[go: up one dir, main page]

KR101241650B1 - 엘이디 패키지 - Google Patents

엘이디 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR101241650B1
KR101241650B1 KR1020050098594A KR20050098594A KR101241650B1 KR 101241650 B1 KR101241650 B1 KR 101241650B1 KR 1020050098594 A KR1020050098594 A KR 1020050098594A KR 20050098594 A KR20050098594 A KR 20050098594A KR 101241650 B1 KR101241650 B1 KR 101241650B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
substrate
holes
led package
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020050098594A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070042710A (ko
Inventor
김완호
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020050098594A priority Critical patent/KR101241650B1/ko
Priority to US11/583,043 priority patent/US7592638B2/en
Publication of KR20070042710A publication Critical patent/KR20070042710A/ko
Priority to US12/552,911 priority patent/US7989835B2/en
Priority to US12/683,929 priority patent/US8115225B2/en
Priority to US12/683,969 priority patent/US7999278B2/en
Priority to US12/815,044 priority patent/US7960750B2/en
Priority to US13/176,538 priority patent/US8431947B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101241650B1 publication Critical patent/KR101241650B1/ko
Priority to US13/872,688 priority patent/US8772813B2/en
Priority to US14/305,957 priority patent/US9269879B2/en
Priority to US14/993,983 priority patent/US9818922B2/en
Priority to US15/725,002 priority patent/US10249805B2/en
Priority to US16/277,756 priority patent/US10693050B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856Reflecting means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/8506Containers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/858Means for heat extraction or cooling
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/858Means for heat extraction or cooling
    • H10H20/8582Means for heat extraction or cooling characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/858Means for heat extraction or cooling
    • H10H20/8585Means for heat extraction or cooling being an interconnection

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 기판; 상기 기판 위에 형성된 하나 이상의 전극들; 상기 전극에 전기적으로 연결되는 LED; 상기 기판을 관통하여 열전도성 재질이 구비된 다수의 전도홀; 상기 전도홀에 접합하여 상기 기판의 아랫면에 구비되는 히트 싱크를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지에 관한 것이다.
LED 패키지, 전도홀, 히트 싱크, 방열

