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KR100439402B1 - 발광다이오드 패키지 - Google Patents

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KR100439402B1
KR100439402B1 KR10-2001-0083876A KR20010083876A KR100439402B1 KR 100439402 B1 KR100439402 B1 KR 100439402B1 KR 20010083876 A KR20010083876 A KR 20010083876A KR 100439402 B1 KR100439402 B1 KR 100439402B1
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light emitting
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led
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Abstract

본 발명은, LED 소자의 실장영역이 형성된 상면을 가지며, 그 실장영역을 중심으로 소정의 도전성 패턴이 형성된 제1 세라믹기판과, 상기 제1 세라믹기판 상면의 실장영역에 배치되어 상기 소정의 도전성 패턴과 연결된 적어도 하나의 LED 소자와, 상기 제1 세라믹기판 상에 배치되며, 상기 LED 소자의 실장영역에 상응하는 영역에 캐비티가 형성된 제2 세라믹기판과, 상기 적어도 하나의 LED 소자를 둘러싸도록 상기 제2 세라믹기판의 캐비티 내에 형성된 금속반사판을 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명의 LED 패키지에 따르면, 휘도 및 휘도각분포의 조절이 용이할 뿐만 아니라, 열전도성이 우수한 금속반사판을 열싱크로 활용함으로서 열방출효과를 극대화시킬 수 있다.

Description

발광다이오드 패키지{LIGHT EMISSION DIODE PACKAGE}
본 발명은 금속 반사판을 구비한 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 휘도 및 휘도 각분포의 조절이 용이할 뿐만 아니라 방열성을 향상시킬 수 있는 금속반사판을 구비한 발광다이오드에 관한 것이다.
발광다아오드(light emission diode, 이하, LED라 함)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.
일반적으로, LED소자의 특성을 결정하는 기준으로는 색(color) 및 휘도, 휘도 세기의 범위 등이 있다. 이러한 LED소자의 특성은 1차적으로는 LED소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되지만, 2차적인 요소로 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다. 고휘도와 사용자 요구에 따른 휘도 각분포를 얻기 위해서는 재료개발 등에 의한 1차적인 요소만으로는 한계가 있어 패키지 구조 등에 많은 관심을 갖게 되었다.
특히, LED 패키지 구조에 의한 2차적인 요인은 휘도와 휘도 각분포에 큰 영향을 미친다.
예를 들어, 도1a 및 1b를 참조하여 전형적인 램프형 LED와 표면실장형 LED의 각 패키지구조를 비교해 보면, 도1a에 도시된 램프형 LED패키지(10)인 경우에는 두 개의 리드프레임(3a,3b) 중 하나의 리드프레임(3b) 상부는 컵형상으로 일정한 각을갖는 금속전극면이 구비하여 그 상부에 LED소자(5)가 실장되며, 또한, 투명 몰딩 수지류로 이루어진 반구형 케이스(7)에 의해 패키징되는 구조를 갖는다. 반면에 도1b에 도시된 표면실장형 LED패키지(20)는 몰딩 에폭시 수지로 이루어진 패키지(11)를 가지며, 외형각이 적은 실장영역에 LED소자(15)가 배치되고 와이어(13)로 전극(미도시)과 연결되는 구조로 이루어진다.
이와 같은 패키지 구조에 의해서, 램프형 LED 패키지(10)는 반구형의 케이스(7)가 렌즈역할을 하여 휘도 각분포를 조절할 수 있으며, 특히, 휘도 분포를 좁게 조절하여 일정각에서 휘도를 높힐 수 있고, 동시에 발광원으로부터 빛이 컵형인 금속 전극판에 의해 반사되어 휘도의 세기를 증대시킬 수 있다. 이에 비해, 표면실장형 LED패키지(20)에서는 패키지에 의해 넓은 휘도의 분포를 가지며, 그 휘도도 낮다. 이와 같이, 휘도와 휘도분포는 패키지 구조에 의해 큰 영향을 받는다. 따라서, 몰딩 수지류를 이용하는 표면실장형 LED 패키지의 경우에, 실장영역 측면에 일정한 반사각 구조로 형성하여 금속을 도금하는 방식으로 반사체를 추가하는 식에 개발이 진행되고 있다.
하지만, 최근에 각광받는 세라믹기판을 사용하는 LED 패키지는 몰딩수지류에 의한 패키지와 같은 휘도 및 휘도분포 조정이 거의 불가능하다. 즉, 세라믹기판은 재질의 특성상 수지 몰딩과 같은 사출성형공정이 아닌, 펀칭, 적층, 절단공정 등에 의해 LED 실장영역이 형성할 수 밖에 없으므로, 그 실장영역의 측면을 일정한 반사각을 갖도록 형성하는 것이 어렵다.
도2는 세라믹기판으로 형성된 종래 LED패키지의 단면도이다. 도2를 참조하면, 상기 LED 패키지구조(30)는 각각 복수개의 세라믹 시트가 적층된 구조를 갖는 두 개의 세라믹기판(21,22)으로 구성된다. 하부에 배치된 세라믹기판(21)은 상면에 LED소자(25)의 실장영역을 가지며, 상기 LED소자(25)에 와이어(27)로 연결된 전극(23)은 그 실장영역에서부터 양측면을 통해 하면까지 연장된다. 상부에 배치된 세라믹기판(22)은 상기 LED소자(25)의 실장영역을 둘러싸도록 소정의 캐비티가 형성되어 있다.
여기서, LED 소자의 실장영역을 위한 캐비티는 펀칭이나 절단공정으로 형성되므로 도시된 바와 같이 절개면이 항상 수직으로 형성된다. 이러한 특성으로 인해, 수지몰딩류로 형성된 패키지와 달리, 절개면이 수직면이므로, 도금층 형성이 곤란하며, 추가적인 수지류로 절개면에 경사면을 형성한 후에 도금층을 형성하더라도 그 경사면의 굴곡이 쉽게 발생되어, 양질의 반사막을 형성하는 것은 불가능하다는 문제가 있다.
