.