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CN1959982B - 半导体发光装置 - Google Patents

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CN1959982B CN2006101429537A CN200610142953A CN1959982B CN 1959982 B CN1959982 B CN 1959982B CN 2006101429537 A CN2006101429537 A CN 2006101429537A CN 200610142953 A CN200610142953 A CN 200610142953A CN 1959982 B CN1959982 B CN 1959982B
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Abstract

本发明提供一种半导体发光装置(1)，具有：多个发光元件(2)；发光元件搭载构件(3)，用于搭载上述发光元件(2)；以及覆盖构件(4)，覆盖上述发光元件搭载构件(3)的搭载上述发光元件(2)的搭载面侧，其中，在上述发光元件搭载构件(3)的上述发光元件(2)的搭载位置设置凹部(7)，在上述覆盖构件(4)中，在与上述凹部(7)对应的位置设置通孔，上述凹部(7)和上述通孔的内壁面分别形成第1反射面(8)和第2反射面(9)，上述第2反射面(9)与上述发光元件(2)的光轴构成的角度小于上述第1反射面(8)与上述发光元件(2)的光轴构成的角度。

Description

半导体发光装置
技术领域
本发明涉及一种用作照明装置的光源的半导体发光装置。 
背景技术
作为照明装置的光源，使用了LED(Light Emitting Diode)等的高亮度发光元件的半导体发光装置为人所关注。半导体发光装置是一种在发光元件搭载构件上搭载一个或一个以上的发光元件并且所搭载的发光元件呈平面状，通过从外部对上述发光元件供给电流来进行发光的发光装置。另外，作为上述照明装置，可以举出液晶显示装置用的背光灯等。 
在将上述半导体发光装置用作照明装置的光源时，需要将上述半导体发光装置所发出的光有效地导出到照射对象(例如，在液晶显示装置用的背光灯的情况下，照射对象为LCD面板)侧。 
但是，上述发光元件从发光元件的顶面及侧面发光。即，上述发光元件不仅从发光元件的顶面在大致平行于光轴(该光轴通过发光元件的中心点，并且，垂直于半导体发光装置的搭载了发光元件的搭载面)的方向上发光，而且，还在相对于上述光轴倾斜的方向上发光。     
如上所述，由于发光元件发出的光未必保持在发光元件的光轴方向上，因此，在这种情况下，较多的光不能被利用，从而导致上述半导体发光装置的光利用效率降低。 
基于上述，就需要朝光轴方向折射上述发光元件从发光元件的侧面在垂直于光轴的方向上发出的光以及从发光元件的顶面在相对于光轴倾斜的方向上发出的光。在日本国专利申请公开特开2005-5437号公报(公开日：2005年1月6日)、日本国专利申请公开特开2004-128241号公报(公开日：2004年4月22日)、日本国专利申请公开特开2002-141 558号公报(公开日：2002年5月17日)、日本国专利申请公开特开 2005-150408号公报(公开日：2005年6月9日)、USP2004/0257797A1(授权公告日：2004年12月23日)中，揭示了朝光轴方向折射发光元件发出的光的结构。 
在上述五件文献中公开了下述半导体发光装置，即：在发光元件搭载构件中设置一个或一个以上的凹部，上述凹部的内壁面构成反射面，该反射面与光轴构成某个角度，在上述各凹部中分别搭载有发光元件。 
另外，如图10所示，在封装中装配发光元件并设置了引线端子等的半导体发光装置中，特别是在使用了电耗较高的大尺寸元件的大输出功率半导体发光装置101中有这样一种结构，即：作为半导体发光装置的散热措施，在散热构件上装配发光元件，其中，在散热构件与发光元件之间间隔有热沉(Submount)。 
为了借助于上述反射面尽可能多地反射上述发光元件从其顶面在倾斜方向上发出的光，需要使上述凹部具备某种深度。但是，由于上述反射面与光轴构成某个角度，因此，上述凹部越深，则上述发光元件搭载构件的顶面的上述凹部的开口部的直径就会越大。 
所以，在上述现有技术的结构中，上述发光元件不能与一个发光元件搭载构件紧密接触地搭载于该发光元件搭载构件上。如上所述，如果在一个发光元件搭载构件上仅能搭载数量较少的发光元件，那么，要构成相同亮度的光源装置就需要较多的半导体发光装置。其结果，光源装置就会变成较大的装置。 
另一方面，根据现有技术的结构，如果为减小上述发光元件搭载构件的顶面的上述凹部的开口部的直径而缩小上述反射面与光轴所构成的角度，那么，就会如图9所示那样，难以朝光轴方向进行反射，从而不能实现反射面的本来的目的。 
发明内容
本发明是鉴于上述问题而进行开发的，其目的在于提供一种能够发出具有指向性的、高亮度的光的半导体发光装置。 
为了实现上述目的，本发明的半导体发光装置的结构为，具有：多个发光元件2；发光元件搭载构件3，用于搭载上述发光元件2；以及覆盖构件4，覆盖上述发光元件搭载构件3的搭载上述发光元件2的搭载面侧，在上述发光元件搭载构件3的上述发光元件2的搭载位置设置凹部7；在上述覆盖构件4中，在与上述凹部7对应的位置设置通孔；上述凹部7和上述通孔的内壁面分别形成第1反射面8和第2反射面9；上述第2反射面9是由第1反射部和第2反射部构成的2级反射面，上述第2反射面9的上 述第2反射部平行于上述发光元件2的光轴，上述第2反射面9的上述第1反射部与上述发光元件2的光轴构成的角度小于上述第1反射面8与上述发光元件2的光轴构成的角度。 
