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DE69032893T2 - Werkstoff für elektrische Leiter, Elektronikagerät welches diesen verwendet und Flüssig-Kristall-Anzeige - Google Patents

Werkstoff für elektrische Leiter, Elektronikagerät welches diesen verwendet und Flüssig-Kristall-Anzeige

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DE69032893T2
DE69032893T2 DE69032893T DE69032893T DE69032893T2 DE 69032893 T2 DE69032893 T2 DE 69032893T2 DE 69032893 T DE69032893 T DE 69032893T DE 69032893 T DE69032893 T DE 69032893T DE 69032893 T2 DE69032893 T2 DE 69032893T2
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alloy
metal
metal layer
layered
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Mitsushi C/O Intellectual Property Minato-Ku Tokyo Ikeda
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Original Assignee
Toshiba Corp
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Description

  • Die Erfindung betrifft sowohl ein Leitungsmaterial, das zur Ausbildung von elektronischen Schaltungen geeignet ist, als auch ein elektronisches Bauelement, z. B. eine Flüssigkristallanzeige nach Art einer aktiven Matrix, die ein solches Leitungsmaterial verwendet.
  • Flüssigkristallanzeigeelemente nach Art einer aktiven Matrix finden zunehmend Beachtung, wobei das Anzeigeelement Dünnschichttransistoren (TFT), die aus einer amorphen Silizium-(a-Si-)Schicht bestehen, als Schaltelemente verwendet. Die Grund dafür ist, daß das Merkmal, daß eine a-Si-Schicht bei niedrigen Temperaturen auf einem preiswerten Glassubstrat ausgebildet werden kann, den Weg zur Erzeugung von großflächigen, hochintegrierten und hochauflösenden Anzeigefeldern (Flachbildfernsehen) mit niedrigen Kosten öffnen kann. Diese Art von Flüssigkristallanzeigeelement nach Art einer aktiven Matrix besteht aus einigen Hunderten bis Tausenden von Adreß- und Datenleitungen, deren sämtliche Schnittpunkte mit einem TFT, einem Pixel und einem Speicherkondensator versehen sind. Die Anzahl der TFTs oder der Speicherkondensatoren ist so groß (einige Zehntausende bis einige Millionen), daß die Leistungsfähigkeit dieser Art von Anzeigeelementen durch ihre Ausbeute bestimmt wird.
  • Während jeder Schnittpunkt zwischen den Adreß- und Datenleitungen und deren Zwischenabschnitte an jedem TFT-Teil mit einer Isolierschicht isoliert sind, bewirkt das Vorhandensein von Nadellöchern in dieser Isolierschicht zwei eindimensionale bzw. Liniendefekte auf den Adreß- und Datenleitungen, die durch diesen Teil laufen. Ebenso erzeugen Nadellöcher, die in der Isolierschicht zwischen jeder Speicherkondensatorleitung und jeder Pixelelektrode vorhanden sind, Punktdefekte. Die Isolierschichten werden nach einem Plasma-CVD-(chemisches Bedampfungs-)Verfahren ausgebildet, das Schichten bei niedrigen Temperaturen ausbilden kann. Dieses Plasma-CVD-Verfahren konnte jedoch die Nadellöcher, die durch an den Kammerwänden haftende Verunreinigungssubstanzen bewirkt werden, nicht beseitigen.
  • Eine Lösung zur Verhinderung der Entstehung solcher Defekte ist eine anodisch oxidierte Schicht. Bei anodisch oxidierten Schichten werden Nadellöcher durch die Einwirkung eines elektrischen Feldes auf diese während ihres Ausbildungsvorgangs von selbst beseitigt, und dadurch sind die Nadellöcher ausgeschlossen. Anodisch oxidierbare Metalle sind Ta und Mo-Ta-Legierungen. Oxidschichten aus Ta haben keinen ausreichenden spezifischen elektrischen Widerstand, während Oxidschichten aus Mo-Ta-Legierungen einen schlechten Wärmewiderstand haben, womit also beide die Anforderungen, nämlich hohen Wärmewiderstand und hohen spezifischen elektrischen Widerstand für das Material der Adreß- und Datenleitungen nicht erfüllen.
  • Obwohl kleine Anzeigeelemente lediglich hohen Isolationswiderstand für ihre Oxidschichten erfordern, muß das Flüssigkristallanzeigeelement nach Art einer aktiven Matrix mit einer großen Anzeigefläche mit kleinstmöglichen Pixeln dünne und lange Signalleitungen zu jedem TFT, nämlich die Gate-Leitung und die Datenleitung haben, und dies erhöht natürlich deren Leitungswiderstand. Andererseits muß der Leitungswiderstand minimiert werden, um die Wellenformverzerrung und die Verzögerung von Impulssignalen auszuschließen, was einen geringeren spezifischen elektrischen Widerstand der leitungsbildenden Metalle erforderlich macht. Außerdem erfordert die rückwärts versetzte TFT- Struktur, nach der eine Gate-Elektrodenleitung und eine a-Si-Schicht nacheinander auf einem Glassubstrat ausgebildet und aufgebracht sind, nicht nur eine dünne Gate- Elektrodenleitung, sondern auch daß die Gate-Elektrodenleitung gegen chemische Behandlungen beständig ist, denen sie in den nachfolgenden Prozessen ausgesetzt ist.
  • Die Datenelektrodenleitungsmaterialien, die diese Anforderungen erfüllen, sind Ta und Ti. Deren spezifischer elektrischer Widerstand ist jedoch zu hoch, um eine größere Anzeigenfläche und eine höhere Integrationsdichte zu erreichen. Deshalb wird die Entwicklung eines Materials mit niedrigem Widerstand, hoher Formbarkeit und Beständigkeit gegen chemische Behandlung gefordert. Die versetzte TFT-Struktur, nach der die Source- und Drain-Elektrodenleitungen auf der Substratseite angeordnet sind, erfordert ebenfalls ein Material mit hohem Widerstand, hoher Formbarkeit und chemischer Beständigkeit. Dieses Problem muß auch bei Anzeigeelementen nach Art einer aktiven Matrix, die nicht auf TFT- Technologie beruhen, gelöst werden.
