JP7381903B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7381903B2 JP7381903B2 JP2021060143A JP2021060143A JP7381903B2 JP 7381903 B2 JP7381903 B2 JP 7381903B2 JP 2021060143 A JP2021060143 A JP 2021060143A JP 2021060143 A JP2021060143 A JP 2021060143A JP 7381903 B2 JP7381903 B2 JP 7381903B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- resin member
- light
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/8506—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0362—Manufacture or treatment of packages of encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8516—Wavelength conversion means having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer or wavelength conversion layer with a concentration gradient
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
本実施形態に係る発光装置100を図1から図3Eを参照して説明する。参考のために、図1から図3Eには、互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印が描かれている。
支持体10は、発光素子20を載置する部材である。支持体10は、種々の形態を用いることができる。支持体10は、基材11と、第1配線12Aと、第2配線12Bと、第3配線12Cと、第4配線12Dと、第5配線12Eと、ビア15と、を備えていてもよい。
発光素子20は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体等から構成される公知の半導体素子を適用できる。発光素子としては、例えばLEDチップが挙げられる。発光素子20は、半導体積層体21を含む。半導体積層体は、n型半導体層およびp型半導体層と、これらに挟まれた発光層とを含む。発光層は、ダブルヘテロ接合または単一量子井戸(SQW)等の構造を有していてもよいし、多重量子井戸(MQW)のようにひとかたまりの活性層群をもつ構造を有していてもよい。半導体積層体は、可視光または紫外光を発光可能に構成されている。このような発光層を含む半導体積層体は、例えばInxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)を含むことができる。
透光性部材30は、発光素子20の側面203を覆い、透光性を有する部材である。透光性部材30は、発光素子20の側面203の少なくとも一部を覆っていればよい。透光性部材30は、発光素子20の側面203の全てを覆っていてもよい。発光素子20の側面203が透光性部材30に覆われることで、発光素子20を外部応力から保護することができる。透光性部材30は、被覆部材50よりも発光素子20のピーク波長に対する透過率が高い。このため、透光性部材30が発光素子20の側面203を覆うことで、透光性部材30を介して発光素子20の側面203から出射される光が発光装置100の外側に取り出されやすくなる。尚、本明細書において透光性を有するとは、発光素子のピーク波長に対する透過率が50%以上のことである。発光装置が複数の発光素子を備える場合には、少なくとも1つの発光素子のピーク波長に対する透過率が50%以上であればよい。透光性部材30は、支持体10から離れていることが好ましい。このようにすることで、発光素子20からの光が支持体10に吸収されることを抑制できる。
樹脂部材40は、発光素子20および透光性部材30の上面を覆い、透光性を有する部材である。発光素子20の上面201が樹脂部材40に覆われることで、発光素子20を外部応力から保護することができる。図2Aに示すように、樹脂部材40の下面402は、凹状である。このため、樹脂部材40の下面402が平坦な場合よりも樹脂部材40の下面402の面積を大きくすることができる。これにより、発光素子20からの光を樹脂部材40に取り出しやすくなる。図2Aに示すように、樹脂部材40の一部は発光素子20の上面201よりも下側に位置していることが好ましい。このようにすることで、樹脂部材40の下面402の面積を大きくしやすくなる。本明細書において、樹脂部材40の下面402が凹状とは、断面視において、樹脂部材40の中心の近傍から樹脂部材40の端部に近づくにつれて第3方向(Z方向)における樹脂部材40の下面402の高さが徐々に低くなることを意味する。尚、樹脂部材40の下面402は、10μm以下の凹凸を有していてもよい。本明細書において、樹脂部材の中心とは、平面視における樹脂部材の幾何学的な重心を意味する。
被覆部材50は、樹脂部材40の上面401を露出させて、樹脂部材40の側面403を覆う部材である。樹脂部材40の側面403が被覆部材50に覆われることで、樹脂部材40を外部応力から保護することができる。被覆部材50は、発光素子からの反射性を有することが好ましい。このようにすることで発光領域と非発光領域のコントラストを大きくすることができる。尚、本明細書において反射性を有するとは、発光素子のピーク波長に対する反射率が60%以上のことである。発光装置が複数の発光素子を備える場合には、少なくとも1つの発光素子のピーク波長に対する反射率が60%以上であればよい。
図3Eに示すように、発光装置100は、第3配線12C及び/又は第4配線12Dの一部を覆う絶縁膜60を備えてもよい。絶縁膜60を備えることで、第3配線12Cと第4配線12Dが短絡することを抑制できる。また、基材11から第3配線12C及び/又は第4配線12Dが剥がれることを抑制することができる。
(1)長手方向である第1方向と前記第1方向に直交する短手方向である第2方向に延びる上面を有する少なくとも1つの発光素子と、前記発光素子が載置される支持体と、を有する中間体を準備する中間体準備工程と、
(2)平面視において前記発光素子と重なる板状の中間樹脂部材であって、前記第1方向において前記発光素子の両側から延びる第1樹脂延伸部を有するように前記中間樹脂部材と前記発光素子を透光性部材により固定する中間樹脂部材固定工程と、
(3)前記第1樹脂延伸部と前記支持体の間の空間と重なり、且つ、前記第1方向における前記発光素子からの最大長さが前記第2方向における前記発光素子の最大長さよりも長い位置で、前記中間樹脂部材を前記第2方向に沿って切断して、下面が凹状に曲がる樹脂部材を形成する樹脂部材形成工程と、
(4)前記樹脂部材の上面を露出させて、前記樹脂部材の側面を覆う被覆部材を形成する被覆部材形成工程と、
を含む。