在上述结构中，设置两级反射面，该两级反射面与光轴构成的角度各自不同，第2反射面与光轴构成的角度小于第1反射面与光轴构成的角度。由此，根据上述结构，与具备现有的反射面的结构相比，开口在半导体发光装置的顶面的开口部的直径变小，其中，上述现有的反射面仅由一级反射面构成。 
因此，根据上述结构，即使相邻的发光元件的距离进行某种程度的缩小，也能够避免各反射面之间的干扰，所以，可以更接近地搭载各发光元件。 
另外，根据上述结构，无需减小上述第1反射面与光轴构成的角度就能够使在发光元件搭载构件的顶面所设置的上述凹部的开口部的直径缩小，其中，上述第1反射面用于反射发光元件从侧面发出的光。 
其结果，在上述半导体发光装置中，可在一个发光元件搭载构件上搭载较多的发光元件，并且，能够沿着光轴方向反射上述发光元件从侧面发出的光。因此，可以得到一种能够发出具有指向性的、高亮度的光的半导体发光装置。 
本发明的其他目的、特征和优点在以下的描述中会变得十分明了。此外，以下参照附图来明确本发明的优点。 
附图说明
图1是表示本实施方式的半导体发光装置的立体图。 
图2是本实施方式的半导体发光装置的平面图。 
图3是在箭头方向上观察图2的A-A′剖面的剖面图。 
图4是在箭头方向上观察图2的B-B′剖面的剖面图。 
图5是表示本实施方式的发光元件搭载构件的立体图。 
图6是表示分别形成在发光元件搭载构件及覆盖构件的第1反射面及第2反射面与光轴构成的角度的剖面图。 
图7是表示在本实施方式的发光元件搭载构件中形成三个凹部的位置的一个示例的平面图。 
图8是表示在本实施方式的发光元件搭载构件中形成四个凹部的位置的一个示例的平面图。 
图9是表示在发光元件从侧面发出的光被反射面反射时的光路的剖面图，该反射面与光轴构成的角度较小。 
图10是表示现有技术的半导体发光装置的主视图。 
具体实施方式
下面，根据图1～图8来说明本发明的一个实施方式。 
本实施方式的半导体发光装置是一种在发光元件搭载构件上搭载由LED构成的片状的发光元件并且所搭载的发光元件呈平面状，通过从外部对上述发光元件供给电流来进行发光的发光装置。 
图1是表示本实施方式的半导体发光装置1的立体图。图2是本实施方式的半导体发光装置1的平面图。图3是在箭头方向上观察图2的A-A’剖面的剖面图。图4是在箭头方向上观察图2的B-B’剖面的剖面图。 
以下，参照图1～图4来说明本实施方式的半导体发光装置1的结构。 
如图1和图2所示，本实施方式的半导体发光装置1的结构为，具有：发光元件2、发光元件搭载构件3、覆盖构件4、热沉5、引线端子6、键合引线(BondingWire)10。 
发光元件搭载构件3是用于搭载发光元件2的基座。上述发光元件搭载构件3具有：顶面及底面，如图2及图3所示，相互平行且其形状分别为长方形；侧面，如图5所示，从顶面至底面进行若干延展。因此，发光元件搭载构件3的上述A-A’剖面(图3)和上述B-B’剖面(图4)为梯形形状。 
在发光元件搭载构件3的顶面，在长度方向上设置有三个凹部7，上述凹部7呈直线状地排列。并且，各凹部7的内壁面构成锥面。 
各凹部7的底面直径各自不同，发光元件2被贴装(Die Bond)在各凹部7的底面上(因此，各凹部7的底面构成贴装面)，上述发光元件2的尺寸因上述底面直径而各自不同。由此，可以将不同尺寸的发光元件2搭载到一个发光元件搭载构件3上。另外，各凹部7的底面被设定为：从发光元件搭载构件3的顶面至各凹部7的底 面的距离(深度)彼此相等。 
各凹部7的内壁面构成用于反射在各凹部7的底面上搭载的发光元件2所发出的光的第1反射面8。 
发光元件搭载构件3还具有对发光元件2辐射的热量进行散热的功能。因此，发光元件搭载构件3优选由导热率良好的铜、铜合金或铝构成。此外，为了提高反射率，优选的是，在发光元件搭载构件3的第1反射面8上镀有高反射率的Ag、Ni、Pt、Dd的单体或者其混合物。 
另外，发光元件搭载构件3的形状不限于上述形状。例如，发光元件搭载构件3可以是长方体等。 
此外，发光元件搭载构件3的材质不限于上述材质。例如，可以通过对氮化铝(AlN)实施电镀来构成发光元件搭载构件3。 
另外，各凹部7的形状也可以彼此相同。凹部7的数量也不限于三个。 
热沉5被设置在发光元件搭载构件3与发光元件2之间。当发光元件2的一个电极位于凹部7的底面侧(即，搭载发光元件2的贴装面侧)时，由于上述电极直接接触由金属构成的发光元件搭载构件3，因此，电极将成为共用的电极，为了防止这种情况的出现，而在发光元件搭载构件3与发光元件2之间设置上述热沉5。另外，在发光元件2为倒装式(Flip Chip)从而要求上述贴装面具备平坦性的情况下也设置上述热沉5。 
此外，作为热沉5的材料，优选采用下述材料，即：具有电气绝缘性，并且，其导热率与构成发光元件搭载构件3的铜、铜合金或铝的导热率相同。具体而言，热沉5由下述材料构成，即：碳化硅(SiC)，或者使碳化硅浸渍金属铝、镁所得到的材料，或者氮化铝(AlN)。由此，热沉5和发光元件搭载构件3的导热率大致相等。其结果，发光元件2辐射的热量可以从热沉5向发光元件搭载构件3有效地进行热传导。 
发光元件2是通过在大致正方形的基板上形成发光层等所得到的LED，其具有预定的厚度。另外，在本实施方式中，如图3所示，发光元件2被贴装在凹部7的底面上，其中，在发光元件2与凹部7的底面之间间隔有热沉5。但是，也可以使用焊料等将发光元件2直接贴装在凹部7的底面上。 
