[go: up one dir, main page]

JP2005197369A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005197369A
JP2005197369A JP2004000603A JP2004000603A JP2005197369A JP 2005197369 A JP2005197369 A JP 2005197369A JP 2004000603 A JP2004000603 A JP 2004000603A JP 2004000603 A JP2004000603 A JP 2004000603A JP 2005197369 A JP2005197369 A JP 2005197369A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical semiconductor
recess
semiconductor element
optical
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004000603A
Other languages
English (en)
Inventor
Shin Sakamoto
慎 坂本
Isao Ogawa
功 小川
Hideo Tamura
英男 田村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2004000603A priority Critical patent/JP2005197369A/ja
Priority to TW093140211A priority patent/TWI244779B/zh
Priority to CNB2004101041683A priority patent/CN100382345C/zh
Priority to US11/028,305 priority patent/US7210807B2/en
Priority to DE200510000800 priority patent/DE102005000800A1/de
Publication of JP2005197369A publication Critical patent/JP2005197369A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3201—Structure
    • H01L2224/32012—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
    • H01L2224/32013—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being larger than the bonding area, e.g. bond pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】樹脂が反射面まで這い上がることによる反射面の集光効果の低下を防ぐこと。
【解決手段】光半導体素子２３が設けられるとともに光半導体素子２３に対して外部から電力を伝達するためのリード２０と、リード２０を保持するとともに、光半導体素子２３がボンディングされた領域が露出するように凹部が形成された外囲器３０とを具備し、前記外囲器は前記光半導体素子及び光学樹脂材料を収容する第１の凹部５０と、第１の凹部５０を囲むように配置され第１の凹部５０から発せられた光を反射させる反射面６１を有する第２の凹部６０と、第１の凹部５０と第２の凹部６０との間に形成され、光学樹脂材料を第１の凹部５０に充填する際に第２の凹部６０に光学樹脂材料が濡れ上がることを防止する突条部７０が形成されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、リード上にボンディングされた光半導体素子を光学樹脂材料により樹脂封止して形成された光半導体装置に関し、特に光学樹脂材料からなる透光樹脂部とは別に反射面を有するものであって、優れた光学的特性と高い生産性を有するものに関する。
表面実装用ＬＥＤ等の光半導体装置のパッケージとして、リードを熱可塑性樹脂によってインサート成形して製造されるものが知られている（例えば特許文献１参照）。図５は、このような光半導体装置の１つである光半導体パッケージ１００を示す図である。光半導体パッケージ１００は、リード１０１と、このリード１０１の下面１０１ａ側及び上面側１０１ｂに形成された熱可塑性樹脂製のベース部１０２と、このベース部１０２に形成された凹部１０２ａに充填され、後述する発光素子１０４からの光を吸収しない透光性樹脂からなる透光樹脂部１０３と、リード１０１上に搭載された発光素子１０４とを備えている。なお、図５中１０５は発光素子１０４の端子とリード１０１を導通させる金製のワイヤを示している。
光半導体パッケージ１００は、次のような工程で製造される。すなわち、リード１０１を金型内部にインサートし、射出成形によって熱可塑性樹脂を充填しベース部１０２になる部分を製造する。この後、リード１０１の一方の電極上にマウントペーストを塗布した後、発光素子１０４を搭載し、他方の電極にワイヤ１０５をボンディングして導通可能にする。この後に、透光性樹脂を空隙にポッティングし所定の硬化条件で硬化させて透光樹脂部１０３を形成し、完成する。
光半導体パッケージ１００では、発光素子１０４から発光される光は、透光樹脂部１０３を透過して取り出され、約１００°から１２０°程度の広い指向角で出射される。このように、光半導体パッケージ１００から取り出された光はレンズや反射面部を設けない限り集光しないため、前方部分の特定範囲を明るく照らすといった用途には不向きである。
このため、封止樹脂充填部とは別に光を反射させて指向性を制御する反射面部を設ける構造を採用したものがある。図６はこのような構造を有する光半導体装置の一例である光半導体パッケージ２００を示す縦断面図である。光半導体パッケージ２００は、リード２０１と、このリード２０１を封止する外囲器２０２とを備えている。外囲器２０２は、第１の凹部２０２ａと、この第１の凹部２０２ａを囲む位置に配置された第２の凹部２０２ｂとを備えている。第１の凹部２０２ａには、蛍光体混合シリコン樹脂製が充填されて透光樹脂部２０３が形成され、第２の凹部２０２ｂの内壁面には反射面２０４が形成されている。さらに、リード２０１上には、発光素子２０５が搭載されており、この発光素子２０５の端子とリード２０１の電極とは金製のワイヤ２０６により導通されている。なお、図６中Ｑは透光樹脂部２０３から出射された光の出射方向を示している。