  • Lösungen für das oben beschriebene Problem sind in der geprüften japanischen Patentveröffentlichung 48910/86 und 65669/1988 offenbart: die Mo-Ta-Legierungs- bzw. die Ta-Schicht auf einem kubischen Metall, wie in Fig. 1 gezeigt. Während diese Schichten als strukturierte Schicht vorgeschlagen werden, die die Anforderungen des geringen Widerstands und der anodischen Oxidation erfüllen, haben die anodisch oxidierten Schichten aus Mo-Ta- Legierungen und kubischen Metallen (außer Ta) keinen ausreichenden Wärmewiderstand. Die anodisch oxidierten Schichten, die aus den oben beschriebenen Metallen ausgebildet sind, weisen unmittelbar nach ihrer Ausbildung eine ausreichende Isolierung auf, aber diese Isolierung verschlechtert sich, wenn sie Wärmebehandlungen von 200ºC oder mehr unterzogen werden. Es wird angenommen, daß der Grund dafür ist, daß die anodischen Oxide von kubischen Metallen und Mo-Ta-Legierungen, die die untere Schicht der Verbundschicht bilden, nach der Wärmebehandlung im anodischen Oxidationsverfahren schlechter werden.
  • US-A-4523811 offenbart ein Leitungsmaterial, das aus einer einzigen Metallschicht aus Ta oder stickstoffdotiertem Ta besteht.
  • Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Leitungsmaterial bereitzustellen, das auf einfache Weise zu einem Material mit niedrigem Widerstand ausgebildet werden kann.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Leitungsmaterial bereitzustellen, das nach einem anodischen Oxidationsverfahren auf einfache Weise zu einer Schicht mit niedrigem Widerstand und hoher Qualität ausgebildet werden kann.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektronisches Bauelement mit einem Leitungsmaterial bereitzustellen, das aus einer Isolierschicht mit niedrigem Widerstand und hoher Qualität besteht, die auf einfache Weise nach einem Oxidationsverfahren ausgebildet wird.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine Flüssigkristallanzeige bereitzustellen, die auf einfache Weise hergestellt werden kann und deren Betrieb sehr zuverlässig ist.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Schichtverbund- Leitungsmaterial nach Anspruch 1 bereitgestellt. Das Leitungsmaterial mit der Schichtverbundstruktur ist für die Ausbildung von Signalleitungen und Elektroden beispielsweise einer Flüssigkristallanzeige anzuwenden.
  • Eine TaN-Legierung, die eine erste Metallschicht bildet, kann 30 Atom-% oder mehr N enthalten: die Ta-Nb-N-Legierung und die Ta-W-N-Legierung aller Verbindungen kann für das erste Metall verwendet werden.
  • Die TaN-Legierung, die die zweite Metallschicht bildet, kann 20 Atom-% N oder weniger enthalten;
  • die Ta-Nb-Legierung, die Ta-W-Legierung, die TaN-Legierung, die Ta-Mo-N-Legierung enthalten weniger als 40 Atom-% W, die Ta-Nb-N-Legierung weniger als 40 Atom-% Nb und die Ta-W-N-Legierung.
  • Die Erfindung ermöglicht es, daß eine Nitridschicht einer Ta-Legierung mit einem N-Gehalt, der größer ist als der oben erwähnte, weiter auf die zweite Metallschicht im Schichtverbund aufgebracht werden kann.
  • Das erfindungsgemäße Leitungsmaterial kann durch Aufbringen des zweiten Metalls auf das erste Metall als Schichtverbund ausgebildet werden. Die erste Metallschicht besteht aus einem Metall oder aus zwei oder mehr Metallen in der Gruppe, und sie kann, wenn sie aus zwei oder mehr Metallen besteht, die Form eines Gemischs oder einer Schichtverbundstruktur haben. Ebenso besteht die zweite Metallschicht aus einem Metall oder aus zwei oder mehr Metallen in der Gruppe, und sie kann, wenn sie aus zwei oder mehr Metallen besteht, die Form eines Gemischs oder einer Schichtstruktur haben.
  • Die Erfindung verwendet die TaN-Legierung oder die Ta-M-N-Legierung (M = Nb, W) als das untere Schichtmaterial, und dadurch wird es möglich, daß beim Aufbringen auf ein Glassubstrat eine α-Struktur mit niedrigem Widerstand und keine β-Ta-Struktur mit hohem Widerstand auf einfache Weise ausgebildet wird.
  • Wenn die zweite Metallschicht aus der N-haltigen Legierung oder den N-haltigen Legierungen besteht, weist die Oxidschicht, die nach einem anodischen Oxidationsverfahren integriert auf der Oberfläche ausgebildet ist, ohne weiteres eine ausreichende Isolierung (hohen spezifischen elektrischen Widerstand) auf, wodurch der durch die Wärmebehandlung bedingte Leckstrom verringert und der Wärmewiderstand verbessert wird. Das heißt, die TaN- oder Ta-M-N-Legierung, die die untere Schicht bildet, fungiert als eine Leitung mit niedrigem Widerstand (niedrigem Leitungswiderstand), während die anodisch oxidierte Schicht oder dgl., die aus dem zweiten Metall besteht, das die obere Schicht bildet, als ausreichender Zwischenschichtisolator fungiert. Daher ist bei Verwendung des Leitungsmaterials, in dem die TaN-. Ta-M-N/Ta-, Ta-M- oder TaN- und die Ta-M-N-Oxidschicht im Schichtverbund ausgebildet sind, als Adreßleitung oder dgl. eine einfache Herstellung von Flüssigkristallanzeigen möglich, deren Leistungsfähigkeit auch nach der Wärmebehandlung sichergestellt ist.