如图4所示，引线端子6通过焊锡12等与形成在电路基板11上的电路图形(未 图示)电连接，从而将来自上述电路图形的电流供给到发光元件2，其中，在上述电路基板11上搭载发光元件搭载构件3。另外，引线端子6与发光元件2之间的电连接是通过键合引线10来实现的，该键合引线10由Au丝等构成。 
引线端子6自凹部7的开口部的边缘起在垂直于发光元件搭载构件3的长度方向的方向上延伸，其中，该凹部7形成在发光元件搭载构件3的顶面。然后，引线端子6在发光元件搭载构件3的顶面的边缘向侧面折弯，并且，沿着侧面延伸到预定位置。上述预定位置在发光元件搭载构件3的底面的上方。然后，引线端子6在上述预定位置朝垂直于发光元件搭载构件3的侧面的方向折弯。由于要与上述电路图形连接，因此，使引线端子6进一步朝下方折弯。 
安装引线端子6，使其一部分被埋设在覆盖构件4中，借助于构成覆盖构件4的树脂来实现引线端子6与发光元件搭载构件3之间的电气绝缘，其中，上述覆盖构件4覆盖发光元件搭载构件3的顶面侧。此外，如图2所示，引线端子6被形成为与上述电路图形连接的一侧的端部从发光元件搭载构件3的侧面突出出来，其突出方向是垂直于三个发光元件2的配线方向的方向。 
其结果，在发光元件2之间无需再设置引线端子6所用的空间，因此，在发光元件搭载构件3中可靠近地设置凹部7，在该凹部7中设置有发光元件2。由此，能够在一个发光元件搭载构件3上搭载较多的发光元件，所以，可得到发出高亮度的光的半导体发光装置1。 
利用树脂对发光元件搭载构件3和引线端子6实施注塑成型(Insert Molding)，从而形成覆盖构件4。在覆盖构件4的顶面，在与凹部7对应的位置设有通孔。关于上述通孔的形状，与上述凹部7同样地，其直径从发光元件搭载构件3起向覆盖构件4的顶面变大。并且，上述通孔的内侧面构成第2反射面9。另外，在本实施方式中，第2反射面9为一级反射面，但是，也可以为两级或两级以上的反射面。 
此外，覆盖构件4覆盖发光元件搭载构件3的顶面和侧面，在底面未形成覆盖构件4。 
另外，由于覆盖构件4是通过注塑成型来形成的，所以，发光元件搭载构件3可能会从覆盖构件4脱落。对此，可以通过在发光元件搭载构件3的侧面形成沟槽来防止发光元件搭载构件3从覆盖构件4脱落。 
此外，可以在形成覆盖构件4时使用白色的树脂，从而直接形成第2反射面9。另外，也可以通过对覆盖构件4电镀高反射率的材料来形成第2反射面9。 
接着，具体说明半导体发光装置1的上述第1反射面和第2反射面的结构。 
图6是表示第1反射面8和第2反射面9与光轴构成的角度的示意图。上述光轴是通过发光元件2的中心点并且垂直于半导体发光装置1的搭载了发光元件的搭载面的轴。 
如上所述，第1反射面8是设置在发光元件搭载构件3中的凹部7的内壁面，第2反射面9是设置在覆盖构件4中的通孔的内壁面。 
如图6所示，第1反射面8和第2反射面9连续地设置。并且，第2反射面9与光轴构成的角度要小于第1反射面8与光轴构成的角度。 
具体阐述第1反射面8与光轴构成的角度和第2反射面9与光轴构成的角度。第1反射面8与光轴构成的角度θ1优选在40度～50度的范围内，进一步优选为45度。第2反射面9与光轴构成的角度θ2优选在20度～40度的范围内，进一步优选为30度。 
通过将第1反射面8及第2反射面9与光轴构成的角度设定为上述的角度，可以会聚发光元件2从顶面和侧面发出的光、特别是在与光轴构成较大的角度的方向上发出的光，使得上述发光元件2发出的光在与光轴构成较小的角度的方向上行进。因此，半导体发光装置1发出的光具有对光轴方向的指向性。其结果，在半导体发光装置1中，光轴方向上的光利用效率变高。 
另外，为了使第2反射面9尽可能地反射发光元件2所发出的光，优选的是，使第2反射面具有足够的光轴方向的高度。 
此外，关于凹部7的深度，大于或等于发光元件2的厚度且小于或等于发光元件2的顶面的对角线的长度即可。这样，由于凹部7的深度大于或等于发光元件2的厚度，因此，在凹部7的内壁面上设置的第1反射面8能够可靠地沿着光轴方向反射发光元件2从侧面所发出的光。另外，由于凹部7的深度小于或等于发光元件2的顶面的对角线的长度，因此，第2反射面9能够沿着光轴方向反射发光元件2从顶面沿着倾斜方向所发出的光。 
如上所述，根据第1反射面8和第2反射面9的结构，发光元件2从顶面和侧面 所发出的光被有效地反射到光轴方向。其结果，半导体发光装置1能够发出具有对光轴方向的指向性的光。 
如上所述，半导体发光装置1的特征在于，具有：多个发光元件2；用于搭载发光元件2的发光元件搭载构件3；以及覆盖构件4，覆盖发光元件搭载构件3的搭载发光元件2的搭载面，其中，在发光元件搭载构件3的各发光元件2的搭载位置上设置凹部7，在覆盖构件4中，在与凹部7对应的位置设置通孔，凹部7及上述通孔的内壁面分别形成第1反射面和第2反射面，第2反射面9与发光元件2的光轴构成的角度要小于第1反射面8与该光轴构成的角度。 
在上述结构中，设置两级反射面，该两级反射面与光轴构成的角度各自不同，第2反射面与光轴构成的角度小于第1反射面与该光轴构成的角度。由此，根据上述结构，与具备现有的反射面的结构相比，在半导体发光装置1的顶面开口的开口部的直径变小，其中，上述现有的反射面仅由一级反射面构成。 
因此，根据上述结构，即使相邻的发光元件2的距离进行某种程度的缩小，也能够避免各反射面之间的干扰，所以，可以更接近地搭载各发光元件2。 