特開２０００−１８３４０７号公報
上述したような従来の封止樹脂ポッティング部と反射面部を有するパッケージ構造からなる光半導体装置であると、次のような問題があった。すなわち、蛍光体混合シリコン樹脂を流し込み、所定の硬化条件にて硬化させる工程で、図７に示すように蛍光体混合シリコン樹脂が反射面部にまで這い上がってきてしまい、反射面の実質的な面積が縮小したり、光源となる光学樹脂材料の表面形状が設計値と異なってしまうことから反射の効果が十分に得られない場合がある。また、透光樹脂部２０３が凹み形状となるために、透光樹脂部２０３の中央付近では発光素子２０５から発光された光が透光樹脂部２０３内を通る距離が短いのに対し、透光樹脂部２０３の外周部付近ではその距離が長くなることから、中央部と外周部では蛍光体の励起・発光状態が異なり、色調がばらつくという問題があった。
そこで、本発明は、透光性樹脂が反射面まで這い上がることによる反射面の集光効果の低下を防ぐことにより、簡易な構成で光の取り出し効率を向上させることができる光半導体装置を提供することを目的としている。
上記課題を解決し目的を達成するために、本発明の光半導体装置は次のように構成されている。
光半導体素子と、この光半導体素子が設けられるとともに前記光半導体素子に対して外部から電力を伝達するためのリードと、このリードを保持するとともに、少なくとも前記光半導体素子がボンディングされた領域が露出するように凹部が形成された外囲器とを具備し、前記凹部は、少なくとも前記光半導体素子を含む第１の開口部と、この第１の開口部の外縁部に設けられた突条部と、前記第１の開口部及び前記突条部とを含む第２の開口部とを具備することを特徴とする。
上記光半導体装置であって、前記突条部は、前記リードがなす面の法線方向に向けて凸となるように延設されていることを特徴とする。
上記光半導体装置であって、前記光学樹脂材料は、熱硬化性樹脂に蛍光体が混入されたものであることを特徴とする。
本発明によれば、簡易な構成で光の取り出し効率を向上させることができる。
図１は本発明の第１の実施の形態に係る光半導体装置１０を示す縦断面図、図２は光半導体装置１０を構成する外囲器３０を示す縦断面図、図３は製造工程において用いる金型８０を示す縦断面図である。
光半導体装置１０は、リード２０と、外囲器３０とを備えている。リード２０は、銅材製で、Ｎｉ、Ｐｄ、及びＡｕが所定の厚みで銅表面からＮｉ、Ｐｄ、Ａｕの順でメッキされており、フレーム表面はＡｕが露出している。リード２０は、第１のリード２１と第２のリード２２とを備えており、これらのリード２１，２２上にはそれぞれ電極２１ａ，２２ａが設けられている。
電極２１ａ上には紫外線を発する発光素子２３が取り付けられている。また、発光素子２３の電極は金製のワイヤ２４により電極２２ａに接合されている。
外囲器３０は、白色の熱可塑性樹脂からなるベース部４０を備えている。ベース部４０は、第１の凹部５０と、この第１の凹部５０の外周側に設けられた第２の凹部６０とが設けられ、第１の凹部５０と第２の凹部６０との間には、突条部７０が形成されている。
第１の凹部５０には、蛍光体混合シリコン樹脂からなる蛍光体樹脂部（透光樹脂部）５１が形成されている。蛍光体混合シリコン樹脂は、熱硬化性樹脂であるシリコン樹脂に発光素子２３が発する紫外光に反応して可視光を発光する蛍光体を混合したものである。第２の凹部６０には、反射面６１が形成されている。
突条部７０は、図１中矢印Ｖ方向へ、すなわちリード２０の面の法線方向に凸となるように第１の凹部５０の底部側から開口部側へ延設されており、その高さＨは例えば、０．１ｍｍ、幅Ｗ０．０５ｍｍである。
このように構成された光半導体装置１０は、次のような工程で製造される。すなわち、射出成形用金型８０内にリード２０を配置する。
射出成形用金型８０は、外囲器３０の外形を形成するための第１の金型８１と、第１の凹部５０、第２の凹部６０、突条部７０を形成するための第２の金型８２とを用い、キャビティの材質は、例えば、ＨＰＭ−３８（プリハードン鋼）に熱処理でＨＲＣ（ロックウェル硬さ）５３〜５５としたものを用いる。第２の金型８２は、円筒形状の反射面部金型（スリーブ）８３内に、封止樹脂充填部金型（コアピン）８４を通した構造である。このような構造を採用した理由について説明する。
一体ものの金型で射出成形で小さな突条部を作る場合には、金型側に溝を掘ることになるが、微小の段付き部に溝加工を施すのは非常に困難であり、また表面形状の変曲点に意図しない加工Ｒが付くため、上述した組合せ型の第２の金型８２を用いることが好ましい。
反射面部金型（スリーブ）８３の内径側に突条部７０にあたる段付き部を設けておけば、封止樹脂充填部金型（コアピン）８４と組み合わせることにより、微小の溝８５を容易に形成することができる。すなわち、スリーブ構造とすることによって、溝掘り込み加工の如く加工Ｒがつく虞も無く、エッジ形状の突条部７０を形成することができる。なお、突条部７０の先端、すなわち図１中二点鎖線Ｅで囲んだ部分はＲ形状よりもエッジが立っていた方が樹脂漏れ防止の観点から好ましい。
射出成形用金型８０を用いて、例えば、金型温度１３０℃、樹脂溶融粘度３３０℃、ゲート通過時の樹脂の見かけの粘度３００Ｐａ・ｓ、保圧：１２０ＭＰａの成形条件で射出成形した。使用した樹脂はＰＰＡ（ポリフタルアミド）を用いた。樹脂中には重量比５％以上の酸化チタンが添加されている。
成形後、第２の金型８２を図３中上方に抜く。そして、一方のフレーム電極２１ａに銀フレークを含んだマウントペーストを塗布し発光素子２３を搭載して、もう一方の電極２２ａにワイヤ２４によりワイヤボンディングして電気的導通を得る。
その後、第１の凹部５０に蛍光体混合シリコン樹脂（透光樹脂）をポッティングする。この際、蛍光体混合シリコン樹脂の一部が第２の凹部６０に這い上がろうとするが、突条部７０によってその這い上がりが規制されるため、反射面６１に蛍光体混合シリコン樹脂は這い上がることは無い。
ポッティングした蛍光体混合シリコン樹脂は所定の効果条件、例えば１００℃で２時間、次に１４５℃で４時間、１８０℃で４時間で硬化され、蛍光体樹脂部５１が形成される。