  • Fig. 1 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen den Zusammensetzungen von herkömmlichen α-TaMo/TaMo- und TaMo-Legierungen und deren spezifischen elektrischen Widerstand darstellt;
  • Fig. 2 bis 4 sind Diagramme, die die Charakteristik eines erfindungsgemäßen Schichtverbund-Leitungsmaterials darstellen; wobei Fig. 2 ein Diagramm ist, das die Beziehung zwischen der Zusammensetzung einer TaN-Schicht, die ein erstes Metall ist, das die untere Schicht bildet, und dem spezifischen elektrischen Widerstand einer Ta-haltigen Schicht darstellt, die ein zweites Metall ist, das eine obere Schicht bildet; Fig. 3 ein Diagramm ist, das die Beziehung zwischen der N-Dotierungsmenge in der Ta-haltigen Schicht, die die zweite Metallschicht ist, die die obere Schicht bildet, und ihrem spezifischen Widerstand darstellt; und Fig. 4 ein Diagramm ist, das die Beziehung zwischen der N- Dotierungsmenge in der Ta-haltigen Schicht, die die zweite Metallschicht ist, die die obere Schicht bildet, und dem spezifischen elektrischen Widerstand der ausgebildeten anodisch oxidierten Schicht darstellt:
  • Fig. 5 ist eine Ersatzschaltung einer Flüssigkristallanzeige nach Art einer aktiven Matrix;
  • Fig. 6 ist eine Schnittdarstellung, die den Hauptabschnitt eines Substrats für die Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige darstellt, auf die das erfindungsgemäße Schichtverbund- Leitungsmaterial aufgebracht ist;
  • Fig. 7 ist eine Schnittdarstellung, die den Hauptabschnitt eines MIM- bzw. Metall- Isolator-Metall-Elements darstellt, auf das das erfindungsgemäße Schichtverbund- Leitungsmaterial aufgebracht ist;
  • Fig. 8 eine Schnittansicht des Hauptabschnitts einer Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige;
  • Fig. 9 ist eine Schnittdarstellung, die den Hauptabschnitt einer Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeige darstellt, auf die ein anderes erfindungsgemäßes Schichtverbund- Leitungsmaterial aufgebracht ist;
  • Fig. 10 ist eine Schnittdarstellung, die den Hauptabschnitt eines MIM-Elements darstellt, auf das das erfindungsgemäße Schichtverbund-Leitungsmaterial aufgebracht ist:
  • Fig. 11 und 12 sind Diagramme, die jeweils die spezifischen elektrischen Widerstand eines weiteren Schichtverbund-Leitungsmaterials der Erfindung darstellen; und
  • Fig. 14 und 15 sind Diagramme, die Spannung und Strom (Isolierung) einer anodisch oxidierten Schicht des erfindungsgemäßen Schichtverbund-Leitungsmaterials darstellen, das in Fig. 11 und 12 dargestellt ist, nämlich Ta-W-N.
  • Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend beschrieben.
    • AUSFÜHRUNGSFORM 1
  • Ein exemplarisches Leitungsmaterial und eine exemplarische Ausführungsform desselben werden nachstehend beschrieben.
  • Fig. 2 zeigt den spezifischen elektrischen Widerstand einer Ta-Schicht (Schicht) als Funktion einer sich ändernden Zusammensetzung einer TaNx-Legierung anhand einer Kurve a und einer Kurve b in einem exemplarischen Schichtverbund-Leitungsmaterial. Das exemplarische Schichtverbund-Leitungsmaterial ist durch integriertes Aufbringen einer Ta- Schicht oder einer N-dotierten Ta-Schicht, die die zweite Metallschicht ist, die die obere Schicht bildet, auf einer TaNx-Legierungsschicht, die die erste Metallschicht ist, die die untere Schicht bildet, ausgebildet. Wie aus der Kurve a in Fig. 2 hervorgeht, beginnt der spezifische elektrische Widerstand der oberen Ta-Schicht zu sinken, wenn das Element, das in der unteren TaNx-Schicht enthalten ist, über 35 Atom-% überschreitet, und erreicht bei 40 Atom-% einen Pegel von 35 bis 40 uΩcm. Außerdem sinkt, wie in der Kurve b gezeigt ist, der Grenzgehalt von N in der unteren TaNx-Schicht, wenn das Element N in die obere Ta- Schicht dotiert wird. Der Grenzgehalt von N in der unteren TaNx-Schicht zur Verringerung des Widerstands beträgt infolge der N-Dotierung in der oberen Ta-Schicht etwa 20 Atom-%.
  • Fig. 3 zeigt eine exemplarische Beziehung zwischen der Dotierungsmenge und einer N-dotierten oberen Ta-Schicht und deren spezifischen elektrischen Widerstand in dem oben beschriebenen Schichtverbund-Leitungsmaterial. Der spezifische Widerstand des Leitungsmaterials ist kleiner als der der β-Ta-Struktur, die einen Widerstand von 180 uΩcm oder weniger hat, wenn die Dotierungsmenge nicht größer als etwa 20 Atom-% ist.
  • Fig. 4 zeigt eine exemplarische Isolationscharakteristik in dem Fall, wo das Schichtverbund-Leitungsmaterial so aufgebaut ist, daß eine Isolierschicht (Schicht) durch anodische Oxidation der N-dotierten oberen Ta-Schicht ausgebildet ist. Die N-Dotierung erhöht den spezifischen elektrischen Widerstand der Schicht und verbessert somit deren Isolierung. Wie aus Fig. 4 ersichtlich ist, wird die Isolierung der Schicht mit steigenden Dotierungsmengen verbessert. Insbesondere wurde die ausreichende Schichtisolierung erreicht, wenn N, das in der Oxidschicht enthalten ist, die durch die N-dotierte obere Ta- Schicht gebildet wird, 45 Atom-% oder weniger betrug.
  • In dem oben beschriebenen Schichtverbund-Leitungsmaterial muß der N-Anteil (Wert x) an TaNx, das das erste Metall ist, das die untere Schicht bildet, und die Dotierungsmenge im Falle einer N-Dotierung in der Ta-Schicht, die die zweite Metallschicht ist, die die obere Schicht bildet, nicht auf die oben beschriebenen Werte begrenzt sein, da diese Werte von solchen Anforderungen wie einem Kathodenzerstäubungssystem und Kathodenzerstäubungsbedingungen zur Ausbildung der TaNx- und N-dotierten Ta-Schichten abhängig sind.
  • Eine exemplarische Flüssigkristallanzeige, die das erfindungsgemäße Schichtverbund- Leitungsmaterial als ihre Signalleitungen verwendet, wird nachstehend beschrieben.