另外，根据上述结构，无需减小第1反射面8与光轴构成的角度就能够使在发光元件搭载构件3的顶面设置的凹部7的开口部的直径缩小，其中，上述第1反射面8用于反射发光元件2从侧面发出的光。 
其结果，在半导体发光装置1中，可在一个发光元件搭载构件3上搭载较多的发光元件2，并且，能够沿着光轴方向反射发光元件2从侧面发出的光。因此，可以得到一种能发出具有指向性的高亮度的半导体发光装置。 
此外，可将发光元件2紧密接触发光元件搭载构件3地进行搭载，因此，能够减小半导体发光装置1的尺寸。与现有技术中在一个发光元件搭载构件上搭载一个发光元件的半导体发光装置相比较而言，半导体发光装置1的尺寸可大致与前者的尺寸相等或者小于前者的尺寸。 
另外，本实施方式的发光元件2采用其一边大于或等于0.9mm的发光元件。并且，以小于或等于4mm的相等间隔将各发光元件2搭载于发光元件搭载构件3。 
如上所述，在一个发光元件搭载构件3上搭载较多的发光元件2，这将导致各发光元件2辐射的热量的总和增加。因此，如果不能将发光元件2辐射的热量有效地排出 到外部，辐射的热量就会影响到发光元件2的发光强度或寿命等。 
基于此，在半导体发光装置1中，为了对发光元件2辐射的热量进行有效的散热，而使发光元件搭载构件3具有特征要素。具体而言，如图4所示，发光元件搭载构件3构成为，其底面从覆盖构件4露出，并且，比引线端子6的底面还要突出。而且，发光元件搭载构件3的底面借助于焊锡或Ag膏与电路基板11连接。 
关于上述结构的半导体发光装置1的散热效率，表示散热效率的热阻的值约为10C/W，大于或等于图10所示的现有技术中的半导体发光装置101的散热效率。具体而言，现有技术的半导体发光装置101的结构为：搭载有发光元件2的发光元件搭载构件103的底面从覆盖构件104露出。 
另外，关于发光元件搭载构件3的厚度，自凹部7的底面至发光元件搭载构件3的底面之间的距离大于或等于发光元件2的一边的长度即可。由此，发光元件搭载构件3的体积变大，热容量随着体积的增加而增加。其结果，发光元件搭载构件3的温度不容易因发光元件2所辐射的热量而升高。因此，能够抑制发光元件2所辐射的热量对半导体发光装置1造成影响。 
此外，使发光元件搭载构件3的底面比引线端子6的底面更突出，由此，当将发光元件搭载构件3安装在电路基板11上时，发光元件搭载构件3的底面就会可靠地接触电路基板11。这样，发光元件搭载构件3能够将发光元件2辐射的热量有效地散热到电路基板11。 
电路基板11由导热率良好的铝或碳纤维以及在上述铝或碳纤维上形成的绝缘层构成。上述绝缘层由通过混入无机填充物从而提高了导热率的树脂构成。并且，在上述电路基板11上，用铜箔形成有电路图形。 
在上述电路基板11上安装了半导体发光装置1的情况下，虽然上述绝缘层的导热率提高了，但是，与铝等相比较而言，其导热率仍然较低，因此，热阻因上述绝缘层而变高。其结果，半导体发光装置1的散热效率就会降低。 
因此，在半导体发光装置1中，尽可能地增大发光元件搭载构件3的底面的面积，减少散热效果较小的发光元件搭载构件3的顶面的面积。由此，发光元件搭载构件3与电路基板11接触的区域变大。这是因为，要将发光元件2辐射的热量有效地散热到电路基板11，最好尽可能地增大发光元件搭载构件3的底面与电路基板11的接触 面。其结果，半导体发光装置1就能将发光元件2辐射的热量有效地散热到电路基板11。 
另外，在上述情况下，由于发光元件搭载构件3从覆盖构件4脱落的可能性增大，因此，优选的是，通过在发光元件搭载构件3的侧面形成沟槽来防止发光元件搭载构件3从覆盖构件4脱落。 
如上所述，由铜或铜合金等的导热率良好的材料构成的发光元件搭载构件3与电路基板11直接接触，由此，发光元件2所辐射的热量通过发光元件搭载构件3被有效地散热到电路基板11。 
此外，采用上述结构，从而提高半导体发光装置1的散热效率，由此，还能够将接通功率大于或等于1W的大输出功率的发光元件2搭载在发光元件搭载构件3上并使其与发光元件搭载构件3紧密地接触。 
根据图7和图8来说明发光元件搭载构件3的凹部7的配置(即，发光元件2的配置)的变形例。图7是在本实施方式的发光元件搭载构件3中形成三个凹部7的位置的一个变形例。图8是在本实施方式的发光元件搭载构件3中形成四个凹部7的位置的一个变形例。 
如图7所示，如果要在发光元件搭载构件3中形成三个凹部7，那么，可设置各凹部7以使得各凹部7位于三角形的顶点。如图8所示，如果要在发光元件搭载构件3中形成四个凹部7，那么，可设置各凹部7以使得各凹部7位于四边形的顶点。 
本发明的半导体发光装置优选的是，上述第1反射面与光轴构成的角度优选在40度～50度的范围内，上述第2反射面与光轴构成的角度优选在20度～40度的范围内。 
根据上述结构，发光元件从侧面和顶面所发出的光能够被有效地反射到光轴方向。其结果，上述半导体发光装置能够发出具有更高指向性的光。 
本发明的半导体发光装置特别优选的是，上述第1反射面与光轴构成的角度为45度，上述第2反射面与光轴构成的角度为30度。 
根据上述结构，上述发光元件从侧面和顶面所发出的光能够被有效地反射到光轴方向。其结果，上述半导体发光装置能够发出特别高的指向性的光。 
本发明的半导体发光装置可以为，具有对上述发光元件供给电流的引线端子，上 述多个凹部被配置为一列，上述引线端子突出在上述发光元件搭载构件之外，其突出方向垂直于上述各凹部的排列方向。 
根据上述结构，在上述发光元件之间无需再设置上述引线端子所用的空间，因此，在上述发光元件搭载构件中可靠近地设置上述凹部7，在该凹部7设置有上述发光元件。由此，能够在一个发光元件搭载构件上搭载较多的发光元件，所以，可得到发出高亮度的光的半导体发光装置。 