このように構成された光半導体装置１０では、発光素子２３で発した紫外光に蛍光体樹脂部５１内の蛍光体が反応し可視光を発する。この可視光は蛍光体樹脂部５１からの出射すると、反射面６１によって反射され、図１中上方に出射される。出射方向は、反射面６１の材質や、面粗さ、角度を適宜設計することで調整が可能である。
なお、光半導体装置１０の製造工程において、第１の凹部５０へ蛍光体混合シリコン樹脂を充填する際、蛍光体混合シリコン樹脂の第２の凹部６０への這い上がりが突条部７０によって規制されるため、反射面６１の表面に蛍光体混合シリコン樹脂が濡れ広がることがなく、反射面６１が蛍光体混合シリコン樹脂で覆われず、設計通りの反射効果が発揮できる。また蛍光体混合シリコン樹脂が第２の凹部６０へ這い上がることによって蛍光体樹脂部５１の中央部が凹み、色調のばらつきが生じることも低減される。また、蛍光体混合シリコン樹脂のポッティング量のばらつきが多少生じても突条部７０がダム構造となっているため蛍光体混合シリコン樹脂が表面張力により第２の凹部６０側へ溢れ出すことも無い。このため、製造工程においてポッティング量制御に幅を持たすことができ、生産性を向上させることができる。
突条部７０はその高さは０．１ｍｍ以上、幅０．０５ｍｍ以上であると、蛍光体混合シリコン樹脂が溢れ出すことを有効に阻止することができるがわかった。したがって、突条部７０の高さＨは０．１ｍｍ以上、幅Ｗ０．０５ｍｍ以上としておくことが好ましい。さらに、第１の凹部５０と反射面６１の段幅Ｄが１．３ｍｍ以上である。
上述したように、本実施の形態に係る光半導体装置１０によれば、第１の凹部５０と第２の凹部６０との境界に、突条部７０を設けたことにより、蛍光体混合シリコン樹脂が反射面６１まで這い上がることを防止でき、反射面６１の集光効果の低下を防ぐことが可能となる。また、製造工程におけるポッティング量制御に幅を持たすことができ、生産性を向上させることができる。
図４は本発明の第２の実施の形態に係る光半導体装置９０を示す縦断面図である。図４において図１と同一機能部分には同一符号を付しその詳細な説明を省略する。
上述した光半導体装置１０では、蛍光体樹脂部５１の表面が硬化後にフラットになるようにポッティング量を調整していた。蛍光体混合シリコン樹脂により演色する方式では無く、発光素子そのものの色を用いる光半導体発光装置９０では、透明シリコン樹脂をポッティングすることとなるが、その場合に、表面張力によりダム構造から透明シリコン樹脂が漏れ出さない程度にポッティング量を多めにし、パッケージを反転した状態で硬化させて透光樹脂部９１を形成する。これにより、透光樹脂部９１は凸形状となり、簡易的なレンズ効果を示すことが可能となる。
本実施の形態に係る光半導体装置９０においても上述した半導体装置１０と同様の効果を得ることができる。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
本発明の第１の実施の形態に係わる光半導体装置を示す縦断面図。 同光半導体装置に組み込まれたリードと外囲器を示す縦断面図。 同光半導体装置を製作するキャビティを示す縦断面図。 本発明の第２の実施の形態に係わる光半導体装置を示す縦断面図。 従来の光半導体パッケージの一例を示す縦断面図。 従来の反射面部を有する光半導体パッケージの一例を示す縦断面図。 同光半導体パッケージの問題点を示す説明図。
符号の説明
１０,９０…光半導体装置、２０…リード、２３…発光素子、３０…外囲器、４０…ベース部、５０…第１の凹部、５１…蛍光体樹脂部（透光樹脂部）、６０…第２の凹部、６１…反射面、７０…突条部、８０…金型。

Claims (5)

  1. 光半導体素子と、
    この光半導体素子が設けられるとともに前記光半導体素子に対して外部から電力を伝達するためのリードと、
    このリードを保持するとともに、少なくとも前記光半導体素子がボンディングされた領域が露出するように凹部が形成された外囲器とを具備し、
    前記凹部は、
    少なくとも前記光半導体素子を含む第１の開口部と、
    この第１の開口部の外縁部に設けられた突条部と、
    前記第１の開口部及び前記突条部とを含む第２の開口部とを具備することを特徴とする光半導体装置。
  2. 光半導体素子と、
    この光半導体素子が設けられるとともに前記光半導体素子に対して外部から電力を伝達するためのリードと、
    このリードを保持するとともに、少なくとも前記光半導体素子がボンディングされた領域が露出するように凹部が形成された外囲器とを具備し、
    前記外囲器は前記光半導体素子及び光学樹脂材料を収容する第１の凹部と、
    前記第１の凹部を囲むように配置され前記第１の凹部から発せられた光を反射させる反射壁を有する第２の凹部と、
    前記第１の凹部と前記第２の凹部との間に形成された突条部が形成されていることを特徴とする光半導体装置。
  3. 光半導体素子と、
    この光半導体素子が設けられるとともに前記光半導体素子に対して外部から電力を伝達するためのリードと、
    このリードを保持するとともに、少なくとも前記光半導体素子がボンディングされた領域が露出するように凹部が形成された外囲器とを具備し、
    前記外囲器は前記光半導体素子及び光学樹脂材料を収容する第１の凹部と、
    前記第１の凹部を囲むように配置され前記第１の凹部から発せられた光を反射させる反射壁を有する第２の凹部と、
    前記第１の凹部と前記第２の凹部との間に形成され、前記光学樹脂材料を前記第１の凹部に充填する際に前記第２の凹部に前記光学樹脂材料が濡れ上がることを防止する突条部が形成されていることを特徴とする光半導体装置。
  4. 前記突条部は、前記リードがなす面の法線方向に向けて凸となるように延設されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光半導体装置。
  5. 前記光学樹脂材料は、熱硬化性樹脂に蛍光体が混入されたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光半導体装置。
JP2004000603A 2004-01-05 2004-01-05 光半導体装置 Pending JP2005197369A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004000603A JP2005197369A (ja) 2004-01-05 2004-01-05 光半導体装置