  • Fig. 5 ist eine Ersatzschaltung eines Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigeelements, das eine Ausführungsform der Erfindung ist. Adreßleitungen 1 (1a, 1b....) und Datenleitungen 2 (2a, 2b....) sind in Matrixform auf der Oberfläche eines Glassubstrats verbunden, wobei an ihren Schnittpunkten TFTs 3 angeordnet sind. Somit sind also die Gate- und die Drain-Elektrode jedes TFT 3 mit der Adreßleitung 1 bzw. der Datenleitung 2 verbunden, während seine Source-Elektrode über eine Pixelelektrode mit der Flüssigkristallzelle 4 verbunden ist. Obwohl ein Speicherkondensator C in Fig. 5 zusätzlich vorgesehen ist, kann dieser auch weggelassen werden. Die Gate-Elektrode des TFT 3 ist integriert mit der Adreßleitung 1 ausgebildet.
  • Fig. 6 ist eine Schnittansicht, die den Hauptabschnitt eines Aktivmatrixsubstrats darstellt, das in dem Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigeelement zu verwenden ist, das in Fig. 5 dargestellt ist. Eine untere TaN-Schicht 6a (die 40 Atom-% N enthält) und eine obere Ta-Schicht 6b sind im Schichtverbund auf der Oberfläche eines Glassubstrats 5 aufgebracht, um die Gate-Elektrode 6 auszubilden, die mit der Adreßleitung 1 integriert ausgebildet ist. Auf dieser Verbundschicht sind eine SiO&sub2;-Schicht 7 und eine Gate- Isolierschicht aufgebracht, und eine undotierte a-Si-Schicht 8 und eine n&spplus;-leitende a-Si- Schicht 9 sind ferner auf der SiO&sub2;-Schicht 7 aufgebracht, um eine inselartige Struktur im TFT-Bereich auszubilden. Nach Ausbildung einer lichtdurchlässigen Elektrodenschicht 10 für die Anzeige werden eine Source-Elektrode 11 und eine Drain-Elektrode 12, die beide aus einer Mo/Al-Schicht bestehen, angeordnet. Die Drain-Elektrode 12 wird mit der in Fig. 5 gezeigten Datenleitung 2 integriert ausgebildet. Ein Speicherkondensator 13 besteht aus einem TaNx/Ta-Schichtverbund-Leitungsmaterial, wie es bei der Adreßleitung 1 der Fall ist.
  • Ein Substrat einer aktiven Matrix mit einer Anzeigefläche von 19,2 cm · 25,6 cm und einem Pixelabstand von 400 um wurde mit dem oben beschriebenen Aufbau hergestellt. Spezifische Werte und der spezifische Aufbau der jeweiligen Teile des Substrats sind folgende. Die Gate-Elektrode 6 bestand aus einer unteren TaNx-Schicht 6a mit einer Dicke von 300 Å und der oberen Ta-Schicht 6b mit einer Dicke von 2200 Å. Die mit der Gate- Elektrode 6 integriert ausgebildete Adreßleitung 1 war 30 um breit. Diese Elektrodenleitung wurde in einem Plasmaätzverfahren unter Verwendung von CF&sub4; und O&sub2; abgeschrägt. Der Widerstand der derartige ausgebildeten Adreßleitung 1 betrug 12,3 kΩ. Im übrigen hatte eine Adreßleitung mit einer Dicke von 2500 Å, die unter Verwendung eines anderen Leitungsmaterials hergestellt worden ist, bei Ti einen Widerstand von 160,4 kΩ, bei Mo 22,6 kΩ, bei Ta 88 kΩ und bei einer Mo-Ta-Legierung mit 60% Ta 15,3 kΩ.
  • Das Substrat mit der bereits ausgebildeten Adreßleitung 1 wurde einem organischen Schichtentfernungsverfahren unter Verwendung einer H&sub2;SO&sub4; + H&sub2;O&sub2;-Lösung unterzogen, gereinigt, und dann wurde die Gate-Isolierschicht (SiO&sub2;-Schicht) 7 mit einer Dicke von 3500 Å durch ein chemisches Bedampfungs-(CVD-)Verfahren aufgebracht: und es wurde eine a- Si-Schicht 8 und die n&spplus;-leitende a-Si-Schicht 9 mit 3000 bzw. 500 Å darauf aufgebracht. Danach wurde, wie oben beschrieben, die a-Si-Schicht 9 strukturiert, die Pixelelektrode ausgebildet, und dann wurde die Datenleitung, die sowohl als die Drain-Elektrode 12 als auch als die Source-Elektrode 11 dient, ausgebildet.
  • Das Flüssigkristallanzeigeelement, das unter Verwendung des derartig ausgebildeten Substrats einer aktiven Matrix aufgebaut war, wies wenige Kurzschlüsse zwischen der Datenleitung 1 und der Adreßleitung 2 auf. Im Gegensatz dazu wies das Flüssigkristallanzeigeelement mit einer Ti-Schicht als Adreßleitung häufig Kurzschlüsse auf. Der Grund ist, daß die Fremdstoffe, einschließlich organische Substanzen, die in der Adreßleitung 1 vorhanden sind, nicht beseitigt werden können, da das Leitungsmaterial gegen ein Verfahren, das starke Säuren, z. B. H&sub2;SO&sub4; + H&sub2;O&sub2;, verwendet, nicht widerstandsfähig ist. Wenn die Adreßleitung 1 dagegen aus Ti oder Cr besteht, kann das Substrat einer aktiven Matrix keiner Abschrägätzung unterzogen werden, wodurch sich die Dicke der SiO&sub2;-Schicht 7 im Adreßleitungsschritt verringert. Daher waren zwischen der Adreßleitung 1 und der Datenleitung 2 häufig Kurzschlüsse zu beobachten.
  • Die Verwendung der TaNx/Ta-Verbundschicht (Leitungsmaterial), wie oben beschrieben ermöglichte die Ausbildung einer für eine Anzeige geeignete Adreßleitung mit niedrigen Widerstand und hoher Leistungsfähigkeit.