中間体準備工程について図4A、図4Bを参照して説明する。中間体準備工程で準備する中間体101は、支持体10と少なくとも1つの発光素子20とを有している。支持体10は発光装置毎に個片化された状態でもよく、図4A、図4Bに示すように、個片化前の集合された状態のものでもよい。また、本明細書では発光装置毎に個片化された支持体も、個片化前の集合された支持体も、どちらも支持体と呼ぶ。発光素子20は、長手方向である第1方向と第1方向に直交する短手方向である第2方向に延びる上面を有している。図4Aにおいて、第1方向とはX方向のことであり、第2方向とはY方向のことである。中間体101が複数の発光素子20を備える場合には、それぞれの発光素子20が長手方向である第1方向と第1方向に直交する短手方向である第2方向に延びる上面を有している。発光素子20は支持体10上に載置される。支持体10上に発光素子20を載置する工程を実施して中間体101を準備してもよく、中間体101を購入して準備してもよい。
中間樹脂部材固定工程について図5Aから図5Cを参照して説明する。上述した樹脂部材40の個片化前の状態を本明細書では中間樹脂部材40Aと呼ぶことがある。中間樹脂部材40Aは、板状の部材である。本明細書では板状とは上面と下面が平坦な面である場合だけでなく、10μm以下の凹凸を有する場合も含む。図5Aに示すように、平面視において、発光素子20と重なるように中間樹脂部材40Aを配置する。図5A、図5Bに示すように中間樹脂部材40Aは、第1方向(X方向)において発光素子20の両側から延びる第1樹脂延伸部411を有するように配置される。また、図5Aに示すように中間樹脂部材40Aは、第2方向(Y方向)において発光素子20の両側から延びる第2樹脂延伸部412を有していてもよい。中間樹脂部材40Aと発光素子20は透光性部材30により固定される。図5Bに示すように、中間体101が第1発光素子20Aと第2発光素子20Bを備える場合には、透光性部材30が、第1発光素子20A、第2発光素子20B及び中間樹脂部材40Aと接することが好ましい。このようにすることで、第1発光素子20A、第2発光素子20B及び中間樹脂部材40Aの接着強度が向上する。
樹脂部材形成工程について図6Aから図6Dを参照して説明する。第1樹脂延伸部411と支持体10の間の空間と重なり、且つ、第1方向(X方向)における発光素子20からの最大長さが第2方向における発光素子の最大長さよりも長い位置で、中間樹脂部材40Aを第2方向(Y方向)に沿って切断する。これにより、図6Aに示すように、下面が凹状に曲がる樹脂部材40を形成する。樹脂部材40は、第2方向(Y方向)に沿って切断した後の中間樹脂部材40Aである。中間樹脂部材40Aの硬さを適宜選択することにより、切断時に係る力によって下面が凹状に曲がる樹脂部材40を形成することができる。中間樹脂部材40Aは、第1方向(X方向)における発光素子20からの最大長さが第2方向における発光素子の最大長さよりも長い位置で切断されるので、第2方向における発光素子の最大長さよりも短い位置で切断される場合よりも、中間樹脂部材40Aに発生する曲げモーメントを大きくすることができる。これにより、樹脂部材40の下面を凹状に曲げやすくなる。図6Bに示すように、中間体が第1発光素子20Aと第2発光素子20Bを備える場合には、第1発光素子20Aと第2発光素子20Bの間の位置で中間樹脂部材を第2方向に沿って切断してもよい。切断する方法としては公知の方法を用いることができる。例えば、図6Aに示すようにブレード81によって切断してもよい。ブレード81は回転刃であってもよい。
被覆部材形成工程について図7A、図7Bを参照して説明する。樹脂部材40の上面を露出させて、樹脂部材40の側面を覆う被覆部材50を形成する。被覆部材50は、支持体10の上面および発光素子20の側面を覆ってもよい。被覆部材を形成する方法としては、例えば、トランスファ成形、圧縮成形、ポッティング、印刷等の公知の方法を用いることができる。
個片化工程について図8を参照して説明する。発光装置の製法方法は、被覆部材形成工程の後に、支持体及び被覆部材の一部を除去する個片化工程を含んでいてもよい。支持体及び被覆部材の一部を除去する方法としては、ブレードによる切断またはレーザー光による切断等の公知の方法を用いることができる。例えば、図8に示すようにブレード82によって切断して支持体及び被覆部材の一部を除去してもよい。切断により支持体10及び被覆部材50の一部を除去することで、支持体の切断面と被覆部材の切断面を面一にしやすくなる。これにより、発光装置を小型化しやすくなる。
20 発光素子
30 透光性部材
40 樹脂部材
50 被覆部材
60 絶縁膜
70 導電性接着部材
100、100A 発光装置
Claims (12)
- 長手方向である第1方向と前記第1方向に直交する短手方向である第2方向に延びる上面を有する少なくとも1つの発光素子と、前記発光素子が載置される支持体と、を有する中間体を準備する中間体準備工程と、
平面視において前記発光素子と重なる板状の中間樹脂部材であって、前記第1方向において前記発光素子の両側から延びる第1樹脂延伸部を有するように前記中間樹脂部材と前記発光素子を透光性部材により固定する中間樹脂部材固定工程と、
前記第1樹脂延伸部と前記支持体の間の空間と重なり、且つ、前記第1方向における前記発光素子からの最大長さが前記第2方向における前記発光素子の最大長さよりも長い位置で、前記中間樹脂部材を前記第2方向に沿って切断して、下面が凹状に曲がる樹脂部材を形成する樹脂部材形成工程と、
前記樹脂部材の上面を露出させて、前記樹脂部材の側面を覆う被覆部材を形成する被覆部材形成工程と、
を含む発光装置の製造方法。 - 前記樹脂部材形成工程において、前記透光性部材は前記樹脂部材よりも外側に位置する透光延伸部が形成される請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透光延伸部は前記発光素子の上面よりも下側に位置する請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記中間樹脂部材固定工程において、前記中間樹脂部材は、前記第2方向において前記発光素子の両側から延びる第2樹脂延伸部を有し、
前記樹脂部材形成工程において、前記中間樹脂部材を前記第2方向に沿って切断する前に、前記中間樹脂部材の第2樹脂延伸部を前記第1方向に沿って切断する工程を含む請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記樹脂部材の一部は、前記発光素子の上面よりも下側に位置する請求項1から4のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 断面視において、前記樹脂部材の端部における前記透光性部材の最大厚みは、前記第1方向における前記発光素子から前記樹脂部材の端部までの最大長さの0.01倍以上0.1倍以下である請求項1から5のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記中間体準備工程において、前記発光素子は第1発光素子と第2発光素子とを含み、
前記中間樹脂部材固定工程において、前記透光性部材は、前記第1発光素子、前記第2発光素子及び中間樹脂部材と接し、
前記樹脂部材形成工程において、前記第1発光素子と前記第2発光素子の間の位置で前記中間樹脂部材を前記第2方向に沿って切断する請求項1から6のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記被覆部材形成工程において、前記樹脂部材の上面を覆う中間被覆部材を形成した後、前記中間被覆部材の一部を除去して前記被覆部材を形成する請求項1から7のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記被覆部材形成工程の後に、前記支持体及び前記被覆部材の少なくとも一部を除去する個片化工程を含む請求項1から8のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 支持体と、