本发明的半导体发光装置可以为，上述发光元件是矩形的片状，关于上述发光元件搭载构件，自上述凹部的底面至上述发光元件搭载构件的底面之间的距离大于或等于上述发光元件的一边的长度。 
根据上述结构，上述发光元件搭载构件的体积变大，热容量随着体积的增加而增加。其结果，上述发光元件搭载构件的温度不容易因上述发光元件所辐射的热量而升高。因此，上述半导体发光装置能够抑制上述发光元件所辐射的热量对半导体发光装置造成恶劣的影响。 
另外，本发明的半导体发光装置可以为，具有对上述发光元件供给电流的引线端子，上述发光元件搭载构件的底面从上述覆盖构件露出，上述发光元件搭载构件的底面与上述引线端子的底面为相同的平面，或者，突出在上述引线端子的底面之外。 
根据上述结构，在将上述发光元件搭载构件安装在基板上的情况下，能够使上述发光元件搭载构件的底面接触上述基板。这样，上述发光元件搭载构件能够将上述发光元件辐射的热量有效地散热到上述基板。 
本发明的半导体发光装置可以为，上述发光元件搭载构件的底面从上述覆盖构件露出，上述发光元件搭载构件的底面的面积大于形成了上述凹部的顶面的面积，其中，上述底面和上述顶面相对。 
在上述结构中，上述发光元件搭载构件与安装上述发光元件搭载构件的基板接触的区域变大。要将上述发光元件辐射的热量有效地散热到上述基板，最好尽可能地增大上述发光元件搭载构件的底面与上述基板的接触面。由此，上述半导体发光装置就能将上述发光元件辐射的热量有效地散热到上述基板。 
本发明的半导体发光装置可以为，上述发光元件搭载构件由铜或铜合金构成。 
根据上述结构，上述发光元件搭载构件能够将上述发光元件辐射的热量有效地散 热到上述基板。 
本发明的半导体发光装置可以为，上述发光元件搭载构件由氮化铝(AlN)构成。 
根据上述结构，上述发光元件搭载构件能够将上述发光元件辐射的热量有效地散热到上述基板。 
本发明的半导体发光装置可以为，上述第1反射面镀有Ag、Ni、Pt、Pd的单体或者其混合物。 
在上述结构中，对被设置在上述发光元件搭载构件中的上述凹部的上述第1反射面电镀高反射率的材料，上述第1反射面的反射率变高。因此，能够沿着光轴方向有效地反射上述发光元件从侧面发出的光。 
本发明的半导体发光装置可以为，在上述发光元件与上述凹部的底面之间具有热沉，上述热沉由下述材料构成，即：碳化硅(SiC)，或者使碳化硅浸渍金属铝、镁所得到的材料，或者氮化铝(AlN)。 
根据上述结构，上述热沉和上述发光元件搭载构件的导热率相等。由此，上述发光元件辐射的热量可以从上述热沉向上述发光元件搭载构件有效地进行热传导。 
本发明的半导体发光装置可以为，上述多个凹部的底面的直径各自不同。 
根据上述结构，可以将不同尺寸的发光元件搭载到一个上述发光元件搭载部件上。 
本发明的半导体发光装置可以为，上述发光元件是矩形的片状，上述凹部的深度大于或等于上述发光元件的厚度且小于或等于上述发光元件的顶面的对角线的长度。 
根据上述结构，由于上述凹部的深度大于或等于上述发光元件的厚度，因此，在上述凹部的内壁面上设置的上述第1反射面能够可靠地沿着光轴方向反射上述发光元件从侧面所发出的光。另外，由于上述凹部的深度小于或等于上述发光元件的顶面的对角线的长度，因此，上述第2反射面能够沿着光轴方向反射上述发光元件从顶面沿着倾斜方向所发出的光。 
本发明的半导体发光装置可以为，在上述发光元件搭载构件中形成三个上述凹部，设置上述各凹部以使得其位于三角形的顶点。 
根据上述结构，在上述发光元件搭载构件中，上述三个凹部被设置得位于三角形的顶点。如上所述，在上述半导体发光装置中，可以根据用途来变更上述凹部的搭载 位置。 
本发明的半导体发光装置可以为，在上述发光元件搭载构件中形成四个上述凹部，设置上述各凹部以使得其位于四边形的顶点。 
根据上述结构，在上述发光元件搭载构件中，上述四个凹部被设置得位于四边形的顶点。如上所述，在上述半导体发光装置中，可以根据用途来变更上述凹部的搭载位置。 
以上，对本发明进行了详细的说明，上述具体实施方式或实施例仅仅是揭示本发明的技术内容的示例，本发明并不限于上述具体示例，不应对本发明进行狭义的解释，可在本发明的精神和权利要求的范围内进行各种变更来实施之。 

Claims (16)

1.一种半导体发光装置，其特征在于，具有：多个发光元件(2)；发光元件搭载构件(3)，用于搭载上述发光元件(2)；以及覆盖构件(4)，覆盖上述发光元件搭载构件(3)的搭载上述发光元件(2)的搭载面侧，
在上述发光元件搭载构件(3)的上述发光元件(2)的搭载位置设置凹部(7)；
在上述覆盖构件(4)中，在与上述凹部(7)对应的位置设置通孔；
上述凹部(7)和上述通孔的内壁面分别形成第1反射面(8)和第2反射面(9)；
上述第2反射面(9)是由第1反射部和第2反射部构成的2级反射面，
上述第2反射面(9)的上述第2反射部平行于上述发光元件(2)的光轴，
上述第2反射面(9)的上述第1反射部与上述发光元件(2)的光轴构成的角度小于上述第1反射面(8)与上述发光元件(2)的光轴构成的角度。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述第1反射面(8)与上述发光元件(2)的光轴构成的角度在40度～50度的范围内；上述第2反射面(9)与上述发光元件(2)的光轴构成的角度在20度～40度的范围内。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述第1反射面(8)与上述发光元件(2)的光轴构成的角度为45度；上述第2反射面(9)与上述发光元件(2)的光轴构成的角度为30度。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