  • Wenn gemäß dem in Fig. 6 dargestellten Aufbau das Substrat so bearbeitet wurde daß eine 2200 Å dicke N-dotierte Ta-Schicht (die 2 Atom-% N enthält) auf eine 300 Å dicke TaNx-Schicht (die 40 Atom-% N enthält) im Schichtverbund aufgebracht wurde, um die Adreßleitung 1, die Gate-Elektrode 6 und die Speicherkondensatorleitung 13 darauf auszubilden, und danach eine Oxidschicht (Isolierschicht) auf diesen ausgebildet wurde, wies sie eine bessere Isolierung auf. Insbesondere wurden die Oberflächen der Adreßleitung 1, die Gate-Elektrode 6 und die Speicherkondensatorleitung 3 in einer Lösung mit 0,01 Gew.-% Zitronensäure anodisch oxidiert; eine etwa 2000 Å dicke Oxidschicht wurde auf der Oberfläche der oberen N-dotierten Ta-Schicht ausgebildet (die 2 Atom-% N enthielt); danach wurde ein TFT-Feld nach dem oben beschriebenen Verfahren angeordnet. Auf den Oberflächen der Adreßleitung 1, der Gate-Elektrode 6 und der Speicherkondensatorleitung 13 wurde eine anodisch oxidierte Schicht ausgebildet, die frei von Nadellöchern war. Auch wenn Nadellöcher auf der SiOx-Schicht 7 infolge von Verunreinigungssubstanzen vorhanden gewesen wären, würde die Oxidschicht auf der TaNx/Ta-Verbundschicht 6 die Nadellöcher isolieren, wodurch nicht nur Kurzschlüsse zwischen der Datenleitung 2 und der Adreßleitung 1, sondern auch Kurzschlüsse zwischen dem Pixel und der Speicherkondensatorleitung 13 ausgeschlossen würden, was zu einer Anzeige mit einer besseren Qualität führt.
  • Fig. 7 zeigt einen exemplarischen Aufbau, bei dem das erfindungsgemäße Leitungsmaterial auf ein MIM-Element aufgebracht ist. Eine 300 Å dicke TaN-Schicht 6a (die 40 Atom-% N enthält) als die erste Metallschicht und eine 2200 Å dicke Ta-Schicht 6b (die 2 Atom-% N enthält) wurden nacheinander auf die Oberfläche des Glassubstrats 5 aufgebracht und so strukturiert, daß eine untere Elektrodenleitung entstand. Während ein Kontaktabschnitt der unteren Elektrodenleitung mit einem Fotolack abgedeckt wurde, wurde die Oberfläche einer Schichtverbund-Leitungsschicht 6 selektiv zu einer anodisch oxidierten Schicht 6c ausgebildet. Das anodische Oxidationsverfahren wurde durch die 0,01%ige Zitronensäure mit einer Konstantstromoxidation bis zu 25 V und einer nachfolgenden einstündigen Konstantspannungsoxidation über 25 V bewirkt. Danach wurde eine Verbundschicht 14, die aus einer 1000 Å dicken Cr-Schicht und einer 1 um dicken Al-Schicht bestand, auf die anodisch oxidierte Schicht aufgebracht und so strukturiert, daß eine obere Elektrodenleitung entstand. Das MIM-Element, dessen Adreßleitungswiderstand durch die TaN/Ta-Verbundschicht 6 verringert wurde und das daher wärmebeständig war, wurde hergestellt.
  • Bei dem oben beschriebenen Leitungsmaterial kann die Dicke der unteren TaNx-Schicht in der Größenordnung von 300 Å oder weniger liegen, und eine Dicke von 50 Å oder mehr, die unter optimalen Kathodenzerstäubungsbedingungen erreichbar ist, kann die obere Ta-Schicht vom α-Typ hervorbringen. Außerdem kann die Ausbildung einer Al-Schicht der Ausbildung einer TaNx- und einer Ta-Schicht vorausgehen. Das derartig ausgebildete Leitungsmaterial wird vorteilhafterweise nicht nur auf Leitungen und Elektroden des TFT und MIM aufgebracht, sondern auch auf diejenigen der anderen elektronischen Teile und Bauelemente. Die andere Legierung Ta-M-N (M = W, Nb) kann für Schichtverbund-Leitungsmaterialien verwendet werden. Wenn in diesen Fällen Typ und Zusammensetzung von M zwischen dem ersten und dem zweiten Metall gleich sind, ist der N-Gehalt der oberen zweiten Schichten kleiner als der der ersten Schicht, was den spezifischen elektrischen Widerstand betrifft. Der Halbleiter eines TFT ist nicht auf a-Si begrenzt, sondern kann auch p-Si sein, und die Gate-Isolierschicht können andere Isolierschichten, z. B. SiNx, oder Isolierschichten einer anderer Schichtverbundstruktur sein, die aus zwei oder mehr Schichten besteht. Die TFT-Struktur ist nicht auf eine Rückseitenkanalschnittstruktur beschränkt, sondern kann irgendeine Struktur sein, solange die Gate-Elektrode auf der unteren bzw. Rückseite ist. Beispielsweise kann die Struktur, nach der ein Ätzstopper, der aus einer Isolierschicht besteht, auf dem Kanal angeordnet ist, und auch angewendet werden.
  • Ferner ist die bei der anodischen Oxidation zu verwendende Lösung nicht auf die Zitronensäurelösung beschränkt, sondern es können auch eine andere Behandlungslösungen verwendet werden. Die Verfahren zur Ausbildung der Oxidschicht können ein Thermooxidationsverfahren einschließen. Die TaN-/Ta-Schichtverbund-Leitung weist den gleichen Vorteil auf, wenn sie zusammen mit der Datenleitung verwendet wird.
    • AUSFÜHRUNGSFORM 2
  • Ein weiteres exemplarisches erfindungsgemäßes Leitungsmaterial und eine exemplarische Ausführungsform desselben wird nachstehend beschrieben.
  • Wie oben beschrieben, zeigt Fig. 4 den spezifischen elektrischen Widerstand der oberen anodisch oxidierten Schicht als Funktion der sich ändernden Zusammensetzung der unteren TaN-Legierungsschicht für das erfindungsgemäße Leitungsmaterial: d. h. das Leitungsmaterial mit der Schichtverbundstruktur, nach der die anodisch oxidierte Schicht der TaN-Legierungsschicht, die die zweite Metallschicht ist, die die obere Schicht bildet, wurde mit der TaN-Legierungsschicht integriert ausgebildet, die die erste Metallschicht ist, die die untere Schicht bildet. Wie aus den in Fig. 4 gezeigten Kurven hervorgeht, kann bei dem N-Anteil in der ersten metallischen TaN-Legierung, die 45 Atom-% oder kleiner ist, eine anodisch oxidierte Schicht ausgebildet werden, deren spezifischer elektrischer Widerstand größer ist als der einer TaO-Schicht, obwohl dies von den TaN-Legierungsausbildungsbedingungen abhängt.