결국, 세라믹기판을 이용한 패키지의 경우에는, LED소자의 실장부의 넓이와 그 측벽을 이루는 기판높이의 조정을 통한 조절만이 가능할 뿐이다. 따라서, 사용자의 다양한 요구에 맞는 휘도와 휘도각분포를 갖는 LED소자를 제조하는데 어려움이 있어 왔다. 그렇지만, 이러한 세라믹기판은 열전도성과 방열성이 우수하여 LED에서 발산되는 열로 인한 디바이스의 성능열화나 수지의 열응력 등의 문제를 해결할 수 있는 효과적인 해결책이므로, 당 기술분야에서는, 이러한 열전도성과 방열성이 우수한 세라믹기판을 패키지용 기판으로 사용하면서도, 제조공정상 필연적인 수직구조로 인한 휘도 및 휘도 각분포 조절의 곤란함을 극복할 수 있는 발광 다이오드 패키지가 강하게 요구되어 왔다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해서 안출된 것으로, 그 목적은 세라믹기판을 이용한 내부실장공간을 마련할 때에 발생되는 LED소자 주위의 수직절개면에 박편의 금속반사판을 부착시킴으로써 휘도 및 휘도 각분포의 조절이 용이할 뿐만 아니라 방열성을 향상시킬 수 있는 발광다이오드 패키지를 제공하는데 있다.
도1a 및 1b는 종래의 LED 패키지 구조의 개략도.
도2는 종래의 세라믹기판을 이용한 LED 패키지 구조의 단면도.
도3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 금속반사판과 이를 구비한 LED 패키지의 사시도.
도4는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 LED 패키지의 단면도.
도5는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 금속반사판과 이를 구비한 LED패키지의 사시도.
도6는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 LED 패키지의 단면도.
도7은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 LED 패키지의 단면도.
도8은 본 발명의 제5 실시형태에 따른 LED 패키지의 개략사시도.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
101: 제1 세라믹기판 102: 제2 세라믹기판
103: 전극 105: LED 소자
107: 와이어 120: 금속반사판
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, LED 소자의 실장영역이 형성된 상면을 가지며, 그 실장영역을 중심으로 소정의 도전성 패턴이 형성된 제1 세라믹기판과, 상기 제1 세라믹기판 상면의 실장영역에 배치되어 상기 소정의 도전성 패턴과 연결된 적어도 하나의 LED 소자와, 상기 제1 세라믹기판 상에 배치되며, 상기 LED 소자의 실장영역에 상응하는 영역에 캐비티가 형성된 제2 세라믹기판과, 상기 적어도 하나의 LED 소자를 둘러싸도록 상기 제2 세라믹기판의 캐비티 내에 형성된 금속반사판을 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서는, 상기 금속반사판은 그 상단직경이 적어도 그 하단직경보다 큰 원통형상으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 금속반사판은 그 상단직경과 하단직경의 차이에 의해 형성되는 측면 경사각을 변경함으로써 상기 LED소자의 휘도 각분포를 조절하는 역할을 할 수있으며, 상기 LED 소자를 둘러싼 면적을 변경함으로써 그 LED 소자의 휘도를 조절할 수도 있다. 나아가, 상기 금속반사판은 반사도가 다른 금속으로 이루어진 금속반사판을 선택함으로써 상기 LED소자의 휘도를 조절할 수도 있다. 이와 같이, 본 발명에 따르면, 세라믹기판을 이용한 LED패키지에서도 사용자 요구에 따른 다양한 휘도와 휘도각분포를 갖는 제품을 구현할 수 있다..
또한, 본 발명의 일실시형태에서는, 상기 금속반사판을 상기 캐비티영역를 둘러싸는 상기 제2 세라믹기판의 상단부에 부착시킬 수 있다. 따라서, 부착부위를 통해 패키지의 외부로의 열방출을 원활히 할 수 있다. 이러한 열방출을 효과적으로 수행하기 위해서, 금속반사판을 상기 제2 세라믹기판의 상단에 부착시키는 수단으로 높은 열전도성을 갖는 실리콘계 본딩재를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에서 채택된 열방출 수단으로서 기능을 강화하기 위해서, 상기 LED소자를 밀봉하는 투명 몰딩재로 이루어진 절연부를 상기 금속반사판에 연결되도록 하여, LED 소자의 방출열을 열전도성이 우수한 금속반사판으로 전달시킬 수 있다. 일반적으로 상기 절연부는 에폭시 수지 또는 실리콘계 수지로 이루어질 수 있으나, 열전도성이 우수한 다른 수지류도 채용할 수 있다.
보다 바람직하게는, 상기 금속반사판은 원활한 열방출이 가능하도록 상기 제2 세라믹기판의 상면까지 연장된 부분을 형성하여 그 연장된 부분으로 효과적인 열방출을 기대할 수도 있다.
나아가, 본 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 제2 세라믹기판의 캐비티 상부를 덮는 반구형 렌즈를 더 포함하여, 반구형 렌즈의 곡률분포로 휘도 각분포를 조절할 수 있다. 이 때, 상기 반구형 렌즈는 폴리머 재질로 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명은 다양한 형태의 패키지구조에 적용이 가능하다. 일 실시형태에서는, 상기 제1 세라믹기판은 상하면을 관통하는 하나의 방열구멍을 갖는 하부 세라믹기판과 상기 하부기판 상에 배치되어 상기 방열구멍을 덮는 상부 세라믹세트로 구성하고, 상기 LED실장영역과 상기 소정의 도전성패턴은 상기 상부 세라믹시트의 상면에 형성되는 구조에도 적용할 수 있다. 이러한 실시형태에서는, 상기 하부 세라믹기판에 형성된 방열구멍의 내측에는 금속 페이스트가 충진된다,
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시형태를 상세히 설명하기로 한다.
도3은 본 발명의 일실시형태에 따른 금속반사판과 이를 채용한 LED 패키지를 나타내는 사시도이다. 도3을 참조하면, LED 패키지의 실장영역에 삽입되기 전 금속반사판(120)과 LED 패키지가 각각 도시되어 있다.