Description

엘이디 패키지{Package of light emitting diode}
도 1a 내지 도 1c는 종래의 LED 패키지 구조를 도시한 예시도.
도 2는 본 발명에 따른 세라믹 기판을 이용한 LED 패키지의 실시예 단면을 도시한 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 LED 패키지의 실시예 상부면을 도시한 상면도.
도 4는 본 발명에 따른 LED 패키지에서 반사부재의 다른 형태를 도시한 예시도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
200: LED 패키지 210: LED
220: 반사부재 230,231: 와이어
240: 세라믹 기판 250: 접합 돌출부
260,261: 전극 270: 히트 싱크
280: 전도 홀
본 발명은 LED의 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 세라믹 패키지의 열 방출 특성을 향상시킬 수 있는 LED의 패키지 구조에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emission diode, 이하, LED라 함)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.
일반적으로, LED 소자의 특성을 결정하는 기준으로는 고출력 발광 및 휘도, 발광색의 범위 등이 있고, 이러한 LED 소자의 특성은 1차적으로는 LED소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되지만, 2차적인 요소로 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다. 고휘도와 사용자 요구에 따른 휘도 각 분포를 얻기 위해서는 재료개발 등에 의한 1차적인 요소만으로는 한계가 있어 패키지 구조 등에 많은 관심을 갖게 되었다.
특히, LED 패키지 구조에 의한 2차적인 요인은 휘도와 고출력 발광에 큰 영향을 미친다. 예를 들어, 도 1a 내지 도 1c를 참조하여 전형적인 램프형 LED와 표면실장형 LED의 각 패키지구조를 비교해 보면, 도 1a에 도시된 램프형 LED 패키지(10)인 경우에는 두 개의 리드 프레임(3a,3b) 중 하나의 리드 프레임(3b) 상부는 컵형상으로 일정한 각을 갖는 금속 전극면을 구비하여 그 상부에 LED소자(5)가 실장되며, 또한 투명 몰딩 수지류로 이루어진 반구형 케이스(7)에 의해 패키징되는 구조를 갖는다. 반면에 도 1b에 도시된 표면 실장형 LED패키지(20)는 몰딩 에폭시 수지로 이루어진 패키지(11)를 가지며, 외형각이 작은 실장영역에 LED소자(15)가 배치되고 와이어(13)로 전극(도시되지 않음)과 연결되는 구조로 이루어진다.
이와 같은 패키지 구조에 의해서, 램프형 LED 패키지(10)는 반구형의 케이스 (7)가 렌즈역할을 하여 휘도를 조절할 수 있으며, 특히, 휘도 분포를 좁게 조절하여 일정 각에서 휘도를 높일 수 있고, 동시에 발광 원으로부터 빛이 컵 형인 금속 전극 판에 의해 반사되어 휘도의 세기를 증대시킬 수 있다. 이에 비해, 표면 실장형 LED 패키지(20)에서는 패키지에 의해 넓은 휘도의 분포를 가지며, 그 휘도도 낮다. 이와 같이, 휘도와 휘도 분포는 패키지 구조에 의해 큰 영향을 받는다. 따라서, 몰딩 수지류를 이용하는 표면 실장형 LED 패키지의 경우에, 실장영역 측면에 일정한 반사각 구조로 형성하여 금속을 도금하는 방식으로 반사체를 추가하는 식의 개발이 진행되고 있다.
하지만, 이와 같은 구조의 LED 패키지는 몰딩 수지류에 의한 패키지를 이용하므로 고출력 발광시 발생하는 열에 대한 내구성이 약해 고출력 발광에 적합하지 않다.