前記支持体上に載置され、長手方向である第1方向と前記第1方向に直交する短手方向である第2方向に延びる上面を有する発光素子と、
前記発光素子の側面を覆う透光性部材と、
前記発光素子および前記透光性部材の上面を覆い、下面が凹状の樹脂部材と、
前記樹脂部材の上面を露出させて、前記樹脂部材の側面を覆う被覆部材と、を有し、
前記第1方向における前記発光素子から前記樹脂部材の端部までの最大長さが前記第2方向における前記発光素子の最大長さよりも長く、
前記透光性部材は前記樹脂部材よりも外側に位置する透光延伸部を有し、
前記透光延伸部は、前記第1方向及び前記第2方向に直交する第3方向において前記被覆部材に挟まれる発光装置。 - 前記透光延伸部は前記発光素子の上面よりも下側に位置する請求項10に記載の発光装置。
- 断面視において、前記発光素子と前記透光延伸部とを結ぶ直線上に前記被覆部材が位置する請求項10又は請求項11に記載の発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021060143A JP7381903B2 (ja) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 発光装置 |
US17/709,250 US12183862B2 (en) | 2021-03-31 | 2022-03-30 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021060143A JP7381903B2 (ja) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022156442A JP2022156442A (ja) | 2022-10-14 |
JP7381903B2 true JP7381903B2 (ja) | 2023-11-16 |
Family
ID=83449195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021060143A Active JP7381903B2 (ja) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12183862B2 (ja) |
JP (1) | JP7381903B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105845809A (zh) | 2015-02-04 | 2016-08-10 | 亿光电子工业股份有限公司 | Led封装结构及其制造方法 |
JP2019029478A (ja) | 2017-07-28 | 2019-02-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US20190165226A1 (en) | 2016-05-02 | 2019-05-30 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor element package |
JP2019212931A (ja) | 2019-09-20 | 2019-12-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2020184557A (ja) | 2019-04-26 | 2020-11-12 | シャープ株式会社 | Led光源基板及び照明装置 |
Family Cites Families (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101241650B1 (ko) * | 2005-10-19 | 2013-03-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 엘이디 패키지 |
US7800125B2 (en) * | 2008-07-09 | 2010-09-21 | Himax Display, Inc. | Light-emitting diode package |
US7928458B2 (en) * | 2008-07-15 | 2011-04-19 | Visera Technologies Company Limited | Light-emitting diode device and method for fabricating the same |
JP5482378B2 (ja) * | 2009-04-20 | 2014-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5390472B2 (ja) | 2010-06-03 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2012028501A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 発光装置 |
KR101761637B1 (ko) * | 2010-11-24 | 2017-07-27 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법 |
KR20120082192A (ko) * | 2011-01-13 | 2012-07-23 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 패키지 |
US8497519B2 (en) * | 2011-05-24 | 2013-07-30 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Batwing LED with remote phosphor configuration |
JP5777952B2 (ja) | 2011-06-28 | 2015-09-09 | シチズン電子株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
CN103650183B (zh) * | 2011-06-30 | 2017-02-22 | 松下知识产权经营株式会社 | 发光装置 |
US8575645B2 (en) * | 2011-11-22 | 2013-11-05 | GEM Weltronics TWN Corporation | Thin multi-layer LED array engine |
SG11201403240UA (en) * | 2011-12-22 | 2014-07-30 | Heptagon Micro Optics Pte Ltd | Opto-electronic modules, in particular flash modules, and method for manufacturing the same |
JP5839686B2 (ja) * | 2012-01-27 | 2016-01-06 | 株式会社エンプラス | 光束制御部材および発光装置 |
JP2013197309A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 発光装置 |
US9034672B2 (en) * | 2012-06-19 | 2015-05-19 | Epistar Corporation | Method for manufacturing light-emitting devices |