  • Ein Fall, bei dem das Schichtverbund-Leitungsmaterial auf ein Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeigeelement mit einer Schaltung aufgebracht wird, die der in Fig. 5 gezeigten äquivalent ist, wird nachstehend beschrieben.
  • Fig. 8 ist eine Schnittansicht, die den Hauptabschnitt eines Substrats einer aktiven Matrix zeigt. Eine Gate-Elektrode 6', die mit einer Adreßleitung 1 auf der Oberfläche eines Glassubstrats 5 integriert ausgebildet ist, wurde durch Schichtverbundausbildung einer TaN-Schicht 6a und einer durch anodische Oxidation der TaN-Schicht ausgebildeten Ta-N-O-Schicht 6c angeordnet. Auf die derartig ausgebildete Gate-Elektrode 6' wurde eine SiO&sub2;-Schicht 7 aufgebracht, wobei die Schicht 7 eine Gate-Isolierschicht war. Außerdem wurden eine undotierte a-Si-Schicht 8 und eine n&spplus;-leitende a-Si-Schicht 9 auf der SiO&sub2;-Schicht 7 aufgebracht, so daß eine inselartige Struktur auf dem TFT-Bereich ausgebildet wurde. Nach Anordnung einer Anzeige-ITO-Elektrode 10 wurden eine Source- Elektrode 11' und eine Drain-Elektrode 12' ausgebildet, die aus der Mo-Al-Schicht bestanden. Die Drain-Elektrode 12' wurde mit der Datenleitung 2 auf die gleiche Weise wie die in Fig. 5 gezeigte integriert ausgebildet. Eine Speicherkondensatorleitung 13' wurde durch Schichtverbundausbildung der TaNx-Schicht (6a) und der TaN-Ox-Schicht (6c) ausgebildet, wie es bei der Adreßleitung 1 der Fall war. Die Legierung ist nicht beschränkt auf TaNx. Oxide einer Ta-M-N-Legierung (M = Nb, W) haben ausgezeichnete Isoliereigenschaften wie Ta-N-O.
  • Aufgrund des oben beschriebenen Aufbaus wurde der Isolationswiderstand der anodisch oxidierten Schicht hinreichend erhöht, so daß die anodisch oxidierte Schicht ihre Funktion als Isolator für alle Nadellöcher beibehalten konnte, die auf der P-CVD-SiOx-Isolierschicht 7 vorhanden waren. Dies stellt einen deutlichen Beitrag zur Verringerung von Liniendefekten und Punktdefekten des Substrats einer aktiven Matrix dar.
  • Der oben beschriebene Aufbau war bei einer kleinen Anzeige ausreichend, während er bei einer großen Anzeige insofern mangelhaft war, als eine durch hohen Leitungswiderstand bedingte Adreßimpulsverzögerung zu beobachten war. Diese Verzögerung ist eine kapazitiv-induktive bzw. CR-Verzögerung, die vom Adreßleitungswiderstand und der Lastkapazität verursacht wird.
  • Fig. 9 ist eine Schnittansicht, die den Hauptabschnitt des erfindungsgemäßen Substrats einer aktiven Matrix darstellt. Bei diesem Aufbau wurden eine erste metallische TaN-Schicht 6a, eine zweite metallische Ta- oder geringfügig dotierte Ta-(TaN-)Schicht 6b und eine TaN-Schicht 6a' nacheinander als Schichtverbund und durch Kathodenzerstäubung aufgebracht. Danach wurden eine Adreßleitung 1 und eine Speicherkondensatorleitung 13' auf die gleiche Weise durch Strukturierung ausgebildet, und deren Oberfläche wurde anodisch oxidiert, um eine Oxidschicht 6c auszubilden. Die Oxidschicht 6c an den Seiten wurde derartig ausgebildet, daß Oxide, die den Verbundschichten 6a, 6a', 6b entsprachen, im Schichtverbund entstanden.
  • Der spezifische elektrische Widerstand des Leitungsmaterials, das auf der TaN- Schicht 6a die Ta- oder TaN-Schicht 6b im Schichtverbund aufweist, hat die Tendenz, sich so zu ändern wie der in Fig. 2 dargestellte. Da sich der Widerstand der oberen Ta- oder TaN-Schicht 6b verringert, ist es möglich, ein Material mit geringem Widerstand bereitzustellen, ohne den Wärmewiderstand der anodisch oxidierten Schicht zu beeinträchtigen, wie es der Fall bei der Mo-Ta-Schicht ist. Außerdem kann die obere anodisch oxidierte TaN-Schicht aus einer Schicht bestehen, bei der die Isolierung durch Dotierung einer großen Menge von N optimiert wird. Außerdem kann bei diesem Aufbau die obere TaN-Schicht 6a' die gesamte Oberfläche der unteren Ta/TaN-Schicht 6a oder der TaN/TaN-Schicht 6b überdecken, nachdem diese strukturiert worden sind. Dies verringert ferner den Leckstrom.
  • Fig. 10 zeigt einen weiteren exemplarischen Aufbau des Substrats einer aktiven Matrix. Wie bei TFT wurde eine Ta-Schicht oder eine Schicht, die aus einem Metall mit niedrigem Widerstand, z. B. Al, Cu und Cr und Legierungen bestand, so strukturiert, daß eine untere Elektrode entstand; die untere Elektrode wurde mit einer TaN-Schicht 6a überzogen und anodisch oxidiert, um eine Ta-N-O-Schicht 6c auszubilden. Ferner kann der Vorteil wie bei TFT erreicht werden, wenn der in Fig. 12 dargestellte Aufbau zu dem Aufbau modifiziert wird, bei dem die TaN-Schicht 6a nur auf die Ta-Verbundschicht 6b der unteren Elektrode aufgebracht und dann strukturiert wird; und die Oberfläche der TaN-Schicht 6a und der Seiten der Ta-Verbundschicht 6b anodisch oxidiert werden, oder zu dem Aufbau modifiziert wird, bei dem die TaN-Schicht 6a, die Ta-Schicht 6b und die TaN-Schicht 6a' nacheinander im Schichtverbund aufgebracht und dann strukturiert werden; und die Oberfläche der TaN-Schicht 6a' und die Seiten der Ta-Schicht 6b und der TaN-Schicht 6a anodisch oxidiert werden.