상기 금속반사판(120)은 높은 반사도를 갖는 박편의 금속재질로 구성되며, 도시된 바와 같이, 원통상으로 이루어진다. 상기 금속반사판(120)의 형상은 상부직경(R)이 하부직경(r)보다 크게 구성하는 것이 바람직하다. 금속반사판(120)을 원통형상으로 구성하여 실장영역에 삽입하는 것만으로도 일정한 휘도 증폭은 기대된다하지만, 상부직경(R)보다 작은 하부직경(r)을 갖도록 하여 그 차이(R-r)를 조절함으로써 상향되는 발광의 휘도각분포와 그에 따라 휘도세기를 증가시키는 것이 보다 바람직하다.
이러한 금속반사판(120)은 구리박편 등을 이용하여 압출 또는 성형방법으로 용이하게 제조될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 반사도가 우수하고 성형이 유리한 박편의 금속이면 다른 금속도 충분히 채용가능하다.
금속반사판 형성공정시에, 바람직하게는, 도시된 바와 같이, 금속반사판(120)의 상부에 걸림턱부분(120a)을 포함한다. 상기 걸림턱(120a)은 원주방향으로 일체형으로 형성된 예로 도시되어 있으나, 상단의 특정영역에 소정의 수로 다양하게 구성될 수도 있다. 상기 걸림턱(120a)을 갖는 금속반사판(120)은 LED 패키지의 내부실장공간에 배치할 경우에 세라믹기판(102) 상단에 그 걸림턱(120a)을 걸쳐 안정적으로 부착될 수 있도록 할 수 있다. 이때, 열방출효과를 위해 실리콘 본딩재를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 대해서는 아래에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
도3에 도시된 바와 같이, 완성된 금속반사판를 LED 패키지의 내부실장에 용이하게 삽입시킬 수 있다. LED 패키지를 살펴보면, 세라믹기판을 이용한 LED 패키지는 상면에 LED소자(105)의 실장영역 및 상기 소자(105)에 와이어(107)로 연결된 전극(105)을 갖는 제1 세라믹기판(101)과 그 상부에 배치되어 실장영역과 대응하는 위치에 캐비티가 형성된 제2 세라믹기판(102)으로 형성된다. 이러한세라믹기판(101,102)은 알루미나 또는 SiC로 이루어질 수 있다. 세라믹기판을 사용한 패키지에서는 재질의 특성상 필연적인 제2 세라믹기판(102)의 캐비티로 형성된 수직인 절개면을 삽입된 금속반사판(120)이 덮혀진다. 따라서, LED소자에서 발광되는 빛은 그 주위를 둘러싼 금속재질의 반사판(120)을 통해 증폭시킬 수 있다. 이러한 금속반사판 제조시에 형성된 경사각을 달리하여 원하는 휘도 각분포를 얻을 수 있다. 한편, 금속반사판(120) 상에 그 반사도를 증대시키기 위해 Sn, SnPb 또는 Ag등의 도금층을 추가적으로 형성할 수도 있다.
나아가, 본 발명에서 채용되는 금속반사판은 휘도 및 휘도각분포의 조절뿐만 아니라, 열방출을 위한 열싱크(thermal sink)의 역할도 수행한다. 이를 설명하기 위해서, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 LED 패키지가 도4에 도시되어 있다.
도4a를 참조하면, LED 패키지의 단면구조를 볼 수 있다. 도3의 LED 패키지와 유사하게, 제1 세라믹기판(151)과 그상부에 배치된 제2 세라믹기판(152)을 이루어진 2개의 세라믹기판을 포함한다. 상기 제1 세라믹기판(151)의 상면에는 LED실장영역이 마련되며, 그 주위에는 도전성패턴으로 전극(153)이 형성되고 소정의 와이어(157)를 통해 LED소자(155)와 연결되어 구동전류를 공급한다. 이러한 전극(153)은 도시된 바와 같이 측면을 걸쳐 하부영역까지 연장되어 하부단자로 구성할 수도 있다. 이러한 전극(153)을 형성하는 도전성 패턴은 Ag/Ni/Au층으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제2 세라믹기판(152)에는 실장영역에 해당하는 위치에 캐비티를 형성하고 있다. 이러한 두 세라믹기판이 적층되어 LED 소자의 실장을 위한 내부공간을 마련된다. 특히, 본 실시형태에서 채용된 패키지구조와 같이, 열방출효과를 위해 제1 세라믹기판(151)의 LED실장영역에 관통홀로 이루어진 열방출구(H1)도 구비할 수 있다. 이와 같이 열방출구을 채용한 경우, 열방출구(H1)의 상면을 덮어 LED소자의 실장영역을 마련하기 위해서 상기 제1 세라믹기판(151)은 실장영역을 제공하는 상부 세라믹시트(151b)와 열방출구(H1)가 형성된 하부 세라믹기판(151a)으로 구성된다.
도4b에 도시된 패키지의 평면도를 참조하면, 금속반사판(170)은 LED소자(155)를 둘러싸도록 제2 세라믹기판(152)의 캐비티에 의해 형성된 내부실장공간에 배치된다. 본 실시형태에서 채용되는 금속반사판(170)의 특징은 제2 세라믹기판 상면에 걸쳐진 걸림턱(170a)은 접촉된 제2 세라믹기판(152)의 상단(A로 표시됨)에 열전도성이 우수한 실리콘계 본딩재로 부착한다는 것이다. 또한, 그 걸림턱(170a)은 도시된 바와 같이 가능한 큰 길이(ℓ)로 제2 세라믹기판(152) 상면을 따라 연장시켜 형성한다. 이러한 연장된 걸림턱(170a)을 통해 LED소자(155)로부터 흡수된 금속반사판(170)의 열은 외부공간으로 보다 효과적으로 방출될 수 있다.
한편, 세라믹패키지의 내부실장공간에는 금속반사판(170)으로 열전달을 효과적으로 수행하기 위해서 절연성 수지를 충진시켜 금속반사판(170)과 연결된 절연부(159)를 형성한다. 이러한 절연부(159)는 투명한 에폭시 수지 또는 실리콘계 수지로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 열전도성이 우수하고 투명한절연성 재질이면 채용이 가능하다.