도 1c는 종래의 세라믹 기판으로 형성된 LED 패키지의 단면도이다. 도 1c를 참조하면, 상기 LED 패키지구조(30)는 각각 복수 개의 세라믹 시트가 적층된 구조를 갖는 두 개의 세라믹기판(21,22)으로 구성된다. 하부에 배치된 세라믹기판(21)은 상면에 LED소자(25)의 실장영역을 가지며, 상기 LED소자(25)에 와이어(27)로 연결된 전극(23)은 그 실장영역에서부터 양측면을 통해 하면까지 연장된다. 상부에 배치된 세라믹기판(22)은 상기 LED소자(25)의 실장영역을 둘러싸도록 소정의 캐비티가 형성되어 있다. 여기서, LED 소자의 실장영역을 위한 캐비티는 펀칭이나 절단공정으로 형성되므로 도시된 바와 같이 절개면이 항상 수직으로 형성된다.
이와 같이 세라믹 기판을 이용한 패키지의 경우에는, 고출력 발광시 발생하 는 열이 전극(23)을 통해서만 방열 되기 때문에 LED 소자의 특성에 악영향을 미친다. 따라서, 세라믹 패키지에서의 열을 효율적으로 방출할 수 있는 LED 패키지가 강하게 요구되어 왔다.
본 발명은 휘도 및 각도에 따른 휘도 조절이 용이할 뿐만 아니라 열을 효율적으로 방출시킬 수 있는 LED 패키지를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 간단한 구성의 LED 패키지를 제조함으로써 제조 공정상의 편의를 도모하는 데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판; 상기 기판 위에 형성된 하나 이상의 전극들; 상기 전극에 전기적으로 연결되는 LED; 상기 기판을 관통하여 열전도성 재질이 구비된 다수의 전도홀; 상기 전도홀에 접합하여 상기 기판의 아랫면에 구비되는 히트 싱크를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지에 관한 것이다. 실시예에 따른 LED 패키지는 기판; 상기 기판을 상하 관통하는 복수의 홀; 상기 기판 상에 배치되며, 상기 복수의 홀 상에 형성되는 전극; 상기 전극 상에 배치되는 LED; 및 상기 LED와 이격되어 상기 LED로부터 방출된 빛을 반사하는 반사 부재를 포함하고, 상기 전극은 상기 기판에 형성된 복수의 홀을 덮으면서, 상기 복수의 홀을 덮는 전극이 상호 연결된 형태일 수 있다. 또한, 상기 복수의 홀은 상기 LED와 상하간에 오버랩되지 않는 기판의 영역 중 상기 LED의 일측의 상기 오버랩되지 않는 기판의 영역에 형성된 제2 홀 및 상기 LED의 타측의 상기 오버랩되지 않는 기판의 영역에 형성된 제3 홀을 포함한다. 또한, 상기 복수의 홀은, 상기 발광소자 칩과 오버랩되는 기판의 영역에 형성된 제1 전도 홀을 더 포함하며, 상기 전극은 상기 제1 홀 내지 상기 제3 홀을 모두 덮으면서, 상기 제1 홀 내지 제3 홀을 덮는 전극이 상호 연결된 형태일 수 있다. 또한, 실시예에서 상기 기판은 상기 LED로부터 발생되는 열을 방출하기 위한 히트 싱크를 포함하고, 상기 히트 싱크는 상기 기판에 형성된 복수의 홀의 하측을 모두 덮으면서, 상기 복수의 홀의 하측을 덮는 히트 싱크는 상호 연결된 형태일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 LED 패키지의 단면을 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 LED 패키지(200)는 세라믹 기판(240)상에 실장되는 LED(210), LED(210)의 실장영역을 둘러싼 반사 부재(220), 세라믹 기판(240)상에 구비되어 LED(210)에 대한 전기적 연결을 이루는 전극(260,261)과 와이 어(230,231), 및 LED(210)에서 발생하는 열을 방열하기 위한 히트 싱크(270)와 전도 홀(280)로 각각 구성되어 있다.
반사 부재(220)는 높은 반사도의 코팅 막을 갖는 PP(polypropylene)의 재질로 구성될 수 있으며, 도시된 바와 같이 원통형으로 이루어질 수 있다. 반사 부재(220)의 형상은 상부 직경이 하부 직경보다 크게 형성하는 것이 바람직하고, 그 이유는 반사 부재(220)를 원통 형상으로 구성하여 실장영역에 삽입하는 것만으로도 일정한 휘도 증폭은 기대되지만, 상부 직경보다 작은 하부 직경을 갖도록 하여 그 직경 차이를 조절함으로써 상향되는 발광의 휘도와 그에 따른 휘도 세기를 증가시키는 것이 보다 바람직하기 때문이다.
이러한 반사 부재(220)는 PP 등의 재질을 이용하여 사출 성형방법으로 용이하게 제조될 수 있으며, 반사기능을 위해 이 PP 재질의 반사부재(220) 표면에 Al, Ag 등의 금속 막(도시하지 않음)을 형성한다. 또한, 반사 부재(220)는 하부밑면 부분에 세라믹 기판(240)과 결합하기 위한 다수의 접합 돌출부(250)를 구비할 수 있다.
전극(260,261)은 각각 전기적 전도성과 열전도성을 위해 구비되는데, 전극(260)은 도 3에 도시된 바와 같이 세라믹 기판(240)의 측면을 통해 하측 면까지 연장되고, 와이어(230,231)를 통해 LED(210)에 구동전류를 공급한다.
히트 싱크(270)는 LED(210)에 대응하여 세라믹 기판(240)의 하측 면에 소정 형태, 예를 들어 원형 또는 사각형으로 구비되어 전도 홀(280)과 접합하여 전도 홀(280)을 통해 전도되는 LED(210)의 열을 방열하는 역할을 수행한다.
전도 홀(280)은 세라믹 기판(240)에 직경이 약 50㎛ 내지 100㎛의 홀을 다수 형성하고, 전기도금 또는 금속 증착 기술을 이용하여 금속재질 예컨대, Ag를 충진하여 형성되며 히트 싱크(270)와 접합된다.
이와 같은 구성의 LED 패키지(200)를 구성하는 과정에 있어서, 먼저 단층 세라믹 기판(240)에 다수의 전도 홀(280)을 기계적 방법 또는 화학적 에칭방법을 이용하여 형성하고, 이렇게 형성된 전도 홀(280)에 대해 전기도금 또는 금속 증착 기술을 적용하여 Ag를 충진시킨다.
전도 홀(280)에 Ag를 충진한 후, 전도 홀(280) 모두가 덮이도록 전극(260)과 히트 싱크(270)를 형성하고, 전극(260) 상의 소정 위치에 LED(210)를 실장하게 된다.
이어서, 와이어(230,231)가 각각 LED(210)와 전극(261,260)에 연결되어 형성되고, 반사 부재(220)는 다수의 접합 돌출부(250)를 이용하여 LED(210)의 실장영역을 중심으로 세라믹 기판(240)에 실리콘계 본딩 재료로 본딩 접합된다. 여기서, 반사부재(220)은 도 3에 도시된 원형 형태 이외에, 도 4에 도시된 바와 같이 사각형의 반사 부재(220)를 이용하여 본딩 접합될 수 있다.
따라서, 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 실시예인 LED 패키지(200)가 구성되고, 이 상태에서 LED(210)위에 투명한 에폭시 수지 또는 실리콘계 수지를 충진시켜 몰딩 렌즈(도시하지 않음)를 형성한다.
이와 같이 형성된 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지 구조는 LED(210)에서 발생하는 열이 전극(260), 전도 홀(280), 및 히트 싱크(270)로 전달되어 방열되므 로, LED 소자의 열에 의한 열화 및 열응력 등의 문제 해결에 큰 장점이 있다.
따라서, LED(210)의 실장 부분에 구비된 전도 홀(280)을 통해 하측 면으로 LED(210)에서 발생하는 열을 최단거리로 방열할 수 있기 때문에, LED(210)의 신뢰성을 확보할 수 있다. 또한, 단층 세라믹 기판(240)에 반사 부재(220)를 간단하게 본딩하므로, 세라믹 패키지 제작 공정이 간소화된다.
또한, 반사 부재(220)가 종래의 금속 재질이 아닌 PP재질로 형성되므로 세라믹 패키지의 무게를 줄일 수 있다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.
또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상기한 바와 같이 본 발명은 LED에서 발생하는 열을 최단거리로 방열할 수 있으므로, LED의 신뢰성을 확보할 수 있다.
또한, 단층 세라믹 패키지에 반사 부재를 간단하게 본딩하므로, 세라믹 패키지 제작 공정이 간소화되고 반사 부재의 재질과 반사 코팅막을 통해 휘도 특성을 향상시키는 패키지이다.