  • Wie aus den oben beschriebenen Ausführungsformen und Fig. 3 ersichtlich ist, sorgt das Vorhandensein des Elements N in der TaN-Legierungsschicht, die die zweite Metallschicht ist, die die obere Schicht bildet, auch bei kleinen Mengen für den Vorteil. Man beachte jedoch, daß der N-Anteil bis zu etwa 45 Atom-% die Wirkung hat, daß die Ta-N- O-Schicht, die aus der anodischen Oxidation resultiert, einen höheren spezifischen Widerstand hat als die TaOx-Schicht.
  • Das Verfahren zur Ausbildung der TaN-Schicht ist nicht auf Kathodenzerstäubung beschränkt, sondern kann auch ein Verfahren zur Nitrierhärtung von Ta durch Plasma oder Wärme sein. Diese Verfahren, die es ermöglichen, daß die gesamte Oberfläche mit der TaN- Schicht überzogen wird, werden bevorzugt, wenn der gewünschte Vorteil erreicht werden soll. Die Schichtdicke, die die untere Schicht bildet, kann 300 Å oder kleiner sein, und eine Dicke von 50 Å oder mehr stellt die obere Ta-Schicht vom α-Typ dar.
  • Das erfindungsgemäße Leitungsmaterial ist effektiv, wenn es direkt oder in modifizierter Form nicht nur auf TFTs und MIMs, sondern auch auf andere Bauelemente aufgebracht ist. Somit ist der Halbleiter des TFT nicht auf das a-Si beschränkt, sondern kann auch das P-Si sein.
  • Der Wärmewiderstand des erfindungsgemäßen Leitungsmaterials verschlechtert sich nur sehr geringfügig (nahezu vernachlässigbar) bei etwa 400ºC, und diese Charakteristik ist auch zu beobachten, wenn die TaN/Ta-Verbundschicht als Datenleitung verwendet wird. Eine anodische Oxidation mit anderen Lösungen als der Essigsäurelösung ist ebenso vorteilhaft.
  • Ferner ist die Gate-Isolierschicht des TFT nicht auf die SiOx-Schicht beschränkt, sondern es sind auch eine SiNx-Schicht, andere Isolierschichten oder ein Verbund von zwei oder mehr Arten von isolierten Schichten möglich. Außerdem ist die TFT-Struktur nicht auf die Rückseitenkanalschnittstruktur der bereits beschriebenen Ausführungsformen beschränkt, sondern kann auch irgendeine andere Struktur sein, solange ihre Gate-Elektrode auf der unteren bzw. Rückseite angeordnet ist. Die Struktur, nach der ein Ätzstopper, der aus einer Isolierschicht besteht, auf dem Kanal angeordnet ist, kann auch anwendbar sein.
  • Bei den oben beschriebenen Ausführungsformen war die gleiche Tendenz zu beobachten, wie in Fig. 11 und 12 gezeigt, wenn Ta-Nb-N oder Ta-W-N anstelle von TaN als das erste Metall und Ta-Nb und Ta-Nb-N (die 40 Atom-% Nb oder weniger enthalten) oder Ta-W oder Ta- W-N (die 40 Atom-% W oder weniger enthalten) anstelle von Ta und TaN als das zweite Metall verwendet wurden. Beispielsweise ist die Beziehung zwischen der Zusammensetzung zwischen der unteren Ta-Nb-N-Schicht (die 20 Atom-% N enthält) als der ersten Metallschicht und dem spezifischen elektrischen Widerstand der oberen Ta-Schicht als der zweiten Metallschicht in Fig. 12 dargestellt. Das Hinzulegieren von N trägt dazu bei, den spezifischen elektrischen Widerstand der oberen Ta-Schicht über den Gesamtbereich der Verbindung zu verringern. Insbesondere bewirkte die N-Dotierung, daß sich der spezifische elektrische Widerstand von Ta von 180 uΩcm auf 25 uΩcm verringerte, worin sich der Vorteil der Erfindung zeigt. Die Beziehung zwischen der Zusammensetzung der unteren Ta-Nb-N-Schicht (15 Atom-% Nb im Vergleich zu Ta) als der ersten Metallschicht und Ta als der zweiten Metallschicht und deren spezifischen elektrischen Widerstand ist in Fig. 11 dargestellt. Anhand von Fig. 11 und 12 kann man den Vorteil der Hinzulegierung von Nb und N über den Gesamtbereich der Zusammensetzung in der Ta-Nb-N-Legierung erwarten. Das gleiche gilt auch für die Zusammensetzungen der Ta-M-N-Schicht (M = W) als der ersten Metallschicht, die die untere Schicht bildet, und der Ta-Schicht, der Ta-M-N-Schicht (M = W) oder der Ta-M- Schicht (M = W) als der zweiten Metallschicht, die die obere Schicht bildet.
  • Der Grund für die Verringerung des spezifischen elektrischen Widerstands der oberen Metallschicht durch die N-Dotierung ist vermutlich der, daß N in Ta-M-N (M = Nb, W), das die untere Schicht bildet, die Wirkung der Verringerung des Widerstands dadurch erhöht, daß seine Kristallstruktur von einem tetragonalen in ein kubisches System umgewandelt wird. Dieser geringe Widerstand ist der gleiche wie der, den die TaN/Ta- oder TaN/TaN- Zusammensetzungen aufweisen.
  • Diese Zusammensetzungen können durch anodische Oxidation zu einer Isolierschicht ausgebildet werden. Wie in Fig. 13 bis 15 gezeigt, wird die Isolierung der derartig ausgebildeten Isolierschicht durch die N-Dotierung verbessert.
  • Fig. 14 zeigt den Leckstrom eines anodischen Oxids einer Ta-Nb-N-Schicht im Vergleich zum anodischen Oxid von Ta-Nb. Fig. 15 zeigt den Leckstrom der Ta-W-N-Schicht. Diese Figuren zeigen, daß sich die Isolationscharakteristik des Oxids durch Zugabe von N verbessert. Das N erhöht den Widerstand der Oxidschicht, die aus Ta-M (M = Nb, W) besteht, und verbessert ihren Wärmewiderstand. Hierbei kann M irgendein Metall sein, das in der Lage ist, ein Gesamtmischkristall mit Ta auszubilden, und die Metalle Nb und W wurden so gewählt, daß eine solche Anforderung erfüllt wird.