상기 설명한 바와 같이, 도4에 예시된 금속반사판(170)은 LED소자(155)의 열을 절연부(159)를 통해 직접 전달받아, 제2 세라믹기판(152)의 상면에 연장된 그 걸림턱(170a)을 통해 외부로 효과적인 열방출을 수행하는 수단으로 활용될 수 있다.
도5는 도4와 다른 형태의 금속반사판(190)을 채용한 LED 패키지가 도시되어 있다. 도4는 연장된 걸림턱의 외형이 원형인데 반해, 도5에 제시된 실시형태의 경우에는, 금속반사판(190)의 걸림턱(190a) 외형이 패키지본체(180) 외형과 거의 일치하는 사각형을 이룬다. 상기 금속반사판(190)은 도3 또는 도4에 도시된 금속반사판보다 외부로 노출된 걸림턱(190a)의 면적이 크므로, 열방출효과에 보다 유리하다. 이와 같이, 걸림턱의 형상은 패키지본체 외형과 열방출효과를 고려하여 다양한 형태로 변형이 가능하며, 이러한 변형 또한 본 발명의 범위에 해당하는 것은 자명하다.
나아가, 본 발명의 금속반사판(170)은 내부실장공간의 측면이 수직면인 다양한 패키지구조에 적용될 수 있다. 도5는 다른 세라믹기판을 이용한 패키지구조의 단면도이다.
도6을 참조하면, 도4와 다른 제1 세라믹기판 구조를 갖는다. 즉, 제2 세라믹기판(202)은 도4와 동일한 방식으로 캐비티가 형성되는데 반해, 제1 세라믹기판(201)은 상/하부 세라믹기판(201a,201b)으로 구성되고, 그 하부세라믹기판(201a)은 비교적 넓은 방열구를 포함하며, 그 상부 세라믹기판(201b)은 제2 세라믹기판(202)의 캐비티에 의한 내부실장공간 내에 배치되는 크기로 방열구(H2)만 덮는 구조로 형성되어 LED소자(205)의 실장면을 제공한다. 이러한 구조에서도 마찬가지로, 상부직경이 하부직경보다 큰 원통형 금속반사판(220)을 제2 세라믹기판(202)의 상단에 걸쳐 그 내부실장공간 내에 배치시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서 제안된 패키지구조는 세라믹기판을 사용하여 내부실장공간을 형성하는 패키지라면, 쉽게 채용될 수 있다.
도7은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 LED 패키지가 도시되어 있다. 도6을 참조하면, 본 실시형태의 LED 패키지(250)는 도4에 설명된 패키지와 유사한 구조를 가지며, 금속반사판(270)이 배치된 내부실장공간의 상면에 반구형 렌즈(280)를 구비하고 있다. 상기 반구형 렌즈(280)는 도1a에서 설명된 램프형 LED 패키지의 반구형 케이스를 응용한 형태이다. 상기 반구형 렌즈(280)는 투명의 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 이러한 반구형 렌즈(280)는 그 표면의 곡률분포를 달리함으로써 LED소자로부터 발산되는 빛의 각도를 조절하는 추가적인 수단으로 활용될 수 있다.
또한, 본 발명은 실장되는 LED소자를 복수개로 구현한 형태에도 용이하게 적용할 수 있다. 도8은 이러한 실시형태에 따른 패키지의 사시도이다.
도8에 도시된 LED 패키지는 4개의 LED소자가 실장된 패키지(310)이다. 각각의 LED소자(305a,305b,305c,305d)에 따른 전극(303)과 와이어가 함께 구현되어 있다. 이러한 구조에서도 상기 복수개의 LED소자(305a,305b,305c,305d)를 둘러싸도록 내부실장공간의 금속전극판(320)을 부착하여 용이하게 본 발명을 구현할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 명백할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 LED패키지에 따르면, 세라믹기판을 이용한 패키지의 내부실장공간을 마련할 때에 발생되는 LED소자 주위의 수직절개면에 박편의 금속반사판을 부착시킴으로써 휘도 및 휘도각분포을 자유롭게 조절할 수 있으며, 금속반사판을 열싱크로서 활용하여 열방출효과를 증대시킬 수 있다.