具有对上述发光元件(2)供给电流的引线端子(6)；
上述多个凹部(7)被配置为一列；
上述引线端子(6)突出在上述发光元件搭载构件(3)之外，其突出方向垂直于上述各凹部(7)的排列方向。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述发光元件(2)是矩形的片状；
关于上述发光元件搭载构件(3)，自上述凹部(7)的底面至上述发光元件搭载构件(3)的底面之间的距离大于或等于上述发光元件(2)的一边的长度。
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
具有对上述发光元件(2)供给电流的引线端子(6)；
上述发光元件搭载构件(3)的底面从上述覆盖构件(4)露出；
上述发光元件搭载构件(3)的底面与上述引线端子(6)的底面为相同的平面，或者，突出在上述引线端子(6)的底面之外。
7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述发光元件搭载构件(3)的底面从上述覆盖构件(4)露出；
上述发光元件搭载构件(3)的底面的面积大于形成了上述凹部(7)的顶面的面积，其中，上述底面和上述顶面相对。
8.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述发光元件搭载构件(3)由铜或铜合金构成。
9.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述发光元件搭载构件(3)由氮化铝(AlN)构成。
10.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述第1反射面(8)镀有Ag、Ni、Pt、Pd的单体或者其混合物。
11.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
在上述发光元件(2)与上述凹部(7)的底面之间具有热沉(5)。
12.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述热沉(5)由碳化硅(SiC)或者使碳化硅浸渍金属铝、镁所得到的材料或者氮化铝(AlN)构成。
13.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述多个凹部(7)的底面的直径各自不同。
14.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述发光元件(2)是矩形的片状；
上述凹部(7)的深度大于或等于上述发光元件(2)的厚度且小于或等于上述发光元件(2)的顶面的对角线的长度。
15.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
在上述发光元件搭载构件(3)中形成三个上述凹部(7)，设置上述各凹部(7)使得其位于三角形的顶点。
16.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
在上述发光元件搭载构件(3)中形成四个上述凹部(7)，设置上述各凹部(7)使得其位于四边形的顶点。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100738933B1 (ko) * 2006-03-17 2007-07-12 (주)대신엘이디 조명용 ｌｅｄ 모듈
KR100809210B1 (ko) * 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
US7909482B2 (en) * 2006-08-21 2011-03-22 Innotec Corporation Electrical device having boardless electrical component mounting arrangement
US8408773B2 (en) * 2007-03-19 2013-04-02 Innotec Corporation Light for vehicles
US7712933B2 (en) * 2007-03-19 2010-05-11 Interlum, Llc Light for vehicles
US8230575B2 (en) 2007-12-12 2012-07-31 Innotec Corporation Overmolded circuit board and method
US8138027B2 (en) 2008-03-07 2012-03-20 Stats Chippac, Ltd. Optical semiconductor device having pre-molded leadframe with window and method therefor
DE102009001061B4 (de) * 2009-02-23 2016-01-07 Margit Weghenkel Reflektoranordnung für flächige Beleuchtungskörper
TWI380486B (en) 2009-03-02 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Heat dissipation module for a light emitting device and light emitting diode device having the same
JPWO2010140666A1 (ja) * 2009-06-04 2012-11-22 ミツミ電機株式会社 半導体基板及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法
JP5326837B2 (ja) * 2009-06-08 2013-10-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9385285B2 (en) 2009-09-17 2016-07-05 Koninklijke Philips N.V. LED module with high index lens
US8157412B2 (en) * 2009-12-01 2012-04-17 Shin Zu Shing Co., Ltd. Light emitting diode substrate assembly
TWM389208U (en) * 2010-04-01 2010-09-21 Lebensstil Technology Co Ltd Assembled structure of illumination lamp
KR101298406B1 (ko) * 2010-05-17 2013-08-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101852388B1 (ko) * 2011-04-28 2018-04-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
DE112013002944T5 (de) 2012-06-13 2015-02-19 Innotec, Corp. Flexibler Hohllichtleiter
CN103824926B (zh) * 2014-03-05 2016-09-14 中国科学院半导体研究所 一种多芯片led封装体的制作方法
CN104613337A (zh) * 2014-09-23 2015-05-13 深圳市三浦半导体有限公司 一种双色led灯珠及灯组
CN205039173U (zh) 2015-09-30 2016-02-17 佛山市国星光电股份有限公司 一种led支架及其制成的led器件与led显示模组
JP6729254B2 (ja) * 2016-09-30 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及び表示装置
CN114334941B (zh) * 2022-03-04 2022-05-31 至芯半导体(杭州)有限公司 一种紫外器件封装结构

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6495861B1 (en) * 1999-03-18 2002-12-17 Ròhm Co., Ltd. Light-emitting semiconductor chip
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3221345B2 (ja) * 1997-02-27 2001-10-22 松下電工株式会社 半導体装置
US6174070B1 (en) * 1998-03-02 2001-01-16 Elna Kabushiki Kaisha Portable lighting instrument having a light emitting diode assembly
JP3893735B2 (ja) * 1998-04-24 2007-03-14 松下電器産業株式会社 発光装置
JP2000294832A (ja) * 1999-04-05 2000-10-20 Matsushita Electronics Industry Corp 発光ダイオード装置及びその製造方法
JP3798195B2 (ja) * 1999-08-12 2006-07-19 ローム株式会社 チップ型発光装置
JP2002141558A (ja) 2000-11-06 2002-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ型ｌｅｄ
US6955449B2 (en) * 2001-04-13 2005-10-18 Gelcore Llc LED symbol signal
JP4269709B2 (ja) * 2002-02-19 2009-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US6644841B2 (en) * 2002-03-01 2003-11-11 Gelcore Llc Light emitting diode reflector
JP4211359B2 (ja) * 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP3770192B2 (ja) * 2002-04-12 2006-04-26 松下電器産業株式会社 チップ型ｌｅｄ用リードフレーム