  • Wenn das Leitungsmaterial eine dreischichtige Struktur hat, z. B. Ta-M-N/Ta/Ta-M-N (M ist mindestens ein Atom, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus (Nb und W) besteht, weist es eine ausgezeichnete Stabilität mit seiner O&sub2;-diffusionsverhindernden Wirkung auf, die dazu dient, die Widerstandsschwankungen und dgl. einzuschränken.
  • Ferner ist es bei dem erfindungsgemäßen Leitungsmaterial erwünscht, die Isolierschicht durch anodische Oxidation auszubilden, wobei jedoch das Verfahren zur Ausbildung der Isolierschicht nicht darauf beschränkt ist.
  • Wie auf den vorstehenden Seiten beschrieben, hat das erfindungsgemäße Leitungsmaterial einen niedrigen Widerstand, und die Isolierschicht, die durch anodische Oxidation und dgl. ausgebildet ist, weist eine ausgezeichnete Isolierung und Wärmestabilität auf. Wenn das Leitungsmaterial für Signalleitungen verschiedener Bauelemente verwendet wird, weist es daher ausgezeichnete Charakteristika auf. Wenn es zur Ausbildung der Signalleitungen einer Flüssigkristallanzeige und Elektroden zum Steuern von zu montierenden Halbleiterelementen verwendet wird, kann das Leitungsmaterial für eine Adreßleitung mit niedrigem Widerstand verwendet werden. Die Isolierschicht, die durch Oxididation der Oberfläche hergestellt wird, weist eine zufriedenstellende Isolierung und Wärmestabilität auf, wodurch dazu beigetragen wird, daß eine ausreichende Isolationscharakteristik auch nach Wärmebehandlungen während der Herstellung der Flüssigkristallanzeige erhalten bleibt, und wodurch es möglich wird, daß die Anzeige ständig sehr zuverlässig arbeitet.

Claims (11)

1. Schichtleitungsmaterial mit einer ersten Metallegierungsschicht und einer zweiten Metallegierungsschicht, wobei die erste Metallegierungs-Schicht aus einer TaxNyMz-Legierung besteht, wobei M ein Metall ist, das aus W und Nb gewählt ist, und x, y, z die Atomprozente anzeigen, wobei x> 0 Atom-% ist, y> 0 Atom-% ist und x+y+z gleich 100 Atom-% ist, und die zweite Metallegierungsschicht aus TaαNβMγ besteht, wobei M ein Metall ist, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus W und Nb besteht, und α, β und γ die Atomprozente anzeigen, wobei α> 0 Atom-% ist und α+β+γ gleich 100 Atom-% ist, so daß, wenn die erste und die zweite Metallegierungsschicht eine Ta-N-Legierung aufweisen, y Atom-% N in der ersten Metallschicht mehr ist als β Atom-% N in der zweiten Metallschicht.
2. Schichtleitungsmaterial nach Anspruch 1, wobei die erste Metall-schicht eine Legierung aufweist, die aus der Gruppe gewählt ist, die aus einer Ta-N-Legierung, einer Ta-W-N-Legierung, einer Ta-Nb-N-Legierung und Gemischen daraus besteht, und die zweite Metallschicht eine Legierung aufweist, die aus der Gruppe gewählt ist, die aus Ta, einer Ta-Nb-Legierung, einer Ta-W-Legierung, einer Ta-N-Legierung, einer Ta-Nb-N-Legierung, einer Ta-W-N-Legierung und Gemischen daraus besteht.
3. Schichtleitungsmaterial nach Anspruch 2, wobei die zweite Metallschicht ein Metall aufweist, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus Ta und einer Ta-N-Legierung besteht.
4. Schichtleitungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die zweite Metallschicht ferner eine Oxidschicht aufweist, die auf einer Oberfläche der zweiten Metallschicht ausgebildet ist.
5. Schichtleitungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die zweite Metallschicht ferner eine elektrolytisch oxidierte Oxidschicht aufweist, die auf einer Oberfläche der zweiten Metallschicht ausgebildet ist.
6. Schichtleitungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Schichtleitungsmaterial ferner eine dritte Metallschicht aufweist, die integriert auf der zweiten Metallschicht aufgebracht ist, wobei die zweite Metallschicht mindestens ein zweites Metall aufweist, die aus der Gruppe gewählt ist, die aus Ta und einer Ta-N- Legierung besteht, und die dritte Metallschicht mindestens ein drittes Metall aufweist, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus einer Ta-N-Legierung, einer Ta-Nb-N-Legierung, einer Ta-W-N-Legierung und Gemischen daraus besteht.
7. Schichtleitungsmaterial nach Anspruch 6, wobei die dritte Metall-schicht ferner eine Oxidschicht aufweist, die auf einer Oberfläche der dritten Metallschicht ausgebildet ist.
8. Schichtleitungsmaterial nach Anspruch 6, wobei die dritte Metall-schicht ferner eine elektrolytisch oxidierte (anodische) Oxidschicht aufweist, die auf einer Oberfläche der dritten Metallschicht ausgebildet ist.
9. Flüssigkristallanzeige mit einem Steuerleitungssubstrat, einer Anzeigeelektrodenkarte, die so angeordnet ist, daß sie dem Steuerleitungssubstrat gegenüberliegt, einer Flüssigkristallmaterialschicht, die zwischen der Steuerleitung und einer Elektrode eines elektronischen Elements hermetisch eingeschlossen ist, das auf dem Steuerleitungssubstrat angeordnet und montiert ist, wobei die Steuerleitung und die Elektrode aus einem Schichtleitungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 8 bestehen.
10. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 9, wobei die erste Metallschicht eine Ta-N- Legierung aufweist, wobei die Ta-N-Legierung 30 Atom-% oder mehr N enthält.
11. Elektronisches Bauelement mit einem isolierenden Substrat, elektronischen Elementen, die auf einer Oberfläche des isolierenden Substrats angeordnet sind, und Steuerleitungen, die auf der Oberfläche des isolierenden Substrats angeordnet sind, zum elektrischen Verbinden zwischen den elektronischen Elementen, wobei jede der Steuerleitungen aus einem Schichtleitungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 8 besteht.
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