Claims (21)

  1. LED 소자의 실장영역이 형성된 상면을 가지며, 그 실장영역을 중심으로 소정의 도전성 패턴이 형성된 제1 세라믹기판;
    상기 제1 세라믹기판 상면의 실장영역에 배치되어 상기 소정의 도전성 패턴과 연결된 적어도 하나의 LED 소자;
    상기 제1 세라믹기판 상에 배치되며, 상기 LED 소자의 실장영역에 상응하는 영역에 캐비티가 형성된 제2 세라믹기판; 및
    상기 적어도 하나의 LED 소자를 둘러싸도록 상기 제2 세라믹기판의 캐비티 내에 형성되고, 그 상단에 상기 제2 세라믹기판 상단에 걸칠 수 있는 걸림턱이 형성된 금속반사판을 포함하는 발광다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속반사판은 그 상단직경이 적어도 그 하단직경보다 큰 원통형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 금속반사판은 그 상단직경과 하단직경의 차이에 의해 형성되는 측면 경사각을 변경함으로써 상기 LED소자의 휘도 각분포를 조절하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금속반사판은 상기 LED 소자를 둘러싼 면적을 변경함으로써 그 LED 소자의 휘도를 조절하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금속반사판은 반사도가 다른 금속으로 이루어진 금속반사판을 선택함으로써 상기 LED소자의 휘도를 조절하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 금속반사판의 내부면에는 도금층이 추가적으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 도금층은 Sn, SnPb 또는 Ag로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 금속반사판은 상기 캐비티영역를 둘러싸는 상기 제2 세라믹기판의 상단부에 부착된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 금속반사판을 상기 제2 세라믹기판의 상단에 부착시키는 수단은 높은 열전도성을 갖는 실리콘계 본딩재인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 LED소자를 밀봉하는 투명 몰딩재로 이루어진 절연부를 더 포함하며,
    상기 절연부는 상기 금속반사판에 연결되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 절연부는 에폭시 수지 또는 실리콘계 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  12. 삭제
  13. 제12항에 있어서
    상기 걸림턱은 상기 금속반사판의 상단의 원주방향을 따라 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지,
  14. 제12항에 있어서
    상기 걸림턱은 원활한 열방출이 가능하도록 상기 제2 세라믹기판의 상면까지 연장되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제1 세라믹기판은 상하면을 관통하는 하나의 방열구멍을 갖는 하부 세라믹기판과 상기 하부기판 상에 배치되어 상기 방열구멍을 덮는 상부 세라믹세트로 이루어지며,
    상기 LED실장영역과 상기 소정의 도전성패턴은 상기 상부 세라믹시트의 상면에 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 하부 세라믹기판에 형성된 방열구멍의 내측에는 금속 페이스트가 충진된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  17. 제1항 또는 제15항에 있어서,
    상기 세라믹기판 및/또는 세라믹시트는 알루미나 또는 SiC로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 패턴은 상기 제1 세라믹 기판의 측면까지 연장되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 패턴은 Ag/Ni/Au층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 제2 세라믹기판의 캐비티 상부를 덮는 반구형 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 반구형 렌즈는 폴리머 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100927077B1 (ko) * 2006-09-22 2009-11-13 가부시끼가이샤 도시바 광 반도체 장치 및 광 반도체 장치의 제조 방법

Families Citing this family (242)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003309292A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオードのメタルコア基板及びその製造方法
TW546799B (en) * 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
WO2004034529A1 (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Sanyo Electric Co., Ltd. 発光素子
TW560697U (en) * 2002-11-26 2003-11-01 Topson Technology Co Ltd Surface-mounting type light-emitting diode structure
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
US6897486B2 (en) * 2002-12-06 2005-05-24 Ban P. Loh LED package die having a small footprint
JPWO2004055427A1 (ja) * 2002-12-13 2006-04-20 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及びその製法並びに線状光源
USD520965S1 (en) * 2003-01-10 2006-05-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode for illuminating an object
USD505396S1 (en) * 2003-03-03 2005-05-24 Nichia Corporation Light emitting diode
USD517025S1 (en) * 2003-03-17 2006-03-14 Nichia Corporation Light emitting diode
DE602004027890D1 (de) * 2003-03-18 2010-08-12 Sumitomo Electric Industries Gehäuse für lichtemittierendes element und verwendendes halbleiterbauteil
JP4203374B2 (ja) * 2003-08-06 2008-12-24 豊田合成株式会社 発光装置
US6788541B1 (en) * 2003-05-07 2004-09-07 Bear Hsiung LED matrix moldule
US6911731B2 (en) * 2003-05-14 2005-06-28 Jiahn-Chang Wu Solderless connection in LED module
WO2004102685A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-25 Nano Packaging Technology, Inc. Light emitting device, package structure thereof and manufacturing method thereof
USD514073S1 (en) * 2003-07-09 2006-01-31 Nichai Corporation Light emitting diode
USD505661S1 (en) * 2003-07-09 2005-05-31 Nichia Corporation Light emitting diode
TWD100417S1 (zh) * 2003-07-09 2004-09-21 松下電器產業股份有限公司 受光積體電路組件
TWD100418S1 (zh) * 2003-07-09 2004-09-21 松下電器產業股份有限公司 受光積體電路組件
EP1659642A4 (en) 2003-08-26 2011-07-06 Sumitomo Electric Industries SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION ELEMENT INSTALLER, LIGHT DIODE CONSTITUATION MEMBER THEREFOR AND LIGHT DIODE THEREWITH
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
USD505397S1 (en) * 2003-09-15 2005-05-24 Nichia Corporation Light emitting diode
USD503930S1 (en) * 2003-09-15 2005-04-12 Nichia Corporation Light emitting diode
USD510912S1 (en) * 2003-09-15 2005-10-25 Nichia Corporation Light emitting diode
CN100369278C (zh) * 2003-09-19 2008-02-13 松下电器产业株式会社 半导体发光装置
US20080025030A9 (en) * 2003-09-23 2008-01-31 Lee Kong W Ceramic packaging for high brightness LED devices
US7854535B2 (en) * 2003-09-23 2010-12-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Ceramic packaging for high brightness LED devices
US6942360B2 (en) 2003-10-01 2005-09-13 Enertron, Inc. Methods and apparatus for an LED light engine
JP2005183531A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置
JP2005191111A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
DE10361650A1 (de) * 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1714327A1 (en) * 2004-01-12 2006-10-25 Asetronics AG Arrangement with a light emitting device on a substrate
KR100583159B1 (ko) * 2004-02-16 2006-05-23 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
DE102004014207A1 (de) 2004-03-23 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper
US20050225222A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Joseph Mazzochette Light emitting diode arrays with improved light extraction
KR20050099386A (ko) * 2004-04-09 2005-10-13 서울반도체 주식회사 광 지향각이 향상된 발광 다이오드 렌즈 및 이를 구비하는발광 다이오드
JP2005310935A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
WO2005109529A1 (en) * 2004-05-07 2005-11-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting-diode chip package and a collimator
KR100613065B1 (ko) * 2004-05-21 2006-08-16 서울반도체 주식회사 고열전도성 반사체를 이용한 발광 다이오드 패키지 및 그제조방법