JP6102273B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US9673358B2 (en) * | 2013-02-28 | 2017-06-06 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting module |
JP6131664B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-05-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
TWI527274B (zh) * | 2013-04-29 | 2016-03-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體封裝結構 |
JP6258619B2 (ja) * | 2013-07-18 | 2018-01-10 | シチズン電子株式会社 | 照明装置 |
TW201519476A (zh) * | 2013-11-08 | 2015-05-16 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體封裝 |
JP6244906B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-12-13 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
JP6338409B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-06-06 | アルパッド株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2015179777A (ja) * | 2014-03-19 | 2015-10-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
CN104134743A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-11-05 | 京东方光科技有限公司 | Led封装结构及封装方法、显示装置、照明装置 |
JP6299494B2 (ja) | 2014-07-09 | 2018-03-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6515716B2 (ja) * | 2014-07-18 | 2019-05-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
KR102277127B1 (ko) * | 2014-10-17 | 2021-07-15 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 |
JP2016119402A (ja) | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
KR102408719B1 (ko) * | 2015-02-02 | 2022-06-15 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 렌즈 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
KR102346798B1 (ko) * | 2015-02-13 | 2022-01-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 |
JP6217705B2 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2017034218A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
US10355183B2 (en) * | 2015-09-18 | 2019-07-16 | Rohm Co., Ltd. | LED package |
US9806242B2 (en) * | 2015-09-23 | 2017-10-31 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Optical lens for light emitting diode device |
CN106601898A (zh) * | 2015-10-19 | 2017-04-26 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
CN109155258B (zh) * | 2016-04-08 | 2022-04-26 | 赫普塔冈微光有限公司 | 具有孔径的薄光电模块及其制造 |
JP2017228657A (ja) | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 日東電工株式会社 | 蛍光体層付光半導体素子 |
JP2018006472A (ja) | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 日東電工株式会社 | 反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法 |
JP6848245B2 (ja) * | 2016-07-27 | 2021-03-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6493348B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2019-04-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7011143B2 (ja) | 2016-11-30 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US10627568B2 (en) * | 2016-12-13 | 2020-04-21 | Minebea Mitsumi Inc. | Planar illumination device and method of manufacturing planar illumination device |
US10559723B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-02-11 | Rohm Co., Ltd. | Optical device |
JP6729537B2 (ja) * | 2017-11-20 | 2020-07-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
KR20190074200A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈 |
US10804442B2 (en) * | 2018-01-29 | 2020-10-13 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP6777105B2 (ja) * | 2018-01-31 | 2020-10-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