Claims (16)

  1. 기판;
    상기 기판을 상하 관통하는 복수의 홀;
    상기 기판 상에 배치되며, 상기 복수의 홀 상에 형성되는 전극;
    상기 전극 상에 배치되는 LED; 및
    상기 LED와 이격되어 상기 LED로부터 방출된 빛을 반사하는 반사 부재를 포함하고,
    상기 전극은
    상기 기판에 형성된 복수의 홀을 덮으면서, 상기 복수의 홀을 덮는 전극이 상호 연결된 형태이며,
    상기 복수의 홀은
    상기 LED와 상하간에 오버랩되지 않는 기판의 영역 중 상기 LED의 일측의 상기 오버랩되지 않는 기판의 영역에 형성된 제2 홀 및 상기 LED의 타측의 상기 오버랩되지 않는 기판의 영역에 형성된 제3 홀을 포함하는 LED 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 부재는 상기 LED의 실장영역을 둘러싸는 LED 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극은 일부분이 상기 기판과 상기 반사 부재 사이에 배치되고, 상기 기판의 하면으로 연장되는 LED 패키지.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 세라믹 기판이고, 상기 반사 부재는 상기 기판과 다른 재질로 형성되는 LED 패키지.
  5. 삭제
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 홀은,
    상기 LED와 오버랩되는 기판의 영역에 형성된 제1 전도 홀을 더 포함하며,
    상기 전극은 상기 제1 홀 내지 상기 제3 홀을 모두 덮으면서, 상기 제1 홀 내지 제3 홀을 덮는 전극이 상호 연결된 형태인 LED 패키지.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 홀은 금속 물질이 매립된 홀이며,
    상기 복수의 홀은 상기 LED 아래에 배치되어 상기 LED로부터 발생되는 열을 방출하는 LED 패키지.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 LED로부터 발생되는 열을 방출하기 위한 히트 싱크를 포함하고,
    상기 히트 싱크는 상기 기판에 형성된 복수의 홀의 하측을 모두 덮으면서, 상기 복수의 홀의 하측을 덮는 히트 싱크는 상호 연결된 형태인 LED 패키지.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 반사 부재는 상기 LED가 배치된 평면으로부터 돌출된 돌출부를 포함하며,
    상기 돌출부는 상기 기판과 결합되는 LED 패키지.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 LED 상에 렌즈를 더 포함하는 LED 패키지.
  11. 기판;
    상기 기판을 상하 관통하는 복수의 홀;
    상기 기판 상에 배치되며, 상기 복수의 홀 상에 형성되는 전극;
    상기 전극 상에 배치되는 LED; 및
    상기 LED와 이격되어 상기 LED로부터 방출된 빛을 반사하는 반사 부재를 포함하고,
    상기 전극은,
    상기 기판에 형성된 복수의 홀을 덮으면서, 상기 복수의 홀을 덮는 전극이 상호 연결된 형태이고,
    상기 전극들은 상기 기판의 측면을 따라 하면으로 연장되고, 상기 반사 부재는 상기 기판과 상이한 재질로 형성되며,
    상기 복수의 홀은
    상기 LED와 상하간에 오버랩되지 않는 기판의 영역 중 상기 LED의 일측의 상기 오버랩되지 않는 기판의 영역에 형성된 제2 홀 및 상기 LED의 타측의 상기 오버랩되지 않는 기판의 영역에 형성된 제3 홀을 포함하는 LED 패키지.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 기판의 하면에 형성되어 상기 복수의 홀과 접촉되는 히트 싱크를 더 포함하고,
    상기 히트 싱크는 상기 기판에 형성된 복수의 홀의 하측을 모두 덮으면서, 상기 복수의 홀의 하측을 덮는 히트 싱크는 상호 연결된 형태인 LED 패키지.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 반사 부재는 코팅 막을 갖는 PP(polypropylene) 재질을 포함하는 LED 패키지.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 반사 부재는 하면에 상기 기판과 결합되는 돌출부를 포함하는 LED 패키지.
  15. 삭제
  16. 제11 항에 있어서,
    상기 복수의 홀은,
    상기 LED와 오버랩되는 기판의 영역에 형성된 제1 전도 홀을 더 포함하며,
    상기 전극은 상기 제1 홀 내지 상기 제3 홀을 모두 덮으면서, 상기 제1 홀 내지 제3 홀을 덮는 전극이 상호 연결된 형태인 LED 패키지.
KR1020050098594A 2005-10-19 2005-10-19 엘이디 패키지 Expired - Fee Related KR101241650B1 (ko)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050098594A KR101241650B1 (ko) 2005-10-19 2005-10-19 엘이디 패키지
US11/583,043 US7592638B2 (en) 2005-10-19 2006-10-19 Light emitting diode package
US12/552,911 US7989835B2 (en) 2005-10-19 2009-09-02 Light emitting diode package including metal lines having gap therebetween
US12/683,929 US8115225B2 (en) 2005-10-19 2010-01-07 Light emitting diode package
US12/683,969 US7999278B2 (en) 2005-10-19 2010-01-07 Light emitting diode package
US12/815,044 US7960750B2 (en) 2005-10-19 2010-06-14 Light emitting diode package
US13/176,538 US8431947B2 (en) 2005-10-19 2011-07-05 Light emitting diode package having frame with bottom surface having two surfaces different in height
US13/872,688 US8772813B2 (en) 2005-10-19 2013-04-29 Light emitting diode package having frame with bottom surface having two surfaces different in height
US14/305,957 US9269879B2 (en) 2005-10-19 2014-06-16 Light emitting diode package having frame with bottom surface having two surfaces different in height
US14/993,983 US9818922B2 (en) 2005-10-19 2016-01-12 Light emitting diode package having frame with bottom surface having two surfaces different in height
US15/725,002 US10249805B2 (en) 2005-10-19 2017-10-04 Light emitting diode package having frame with bottom surface having two surfaces different in height
US16/277,756 US10693050B2 (en) 2005-10-19 2019-02-15 Light emitting diode package having frame with bottom surface having two surfaces different in height

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050098594A KR101241650B1 (ko) 2005-10-19 2005-10-19 엘이디 패키지

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110118174A Division KR101294488B1 (ko) 2011-11-14 2011-11-14 발광장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070042710A KR20070042710A (ko) 2007-04-24
KR101241650B1 true KR101241650B1 (ko) 2013-03-08

Family

ID=37947352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050098594A Expired - Fee Related KR101241650B1 (ko) 2005-10-19 2005-10-19 엘이디 패키지

Country Status (2)

Country Link
US (11) US7592638B2 (ko)
KR (1) KR101241650B1 (ko)

Families Citing this family (135)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101241650B1 (ko) 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
TWI322915B (en) * 2006-03-31 2010-04-01 Au Optronics Corp Heat dissipation structure of backliht module
KR100851183B1 (ko) * 2006-12-27 2008-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 패키지
US20080179618A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Ching-Tai Cheng Ceramic led package
KR100889512B1 (ko) * 2007-05-28 2009-03-19 한국광기술원 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 및 그의제조방법
CN100595916C (zh) * 2007-08-01 2010-03-24 宏齐科技股份有限公司 以陶瓷为基板的发光二极管芯片封装结构及其制作方法
KR100929690B1 (ko) * 2007-08-22 2009-12-03 한솔엘씨디 주식회사 엘이디 패키지
TWM337834U (en) * 2007-12-10 2008-08-01 Everlight Electronics Co Ltd Package structure for light emitting diode
KR101491138B1 (ko) * 2007-12-12 2015-02-09 엘지이노텍 주식회사 다층 기판 및 이를 구비한 발광 다이오드 모듈
CN102163667B (zh) * 2008-01-14 2014-04-16 晶元光电股份有限公司 半导体发光结构
KR20090104518A (ko) * 2008-03-31 2009-10-06 서울반도체 주식회사 프로젝션 시스템용 발광 다이오드 패키지
US20090273002A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Wen-Chih Chiou LED Package Structure and Fabrication Method
JP5549104B2 (ja) * 2008-05-29 2014-07-16 株式会社リコー 発光装置、光走査装置及び画像形成装置
KR101476422B1 (ko) * 2008-06-30 2014-12-26 서울반도체 주식회사 인쇄회로기판 및 그를 이용한 led 모듈
CN101645478A (zh) * 2008-08-08 2010-02-10 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发光二极管散热结构
CN101889353A (zh) * 2008-09-28 2010-11-17 张义辉 交流电发光二极管模块
KR101018191B1 (ko) * 2008-11-27 2011-02-28 삼성엘이디 주식회사 세라믹 패키지 및 이를 구비하는 헤드램프 모듈
USD648686S1 (en) 2010-04-30 2011-11-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US8598602B2 (en) * 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US7923739B2 (en) 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
KR20100094246A (ko) * 2009-02-18 2010-08-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
EP2413392A4 (en) * 2009-03-24 2013-12-18 Kang Kim LIGHT EMITTING DIODE HOUSING
US8340277B2 (en) * 2009-05-29 2012-12-25 Avaya Inc. Bartering system and method for controlling position in a wait queue in a contact center
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
USD648687S1 (en) 2009-06-05 2011-11-15 Cree, Inc. Light emitting device package
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
WO2011004798A1 (ja) * 2009-07-06 2011-01-13 株式会社 東芝 素子搭載用セラミックス基板、led搭載用セラミックス基板、ledランプ及びヘッドライト並びに電子部品
KR101014063B1 (ko) 2009-08-26 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛
JP5286206B2 (ja) * 2009-09-11 2013-09-11 日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 液晶表示装置
KR101055095B1 (ko) * 2010-03-09 2011-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광장치
WO2011118934A2 (en) * 2010-03-23 2011-09-29 Kang Kim Light emitting diode device and lighting device using the same
KR101259019B1 (ko) * 2011-02-25 2013-04-29 김강 발광다이오드 소자와 그 제조 방법
US8283681B2 (en) * 2010-03-30 2012-10-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Lighting device and method of manufacturing the same
CN105720180B (zh) * 2010-04-09 2018-05-29 罗姆股份有限公司 Led模块
US20110279981A1 (en) * 2010-05-17 2011-11-17 Alex Horng Heat Dissipating Assembly
CN101887909A (zh) * 2010-06-24 2010-11-17 深圳市阳光富源科技有限公司 一种led模组及其制作方法
US8896015B2 (en) * 2010-06-25 2014-11-25 Axlen, Inc. LED package and method of making the same
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
CN102315354B (zh) * 2010-06-29 2013-11-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构
CN101916821A (zh) * 2010-07-14 2010-12-15 四川九洲光电科技股份有限公司 具有高散热性能封装的大功率贴片发光二极管
CN101916808A (zh) * 2010-07-14 2010-12-15 四川九洲光电科技股份有限公司 高散热性能的大功率发光二极管
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
CN102005530B (zh) * 2010-10-15 2016-06-01 深圳市中庆微科技开发有限公司 一种大功率led散热单元
CN102034919A (zh) * 2010-10-15 2011-04-27 陈林 高亮度大功率led及其制作方法
CN102447042A (zh) * 2010-10-15 2012-05-09 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构及制程
CN102456802A (zh) * 2010-10-19 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
CN102468406B (zh) * 2010-11-19 2014-11-05 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US10267506B2 (en) 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
US11101408B2 (en) * 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
CN102544303A (zh) * 2010-12-21 2012-07-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN102163601A (zh) * 2010-12-31 2011-08-24 东莞市万丰纳米材料有限公司 Led封装模块
US9461023B2 (en) * 2011-10-28 2016-10-04 Bridgelux, Inc. Jetting a highly reflective layer onto an LED assembly
US8652860B2 (en) 2011-01-09 2014-02-18 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in a molded interconnect structure
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US8901578B2 (en) * 2011-05-10 2014-12-02 Rohm Co., Ltd. LED module having LED chips as light source
CN102222760B (zh) * 2011-06-20 2013-05-15 厦门市三安光电科技有限公司 一种深紫外半导体发光器件
US8537873B2 (en) * 2011-07-20 2013-09-17 Jds Uniphase Corporation High power surface mount technology package for side emitting laser diode
CN103035814A (zh) * 2011-10-10 2013-04-10 宁波瑞昀光电照明科技有限公司 高散热铝基板
US9105483B2 (en) 2011-10-17 2015-08-11 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US8675706B2 (en) 2011-12-24 2014-03-18 Princeton Optronics Inc. Optical illuminator
WO2013102823A1 (en) 2012-01-03 2013-07-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. A lighting assembly, a light source and a luminaire
JP6034175B2 (ja) * 2012-01-10 2016-11-30 ローム株式会社 Ledモジュール
US8946757B2 (en) * 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
CN104170106A (zh) * 2012-03-15 2014-11-26 松下电器产业株式会社 Led用基板、led模块和led灯
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
CN103542272B (zh) * 2012-07-13 2018-11-09 欧司朗股份有限公司 照明装置
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
KR20140019150A (ko) * 2012-08-06 2014-02-14 삼성디스플레이 주식회사 광원모듈 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
US9484309B2 (en) * 2012-08-06 2016-11-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
KR101973395B1 (ko) * 2012-08-09 2019-04-29 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
TWI550920B (zh) * 2012-12-13 2016-09-21 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體
CN104037053A (zh) * 2013-03-04 2014-09-10 海洋王照明科技股份有限公司 场发射平面光源
JP6500342B2 (ja) * 2013-04-27 2019-04-17 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置の製造方法並びにサブマウントの製造方法
US9008139B2 (en) 2013-06-28 2015-04-14 Jds Uniphase Corporation Structure and method for edge-emitting diode package having deflectors and diffusers
CN104282820A (zh) * 2013-07-09 2015-01-14 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其封装方法
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
TW201526310A (zh) * 2013-12-20 2015-07-01 Genesis Photonics Inc 發光二極體之封裝結構
KR20150085224A (ko) * 2014-01-15 2015-07-23 코닝정밀소재 주식회사 기판의 에지부 검사장치
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
JP6398996B2 (ja) * 2014-01-24 2018-10-03 Agc株式会社 発光素子用基板および発光装置
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
CN106299077B (zh) * 2015-05-26 2019-01-25 碁鼎科技秦皇岛有限公司 Led封装结构的制作方法
DE102015112042B4 (de) * 2015-07-23 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Leuchtvorrichtung
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
CN108352434A (zh) * 2015-11-10 2018-07-31 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管装置与其制作方法
US9911718B2 (en) 2015-11-17 2018-03-06 Invensas Corporation ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
CN105790071A (zh) * 2016-03-22 2016-07-20 西安炬光科技股份有限公司 一种高功率半导体激光器及其制备方法
CN105789389B (zh) * 2016-05-03 2018-12-18 上海集成电路研发中心有限公司 Led芯片的模组化封装方法
US10290993B2 (en) 2016-06-03 2019-05-14 Princeton Optronics, Inc. VCSEL illuminator package
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
CN106981555A (zh) * 2017-03-21 2017-07-25 江苏稳润光电有限公司 一种浅杯高可靠性紫光led封装器件及其制造方法
CN107527978A (zh) * 2017-08-15 2017-12-29 江苏稳润光电科技有限公司 一种大功率紫外led真空封装器件及其制造方法
KR102455086B1 (ko) * 2017-09-12 2022-10-17 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원장치
KR102426118B1 (ko) * 2017-10-13 2022-07-27 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원 장치
US10770097B2 (en) * 2017-12-22 2020-09-08 Seagate Technology Llc Element heater with back plane reflectors
US10361352B1 (en) * 2018-03-22 2019-07-23 Excellence Opto, Inc. High heat dissipation light emitting diode package structure having at least two light cups and lateral light emission
DE102018111791A1 (de) * 2018-05-16 2019-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
CN110594704B (zh) 2018-06-12 2021-10-29 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 光源的保护机构
CN210118715U (zh) 2018-06-12 2020-02-28 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 用于安装在基板上的光源的壳体和电子设备
US10738985B2 (en) 2018-06-12 2020-08-11 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Housing for light source
FR3085465B1 (fr) 2018-08-31 2021-05-21 St Microelectronics Grenoble 2 Mecanisme de protection pour source lumineuse
US10865962B2 (en) 2018-06-12 2020-12-15 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Protection mechanism for light source
CN109192839B (zh) * 2018-09-13 2024-02-20 中山市光圣半导体科技有限公司 一种紫外led立体封装器件及其制造方法
DE102018009292A1 (de) * 2018-11-26 2020-05-28 Harting Ag Elektrooptische Baugruppe mit Wärmeabführung sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen Baugruppe
CN111370556B (zh) * 2020-04-08 2021-04-30 广东良友科技有限公司 一种led支架光源封装结构及其工艺
JP7697468B2 (ja) * 2020-07-15 2025-06-24 Agc株式会社 発光素子用基板、および発光素子用基板の製造方法
CN112018593B (zh) * 2020-07-31 2022-03-25 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种光源投射器
CN112018594A (zh) * 2020-07-31 2020-12-01 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种光源投射器及其制作方法
CN114078645B (zh) * 2020-08-18 2025-01-17 淮安达方电子有限公司 发光按键结构
US11574953B2 (en) * 2020-08-31 2023-02-07 A.U. Vista, Inc. Mosaic active matrix driven light emitting diode (LED) display panel
CN112563390B (zh) * 2020-12-15 2022-02-18 南通莱士达光电科技有限公司 一种led芯片封装工艺
CN112420903B (zh) * 2021-01-22 2022-04-29 山东元旭光电股份有限公司 一种发光器件的封装结构
US11384930B1 (en) * 2021-03-05 2022-07-12 Mag Instrument, Inc Heat sink for lighting devices
JP7381903B2 (ja) * 2021-03-31 2023-11-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN113161332A (zh) * 2021-05-19 2021-07-23 京东方晶芯科技有限公司 发光基板及其制备方法、显示装置