US7280288B2 (en) 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
US7456499B2 (en) * 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
TWD113473S1 (zh) * 2004-06-24 2006-10-21 西鐵城電子股份有限公司 發光二極體
USD512029S1 (en) * 2004-06-28 2005-11-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light-emitting diode
USD512694S1 (en) * 2004-06-30 2005-12-13 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light-emitting diode
KR101080097B1 (ko) 2004-08-16 2011-11-07 서울반도체 주식회사 세라믹 본체를 채택하는 발광 다이오드 패키지
USD524260S1 (en) * 2004-08-20 2006-07-04 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
KR100604469B1 (ko) * 2004-08-25 2006-07-25 박병재 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법
DE102004045950A1 (de) * 2004-09-22 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US20060097385A1 (en) 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US7670872B2 (en) * 2004-10-29 2010-03-02 LED Engin, Inc. (Cayman) Method of manufacturing ceramic LED packages
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US7772609B2 (en) * 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
US7473933B2 (en) * 2004-10-29 2009-01-06 Ledengin, Inc. (Cayman) High power LED package with universal bonding pads and interconnect arrangement
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
JP4358092B2 (ja) * 2004-11-26 2009-11-04 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光装置およびその製造方法
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
USD521951S1 (en) * 2004-12-27 2006-05-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light-emitting diode
USD522468S1 (en) * 2004-12-27 2006-06-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light-emitting diode
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
JP2008531218A (ja) 2005-03-01 2008-08-14 マシモ・ラボラトリーズ・インコーポレーテッド 非侵襲的マルチパラメータ患者モニタ
US8076680B2 (en) * 2005-03-11 2011-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
US20080296589A1 (en) * 2005-03-24 2008-12-04 Ingo Speier Solid-State Lighting Device Package
KR100593935B1 (ko) * 2005-03-24 2006-06-30 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
CA2614803C (en) * 2005-04-05 2015-08-25 Tir Technology Lp Electronic device package with an integrated evaporator
JP4744178B2 (ja) * 2005-04-08 2011-08-10 シャープ株式会社 発光ダイオード
KR100827327B1 (ko) * 2005-05-12 2008-05-06 (주) 아모센스 전자부품 패키지
KR100616680B1 (ko) * 2005-05-13 2006-08-28 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR100706958B1 (ko) * 2005-05-26 2007-04-11 삼성전기주식회사 발광소자용 반사기와 그 반사기를 사용한 발광소자 모듈 및그 제조방법
KR100665182B1 (ko) * 2005-06-03 2007-01-09 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
KR100689985B1 (ko) * 2005-07-19 2007-03-08 박교양 Led칩 하우징과 이 led칩 하우징의 반사면 가공방법
KR100675217B1 (ko) * 2005-08-11 2007-01-29 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지의 제조방법
KR100621154B1 (ko) * 2005-08-26 2006-09-07 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 제조방법
KR100714602B1 (ko) * 2005-09-29 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
KR100682325B1 (ko) 2005-09-30 2007-02-15 주식회사 우영 백라이트 유닛의 방열 코팅제, 방열 코팅층 형성방법, 방열코팅층을 구비한 백라이트 유닛
KR100654682B1 (ko) * 2005-10-04 2006-12-08 (주) 아모센스 엘이디 패키지에서의 세라믹과 금속의 접합방법
USD551180S1 (en) * 2005-11-08 2007-09-18 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light-emitting diode
USD559803S1 (en) * 2005-11-08 2008-01-15 Lg Innotek Co., Ltd Light-emitting diode (LED)
KR100769718B1 (ko) * 2005-11-29 2007-10-24 삼성전기주식회사 발광소자용 반사부재 및 이를 사용한 발광다이오드 패키지
KR100730076B1 (ko) * 2005-11-29 2007-06-20 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
TWD127499S1 (zh) * 2005-12-21 2009-02-21 伊諾特有限公司 發光二極體之封裝殼
DE102005061204A1 (de) * 2005-12-21 2007-07-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Beleuchtungsvorrichtung, Beleuchtungssteuergerät und Beleuchtungssystem
KR101144489B1 (ko) * 2005-12-23 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
KR101283182B1 (ko) 2006-01-26 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
US20070181897A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Been-Yu Liaw High heat dissipating package baseplate for a high brightness LED
TW200737430A (en) * 2006-03-17 2007-10-01 Elit Fine Ceramics Co Ltd Method for forming light emitting diode reflector, structure thereof, and light emitting diode mounting device using reflector
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
TWD127765S1 (zh) * 2006-04-05 2009-03-11 首爾半導體股份有限公司 發光二極體(led)
TWD117963S1 (zh) * 2006-04-05 2007-07-01 首爾半導體股份有限公司 發光二極體(led)
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
KR100796670B1 (ko) * 2006-04-27 2008-01-22 (주)루멘스 발광다이오드 및 그 제조방법
KR100755086B1 (ko) * 2006-05-03 2007-09-03 삼화콘덴서공업주식회사 발광다이오드 패키지
US8033692B2 (en) * 2006-05-23 2011-10-11 Cree, Inc. Lighting device
EP2034528A1 (en) * 2006-06-15 2009-03-11 Sanyo Electric Co., Ltd. Electronic component
US7906794B2 (en) 2006-07-05 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package with frame and optically transmissive element
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
JP4937845B2 (ja) * 2006-08-03 2012-05-23 日立マクセル株式会社 照明装置および表示装置
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
KR100851194B1 (ko) * 2006-08-24 2008-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법, 백 라이트 장치
USD575750S1 (en) * 2006-09-12 2008-08-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting diode (LED)
TW200816508A (en) * 2006-09-18 2008-04-01 Univ Nat Central Fabrication methods of patterned sapphire substrate and light emitting diode
USD580375S1 (en) * 2006-10-12 2008-11-11 Semi-Photonics Co., Ltd. Lead frame for a two-pin light emitting diode device
USD582360S1 (en) * 2006-10-12 2008-12-09 Semi-Photonics Co., Ltd. Lead frame for a through-hole light emitting diode device
USD613702S1 (en) * 2006-10-12 2010-04-13 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Two-pin lead frame for a LED device
USD580376S1 (en) * 2006-10-12 2008-11-11 Semi-Photonics Co., Ltd. Lead frame for a four-pin light-emitting diode device
US8265723B1 (en) 2006-10-12 2012-09-11 Cercacor Laboratories, Inc. Oximeter probe off indicator defining probe off space
JP2010508652A (ja) * 2006-10-31 2010-03-18 ティーアイアール テクノロジー エルピー 照明デバイスパッケージ
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
EP1923922A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-21 Lemnis Lighting IP GmbH Improved led lighting assembly
TW200824142A (en) * 2006-11-22 2008-06-01 Lighthouse Technology Co Ltd High power diode holder and thereof package is described
JP2008186802A (ja) * 2007-01-04 2008-08-14 Toshiba Corp バックライト装置、液晶表示装置
USD566059S1 (en) * 2007-01-05 2008-04-08 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8604506B2 (en) * 2007-02-22 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same
US8421088B2 (en) * 2007-02-22 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode
USD574336S1 (en) * 2007-03-02 2008-08-05 Nichia Corporation Light emitting diode
TWI378580B (en) * 2007-03-07 2012-12-01 Everlight Electronics Co Ltd Socket led device
EP2139383B1 (en) * 2007-03-27 2013-02-13 Masimo Laboratories, Inc. Multiple wavelength optical sensor
KR100901618B1 (ko) 2007-04-19 2009-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 제조방법
US8374665B2 (en) 2007-04-21 2013-02-12 Cercacor Laboratories, Inc. Tissue profile wellness monitor
US7967476B2 (en) * 2007-07-04 2011-06-28 Nichia Corporation Light emitting device including protective glass film
US20090008662A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Ian Ashdown Lighting device package
TWM327545U (en) * 2007-07-09 2008-02-21 Everlight Electronics Co Ltd Improved light-emitting diode packaging structure
US7621752B2 (en) * 2007-07-17 2009-11-24 Visteon Global Technologies, Inc. LED interconnection integrated connector holder package
USD585850S1 (en) * 2007-07-20 2009-02-03 Lg Innotek Co., Ltd Light-emitting diode (LED)
TWD130319S1 (zh) * 2007-08-20 2009-08-11 艾堤電子公司 發光二極體
USD584247S1 (en) * 2007-09-03 2009-01-06 Alti-Electronics, Co., Ltd. Light emitting diode
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US7670021B2 (en) 2007-09-27 2010-03-02 Enertron, Inc. Method and apparatus for thermally effective trim for light fixture
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8946987B2 (en) 2007-11-07 2015-02-03 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and fabricating method thereof
TWI401820B (zh) * 2007-11-07 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 發光元件及其製作方法
US7524087B1 (en) * 2007-11-16 2009-04-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device
KR100966744B1 (ko) * 2007-12-14 2010-06-29 유니썸테크놀로지 주식회사 세라믹 패키지 및 이의 제조 방법
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD592160S1 (en) * 2008-02-14 2009-05-12 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode (LED)
US7855398B2 (en) * 2008-02-28 2010-12-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Ceramic light emitting device package
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
TWM353308U (en) * 2008-06-09 2009-03-21 qiu-shuang Ke LED illumination device
US20100059783A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Harry Chandra Light Emitting Chip Package With Metal Leads For Enhanced Heat Dissipation
US9252336B2 (en) * 2008-09-26 2016-02-02 Bridgelux, Inc. Multi-cup LED assembly
USD603813S1 (en) * 2008-10-01 2009-11-10 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting diode module
US7871842B2 (en) * 2008-10-03 2011-01-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Production process for surface-mounting ceramic LED package, surface-mounting ceramic LED package produced by said production process, and mold for producing said package
US8075165B2 (en) 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
CN101728469B (zh) * 2008-10-27 2012-03-28 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管及其晶粒
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
US7841747B2 (en) * 2008-12-11 2010-11-30 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
JP2010212508A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Sony Corp 発光素子実装用パッケージ、発光装置、バックライトおよび液晶表示装置
US8384097B2 (en) 2009-04-08 2013-02-26 Ledengin, Inc. Package for multiple light emitting diodes
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
US8220143B2 (en) * 2009-05-22 2012-07-17 Kuang Hong Precision Co., Ltd Method for a plastic lead frame with reflective and conductive layer
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
JP5612355B2 (ja) * 2009-07-15 2014-10-22 株式会社Ｋａｎｚａｃｃ メッキ構造及び電気材料の製造方法
US8598809B2 (en) * 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
KR100965120B1 (ko) * 2009-09-29 2010-06-23 주식회사 드림 고신뢰성의 ｌｅｄ 패키지용 리드프레임
US8101962B2 (en) * 2009-10-06 2012-01-24 Kuang Hong Precision Co., Ltd. Carrying structure of semiconductor
USD661262S1 (en) 2009-10-26 2012-06-05 Nichia Corporation Light emitting diode
US9839381B1 (en) 2009-11-24 2017-12-12 Cercacor Laboratories, Inc. Physiological measurement system with automatic wavelength adjustment
US8801613B2 (en) 2009-12-04 2014-08-12 Masimo Corporation Calibration for multi-stage physiological monitors
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
US8511851B2 (en) 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
US9468070B2 (en) 2010-02-16 2016-10-11 Cree Inc. Color control of light emitting devices and applications thereof
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US9080729B2 (en) * 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US8354745B2 (en) 2010-04-20 2013-01-15 Intellectual Discovery Co., Ltd. Electronic assembly
US9373606B2 (en) * 2010-08-30 2016-06-21 Bridgelux, Inc. Light-emitting device array with individual cells
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
CN102110762B (zh) * 2010-11-26 2012-12-19 陕西科技大学 一种集散热板与电极于一体的散热器件及其制备方法
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
US8314566B2 (en) 2011-02-22 2012-11-20 Quarkstar Llc Solid state lamp using light emitting strips
KR20120108437A (ko) 2011-03-24 2012-10-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
JP2012238830A (ja) * 2011-05-09 2012-12-06 Lumirich Co Ltd 発光ダイオード素子
TWI408838B (zh) * 2011-05-09 2013-09-11 Univ Chang Gung 具靜電放電保護能力之光電半導體封裝結構
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