KR102520554B1 (ko) * | 2018-07-30 | 2023-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치 |
JP7208478B2 (ja) | 2018-09-28 | 2023-01-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6852726B2 (ja) * | 2018-12-17 | 2021-03-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置と発光装置の製造方法 |
WO2020130936A1 (en) * | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. | Optoelectronic module with an optical emitter and an optical receiver |
US11164999B2 (en) * | 2019-03-05 | 2021-11-02 | Bridgelux, Inc. | White light emitting device and diffusing layer |
KR102761460B1 (ko) * | 2019-07-05 | 2025-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11561338B2 (en) * | 2019-09-30 | 2023-01-24 | Nichia Corporation | Light-emitting module |
DE102019134904A1 (de) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zum betreiben eines optoelektronischen halbleiterbauelements |
CN211237579U (zh) * | 2019-12-25 | 2020-08-11 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种led背光模组和显示装置 |
US11688837B2 (en) * | 2020-04-07 | 2023-06-27 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device |
-
2021
- 2021-03-31 JP JP2021060143A patent/JP7381903B2/ja active Active
-
2022
- 2022-03-30 US US17/709,250 patent/US12183862B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105845809A (zh) | 2015-02-04 | 2016-08-10 | 亿光电子工业股份有限公司 | Led封装结构及其制造方法 |
JP2016146480A (ja) | 2015-02-04 | 2016-08-12 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Everlight Electronics Co.,Ltd. | Ledパッケージング構造及びその製造方法 |
US20190165226A1 (en) | 2016-05-02 | 2019-05-30 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor element package |
JP2019029478A (ja) | 2017-07-28 | 2019-02-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2020184557A (ja) | 2019-04-26 | 2020-11-12 | シャープ株式会社 | Led光源基板及び照明装置 |
JP2019212931A (ja) | 2019-09-20 | 2019-12-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022156442A (ja) | 2022-10-14 |
US20220320388A1 (en) | 2022-10-06 |
US12183862B2 (en) | 2024-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI766841B (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
US10825968B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting device | |
CN108417685B (zh) | 发光装置 | |
JP5689225B2 (ja) | 発光装置 | |
CN109698189B (zh) | 发光模块及集成型发光模块 | |
JP4956977B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6387954B2 (ja) | 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法 | |
KR20070098635A (ko) | 발광 장치 | |
CN108417686B (zh) | 发光装置 | |
KR20190038424A (ko) | 발광 장치 | |
JP6432639B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2015099940A (ja) | 発光装置 | |
JP2018078327A (ja) | 発光装置 | |
JP2014195046A (ja) | 発光装置及びそれを備える照明装置 | |
JP7381903B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2013239712A (ja) | 発光装置 | |
JP2023059326A (ja) | 発光モジュールおよび面状光源 | |
JP7389363B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7011196B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7545085B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7626947B2 (ja) | 発光モジュール | |
TW201941458A (zh) | 發光裝置 | |
JP5205773B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2025064416A (ja) | 発光装置 | |
JP2022036185A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220407 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231016 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7381903 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |