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CN1892394A - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种简化了工艺的液晶显示器件及其制造方法。在制造该液晶显示器件的方法中，通过第一掩模工艺在基板上形成第一导电图案组，该第一导电图案组包括多层导电层形式的选通线和栅极、公共线和公共电极、像素电极和焊盘，该多层导电层具有阶梯形状并包括透明导电层。通过第二掩模工艺在第一掩模图案组上形成包括多个接触孔的绝缘膜和半导体层。在半导体层上形成包括数据线、源极和漏极的第二图案组，并对半导体层进行构图，并且通过第三掩模工艺在源极和漏极之间暴露出有源层。

Description

液晶显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示器件，更具体地，涉及一种适于简化工艺的水平电场施加型液晶显示器件及其制造方法。
背景技术
通常，液晶显示器件(LCD)利用电场来控制穿过具有介电各向异性的液晶的透光率，由此显示图像。为此，LCD包括具有液晶单元矩阵的液晶显示板和用于驱动该液晶显示板以显示图像的驱动电路。
参照图1，现有技术的液晶显示板包括彼此接合且其间具有液晶24的滤色器基板10和薄膜晶体管基板20。
滤色器基板10包括依次设置在上玻璃基板2上的黑底4、滤色器6和公共电极8。黑底4以矩阵形式设置在上玻璃基板2上。黑底4将上玻璃基板2的区域分割成多个要设置滤色器6的单元区域，并防止相邻单元之间的光干扰和外部光反射。滤色器6设置在被黑底4分割出的单元区域中，以提供红(R)、绿(G)和蓝(B)单元区域，由此透射红、绿和蓝光。公共电极8由完全形成在滤色器6上的透明导电层形成，并提供在驱动液晶24时用作基准电压的公共电压Vcom。此外，可以在滤色器6和公共电极8之间设置用于使滤色器6平滑的覆盖层(未示出)。
薄膜晶体管基板20对于由下玻璃基板12上的选通线14和数据线16之间的交叉而限定的各个单元区域包括薄膜晶体管18和像素电极22。响应于来自选通线14的选通信号，薄膜晶体管18将来自数据线16的数据信号施加给像素电极22。由透明导电层构成的像素电极22提供来自薄膜晶体管18的数据信号，以驱动液晶24。
具有介电各向异性的液晶24根据由来自像素电极22的数据信号和来自公共电极8的公共电压Vcom形成的电场而旋转，从而控制透光率，由此实现灰度级。
此外，液晶显示板包括：配向膜，用于对液晶进行初始配向；以及间隔体(未示出)，用于在滤色器基板10和薄膜晶体管基板20之间恒定地保持一单元间隙。
在这种液晶显示板中，滤色器基板10和薄膜晶体管基板20是通过多道掩模工艺形成的。这里，一道掩模工艺包括多个工艺，例如薄膜淀积(涂覆)、清洗、光刻、蚀刻、光刻胶剥离以及检查工艺等。
特别地，由于薄膜晶体管基板包括半导体工艺并需要多道掩模工艺，所以其制造工艺复杂，造成了液晶显示板的高制造成本。因此，从五道掩模工艺(标准掩模工艺)向掩模工艺数量减少方向进行的研究和开发正在继续进行。
根据驱动液晶的电场的方向，液晶显示器件大致分为垂直电场施加型和水平电场施加型。
垂直电场施加型的液晶显示器件利用形成在像素电极和公共电极之间的垂直电场对扭曲向列(TN)型液晶进行驱动，其中所述像素电极和公共电极彼此相对地设置在上基板和下基板上。垂直电场施加型的液晶显示器件具有大孔径比的优点，同时存在大约90度的窄视角的缺点。
水平电场施加型的液晶显示器件利用像素电极和公共电极之间的水平电场以面内切换(IPS)模式对液晶进行驱动，其中所述像素电极和公共电极彼此平行地设置在下基板上。水平电场施加型的液晶显示器件具有大约160度的宽视角的优点。
水平电场施加型的液晶显示器件中的薄膜晶体管基板也需要多道掩模工艺，这就存在制造工艺复杂的缺点。因此，为了降低制造成本，必须减少掩模工艺的数量。
发明内容
因此，本发明旨在一种液晶显示器件及其制造方法，其基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而造成的一个或更多个问题。
因此，本发明的优点是提供了一种适于简化工艺的水平电场施加型的液晶显示器件及其制造方法。
本发明的其他特征和优点将在以下说明中阐述，并将部分地通过以下说明而明了，或者可以通过实践本发明而习得。本发明的这些目的和其他优点可以通过说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现本发明的这些和其他优点，根据本发明一个方面的液晶显示器件包括：数据线，其与基板上的选通线交叉，以限定像素区；选通线和数据线之间的绝缘膜；与选通线和数据线相连的薄膜晶体管；与像素区中的薄膜晶体管相连的像素电极；与像素电极平行地设置在像素区中的公共电极；与公共电极相连的公共线；与选通线、数据线和公共线中的至少一个相连的焊盘；以及第一图案组，其包括选通线、薄膜晶体管的栅极、像素电极、公共电极、公共线，而焊盘包括阶梯形状的多层导电层，该多层导电层包括透明导电层。
在该液晶显示器件中，第一图案组具有多层结构，该多层结构具有在透明导电层上的基本不透明的导电层。
在该液晶显示器件中，透明导电层被形成为沿着基本不透明的导电层的外侧基本上恒定地暴露。
在该液晶显示器件中，焊盘被形成为通过接触孔暴露出透明导电层。
该液晶显示器件还包括存储电容器，该存储电容器是通过像素连接线提供的，该像素连接线从薄膜晶体管的漏极延伸，并与公共线的一部分交叠且其间具有绝缘膜。
该液晶显示器件还包括存储电容器，其被设置成使得与像素电极相连的上存储电极与选通线的一部分交叠且其间具有绝缘膜。
在该液晶显示器件中，像素连接线经由贯穿绝缘膜的第一接触孔连接到像素电极，上存储电极经由贯穿绝缘膜的第二接触孔连接到像素电极。
该液晶显示器件还包括与漏极和上存储电极交叠的半导体图案。
在该液晶显示器件中，半导体图形不存在于接触孔中。
在该液晶显示器件中，在薄膜晶体管的源极和漏极之间暴露出的沟道的表面被氧化。
在该液晶显示器件中，数据线经由贯穿绝缘膜的接触孔连接到焊盘。
在该液晶显示器件中，薄膜晶体管包括用于形成沟道的半导体图案，该半导体图案与数据线交叠。
根据本发明另一方面的液晶显示器件包括用于充分施加电场的一对电极；其中这些电极具有上部和比上部宽的下部。
根据本发明实施例的制造液晶显示器件的方法包括：第一掩模工艺，在基板上形成第一导电图案组，该第一导电图案组包括多层导电层形式的选通线和栅极、公共线和公共电极、像素电极和焊盘，该多层导电层包括透明导电层，其中第一导电图案组具有阶梯形状；第二掩模工艺，在第一掩模图案组上形成包括多个接触孔的绝缘膜和半导体层；以及第三掩模工艺，在半导体层上形成第二图案组，该第二图案组包括数据线、源极和漏极，以及从漏极延伸的像素连接线，对半导体层进行构图，并在源极和漏极之间暴露出有源层。
第一掩模工艺，在基板上形成第一图案组，该第一图案组包括多层导电层形式的选通线和栅极、公共线和公共电极、像素电极和焊盘，所述多层导电层具有阶梯形状并包括透明导电层；第二掩模工艺，在第一掩模图案组上形成包括多个接触孔的绝缘膜和半导体层；以及第三掩模工艺，在半导体层上形成第二图案组，该第二图案组包括数据线、源极和漏极，并对半导体层进行构图，以及在源极和漏极之间暴露出有源层。
在该方法中，第一图案组具有多层结构，该多层结构具有透明导电层和不透明导电层。
在该方法中，透明导电层被形成为沿着基本不透明的导电层的外侧基本上恒定地暴露。
在该方法中，第一掩模工艺包括：在基板上形成透明导电层和基本不透明导电层；在基本不透明导电层上形成光刻胶图案；以及使用光刻胶图案作为掩模，对透明导电层和基本不透明导电层进行构图。
在该方法中，第一掩模工艺还包括：对光刻胶图案进行灰化；以及对通过经灰化的光刻胶图案而暴露出的不透明导电层进行蚀刻。
在该方法中，焊盘通过接触孔而暴露出透明导电层。
在该方法中，第三掩模工艺包括：在半导体层上形成导电层；在导电层上形成不同厚度的光刻胶图案；通过使用光刻胶图案作为掩模对导电层进行构图，形成数据线、源极和漏极；使用光刻胶图案作为掩模对半导体层进行构图；以及暴露出半导体层的有源层。
在该方法中，第三掩模工艺还包括通过等离子体表面工艺对暴露出的有源层的表面进行氧化的步骤。
在该方法中，等离子体表面工艺是在存在光刻胶图案的条件下执行的。
该方法还包括形成存储电容器，该存储电容器是通过使像素连接线与公共线的一部分交叠且其间具有绝缘膜而提供的。
在该方法中，第三掩模工艺还包括与第二图案组一同形成上存储电极，该上存储电极与像素电极相连，并与选通线的一部分交叠且其间具有绝缘膜。
在该方法中，漏极和上存储电极经由贯穿绝缘膜的接触孔连接到像素电极。
在该方法中，半导体层沿着漏极和上存储电极进行交叠，并被形成为不存在于接触孔内。
在该方法中，数据线经由贯穿绝缘膜的接触孔连接到焊盘。
在该方法中，半导体层沿着数据线进行交叠，并被形成为不存在于接触孔内。
在该方法中，第三掩模工艺还包括通过接触孔暴露出焊盘的透明导电层。
在该方法中，第三掩模工艺使用半色调掩模和衍射曝光掩模中的一种。
应该理解的是，前面的一般性说明和下面的详细说明都是示例性和说明性的，旨在为所要求保护的本发明提供进一步的说明。
附图说明
所包括的附图提供本发明的进一步理解，并结合在其中而构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例并与文字说明一起用于解释本发明的原理。
附图中：
图1是表示现有技术液晶显示板的结构的示意性立体图；
图2是表示根据本发明实施例的液晶显示器件的薄膜晶体管基板的一部分的平面图；
图3是沿着图2中的线I-I’、II-II’、III-III’、IV-IV’截取的薄膜晶体管基板的剖面图；
图4A和4B是用于说明根据本发明实施例的制造薄膜晶体管基板的方法中的第一掩模工艺的平面图和剖面图；
图5A至图5C是用于具体说明根据本发明实施例的第一掩模工艺的剖面图；
图6A和6B是用于说明根据本发明实施例的制造薄膜晶体管基板的方法中的第二掩模工艺的平面图和剖面图；
图7A和7B是用于说明根据本发明实施例的制造薄膜晶体管基板的方法中的第三掩模工艺的平面图和剖面图；而
图8A至图8D是用于具体说明根据本发明实施例的第三掩模工艺的剖面图。
具体实施方式
下面详细说明本发明的实施例，附图中示出了其示例。
下面将参照图2至图8D来说明本发明的实施例。
图2是表示根据本发明实施例的水平电场施加型的液晶显示器件的薄膜晶体管基板的一部分的平面图。图3是沿着图2中的线I-I’、II-II’、III-III’、IV-IV’截取的薄膜晶体管基板的剖面图。
参照图2和图3，水平电场施加型的薄膜晶体管(TFT)基板包括设置在下基板150上的选通线102和数据线104，选通线102和数据线104彼此交叉，其间具有栅极绝缘膜152，以限定像素区。该TFT基板还包括：与选通线102、数据线104和像素电极118相连的薄膜晶体管TFT，像素电极118和公共电极122在所述像素区中形成水平电场；与公共电极122相连的公共线120；以及与像素电极118相连的存储电容器Cst。此外，该薄膜晶体管基板还包括与选通线102相连的选通焊盘124、与数据线104相连的数据焊盘132，以及与公共线120相连的公共焊盘(未示出)。
选通线102提供来自选通驱动器(未示出)的扫描信号，而数据线104提供来自数据驱动器(未示出)的视频信号。选通线102和数据线104彼此交叉，其间具有栅极绝缘膜152，以限定各个像素区。
薄膜晶体管TFT使得可以响应于施加给选通线102的扫描信号而将施加给数据线104的视频信号充电到像素电极118中并保持。为此，该薄膜晶体管TFT包括：与选通线102相连的栅极108；与数据线104相连的源极110；被设置为与源极110相对以连接到像素电极118的漏极112；有源层114，与栅极108交叠且其间具有栅极绝缘膜154，以在源极110和漏极112之间限定沟道；以及欧姆接触层116，用于和有源层114、源极110以及漏极112进行欧姆接触。
包括有源层114和欧姆接触层116的半导体图案115也与数据线104和上存储电极130交叠。
公共线120经由公共电极122向各个像素提供用于驱动液晶的基准电压，即，公共电压。像素区内的多个公共电极122与像素电极118基本平行地从公共线120延伸。例如，如图2所示，公共电极122和像素电极118可以与数据线104一起以Z字形的方式形成。另外，公共电极122和像素电极118也可以与数据线104一起以线性方式或条纹方式以及多种结构形成。公共电极122和像素电极118可以以为Z字形的方式形成，数据线104可以以线性方式或条纹方式形成。
多个像素电极118与像素区中的多个公共电极122基本平行地形成，并经由第一接触孔126连接到漏极112。如果经由薄膜晶体管向像素电极118施加了视频信号，则在像素电极118和提供有公共电压的公共电极122之间形成水平电场。薄膜晶体管阵列基板和滤色器阵列基板之间沿水平方向排列的液晶分子由于介电各向异性而响应于这种水平电场产生旋转。穿过像素区的光的透射量根据液晶分子的旋转程度而有所不同，由此实现灰度级。
存储电容器Cst包括与像素电极118并联连接的第二存储电容器Cst2和第一存储电容器Cst1。第一存储电容器Cst1是通过从薄膜晶体管TFT的漏极112延伸的像素连接线118a提供的，所述像素连接线118a与公共线120的一部分交叠，且其间具有栅极绝缘膜154和半导体图案115。从像素连接线118a延伸的一部分与像素电极118交叠，并经由贯穿栅极绝缘膜154的第一接触孔126连接到像素电极118。第二存储电容器Cst2被设置为使得前级选通线102与上存储电极130交叠，且其间具有栅极绝缘膜154和半导体图案115。与前级选通线102交叠的上存储电极130延伸，以与像素电极118交叠，并经由贯穿栅极绝缘膜154的第二接触孔134连接到像素电极118。因此，通过这种第一和第二存储电容器Cst1和Cst2的多重连接，增大了存储电容器Cst的电容值，从而存储电容器Cst使得被充入在像素电极118中的视频信号可以稳定地保持，直到充入下一信号为止。
选通线102、栅极108、公共线120、公共电极122和像素电极118以多层结构方式形成在基板150上，所述多层结构具有至少一个双导电层，该双导电层包括透明导电层。例如，如图3所示，选通线102、栅极108、公共线120、公共电极122和像素电极118具有双层结构，该双层结构具有采用透明导电层的第一导电层101和由基本不透明金属形成的第二导电层103。在这种情况下，第一导电层101和第二导电层103被设置成阶梯形状，使得第一透明导电层101的表面沿着第二不透明导电层103的边缘充分暴露。因此，从公共电极122和像素电极118暴露出的第一导电层101增大了透光率，从而可以提高亮度。另外，公共电极122和像素电极118的第二导电层103防止光泄漏并降低黑色亮度，从而可以提高对比度。
选通线102经由选通焊盘124连接到选通驱动器(未示出)。选通焊盘124从选通线102延伸并具有多层结构，该多层结构具有至少第一导电层101和第二导电层103。另外，选通焊盘124具有下述结构：第一透明导电层101通过贯穿栅极绝缘膜154和第二导电层103的第三接触孔128而暴露。
数据线104经由数据焊盘132连接到数据驱动器(未示出)。类似于选通焊盘124，数据焊盘132具有多层结构，该多层结构具有至少第一导电层101和第二导电层103。另外，数据焊盘132具有下述结构：第一透明导电层101通过贯穿栅极绝缘膜154和第二导电层103的第四接触孔136而暴露。另外，数据焊盘132经由贯穿栅极绝缘膜154的第五接触孔138连接到数据线104。
公共焊盘(未示出)从公共电压源(未示出)向公共线120提供公共电压，并具有与选通焊盘124相同的结构。
本发明的薄膜晶体管上没形成保护膜。但是，通过与薄膜晶体管TFT和上存储电极130一起形成在其上的配向膜(未示出)来保护数据线104。具体地，源极110和漏极112之间暴露出的有源层114由通过等离子体表面工艺被氧化为SiO2的表面层来保护，从而可以在不需要保护膜的情况下保持沟道的可靠性。
如上所述，根据本发明实施例的没有保护膜的水平电场施加型的薄膜晶体管基板是通过以下三道掩模工艺形成的。
图4A和4B分别是用于说明根据本发明实施例的制造水平电场施加型的薄膜晶体管基板的方法中的第一掩模工艺的平面图和剖面图，图5A至图5C是用于具体说明根据本发明实施例的第一掩模工艺的剖面图。
通过第一掩模工艺在下基板150上形成第一图案组，该第一图案组包括选通线102、栅极108、公共线120、公共电极122、像素电极118、选通焊盘124和数据焊盘132。第一图案组具有包括至少第一导电层101和第二导电层103的多层结构。这里，第一透明导电层101的表面沿着第二不透明导电层103的边缘基本上恒定地暴露。
参照图5A，通过诸如溅射等的淀积技术在下基板150上设置第一导电层101和第二导电层103，并通过光刻工艺在第二导电层103上形成光刻胶图案160。使用光刻胶图案160作为掩模，通过蚀刻工艺对第一导电层101和第二导电层103进行构图，由此提供第一图案组，该第一图案组包括选通线102、栅极108、公共线120、公共电极122、像素电极118、选通焊盘124和数据焊盘132的多层结构。第一导电层101由透明导电材料形成，例如ITO、TO、IZO或ITZO等。另一方面，第二导电层103采用由金属材料形成的单层或者诸如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金或Al合金等材料的双层。
参照图5B，通过灰化工艺对光刻胶图案160进行灰化，由此减小光刻胶图案160的厚度和宽度。而且，对通过作为掩模的经灰化的光刻胶图案160而暴露出的第二导电层103再次进行蚀刻，由此使第一导电层101和第二导电层103具有恒定的阶梯覆盖(step coverage)，从而使第一导电层101沿着第二导电层103的边缘暴露。第二导电层103通过调整灰化工艺而形成在第一导电层101的内表面上，从而可以在不降低亮度的情况下提高对比度。换言之，第一导电层101可以提高亮度，而第二导电层103可以减小黑色亮度。可以不进行灰化工艺，或者可以省略灰化工艺。
参照图5C，通过剥离工艺去除图5B中留在第一掩模图案组的第二导电层103上的光刻胶图案160。
图6A和6B是用于说明根据本发明实施例的制造薄膜晶体管基板的方法中的第二掩模工艺的平面图和剖面图。
通过第二掩模工艺在设置有第一图案组的下基板150上形成包括多个接触孔126、134、128、136和138的栅极绝缘膜154以及半导体层105、107。
具体地说，通过诸如PECVD等的淀积技术，在设置有第一掩模图案组的下基板150上依次设置栅极绝缘膜154、非晶硅层105和掺杂有n+或p+杂质的非晶硅层107。这里，栅极绝缘膜154由无机绝缘材料形成，例如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。接着，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成贯穿栅极绝缘膜154的第一到第五接触孔126、134、128、136和138。第一接触孔126和第二接触孔134暴露出像素电极118，第三接触孔128暴露出选通焊盘124，第四接触孔136和第五接触孔138暴露出数据焊盘132。
图7A和7B分别是用于说明根据本发明实施例的制造薄膜晶体管基板的方法中的第三掩模工艺的平面图和剖面图，图8A至图8D是用于具体说明根据本发明实施例的第三掩模工艺的剖面图。
在掺杂非晶硅层107上形成包括数据线104、源极110、漏极112、像素连接线118a和上存储电极130的第二图案组，并且通过第三接触孔128和第四接触孔136暴露出选通焊盘124和数据焊盘132的第二导电层103。另外，形成与第二图案组交叠的半导体图案115，并暴露出有源层115、源极110和漏极112之间的氧化表面。
参照图8A，通过诸如溅射等的淀积技术，在掺杂非晶硅层107上形成第三导电层109，并且使用半色调掩模和衍射曝光掩模通过光刻工艺在第三导电层109上形成不同厚度的光刻胶图案170。光刻胶图案170包括不同厚度的第一光刻胶图案170A和第二光刻胶图案170B。第三导电层109采用由金属材料形成的单层，或者具有诸如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金或Al合金等至少双层的层结构。
参照图8B，使用光刻胶图案170作为掩模，通过蚀刻工艺对第三导电层109进行构图，由此提供第二图案组，该第二图案组包括漏极112、像素连接线118a、上存储电极130，以及与数据线104集成为一体的源极110。在这种情况下，还对通过第三接触孔128和第四接触孔136暴露出的选通焊盘124和数据焊盘132的第二导电层103进行蚀刻，由此暴露出第一透明导电层101。然后，沿着第二图案组对掺杂非晶硅层107和非晶硅层105进行构图，由此提供半导体图案115，该半导体图案115包括与第二图案组交叠的欧姆接触孔116和有源层114。这种半导体图案115沿着第二图案组进行交叠。但是，半导体图案115不存在于第一接触孔126、第二接触孔134和第五接触孔138中，其中所述第一接触孔126、第二接触孔134和第五接触孔138是在上述第二掩模工艺中以贯穿栅极绝缘膜154的方式形成的。因此，像素连接线118a和上存储电极130经由各个第一接触孔126和第二接触孔134连接到像素电极118，并且数据线104经由第五接触孔138连接到数据焊盘132。
参照图8C，工艺使第一光刻胶图案170A的厚度变薄，同时去除第二光刻胶图案170B。接着，分离源极110和漏极112，并且使用第一光刻胶图案170A作为掩模，通过蚀刻工艺去除其下面的欧姆接触层116，由此暴露出有源层114。使用氧(O2)等离子体，通过表面工艺将暴露出的有源层114的表面氧化成SiO2，从而在没有保护膜的情况下可以保持沟道的可靠性。
参照图8D，通过剥离工艺去除在图8C中留在第三掩模图案组上的第一光刻胶图案170A。
因此，根据本发明的实施例，可以将制造水平电场施加型薄膜晶体管基板的方法简化为三道掩模工艺。
如上所述，在根据本发明的水平电场施加型的液晶显示器的薄膜晶体管基板及其制造方法中，通过第一掩模工艺形成包括具有阶梯形状的多层导电层结构的第一掩模图案。因此，从公共电极和像素电极暴露出的透明导电层有助于提高亮度，并且上基板的基本不透明导电层防止了光泄漏，并减小了黑色亮度，由此有助于提高对比度。
另外，在根据本发明的水平电场施加型的薄膜晶体管基板及其制造方法中，通过第二掩模工艺形成贯穿半导体层和栅极绝缘膜的多个接触孔。
此外，在根据本发明的水平电场施加型的薄膜晶体管基板及其制造方法中，形成第三掩模图案组和半导体图案，然后通过第三掩模工艺暴露出半导体图案的有源层，并对其表面进行氧化。因此，保证了沟道的可靠性，并且通过待形成在其上的配向膜来保护第三掩模图案，因此不需要保护膜。
因此，整个工艺可简化为三道掩模工艺，从而可以降低材料成本和设备投资成本等，并提高了生产率。
上述液晶显示器件及其制造方法不仅适用于水平电场施加型，而且适用于其他实施例，例如，边缘场切换(FFS)以及等离子体显示板(PDP)。
对于本领域技术人员来说，显然在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和改变。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求及其等价物范围内的本发明的这些修改和改变。
本申请要求2005年6月30日提交的韩国专利申请No.P2005-0057950的优先权，通过引用并入其内容，如同在此处进行了充分阐述。

Claims (38)

1、一种液晶显示器件，包括：
与基板上的选通线交叉以限定像素区的数据线；
所述选通线和所述数据线之间的绝缘膜；
与所述选通线和所述数据线相连的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有源极、漏极和栅极；
与所述像素区中的薄膜晶体管相连的像素电极；
与所述像素电极平行地设置在所述像素区中的公共电极；
与所述公共电极相连的公共线；以及
与所述选通线、所述数据线和所述公共线中的至少一个相连的焊盘；
其中第一图案组具有所述选通线、所述栅极、所述像素电极、所述公共电极和所述公共线，而所述焊盘包括多层导电层，该多层导电层包括透明导电层，
其中所述第一图案组具有阶梯形状。
2、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中，所述第一图案组具有多层结构，该多层结构具有位于所述透明导电层上的基本不透明导电层。
3、根据权利要求2所述的液晶显示器件，其中，所述透明导电层沿着所述基本不透明导电层的边缘恒定地暴露。
4、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中，所述焊盘通过接触孔暴露出所述透明导电层。
5、根据权利要求1所述的液晶显示器件，还包括：
存储电容器，该存储电容器是通过像素连接线提供的，该像素连接线从所述薄膜晶体管的漏极延伸，并与所述公共线的一部分交叠且其间具有所述绝缘膜。
6、根据权利要求5所述的液晶显示器件，还包括：
存储电容器，其包括上存储电极，该上存储电极与所述像素电极相连，并与所述选通线的一部分交叠且其间具有所述绝缘膜。
7、根据权利要求6所述的液晶显示器件，其中，所述像素连接线经由贯穿所述绝缘膜的第一接触孔连接到所述像素电极，并且所述上存储电极经由贯穿所述绝缘膜的第二接触孔连接到所述像素电极。
8、根据权利要求7所述的液晶显示器件，还包括：
与所述像素连接线和所述上存储电极交叠的半导体图案。
9、根据权利要求8所述的液晶显示器件，其中，所述半导体图案不存在于所述第一接触孔和第二接触孔中。
10、根据权利要求1所述的液晶显示器件，还包括：
存储电容器，其包括上存储电极，该上存储电极与所述像素电极相连，并与所述选通线的一部分交叠且其间具有所述绝缘膜。
11、根据权利要求10所述的液晶显示器件，其中，所述上存储电极经由贯穿所述绝缘膜的接触孔连接到所述像素电极。
12、根据权利要求11所述的液晶显示器件，还包括：
与所述上存储电极交叠的半导体图案。
13、根据权利要求12所述的液晶显示器件，其中，所述半导体图案不存在于所述接触孔中。
14、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中，在所述源极和所述漏极之间暴露出的沟道被氧化。
15、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中，所述数据线经由贯穿所述绝缘膜的接触孔连接到所述焊盘。
16、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中，所述薄膜晶体管包括用于形成沟道的半导体图案，该半导体图案与所述数据线交叠。
17、一种液晶显示器件，包括：
用于充分施加电场的一对电极；
其中所述电极具有包括上部和比所述上部宽的下部的多层结构。
18、根据权利要求17所述的液晶显示器件，其中，所述上部是基本不透明材料，所述下部基本透明。
19、一种制造液晶显示器件的方法，包括：
第一掩模工艺，在基板上形成第一导电图案组，所述第一导电图案组包括多层导电层形式的选通线和栅极、公共线和公共电极、像素电极和焊盘，该多层导电层包括透明导电层，其中所述第一导电图案组具有阶梯形状；
第二掩模工艺，在所述第一掩模图案组上形成包括多个接触孔的绝缘膜和半导体层；以及
第三掩模工艺，在所述半导体层上形成第二图案组，所述第二图案组包括数据线、源极和漏极以及从所述漏极延伸的像素连接线，对所述半导体层进行构图，并在所述源极和所述漏极之间暴露出有源层。
20、根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一图案组具有包括透明导电层和基本不透明导电层的多层结构。
21、根据权利要求20所述的方法，其中，所述透明导电层沿着所述基本不透明导电层的边缘暴露。
22、根据权利要求19所述的方法，其中所述第一掩模工艺包括：
在所述基板上形成所述透明导电层和所述基本不透明导电层；
在所述基本不透明导电层上形成光刻胶图案；以及
使用所述光刻胶图案作为掩模，对所述透明导电层和所述基本不透明导电层进行构图。
23、根据权利要求22所述的方法，其中，所述第一掩模工艺还包括：
对所述光刻胶图案进行灰化；以及
对通过所述经灰化的光刻胶图案而暴露出的所述基本不透明导电层进行蚀刻。
24、根据权利要求19所述的方法，其中，所述焊盘经由接触孔而暴露出所述透明导电层。
25、根据权利要求19所述的方法，其中，所述第三掩模工艺包括：
在所述半导体层上形成导电层；
在所述导电层上形成具有不同厚度的光刻胶图案；
通过使用所述光刻胶图案作为掩模对所述导电层进行构图，来形成所述数据线、所述源极、所述漏极和所述像素连接线；
使用所述光刻胶图案作为掩模，对所述半导体层进行构图；以及
暴露出所述半导体层的有源层。
26、根据权利要求25所述的方法，其中，所述第三掩模工艺还包括：
使用等离子体表面工艺对暴露出的有源层的表面进行氧化。
27、根据权利要求26所述的方法，其中，所述等离子体表面工艺是在存在所述光刻胶图案的条件下进行的。
28、根据权利要求19所述的方法，还包括形成存储电容器，该存储电容器是通过使所述像素连接线与所述公共线的一部分交叠且其间具有所述绝缘膜而提供的。
29、根据权利要求28所述的方法，其中，所述第三掩模工艺还包括：
与所述第二图案组一起形成上存储电极，该上存储电极与所述像素电极相连，并与所述选通线的一部分交叠且其间具有所述绝缘膜。
30、根据权利要求29所述的方法，其中，所述像素连接线经由贯穿所述绝缘膜的第一接触孔连接到所述像素电极，而所述上存储电极经由贯穿所述绝缘膜的第二接触孔连接到所述像素电极。
31、根据权利要求30所述的方法，其中，所述半导体层沿着所述像素连接线和所述上存储电极进行交叠，并被形成为不存在于所述第一接触孔和所述第二接触孔内。
32、根据权利要求19所述的方法，其中，所述第三掩模工艺还包括：
形成上存储电极，该上存储电极与所述像素电极相连，并与所述选通线的一部分交叠且其间具有所述绝缘膜。
33、根据权利要求32所述的方法，其中，所述上存储电极经由贯穿所述绝缘膜的接触孔连接到所述像素电极。
34、根据权利要求33所述的方法，其中，所述半导体层沿着所述上存储电极进行交叠，并被形成为不存在于所述接触孔中。
35、根据权利要求19所述的方法，其中，所述数据线经由贯穿所述绝缘膜的接触孔连接到所述焊盘。
36、根据权利要求35所述的方法，其中，所述半导体层沿着所述数据线进行交叠，并被形成为不存在于所述接触孔中。
37、根据权利要求19所述的方法，其中，所述第三掩模工艺还包括通过所述接触孔暴露出所述焊盘的所述透明导电层。
38、根据权利要求19所述的方法，其中，所述第三掩模工艺使用半色调掩模和衍射曝光掩模中的一种。
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