US8816512B2 (en) * 2011-07-28 2014-08-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device module
CN103000794B (zh) * 2011-09-14 2015-06-10 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
KR101348097B1 (ko) 2012-09-04 2014-01-08 주식회사 루멘스 발광소자 패키지
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
USD674361S1 (en) * 2012-03-30 2013-01-15 Silitek Electronic (Guangzhou) Co., Ltd. LED package
USD711840S1 (en) 2012-06-11 2014-08-26 Cree, Inc. LED package
USD725613S1 (en) 2012-06-15 2015-03-31 Cree, Inc. LED package
USD718258S1 (en) 2012-09-02 2014-11-25 Cree, Inc. LED package
JP2014082453A (ja) * 2012-09-25 2014-05-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
KR20140039740A (ko) * 2012-09-25 2014-04-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
DE102013207111B4 (de) * 2013-04-19 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement
USD735683S1 (en) 2013-05-03 2015-08-04 Cree, Inc. LED package
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
USD718725S1 (en) 2013-08-01 2014-12-02 Cree, Inc. LED package with encapsulant
JP2015032740A (ja) * 2013-08-05 2015-02-16 豊田合成株式会社 発光装置
USD758976S1 (en) 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
CN104362132B (zh) * 2014-09-28 2015-10-28 四川广义微电子股份有限公司 芯片封装件
USD790486S1 (en) 2014-09-30 2017-06-27 Cree, Inc. LED package with truncated encapsulant
JP6256700B2 (ja) * 2014-11-11 2018-01-10 豊田合成株式会社 発光装置
EP3224874B1 (en) 2014-11-26 2019-04-24 LedEngin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
USD777122S1 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
USD783547S1 (en) 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package
TWI568031B (zh) * 2015-06-29 2017-01-21 光寶光電（常州）有限公司 發光二極體封裝結構及晶片承載座
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
KR101885511B1 (ko) * 2017-04-28 2018-08-06 엑센도 주식회사 광소자 어셈블리 장치
CN107369741A (zh) * 2017-07-13 2017-11-21 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 带一体式金属围坝的led支架模组及其制备方法
KR101987627B1 (ko) * 2017-08-21 2019-09-30 주식회사 옵티맥 발광 패키지
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
WO2020045604A1 (ja) * 2018-08-31 2020-03-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体素子搭載用パッケージ及び半導体装置
US11444227B2 (en) 2019-10-01 2022-09-13 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd Light emitting diode package with substrate configuration having enhanced structural integrity
WO2021108463A1 (en) * 2019-11-25 2021-06-03 Electronic Theatre Controls, Inc. Light module aperture for printed circuit board integration
US11444225B2 (en) 2020-09-08 2022-09-13 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd Light emitting diode package having a protective coating
US11329206B2 (en) 2020-09-28 2022-05-10 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd Lead frame and housing sub-assembly for use in a light emitting diode package and method for manufacturing the same
CN112992811B (zh) * 2021-02-22 2022-11-08 同辉电子科技股份有限公司 一种多层透明导电、增透薄膜led芯片

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57114293A (en) * 1981-01-06 1982-07-16 Sanyo Electric Co Ltd Manufacture of light emitting diode substrate
JPS60257184A (ja) * 1984-06-01 1985-12-18 Hamamatsu Photonics Kk 反射形光センサ
JPH0945965A (ja) * 1995-07-26 1997-02-14 Nichia Chem Ind Ltd セラミックスｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JPH10215001A (ja) * 1997-01-31 1998-08-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
KR19990002703U (ko) * 1997-06-28 1999-01-25 이택렬 발광다이오드(light emitting diode)

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4013915A (en) * 1975-10-23 1977-03-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Light emitting device mounting arrangement
JPS60262476A (ja) * 1984-06-08 1985-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
US4826271A (en) * 1984-08-31 1989-05-02 Canon Kabushiki Kaisha Rotational polygon mirror and method of manufacturing the same
US4935665A (en) * 1987-12-24 1990-06-19 Mitsubishi Cable Industries Ltd. Light emitting diode lamp
JPH0343750U (ko) * 1989-09-04 1991-04-24
JPH0584861A (ja) * 1991-09-30 1993-04-06 Japan Gore Tex Inc シリコーン樹脂を使用した複合材料
DE4242842C2 (de) * 1992-02-14 1999-11-04 Sharp Kk Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung
US5226723A (en) * 1992-05-11 1993-07-13 Chen Der Jong Light emitting diode display
US5534718A (en) * 1993-04-12 1996-07-09 Hsi-Huang Lin LED package structure of LED display
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
DE19861398B4 (de) * 1997-10-03 2010-12-09 Rohm Co. Ltd., Kyoto Licht abstrahlende Halbleitervorrichtung
US6548832B1 (en) * 1999-06-09 2003-04-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
DE19947044B9 (de) * 1999-09-30 2007-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement mit Reflektor und Verfahren zur Herstellung desselben
US6429464B1 (en) * 2001-02-16 2002-08-06 Para Light Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
US6984934B2 (en) * 2001-07-10 2006-01-10 The Trustees Of Princeton University Micro-lens arrays for display intensity enhancement
US6483161B1 (en) * 2001-08-14 2002-11-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Submount with filter layers for mounting a bottom-incidence type photodiode
US6501103B1 (en) * 2001-10-23 2002-12-31 Lite-On Electronics, Inc. Light emitting diode assembly with low thermal resistance

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57114293A (en) * 1981-01-06 1982-07-16 Sanyo Electric Co Ltd Manufacture of light emitting diode substrate
JPS60257184A (ja) * 1984-06-01 1985-12-18 Hamamatsu Photonics Kk 反射形光センサ
JPH0945965A (ja) * 1995-07-26 1997-02-14 Nichia Chem Ind Ltd セラミックスｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JPH10215001A (ja) * 1997-01-31 1998-08-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
KR19990002703U (ko) * 1997-06-28 1999-01-25 이택렬 발광다이오드(light emitting diode)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100927077B1 (ko) * 2006-09-22 2009-11-13 가부시끼가이샤 도시바 광 반도체 장치 및 광 반도체 장치의 제조 방법
US7683394B2 (en) 2006-09-22 2010-03-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

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