TW093140211A TWI244779B (en) 2004-01-05 2004-12-23 Optical semiconductor apparatus
CNB2004101041683A CN100382345C (zh) 2004-01-05 2004-12-30 光半导体装置
US11/028,305 US7210807B2 (en) 2004-01-05 2005-01-04 Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device
DE200510000800 DE102005000800A1 (de) 2004-01-05 2005-01-05 Optische Halbleitereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optischen Halbleitereinrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004000603A JP2005197369A (ja) 2004-01-05 2004-01-05 光半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005197369A true JP2005197369A (ja) 2005-07-21

Family

ID=34708974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004000603A Pending JP2005197369A (ja) 2004-01-05 2004-01-05 光半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7210807B2 (ja)
JP (1) JP2005197369A (ja)
CN (1) CN100382345C (ja)
DE (1) DE102005000800A1 (ja)
TW (1) TWI244779B (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007142474A (ja) * 2003-04-24 2007-06-07 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2007180069A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Toshiba Corp レンズ付発光ダイオード装置及びレンズ付発光ダイオード製造方法
JP2007220942A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
US7279346B2 (en) 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
JP2007288198A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
US7326583B2 (en) 2004-03-31 2008-02-05 Cree, Inc. Methods for packaging of a semiconductor light emitting device
JP2008041917A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
KR100811723B1 (ko) 2007-03-30 2008-03-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP2008130836A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Sharp Corp 発光装置
WO2008114657A1 (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Omron Corporation 光伝送路パッケージ、光伝送モジュール、電子機器、および、光伝送モジュールの製造方法
KR100863756B1 (ko) 2007-01-23 2008-10-16 (주) 아모센스 반도체 패키지의 제조방법
JP2008270822A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光ダイオードパッケージ
US7517728B2 (en) 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
KR20090005281U (ko) * 2007-11-28 2009-06-02 웬-쿵 숭 발광 다이오드 밀봉 구조
JP2009302241A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Apic Yamada Corp 樹脂封止体の製造方法、ｌｅｄチップ実装用基板の製造方法、ｌｅｄチップ実装用基板のモールド金型、ｌｅｄチップ実装用基板、及び、ｌｅｄ
JP2010519775A (ja) * 2007-02-28 2010-06-03 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ケーシングボディを有するオプトエレクトロニクス装置
US7939842B2 (en) 2005-01-27 2011-05-10 Cree, Inc. Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods
US7960819B2 (en) 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
US8044418B2 (en) 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
JP2012178598A (ja) * 2012-05-14 2012-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US7326062B2 (en) * 2005-02-07 2008-02-05 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd System and method for increasing the surface mounting stability of a lamp
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US20070034886A1 (en) * 2005-08-11 2007-02-15 Wong Boon S PLCC package with integrated lens and method for making the package
KR101241650B1 (ko) 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
JP2007123777A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Sharp Corp 半導体発光装置
KR100637476B1 (ko) * 2005-11-09 2006-10-23 알티전자 주식회사 측면발광 다이오드 및 그 제조방법
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
KR100731678B1 (ko) * 2006-05-08 2007-06-22 서울반도체 주식회사 칩형 발광 다이오드 패키지 및 그것을 갖는 발광 장치
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US7910938B2 (en) * 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
KR100757826B1 (ko) * 2006-09-29 2007-09-11 서울반도체 주식회사 측면 발광 다이오드 패키지
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
EP2124252A4 (en) * 2007-03-09 2012-10-17 Omron Tateisi Electronics Co CAPSULE MANUFACTURING METHOD, CAPSULATION, OPTICAL MODULE AND INTEGRAL FORMING CHIP
US7968899B2 (en) * 2007-08-27 2011-06-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source having improved resistance to thermal cycling
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US20100067240A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 John Selverian Optical Cup For Lighting Module
US8525213B2 (en) * 2010-03-30 2013-09-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US8901578B2 (en) 2011-05-10 2014-12-02 Rohm Co., Ltd. LED module having LED chips as light source
US8878215B2 (en) * 2011-06-22 2014-11-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device module
CN102956796A (zh) * 2011-07-15 2013-03-06 财团法人成大研究发展基金会 发光二极管晶粒模块、其封装方法及其移取治具
KR20130022052A (ko) * 2011-08-24 2013-03-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
DE102011084885A1 (de) * 2011-10-20 2013-04-25 Osram Gmbh Auflage für eine Leuchtvorrichtung
CN103117350B (zh) * 2011-11-17 2016-04-13 佛山市国星光电股份有限公司 一种户外显示屏用表面贴装型高防水led支架及其产品
KR20130107536A (ko) * 2012-03-22 2013-10-02 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ패키지 및 그 제조방법
CN202957288U (zh) * 2012-06-21 2013-05-29 惠州雷曼光电科技有限公司 贴片式led支架及贴片式led
JP7082280B2 (ja) * 2018-03-30 2022-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08115993A (ja) * 1994-10-18 1996-05-07 Kyocera Corp 半導体装置
US5959605A (en) * 1995-11-22 1999-09-28 Picker International, Inc. Video magnifier
US6130663A (en) * 1997-07-31 2000-10-10 Null; Nathan D. Touchless input method and apparatus
JP3228321B2 (ja) 1997-08-29 2001-11-12 日亜化学工業株式会社 チップタイプｌｅｄ
US6211856B1 (en) * 1998-04-17 2001-04-03 Sung M. Choi Graphical user interface touch screen with an auto zoom feature
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP2000183407A (ja) 1998-12-16 2000-06-30 Rohm Co Ltd 光半導体装置
AU2001227797A1 (en) * 2000-01-10 2001-07-24 Ic Tech, Inc. Method and system for interacting with a display
JP4432275B2 (ja) * 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
JP4066620B2 (ja) * 2000-07-21 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法
JP2002270901A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードとその製造方法
ATE425556T1 (de) * 2001-04-12 2009-03-15 Matsushita Electric Works Ltd Lichtquellenbauelement mit led und verfahren zu seiner herstellung
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
TW595012B (en) * 2001-09-03 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007142474A (ja) * 2003-04-24 2007-06-07 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
US8154043B2 (en) 2004-03-31 2012-04-10 Cree, Inc. Packaged light emitting devices
US7928456B2 (en) 2004-03-31 2011-04-19 Cree, Inc. Packaged light emitting devices
US7279346B2 (en) 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US7612383B2 (en) 2004-03-31 2009-11-03 Cree, Inc. Reflector packages and semiconductor light emitting devices including the same
US7326583B2 (en) 2004-03-31 2008-02-05 Cree, Inc. Methods for packaging of a semiconductor light emitting device
US7517728B2 (en) 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7799586B2 (en) 2004-03-31 2010-09-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element and methods for packaging the same
US8039859B2 (en) 2004-03-31 2011-10-18 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including an optically transmissive element
US7939842B2 (en) 2005-01-27 2011-05-10 Cree, Inc. Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods
JP2007180069A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Toshiba Corp レンズ付発光ダイオード装置及びレンズ付発光ダイオード製造方法
JP2007220942A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
US8735931B2 (en) 2006-04-17 2014-05-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package and fabrication method thereof
US8168453B2 (en) 2006-04-17 2012-05-01 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package and fabrication method thereof
JP2007288198A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
US8941134B2 (en) 2006-07-13 2015-01-27 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices having heat dissipating regions in packaging
US8193547B2 (en) 2006-07-13 2012-06-05 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices and methods of forming leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US8044418B2 (en) 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US7960819B2 (en) 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
JP2008041917A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2008130836A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Sharp Corp 発光装置
KR100863756B1 (ko) 2007-01-23 2008-10-16 (주) 아모센스 반도체 패키지의 제조방법
JP2010519775A (ja) * 2007-02-28 2010-06-03 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ケーシングボディを有するオプトエレクトロニクス装置
US8723211B2 (en) 2007-02-28 2014-05-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device with housing body
KR101487361B1 (ko) 2007-02-28 2015-01-29 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 하우징 몸체를 지닌 광전자 장치
JPWO2008114657A1 (ja) * 2007-03-16 2010-07-01 オムロン株式会社 光伝送路パッケージ、光伝送モジュール、電子機器、および、光伝送モジュールの製造方法
KR101077729B1 (ko) 2007-03-16 2011-10-27 오무론 가부시키가이샤 광전송로 패키지, 광전송 모듈, 전자 기기, 및 광전송 모듈의 제조 방법
WO2008114657A1 (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Omron Corporation 光伝送路パッケージ、光伝送モジュール、電子機器、および、光伝送モジュールの製造方法
US8792755B2 (en) 2007-03-16 2014-07-29 Omron Corporation Light transmission path package, light transmission module, electronic device and method for manufacturing light transmission module
KR100811723B1 (ko) 2007-03-30 2008-03-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP2008270822A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光ダイオードパッケージ
KR20090005281U (ko) * 2007-11-28 2009-06-02 웬-쿵 숭 발광 다이오드 밀봉 구조
JP2009302241A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Apic Yamada Corp 樹脂封止体の製造方法、ｌｅｄチップ実装用基板の製造方法、ｌｅｄチップ実装用基板のモールド金型、ｌｅｄチップ実装用基板、及び、ｌｅｄ
JP2012178598A (ja) * 2012-05-14 2012-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN100382345C (zh) 2008-04-16
CN1638164A (zh) 2005-07-13
DE102005000800A1 (de) 2005-08-04
US20050145991A1 (en) 2005-07-07
TW200525790A (en) 2005-08-01
US7210807B2 (en) 2007-05-01
TWI244779B (en) 2005-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005197369A (ja) 光半導体装置
JP4952233B2 (ja) 半導体装置
KR100757196B1 (ko) 실리콘 렌즈를 구비하는 발광소자
US9530942B2 (en) Slim LED package
US7683394B2 (en) Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device
JP5596901B2 (ja) 反射レンズを備えたパワー発光ダイパッケージおよびその作製方法
KR101635650B1 (ko) 발광 장치
JP2005317661A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
CN104078551A (zh) 发光装置及其制造方法
CN101523621A (zh) 光电子器件的壳体、光电子器件以及用于制造光电子器件的壳体的方法
JPH11177129A (ja) チップ型ｌｅｄ、ｌｅｄランプおよびｌｅｄディスプレイ
JP2008147203A (ja) 半導体発光装置
CN101997075A (zh) 发光装置以及发光装置的制造方法
US8803182B2 (en) Light emitting device comprising protective element and base
JP2009206370A (ja) Ｌｅｄパッケージ用基板、ｌｅｄパッケージ用基板の製造方法、ｌｅｄパッケージ用基板のモールド金型、ｌｅｄパッケージ、及び、ｌｅｄパッケージの製造方法
JP2005026401A (ja) 発光ダイオード
JP4572892B2 (ja) 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ
JP6572938B2 (ja) 発光装置と発光装置の製造方法
KR101778141B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR101863549B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101855189B1 (ko) 반도체 발광소자
JP4280973B2 (ja) 半導体発光装置及びその製法
KR101877241B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101872317B1 (ko) 반도체 발광소자
JP2019075400A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061121

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090616

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091020