CN114245566B (zh) * 2021-12-22 2024-10-29 维沃移动通信有限公司 基板、摄像头模组及电子设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002520823A (ja) * 1998-06-30 2002-07-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト ビーム放射および/または受信素子
US20030201451A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
WO2004084319A1 (ja) * 2003-03-18 2004-09-30 Sumitomo Electric Industries Ltd. 発光素子搭載用部材およびそれを用いた半導体装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5926132A (en) 1998-07-17 1999-07-20 Honeywell, Inc GPS satellite drift monitor
JP4077170B2 (ja) * 2000-09-21 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体発光装置
JPWO2003034508A1 (ja) * 2001-10-12 2005-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP4289027B2 (ja) * 2002-07-25 2009-07-01 豊田合成株式会社 発光装置
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
TW200414572A (en) * 2002-11-07 2004-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd LED lamp
JP4305896B2 (ja) * 2002-11-15 2009-07-29 シチズン電子株式会社 高輝度発光装置及びその製造方法
US20040188696A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Gelcore, Llc LED power package
CN100587560C (zh) * 2003-04-01 2010-02-03 夏普株式会社 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
CN100511732C (zh) * 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件
JP2005197659A (ja) * 2003-12-08 2005-07-21 Sony Corp 光学装置及び画像生成装置
JP2005197369A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
TWI240423B (en) 2004-03-12 2005-09-21 Opto Tech Corp Light emitting device with high heat dissipation efficiency
US20080043444A1 (en) * 2004-04-27 2008-02-21 Kyocera Corporation Wiring Board for Light-Emitting Element
US20060092644A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-04 Mok Thye L Small package high efficiency illuminator design
US20060124953A1 (en) 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
KR101241650B1 (ko) * 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
DE102010034322A1 (de) * 2010-08-14 2012-02-16 Litec-Lp Gmbh Oberflächenmodifizierter Silikatleuchtstoffe
CN102544303A (zh) * 2010-12-21 2012-07-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002520823A (ja) * 1998-06-30 2002-07-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト ビーム放射および/または受信素子
US20030201451A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
WO2004084319A1 (ja) * 2003-03-18 2004-09-30 Sumitomo Electric Industries Ltd. 発光素子搭載用部材およびそれを用いた半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20070085101A1 (en) 2007-04-19
US20110260197A1 (en) 2011-10-27
US8115225B2 (en) 2012-02-14
US9269879B2 (en) 2016-02-23
US20160155916A1 (en) 2016-06-02
US7592638B2 (en) 2009-09-22
US20100244080A1 (en) 2010-09-30
US8772813B2 (en) 2014-07-08
US9818922B2 (en) 2017-11-14
US20100109039A1 (en) 2010-05-06
US8431947B2 (en) 2013-04-30
US20090315060A1 (en) 2009-12-24
US20180033930A1 (en) 2018-02-01
US20190181314A1 (en) 2019-06-13
US10693050B2 (en) 2020-06-23
KR20070042710A (ko) 2007-04-24
US7960750B2 (en) 2011-06-14
US7989835B2 (en) 2011-08-02
US20130234190A1 (en) 2013-09-12
US7999278B2 (en) 2011-08-16
US10249805B2 (en) 2019-04-02
US20100109027A1 (en) 2010-05-06
US20140291719A1 (en) 2014-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101241650B1 (ko) 엘이디 패키지
KR100439402B1 (ko) 발광다이오드 패키지
US7755099B2 (en) Light emitting device package
US6835960B2 (en) Light emitting diode package structure
JP5851445B2 (ja) 発光素子、発光素子製造方法、及び照明装置
US8158996B2 (en) Semiconductor light emitting device package
KR20040092512A (ko) 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
KR101111985B1 (ko) 발광 소자 패키지
JP3128613U (ja) 発光ダイオード
KR101294488B1 (ko) 발광장치
JP3157844U (ja) 半導体素子
JP2014029947A (ja) 発光装置
JP3128615U (ja) 発光ダイオード
JP2017199783A (ja) 発光装置
KR20130043835A (ko) 발광소자 패키지, 그 제조방법 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20120104817A (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20051019

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20101019

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20051019

Comment text: Patent Application

A107 Divisional application of patent
PA0107 Divisional application

Comment text: Divisional Application of Patent

Patent event date: 20111114

Patent event code: PA01071R01D

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20111227

Patent event code: PE09021S01D

E90F Notification of reason for final refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Final Notice of Reason for Refusal

Patent event date: 20120730

Patent event code: PE09021S02D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20121228

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20130304

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20130304

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160205

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160205

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170207

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170207

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180205

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180205

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190213

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190213

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200211

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200211

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210215

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220207

Start annual number: 10

End annual number: 10

PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20231215