JP2003347600A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ実装基板
JP4239545B2 (ja) 2002-10-03 2009-03-18 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004228550A (ja) * 2002-11-25 2004-08-12 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP4182783B2 (ja) * 2003-03-14 2008-11-19 豊田合成株式会社 Ｌｅｄパッケージ
US20040229391A1 (en) * 2003-04-25 2004-11-18 Kazuyuki Ohya LED lamp manufacturing process
JP4269790B2 (ja) 2003-06-11 2009-05-27 セイコーエプソン株式会社 発光素子、照明装置、投射型表示装置
CN100511732C (zh) * 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件
JP4238681B2 (ja) 2003-09-17 2009-03-18 豊田合成株式会社 発光装置
US7391153B2 (en) * 2003-07-17 2008-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation
US20050133808A1 (en) * 2003-09-11 2005-06-23 Kyocera Corporation Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
JP2005150408A (ja) 2003-11-17 2005-06-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光素子搭載用パッケージおよび光源装置
JP2005197369A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
CN100565307C (zh) * 2004-02-13 2009-12-02 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制备方法，液晶电视系统，和el电视系统
US7795053B2 (en) * 2004-03-24 2010-09-14 Hitachi Cable Precision Co., Ltd Light-emitting device manufacturing method and light-emitting device
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
US20060012992A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-19 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. LED luminance enhancing construction
US7405093B2 (en) * 2004-08-18 2008-07-29 Cree, Inc. Methods of assembly for a semiconductor light emitting device package
JP4747726B2 (ja) * 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
JP5192811B2 (ja) * 2004-09-10 2013-05-08 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ
TWI405349B (zh) * 2004-10-07 2013-08-11 Seoul Semiconductor Co Ltd 側照明透鏡以及使用此透鏡的發光元件
US7473933B2 (en) * 2004-10-29 2009-01-06 Ledengin, Inc. (Cayman) High power LED package with universal bonding pads and interconnect arrangement

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6495861B1 (en) * 1999-03-18 2002-12-17 Ròhm Co., Ltd. Light-emitting semiconductor chip
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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JP特开2005-243658A 2005.09.08

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